TWI697042B - 切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法，在搬送機構中設置分離機構，以簡化切斷平臺的構成。切斷裝置具備：平臺4，載置多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件；切斷機構，將工件切斷為多個半導體封裝9與多個廢棄部分32a、32b；以及搬送機構33，對由切斷機構切斷的多個半導體封裝9進行吸附並予以搬送，搬送機構33具備分別對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔38，以及使半導體封裝9與廢棄部分32a、32b分離的分離機構43。

Description

切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法
本發明涉及一種切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法。
作為現有技術，例如，在專利文獻1中公開了一種加工物保持用吸盤。所述加工物保持用吸盤是對具備應分開的多個零件及所述零件的廢料區域的加工物進行保持的吸盤，其具備：加工物保持裝置，以保持加工物的方式構成；第1壓力單元，以保持零件的方式作動；第2壓力單元，以在使零件分開的期間保持位於吸盤的正上方的加工物的廢料區域的方式作動；在零件被分開後對第1壓力單元及第2壓力單元選擇性地進行作動解除的單元；以及清洗單元，在解除第2壓力單元的作動及維持第1壓力單元的作動時，通過清洗將廢料區域從吸盤自動地去除。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利第3940076號公報
[發明所要解決的問題] 在專利文獻1所公開的加工物保持用吸盤中，零件利用由第1真空源供給的第1壓力單元保持於吸盤上。廢料區域利用由第2真空源供給的第2壓力單元保持於吸盤上。這些第1真空源及第2真空源能獨立且單獨進行控制。即，所述加工物保持用吸盤具有用以保持零件的第1真空源以及用以保持廢料區域的第2真空源。由此在加工物保持用吸盤中設置有兩個系統的真空抽吸機構。因此，有加工物保持用吸盤的構成變得複雜，加工物保持用吸盤的製造成本增大的問題。
本發明用以解決所述問題，其目的在於提供一種切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法，通過在搬送機構中設置使半導體封裝與廢棄部分分離的分離機構，可簡化切斷平臺的構成。
[解決問題的技術手段] 為了解決所述問題，本發明的切斷裝置具備：平臺，載置多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件；切斷機構，將工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及搬送機構，對由切斷機構切斷的多個半導體封裝進行吸附並予以搬送，搬送機構具備分別對多個半導體封裝進行抽吸的多個抽吸孔，以及使半導體封裝與廢棄部分分離的分離機構。
為了解決所述問題，本發明的半導體封裝的搬送方法包括：載置步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件載置於平臺；切斷步驟，將工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及搬送步驟，將多個半導體封裝分別吸附至搬送機構中所設置的多個抽吸孔並予以搬送，搬送步驟中包括使半導體封裝與廢棄部分分離的分離步驟。
[發明的效果] 根據本發明，通過在搬送機構中設置使半導體封裝與廢棄部分分離的分離機構，可簡化切斷平臺的構成。
以下，參照圖式對本發明的實施方式進行說明。關於本申請文件中的所有的圖，為了容易理解而適宜省略或誇大進行示意性描繪。對相同的構成元件標注相同的符號並適宜省略說明。
〔第一實施方式〕 （切斷裝置的構成） 參照圖1對本發明的切斷裝置的構成進行說明。在本實施方式中，例如對以下情況進行說明：作為切斷對象物（工件），將對裝配有半導體晶片的基板進行樹脂密封而成的封裝基板切斷。如圖1所示，切斷裝置1例如具備供給封裝基板2的基板供給模組A、切斷封裝基板2的切斷模組B、以及對經切斷而單片化的半導體封裝進行檢查的檢查模組C分別作為構成元件。各構成元件可分別相對於其他構成元件進行拆裝及更換。
在基板供給模組A中設置有供給封裝基板2的基板供給部3。封裝基板2例如具有：基板、裝配在基板所具有的多個區域中的多個半導體晶片、以及以一併覆蓋多個區域的方式形成的密封樹脂。封裝基板2利用搬送機構（未圖示）從基板供給模組A被搬送至切斷模組B。
在切斷模組B中設置有用以吸附並切斷封裝基板2的切斷平臺4。在切斷平臺4上安裝有用以吸附封裝基板2的吸附夾具（參照圖3）。切斷平臺4可利用移動機構5沿圖的Y方向移動。並且，切斷平臺4可利用旋轉機構6沿θ方向旋轉。
在切斷模組B中設置有主軸7來作為將封裝基板2切斷而單片化成多個半導體封裝的切斷機構。切斷裝置1例如是設置有一個主軸7的單主軸（single spindle）構成的切斷裝置。主軸7可獨立地沿X方向及Z方向移動。在主軸7中裝配有用以切斷封裝基板2的旋轉刀8。
在主軸7中設置有朝向高速旋轉的旋轉刀8噴射切削水的切削水用噴嘴、噴射冷卻水的冷卻水用噴嘴、噴射用以清洗切斷屑等的清洗水的清洗水用噴嘴（均未圖示）等。通過使切斷平臺4與主軸7進行相對移動來切斷封裝基板2。
可設為在切斷模組B中設置有2個主軸的雙主軸構成的切斷裝置。進而，也可設為設置兩個切斷平臺，在各個切斷平臺切斷封裝基板2的雙切割平臺構成。通過設為雙主軸構成、雙切割平臺構成，可提高切斷裝置的生產性。
在檢查模組C中設置有搬送機構10，所述搬送機構10對將封裝基板2切斷而經單片化的多個半導體封裝9進行吸附並予以搬送。搬送機構10可沿X方向及Z方向移動。搬送機構10對經單片化的多個半導體封裝9一併進行吸附並予以搬送。
在檢查模組C中設置有檢查平臺11，所述檢查平臺11用以吸附並檢查經單片化的多個半導體封裝9。利用搬送機構10，多個半導體封裝9被一併載置在檢查平臺11上。利用檢查用的照相機12檢查多個半導體封裝9的表面及背面。
由檢查平臺11所檢查的多個半導體封裝9被區分為良品與不良品。利用傳送機構（未圖示）將良品傳送並收容在良品用托盤13中，將不良品傳送並收容在不良品用托盤（未圖示）中。
在基板供給模組A中設置有控制部CTL。控制部CTL對切斷裝置1的動作、封裝基板2的搬送、封裝基板2的切斷、經單片化的半導體封裝9的搬送、半導體封裝9的檢查、半導體封裝9的收容等進行控制。在本實施方式中，將控制部CTL設置在基板供給模組A中。並不限定於此，也可將控制部CTL設置在其他的模組中。另外，控制部CTL也可分割為多個而設置在基板供給模組A、切斷模組B、以及檢查模組C中的至少兩個模組中。
（封裝基板的構成） 參照圖2（a）及圖2（b）對本實施方式的經切斷的封裝基板2的構成進行說明。如圖2（b）所示，封裝基板2具備基板14、裝配在基板14的主面側的多個半導體晶片15、以及以覆蓋多個半導體晶片15的方式形成的密封樹脂16。半導體晶片15例如經由接合線或凸塊（均未圖示）等與基板14連接。
如圖2（a）所示，在封裝基板2中虛擬地設定有用以將封裝基板2切斷而單片化成多個半導體封裝9（參照圖1）的相互交叉的多根切斷預定線。多個半導體晶片15分別裝配在由多根切斷預定線17所包圍的多個半導體封裝形成區域18中。由多根切斷預定線17所包圍的多個半導體封裝形成區域18通過經單片化而成為半導體封裝9。
在本實施方式所示的封裝基板2中，利用多根切斷預定線17而設定出形成多個半導體封裝9的半導體封裝形成區域18、與成為對半導體封裝的形成沒有作用的廢棄部分的多個廢棄部分形成區域19。多個廢棄部分形成區域19被分類成與半導體封裝形成區域18鄰接地設定的廢棄部分形成區域19a、以及設定在半導體封裝形成區域18的角部的廢棄部分形成區域19b。
（切斷平臺的構成） 參照圖3（a）～圖3（c）對本實施方式中所使用的切斷平臺4的構成進行說明。如圖3（a）所示，切斷平臺4是用以在切斷裝置1中將封裝基板2切斷而加以單片化的平臺。在切斷平臺4中安裝有對應於封裝基板2的吸附夾具20。吸附夾具20具備金屬板21與固定於金屬板21上的樹脂片材22。
在吸附夾具20中分別設置有第一抽吸孔23與第二抽吸孔24，所述第一抽吸孔23對設定於封裝基板2的多個半導體封裝形成區域18進行抽吸，所述第二抽吸孔24對多個廢棄部分形成區域19（19a，19b）進行抽吸。多個第一抽吸孔23以及多個第二抽吸孔24分別與形成在切斷平臺4中的空間25連通。切斷平臺4的空間25經由開口部26與抽吸機構27連接。作為抽吸機構27，例如可使用真空泵等。利用一個抽吸機構27便可將設定於封裝基板2的多個半導體封裝形成區域18以及多個廢棄部分形成區域19（19a，19b）吸附至切斷平臺4。即，可由一個系統的吸附機構來構成切斷平臺4的吸附機構。因此，在切斷平臺4中，可簡化對封裝基板2或經單片化的半導體封裝9進行吸附的吸附機構的構成。
在吸附夾具20的樹脂片材22中，以與設定在封裝基板2上的多根切斷預定線17對應的方式形成有多個切斷退刀槽28。在切斷封裝基板2時，使旋轉刀8在所述切斷退刀槽28內通過，由此可抑制損壞吸附夾具20（樹脂片材22）而產生切斷屑等。
（封裝基板的切斷） 參照圖3（a）～圖4（b）對切斷封裝基板2而單片化成多個半導體封裝與多個廢棄部分的步驟進行說明。
如圖3（a）所示那樣，首先將封裝基板2載置於切斷平臺4。嚴格來說，將封裝基板2載置於切斷平臺4中所安裝的吸附夾具20上，但是為了方便說明，表達為將封裝基板2載置於切斷平臺4。以封裝基板2中所設定的切斷預定線17重疊於形成在吸附夾具20的切斷退刀槽28上的方式載置封裝基板2。
接著，使用抽吸機構27將封裝基板2吸附至切斷平臺4。在封裝基板2中，半導體封裝形成區域18經由第一抽吸孔23、空間25、以及開口部26而吸附至切斷平臺4。廢棄部分形成區域19（19a，19b）經由第二抽吸孔24、空間25、以及開口部26而吸附至切斷平臺4。在本申請文件中，如圖3（a）所示那樣，為了明確對封裝基板、半導體封裝、廢棄部分等進行了抽吸，用細箭頭表示進行抽吸的抽吸力29。接著，將裝配在主軸7（參照圖1）上的旋轉刀8配置於設定在最外側的切斷預定線17上。
接著，如圖3（b）所示那樣，使旋轉刀8下降，並沿著設定在封裝基板2的最外側的切斷預定線17將封裝基板2切斷。封裝基板2的外周部並未吸附於切斷平臺4，因而作為外周端材料30通過切斷而從切斷平臺4被去除。如此，沿著設定在最外側的切斷預定線17將封裝基板2切斷。結果，封裝基板2的外周部全部作為外周端材料30從切斷平臺4被去除。接著，將裝配在主軸7上的旋轉刀8配置於設定在半導體封裝形成區域18的內側的切斷預定線17上。
接著，如圖3（c）所示那樣，使旋轉刀8下降，沿著全部的切斷預定線17將封裝基板2切斷。在與多根切斷預定線17對應的位置形成有多個切斷槽（切口）31。封裝基板2利用多個切斷槽31而單片化成多個半導體封裝9與多個廢棄部分32。多個半導體封裝9經由第一抽吸孔23而吸附至切斷平臺4。多個廢棄部分32經由第二抽吸孔24而分別吸附至切斷平臺4。多個半導體封裝9以及多個廢棄部分32使用相同的抽吸機構27（一個系統的吸附機構）而一併吸附至切斷平臺4。因此，在切斷平臺4中，可簡化吸附多個半導體封裝9以及多個廢棄部分32的吸附機構的構成。並且，可抑制切斷平臺4的製造成本。
如圖4（a）所示那樣，沿著全部的切斷預定線17切斷封裝基板2，由此半導體封裝形成區域18（參照圖2（a））單片化成半導體封裝9，廢棄部分形成區域19a（參照圖2（a））單片化成廢棄部分32a，廢棄部分形成區域19b（參照圖2（a））單片化成廢棄部分32b。半導體封裝9經由第一抽吸孔23而吸附至切斷平臺4。廢棄部分32a、廢棄部分32b經由第二抽吸孔24而吸附至切斷平臺4。
在切斷封裝基板2時，由切斷產生的切斷屑、污垢等有時會殘留在半導體封裝9的表面及側面。這些切斷屑、污垢等進而通過對半導體封裝9進行清洗來去除。清洗後，吹附空氣或氮等氣體使半導體封裝9乾燥。然而，即使在使半導體封裝9乾燥的狀態下，若乾燥不充分則也會存在水分殘留於切斷槽31的內部的情況。若水分殘留於切斷槽31的內部，則有時會產生廢棄部分32a、廢棄部分32b因水分而附著於半導體封裝9的問題。
（搬送機構的構成） 參照圖5（a）及圖5（b），對本實施方式中所使用的搬送機構的構成進行說明。搬送機構33是將半導體封裝9與廢棄部分32（32a、32b）分離而僅吸附半導體封裝9並予以搬送的搬送機構。
如圖5（b）所示那樣，搬送機構33具備基台34以及安裝於基台34的下表面的吸附夾具35。吸附夾具35例如具備金屬板36以及固定於金屬板36的下表面的樹脂片材37。通過設置樹脂片材37能夠緩和物理衝擊。吸附夾具35以與經單片化的多個半導體封裝9以及多個廢棄部分32（32a，32b）對應的方式來製作。也可僅由金屬板或樹脂片材構成吸附夾具。
在吸附夾具35中，分別設置有對經單片化的多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔38。多個抽吸孔38與形成在搬送機構33的基台34中的空間39連通。基台34的空間39經由開口部40與抽吸機構41連接。作為抽吸機構41，例如可使用真空泵等。利用抽吸機構41將多個半導體封裝9吸附至搬送機構33。因此，在搬送機構33中設置有用以吸附多個半導體封裝9的一個系統的吸附機構。
如圖5（a）所示那樣，在吸附夾具35中設置有交叉且連續的多個凹部42。在連續的多個凹部42中，在與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的位置分別設置有多個突起狀的彈性構件43。突起狀的彈性構件43例如優選為橡膠等可伸縮的彈性構件。突起狀的彈性構件43形成為圓柱狀、圓錐狀、圓錐柱狀、角柱狀、角錐狀、角錐柱狀等形狀。在圖5（a）及圖5（b）中，例如表示形成為圓錐柱狀的彈性構件。彈性構件43以從吸附夾具35的表面突出的方式設置。
如圖5（b）所示那樣，若將半導體封裝9的厚度設為a，將從吸附夾具35的表面到彈性構件43的表面為止的高度設為b，則優選以a＜b的方式設定彈性構件43的高度。通過設定為a＜b，則b比a長，因此與a＞b相比，更容易將半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。通過設置突起狀的彈性構件43，可使經單片化的半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。突起狀的彈性構件43作為使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的分離機構發揮功能。在突起狀的彈性構件43使廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的狀態下，搬送機構33可對多個半導體封裝9進行吸附並予以搬送。
在本實施方式中，使多個凹部42以交叉且連續的多個凹部的形式形成於吸附夾具35。並不限定於此，也可在與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的位置形成多個獨立的凹部，在這些凹部中設置多個突起狀的彈性構件。
（半導體封裝的搬送） 參照圖6（a）～圖6（c），對即使在經單片化的廢棄部分32a、廢棄部分32b附著於半導體封裝9的情況下，也使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離而僅吸附半導體封裝9並予以搬送的方法進行說明。
如圖6（a）所示那樣，通過將封裝基板2單片化，半導體封裝9經由第一抽吸孔23而吸附至切斷平臺4，廢棄部分32a、廢棄部分32b經由第二抽吸孔24而吸附至切斷平臺4。半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b利用同樣的（一個系統的）抽吸機構27（參照圖3（a）及圖3（b））吸附於切斷平臺4。
接著，使搬送機構33的多個抽吸孔38以與多個半導體封裝9對應的方式配置，使搬送機構33的多個彈性構件43以與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的方式配置。在所述情況下，半導體封裝9的厚度a與從吸附夾具35的表面到彈性構件43的表面為止的高度b的關係成為a＜b。
接著，如圖6（b）所示那樣，使搬送機構33逐漸下降。通過使搬送機構33下降，首先彈性構件43的前端與廢棄部分32a、廢棄部分32b接觸。通過使搬送機構33進一步下降，彈性構件43被壓縮而產生彈性變形。利用經壓縮的彈性構件43的彈性恢復力，彈性構件43將廢棄部分32a、廢棄部分32b按壓至切斷平臺4。通過使搬送機構33進一步下降，搬送機構33中所安裝的吸附夾具35（樹脂片材37）的表面與半導體封裝9接觸。彈性構件43被進一步壓縮而將廢棄部分32a、廢棄部分32b進一步按壓至平臺4。
接著，在搬送機構33的吸附夾具35與半導體封裝9接觸的狀態下，在切斷平臺4中解除對半導體封裝9以及廢棄部分32a、廢棄部分32b的吸附。接著，經由吸附夾具35的抽吸孔38將半導體封裝9吸附至搬送機構33。在所述狀態下，半導體封裝9的吸附動作從切斷平臺4向搬送機構33轉移。廢棄部分32a、廢棄部分32b被解除在切斷平臺4上的吸附，並利用彈性構件43被按壓至切斷平臺4。
接著，如圖6（c）所示那樣，在搬送機構33吸附著多個半導體封裝9的狀態下使搬送機構33上升。廢棄部分32a、廢棄部分32b利用彈性構件43而被按壓至切斷平臺4。因此，即使在廢棄部分32a、廢棄部分32b附著於半導體封裝9的情況下，利用彈性構件43也可使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因將從吸附夾具35的表面到彈性構件43的表面為止的高度b設定成大於半導體封裝9的厚度a，因此在彈性構件43回到初始的狀態（高度）時，能夠將半導體封裝9的側面與廢棄部分32a、廢棄部分32b的側面隔開。通過設定為a＜b，b比a長，因此與a＞b相比更容易將半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。由此，能更穩定地使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，能使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離而僅吸附半導體封裝9並予以搬送。
（作用效果） 本實施方式的切斷裝置1具備：切斷平臺4，載置作為多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件的封裝基板2；主軸7，其是將封裝基板2切斷為多個半導體封裝9與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b的切斷機構；搬送機構33，對由主軸7切斷的多個半導體封裝9進行吸附並予以搬送，搬送機構33設為如下構成：具備分別對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔38、以及作為使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的分離機構的彈性構件43。
本實施方式的半導體封裝9的搬送方法包括：載置步驟，將作為多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件的封裝基板2載置於切斷平臺4；切斷步驟，將封裝基板2切斷為多個半導體封裝9與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b；以及搬送步驟，將多個半導體封裝9分別吸附至搬送機構33中所設置的多個抽吸孔38並進行搬送，搬送步驟中包括使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的分離步驟。
根據所述構成，在切斷裝置1中，搬送機構33具備對多個半導體封裝9進行吸附的多個抽吸孔38以及使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的多個彈性構件43。即使在廢棄部分32a、廢棄部分32b附著於半導體封裝9的情況下，利用彈性構件43也可使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，搬送機構33能夠僅吸附半導體封裝9並予以搬送。由此，可將切斷平臺4中的吸附機構設為一個系統而對半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b一併進行吸附。因此，可簡化切斷平臺4的構成並降低製造成本。
更詳細來說，根據本實施方式，在切斷裝置1中，切斷平臺4具備對多個半導體封裝9進行抽吸的第一抽吸孔23以及對多個廢棄部分32a、廢棄部分32b進行抽吸的第二抽吸孔24。第一抽吸孔23以及第二抽吸孔24連接於相同的（一個系統的）抽吸機構27。搬送機構33具備對多個半導體封裝9進行抽吸的抽吸孔38以及使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的彈性構件43。
利用搬送機構33中所設置的彈性構件43來使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離，從而搬送機構33能夠僅吸附半導體封裝9並予以搬送。在切斷平臺4中能使用相同的（一個系統的）抽吸機構27對多個半導體封裝9與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b進行吸附。因此，能夠簡化切斷平臺4的構成並降低製造成本。
〔第二實施方式〕 （搬送機構的構成） 參照圖7（a）及圖7（b），對第二實施方式中所使用的搬送機構的構成進行說明。與第一實施方式不同的是，在凹部上連續地形成有作為分離機構的彈性構件。除此以外的構成與第一實施方式相同，因此省略說明。
如圖7（a）及圖7（b）所示那樣，搬送機構44具備基台34以及安裝於基台34的下表面的吸附夾具45。與第一實施方式同樣地，吸附夾具45具備金屬板36以及固定於金屬板36的下表面的樹脂片材37。在吸附夾具45中，多個抽吸孔38、空間39、開口部40、抽吸機構41以及多個凹部42的構成也與第一實施方式相同。多個凹部42以交叉且連續的多個凹部的形式形成於吸附夾具45。
在連續的多個凹部42中，以與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的方式連續地設置有突起狀的彈性構件46。突起狀的彈性構件46優選為橡膠等可伸縮的彈性構件。彈性構件46以從吸附夾具45的表面突出的方式設置。
如圖7（b）所示那樣，若將半導體封裝9的厚度設為a，將從吸附夾具45的表面到彈性構件46的表面為止的高度設為b，則以成為a＜b的方式設定彈性構件46的高度。與第一實施方式同樣地，將從吸附夾具45的表面到彈性構件46的表面為止的高度b設定成大於半導體封裝9的厚度a，因此在彈性構件46回到初始的狀態時，能將半導體封裝9的側面與廢棄部分32a、廢棄部分32b的側面隔開。因此，能使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離而僅吸附半導體封裝9並予以搬送。
根據本實施方式，利用連續的彈性構件46來使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因在吸附夾具45中設置有連續的彈性構件46，因此可更穩定地使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，搬送機構44能夠僅吸附半導體封裝9並予以搬送。在切斷平臺4中，可使用相同的（一個系統的）抽吸機構27對多個半導體封裝9與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b進行吸附，從而能簡化切斷平臺4的構成。
〔第三實施方式〕 （搬送機構的構成及動作） 參照圖8（a）～圖8（c）對第三實施方式中所使用的搬送機構的構成及動作進行說明。與第一實施方式不同的是，使用支撐於彈性體的棒狀構件作為分離機構。除此以外的構成與第一實施方式基本相同，因此省略說明。此外，在圖8（a）～圖8（c）中，省略搬送機構的開口部40以及抽吸機構41的圖示。
如圖8（a）所示那樣，搬送機構47具備基台34以及安裝於基台34的下表面的吸附夾具48。吸附夾具48具備金屬板49以及固定於金屬板49的下表面的樹脂片材37。
在吸附夾具48中，分別設置有對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔50。進而，在吸附夾具48中，在與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的位置分別設置有多個獨立的凹部51（參照圖8（b））。在多個獨立的凹部51中，例如分別設置有支撐於彈性體52的棒狀構件53。作為彈性體52，例如可使用壓縮線圈彈簧等。棒狀構件53可沿上下方向移動。棒狀構件53的形狀例如形成為圓柱狀、圓錐狀、圓錐柱狀、角柱狀、角錐狀、角錐柱狀等形狀。棒狀構件53以從吸附夾具48的表面突出的方式設置。
如圖8（a）所示那樣，若將半導體封裝9的厚度設為a，將從吸附夾具48的表面到棒狀構件53的前端為止的高度設為c，則以成為a＜c的方式設定棒狀構件53的長度。通過設定為a＜c，c比a長，因此與a＞c相比，更容易將半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。通過設置棒狀構件53，能夠使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。棒狀構件53作為使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的分離機構發揮功能。
如圖8（a）～圖8（c）所示那樣，棒狀構件53將廢棄部分32a、廢棄部分32b按壓至平臺4，由此棒狀構件53使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，在棒狀構件53使廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的狀態下，搬送機構47能夠僅吸附多個半導體封裝9並予以搬送。在本實施方式中也發揮與第一實施方式同樣的效果。
〔第四實施方式〕 （搬送機構的構成及動作） 參照圖9（a）～圖9（c），對第四實施方式中所使用的搬送機構的構成及動作進行說明。與第一實施方式不同的是，在吸附夾具上設置加熱器作為分離機構。除此以外的構成與第一實施方式基本相同，因此省略說明。此外，在圖9（a）～圖9（c）中，也省略搬送機構的開口部40以及抽吸機構41的圖示。
如圖9（a）所示那樣，搬送機構54具備基台34以及安裝於基台34的下表面的吸附夾具55。吸附夾具55具備金屬板56以及固定於金屬板56的下表面的樹脂片材37。
在吸附夾具55中，分別設置有對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔57。進而，在吸附夾具55中，在與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的位置分別設置有多個加熱器58。多個加熱器58可分別獨立地設置於與多個廢棄部分32a、廢棄部分32b對應的位置，也可以交叉且連續的多個加熱器的形式設置。
如圖9（b）所示，使搬送機構54下降而使吸附夾具55（樹脂片材37）與半導體封裝9接觸。在所述狀態下對加熱器58進行加熱。即使在水分殘留於切斷槽31的內部（半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b之間）的情況下，也可利用來自加熱器58的輻射熱去除水分。利用加熱器58，能夠使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，在加熱器58使廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的狀態下，搬送機構54可僅吸附多個半導體封裝9並予以搬送。在本實施方式中也發揮與第一實施方式同樣的效果。
〔第五實施方式〕 （搬送機構的構成及動作） 參照圖10（a）及圖10（b），對第五實施方式中所使用的搬送機構的構成及動作進行說明。與第一實施方式不同的是，設置有氣體供給機構作為分離機構，所述氣體供給機構對搬送機構中所設置的氣體噴射孔供給氣體。除此以外的構成與第一實施方式基本相同，因此省略說明。
如圖10（a）所示，搬送機構59具備基台60以及安裝於基台60的下表面的吸附夾具61。吸附夾具61具備金屬板62以及固定於金屬板62的下表面的樹脂片材63。
在搬送機構59中，分別設置有對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔64。多個抽吸孔64以貫穿基台60與吸附夾具61（金屬板62以及樹脂片材63）的方式形成。多個抽吸孔64分別與抽吸機構41連接。
在搬送機構59中，分別設置有對多個廢棄部分32a、廢棄部分32b噴射氣體的多個氣體噴射孔65。多個氣體噴射孔65以貫穿基台60與吸附夾具61的方式形成。多個氣體噴射孔65分別與氣體供給機構66連接。作為氣體，可使用空氣或氮等。
如圖10（a）所示那樣，存在廢棄部分32a、廢棄部分32b附著於半導體封裝9而被搬送機構59抬起的情況。在此種情況下，如圖10（b）所示那樣，從氣體供給機構66對氣體噴射孔65供給氣體67（用粗箭頭表示）。通過從氣體噴射孔65噴射氣體67，能夠使附著於半導體封裝9的廢棄部分32a、廢棄部分32b向下方掉落。
通過從氣體噴射孔65噴射氣體67可使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，在使廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的狀態下，搬送機構59可僅吸附多個半導體封裝9並予以搬送。在本實施方式中，也發揮與第一實施方式同樣的效果。
〔第六實施方式〕 （搬送機構的構成及動作） 參照圖11（a）～圖11（c），對第六實施方式中所使用的搬送機構的構成及動作進行說明。與第一實施方式不同的是，將氣體供給機構連接於搬送機構（基台）的開口部來作為分離機構。除此以外的構成與第一實施方式基本相同，因此省略說明。
如圖11（a）所示，搬送機構68具備基台34以及安裝於基台34的下表面的吸附夾具69。吸附夾具69具備金屬板70以及固定於金屬板70的下表面的樹脂片材71。
在吸附夾具69中，分別設置有對多個半導體封裝9進行抽吸的多個抽吸孔72。多個抽吸孔72分別經由形成在基台34中的空間39以及開口部40而與抽吸機構41連接。進而，基台34的開口部40與供給空氣或氮的氣體供給機構73連接。氣體供給機構73可設置於搬送機構，也可使用例如配置在工廠內的氣體供給機構。
如圖11（a）所示那樣，在將多個半導體封裝9以及多個廢棄部分32a、廢棄部分32b吸附於切斷平臺4的狀態下，使搬送機構68在多個半導體封裝9的稍上方停止。
如圖11（b）及圖11（c）所示那樣，從氣體供給機構73經由開口部40、空間39以及多個抽吸孔72朝向多個半導體封裝9以及多個廢棄部分32a、廢棄部分32b噴射氣體74（用粗箭頭表示）。一邊噴射氣體74一邊使搬送機構68與切斷平臺4進行相對移動。即使在水分殘留於半導體封裝9以及廢棄部分32a、廢棄部分32b之間的情況下，也可利用氣體74去除水分。利用氣體74能夠使半導體封裝9與廢棄部分32a、廢棄部分32b分離。因此，在使廢棄部分32a、廢棄部分32b分離的狀態下，搬送機構68可僅吸附多個半導體封裝9並予以搬送。在本實施方式中，也發揮與第一實施方式同樣的效果。
在各實施方式中，對將裝配有半導體晶片的基板進行樹脂密封而成的封裝基板（已密封基板）用作切斷對象物（工件）的情況進行了說明。作為封裝基板，可使用球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）封裝基板、焊盤柵陣列（Land Grid Array，LGA）封裝基板、晶片尺寸封裝（Chip Scale Package，CSP）封裝基板等。進而，本發明也可適用於晶圓級封裝（Wafer Level Package）。另外，也可將本發明適用於作為切斷對象物（工件）的將裝配有半導體晶片的引線框架進行樹脂密封而成的封裝引線框架（已密封引線框架）。
如上所述，所述實施方式的切斷裝置具備：平臺，載置多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件；切斷機構，將工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及搬送機構，對由切斷機構切斷的多個半導體封裝進行吸附並予以搬送，搬送機構設為如下構成：具備分別對多個半導體封裝進行抽吸的多個抽吸孔、以及使半導體封裝與廢棄部分分離的分離機構。
根據所述構成，利用分離機構能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構能夠僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，在所述實施方式的切斷裝置中，分離機構是在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的彈性構件。
根據所述構成，利用作為分離機構的彈性構件，能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，在所述實施方式的切斷裝置中，分離機構是在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置並由彈性體支撐的棒狀構件。
根據所述構成，利用作為分離機構的由彈性體支撐的棒狀構件，能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，在所述實施方式的切斷裝置中，分離機構是在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的加熱器。
根據所述構成，利用作為分離機構的加熱器，能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，在所述實施方式的切斷裝置中，分離機構是對在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的氣體噴射孔供給氣體的氣體供給機構。
根據所述構成，利用從作為分離機構的氣體供給機構供給的氣體，能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，在所述實施方式的切斷裝置中設為如下構成：平臺具備分別對多個半導體封裝進行抽吸的多個第一抽吸孔以及分別對多個廢棄部分進行抽吸的多個第二抽吸孔，並且多個第一抽吸孔與多個第二抽吸孔連接於相同的抽吸機構。
根據所述構成，可使用相同的抽吸機構將多個半導體封裝與多個廢棄部分吸附至平臺。因此，能夠簡化平臺的構成並降低製造成本。
所述實施方式的半導體封裝的搬送方法包括：載置步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件載置於平臺；切斷步驟，將工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及搬送步驟，將多個半導體封裝分別抽吸至搬送機構中所設置的多個抽吸孔並予以搬送，搬送步驟中包括使半導體封裝與廢棄部分分離的分離步驟。
根據所述方法，在搬送步驟中，能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在分離步驟中，利用在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的彈性構件將廢棄部分按壓至平臺，由此使半導體封裝與廢棄部分分離。
根據所述方法，利用彈性構件將廢棄部分按壓至平臺，由此可使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在分離步驟中，利用在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置並支撐於彈性體的棒狀構件將廢棄部分按壓至平臺，由此使半導體封裝與廢棄部分分離。
根據所述方法，利用支撐於彈性體的棒狀構件將廢棄部分按壓至平臺，由此可使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在分離步驟中，利用在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的加熱器，使殘留於半導體封裝與不需部分之間的水分減少，由此使半導體封裝與廢棄部分分離。
根據所述方法，利用加熱器使殘留於半導體封裝與廢棄部分之間的水分減少，由此能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在分離步驟中，對在搬送機構中分別設置在與多個廢棄部分對應的位置的氣體噴射孔供給氣體，並對廢棄部分噴射氣體，由此使半導體封裝與廢棄部分分離。
根據所述方法，通過對氣體噴射孔供給氣體能夠使半導體封裝與廢棄部分分離。因此，搬送機構可僅吸附半導體封裝並予以搬送。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在分離步驟中進一步包括水分減少步驟，所述水分減少步驟對設置在搬送機構的多個抽吸孔供給氣體，並使搬送機構與平臺進行相對移動，由此利用從多個抽吸孔噴射的氣體使殘留於半導體封裝與廢棄部分之間的水分減少。
根據所述方法，對設置在搬送機構的抽吸孔供給氣體，並從抽吸孔噴射氣體。利用從抽吸孔噴射的氣體使殘留於半導體封裝與廢棄部分之間的水分減少。因此，能使半導體封裝與廢棄部分分離。
進而，所述實施方式的半導體封裝的搬送方法是在切斷步驟中，使用相同的抽吸機構將多個半導體封裝與多個廢棄部分吸附至平臺。
根據所述方法，能夠使用相同的抽吸機構將多個半導體封裝與多個廢棄部分吸附至平臺。因此，可簡化平臺的構成並降低製造成本。
本發明並不限定於所述各實施方式，在不脫離本發明的主旨的範圍內，視需要可任意且適當地進行組合、變更，或選擇性地加以採用。
1‧‧‧切斷裝置2‧‧‧封裝基板（工件）3‧‧‧基板供給部4‧‧‧切斷平臺（平臺）5‧‧‧移動機構6‧‧‧旋轉機構7‧‧‧主軸（切斷機構）8‧‧‧旋轉刀9‧‧‧半導體封裝10、33、44、47、54、59、68‧‧‧搬送機構11‧‧‧檢查平臺12‧‧‧檢查用的照相機13‧‧‧良品用托盤14‧‧‧基板15‧‧‧半導體晶片16‧‧‧密封樹脂17‧‧‧切斷預定線18‧‧‧半導體封裝形成區域19、19a、19b‧‧‧廢棄部分形成區域20‧‧‧吸附夾具21‧‧‧金屬板22、37、63、71‧‧‧樹脂片材23‧‧‧第一抽吸孔24‧‧‧第二抽吸孔25、39‧‧‧空間26、40‧‧‧開口部27、41‧‧‧抽吸機構28‧‧‧切斷退刀槽29‧‧‧抽吸力30‧‧‧外周端材料31‧‧‧切斷槽32、32a、32b‧‧‧廢棄部分34、60‧‧‧基台35、45、48、55、61、69‧‧‧吸附夾具36、49、56、62、70‧‧‧金屬板38、50、57、64、72‧‧‧抽吸孔42、51‧‧‧凹部43、46‧‧‧彈性構件（分離機構）52‧‧‧彈性體53‧‧‧棒狀構件（分離機構）58‧‧‧加熱器（分離機構）65‧‧‧氣體噴射孔66、73‧‧‧氣體供給機構（分離機構）67、74‧‧‧氣體A‧‧‧基板供給模組B‧‧‧切斷模組C‧‧‧檢查模組CTL‧‧‧控制部a‧‧‧半導體封裝的厚度b‧‧‧從吸附夾具的表面到彈性構件的表面為止的高度c‧‧‧從吸附夾具的表面到棒狀構件的表面為止的高度X、Y、Z、θ‧‧‧方向
圖1是表示本發明的切斷裝置的概要的平面圖。 圖2（a）及圖2（b）是表示由圖1所示的切斷裝置切斷的封裝基板的概要圖，圖2（a）是平面圖，圖2（b）是正面圖。 圖3（a）～圖3（c）是表示將圖2（a）及圖2（b）所示的封裝基板切斷為半導體封裝與廢棄部分的步驟的概略步驟剖面圖。 圖4（a）及圖4（b）是表示將封裝基板切斷為半導體封裝與廢棄部分的狀態的概要圖，圖4（a）是平面圖，圖4（b）是A-A線剖面圖。 圖5（a）及圖5（b）是表示在第一實施方式中搬送半導體封裝的搬送機構的概要圖，圖5（a）是底面圖，圖5（b）是B-B線剖面圖。 圖6（a）～圖6（c）是表示利用圖5（a）及圖5（b）所示的搬送機構使半導體封裝與廢棄部分分離，並利用搬送機構僅搬送半導體封裝的步驟的概略步驟剖面圖。 圖7（a）及圖7（b）是表示在第二實施方式中搬送半導體封裝的搬送機構的概要圖，圖7（a）是底面圖，圖7（b）是C-C線剖面圖。 圖8（a）～圖8（c）是表示利用第三實施方式的搬送機構使半導體封裝與廢棄部分分離，並利用搬送機構僅搬送半導體封裝的步驟的概略步驟剖面圖。 圖9（a）～圖9（c）是表示利用第四實施方式的搬送機構使半導體封裝與廢棄部分分離，並利用搬送機構僅搬送半導體封裝的步驟的概略步驟剖面圖。 圖10（a）及圖10（b）是表示利用第五實施方式的搬送機構使半導體封裝與廢棄部分分離，並利用搬送機構僅搬送半導體封裝的步驟的概略步驟剖面圖。 圖11（a）～圖11（c）是表示利用第六實施方式的搬送機構使半導體封裝與廢棄部分分離，並利用搬送機構僅搬送半導體封裝的步驟的概略步驟剖面圖。
4‧‧‧切斷平臺(平臺)
9‧‧‧半導體封裝
20‧‧‧吸附夾具
23‧‧‧第一抽吸孔
24‧‧‧第二抽吸孔
25‧‧‧空間
29‧‧‧抽吸力
32a‧‧‧廢棄部分
33‧‧‧搬送機構
34‧‧‧基台
35‧‧‧吸附夾具
38‧‧‧抽吸孔
39‧‧‧空間
42‧‧‧凹部
43‧‧‧彈性構件(分離機構)
a‧‧‧半導體封裝的厚度
b‧‧‧從吸附夾具的表面到彈性構件的表面為止的高度

Claims (5)

  1. 一種切斷裝置，包括：平臺，載置多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件；切斷機構，將所述工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及搬送機構，對由所述切斷機構切斷的所述多個半導體封裝進行吸附並予以搬送，所述搬送機構具備：多個抽吸孔，分別對所述多個半導體封裝進行抽吸；以及分離機構，使所述半導體封裝與所述廢棄部分分離，所述分離機構是在所述搬送機構中分別設置在與所述多個廢棄部分對應的位置的彈性構件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的切斷裝置，其中所述平臺具備分別對所述多個半導體封裝進行抽吸的多個第一抽吸孔以及分別對所述多個廢棄部分進行抽吸的多個第二抽吸孔，所述多個第一抽吸孔與所述多個第二抽吸孔連接於相同的抽吸機構。
  3. 一種半導體封裝的搬送方法，包括：載置步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封而成的工件載置於平臺；切斷步驟，將所述工件切斷為多個半導體封裝與多個廢棄部分；以及 搬送步驟，將所述多個半導體封裝分別吸附至搬送機構中所設置的多個抽吸孔並予以搬送，所述搬送步驟中包括使所述半導體封裝與所述廢棄部分分離的分離步驟，所述分離步驟是利用在所述搬送機構中分別設置在與所述多個廢棄部分對應的位置的彈性構件將所述廢棄部分按壓至所述平臺，由此使所述半導體封裝與所述廢棄部分分離。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的半導體封裝的搬送方法，其中所述分離步驟還包括水分減少步驟，所述水分減少步驟通過對設置在所述搬送機構中的所述多個抽吸孔供給氣體並使所述搬送機構與所述平臺進行相對移動，由此利用從所述多個抽吸孔噴射的所述氣體使殘留於所述半導體封裝與所述廢棄部分之間的水分減少。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的半導體封裝的搬送方法，其中在所述切斷步驟中，使用相同的抽吸機構將所述多個半導體封裝與所述多個廢棄部分吸附至所述平臺。
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