KR102374339B1 - 절단 장치 및 절단품의 제조 방법 - Google Patents

절단 장치 및 절단품의 제조 방법 Download PDF

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히데토시 우자와
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토와 가부시기가이샤
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Abstract

반도체 패키지의 건조를 효과적으로 행하는 것이 가능한 절단 장치 및 절단품의 제조 방법을 제공하는 것이다.
수지 밀봉된 패키지 기판을 복수의 반도체 패키지로 절단하는 절단 장치이며, 상기 패키지 기판을 절단하는 절단 기구와, 상기 절단 기구에 의해 절단된 상기 반도체 패키지를 흡착 유지하여, 반송하는 반송 기구와, 상기 반송 기구에 의해 반송된 상기 반도체 패키지를 세정하는 세정 기구와, 상기 세정 기구에 의해 세정된 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는 흡인 건조 기구를 구비한, 절단 장치.

Description

절단 장치 및 절단품의 제조 방법{CUTTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING CUT PRODUCT}
본 발명은, 절단 장치 및 절단품의 제조 방법의 기술에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 다이싱된 워크(반도체 패키지)를 세정 후, 후처리 공정으로 반송하는 다이싱 장치가 개시되어 있다. 이 다이싱 장치에서는, 분사 노즐에 의해 세정액을 분출시켜, 워크에 부착된 분진 등을 세정한 후, 건조 노즐에 의해 에어를 분출시켜 워크의 건조를 행하는 기술이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2003-163180호 공보
특허문헌 1에 개시된 다이싱 장치와 같이 에어를 분출시켜 워크의 건조를 행하는 경우, 예를 들어 반도체 패키지간의 거리가 짧으면, 수적이 워크끼리의 간극 내를 이동하는 것만으로, 수적을 제거하는 것이 곤란한 경우가 있다. 즉, 충분한 건조를 행할 수 없어, 워크에 물 자국이 남는 등의 외관 불량이 발생할 우려가 있다.
본 발명은 이상과 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이고, 그 해결하고자 하는 과제는, 반도체 패키지의 건조를 효과적으로 행하는 것이 가능한 절단 장치 및 절단품의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 이상과 같고, 이 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 절단 장치는, 수지 밀봉된 패키지 기판을 복수의 반도체 패키지로 절단하는 절단 장치이며, 상기 패키지 기판을 절단하는 절단 기구와, 상기 절단 기구에 의해 절단된 상기 반도체 패키지를 흡착 유지하여, 반송하는 반송 기구와, 상기 반송 기구에 의해 반송된 상기 반도체 패키지를 세정하는 세정 기구와, 상기 세정 기구에 의해 세정된 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는 흡인 건조 기구를 구비한 것이다.
또한, 본 발명에 관한 절단품의 제조 방법은, 수지 밀봉된 패키지 기판을 복수의 반도체 패키지로 절단하는 절단 공정과, 상기 절단 공정에 있어서 절단된 상기 반도체 패키지를 반송하는 반송 공정과, 상기 반송 공정에 있어서 반송된 상기 반도체 패키지를 세정하는 세정 공정과, 상기 세정 공정에 있어서 세정된 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는 흡인 건조 공정을 포함하는 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 패키지의 건조를 효과적으로 행할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 절단 장치의 전체적인 구성을 도시한 평면 모식도.
도 2는 절단품의 제조 방법을 도시한 도면.
도 3은 반송 기구 및 흡인 건조 기구의 구성을 도시한 정면 단면도.
도 4는 수지 시트를 도시한 저면도.
도 5는 흡인 건조 기구를 도시한 평면도.
도 6의 (a)는 흡인 플레이트를 도시한 평면도, 도 6의 (b)는 A-A 단면도.
도 7의 (a)는 반송 기구가 하방으로 이동하는 모습을 도시한 정면 단면도, (b)는 반송 기구가 상방 및 우방향으로 이동하는 모습을 도시한 정면 단면도, (c)는 반송 기구가 다시 하방으로 이동하는 모습을 도시한 정면 단면도.
도 8은 흡인 건조를 행할 때의 반송 기구 및 흡인 건조 기구를 도시한 정면 단면도.
도 9는 제2 실시 형태에 관한 흡인 플레이트를 도시한 평면도.
도 10의 (a)는 제2 실시 형태에 관한 홈부와 반도체 패키지의 위치 관계를 도시한 평면도, (b)는 제1 실시 형태에 관한 홈부와 반도체 패키지의 위치 관계를 도시한 평면도.
도 11은 제3 실시 형태에 관한 분사 건조 기구에 의한 건조의 모습을 도시한 정면 단면도.
도 12는 제3 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법을 도시한 도면.
도 13은 변형예에 관한 절단품의 제조 방법을 도시한 도면.
도 14는 제4 실시 형태에 있어서, 흡인 건조를 행할 때의 반송 기구 및 흡인 건조 기구를 도시한 정면 단면도.
<제1 실시 형태>
먼저, 도 1 및 도 2를 사용하여, 제1 실시 형태에 관한 절단 장치(1)의 구성 및 절단 장치(1)를 사용한 절단품의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 절단 장치(1)에 의한 절단 대상물로서, 반도체 칩이 장착된 기판을 수지 밀봉한 패키지 기판(P)을 사용하는 경우의, 절단 장치(1)의 구성에 대하여 설명한다.
패키지 기판(P)으로서는, 예를 들어 BGA(Ball grid array) 패키지 기판, LGA(Land Grid Array) 패키지 기판, CSP(Chip size package) 패키지 기판, LED(Light emitting diode) 패키지 기판 등이 사용된다. 또한, 절단 대상물로서는, 패키지 기판(P)뿐만 아니라, 반도체 칩이 장착된 리드 프레임을 수지 밀봉한 밀봉 완료 리드 프레임이 사용되는 경우도 있다.
또한, 이하에는, 패키지 기판(P)의 양면 중, 수지 밀봉되는 측의 면을 몰드면, 몰드면과 반대측의 면을 볼/리드면이라고 각각 칭한다.
절단 장치(1)는, 구성 요소로서, 절단 모듈(A) 및 검사 모듈(B)을 구비한다. 각 구성 요소는, 다른 구성 요소에 대하여 착탈 가능하고 또한 교환 가능하다. 이하, 절단 모듈(A) 및 검사 모듈(B)의 구성, 절단 모듈(A) 및 검사 모듈(B)에 의한 작업 공정에 대하여 순서대로 설명한다.
절단 모듈(A)은, 주로 패키지 기판(P)의 절단을 행하는 구성 요소이다. 절단 모듈(A)은, 주로 기판 공급 기구(2), 위치 결정 기구(3), 절단 테이블(4), 스핀들(5), 제1 클리너(6), 반송 기구(20), 제2 클리너(30) 및 제어부(9)를 구비한다.
절단 모듈(A)에 있어서, 먼저 공급 공정 S2가 행해진다. 공급 공정 S2는, 기판 공급 기구(2)를 사용하여, 패키지 기판(P)을 공급하는 공정이다. 기판 공급 기구(2)는, 복수의 패키지 기판(P)이 수용된 매거진(M)으로부터, 패키지 기판(P)을 하나씩 압출하여 후술하는 위치 결정 기구(3)로 공급한다. 패키지 기판(P)은, 볼/리드면을 위로 향하게 하여 배치되어 있다.
이어서, 절단 모듈(A)에 있어서, 위치 결정 공정 S4가 행해진다. 위치 결정 공정 S4는, 위치 결정 기구(3)를 사용하여, 기판 공급 기구(2)로부터 공급된 패키지 기판(P)의 위치 결정을 행하는 공정이다. 위치 결정 기구(3)는, 기판 공급 기구(2)로부터 압출된 패키지 기판(P)을 레일부(3a)에 배치하고, 위치 결정을 행한다. 그 후, 위치 결정 기구(3)는, 위치 결정된 패키지 기판(P)을, 후술하는 절단 테이블(4)로 반송한다.
이어서, 절단 모듈(A)에 있어서, 절단 공정 S6이 행해진다. 절단 공정 S6은, 절단 테이블(4) 및 스핀들(5)을 사용하여, 패키지 기판(P)을 절단하여, 절단품인 반도체 패키지(S)를 얻는 공정이다.
절단 테이블(4)은, 절단되는 패키지 기판(P)을 보유 지지하는 것이다. 본 실시 형태에서는, 2개의 절단 테이블(4)을 갖는 트윈 커트 테이블 구성의 절단 장치(1)를 예시하고 있다. 절단 테이블(4)에는, 위치 결정 기구(3)에 의해 반송된 패키지 기판(P)을 하방으로부터 흡착하여 보유 지지하는 보유 지지 부재(4a)가 마련된다. 또한, 절단 테이블(4)에는, 보유 지지 부재(4a)를 도면의 θ방향으로 회전시키는 것이 가능한 회전 기구(4b)와, 보유 지지 부재(4a)를 도면의 Y방향으로 이동시키는 것이 가능한 이동 기구(4c)가 마련된다.
절단 기구인 스핀들(5)은, 패키지 기판(P)을 절단하여 복수의 반도체 패키지(S)(도 3 참조)로 개편화하는 것이다. 본 실시 형태에서는, 2개의 스핀들(5)을 갖는 트윈 스핀들 구성의 절단 장치(1)를 예시하고 있다. 스핀들(5)은, 도면의 X방향 및 Z방향으로 이동할 수 있다. 스핀들(5)에는, 패키지 기판(P)을 절단하기 위한 회전 날(5a)이 장착된다.
스핀들(5)에는, 고속 회전하는 회전 날(5a)을 향해 절삭수를 분사하는 절삭수용 노즐, 냉각수를 분사하는 냉각수용 노즐, 절단 칩 등을 세정하는 세정수를 분사하는 세정수용 노즐(모두 도시 없음) 등이 마련된다.
절단 테이블(4)이 패키지 기판(P)을 흡착한 후, 제1 위치 확인 카메라(4d)에 의해, 패키지 기판(P)의 위치가 확인된다. 그 후, 절단 테이블(4)은, 도면의 Y방향을 따라 스핀들(5)에 근접하도록 이동한다. 절단 테이블(4)이 스핀들(5)의 하방으로 이동한 후, 절단 테이블(4)과 스핀들(5)을 상대적으로 이동시킴으로써, 패키지 기판(P)이 절단된다. 스핀들(5)에 의해 패키지 기판(P)이 절단될 때마다, 제2 위치 확인 카메라(5b)에 의해, 패키지 기판(P)의 위치 등이 확인된다.
여기서, 제1 위치 확인 카메라(4d)에 의한 확인은, 예를 들어 패키지 기판(P)에 마련된 절단 위치를 나타내는 마크의 위치를 확인할 수 있다. 제2 위치 확인 카메라(5b)에 의한 확인은, 예를 들어 패키지 기판(P)의 절단된 위치, 절단된 폭 등을 확인할 수 있다. 또한, 상기 확인 카메라에 의한 확인은, 제1 위치 확인 카메라(4d)를 사용하지 않고, 제2 위치 확인 카메라(5b)만으로 확인을 행해도 된다.
이어서, 절단 모듈(A)에 있어서, 제1 세정 공정 S8 및 제1 건조 공정 S10이 행해진다. 제1 세정 공정 S8은, 제1 클리너(6)를 사용하여, 패키지 기판(P)을 절단함으로써 개편화된 복수의 반도체 패키지(S)를 세정하는 공정이다. 또한 제1 건조 공정 S10은, 제1 클리너(6)를 사용하여, 세정된 반도체 패키지(S)를 건조시키는 공정이다.
절단 테이블(4)은, 패키지 기판(P)의 절단이 완료된 후, 개편화된 복수의 반도체 패키지(S)를 흡착한 채 도면의 Y방향을 따라 스핀들(5)로부터 이격되도록 이동한다. 이때, 제1 클리너(6)는, 적당한 세정액을 사용하여 반도체 패키지(S)의 상면(볼/리드면)의 세정(제1 세정 공정 S8)을 행한다. 또한 제1 클리너(6)는, 반도체 패키지(S)의 상면에 기체(공기)를 분사하여, 반도체 패키지(S)의 상면의 건조(제1 건조 공정 S10)를 행한다.
이어서, 절단 모듈(A)에 있어서, 반송 공정 S12, 세정 공정인 제2 세정 공정 S14 및 흡인 건조 공정인 제2 건조 공정 S16이 행해진다. 반송 공정 S12는, 반송 기구(20)를 사용하여 반도체 패키지(S)를 검사 모듈(B)의 검사 테이블(11)로 반송하는 공정이다. 또한 제2 세정 공정 S14는, 제2 클리너(30)를 사용하여, 반도체 패키지(S)를 세정하는 공정이다. 또한 제2 건조 공정 S16은, 제2 클리너(30)를 사용하여, 세정된 반도체 패키지(S)를 건조시키는 공정이다.
반송 기구(20)는, 절단 테이블(4)에 보유 지지된 반도체 패키지(S)를 상방으로부터 흡착하고, 검사 모듈(B)로 반송한다(반송 공정 S12). 또한, 반송 기구(20)가 반도체 패키지(S)를 검사 모듈(B)로 반송하는 경로의 도중에, 제2 클리너(30)에 의해 반도체 패키지(S)의 하면(몰드면)의 세정(제2 세정 공정 S14) 및 건조(제2 건조 공정 S16)가 행해진다.
구체적으로는, 제2 클리너(30)는, 세정 기구(40) 및 흡인 건조 기구(50)를 구비하고 있다. 세정 기구(40)는, 회전 가능한 브러시(도시 없음)를 구비한다. 세정 기구(40)는, 반도체 패키지(S)의 하면(몰드면)에, 세정액을 포함시킨 브러시를 회전시키면서 닿게 함으로써, 반도체 패키지(S)의 세정(제2 세정 공정 S14)을 행한다. 또한, 흡인 건조 기구(50)는, 반도체 패키지(S)의 하면(몰드면)에 부착된 세정액을 흡인함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조(제2 건조 공정 S16)를 행한다.
또한, 흡인 건조 기구(50)에 의한 반도체 패키지(S)의 건조의 모습에 대해서는, 이후에 상세하게 설명한다.
상술한 바와 같은 절단 모듈(A)의 각 부(기판 공급 기구(2), 위치 결정 기구(3), 절단 테이블(4), 스핀들(5), 제1 클리너(6), 반송 기구(20) 및 제2 클리너(30) 등)의 동작은, 제어부(9)에 의해 제어된다. 또한 제어부(9)를 사용하여, 절단 모듈(A)의 각 부의 동작을 임의로 변경(조정)할 수 있다.
검사 모듈(B)은, 주로 반도체 패키지(S)의 검사를 행하는 구성 요소이다. 검사 모듈(B)은, 주로 검사 테이블(11), 제1 광학 검사 카메라(12), 제2 광학 검사 카메라(13), 배치 기구(14), 추출 기구(15) 및 제어부(16)를 구비한다.
검사 모듈(B)에 있어서, 먼저 검사 공정 S18이 행해진다. 검사 공정 S18은, 검사 테이블(11), 제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)를 사용하여, 반도체 패키지(S)를 광학적으로 검사하는 공정이다.
검사 테이블(11)은, 반도체 패키지(S)를 광학적으로 검사하기 위해 보유 지지하는 것이다. 검사 테이블(11)은, 도면의 X방향을 따라 이동 가능하다. 또한 검사 테이블(11)은, 상하 반전할 수 있다. 검사 테이블(11)에는, 반도체 패키지(S)를 흡착하여 보유 지지하는 보유 지지 부재(11a)가 마련된다.
제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)는, 반도체 패키지(S)의 표면(볼/리드면 및 몰드면)을 광학적으로 검사하는 것이다. 제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)는, 검사 테이블(11)의 근방에, 위로 향하게 하여 배치된다. 제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)에는, 검사 시에 광을 조사 가능한 조명 장치(도시 없음)가 각각 마련된다.
제1 광학 검사 카메라(12)는, 반송 기구(20)에 의해 검사 테이블(11)로 반송되는 반도체 패키지(S)의 몰드면을 검사한다. 그 후, 반송 기구(20)는, 검사 테이블(11)의 보유 지지 부재(11a)에 반도체 패키지(S)를 적재한다. 보유 지지 부재(11a)가 반도체 패키지(S)를 흡착하여 보유 지지한 후, 검사 테이블(11)은 상하 반전된다. 검사 테이블(11)은 제2 광학 검사 카메라(13)의 상방으로 이동하고, 반도체 패키지(S)의 볼/리드면이 제2 광학 검사 카메라(13)에 의해 검사된다.
예를 들어, 제1 광학 검사 카메라(12)는, 반도체 패키지(S)의 깨짐이나 반도체 패키지(S)에 마킹된 문자 등을 검사할 수 있다. 또한, 예를 들어 제2 광학 검사 카메라(13)는, 반도체 패키지(S)의 사이즈나 형상, 볼/리드의 위치 등을 검사할 수 있다.
배치 기구(14)는, 검사가 완료된 반도체 패키지(S)를 배치하기 위한 것이다. 배치 기구(14)는, 도면의 Y방향을 따라 이동 가능하다. 검사 테이블(11)은, 제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)에 의한 검사가 완료된 반도체 패키지(S)를 배치 기구(14)에 배치한다.
이어서, 검사 모듈(B)에 있어서, 수용 공정 S20이 행해진다. 수용 공정 S20은, 추출 기구(15)를 사용하여, 배치 기구(14)에 배치된 반도체 패키지(S)를 트레이로 이송하여 수용하는 공정이다. 제1 광학 검사 카메라(12) 및 제2 광학 검사 카메라(13)에 의한 검사 결과에 기초하여, 양품과 불량품으로 구별된 반도체 패키지(S)는, 추출 기구(15)에 의해 트레이에 수납된다. 이때, 추출 기구(15)는, 반도체 패키지(S) 중, 양품을 양품용 트레이(15a)에, 불량품을 불량품 트레이(15b)에 각각 수납한다. 트레이가 반도체 패키지(S)로 채워지면, 별도의 빈 트레이가 적절히 공급된다.
상술한 바와 같은 검사 모듈(B)의 각 부(검사 테이블(11), 제1 광학 검사 카메라(12), 제2 광학 검사 카메라(13), 배치 기구(14) 및 추출 기구(15) 등)의 동작은, 제어부(16)에 의해 제어된다. 또한 제어부(16)를 사용하여, 검사 모듈(B)의 각 부의 동작을 임의로 변경(조정)할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 절단 장치(1)는, 패키지 기판(P)을 절단하여, 복수의 반도체 패키지(S)로 개편화할 수 있다.
이어서, 도 3 내지 도 6을 사용하여, 전술한 제2 건조 공정 S16에서 사용되는 반송 기구(20) 및 흡인 건조 기구(50)의 구성에 대하여 설명한다. 또한 이하에서는, 도면 중에 나타낸 화살표 U, 화살표 D, 화살표 L, 화살표 R, 화살표 F 및 화살표 B로 나타낸 방향을, 각각 상방향, 하방향, 좌방향, 우방향, 전방향 및 후방향이라고 정의하여 설명을 행한다. 또한, 도면에 도시하는 각 부재는, 설명의 편의상, 적절히 간략화하여 도시된 것이다. 실제의 각 부재(반송 기구(20) 및 흡인 건조 기구(50))의 구성(예를 들어, 각 부재의 형상, 크기, 구멍의 개수나 배치 등)은, 도면에 도시하는 것에 제한하지 않는다.
도 3에 도시하는 반송 기구(20)는, 전술한 바와 같이, 반도체 패키지(S)를 흡착하여, 반송하는 것이다. 반송 기구(20)는, 주로 반송 베이스(21) 및 수지 시트(22)를 구비한다.
반송 베이스(21)는, 적당한 구동 기구(동력원으로 되는 모터, 모터로부터의 동력을 전달하는 기어 등)에 의해 소정의 방향으로 이동 가능한 것이다. 반송 베이스(21)는, 평면에서 보아 대략 직사각형 판상으로 형성된다. 반송 베이스(21)는, 두께 방향이 상하 방향으로 되도록 배치되어 있다.
도 3 및 도 4에 도시하는 수지 시트(22)는, 반도체 패키지(S)를 흡착하여 보유 지지하는 것이다. 수지 시트(22)의 소재로서는, 예를 들어 실리콘계의 수지나 불소계의 수지 등이 사용된다. 수지 시트(22)는, 평면에서 보아 대략 직사각형 판상으로 형성된다. 수지 시트(22)는, 두께 방향이 상하 방향으로 되도록 배치되어 있다. 수지 시트(22)의 전후 폭 및 좌우 폭은, 각각 반송 베이스(21)의 전후 폭 및 좌우 폭보다도 작게 형성된다. 수지 시트(22)에는, 주로 흡착 구멍(22a)이 형성된다.
흡착 구멍(22a)은, 반도체 패키지(S)를 흡착하기 위한 구멍이다. 흡착 구멍(22a)은, 수지 시트(22)를 상하 방향(두께 방향)으로 관통하도록 형성된다. 흡착 구멍(22a)은, 전후 및 좌우로 일정한 간격을 두고 나열되도록 복수 형성된다. 흡착 구멍(22a)의 하단부(수지 시트(22)의 하면에 개구되는 부분)는, 상방의 기타의 부분에 비해 넓어지도록 형성된다.
수지 시트(22)는, 반송 베이스(21)의 하면의 대략 중앙에 고정된다. 수지 시트(22)의 흡착 구멍(22a)은, 반송 베이스(21)에 형성된 접속 구멍(도시 없음)을 통해, 진공 펌프 등의 흡인 장치(도시 없음)에 접속된다. 이 흡인 장치에 의해 공기가 흡인됨으로써, 반도체 패키지(S)가 흡착되어, 수지 시트(22)의 하면에 접촉한 상태로 보유 지지된다. 반도체 패키지(S)는, 흡착 구멍(22a)별로 하나씩 흡착됨으로써, 전후 및 좌우로 나열하여 배치된다.
도 3 및 도 5에 도시하는 흡인 건조 기구(50)는, 전술한 바와 같이, 반도체 패키지(S)의 건조를 행하는 것이다. 흡인 건조 기구(50)는, 주로 흡인 베이스(51), 흡인 플레이트(52) 및 지지 부재(53)를 구비한다.
흡인 베이스(51)는, 후술하는 흡인 플레이트(52)를 지지하는 것이다. 흡인 베이스(51)는, 상방을 향해 개구된 대략 직육면체상(상자상)으로 형성된다. 흡인 베이스(51)는, 주로 오목부(51a), 관통 구멍(51b) 및 시일 부재(51c)를 구비한다.
오목부(51a)는, 흡인 베이스(51)의 상면에 형성된 오목부이다. 오목부(51a)는, 평면에서 보아 대략 직사각 형상으로 형성된다. 오목부(51a)의 상부는, 하부에 비해 넓어지도록(전후 폭 및 좌우 폭이 커지도록) 형성된다. 이로써, 오목부(51a)의 상하 중도부에는, 단차가 형성된다.
관통 구멍(51b)은, 흡인 베이스(51)를 상하 방향으로 관통하는 구멍이다. 관통 구멍(51b)은, 흡인 베이스(51)의 대략 중앙에 형성된다. 이로써, 관통 구멍(51b)은, 흡인 베이스(51)의 하면측과, 흡인 베이스(51)의 오목부(51a)를 접속한다.
시일 부재(51c)는, 흡인 베이스(51)와 반송 베이스(21)가 접한 때에, 흡인 베이스(51)와 반송 베이스(21) 사이의 기밀성을 향상시키는 것이다. 시일 부재(51c)는, 예를 들어 탄성을 갖는 고무 등으로 형성된다. 시일 부재(51c)는, 흡인 베이스(51)의 상면에 있어서, 오목부(51a)를 둘러싸도록 형성된 홈 내에 배치된다.
도 3, 도 5 및 도 6에 도시하는 흡인 플레이트(52)는, 반도체 패키지(S)에 부착된 수분을 흡인하기 위한 공기 통로가 형성된 것이다. 흡인 플레이트(52)는, 평면에서 보아 대략 직사각형 판상으로 형성된다. 흡인 플레이트(52)는, 두께 방향이 상하 방향으로 되도록 배치되어 있다. 흡인 플레이트(52)의 전후 폭 및 좌우 폭은, 흡인 베이스(51)의 오목부(51a)의 상부와 대략 동일해지도록 형성된다. 이로써, 흡인 플레이트(52)를 오목부(51a) 내에 배치하면, 흡인 플레이트(52)가 오목부(51a)의 단차에 적재되고, 오목부(51a)의 상하 중도부에서 보유 지지된다. 흡인 플레이트(52)에는, 주로 흡인 구멍(52a) 및 홈부(52b)가 형성된다.
흡인 구멍(52a)은, 흡인 플레이트(52)를 상하 방향(두께 방향)으로 관통하는 구멍이다. 흡인 구멍(52a)은, 전후 및 좌우로 일정한 간격을 두고 나열되도록 복수 형성된다.
홈부(52b)는, 흡인 플레이트(52)의 상면(반도체 패키지(S)와 마주 향하는 면)에 형성된 오목부이다. 홈부(52b)는, 평면에서 보아(도 6의 (a) 참조), 복수(적어도 2개 이상)의 흡인 구멍(52a)을 외측으로부터 둘러싸는 형상으로 형성된다. 홈부(52b)는, 전후에 인접하는 흡인 구멍(52a)을 접속하도록 형성된다. 홈부(52b)는, 길이 방향을 전후로 향하게 한 긴 형상(직선상)으로 되도록 형성된다. 홈부(52b)의 폭(길이 방향에 수직인 방향의 폭)은, 건조하는 반도체 패키지(S)의 폭보다도 작게 형성된다. 홈부(52b)는, 좌우로 일정한 간격을 두고 복수 형성된다.
도 3 및 도 5에 도시하는 지지 부재(53)는, 흡인 플레이트(52)를 지지하는 것이다. 지지 부재(53)는, 평면에서 보아 격자상으로 형성된다. 지지 부재(53)의 상하 폭은, 오목부(51a)의 단차의 높이와 대략 동일해지도록 형성된다. 지지 부재(53)는, 오목부(51a) 내(흡인 플레이트(52)의 하방)에 배치된다. 이로써, 지지 부재(53)는, 흡인 플레이트(52)의 대략 전체면을 하방으로부터 지지할 수 있다. 또한, 도 7 이후는, 간략화를 위해, 지지 부재(53)의 도시를 생략하고 있다.
흡인 베이스(51)의 관통 구멍(51b)은, 진공 펌프 등의 흡인 장치(도시 없음)에 접속된다. 이 흡인 장치에 의해 공기가 흡인됨으로써, 흡인 플레이트(52)에 형성된 흡인 구멍(52a) 및 홈부(52b)를 통해, 흡인 플레이트(52)의 상방의 공기가 흡인 플레이트(52)의 하방으로 흡인된다.
이어서, 전술한 제2 건조 공정 S16에 있어서의 반송 기구(20) 및 흡인 건조 기구(50)의 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 흡인 건조 기구(50)의 상방에 위치한 반송 기구(20)는, 하방을 향해 이동하고, 반도체 패키지(S)를 흡인 플레이트(52)에 접촉시킨다. 이때, 흡인 베이스(51)의 상면과, 반송 베이스(21)의 하면이 접촉한다. 흡인 베이스(51)와 반송 베이스(21)의 간극은 시일 부재(51c)에 의해 매립되고, 기밀성이 유지된다.
이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 흡인 베이스(51)의 관통 구멍(51b)에 접속된 흡인 장치(도시 없음)를 구동시켜, 관통 구멍(51b)을 통해 흡인 베이스(51) 내의 공기를 흡인한다. 이로써, 흡인 플레이트(52)의 흡인 구멍(52a) 및 홈부(52b)를 통해, 흡인 플레이트(52)의 상방의 공기가 하방으로 흡인된다. 이 흡인력에 의해, 홈부(52b)와 마주 향하는 부분(구체적으로는, 반도체 패키지(S)의 하면(몰드면)이나, 인접하는 반도체 패키지(S)끼리의 간극 등)의 수분(세정액)이 흡인 플레이트(52)의 하방으로 흡인되어, 반도체 패키지(S)를 건조시킬 수 있다.
이때, 반송 베이스(21)와 흡인 베이스(51) 사이의 시일 부재(51c)에 의해, 외부로부터 공기가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 흡인력(부압)이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 홈부(52b)의 폭을 반도체 패키지(S)의 폭(좌우 폭)보다도 작게 형성한 것에 의해, 흡인 플레이트(52)의 상면에 의해 반도체 패키지(S)의 하면을 하방으로부터 누를 수 있다. 이로써, 흡인 플레이트(52)를 통하는 흡인력에 의해, 반도체 패키지(S)가 반송 기구(20)로부터 탈락하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 지지 부재(53)(도 3 및 도 5 참조)에 의해 흡인 플레이트(52)를 하방으로부터 지지함으로써, 건조를 위한 흡인력에 의해 흡인 플레이트(52)가 변형되는 것(하방을 향하는 것)을 방지할 수 있다.
도 7의 (a)에 도시하는 상태에서 임의의 시간만큼 건조(흡인)시킨 후, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 반송 기구(20)는 상방을 향해 이동하고, 반도체 패키지(S)가 흡인 플레이트(52)로부터 이격된다. 또한 반송 기구(20)는, 홈부(52b)의 길이 방향(전후 방향)과는 다른 방향(도 7의 예에서는 우방향)으로 이동한다. 이때, 반송 기구(20)는, 홈부(52b)의 폭만큼 우방향으로 이동한다.
이어서, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 반송 기구(20)는, 다시 하방을 향해 이동하고, 반도체 패키지(S)를 흡인 플레이트(52)에 접촉시킨다. 이 상태에서, 흡인 장치를 구동시켜, 흡인 플레이트(52)를 통해 공기를 흡인하여, 반도체 패키지(S)를 건조시킨다.
이와 같이 제2 건조 공정 S16에서는, 반송 기구(20)에 의한 이동과, 흡인 건조 기구(50)에 의한 흡인을 임의의 횟수만큼 교대로 반복함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조가 행해진다. 또한, 반도체 패키지(S)의 하면 전역을 흡인하는 관점에서, 반송 기구(20)의 이동과 흡인의 횟수는, 적어도 「(홈부(52b)의 피치)/(홈부(52b)의 폭)＋1」회 이상 행해지는 것이 바람직하다.
이상와 같이, 본 실시 형태에 관한 절단 장치(1)는,
수지 밀봉된 패키지 기판(P)을 복수의 반도체 패키지(S)로 절단하는 절단 장치(1)이며,
상기 패키지 기판(P)을 절단하는 절단 기구(스핀들(5))와,
상기 절단 기구에 의해 절단된 상기 반도체 패키지(S)를 흡착 유지하여, 반송하는 반송 기구(20)와,
상기 반송 기구(20)에 의해 반송된 상기 반도체 패키지(S)를 세정하는 세정 기구(40)와,
상기 세정 기구에 의해 세정된 상기 반도체 패키지(S)를 흡인 건조하는 흡인 건조 기구(50)를
구비한 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 효과적으로 행할 수 있다. 즉, 반도체 패키지(S)에 대하여 기체를 분출시켜 행하는 건조에서는, 반도체 패키지(S)끼리의 간극 내를 수적(세정액)이 이동하는 것만으로, 수적을 제거하는 것이 곤란한 경우가 있다. 그러나, 본 실시 형태와 같이 반도체 패키지(S)를 흡인 건조함으로써, 상기와 같은 수적의 이동이 발생하기 어려워, 반도체 패키지(S)를 효과적으로 건조시킬 수 있다.
또한, 상기 흡인 건조 기구(50)는, 복수의 흡인 구멍(52a)을 갖는 흡인 플레이트(52)를 구비하는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 복수의 흡인 구멍(52a)을 통해 반도체 패키지(S)의 수분을 흡인할 수 있다. 이와 같이, 반도체 패키지(S)를 직접 흡인하는 것은 아니고, 흡인 구멍(52a)을 통함으로써, 흡인력(부압)을 향상시켜, 반도체 패키지(S)의 건조를 효과적으로 행할 수 있다. 또한, 복수의 흡인 구멍(52a)의 배치를, 건조의 대상으로 되는 반도체 패키지(S)의 배치 등에 따라 적절히 설정함(예를 들어, 수적이 부착되기 쉬운 반도체 패키지(S)끼리의 간극에 마주 향하는 위치에 배치함)으로써, 반도체 패키지(S)를 효과적으로 건조시킬 수도 있다.
또한, 상기 흡인 플레이트(52)는, 상기 반도체 패키지(S)와 마주 향하는 면에 있어서, 상기 복수의 흡인 구멍(52a)을 서로 접속하도록 형성된 홈부(52b)를 갖는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 효율적으로 행할 수 있다. 즉, 홈부(52b)를 형성함으로써, 수분을 흡인 가능한 범위를 확대할 수 있어, 반도체 패키지(S)를 효율적으로 건조시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법은,
수지 밀봉된 패키지 기판(P)을 복수의 반도체 패키지(S)로 절단하는 절단 공정 S6과,
상기 절단 공정 S6에 있어서 절단된 상기 반도체 패키지(S)를 반송하는 반송 공정 S12와,
상기 반송 공정 S12에 있어서 반송된 상기 반도체 패키지(S)를 세정하는 세정 공정(제2 세정 공정 S14)과,
상기 세정 공정에 있어서 세정된 상기 반도체 패키지(S)를 흡인 건조하는 흡인 건조 공정(제2 건조 공정 S16)을
포함하는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 효과적으로 행할 수 있다.
또한, 상기 흡인 건조 공정에서는, 상기 반도체 패키지(S)를 소정의 방향으로 이동시키는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 효과적으로 행할 수 있다. 즉, 반도체 패키지(S)를 이동시킴으로써, 수분을 흡인하는 범위를 확대할 수 있어, 반도체 패키지(S)를 효율적으로 건조시킬 수 있다.
<제2 실시 형태>
이어서, 도 9 및 도 10을 사용하여, 제2 실시 형태에 대하여 설명한다.
제2 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(152)는, 주로 흡인 구멍(152a) 및 홈부(152b)를 구비한다. 제2 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(152)는, 흡인 구멍(152a) 및 홈부(152b)의 위치나 형상 등이, 제1 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(52)(도 6 참조)와 다르다.
구체적으로는, 흡인 구멍(152a)은, 전후 방향에 대하여 경사지는 방향으로 나열되도록 복수 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 흡인 구멍(152a)은, 좌측 후방으로부터 우측 전방을 향해 나열되도록 형성되어 있다.
또한 홈부(152b)는, 전후 방향에 대하여 경사지도록 나열한 흡인 구멍(152a)끼리를 접속하도록 형성되어 있다. 즉, 홈부(152b)는, 길이 방향을, 전후 방향에 대하여 경사지는 방향을 향한 직선상으로 되도록 형성된다. 즉 홈부(152b)는, 반도체 패키지(S)가 나열되는 방향(전후 방향 및 좌우 방향)에 대하여 경사져서 형성된다.
이어서, 제2 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(152)를 사용하여 제2 건조 공정 S16을 행하는 모습에 대하여 설명한다.
제2 건조 공정 S16에 있어서, 반송 기구(20)에 의해 반도체 패키지(S)가 흡인 플레이트(152)와 접촉된 상태에서는, 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 평면에서 보아, 홈부(152b)는 반도체 패키지(S)가 나열되는 방향(전후 방향 및 좌우 방향)에 대하여 경사지도록 배치된다.
여기서, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(52)의 홈부(52b)는, 반도체 패키지(S)가 나열되는 방향(전후 방향)과 평행으로 된다. 이 때문에, 좌우에 인접하는 반도체 패키지(S) 사이에 홈부(52b)가 위치한 경우, 홈부(52b)의 대부분이 반도체 패키지(S)끼리의 간극과 마주 향하게 된다.
이와 같은 상태에서 흡인 플레이트(52)를 통하는 흡인이 행해지면, 반도체 패키지(S)끼리의 간극으로부터 비교적 대량의 공기가 홈부(52b)로부터 흡인되게 된다. 이 때문에, 흡인을 위한 부압이 저하되고, 나아가서는 흡인력이 저하될 우려가 있다.
이에 비해 도 10의 (a)에 도시하는 제2 실시 형태에 관한 흡인 플레이트(52)의 홈부(152b)는, 반도체 패키지(S)가 나열되는 방향에 대하여 경사지도록 배치된다. 이 때문에, 홈부(152b)는 적어도 일부가 반도체 패키지(S)와 마주 향하게 된다. 이로써, 반도체 패키지(S)끼리의 간극으로부터 대량의 공기가 흡인되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 흡인을 위한 부압이 저하되고, 흡인력이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
이상와 같이, 본 실시 형태에 관한 홈부(152b)는, 상기 반도체 패키지(S)가 나열되는 방향에 대하여 경사져서 형성되어 있는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 효과적으로 행할 수 있다. 즉, 홈부(152b)의 적어도 일부를 반도체 패키지(S)와 마주보게 함으로써, 부압의 저하를 억제하고, 나아가서는 흡인력의 저하를 억제할 수 있다.
<제3 실시 형태>
이어서, 도 11 및 도 12를 사용하여, 제3 실시 형태에 대하여 설명한다.
제3 실시 형태에 관한 절단 장치(1)는, 흡인 건조 기구(50)에 더하여, 분사 건조 기구(60)를 구비하고 있다(도 11 참조). 분사 건조 기구(60)는, 반도체 패키지(S)에 대하여 기체를 분사함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 행하는 것이다. 분사 건조 기구(60)는, 주로 분사 노즐(61)을 구비한다.
분사 노즐(61)은, 기체를 분사하는 부재이다. 분사 노즐(61)의 내부에는, 기체를 안내하는 구멍이 형성된다. 분사 노즐(61)은, 블로워 등의 압축기(도시 없음)에 접속된다. 이 압축기에 의해 공기가 압송되면, 그 공기가 분사 노즐(61)을 통해 분사된다. 본 실시 형태에 있어서는, 분사 노즐(61)은 상방을 향해 기체를 분사하도록 배치되어 있다.
이어서, 제3 실시 형태에 관한 절단 장치(1)를 사용한 절단품의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 12에 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법은, 분사 건조 공정인 제3 건조 공정 S17을 포함하는 점에서, 제1 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법(도 2 참조)과 다르다
제3 건조 공정 S17은, 제2 건조 공정 S16 후에 행해진다. 제3 건조 공정 S17에서는, 분사 노즐(61)을 반도체 패키지(S)의 하면에 마주보게 한 상태에서, 분사 노즐(61)로부터 반도체 패키지(S)를 향해 기체가 분사된다. 이로써, 반도체 패키지(S)에 부착된 수적을 제거하여, 건조를 행할 수 있다. 이때, 반도체 패키지(S)(반송 기구(20)) 또는 분사 노즐(61)(분사 건조 기구(60))을 적절히 이동시킴으로써, 반도체 패키지(S)의 넓은 범위에 대하여 기체를 분사할 수도 있다.
이상와 같이, 본 실시 형태에 관한 절단 장치(1)는,
상기 세정 기구(40)에 의해 세정된 상기 반도체 패키지(S)에 대하여 기체를 분사하여 건조하는 분사 건조 기구(60)를 더 구비하는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 더 효과적으로 행할 수 있다. 즉, 흡인 건조 기구(50)에 더하여, 분사 건조 기구(60)에 의한 건조를 행함으로써, 반도체 패키지(S)를 더 효과적으로 건조시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법은,
상기 흡인 건조 공정(제2 건조 공정 S16) 후에, 상기 세정 공정(제2 세정 공정 S14)에 있어서 세정된 상기 반도체 패키지(S)에 대하여 기체를 분사하여 건조하는 분사 건조 공정(제3 건조 공정 S17)을 더 포함하는 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(S)의 건조를 더 효과적으로 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제2 건조 공정 S16 후에, 제3 건조 공정 S17을 행하는 예를 나타냈지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 도 13에 도시하는 변형예와 같이, 제2 건조 공정 S16 전에, 제3 건조 공정 S17을 행해도 된다.
<제4 실시 형태>
이어서, 도 14를 사용하여, 제4 실시 형태에 대하여 설명한다.
제4 실시 형태에 관한 절단품의 제조 방법은, 제2 건조 공정 S16에 있어서의 반송 기구(20)의 동작이, 제1 실시 형태와 다르다. 구체적으로는, 제4 실시 형태에 관한 제2 건조 공정 S16에 있어서, 관통 구멍(51b)을 통해 흡인 베이스(51) 내의 공기가 흡인될 때에, 반송 기구(20)에 의한 반도체 패키지(S)의 흡착이 해제된다. 즉, 반송 베이스(21)에 접속된 흡인 장치(도시 없음)가 정지된다.
이와 같이 반도체 패키지(S)의 흡착을 해제함으로써, 관통 구멍(51b)을 통하는 흡인 베이스(51) 내의 공기의 흡인에 수반하여, 수지 시트(22)의 흡착 구멍(22a) 내의 공기도, 수지 시트(22)와 반도체 패키지(S)의 간극으로부터 하방으로 흡인된다. 이로써, 수지 시트(22)의 흡착 구멍(22a) 내에 침입한 수분이나 불순물 등을 외부로 배출할 수 있다.
또한, 흡착 구멍(22a) 내의 수분 등을 더 배출하기 쉽게 하기 위해, 흡착 구멍(22a)에 블로워 등의 압축기(도시 없음)를 접속하여, 하방을 향해 공기를 보내도록 구성해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 기재된 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 적당한 변경이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서 예시한 절단 장치(1)의 구성은 일례이고, 구체적인 구성은 적절히 변경하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 절단 모듈(A) 및 검사 모듈(B)의 각각이 제어부(제어부(9) 및 제어부(16))를 구비하는 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 각각의 제어부를 하나의 제어부로 통합하는 것이나, 3개 이상의 제어부로 분할하는 것도 가능하다. 또한, 본 실시 형태의 절단 장치(1)는, 2개의 절단 테이블(4)을 갖는 트윈 커트 테이블 구성인 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 절단 테이블(4)을 하나만 갖는 것이어도 된다. 또한, 본 실시 형태의 절단 장치(1)는, 2개의 스핀들(5)을 갖는 트윈 스핀들 구성인 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 스핀들(5)을 하나만 갖는 것이어도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서 나타낸 흡인 플레이트(52) 및 흡인 플레이트(152)(이하, 「흡인 플레이트(52) 등」이라고 칭함)의 구성은 일례이고, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 홈부(52b)의 형상은 직선상은 아니고, 임의의 형상으로 하는 것이 가능하다. 일례로서, 반도체 패키지(S)끼리의 간극에 대응한 형상(격자상)의 홈부를 형성함으로써, 반도체 패키지(S)끼리의 간극의 수분을 한번에 흡인하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서 나타낸 흡인 플레이트(52) 등을, 복수의 부재를 조합하여 형성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 흡인 구멍(52a)이 형성된 판상의 부재와, 홈부(52b)가 형성된 판상의 부재를 조합하여(서로 고정하여) 흡인 플레이트(52)를 형성해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 흡인 플레이트(52)에 흡인 구멍(52a) 및 홈부(52b)를 형성하는 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 예를 들어 흡인 구멍(52a)만을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 반도체 패키지(S)를 흡인 플레이트(52)에 접촉시킨 상태에서, 흡인 건조를 행하는 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 예를 들어 반도체 패키지(S)와 흡인 플레이트(52)를 이격한 상태에서 흡인 건조를 행하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 흡인 플레이트(52) 등을 지지 부재(53)에 의해 하방으로부터 지지하는 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니고, 반드시 지지 부재(53)를 사용할 필요는 없다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 반송 베이스(21)와 흡인 베이스(51)의 간극을 시일 부재(51c)에 의해 메움으로써, 기밀성을 유지하는 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 시일 부재(51c)를 사용하지 않고 흡인 건조를 행하는 것도 가능하다. 이 경우, 흡인력(부압)은 저하되기는 하지만, 흡인 베이스(51)의 외부로부터 내부(오목부(51a))로 유입된 공기의 흐름(풍압 등)에 의해, 반도체 패키지(S)의 건조가 촉구되는 것을 기대할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 흡인 플레이트(52) 등을 통해 세정액을 흡인하는 예를 나타냈지만, 흡인에 의한 건조를 행할 수 있으면, 반드시 흡인 플레이트(52) 등을 사용할 필요는 없다.
또한, 상기 실시 형태의 제2 건조 공정 S16에 있어서의 반송 기구(20)의 동작은 일례이고, 본 발명은 이것에 한정하는 것은 아니다. 즉, 반송 기구(20)는, 임의의 방향으로, 임의의 거리만큼 이동시키는 것이 가능하고, 이동의 횟수도 임의로 설정하는 것이 가능하다.
1: 절단 장치
5: 스핀들
20: 반송 기구
40: 세정 기구
50: 흡인 건조 기구
52: 흡인 플레이트
52a: 흡인 구멍
52b: 홈부
60: 분사 건조 기구
A: 절단 모듈
B: 검사 모듈
P: 패키지 기판
S: 반도체 패키지

Claims (8)

  1. 수지 밀봉된 패키지 기판을 복수의 반도체 패키지로 절단하는 절단 장치이며,
    상기 패키지 기판을 절단하는 절단 기구와,
    상기 절단 기구에 의해 절단된 상기 반도체 패키지를 흡착 유지하여, 반송하는 반송 기구와,
    상기 반송 기구에 의해 반송된 상기 반도체 패키지를 세정하는 세정 기구와,
    상기 세정 기구에 의해 세정된 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는 흡인 건조 기구를 구비하고,
    상기 흡인 건조 기구는, 복수의 흡인 구멍을 갖는 흡인 플레이트를 구비하고,
    상기 흡인 플레이트는, 상기 반도체 패키지와 마주 향하는 면에 있어서, 상기 복수의 흡인 구멍을 서로 접속하도록 형성된 홈부를 갖는,
    절단 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 반도체 패키지가 나열되는 방향에 대하여 경사져서 형성되어 있는,
    절단 장치.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 세정 기구에 의해 세정된 상기 반도체 패키지에 대하여 기체를 분사하여 건조하는 분사 건조 기구를 더 구비하는,
    절단 장치.
  6. 수지 밀봉된 패키지 기판을 복수의 반도체 패키지로 절단하는 절단 공정과,
    상기 절단 공정에 있어서 절단된 상기 반도체 패키지를 반송하는 반송 공정과,
    상기 반송 공정에 있어서 반송된 상기 반도체 패키지를 세정하는 세정 공정과,
    상기 세정 공정에 있어서 세정된 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는 흡인 건조 공정을 포함하고,
    상기 흡인 건조 공정에서, 복수의 흡인 구멍을 갖고, 상기 반도체 패키지와 마주 향하는 면에 있어서, 상기 복수의 흡인 구멍을 서로 접속하도록 형성된 홈부를 갖는 흡인 플레이트를 사용하여, 상기 반도체 패키지를 흡인 건조하는,
    절단품의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 흡인 건조 공정에서는, 상기 반도체 패키지를 소정의 방향으로 이동시키는,
    절단품의 제조 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 흡인 건조 공정 전 또는 후에, 상기 세정 공정에 있어서 세정된 상기 반도체 패키지에 대하여 기체를 분사하여 건조하는 분사 건조 공정을 더 포함하는,
    절단품의 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023155541A (ja) * 2022-04-11 2023-10-23 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置、及び、切断品の製造方法
KR102560434B1 (ko) * 2022-10-14 2023-07-27 주식회사 옵티멀이노베이션 모듈형 pcb 기판

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2370411B (en) * 2000-12-20 2003-08-13 Hanmi Co Ltd Handler system for cutting a semiconductor package device
KR100385876B1 (ko) * 2000-12-20 2003-06-02 한미반도체 주식회사 반도체 패키지장치 절단용 핸들러 시스템
JP4309084B2 (ja) * 2001-11-26 2009-08-05 アピックヤマダ株式会社 ダイシング装置
JP4287090B2 (ja) * 2002-01-15 2009-07-01 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止済基板の切断用治具
KR100814448B1 (ko) * 2003-12-12 2008-03-17 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 건조시스템
JP2011181936A (ja) * 2011-03-28 2011-09-15 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
KR200468411Y1 (ko) * 2011-12-16 2013-08-09 세메스 주식회사 반도체 소자들을 건조하기 위한 장치
JP2016082195A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断方法
KR102053480B1 (ko) * 2015-09-14 2019-12-06 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 건조장치 및 이를 구비하는 반도체 스트립 절단 시스템
JP6785735B2 (ja) * 2017-09-07 2020-11-18 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法

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