JP7154195B2 - 切断装置及び切断品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、切断装置及び切断品の製造方法の技術に関する。
特許文献１には、ダイシングされたワーク（半導体パッケージ）を洗浄後、後処理工程へ搬送するダイシング装置が開示されている。このダイシング装置では、噴射ノズルにより洗浄液を噴出させて、ワークに付着した粉塵などを洗浄した後、乾燥ノズルによりエアを噴出させてワークの乾燥を行う技術が記載されている。
特開２００３－１６３１８０号公報
特許文献１に開示されたダイシング装置のようにエアを噴出させてワークの乾燥を行う場合、例えば半導体パッケージ間の距離が短いと、水滴がワーク同士の隙間内を移動するだけで、水滴を除去することが困難な場合がある。すなわち、十分な乾燥が行えず、ワークに水跡が残るなどの外観不良が発生するおそれがある。
本発明は以上の如き状況に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、半導体パッケージの乾燥を効果的に行うことが可能な切断装置及び切断品の製造方法を提供することである。
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、この課題を解決するため、本発明に係る切断装置は、樹脂封止されたパッケージ基板を複数の半導体パッケージに切断する切断装置であって、前記パッケージ基板を切断する切断機構と、前記切断機構により切断された前記半導体パッケージを吸着保持し、搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送された前記半導体パッケージを洗浄する洗浄機構と、前記洗浄機構により洗浄された前記半導体パッケージを吸引乾燥する吸引乾燥機構と、を備え、前記吸引乾燥機構は、複数の吸引穴を有する吸引プレートを備え、前記吸引プレートは、前記半導体パッケージと向き合う面において、前記複数の吸引穴を互いに接続するように形成された溝部を有するものである。
また、本発明に係る切断品の製造方法は、樹脂封止されたパッケージ基板を複数の半導体パッケージに切断する切断工程と、前記切断工程において切断された前記半導体パッケージを搬送する搬送工程と、前記搬送工程において搬送された前記半導体パッケージを洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程において洗浄された前記半導体パッケージを吸引乾燥する吸引乾燥工程と、を含み、前記吸引乾燥工程では、複数の吸引穴と、前記半導体パッケージと向き合う面において、前記複数の吸引穴を互いに接続するように形成された溝部と、を有する吸引プレートを用いて吸引乾燥が行われるものである。
本発明によれば、半導体パッケージの乾燥を効果的に行うことができる。
第一実施形態に係る切断装置の全体的な構成を示した平面模式図。 切断品の製造方法を示した図。 搬送機構及び吸引乾燥機構の構成を示した正面断面図。 樹脂シートを示した底面図。 吸引乾燥機構を示した平面図。 （ａ）吸引プレートを示した平面図。（ｂ）Ａ－Ａ断面図。 （ａ）搬送機構が下方に移動する様子を示した正面断面図。（ｂ）搬送機構が上方及び右方に移動する様子を示した正面断面図。（ｃ）搬送機構が再び下方に移動する様子を示した正面断面図。 吸引乾燥を行う際の搬送機構及び吸引乾燥機構を示した正面断面図。 第二実施形態に係る吸引プレートを示した平面図。 （ａ）第二実施形態に係る溝部と半導体パッケージの位置関係を示した平面図。（ｂ）第一実施形態に係る溝部と半導体パッケージの位置関係を示した平面図。 第三実施形態に係る噴射乾燥機構による乾燥の様子を示した正面断面図。 第三実施形態に係る切断品の製造方法を示した図。 変形例に係る切断品の製造方法を示した図。 第四実施形態において、吸引乾燥を行う際の搬送機構及び吸引乾燥機構を示した正面断面図。
＜第一実施形態＞
まず、図１及び図２を用いて、第一実施形態に係る切断装置１の構成、及び切断装置１を用いた切断品の製造方法について説明する。本実施形態においては、例えば、切断装置１による切断対象物として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板Ｐを用いる場合の、切断装置１の構成について説明する。
パッケージ基板Ｐとしては、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）パッケージ基板、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ基板、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）パッケージ基板、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）パッケージ基板等が使用される。また、切断対象物としては、パッケージ基板Ｐだけでなく、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止した封止済みリードフレームが使用されることもある。
なお、以下では、パッケージ基板Ｐの両面のうち、樹脂封止される側の面をモールド面、モールド面と反対側の面をボール／リード面と、それぞれ称する。
切断装置１は、構成要素として、切断モジュールＡ及び検査モジュールＢを具備する。各構成要素は、他の構成要素に対して着脱可能かつ交換可能である。以下、切断モジュールＡ及び検査モジュールＢの構成、切断モジュールＡ及び検査モジュールＢによる作業工程について順に説明する。
切断モジュールＡは、主にパッケージ基板Ｐの切断を行う構成要素である。切断モジュールＡは、主として基板供給機構２、位置決め機構３、切断テーブル４、スピンドル５、第一クリーナ６、搬送機構２０、第二クリーナ３０及び制御部９を具備する。
切断モジュールＡにおいて、まず供給工程Ｓ２が行われる。供給工程Ｓ２は、基板供給機構２を用いて、パッケージ基板Ｐを供給する工程である。基板供給機構２は、複数のパッケージ基板Ｐが収容されたマガジンＭから、パッケージ基板Ｐを１つずつ押し出して後述する位置決め機構３へと供給する。パッケージ基板Ｐは、ボール／リード面を上に向けて配置されている。
次に、切断モジュールＡにおいて、位置決め工程Ｓ４が行われる。位置決め工程Ｓ４は、位置決め機構３を用いて、基板供給機構２から供給されたパッケージ基板Ｐの位置決めを行う工程である。位置決め機構３は、基板供給機構２から押し出されたパッケージ基板Ｐをレール部３ａに配置し、位置決めを行う。その後、位置決め機構３は、位置決めされたパッケージ基板Ｐを、後述する切断テーブル４へと搬送する。
次に、切断モジュールＡにおいて、切断工程Ｓ６が行われる。切断工程Ｓ６は、切断テーブル４及びスピンドル５を用いて、パッケージ基板Ｐを切断し、切断品である半導体パッケージＳを得る工程である。
切断テーブル４は、切断されるパッケージ基板Ｐを保持するものである。本実施形態では、２個の切断テーブル４を有するツインカットテーブル構成の切断装置１を例示している。切断テーブル４には、位置決め機構３によって搬送されたパッケージ基板Ｐを下方から吸着して保持する保持部材４ａが設けられる。また、切断テーブル４には、保持部材４ａを図のθ方向に回転させることが可能な回転機構４ｂと、保持部材４ａを図のＹ方向に移動させることが可能な移動機構４ｃと、が設けられる。
切断機構であるスピンドル５は、パッケージ基板Ｐを切断して複数の半導体パッケージＳ（図３参照）に個片化するものである。本実施形態では、２個のスピンドル５を有するツインスピンドル構成の切断装置１を例示している。スピンドル５は、図のＸ方向及びＺ方向に移動することができる。スピンドル５には、パッケージ基板Ｐを切断するための回転刃５ａが装着される。
スピンドル５には、高速回転する回転刃５ａに向かって切削水を噴射する切削水用ノズル、冷却水を噴射する冷却水用ノズル、切断屑などを洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水用ノズル（いずれも図示なし）等が設けられる。
切断テーブル４がパッケージ基板Ｐを吸着した後、第一位置確認カメラ４ｄによって、パッケージ基板Ｐの位置が確認される。その後、切断テーブル４は、図のＹ方向に沿ってスピンドル５に近づくように移動する。切断テーブル４がスピンドル５の下方に移動した後、切断テーブル４とスピンドル５とを相対的に移動させることによって、パッケージ基板Ｐが切断される。スピンドル５によってパッケージ基板Ｐが切断される度に、第二位置確認カメラ５ｂによって、パッケージ基板Ｐの位置等が確認される。
ここで、第一位置確認カメラ４ｄによる確認は、例えば、パッケージ基板Ｐに設けられた切断位置を示すマークの位置を確認することができる。第二位置確認カメラ５ｂによる確認は、例えば、パッケージ基板Ｐの切断された位置、切断された幅等を確認することができる。なお、上記確認カメラによる確認は、第一位置確認カメラ４ｄを使用せずに、第二位置確認カメラ５ｂのみで確認を行ってもよい。
次に、切断モジュールＡにおいて、第一洗浄工程Ｓ８及び第一乾燥工程Ｓ１０が行われる。第一洗浄工程Ｓ８は、第一クリーナ６を用いて、パッケージ基板Ｐを切断することによって個片化された複数の半導体パッケージＳを洗浄する工程である。また第一乾燥工程Ｓ１０は、第一クリーナ６を用いて、洗浄された半導体パッケージＳを乾燥させる工程である。
切断テーブル４は、パッケージ基板Ｐの切断が完了した後、個片化された複数の半導体パッケージＳを吸着したまま図のＹ方向に沿ってスピンドル５から離れるように移動する。この際、第一クリーナ６は、適宜の洗浄液を用いて半導体パッケージＳの上面（ボール／リード面）の洗浄（第一洗浄工程Ｓ８）を行う。また第一クリーナ６は、半導体パッケージＳの上面に気体（空気）を噴射して、半導体パッケージＳの上面の乾燥（第一乾燥工程Ｓ１０）を行う。
次に、切断モジュールＡにおいて、搬送工程Ｓ１２、洗浄工程である第二洗浄工程Ｓ１４、及び吸引乾燥工程である第二乾燥工程Ｓ１６が行われる。搬送工程Ｓ１２は、搬送機構２０を用いて半導体パッケージＳを検査モジュールＢの検査テーブル１１へと搬送する工程である。また第二洗浄工程Ｓ１４は、第二クリーナ３０を用いて、半導体パッケージＳを洗浄する工程である。また第二乾燥工程Ｓ１６は、第二クリーナ３０を用いて、洗浄された半導体パッケージＳを乾燥させる工程である。
搬送機構２０は、切断テーブル４に保持された半導体パッケージＳを上方から吸着し、検査モジュールＢへと搬送する（搬送工程Ｓ１２）。また、搬送機構２０が半導体パッケージＳを検査モジュールＢへと搬送する経路の途中で、第二クリーナ３０によって半導体パッケージＳの下面（モールド面）の洗浄（第二洗浄工程Ｓ１４）及び乾燥（第二乾燥工程Ｓ１６）が行われる。
具体的には、第二クリーナ３０は、洗浄機構４０及び吸引乾燥機構５０を具備している。洗浄機構４０は、回転可能なブラシ（図示なし）を具備する。洗浄機構４０は、半導体パッケージＳの下面（モールド面）に、洗浄液を含ませたブラシを回転させながら当てることで、半導体パッケージＳの洗浄（第二洗浄工程Ｓ１４）を行う。また、吸引乾燥機構５０は、半導体パッケージＳの下面（モールド面）に付着した洗浄液を吸引することで、半導体パッケージＳの乾燥（第二乾燥工程Ｓ１６）を行う。
なお、吸引乾燥機構５０による半導体パッケージＳの乾燥の様子については、後で詳細に説明する。
上述のような切断モジュールＡの各部（基板供給機構２、位置決め機構３、切断テーブル４、スピンドル５、第一クリーナ６、搬送機構２０及び第二クリーナ３０等）の動作は、制御部９によって制御される。また制御部９を用いて、切断モジュールＡの各部の動作を任意に変更（調整）することができる。
検査モジュールＢは、主に半導体パッケージＳの検査を行う構成要素である。検査モジュールＢは、主として検査テーブル１１、第一光学検査カメラ１２、第二光学検査カメラ１３、配置機構１４、抽出機構１５及び制御部１６を具備する。
検査モジュールＢにおいて、まず検査工程Ｓ１８が行われる。検査工程Ｓ１８は、検査テーブル１１、第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３を用いて、半導体パッケージＳを光学的に検査する工程である。
検査テーブル１１は、半導体パッケージＳを光学的に検査するために保持するものである。検査テーブル１１は、図のＸ方向に沿って移動可能である。また検査テーブル１１は、上下反転することができる。検査テーブル１１には、半導体パッケージＳを吸着して保持する保持部材１１ａが設けられる。
第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３は、半導体パッケージＳの表面（ボール／リード面及びモールド面）を光学的に検査するものである。第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３は、検査テーブル１１の近傍に、上に向けて配置される。第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３には、検査の際に光を照射可能な照明装置（図示なし）がそれぞれ設けられる。
第一光学検査カメラ１２は、搬送機構２０によって検査テーブル１１へと搬送される半導体パッケージＳのモールド面を検査する。その後、搬送機構２０は、検査テーブル１１の保持部材１１ａに半導体パッケージＳを載置する。保持部材１１ａが半導体パッケージＳを吸着して保持した後、検査テーブル１１は上下反転する。検査テーブル１１は第二光学検査カメラ１３の上方へと移動し、半導体パッケージＳのボール／リード面が第二光学検査カメラ１３によって検査される。
例えば、第一光学検査カメラ１２は、半導体パッケージＳの欠けや半導体パッケージＳにマーキングされた文字等を検査することができる。また、例えば、第二光学検査カメラ１３は、半導体パッケージＳのサイズや形状、ボール／リードの位置等を検査することができる。
配置機構１４は、検査が完了した半導体パッケージＳを配置するためのものである。配置機構１４は、図のＹ方向に沿って移動可能である。検査テーブル１１は、第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３による検査が完了した半導体パッケージＳを配置機構１４に配置する。
次に、検査モジュールＢにおいて、収容工程Ｓ２０が行われる。収容工程Ｓ２０は、抽出機構１５を用いて、配置機構１４に配置された半導体パッケージＳをトレイに移送して収容する工程である。第一光学検査カメラ１２及び第二光学検査カメラ１３による検査結果に基づいて、良品と不良品とに区別された半導体パッケージＳは、抽出機構１５によってトレイに収納される。この際、抽出機構１５は、半導体パッケージＳのうち、良品を良品用トレイ１５ａに、不良品を不良品トレイ１５ｂに、それぞれ収納する。トレイが半導体パッケージＳで満たされると、別の空のトレイが適宜供給される。
上述のような検査モジュールＢの各部（検査テーブル１１、第一光学検査カメラ１２、第二光学検査カメラ１３、配置機構１４及び抽出機構１５等）の動作は、制御部１６によって制御される。また制御部１６を用いて、検査モジュールＢの各部の動作を任意に変更（調整）することができる。
以上のように、本実施形態に係る切断装置１は、パッケージ基板Ｐを切断して、複数の半導体パッケージＳに個片化することができる。
次に、図３から図６を用いて、前述の第二乾燥工程Ｓ１６で用いられる搬送機構２０及び吸引乾燥機構５０の構成について説明する。なお以下では、図中に示した矢印Ｕ、矢印Ｄ、矢印Ｌ、矢印Ｒ、矢印Ｆ及び矢印Ｂで示した方向を、それぞれ上方向、下方向、左方向、右方向、前方向及び後方向と定義して説明を行う。また、図に示す各部材は、説明の便宜上、適宜簡略化して図示されたものである。実際の各部材（搬送機構２０及び吸引乾燥機構５０）の構成（例えば、各部材の形状、大きさ、穴の個数や配置等）は、図に示すものに限らない。
図３に示す搬送機構２０は、前述のように、半導体パッケージＳを吸着し、搬送するものである。搬送機構２０は、主として搬送ベース２１及び樹脂シート２２を具備する。
搬送ベース２１は、適宜の駆動機構（動力源となるモータ、モータからの動力を伝達するギヤ等）により所定の方向に移動可能なものである。搬送ベース２１は、平面視で略矩形板状に形成される。搬送ベース２１は、厚み方向が上下方向となるように配置されている。
図３及び図４に示す樹脂シート２２は、半導体パッケージＳを吸着して保持するものである。樹脂シート２２の素材としては、例えば、シリコーン系の樹脂やフッ素系の樹脂等が用いられる。樹脂シート２２は、平面視で略矩形板状に形成される。樹脂シート２２は、厚み方向が上下方向となるように配置されている。樹脂シート２２の前後幅及び左右幅は、それぞれ搬送ベース２１の前後幅及び左右幅よりも小さく形成される。樹脂シート２２には、主として吸着穴２２ａが形成される。
吸着穴２２ａは、半導体パッケージＳを吸着するための穴である。吸着穴２２ａは、樹脂シート２２を上下方向（厚み方向）に貫通するように形成される。吸着穴２２ａは、前後及び左右に一定の間隔をあけて並ぶように複数形成される。吸着穴２２ａの下端部（樹脂シート２２の下面に開口する部分）は、上方のその他の部分に比べて拡がるように形成される。
樹脂シート２２は、搬送ベース２１の下面の略中央に固定される。樹脂シート２２の吸着穴２２ａは、搬送ベース２１に形成された接続穴（図示なし）を介して、真空ポンプ等の吸引装置（図示なし）に接続される。この吸引装置によって空気が吸引されることによって、半導体パッケージＳが吸着されて、樹脂シート２２の下面に接触した状態で保持される。半導体パッケージＳは、吸着穴２２ａごとに１つずつ吸着されることで、前後及び左右に並んで配置される。
図３及び図５に示す吸引乾燥機構５０は、前述のように、半導体パッケージＳの乾燥を行うものである。吸引乾燥機構５０は、主として吸引ベース５１、吸引プレート５２及び支持部材５３を具備する。
吸引ベース５１は、後述する吸引プレート５２を支持するものである。吸引ベース５１は、上方に向かって開口された略直方体状（箱状）に形成される。吸引ベース５１は、主として凹部５１ａ、貫通穴５１ｂ及びシール部材５１ｃを具備する。
凹部５１ａは、吸引ベース５１の上面に形成された窪みである。凹部５１ａは、平面視略矩形状に形成される。凹部５１ａの上部は、下部に比べて広がるように（前後幅及び左右幅が大きくなるように）形成される。これによって、凹部５１ａの上下中途部には、段差が形成される。
貫通穴５１ｂは、吸引ベース５１を上下方向に貫通する穴である。貫通穴５１ｂは、吸引ベース５１の略中央に形成される。これによって、貫通穴５１ｂは、吸引ベース５１の下面側と、吸引ベース５１の凹部５１ａとを接続する。
シール部材５１ｃは、吸引ベース５１と搬送ベース２１とが接した際に、吸引ベース５１と搬送ベース２１との間の気密性を向上させるものである。シール部材５１ｃは、例えば弾性を有するゴム等により形成される。シール部材５１ｃは、吸引ベース５１の上面において、凹部５１ａを囲むように形成された溝内に配置される。
図３、図５及び図６に示す吸引プレート５２は、半導体パッケージＳに付着した水分を吸引するための空気の通路が形成されたものである。吸引プレート５２は、平面視で略矩形板状に形成される。吸引プレート５２は、厚み方向が上下方向となるように配置されている。吸引プレート５２の前後幅及び左右幅は、吸引ベース５１の凹部５１ａの上部と略同一となるように形成される。これによって、吸引プレート５２を凹部５１ａ内に配置すると、吸引プレート５２が凹部５１ａの段差に載置され、凹部５１ａの上下中途部で保持される。吸引プレート５２には、主として吸引穴５２ａ及び溝部５２ｂが形成される。
吸引穴５２ａは、吸引プレート５２を上下方向（厚み方向）に貫通する穴である。吸引穴５２ａは、前後及び左右に一定の間隔をあけて並ぶように複数形成される。
溝部５２ｂは、吸引プレート５２の上面（半導体パッケージＳと向き合う面）に形成された窪みである。溝部５２ｂは、平面視（図６（ａ）参照）において、複数（少なくとも２つ以上）の吸引穴５２ａを外側から囲むような形状に形成される。溝部５２ｂは、前後に隣接する吸引穴５２ａを接続するように形成される。溝部５２ｂは、長手方向を前後に向けた長手状（直線状）となるように形成される。溝部５２ｂの幅（長手方向に垂直な方向の幅）は、乾燥する半導体パッケージＳの幅よりも小さく形成される。溝部５２ｂは、左右に一定の間隔をあけて複数形成される。
図３及び図５に示す支持部材５３は、吸引プレート５２を支持するものである。支持部材５３は、平面視で格子状に形成される。支持部材５３の上下幅は、凹部５１ａの段差の高さと略同一となるように形成される。支持部材５３は、凹部５１ａ内（吸引プレート５２の下方）に配置される。これによって、支持部材５３は、吸引プレート５２の略全面を下方から支持することができる。なお、図７以降は、簡略化のため、支持部材５３の図示を省略している。
吸引ベース５１の貫通穴５１ｂは、真空ポンプ等の吸引装置（図示なし）に接続される。この吸引装置によって空気が吸引されることによって、吸引プレート５２に形成された吸引穴５２ａ及び溝部５２ｂを介して、吸引プレート５２の上方の空気が吸引プレート５２の下方へと吸引される。
次に、前述の第二乾燥工程Ｓ１６における搬送機構２０及び吸引乾燥機構５０の動作について説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、吸引乾燥機構５０の上方に位置した搬送機構２０は、下方に向かって移動し、半導体パッケージＳを吸引プレート５２に接触させる。この際、吸引ベース５１の上面と、搬送ベース２１の下面とが接触する。吸引ベース５１と搬送ベース２１との隙間はシール部材５１ｃによって埋められ、気密性が保たれる。
次に、図８に示すように、吸引ベース５１の貫通穴５１ｂに接続された吸引装置（図示なし）を駆動させ、貫通穴５１ｂを介して吸引ベース５１内の空気を吸引する。これによって、吸引プレート５２の吸引穴５２ａ及び溝部５２ｂを介して、吸引プレート５２の上方の空気が下方へと吸引される。この吸引力によって、溝部５２ｂと向き合う部分（具体的には、半導体パッケージＳの下面（モールド面）や、隣接する半導体パッケージＳ同士の隙間など）の水分（洗浄液）が吸引プレート５２の下方へと吸引され、半導体パッケージＳを乾燥させることができる。
この際、搬送ベース２１と吸引ベース５１との間のシール部材５１ｃによって、外部から空気が流入するのを防止することができる。これによって、吸引力（負圧）が低下するのを防止することができる。
また、溝部５２ｂの幅を半導体パッケージＳの幅（左右幅）よりも小さく形成したことにより、吸引プレート５２の上面によって半導体パッケージＳの下面を下方から押さえることができる。これにより、吸引プレート５２を介する吸引力によって、半導体パッケージＳが搬送機構２０から脱落するのを防止することができる。
また、支持部材５３（図３及び図５参照）によって吸引プレート５２を下方から支持することで、乾燥のための吸引力によって吸引プレート５２が変形する（下方に向かってたわむ）のを防止することができる。
図７（ａ）に示す状態で任意の時間だけ乾燥（吸引）させた後、図７（ｂ）に示すように、搬送機構２０は上方に向かって移動し、半導体パッケージＳが吸引プレート５２から離される。さらに搬送機構２０は、溝部５２ｂの長手方向（前後方向）とは異なる方向（図７の例では右方向）に移動する。この際、搬送機構２０は、溝部５２ｂの幅だけ右方向に移動する。
次に、図７（ｃ）に示すように、搬送機構２０は、再び下方に向かって移動し、半導体パッケージＳを吸引プレート５２に接触させる。この状態で、吸引装置を駆動させ、吸引プレート５２を介して空気を吸引し、半導体パッケージＳを乾燥させる。
このように第二乾燥工程Ｓ１６では、搬送機構２０による移動と、吸引乾燥機構５０による吸引と、を任意の回数だけ交互に繰り返すことで、半導体パッケージＳの乾燥が行われる。なお、半導体パッケージＳの下面全域を吸引する観点から、搬送機構２０の移動と吸引の回数は、少なくとも「（溝部５２ｂのピッチ）／（溝部５２ｂの幅）＋１」回以上行われることが望ましい。
以上の如く、本実施形態に係る切断装置１は、
樹脂封止されたパッケージ基板Ｐを複数の半導体パッケージＳに切断する切断装置１であって、
前記パッケージ基板Ｐを切断する切断機構（スピンドル５）と、
前記切断機構により切断された前記半導体パッケージＳを吸着保持し、搬送する搬送機構２０と、
前記搬送機構２０により搬送された前記半導体パッケージＳを洗浄する洗浄機構４０と、
前記洗浄機構により洗浄された前記半導体パッケージＳを吸引乾燥する吸引乾燥機構５０と、
を備えたものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥を効果的に行うことができる。すなわち、半導体パッケージＳに対して気体を噴出させて行う乾燥では、半導体パッケージＳ同士の隙間内を水滴（洗浄液）が移動するだけで、水滴を除去することが困難な場合がある。しかし、本実施形態のように半導体パッケージＳを吸引乾燥することで、上記のような水滴の移動が発生し難く、半導体パッケージＳを効果的に乾燥させることができる。
また、前記吸引乾燥機構５０は、複数の吸引穴５２ａを有する吸引プレート５２を備えるものである。
このように構成することにより、複数の吸引穴５２ａを介して半導体パッケージＳの水分を吸引することができる。このように、半導体パッケージＳを直接吸引するのではなく、吸引穴５２ａを介することで、吸引力（負圧）を向上させ、半導体パッケージＳの乾燥を効果的に行うことができる。また、複数の吸引穴５２ａの配置を、乾燥の対象となる半導体パッケージＳの配置等に応じて適宜設定する（例えば、水滴の付着し易い半導体パッケージＳ同士の隙間に向き合う位置に配置する）ことで、半導体パッケージＳを効果的に乾燥させることもできる。
また、前記吸引プレート５２は、前記半導体パッケージＳと向き合う面において、前記複数の吸引穴５２ａを互いに接続するように形成された溝部５２ｂを有するものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥を効率的に行うことができる。すなわち、溝部５２ｂを形成することで、水分を吸引可能な範囲を拡大することができ、半導体パッケージＳを効率的に乾燥させることができる。
また、本実施形態に係る切断品の製造方法は、
樹脂封止されたパッケージ基板Ｐを複数の半導体パッケージＳに切断する切断工程Ｓ６と、
前記切断工程Ｓ６において切断された前記半導体パッケージＳを搬送する搬送工程Ｓ１２と、
前記搬送工程Ｓ１２において搬送された前記半導体パッケージＳを洗浄する洗浄工程（第二洗浄工程Ｓ１４）と、
前記洗浄工程において洗浄された前記半導体パッケージＳを吸引乾燥する吸引乾燥工程（第二乾燥工程Ｓ１６）と、
を含むものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥を効果的に行うことができる。
また、前記吸引乾燥工程では、前記半導体パッケージＳを所定の方向に移動させるものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥を効果的に行うことができる。すなわち、半導体パッケージＳを移動させることで、水分を吸引する範囲を拡大することができ、半導体パッケージＳを効率的に乾燥させることができる。
＜第二実施形態＞
次に、図９及び図１０を用いて、第二実施形態について説明する。
第二実施形態に係る吸引プレート１５２は、主として吸引穴１５２ａ及び溝部１５２ｂを具備する。第二実施形態に係る吸引プレート１５２は、吸引穴１５２ａ及び溝部１５２ｂの位置や形状等が、第一実施形態に係る吸引プレート５２（図６参照）と異なっている。
具体的には、吸引穴１５２ａは、前後方向に対して傾斜する方向に並ぶように複数形成されている。本実施形態では、吸引穴１５２ａは、左後方から右前方に向かって並ぶように形成されている。
また溝部１５２ｂは、前後方向に対して傾斜するように並んだ吸引穴１５２ａ同士を接続するように形成されている。すなわち溝部１５２ｂは、長手方向を、前後方向に対して傾斜する方向に向けた直線状となるように形成される。つまり溝部１５２ｂは、半導体パッケージＳが並ぶ方向（前後方向及び左右方向）に対して傾斜して形成される。
次に、第二実施形態に係る吸引プレート１５２を用いて第二乾燥工程Ｓ１６を行う様子について説明する。
第二乾燥工程Ｓ１６において、搬送機構２０によって半導体パッケージＳが吸引プレート１５２と接触させられた状態では、図１０（ａ）に示すように、平面視において、溝部１５２ｂは半導体パッケージＳが並ぶ方向（前後方向及び左右方向）に対して傾斜するように配置される。
ここで、図１０（ｂ）に示すように、第一実施形態に係る吸引プレート５２の溝部５２ｂは、半導体パッケージＳが並ぶ方向（前後方向）と平行になる。このため、左右に隣接する半導体パッケージＳの間に溝部５２ｂが位置した場合、溝部５２ｂの大部分が半導体パッケージＳ同士の隙間と向き合うことになる。
このような状態で吸引プレート５２を介する吸引が行われると、半導体パッケージＳ同士の隙間から比較的大量の空気が溝部５２ｂから吸引されることになる。このため、吸引のための負圧が低下し、ひいては吸引力が低下するおそれがある。
これに対して図１０（ａ）に示す第二実施形態に係る吸引プレート５２の溝部１５２ｂは、半導体パッケージＳが並ぶ方向に対して傾斜するように配置される。このため、溝部１５２ｂは少なくとも一部が半導体パッケージＳと向き合うことになる。これによって、半導体パッケージＳ同士の隙間から大量の空気が吸引されるのを防止することができる。したがって、吸引のための負圧が低下し、吸引力が低下するのを抑制することができる。
以上の如く、本実施形態に係る溝部１５２ｂは、前記半導体パッケージＳが並ぶ方向に対して傾斜して形成されているものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥を効果的に行うことができる。すなわち、溝部１５２ｂの少なくとも一部を半導体パッケージＳと向き合わせることで、負圧の低下を抑制し、ひいては吸引力の低下を抑制することができる。
＜第三実施形態＞
次に、図１１及び図１２を用いて、第三実施形態について説明する。
第三実施形態に係る切断装置１は、吸引乾燥機構５０に加えて、噴射乾燥機構６０を具備している（図１１参照）。噴射乾燥機構６０は、半導体パッケージＳに対して気体を噴射することで、半導体パッケージＳの乾燥を行うものである。噴射乾燥機構６０は、主として噴射ノズル６１を具備する。
噴射ノズル６１は、気体を噴射する部材である。噴射ノズル６１の内部には、気体を案内する穴が形成される。噴射ノズル６１は、ブロワ等の圧縮機（図示なし）に接続される。この圧縮機によって空気が圧送されると、その空気が噴射ノズル６１を介して噴射される。本実施形態においては、噴射ノズル６１は上方に向かって気体を噴射するように配置されている。
次に、第三実施形態に係る切断装置１を用いた切断品の製造方法について説明する。図１２に示すように、第三実施形態に係る切断品の製造方法は、噴射乾燥工程である第三乾燥工程Ｓ１７を含む点で、第一実施形態に係る切断品の製造方法（図２参照）と異なっている。
第三乾燥工程Ｓ１７は、第二乾燥工程Ｓ１６の後で行われる。第三乾燥工程Ｓ１７では、噴射ノズル６１を半導体パッケージＳの下面に向き合わせた状態で、噴射ノズル６１から半導体パッケージＳに向かって気体が噴射される。これによって、半導体パッケージＳに付着した水滴を除去し、乾燥を行うことができる。この際、半導体パッケージＳ（搬送機構２０）又は噴射ノズル６１（噴射乾燥機構６０）を適宜移動させることで、半導体パッケージＳの広い範囲に対して気体を噴射することもできる。
以上の如く、本実施形態に係る切断装置１は、
前記洗浄機構４０により洗浄された前記半導体パッケージＳに対して気体を噴射して乾燥する噴射乾燥機構６０をさらに具備するものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥をより効果的に行うことができる。すなわち、吸引乾燥機構５０に加えて、噴射乾燥機構６０による乾燥を行うことで、半導体パッケージＳをより効果的に乾燥させることができる。
また、本実施形態に係る切断品の製造方法は、
前記吸引乾燥工程（第二乾燥工程Ｓ１６）の後に、前記洗浄工程（第二洗浄工程Ｓ１４）において洗浄された前記半導体パッケージＳに対して気体を噴射して乾燥する噴射乾燥工程（第三乾燥工程Ｓ１７）をさらに含むものである。
このように構成することにより、半導体パッケージＳの乾燥をより効果的に行うことができる。
なお、本実施形態では、第二乾燥工程Ｓ１６の後に、第三乾燥工程Ｓ１７を行う例を示したが、これに限るものではない。例えば、図１３に示す変形例のように、第二乾燥工程Ｓ１６の前に、第三乾燥工程Ｓ１７を行ってもよい。
＜第四実施形態＞
次に、図１４を用いて、第四実施形態について説明する。
第四実施形態に係る切断品の製造方法は、第二乾燥工程Ｓ１６における搬送機構２０の動作が、第一実施形態と異なっている。具体的には、第四実施形態に係る第二乾燥工程Ｓ１６において、貫通穴５１ｂを介して吸引ベース５１内の空気が吸引される際に、搬送機構２０による半導体パッケージＳの吸着が解除される。すなわち、搬送ベース２１に接続された吸引装置（図示なし）が停止される。
このように半導体パッケージＳの吸着を解除することで、貫通穴５１ｂを介する吸引ベース５１内の空気の吸引に伴って、樹脂シート２２の吸着穴２２ａ内の空気も、樹脂シート２２と半導体パッケージＳの隙間から下方へと吸引される。これによって、樹脂シート２２の吸着穴２２ａ内に侵入した水分や不純物等を外部へと排出することができる。
なお、吸着穴２２ａ内の水分等をより排出し易くするために、吸着穴２２ａにブロワ等の圧縮機（図示なし）を接続し、下方に向かって空気を送るように構成してもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の技術的思想の範囲内で適宜の変更が可能である。
例えば、上記実施形態で例示した切断装置１の構成は一例であり、具体的な構成は適宜変更することが可能である。
例えば、上記実施形態では、切断モジュールＡ及び検査モジュールＢのそれぞれが制御部（制御部９及び制御部１６）を備えるものとしたが、本発明はこれに限るものではなく、それぞれの制御部を１つの制御部にまとめることや、３つ以上の制御部に分割することも可能である。また、本実施形態の切断装置１は、２個の切断テーブル４を有するツインカットテーブル構成であるものとしたが、本発明はこれに限るものではなく、切断テーブル４を１つだけ有するものであってもよい。また、本実施形態の切断装置１は、２個のスピンドル５を有するツインスピンドル構成であるものとしたが、本発明はこれに限るものではなく、スピンドル５を１つだけ有するものであってもよい。
また、上記実施形態で示した吸引プレート５２及び吸引プレート１５２（以下、「吸引プレート５２等」と称する）の構成は一例であり、本発明はこれに限るものではない。例えば、溝部５２ｂの形状は直線状ではなく、任意の形状とすることが可能である。一例として、半導体パッケージＳ同士の隙間に対応した形状（格子状）の溝部を形成することで、半導体パッケージＳ同士の隙間の水分を一度に吸引することも可能である。
また、上記実施形態で示した吸引プレート５２等を、複数の部材を組み合わせて形成することも可能である。例えば、吸引穴５２ａが形成された板状の部材と、溝部５２ｂが形成された板状の部材と、を組み合わせて（互いに固定して）吸引プレート５２を形成してもよい。
また、上記実施形態では、吸引プレート５２に吸引穴５２ａ及び溝部５２ｂを形成する例を示したが、本発明はこれに限るものではなく、例えば吸引穴５２ａのみを形成することも可能である。
また、上記実施形態では、半導体パッケージＳを吸引プレート５２に接触させた状態で、吸引乾燥を行う例を示したが、本発明はこれに限るものではなく、例えば半導体パッケージＳと吸引プレート５２を離した状態で吸引乾燥を行うことも可能である。
また、上記実施形態では、吸引プレート５２等を支持部材５３によって下方から支持する例を示したが、本発明はこれに限るものではなく、必ずしも支持部材５３を使用する必要はない。
また、上記実施形態では、搬送ベース２１と吸引ベース５１との隙間をシール部材５１ｃによって埋めることで、気密性を保つ例を示したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、シール部材５１ｃを用いることなく吸引乾燥を行うことも可能である。この場合、吸引力（負圧）は低下するものの、吸引ベース５１の外部から内部（凹部５１ａ）へと流入した空気の流れ（風圧等）によって、半導体パッケージＳの乾燥が促されることが期待できる。
また、上記実施形態では、吸引プレート５２等を介して洗浄液を吸引する例を示したが、吸引による乾燥を行うことができれば、必ずしも吸引プレート５２等を用いる必要はない。
また、上記実施形態の第二乾燥工程Ｓ１６における搬送機構２０の動作は一例であり、本発明はこれに限るものではない。すなわち、搬送機構２０は、任意の方向に、任意の距離だけ移動させることが可能であり、移動の回数も任意に設定することが可能である。
１ 切断装置
５ スピンドル
２０ 搬送機構
４０ 洗浄機構
５０ 吸引乾燥機構
５２ 吸引プレート
５２ａ 吸引穴
５２ｂ 溝部
６０ 噴射乾燥機構
Ａ 切断モジュール
Ｂ 検査モジュール
Ｐ パッケージ基板
Ｓ 半導体パッケージ

Claims (6)

  1. 樹脂封止されたパッケージ基板を複数の半導体パッケージに切断する切断装置であって、
    前記パッケージ基板を切断する切断機構と、
    前記切断機構により切断された前記半導体パッケージを吸着保持し、搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構により搬送された前記半導体パッケージを洗浄する洗浄機構と、
    前記洗浄機構により洗浄された前記半導体パッケージを吸引乾燥する吸引乾燥機構と、
    を備え、
    前記吸引乾燥機構は、複数の吸引穴を有する吸引プレートを備え、
    前記吸引プレートは、前記半導体パッケージと向き合う面において、前記複数の吸引穴を互いに接続するように形成された溝部を有する、
    切断装置。
  2. 前記溝部は、前記半導体パッケージが並ぶ方向に対して傾斜して形成されている、
    請求項１に記載の切断装置。
  3. 前記洗浄機構により洗浄された前記半導体パッケージに対して気体を噴射して乾燥する噴射乾燥機構をさらに具備する、
    請求項１又は請求項２に記載の切断装置。
  4. 樹脂封止されたパッケージ基板を複数の半導体パッケージに切断する切断工程と、
    前記切断工程において切断された前記半導体パッケージを搬送する搬送工程と、
    前記搬送工程において搬送された前記半導体パッケージを洗浄する洗浄工程と、
    前記洗浄工程において洗浄された前記半導体パッケージを吸引乾燥する吸引乾燥工程と、
    を含み、
    前記吸引乾燥工程では、
    複数の吸引穴と、
    前記半導体パッケージと向き合う面において、前記複数の吸引穴を互いに接続するように形成された溝部と、
    を有する吸引プレートを用いて吸引乾燥が行われる、
    切断品の製造方法。
  5. 前記吸引乾燥工程では、前記半導体パッケージを所定の方向に移動させる、
    請求項４に記載の切断品の製造方法。
  6. 前記吸引乾燥工程の前又は後に、前記洗浄工程において洗浄された前記半導体パッケージに対して気体を噴射して乾燥する噴射乾燥工程をさらに含む、
    請求項４又は請求項５に記載の切断品の製造方法。
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