TWM603193U

TWM603193U - 具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具

Info

Publication number: TWM603193U
Application number: TW109209726U
Authority: TW
Inventors: 賴奕誠; 賴奕儒
Original assignee: 宸榤精機股份有限公司
Priority date: 2020-07-29
Filing date: 2020-07-29
Publication date: 2020-10-21

Abstract

一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，包含一包括一形成有一容置槽的座頂面與一座底面的底座、一設置於該底座並包括一蓋頂面與一蓋底面的頂蓋，及一設置於該底座與該頂蓋之間的彈性墊。該座頂面具有一槽底面部，該槽底面部形成有數延伸至該座底面並與該容置槽連通的第一穿孔。該頂蓋形成有數分別對應於該等第一穿孔的第二穿孔。該彈性墊包括一位於該容置空間內的墊部，及數設置於該墊部的吸附部，該墊部具有一墊頂面，及一墊底面，該等吸附部從該墊頂面朝上延伸並分別穿出該等第二穿孔，每一吸附部具有一高於該蓋頂面的吸附頂端，該彈性墊形成有數從該等吸附部的吸附頂端延伸至該墊底面的連通孔，該等連通孔分別對應於且連通於該等第一穿孔。

Description

具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具

本新型是有關於一種吸附式治具，特別是指一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具。

如圖1所示，習知一種晶片加熱用的吸附式治具1，包括一頂面101、一底面102，及數從該頂面101延伸至該底面102的抽氣孔103，該頂面101可供數晶片2擺置，該吸附式治具1是擺置於一烘乾工作站的一加熱基座（圖未示）上，並與一抽氣裝置（圖未示）連接。

一般而言，當晶圓在一切割工作站的一切割用治具（圖未示）上被切割成該等晶片2之後，可利用一搬運治具（圖未示）將該等晶片2吸附並搬運至位於該烘乾工作站的吸附式治具1上，此後，即可藉由該抽氣裝置對該等抽氣孔103抽氣，而將該等晶片2吸附在該頂面101上，如此，該加熱基座即可通過該吸附式治具1對該等晶片2進行加熱，同時，該烘乾工作站的一風刀裝置（圖未示）也可對該等晶片2吹風，藉以將該等晶片2上所沾附的切削液快速地烘乾，然而，此種吸附式治具1在實際使用上卻具有以下的缺失：

一、由於該吸附式治具1的材質是硬質的金屬，且該等晶片2也是硬質的半導體材質，因此，該頂面101與該等晶片2的底面之間的接觸密合性並不佳，在該抽氣裝置對該等抽氣孔103抽氣的過程中，往往會發生漏氣的情形，造成該吸附式治具1對該等晶片2的吸附性不佳。

二、由於該吸附式治具1對該等晶片2的吸力不足，因此，當該烘乾工作站的風刀裝置對該等晶片2吹風時，部分的晶片2往往會從該吸附式治具1上被吹落，而造成毀損。

三、由於該吸附式治具1對該等晶片2的吸力不足，因此，在該搬運治具要將沾附有切削液的該等晶片2轉移至該吸附式治具1上的過程中，部分的晶片2往往會黏附在該搬運治具的底面上，而無法確實地脫開該搬運治具的底面，造成該等晶片2無法全部一次性地轉移至該吸附式治具1上。

因此，本新型之目的，即在提供一種能夠克服先前技術的至少一個缺點的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具。

於是，本新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，包含一底座、一頂蓋，及一彈性墊。

該底座包括一形成有一容置槽的座頂面，及一座底面，該座頂面具有一界定出該容置槽的底側的槽底面部，該槽底面部形成有數延伸至該座底面並與該容置槽連通的第一穿孔。

該頂蓋設置於該底座，並包括一蓋頂面，及一與該座頂面抵接的蓋底面，該頂蓋形成有數從該蓋頂面延伸至該蓋底面並分別對應於該等第一穿孔的第二穿孔。

該彈性墊設置於該底座與該頂蓋之間，並包括一位於該容置空間內的墊部，及數間隔地設置於該墊部並分別對應該等第二穿孔的吸附部，該墊部具有一墊頂面，及一墊底面，該等吸附部從該墊頂面朝上延伸並分別穿出該等第二穿孔，每一吸附部具有一高於該蓋頂面的吸附頂端，該彈性墊形成有數從該等吸附部的吸附頂端延伸至該墊底面的連通孔，該等連通孔分別對應於該等第一穿孔，並分別與該等第一穿孔連通。

本新型之功效在於：本新型利用該彈性墊的吸附部分別朝上穿出該頂蓋的第二穿孔的設計，可使數被擺置於該等吸附部上的晶片的底面與該等吸附部的吸附頂端之間產生良好的接觸密合性，以在抽氣的過程中，有效防止發生漏氣的情形，而對該等晶片產生良好的吸附性。如此，由於本新型在抽氣的過程中可利用該彈性墊的吸附部對該等晶片產生充足的吸力，因此，當一烘乾工作站的一風刀裝置對該等晶片吹風時，本新型可有效防止該等晶片發生被吹落的情形，而避免該等晶片意外毀損，此外，在一搬運治具要將沾附有切削液的該等晶片轉移至該等吸附部的吸附頂端的過程中，本新型可使全部的晶片確實地脫開該搬運治具的底面，而全部一次性地轉移至該彈性墊的吸附部上。

參閱圖2、3，為本新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具100的一實施例，該吸附式治具100包含一底座10、一頂蓋20，及一彈性墊30。在本實施例中，該吸附式治具100可被擺置於一烘乾工作站的一加熱基座（圖未示）上，並與一抽氣裝置（圖未示）連接。

如圖4、5、6所示，該底座10包括一形成有一容置槽13的座頂面11，及一座底面12，該座頂面11具有一界定出該容置槽13的底側的槽底面部111，該槽底面部111形成有數延伸至該座底面12並與該容置槽13連通的第一穿孔112。

在本實施例中，該底座10的第一穿孔112是呈陣列式排列。

該頂蓋20可拆卸地設置於該底座10，並包括一蓋頂面21，及一與該座頂面11抵接的蓋底面22，該頂蓋20形成有數從該蓋頂面21延伸至該蓋底面22並分別對應於該等第一穿孔112的第二穿孔23。

在本實施例中，該頂蓋20的第二穿孔23是呈陣列式排列，每一第二穿孔23的橫截面形狀是呈非圓形，較佳地，每一第二穿孔23的橫截面形狀是呈矩形。

該彈性墊30可拆卸地設置於該底座10與該頂蓋20之間，並包括一位於該容置空間內的墊部31，及數間隔地設置於該墊部31並分別對應該等第二穿孔23的吸附部32，該墊部31具有一墊頂面311，及一墊底面312，該等吸附部32從該墊頂面311朝上延伸並分別穿出該等第二穿孔23，每一吸附部32具有一高於該蓋頂面21的吸附頂端321，該彈性墊30形成有數從該等吸附部32的吸附頂端321延伸至該墊底面312的連通孔33，該等連通孔33分別對應於該等第一穿孔112，並分別與該等第一穿孔112連通。

在本實施例中，該彈性墊30的吸附部32是呈陣列式排列，每一吸附部32的吸附頂端321在一高度方向Z上高出該頂蓋20的蓋頂面21的高度不小於1mm，每一吸附部32的橫截面的外輪廓形狀是對應於該頂蓋20的各別的第二穿孔23的橫截面形狀，而呈矩形，該彈性墊30的材質是橡膠，但是不以此為限。

藉此，如圖6所示，當晶圓在一切割工作站的一切割用治具（圖未示）上被切割成數晶片200之後，即可利用一搬運治具（圖未示）將該等晶片200吸附並搬運至位於該烘乾工作站的該吸附式治具100上，而使每一晶片200位於該彈性墊30的各別的吸附部32的吸附頂端321上，此後，即可藉由該抽氣裝置對該底座10的第一穿孔112與該彈性墊30的連通孔33抽氣，而將每一晶片200穩固地吸附在各別的吸附部32的吸附頂端321上。

經由以上的說明，可再將本新型的優點歸納如下：

一、本新型利用該彈性墊30的吸附部32分別朝上穿出該頂蓋20的第二穿孔23的設計，可使每一晶片200被擺置於各別的吸附部32的吸附頂端321上，而與該頂蓋20的蓋頂面21隔開，而且，該彈性墊30的材質是具有彈性的橡膠，相較於習知技術，該等吸附部32的吸附頂端321與該等晶片200的底面之間可產生良好的接觸密合性，以在該抽氣裝置對該底座10的第一穿孔112與該彈性墊30的連通孔33抽氣的過程中，有效防止發生漏氣的情形，而對該等晶片200產生良好的吸附性。

二、相較於習知技術，由於本新型在抽氣的過程中可利用該彈性墊30的吸附部32對該等晶片200產生充足的吸力，因此，當該烘乾工作站的風刀裝置對該等晶片200吹風時，本新型可有效防止該等晶片200發生被吹落的情形，而避免該等晶片200意外毀損。

三、相較於習知技術，由於本新型在抽氣的過程中可利用該彈性墊30的吸附部32對該等晶片200產生充足的吸力，因此，在該搬運治具要將沾附有切削液的該等晶片200轉移至本新型的過程中，本新型可使全部的晶片200確實地脫開該搬運治具的底面，而全部一次性地轉移至該彈性墊30的吸附部32上。

綜上所述，本新型的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，不僅可對該等晶片產生良好的吸附性，並可避免該等晶片在烘乾的過程中被風力吹落，且可將該等晶片從該搬運治具全部一次性地轉移至該彈性墊的吸附部上，所以確實能達成本新型的目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

100:吸附式治具 10:底座 11:座頂面 111:槽底面部 112:第一穿孔 12:座底面 13:容置槽 20:頂蓋 21:蓋頂面 22:蓋底面 23:第二穿孔 30:彈性墊 31:墊部 311:墊頂面 312:墊底面 32:吸附部 321:吸附頂端 33:連通孔 Z:高度方向 200:晶片 1:吸附式治具 101:頂面 102:底面 103:抽氣孔 2:晶片

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是習知一種晶片加熱用的吸附式治具與數晶片的一不完整的組合剖視圖；圖2是本新型具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具一實施例的一組合立體圖；圖3是該實施例的一分解立體圖；圖4是該實施例的一不完整的分解剖視圖；圖5是該實施例的一組合剖視圖；及圖6是圖5的一不完整的部分放大視圖，說明數晶片被吸附在該實施例的彈性墊的數吸附部上。

100:吸附式治具

10:底座

20:頂蓋

30:彈性墊

Z:高度方向

Claims

一種具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，包含：一底座，包括一形成有一容置槽的座頂面，及一座底面，該座頂面具有一界定出該容置槽的底側的槽底面部，該槽底面部形成有數延伸至該座底面並與該容置槽連通的第一穿孔；一頂蓋，設置於該底座，並包括一蓋頂面，及一與該座頂面抵接的蓋底面，該頂蓋形成有數從該蓋頂面延伸至該蓋底面並分別對應於該等第一穿孔的第二穿孔；及一彈性墊，設置於該底座與該頂蓋之間，並包括一位於該容置空間內的墊部，及數間隔地設置於該墊部並分別對應該等第二穿孔的吸附部，該墊部具有一墊頂面，及一墊底面，該等吸附部從該墊頂面朝上延伸並分別穿出該等第二穿孔，每一吸附部具有一高於該蓋頂面的吸附頂端，該彈性墊形成有數從該等吸附部的吸附頂端延伸至該墊底面的連通孔，該等連通孔分別對應於該等第一穿孔，並分別與該等第一穿孔連通。
如請求項1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，其中，該彈性墊的材質是橡膠。
如請求項1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，其中，該彈性墊的每一吸附部的吸附頂端在一高度方向上高出該頂蓋的蓋頂面的高度不小於1mm。
如請求項1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，其中，該頂蓋的每一第二穿孔的橫截面形狀是呈非圓形，該彈性墊的每一吸附部的橫截面的外輪廓形狀是對應於該頂蓋的各別的第二穿孔的橫截面形狀。
如請求項1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，其中，該底座的第一穿孔是呈陣列式排列，該頂蓋的第二穿孔是呈陣列式排列，該彈性墊的吸附部是呈陣列式排列。
如請求項1所述的具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具，其中，該頂蓋可拆卸地設置於該底座，該彈性墊可拆卸地設置於該底座與該頂蓋之間。