KR20180069381A - 반도체 기판을 지지하는 진공척 - Google Patents

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Abstract

반도체 패키지들로 이루어진 반도체 기판을 지지하는 진공척이 개시된다. 진공척은, 기판의 중앙 부위에 대응하는 제1 진공척과, 제1 진공척의 주위에 배치되며 기판의 가장자리 부위들에 각각 대응하는 복수의 제2 진공척과, 제2 진공척의 상부면에 대해 사선 방향으로 제2 진공척들을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되고 기판의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 노즐과, 기판을 제1 및 제2 진공척들 상에 고정시키기 위해 노즐들을 사선 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다. 이와 같이, 진공척은 사선 방향으로 이동하여 기판의 가장자리 부위를 별도로 진공 흡착할 수 있는 진공 노즐들을 구비함으로써, 휨이 발생한 반도체 기판을 평평하게 펴 안정적으로 흡착 고정할 수 있다.

Description

반도체 기판을 지지하는 진공척{Vacuum chuck supporting semiconductor substrate}
본 발명의 실시예들은 반도체 기판을 지지하는 진공척에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수의 반도체 패키지들로 이루어진 반도체 스트립을 지지하기 위한 반도체 기판을 지지하는 진공척에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정과 다이 본딩 공정 및 몰딩 공정을 통해 다수의 반도체 패키지들로 이루어진 반도체 스트립으로 제조될 수 있다.
상기와 같이 제조된 반도체 스트립은 절단 및 분류(Sawing & Sorting) 공정을 통해 복수의 반도체 패키지들로 개별화되고, 양품 또는 불량품 판정에 따라 분류될 수 있다. 예를 들면, 반도체 스트립을 척 테이블 상에 로드한 후 절단 블레이드를 이용하여 다수의 반도체 패키지들로 개별화할 수 있으며, 개별화된 반도체 패키지들은 세척 및 건조된 후 비전 모듈에 의해 검사될 수 있다. 또한, 비전 모듈에 의한 검사 결과에 따라 양품 및 불량품으로 분류될 수 있다.
절단 및 분류 공정을 수행하기 위한 장치는, 반도체 스트립을 이송하기 위한 스트립 피커와, 스트립 피커에 의해 이송된 반도체 스트립이 로딩되는 진공척과, 개별화된 반도체 패키지들을 이송하기 위한 패키지 피커를 포함할 수 있다.
스트립 피커는 반도체 스트립을 진공 흡착하여 픽업한 후에 반도체 스트립을 반도체 패키지들로 개별화하기 위한 진공척에 로딩한다. 진공척은 반도체 스트립을 진공 흡착하여 고정하며, 진공척에 고정된 반도체 스트립은 절단 블레이드에 의해 반도체 패키지들로 개별화된다. 그러나 이전 공정 과정에서 반도체 스트립에 휨이 발생할 경우 휘어진 반도체 스트립이 척 테이블의 상면으로부터 들뜨는 현상이 발생한다. 이로 인해, 척 테이블이 반도체 스트립을 안정적으로 진공 흡착할 수 없으며, 그 결과, 절단 블레이드와 반도체 스트립이 정상적으로 정렬되지 못해 절단 불량이 발생할 수 있다.
한국공개특허 제10-2007-0109572호 (2007.11.15.)
본 발명의 실시예들은 반도체 기판을 상면에 안정적으로 밀착 고정시킬 수 있는 반도체 기판을 지지하는 진공척을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따르면, 반도체 기판을 지지하는 진공척은, 기판의 중앙 부위에 대응하는 제1 진공척과, 상기 제1 진공척의 주위에 배치되며 상기 기판의 가장자리 부위들에 각각 대응하는 복수의 제2 진공척과, 상기 제2 진공척의 상부면에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척들을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되고 상기 기판의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 노즐과, 상기 기판을 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 고정시키기 위해 상기 진공 노즐들을 사선 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 진공 노즐은, 상기 기판을 흡착하기 위한 진공이 제공되는 진공홀을 구비하고 상기 기판의 하부면에 접촉되어 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공 패드와, 상기 진공 패드의 하부면에 결합되어 상기 기판에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척을 관통하여 배치되며 상기 진공홀과 연통되어 진공을 상기 진공홀에 제공하기 위한 진공 유로를 구비하고 상기 구동부에 결합되어 사선 방향으로 이동 가능한 수직 이동축을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 진공 패드는 탄성 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구동부는 상기 진공 노즐들에 대응하여 복수로 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 진공 노즐들은 상기 제2 진공척들의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 제1 진공척의 중심 지점을 향해 기울어진 사선 방향으로 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 진공척과 상기 제2 진공척들 각각은 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공이 제공되는 복수의 척 진공홀을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 진공척은 기판의 중앙 부위를 진공 흡착하기 위한 제1 진공척과 기판의 가장자리 부위들을 진공 흡착하기 위한 제2 진공척들 및 상측 및 하측으로 이동 가능하게 구비되어 기판의 가장자리 부위를 별도로 진공 흡착할 수 있는 진공 노즐들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 진공척은 기판의 중앙 부위와 가장자리 부위를 별개로 진공 흡착할 수 있으며, 휨이 발생한 기판을 진공 노즐들을 이용하여 평평하게 펼 수 있다.
특히, 진공 노즐은 제2 진공척의 상부면에 대해 사선 방향으로 제2 진공척을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비됨으로써, 휨이 발생한 기판의 가장자리 부분과의 밀착력을 높여 기판을 보다 효율적으로 진공 흡착할 수 있다. 이에 따라, 진공척은 휨이 발생한 기판의 가장자리 부위를 진공 흡착하기 전에 진공 노즐들을 이용하여 기판을 손쉽게 평평하게 펼 수 있으므로, 기판의 휨으로 인한 진공 누설을 방지하고 기판을 안정적으로 진공 흡착할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판을 지지하는 진공척을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 진공척을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 진공 노즐을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 진공척이 반도체 기판을 진공 흡착하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판을 지지하는 진공척을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 진공척을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판(10)을 지지하는 진공척(100)은 반도체 스트립과 같은 반도체 기판(10)을 지지하는 장치로서, 복수의 반도체 패키지들로 이루어진 상기 반도체 기판(10)을 절단하여 상기 반도체 패지키들을 개별화기 위해 상기 반도체 기판(10)을 지지하는데 사용될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(10)은 스트립 픽커(미도시)에 의해 상기 진공척(100)으로 이송될 수 있으며, 상기 진공척(100)은 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착하여 상면에 고정할 수 있다. 이렇게 상기 진공척(100)에 고정된 반도체 기판(10)은 절단 블레이드(미도시)에 의해 절단되어 상기 반도체 패키지들로 개별화될 수 있다.
특히, 상기 진공척(100)은 상기 반도체 기판(10)이 아래로 볼록하게 휘어지는 휨(warpage)에 대응하여 상기 반도체 기판(10)을 안정적으로 진공 흡착할 수 있다.
상기 진공척(100)은, 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위에 대응하여 배치될 수 있는 제1 진공척(110)과, 상기 제1 진공척(110)의 주위에 배치되며 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위들에 각각 대응하여 배치될 수 있는 복수의 제2 진공척(120)과, 상기 제2 진공척들(120)을 통해 사선 방향으로 이동 가능하게 배치될 수 있는 복수의 진공 노즐(130)과, 상기 진공 노즐들(130)을 사선 방향으로 이동시키는 구동부(140)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 진공척(110)은 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위에 대응하여 배치될 수 있으며, 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위를 진공 흡착할 수 있다.
상기 제2 진공척들(120)은 상기 제1 진공척(110)을 둘러싸며, 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위들을 진공 흡착할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 진공척(110)과 상기 제2 진공척들(120) 각각은 상기 반도체 기판(10)을 흡착하기 위한 진공이 제공되는 복수의 척 진공홀(112, 122)을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 진공척(110)은 대체로 사각 형상을 가질 수 있으며 상기 제2 진공척들(120) 각각은 'ㄱ'자 형상을 가질 수 있으나, 상기 제1 진공척(110)과 상기 제2 진공척(120)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 진공척(100)은 4개의 제2 진공척(120)을 구비하나 상기 제2 진공척(120)의 개수는 상기 반도체 기판(10)의 크기와 상기 제1 및 제2 진공척들(110, 120)의 형상에 따라 달라질 수 있다.
상기 제2 진공척들(120)에는 상기 진공 노즐들(130)이 상기 제2 진공척(120)의 상부면에 대해 사선 방향으로 관통하여 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 진공척들(120) 각각에는 상기 진공 노즐(130)이 삽입될 수 있는 관통홀(124)이 구비될 수 있으며, 상기 관통홀(124)은 상기 제2 진공척(120)의 상부면에 대해 사선 방향으로 형성될 수 있다.
특히, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 관통홀(124)은 상기 제2 진공척(120)의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 제1 진공척(110)의 중심 지점, 즉, 상기 진공척(100)의 중심 지점을 향해 기울어지게 형성되며, 이에 따라, 상기 진공 노즐들(130) 또한 상기 제2 진공척들(120)의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 진공척(100)의 중심 지점을 향해 사선으로 배치된다.
상기 진공 노즐들(130)은 상기 관통홀(124)을 따라 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되며, 상기 반도체 기판(10)의 하부면을 진공 흡착한다. 특히, 상기 진공 노즐들(130)은 사선 방향으로 이동할 수 있으므로 상기 반도체 기판(10)에 휨이 발생하더라도 상기 반도체 기판(10)의 하부면에 접촉되어 안정적으로 진공 흡착할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 진공 노즐을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 진공 노즐(130)은, 일 단부 부분이 상기 구동부(140)에 결합되어 상기 구동부(140)의 구동에 의해 수직 방향으로 이동할 수 있는 수직 이동축(132)과, 상기 수직 이동축(132)의 타 단부 부분에 결합되며 상기 반도체 기판(10)의 하부면을 진공 흡착할 수 있는 진공 패드(134)를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 수직 이동축(132)은 상기 제2 진공척(120)의 관통홀(124)에 삽입될 수 있으며, 상기 구동부(140)에 의해 상기 관통홀(124)을 따라 사선 방향으로 이동 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 구동부(140)는 상기 진공 노즐들(120)에 대응하여 복수로 구비될 수 있다.
상기 진공 패드(134)는 상기 수직 이동축(132)에 의해 사선 방향으로 이동될 수 있다. 상기 진공 패드(134)는 상기 반도체 기판(10)을 흡착하기 위한 진공이 제공되는 진공홀(34)을 구비하며, 상기 수직 이동축(132)은 상기 진공홀(134)과 연통되어 상기 진공홀(34)에 진공을 제공하기 위한 진공 유로(32)를 구비할 수 있다. 상기 진공 유로(32)는 진공 라인(150)과 연통될 수 있으며, 상기 진공 라인(150)은 상기 진공 노즐(130)에 진공을 제공하기 위한 진공 펌프(미도시)에 결합될 수 있다.
상기 진공 패드(134)는 상기 수직 이동축(132)에 의해 상기 제2 진공척(120)의 상측으로 사선 이동하여 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위에 접촉될 수 있으며, 진공을 이용하여 상기 반도체 기판(10)을 흡착할 수 있다. 상기 진공 패드(134)는 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착한 상태로 상기 수직 이동축(132)에 의해 상기 제2 진공척(120)의 하측을 향하여 사선 방향으로 이동할 수 있으며, 그 결과, 상기 반도체 기판(10)에 휨이 발생하더라도 상기 진공척(100)이 상기 반도체 기판(10)을 안정적 진공 흡착할 수 있다.
특히, 상기 진공 패드(134)는 고무와 같은 탄성 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 따라, 상기 반도체 기판(10)과의 밀착력이 향상될 수 있으며 진공 누설을 방지할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 상기 진공척(100)이 휨이 발생된 반도체 기판(10)을 진공 흡착하는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 진공척이 반도체 기판을 진공 흡착하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저, 상기 진공 노즐들(130)은 상기 제2 진공척들(120)의 관통홀들(124) 안에서 대기하며, 상기 제2 진공척들(120)의 상측으로 돌출되지 않는다. 즉, 상기 진공 노즐들(130)이 대기 상태일 경우, 상기 진공 노즐들(130) 각각의 진공 패드(134)는 상기 관통홀(124) 안에 위치하며 상기 제2 진공척(120)의 상측으로 돌출되지 않는다. 또한, 상기 진공 노즐들(130) 각각의 수직 이동축(132)은 상기 관통홀(124)에 삽입되어 정지 상태를 유지하며, 상기 구동부(140)는 구동하지 않는다.
이어, 아래로 볼록하게 휨이 발생한 반도체 기판(10)이 상기 진공척(100)에 로딩될 경우, 상기 제1 진공척(110))이 상기 반도체 기판(10)의 하부면의 중앙 부위를 진공 흡착한다. 이때, 상기 제2 진공척들(120)은 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착하지 않으며, 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위만 상기 제1 진공척(110)에 고정된다. 즉, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 아래로 볼록하게 휨이 발생한 반도체 기판(10)은 중앙 부위만 상기 진공척(100)의 상부면에 접촉되며, 가장자리 부위는 상기 휨으로 인해 상기 진공척(100)의 상부면에 고르게 접촉되기 어렵다. 따라서, 상기 제2 진공척들(120)의 척 진공홀들(122; 도 1 참조)에 진공이 제공되더라도 상기 반도체 기판(10)과의 접촉 불균일로 인해 진공이 누설되며, 이로 인해, 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위가 상기 제2 진공척들(120)에 안정적으로 진공 흡착되기 어렵다.
이어, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10)이 상기 제1 진공척(110)에 진공 흡착된 상태에서 상기 진공 노즐들(130) 각각의 수직 이동축(132)이 상기 구동부들(140)에 의해 상측으로 사선 이동하며, 이에 따라, 상기 진공 노즐들(130) 각각의 진공 패드(134)가 상기 제2 진공척들(120)의 상측을 향해 사선 방향으로 이동하여 상기 반도체 기판(10)의 하부면의 가장자리 부위에 접촉된다. 특히, 상기 진공 노즐들(130)은 상기 제2 진공척들(120)의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 진공척(100)의 중심 지점을 향하여 사선 방향으로 배치되기 때문에, 아래로 볼록하게 휨이 발생한 반도체 기판(10)의 하부면 가장자리 부위와 상기 진공 패드(134)가 안정적으로 접촉될 수 있으며 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.
이어, 상기 진공 패드(134)의 진공홀(34; 도 3 참조)에 제공되는 진공에 의해 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위가 상기 진공 패드(134)에 진공 흡착된다.
도 5를 참조하면, 상기 진공 패드(134)에 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위가 고정된 상태에서 상기 진공 노즐들(130) 각각의 수직 이동축(132)은 상기 구동부(140)에 의하여 하측을 향해 사선 방향으로 이동하며, 이에 따라, 상기 진공 패드(134)가 하측을 향해 사선 방향으로 이동하여 상기 제2 진공척(120)의 관통홀(124) 안으로 삽입된다. 그 결과, 상기 진공 패드(134)에 흡착된 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위가 상기 진공 패드(134)와 함께 하측 방향으로 이동되며, 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위들이 상기 제2 진공척들(120)의 상면에 접촉된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 아래로 볼록하게 휘어진 반도체 기판(10)이 상기 진공 노즐들(130)의 사선 이동에 의해 평평하게 펴지며, 그 결과, 상기 반도체 기판(10)의 하부면이 상기 진공척(100)의 상부면에 균일하게 접촉될 수 있다.
이어, 상기 제2 진공척들(120)의 척 진공홀들(122)에 진공이 제공되며, 상기 반도체 기판(10)의 하부면의 가장자리 부위가 상기 제2 진공척들(120)에 진공 흡착된다. 이로써, 상기 반도체 기판(10)의 휨에 의한 진공 누설 없이 상기 반도체 기판(10)의 하부면 전체가 상기 진공척(100)의 상부면에 안정적으로 진공 흡착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 진공척들(120)이 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착하더라도 상기 진공 노즐들(130)은 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착한 상태를 계속해서 유지할 수 있다. 즉, 상기 진공 노즐들(130)은 상기 제2 진공척들(120)이 상기 반도체 기판(10)을 진공 흡착한 이후에도 상기 반도체 기판(10)의 휨에 의해 상기 제2 진공척들(120)의 진공이 누설되지 않도록 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위를 추가로 흡착 고정하는 역할을 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 진공척(100)은 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위를 진공 흡착하는 상기 제1 진공척(110)과 상기 반도체 기판(10) 가장자리 부위들을 진공 흡착하는 상기 제2 진공척들(120) 및 상기 반도체 기판(10)의 가장자리 부위를 별도로 진공 흡착할 수 있는 상기 진공 노즐들(130)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 진공척(100)은 상기 반도체 기판(10)의 중앙 부위와 가장자리 부위를 별개로 진공 흡착할 수 있으며, 휨이 발생한 반도체 기판(10)을 상기 진공 노즐들(10)을 이용하여 평평하게 펼 수 있다.
특히, 상기 진공 노즐(130)은 상기 제2 진공척(120)의 상부면에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척(120)을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비됨으로써, 휨이 발생한 반도체 기판(10)의 가장자리 부분과의 밀착력을 높여 상기 휨이 발생한 반도체 기판(10)을 보다 효율적으로 진공 흡착할 수 있다. 이에 따라, 상기 진공척(100)은 상기 휨이 발생한 반도체 기판(10)의 가장자리 부위를 진공 흡착하기 전에 상기 진공 노즐들(130)을 이용하여 상기 반도체 기판(10)을 손쉽게 평평하게 펼 수 있으므로, 상기 반도체 기판(10)의 휨으로 인한 진공 누설을 방지하고 상기 반도체 기판(10)을 안정적으로 진공 흡착할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 반도체 기판 32 : 진공 유로
34 : 진공홀 100 : 진공척
110 : 제1 진공척 112, 122 : 척 진공홀
120 : 제2 진공척 124 : 관통홀
130 : 진공 노즐 132 : 수직 이동축
134 : 진공 패드 140 : 구동부
150 : 진공 라인

Claims (6)

  1. 기판의 중앙 부위에 대응하는 제1 진공척;
    상기 제1 진공척의 주위에 배치되며 상기 기판의 가장자리 부위들에 각각 대응하는 복수의 제2 진공척;
    상기 제2 진공척의 상부면에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척들을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되고 상기 기판의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 노즐; 및
    상기 기판을 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 고정시키기 위해 상기 진공 노즐들을 사선 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 진공 노즐은,
    상기 기판을 흡착하기 위한 진공이 제공되는 진공홀을 구비하고 상기 기판의 하부면에 접촉되어 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공 패드; 및
    상기 진공 패드의 하부면에 결합되어 상기 기판에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척을 관통하여 배치되며 상기 진공홀과 연통되어 진공을 상기 진공홀에 제공하기 위한 진공 유로를 구비하고 상기 구동부에 결합되어 사선 방향으로 이동 가능한 수직 이동축을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 진공 패드는 탄성 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구동부는 상기 진공 노즐들에 대응하여 복수로 구비될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 진공 노즐들은 상기 제2 진공척들의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 제1 진공척의 중심 지점을 향해 기울어진 사선 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 진공척과 상기 제2 진공척들 각각은 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공이 제공되는 복수의 척 진공홀을 구비하는 것을 특징으로 반도체 기판을 지지하는 진공척.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109704064A (zh) * 2019-02-15 2019-05-03 东莞记忆存储科技有限公司 一种用于全自动切割机片翘曲产品的抓取机构及其使用方法
KR20200036134A (ko) * 2018-09-27 2020-04-07 태산하이텍주식회사 공작 기계용 유니버셜 베드

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070109572A (ko) 2006-05-12 2007-11-15 삼성전자주식회사 기판 파지 장치 및 이를 갖는 노광 장치
JP2008235472A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013191601A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板保持装置及び基板保持方法
JP2013232466A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 基板吸着装置
KR20140033433A (ko) * 2011-07-04 2014-03-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 기판의 박리 방법 및 유리 기판 박리 장치
JP2016085439A (ja) * 2014-05-08 2016-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070109572A (ko) 2006-05-12 2007-11-15 삼성전자주식회사 기판 파지 장치 및 이를 갖는 노광 장치
JP2008235472A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20140033433A (ko) * 2011-07-04 2014-03-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 기판의 박리 방법 및 유리 기판 박리 장치
JP2013191601A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板保持装置及び基板保持方法
JP2013232466A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 基板吸着装置
JP2016085439A (ja) * 2014-05-08 2016-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200036134A (ko) * 2018-09-27 2020-04-07 태산하이텍주식회사 공작 기계용 유니버셜 베드
CN109704064A (zh) * 2019-02-15 2019-05-03 东莞记忆存储科技有限公司 一种用于全自动切割机片翘曲产品的抓取机构及其使用方法

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