KR102120533B1 - 절단 장치 - Google Patents

절단 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102120533B1
KR102120533B1 KR1020170139288A KR20170139288A KR102120533B1 KR 102120533 B1 KR102120533 B1 KR 102120533B1 KR 1020170139288 A KR1020170139288 A KR 1020170139288A KR 20170139288 A KR20170139288 A KR 20170139288A KR 102120533 B1 KR102120533 B1 KR 102120533B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cut
cleaning
drying
cutting
intermediate chamber
Prior art date
Application number
KR1020170139288A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180071157A (ko
Inventor
유코 야마모토
히데카즈 아즈마
히데토시 우자와
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR20180071157A publication Critical patent/KR20180071157A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102120533B1 publication Critical patent/KR102120533B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

본 발명은 절단 장치에 있어서, 세정부와 건조부 사이에 중간실을 형성함으로써, 절단물에 수적(水滴)이 낙하하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.
절단 장치(1)는, 절단 대상물(2)을 절단하는 절단 기구(11a, 11b)와, 절단 기구(11a, 11b)에 의해 절단 대상물(2)이 절단된 절단물(13)이 배치되는 테이블(9)과, 테이블(9) 상의 절단물(13)을 세정하는 세정부(15)와, 세정부(15)로부터 이동된 테이블(9) 상의 절단물(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(17)을 구비한다.

Description

절단 장치{CUTTING APPARATUS}
본 발명은 절단 기구에 의해 절단된 절단물을 세정하여 건조하는 절단 장치에 관한 것이다.
종래부터, 절단 장치를 사용하여 웨이퍼나 밀봉 완료 기판 등의 절단 대상물을 절단 기구에 의해 절단하고 있다. 절단 대상물을 절단함으로써 발생하는 절단 부스러기나 오염물 등을 제거하기 위해서 절단된 절단물을 세정하여 건조한다. 예컨대, 세정 기구를 사용하여 가공이 끝난 피가공물을 세정하는 절삭 장치가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-80811호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 절삭 장치(1)에서는, 다음과 같은 과제가 발생한다. 특허문헌 1의 도 3에 도시된 바와 같이, 세정 건조 노즐(89)은 하면을 개방한 직육면체형의 케이싱(82) 내에 설치되며, 세정수 및 건조 에어를 피가공물(W)에 분사한다. 세정 건조 노즐(89)은, 세정수 공급원(94) 및 건조 에어 공급원(95)에 전환 밸브(96)를 통해 접속되어 있다. 전환 밸브(96)의 전환에 의해, 세정 건조 노즐(89)에 세정수 및 건조 에어를 선택적으로 공급한다. 케이싱(82) 내에 있어서 세정 건조 노즐(89)을 왕복 이동시킴으로써, 피가공물(W)을 세정 및 건조한다.
이와 같이, 세정수 및 건조 에어를 선택적으로 전환하여 세정 건조 노즐(89)로부터 분사하기 때문에, 피가공물(W)의 건조 중에 노즐 내 및 배관 내에 남아 있던 세정수를 다시 피가공물(W)에 분사할 우려가 있다. 또한, 세정 중에 피가공물(W)로부터 튄 세정수 및 안개형이 된 세정수가 케이싱(82) 내의 천장이나 내벽 등에 부착되고, 건조 중에 수적(水滴)이 되어 피가공물(W) 위에 낙하할 우려가 있다. 따라서, 피가공물(W)의 표면에 수적의 흔적(워터마크)이 형성되고, 얼룩이 되어 남을 우려가 있다. 또한, 수적이 낙하하는 것에 의한 건조 불량이 발생할 우려가 있다.
본 발명은 상기한 과제를 해결하는 것으로, 절단 장치에 있어서, 세정부와 건조부 사이에 중간실을 형성함으로써, 절단물에 수적이 낙하하는 것을 억제하는 절단 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 절단 장치는,
절단 대상물을 절단하는 절단 기구와,
상기 절단 기구에 의해 절단 대상물이 절단된 절단물이 배치되는 테이블과,
상기 테이블 상의 절단물을 세정하는 세정부와,
상기 세정부로부터 이동된 상기 테이블 상의 상기 절단물을 건조하는 건조부와,
상기 세정부와 상기 건조부 사이에 형성된 중간실을 구비한다.
본 발명에 의하면, 절단 장치에 있어서, 세정부와 건조부 사이에 중간실을 형성함으로써, 절단물에 수적이 낙하하는 것을 억제한다.
도 1은 본 발명에 따른 절단 장치에 있어서, 장치의 개요를 도시한 평면도.
도 2는 실시형태 1에 있어서 사용되는 세정 건조 기구를 도시한 개관도이며, (a)는 평면도, (b)는 A-A선 단면도, (c)는 B-B선 단면도.
도 3의 (a)∼(b)는 실시형태 1의 세정 건조 기구를 사용하여 절단물을 세정하는 동작을 도시한 개략 단면도.
도 4의 (a)∼(b)는 실시형태 1의 세정 건조 기구를 사용하여 절단물을 건조하는 동작을 도시한 개략 단면도.
도 5는 실시형태 2에 있어서 사용되는 세정 건조 기구를 도시한 개관도이며, (a)는 평면도, (b)는 C-C선 단면도, (c)는 D-D선 단면도.
도 6의 (a)∼(b)는 실시형태 2의 세정 건조 기구를 사용하여 절단물을 세정하는 동작을 도시한 개략 단면도.
도 7의 (a)∼(b)는 실시형태 2의 세정 건조 기구를 사용하여 절단물을 건조하는 동작을 도시한 개략 단면도.
이하, 본 발명에 따른 실시형태에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 본 출원 서류에 있어서의 어느 도면에 대해서도, 이해하기 쉽게 하기 위해서, 적절히 생략하거나 또는 과장하여 모식적으로 그려지고 있다. 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고 설명을 적절히 생략한다. 한편, 본 출원 서류에 있어서, 「지지 부재」란, 칩, 절연성막, 도전성막, 반도체막 등의 지지체 대상물을 지지하는 부재이며, 유리 에폭시 기판, 세라믹 기판, 수지 기판, 금속 기판 등의 일반적인 기판, 및 리드 프레임, 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다.
〔실시형태 1〕
(절단 장치의 구성)
본 발명에 따른 절단 장치의 구성에 대해, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 절단 장치(1)는, 예컨대, 대면적을 갖는 절단 대상물을 절단하여 복수의 영역으로 개편화(個片化)하는 장치이다. 절단 장치(1)는, 절단 대상물을 공급하는 공급 모듈(A)과, 절단 대상물을 절단하는 절단 모듈(B)과, 절단된 절단물을 검사하는 검사 모듈(C)을, 각각 구성 요소로서 구비한다. 각 구성 요소[각 모듈(A∼C)]는, 각각 다른 구성 요소에 대해 착탈 가능하고 또한 교환 가능하다. 한편, 여기서, 「대면적을 갖는 절단 대상물」이란, 예컨대, 사변(四邊)이 200 ㎜ 이상, 250 ㎜ 이상 혹은 300 ㎜ 이상의 사각형 또는 직경이 200 ㎜ 이상, 250 ㎜ 이상 혹은 300 ㎜ 이상의 원형의 절단 대상물이다.
절단 대상물로서, 수지부를 갖는 지지 부재나 반도체 전공정(前工程)(확산 공정 및 배선 공정)이 완료된 반도체 웨이퍼 등이, 절단 장치(1)에 의해 절단되어 개편화된다. 수지부를 갖는 지지 부재로서는, 예컨대, 기판에 장착된 칩을 수지 밀봉한 밀봉 완료 기판이나 반도체 웨이퍼에 장착된 칩을 수지 밀봉한 밀봉 완료 웨이퍼 등을 들 수 있다. 수지부를 성형하기 전의 지지 부재 그 자체를 절단할 수도 있다. 실시형태 1에 있어서는, 절단 대상물로서 밀봉 완료 기판을 절단하여 개편화하는 경우에 대해 설명한다. 한편, 절단 대상물은, 소자 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋다.
밀봉 완료 기판은, 기판과, 기판이 갖는 복수의 영역에 장착된 복수의 칩과, 복수의 영역이 일괄해서 덮이도록 하여 성형된 밀봉 수지를 갖는다. 밀봉 완료 기판을 절단하여 개편화된 각 영역이 각각의 제품에 상당한다.
공급 모듈(A)에는, 절단 대상물에 상당하는 밀봉 완료 기판(2)을 공급하는 절단 대상물 공급 기구(3)와, 밀봉 완료 기판(2)을 전달하는 절단 대상물 배치부(4)와, 밀봉 완료 기판(2)을 반송하는 반송 기구(5)가 설치된다. 반송 기구(5)는, X방향, Y방향 및 Z방향으로 이동 가능하다. 밀봉 완료 기판(2)은, 절단 대상물 배치부(4)에 있어서 위치 결정된 후, 반송 기구(5)에 의해 절단 모듈(B)에 반송된다.
절단 모듈(B)에는, 밀봉 완료 기판(2)에 가상적인 절단선을 설정하는 얼라인먼트 영역(6)과, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하여 개편화하는 절단 영역(7)과, 개편화된 절단물을 세정하여 건조하는 세정 건조 영역(8)이 형성된다.
절단 모듈(B)에 있어서, 얼라인먼트 영역(6)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 배치하는 절단용 테이블(9)이 설치된다. 절단용 테이블(9)은, 이동 기구(도시 없음)에 의해 도면의 Y방향으로 이동 가능하다. 절단용 테이블(9)은, 얼라인먼트 영역(6), 세정 건조 영역(8) 및 절단 영역(7) 사이를 이동할 수 있다. 또한, 절단용 테이블(9)은, 회전 기구(도시 없음)에 의해 θ방향으로 회동 가능하다. 절단용 테이블(9) 위에, 예컨대, 절단용 지그(도시 없음)를 부착하고, 절단용 지그 위에 밀봉 완료 기판(2)을 배치하도록 해도 좋다.
얼라인먼트 영역(6)에는, 얼라인먼트용의 카메라(10)가 설치된다. 얼라인먼트용의 카메라(10)는, 독립적으로 X방향으로 이동 가능하다. 카메라(10)가 X방향으로 이동하고, 또한, 절단용 테이블(9)이 Y방향으로 이동함으로써, 밀봉 완료 기판(2)에 형성된 얼라인먼트 마크의 좌표 위치가 측정된다. 이에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 절단선이 X방향 및 Y방향을 따라 가상적으로 설정된다.
절단 영역(7)에는, 절단 기구로서 2개의 스핀들(11a, 11b)이 설치된다. 절단 장치(1)는, 2개의 스핀들(11a, 11b)이 설치되는 트윈 스핀들 구성의 절단 장치이다. 스핀들(11a, 11b)은, 독립적으로 X방향과 Z방향으로 이동 가능하다. 스핀들(11a, 11b)에는 회전날(12a, 12b)이 각각 장착된다. 스핀들(11a, 11b)에는, 고속 회전하는 회전날(12a, 12b)에 의해 발생하는 마찰열을 억제하기 위해서 절삭수를 분사하는 절삭수용 노즐, 냉각수를 분사하는 냉각수용 노즐(도시 없음) 등이 각각 설치된다. 절단용 테이블(9)과 스핀들(11a, 11b)을 상대적으로 이동시킴으로써 밀봉 완료 기판(2)이 절단된다. 회전날(12a, 12b)은, X축에 직교하는 평면의 면내에 있어서 회전함으로써 밀봉 완료 기판(2)을 절단한다.
절단 영역(7)에 1개의 스핀들이 설치되는 싱글 스핀들 구성의 절단 장치로 하는 것도 가능하다. 대면적의 절단 대상물을 절단하는 경우에는, 회전날이 절단하는 절단 대상물의 총 거리가 매우 길어지기 때문에, 2개의 스핀들을 설치하여 효율적으로 절단 대상물을 절단하는 것이 바람직하다.
세정 건조 영역(8)에는, 스핀들(11a, 11b)에 의해 절단된 절단물인 절단 완료 기판(13)을 세정하여 건조하는 세정 건조 기구(14)가 설치된다. 세정 건조 기구(14)는, 절단된 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(15)와, 세정한 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)를 구비한다. 세정부(15)와 건조부(16) 사이에는, 세정부(15) 및 건조부(16)의 각각의 칸막이벽에 의해 구획된 공간을 구성하는 중간실(17)이 형성된다. 세정 건조 기구(14)의 하방에 있어서, 절단용 테이블(9)이 Y방향으로 왕복 이동함으로써 절단 완료 기판(13)은 세정되고 건조된다. 세정 건조 기구(14)에 대해서는, 후술하는 도 2 내지 도 4를 참조하는 부분에 있어서 상세히 설명한다.
검사 모듈(C)에는 검사용 테이블(18)이 설치된다. 검사용 테이블(18)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하여 개편화된 제품(P)의 집합체인 절단 완료 기판(13)이 이송된다. 절단 완료 기판(13)은, 반송 기구(19)에 의해, 절단용 테이블(9)로부터 검사용 테이블(18) 위로 이송된다. 반송 기구(19)는, X방향, Y방향 및 Z방향으로 이동 가능하다.
검사 모듈(C)에 있어서, 복수의 제품(P)은, 예컨대, 검사용의 카메라(20)에 의해 검사된다. 검사용의 카메라(20)는, X방향 및 Y방향으로 이동 가능하다. 검사된 제품(P)은, 양품과 불량품으로 선별된다. 양품은 양품 트레이(21)에 수용된다. 불량품은 불량품 트레이(22)에 수용된다.
공급 모듈(A)에는 제어부(CTL)가 설치된다. 제어부(CTL)는, 절단 장치(1)의 동작, 밀봉 완료 기판(2)의 반송, 밀봉 완료 기판(2)의 위치 맞춤, 밀봉 완료 기판(2)의 절단, 절단 완료 기판(13)의 세정 및 건조, 절단 완료 기판(13)의 반송, 절단 완료 기판(13)의 검사 등을 제어한다. 본 실시형태에 있어서는, 제어부(CTL)를 공급 모듈(A)에 설치하였다. 이것에 한하지 않고, 제어부(CTL)를 다른 모듈에 설치해도 좋다. 또한, 제어부(CTL)는, 복수로 분할하여, 공급 모듈(A), 절단 모듈(B) 및 검사 모듈(C) 중 적어도 2개의 모듈에 설치해도 좋다.
한편, 도 1에 있어서는, 절단 대상물로서 밀봉 완료 기판(2)을 절단하는 예를 나타냈기 때문에, 절단 대상물 배치부(4), 절단용 테이블(9) 및 검사용 테이블(18)을 직사각형 모양(정방형)의 형상으로 하였다. 이것에 한하지 않고, 절단 대상물로서, 예컨대, 반도체 웨이퍼를 취급하는 경우이면, 절단 대상물 배치부(4), 절단용 테이블(9) 및 검사용 테이블(18)을 원형 모양의 형상으로 해도 좋다.
(세정 건조 기구의 구성)
도 2를 참조하여, 도 1에 도시된 절단 장치(1)에 있어서 사용되는 실시형태 1의 세정 건조 기구(14)의 구성에 대해 설명한다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 세정 건조 기구(14)는, 절단된 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(15)와, 세정한 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(17)을 구비한다. 세정 건조 기구(14)는, 평면에서 보아 길이(L1) 및 폭(W)의 크기를 갖는다. 세정 건조 기구(14)의 폭(W)은, 절단용 테이블(9)의 폭보다 크게 설정된다. 절단용 테이블(9)은, 세정 건조 기구(14)의 하방에 있어서, Y방향으로 왕복 이동한다.
도 2의 (b), (c)에 도시된 바와 같이, 세정 건조 기구(14)의 하방에는, 절단용 테이블(9) 및 절단용 테이블(9) 위에 배치된 절단 완료 기판(13)이 이동하는 이동 공간(23)이 형성된다. 절단용 테이블(9)은, 예컨대, 볼나사 기구 등의 이동 기구(도시 없음)를 사용하여, 이동 공간(23) 안을 Y방향으로 왕복 이동한다.
이동 공간(23)은, 세정부(15), 건조부(16) 및 중간실(17)을 구성하는 각각의 외주의 측벽판에 의해 적어도 일부가 둘러싸이고, 세정 건조 기구(14)의 하단을 기준면으로 하여 높이(h1)를 갖는 공간이다. 이동 공간(23)은, 세정부(15), 건조부(16) 및 중간실(17)의 각각의 벽의 두께도 포함시키면, 길이(L1)×폭(W)×높이(h1)를 갖는 직육면체 형상의 공간이다. 한편, 세정 건조 기구(14)의 하단을 기준면으로 하여, 중간실(17)은 h2의 높이, 건조부(16)는 h3의 높이, 세정부(15)는 h4의 높이를 갖는다. 이들 높이의 관계는, h4>h3>h2>h1로 되어 있다.
세정부(15)는, 하방에 개구부를 갖는 세정실(24)과, 세정실(24) 내에 수용된 세정 기구(25)를 구비한다. 세정실(24)과 중간실(17)은, 세정부(15)를 구성하는 중간실측 칸막이벽(26)에 의해 구획된다. 절단 완료 기판(13)이 세정실(24) 및 중간실(17)의 하방의 이동 공간(23) 내를 왕복 이동함으로써, 절단 완료 기판(13)의 전면(全面)이 세정 기구(25)에 의해 세정된다.
세정 기구(25)로서, 예컨대, 세정액(27)을 분사하는 분사 세정 기구(스프레이 세정)가 사용된다. 스프레이 세정은, 일류체 또는 이류체로 이루어지는 노즐을 사용한 세정이다. 일류체 노즐의 경우에는, 노즐의 선단으로부터 세정액(27)이 절단 완료 기판(13)을 향해 분사된다. 세정액(27)으로서는, 순수, 탄산수, 오존수 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이류체 노즐의 경우에는, 세정액(27) 중에 압축 공기나 질소 가스 등의 기체가 공급된다. 기체가 혼합된 세정액(27)은, 미세한 안개형의 입자가 되어 절단 완료 기판(13)을 향해 분사된다. 또한, 세정 기구(25)로부터 분사되는 세정액(27)에 초음파를 인가하여 분사할 수도 있다. 세정액(27)을 분사하는 방향, 각도 등은 임의로 설정할 수 있다.
대면적을 갖는 절단 완료 기판(13)을 세정하는 경우에는, 절단 완료 기판(13)의 전면을 일괄해서 세정하기 위해서, 복수의 세정 기구(25) 또는 절단 완료 기판(13)의 폭보다 넓고 슬릿형의 노즐이나 다공식의 노즐을 구비한 세정 기구(25)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 노즐의 방향을, 절단 완료 기판(13)을 향해 좌우 또는 상하 방향으로 자동적으로 가변하는 것과 같은 구성으로 해도 좋다. 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 세정액(27)은, 세정실(24)로부터 중간실(17)과는 반대측의 방향을 향해 분사하는 것이 바람직하다. 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(17)에 침입하지 않도록 하는 것이 바람직하다.
건조부(16)는, 하방에 개구부를 갖는 건조실(28)과 건조실(28) 내에 수용된 건조 기구(29)를 구비한다. 건조실(28)과 중간실(17)은, 건조부(16)를 구성하는 중간실측 칸막이벽(30)에 의해 구획된다. 절단 완료 기판(13)이 건조실(28) 및 중간실(17)의 하방의 이동 공간(23) 내를 왕복 이동함으로써, 절단 완료 기판(13)의 전면이 건조 기구(29)에 의해 건조된다.
건조 기구(29)로서, 예컨대, 절단 완료 기판(13)을 향해 압축 공기나 질소 가스 등의 기체(31)를 분무하여 절단 완료 기판(13)의 표면으로부터 세정액(27)을 불어 날려 버리는 에어 나이프 탈수 건조가 사용된다. 에어 나이프 탈수 건조는, 폭이 넓고 또한 좁은 공기의 흐름을 만들어 내어, 강한 분출력으로 세정액(27)을 불어 날려 버릴 수 있다. 기체(31)를 분무하는 방향, 각도 등은 임의로 설정할 수 있다.
에어 나이프를 이용한 경우에 그 폭은, 절단 완료 기판(13)의 전면을 일괄해서 건조하기 위해서 절단 완료 기판(13)의 폭보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한, 에어 나이프의 분사구의 방향을, 좌우 또는 상하 방향으로 자동적으로 가변하는 것과 같은 구성으로 해도 좋다. 건조 기구(29)로부터 분사되는 기체(31)는, 건조실(28)로부터 중간실(17)과는 반대측의 방향을 향해 분사해도 좋고, 건조실(28)로부터 중간실(17)의 방향을 향해 분사해도 좋다. 또는, 바로 아래로 분사해도 좋다. 절단 완료 기판(13) 상의 세정액(27)을 건조실(28)로부터 하방을 향해 불어 날려 버리는 것과 같은 구성이면 된다.
세정 건조 기구(14)에 있어서, 세정 기구(25) 및 건조 기구(29)의 각각은, 절단 완료 기판(13)의 폭 방향을 따라 배열된 복수의 제품(P)으로 이루어지는 집합체를 일괄해서 세정 및 건조하는 형태이면 된다. 또한, 세정 건조 기구(14)는, 절단 완료 기판(13)을 건조 중 또는 건조 후에, 세정 건조 기구(14)[구체적으로는 세정실(24) 및 중간실(17)]의 내벽 등에 부착된 수적이 절단 완료 기판(13) 위에 낙하하는 것을 억제하는 것과 같은 구성으로 하는 것이 바람직하다.
(세정 건조 기구의 동작)
도 3 내지 도 4를 참조하여, 세정 건조 기구(14)에 의해 절단 완료 기판(13)을 세정하여 건조하는 동작에 대해 설명한다.
도 3의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 절단 완료 기판(13)을 세정하기 위해서, 이동 기구(도시 없음)를 사용하여 절단용 테이블(9)을 세정실(24)의 하방에 있어서 Y방향으로 왕복 이동시킨다. 절단용 테이블(9) 위에 배치된 절단 완료 기판(13)이 세정실(24)의 하방을 통과할 때에, 복수의 세정 기구(25)로부터 세정액(27)을 절단 완료 기판(13)에 분사하여 절단 완료 기판(13)을 세정한다. 예컨대, 절단용 테이블(9)을 S1의 위치로부터 S2의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 왕복 이동시킴으로써, 절단 완료 기판(13)의 전면을 복수의 세정 기구(25)에 의해 세정할 수 있다. 복수의 세정 기구(25)에 의해, 절단 완료 기판(13) 상에 남아 있는 절단 부스러기나 오염물 등을 제거한다.
세정 기구(25)로서, 일류체 또는 이류체로 이루어지는 노즐을 사용한 스프레이 세정을 사용한다. 일류체 노즐의 경우에는, 노즐의 선단으로부터 분사된 세정액(27)의 일부가 절단 완료 기판(13)으로부터 튀어, 세정실(24)의 내벽이나 세정 기구(25)에 부착되어 수적이 되는 경우가 있다. 세정실(24)의 내벽이나 세정 기구(25)에 부착된 수적은, 시간의 경과와 함께 하방으로 낙하할 우려가 있다.
이류체 노즐의 경우에는, 세정액(27) 중에 압축 공기나 질소 가스 등의 기체를 공급한다. 기체가 혼합된 세정액(27)은, 미세한 안개형의 입자(미스트)가 되어 절단 완료 기판(13)에 분사된다. 미스트는, 세정실(24) 내의 벽이나 천장에 부착되고 응집되어 수적이 될 우려가 있다. 세정실(24) 내의 벽이나 천장에 부착된 수적은, 시간의 경과와 함께 하방으로 낙하할 우려가 있다. 한편, 이류체 노즐 쪽이 미스트는 발생하기 쉬우나, 일류체 노즐이어도 미스트가 발생하는 경우도 있다.
이와 같이, 스프레이 세정을 사용하는 경우에는, 세정실(24) 내의 벽이나 천장 및 세정 기구(25)에 부착된 수적이, 시간의 경과와 함께 하방으로 낙하할 우려가 있다. 따라서, 세정 건조 기구(14)에 있어서, 절단 완료 기판(13)을 건조할 때 또는 건조 후에, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제하는 것과 같은 구성으로 하는 것이 바람직하다.
도 4의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 세정된 절단 완료 기판(13)을 건조하기 위해서, 이동 기구(도시 없음)를 사용하여 절단용 테이블(9)을 건조실(28)의 하방에 있어서 Y방향으로 왕복 이동시킨다. 절단용 테이블(9) 위에 배치된 절단 완료 기판(13)이 건조실(28)의 하방을 통과할 때에, 건조 기구(29)로부터 압축 공기나 질소 가스 등의 기체(31)를 절단 완료 기판(13)에 분무하여 절단 완료 기판(13)의 표면으로부터 세정액(27)을 불어 날려 버린다. 예컨대, 절단용 테이블(9)을 S3의 위치로부터 S4의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 왕복 이동시킴으로써, 절단 완료 기판(13)의 전면을 건조 기구(29)에 의해 건조한다.
절단 완료 기판(13)의 전면을 세정하기 위해서, 절단용 테이블(9)을 S1의 위치로부터 S2의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 이동시켜 절단 완료 기판(13)을 세정한다. 마찬가지로, 절단 완료 기판(13)의 전면을 건조하기 위해서, 절단용 테이블(9)을 S3의 위치로부터 S4의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 이동시켜 절단 완료 기판(13)을 건조한다. 절단 완료 기판(13)을 세정하는 경우 및 절단 완료 기판(13)을 건조하는 경우 어느 경우에 있어서도, 절단용 테이블(9)을 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 이동시킴으로써 절단 완료 기판(13)의 전면을 세정 및 건조할 수 있다.
세정 건조 기구(14)에 있어서, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 중간실(17)을 형성하고 있다. 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, Y방향에 있어서, 중간실(17)은 d1의 길이를 갖는다. 이에 의해, 절단 완료 기판(13)을 건조 중에 절단 완료 기판(13)이 세정실(24)의 하방을 통과하는 일이 없는 것과 같은 구성으로 할 수 있다. 따라서, 절단 완료 기판(13)을 건조 중 또는 건조 후에, 세정실(24) 내의 벽이나 천장 및 세정 기구(25)에 부착된 수적이 절단 완료 기판(13) 위에 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
(작용 효과)
본 실시형태에서는, 절단 장치(1)는, 절단 대상물인 밀봉 완료 기판(2)을 절단하는 절단 기구인 스핀들(11a, 11b)과, 스핀들(11a, 11b)에 의해 밀봉 완료 기판(2)이 절단된 절단물인 절단 완료 기판(13)이 배치되는 테이블인 절단용 테이블(9)과, 절단용 테이블(9) 상의 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(15)와, 세정부(15)로부터 이동된 절단용 테이블(9) 상의 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(17)을 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 절단 장치(1)는, 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(15)와, 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(17)을 구비한다. 중간실(17)을 형성함으로써, 절단 완료 기판(13)을 건조 중에 절단용 테이블(9)이 세정실(24)의 하방을 통과하지 않는 구성으로 하고 있다. 따라서, 세정실(24) 내의 벽이나 천장 및 세정 기구(25)에 부착된 수적이 절단 완료 기판(13) 위에 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 절단 장치(1)는, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하는 스핀들(11a, 11b)과, 밀봉 완료 기판(2)이 절단된 절단물인 절단 완료 기판(13)을 배치하는 절단용 테이블(9)과, 절단용 테이블(9)을 이동시켜 절단 완료 기판(13)을 세정하여 건조하는 세정 건조 기구(14)를 구비한다. 세정 건조 기구(14)는, 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(15)와, 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(17)을 구비한다. 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 중간실(17)을 형성함으로써, 건조 기구(29)에 의해 절단 완료 기판(13)을 건조할 때에, 세정실(24)의 하방을 절단 완료 기판(13)이 통과하지 않는 구성으로 하고 있다. 이에 의해, 세정실(24) 내의 벽이나 천장 및 세정 기구(25)에 부착된 수적이, 절단 완료 기판(13) 위에 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수적의 낙하에 의한 얼룩의 발생이나 건조 불량을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 세정부(15)와 건조부(16) 사이에 중간실(17)을 형성하고 있기 때문에, 중간실을 형성하지 않는 구성과 비교하여, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트의 건조부(16)에의 침입을 억제할 수 있고, 절단물에의 수적 낙하를 억제할 수 있다.
〔실시형태 2〕
(세정 건조 기구의 구성)
도 5를 참조하여, 절단 장치(1)에 있어서 사용되는 실시형태 2의 세정 건조 기구의 구성에 대해 설명한다. 실시형태 1과의 차이는, 세정부 및 중간실의 구성을 변경한 것이다. 그 이외의 구성에 대해서는 실시형태 1과 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 세정 건조 기구(32)는, 절단된 절단 완료 기판(13)을 세정하는 세정부(33)와, 세정한 절단 완료 기판(13)을 건조하는 건조부(16)와, 세정부(33)와 건조부(16) 사이에 형성된 중간실(34)을 구비한다. 건조부(16)는, 실시형태 1에 나타낸 건조부와 동일하다. 세정 건조 기구(32)는, 평면에서 보아 길이(L2) 및 폭(W)의 크기를 갖는다. 세정 건조 기구(32)의 폭(W)은, 실시형태 1에 나타낸 세정 건조 기구(14)의 폭과 동일하다. 세정 건조 기구(32)의 길이(L2)는, 실시형태 1에 나타낸 세정 건조 기구(14)의 길이(L1)보다 작다[도 2의 (a) 참조]. 절단용 테이블(9)은, 세정 건조 기구(32)의 하방에 있어서, Y방향으로 왕복 이동한다.
도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 세정부(33)는, 세정부(33)의 중간실(34)측에 설치된 중간실측 칸막이벽(35)과, 중간실측 칸막이벽(35)으로부터 세정부(33)측으로 경사진 칸막이판(36)을 구비한다. 칸막이판(36)은, 예컨대, 중간실측 칸막이벽(35)에 있어서, 중간실(34)의 상부판 정상부에 대응하는 위치[세정 건조 기구(32)의 하단을 기준면으로 하여 h2의 높이 위치]로부터 세정부(33)측의 하방[세정 건조 기구(32)의 하단을 기준면으로 하여 h1의 높이 위치]을 향해 설치된다. 세정부(33)의 중간실측 칸막이벽(35)에 있어서, 칸막이판(36)의 부착 위치, 경사 각도 및 길이는 임의로 설정할 수 있다. 세정실(24)과 중간실(34)은, 세정부(33)를 구성하는 중간실측 칸막이벽(35)과 칸막이판(36)에 의해 구획된다. 칸막이판(36)을 설치함으로써, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 중간실(34)을 구성하는 상부판(37)은, 중앙부로부터 양측으로 경사지는 맞배지붕 형상을 갖는다. 바꿔 말하면, 중간실(34)의 상부판(37)의 하면(38)인 천장 내면은, 중앙부로부터 양측으로 하향으로 경사지는 형상을 갖는다. 중간실(34)의 중앙부는 세정 건조 기구(32)의 하단을 기준면으로 하여 h2의 높이를 갖고, 중간실(34)의 측벽판은 세정 건조 기구(32)의 하단을 기준면으로 하여 h1의 높이를 갖는다. 따라서, 중간실(34)은, 맞배지붕 형상을 갖는 상부판(37)과 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)과 중간실(34) 및 세정부(33)를 각각 구성하는 측벽판에 의해 둘러싸이는 공간으로 구성된다.
도 5의 (b), 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 중간실(34)의 상부판(37)의 하방의 공간과 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 하방의 공간에 의해, 중간실(34)은 구성된다. 중간실(34)의 상부판(37)의 하방의 공간뿐만이 아니라, 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 하방의 공간도 중간실(34)을 구성하는 공간이 된다. 따라서, 세정 건조 기구(32)의 Y방향에 있어서, 상부판(37)의 하방의 공간의 길이(d2)[도 7의 (a) 참조]와 칸막이판(36)의 하방의 공간의 길이(d3)[도 7의 (a) 참조]를 합계한 길이(d2+d3)가 실효적인 중간실(34)의 길이가 된다. 이에 의해, 절단 완료 기판(13)을 건조할 때에, 절단용 테이블(9)을 칸막이판(36)의 하방에 형성된 공간까지 왕복 이동시키는 것이 가능해진다. 칸막이판(36)의 하방에 형성된 공간의 Y방향에 있어서의 길이(d3)[도 7의 (a) 참조]만큼 절단용 테이블(9)을 +Y방향으로 이동시키는 거리를 길게 할 수 있다. 따라서, 세정 건조 기구(32)의 길이(L2)[도 5의 (a) 참조]를, 세정 건조 기구(14)의 길이(L1)[도 2의 (a) 참조]보다 작게 해도, 절단 완료 기판(13)의 전면을 건조하기 위해서 절단용 테이블(9)을 왕복 이동시키는 거리(D)[도 7의 (a) 참조]를 중간실(34)의 하방에 있어서 확보할 수 있다.
세정 건조 기구(32)는, 세정부(33)에 칸막이판(36)을 설치함으로써, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27)이 중간실(34)에 침입하는 것, 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적이 중간실(34)에 침입하는 것, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 억제하는 구성으로 하고 있다. 그러나, 세정부(33)에 칸막이판(36)을 설치한 경우라도, 아직 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입할 우려가 있다.
그래서, 중간실(34)에 침입한 미스트가 중간실(34)의 내벽에 부착되고 응집되어 수적이 되는 것을 억제하기 위해서, 중간실(34)의 내벽을 친수성으로 해도 좋다. 중간실(34)을 구성하는 상부판(37)의 하면(38), 즉 천장 내면 및 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 하면(39)을, 예컨대, 블라스트 처리함으로써 표면에 미세한 요철을 형성할 수 있다. 상부판(37)의 하면(38)과 칸막이판(36)의 하면(39)을 블라스트 처리에 의해 조면화(粗面化)하여 친수성으로 할 수 있다. 이에 의해, 상부판(37)의 하면(38)이나 칸막이판(36)의 하면(39)에 부착된 미스트가 응집해도, 하방으로 낙하할 정도의 큰 수적이 되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 상부판(37)의 하면(38) 쪽이, 칸막이판(36)의 하면(39)보다, 절단물에의 수적 낙하의 가능성이 있기 때문에, 상부판(37)의 하면(38)만을 조면화의 가공을 실시해도 좋다.
덧붙여, 중간실(34)을 구성하는 상부판(37)을, 중앙부로부터 양측으로 경사지는 맞배지붕 형상으로 하고 있다. 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)도 하방으로 경사져 있다. 그 때문에, 중간실(34)의 내벽에 부착된 미스트가 응집하여 수적이 되어도 하방으로 낙하할 정도의 큰 수적이 되지 않고, 상부판(37) 및 칸막이판(36)의 경사를 따라 수적이 하방으로 흐르기 쉽게 되어 있다. 따라서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 상면에 공기나 질소를 분사하는 기체 분사 기구(40)를 설치할 수 있다. 기체를 분사하는 방향, 각도 등은 임의로 설정할 수 있다. 또한, 기체를 분사하는 방향을 좌우 또는 상하 방향으로 자동적으로 가변하는 것과 같은 구성으로 해도 좋다. 기체 분사 기구(40)를 설치함으로써, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 중간실(34)의 내벽에 수적이 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
실시형태 2에 나타낸 세정 건조 기구(32)에 있어서는, 다음의 4가지 대응을 행하였다. (1) 세정부(33)에 경사진 칸막이판(36)을 설치하고, (2) 중간실(34)의 상부판(37)을 맞배지붕 형상으로 하며, (3) 중간실(34)의 상부판(37)의 하면(38) 및 세정부(33)에 설치한 칸막이판(36)의 하면(39)을 조면화하고, (4) 칸막이판(36)의 상면에 기체 분사 기구(40)를 설치한다. 이들의 대응을 함으로써, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
(세정 건조 기구의 동작)
도 6 내지 도 7을 참조하여, 세정 건조 기구(32)에 의해 절단 완료 기판(13)을 세정하여 건조하는 동작에 대해 설명한다.
도 6의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 절단 완료 기판(13)을 세정하기 위해서, 이동 기구(도시 없음)를 사용하여 절단용 테이블(9)을 세정실(24)의 하방에 있어서 Y방향으로 왕복 이동시킨다. 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)에 의해 구획되고 세정실(24)의 하방에 개구된 개구부를 절단용 테이블(9)이 통과할 때에, 복수의 세정 기구(25)로부터 세정액(27)을 절단 완료 기판(13)에 분사하여 절단 완료 기판(13)을 세정한다. 실시형태 1과 마찬가지로, 절단 완료 기판(13)의 전면을 세정하기 위해서 절단용 테이블(9)을 S1의 위치로부터 S2의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 왕복 이동시킨다. 복수의 세정 기구(25)에 의해 절단 완료 기판(13)의 전면을 세정한다.
세정실(24)과 중간실(34)은, 세정부(33)를 구성하는 중간실측 칸막이벽(35) 및 칸막이판(36)에 의해 구획된다. 칸막이판(36)을 설치함으로써, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27)이 중간실(34)에 침입하는 것, 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적이 중간실(34)에 침입하는 것, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
도 7의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 절단 완료 기판(13)을 건조하기 위해서, 이동 기구(도시 없음)를 사용하여 절단용 테이블(9)을 건조실(28)의 하방에 있어서 Y방향으로 왕복 이동시킨다. 실시형태 1과 마찬가지로, 절단 완료 기판(13)의 전면을 건조하기 위해서 절단용 테이블(9)을 S3의 위치로부터 S4의 위치까지 일정한 거리(D)만큼 Y방향으로 왕복 이동시킨다.
중간실(34)은, 중간실(34)의 상부판(37)의 하방의 공간과, 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 하방의 공간에 의해 구성된다. 절단 완료 기판(13)을 건조할 때에, 절단용 테이블(9)을 칸막이판(36)의 하방의 공간까지 왕복 이동시킬 수 있다. 즉, 세정 건조 기구(32)의 Y방향에 있어서, 상부판(37)의 하방의 공간의 길이(d2)와 칸막이판(36)의 하방의 공간의 길이(d3)를 합계한 길이(d2+d3)의 범위까지, 절단용 테이블(9)을 +Y방향으로 왕복 이동시킬 수 있다. 세정부(33)에 칸막이판(36)을 설치함으로써, Y방향에 있어서의 실효적인 중간실(34)의 길이를 크게 할 수 있다. 따라서, 중간실(34)의 하방에 있어서, 절단용 테이블(9)을 왕복 이동시키는 거리를 길게 할 수 있다. 이에 의해, 세정 건조 기구(32)의 길이를 작게 해도, 절단 완료 기판(13)의 전면을 건조하기 위해서 절단용 테이블(9)을 왕복 이동시키는 거리(D)를 확보할 수 있다. 따라서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
(작용 효과)
본 실시형태에 의하면, 세정 건조 기구(32)에 있어서, 세정부(33)의 중간실측 칸막이벽(35)으로부터 세정부(33)측으로 경사진 칸막이판(36)을 설치한다. 세정실(24)과 중간실(34)을, 세정부(33)를 구성하는 중간실측 칸막이벽(35)과 칸막이판(36)에 의해 구획한다. 이에 의해, 세정실(24)의 하방의 개구부를 작게 하여, 중간실(34)을 구성하는 실효적인 공간을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 절단 완료 기판(13)을 건조할 때에, 중간실(34)에 있어서 절단용 테이블(9)을 왕복 이동시키는 거리를 길게 할 수 있다. 따라서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 세정 건조 기구(32)의 길이를 작게 할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 세정 건조 기구(32)에 있어서, 세정부(33)의 중간실측 칸막이벽(35)으로부터 세정부(33)측으로 경사진 칸막이판(36)을 설치한다. 이에 의해, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 중간실(34)의 내벽에 수적이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 중간실(34)에 있어서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 중간실(34)을 구성하는 상부판(37)을, 중앙부로부터 양측으로 경사지는 맞배지붕 형상으로 한다. 바꿔 말하면, 중간실(34)의 천장 내면을 중앙부로부터 양측으로 하향으로 경사지는 형상으로 한다. 중간실(34)에 침입한 미스트가 응집하여 수적이 되었다고 해도, 천장 내면, 즉 상부판(37)의 경사를 따라 수적이 양측으로 흐르기 쉽게 할 수 있다. 따라서, 중간실(34)에 있어서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 중간실(34)의 내벽에 있어서, 적어도 천장 내면을 조면화하여 친수성으로 한다. 중간실(34)을 구성하는 상부판(37)의 하면(38) 및 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 하면(39)을, 블라스트 처리함으로써 표면에 미세한 요철을 형성한다. 이에 의해, 중간실(34)의 내벽에 부착된 미스트가 큰 수적이 되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 중간실(34)에 있어서, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 세정부(33)에 설치된 칸막이판(36)의 상면에 기체 분사 기구(40)를 설치한다. 이에 의해, 세정 기구(25)로부터 분사된 세정액(27), 세정실(24)의 내벽에 부착된 수적, 및 세정실(24) 내에서 발생한 미스트가 중간실(34)에 침입하는 것을 보다 억제할 수 있다. 따라서, 중간실(34)의 내벽에 수적이 부착되는 것을 보다 억제할 수 있다. 그 때문에, 절단 완료 기판(13) 위에 수적이 낙하하는 것을 한층 억제할 수 있다.
각 실시형태에 있어서는, 절단 대상물로서, 직사각형(정방형)의 형상을 갖는 절단 대상물을 절단하는 경우를 나타내었다. 이것에 한하지 않고, 반도체 웨이퍼와 같은 실질적으로 원형의 형상을 갖는 절단 대상물을 절단하는 경우에 있어서도, 지금까지 설명한 내용을 적용할 수 있다.
각 실시형태에 있어서는, 절단 대상물로서 칩이 장착된 밀봉 완료 기판을 절단하는 경우를 나타내었다. 이것에 한하지 않고, 밀봉 완료 기판 이외의 절단 대상물로서 다음의 절단 대상물을 절단하여 개편화하는 경우에 본 발명을 적용할 수 있다. 제1로, 실리콘, 화합물 반도체로 이루어지고 회로 소자, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 등의 기능 소자가 만들어 넣어진 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)를 개편화하는 경우이다. 제2로, 저항체, 콘덴서, 센서, 표면 탄성파 디바이스 등의 기능 소자가 만들어 넣어진 세라믹 기판, 유리 기판 등을 개편화하여 칩 저항, 칩 콘덴서, 칩형의 센서, 표면 탄성파 디바이스 등의 제품을 제조하는 경우이다. 이들 2가지 경우에는, 반도체 웨이퍼, 세라믹 기판, 유리 기판 등이, 복수의 영역에 각각 대응하는 기능 소자가 만들어 넣어진 지지 부재에 해당한다.
이상과 같이, 상기 실시형태의 절단 장치는, 절단 대상물을 절단하는 절단 기구와, 절단 기구에 의해 절단 대상물이 절단된 절단물이 배치되는 테이블과, 테이블 상의 절단물을 세정하는 세정부와, 세정부로부터 이동된 테이블 상의 절단물을 건조하는 건조부와, 세정부와 건조부 사이에 형성된 중간실을 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 세정부와 건조부 사이에 중간실을 형성한다. 이에 의해, 절단물을 건조할 때에 절단물이 세정부의 하방을 통과하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 세정부로부터 수적이 절단물 위에 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치는, 세정부의 중간실측 칸막이벽의 하방에 세정부측으로 경사진 칸막이판을 갖는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 세정부에 칸막이판을 설치함으로써, 중간실의 실효적인 공간을 크게 하고 있다. 이에 의해, 절단물을 건조할 때에 테이블을 이동시키는 거리를 길게 할 수 있다. 따라서, 절단물 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치는, 칸막이판의 상면에 기체를 분사하는 기체 분사 기구를 갖는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 기체 분사 기구에 의해 세정액, 수적, 미스트가 중간실에 침입하는 것을 억제한다. 따라서, 중간실의 상부판으로부터 절단물 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치는, 중간실의 천장 내면이 중앙부로부터 양측으로 하향으로 경사지는 형상을 갖는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 중간실의 천장 내면이 중앙부로부터 양측으로 하향으로 경사를 갖는다. 천장 내면에 수적이 부착되어도 천장 내면의 경사를 따라 수적을 양측으로 흐르기 쉽게 한다. 따라서, 중간실의 천장 내면으로부터 절단물 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치는, 적어도 중간실의 천장 내면이 조면화되어 있는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 중간실의 천장 내면에 미세한 요철을 형성한다. 이에 의해, 중간실의 천장 내면에 부착된 미스트가 큰 수적이 되는 것을 억제한다. 따라서, 중간실의 천장 내면으로부터 절단물 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치는, 세정부는 절단물을 세정하는 세정 기구를 갖고, 건조부는 절단물을 건조하는 건조 기구를 갖는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 세정 기구에 의해 절단물을 세정하고, 건조 기구에 의해 절단물을 건조할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치에 있어서, 절단 대상물은 수지부를 갖는 지지 부재이다.
이 구성에 의하면, 상기한 절단 장치를 사용하여 지지 부재에 대해 수지 성형된 절단 대상물을 절단할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 절단 장치에서는, 건조 기구는, 테이블이 적어도 건조부 및 중간실의 하방을 이동할 때에 절단물을 건조하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 테이블이 건조부 및 중간실의 하방을 이동할 때에, 건조 기구에 의해 절단물을 건조한다. 따라서, 세정부로부터 절단물 위에 수적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명은 전술한 각 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라, 임의로 또한 적절히 조합하고, 변경하며, 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.
1: 절단 장치 2: 밀봉 완료 기판(절단 대상물)
3: 절단 대상물 공급 기구 4: 절단 대상물 배치부
5: 반송 기구 6: 얼라인먼트 영역
7: 절단 영역 8: 세정 건조 기구
9: 절단용 테이블(테이블) 10: 얼라인먼트용의 카메라
11a, 11b: 스핀들(절단 기구) 12a, 12b: 회전날
13: 절단 완료 기판(절단물) 14, 32: 세정 건조 기구
15, 33: 세정부 16: 건조부
17, 34: 중간실 18: 검사용 테이블
19: 반송 기구 20: 검사용의 카메라
21: 양품 트레이 22: 불량품 트레이
23: 이동 공간 24: 세정실
25: 세정 기구 26: 중간실측 칸막이벽
27: 세정액 28: 건조실
29: 건조 기구 30: 중간실측 칸막이벽
31: 기체 35: 중간실측 칸막이벽
36: 칸막이판 37: 상부판
38: 상부판의 하면(천장 내면) 39: 칸막이판의 하면
40: 기체 분사 기구 A: 공급 모듈
B: 절단 모듈 C: 검사 모듈
P: 제품 CTL: 제어부
L1, L2: 길이 W: 폭
h1, h2, h3, h4: 높이 S1, S2, S3, S4: 위치
D: 거리 d1, d2, d3: 길이

Claims (8)

  1. 절단 대상물을 절단하는 절단 기구와,
    상기 절단 기구에 의해 상기 절단 대상물이 절단된 절단물이 배치되는 테이블과,
    상기 테이블 상의 상기 절단물을 세정하는 세정부와,
    상기 세정부로부터 이동된 상기 테이블 상의 상기 절단물을 건조하는 건조부와,
    상기 세정부와 상기 건조부 사이에 형성된 중간실
    을 구비하고,
    상기 세정부와 상기 중간실 사이 및 상기 건조부와 상기 중간실 사이에 칸막이벽이 마련된 절단 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정부와 상기 중간실 사이에 마련된 상기 칸막이벽의 하방에 배치되며, 상기 테이블의 상방에 위치하는 상기 세정부측으로 경사진 칸막이판을 갖는 절단 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 칸막이판의 상면에 기체를 분사하는 기체 분사 기구를 갖는 절단 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중간실의 천장 내면이 중앙부로부터 양측으로 하향으로 경사지는 형상을 갖는 것인 절단 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 중간실의 천장 내면이 조면화(粗面化)되어 있는 것인 절단 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정부는 상기 절단물을 세정하는 세정 기구를 갖고,
    상기 건조부는 상기 절단물을 건조하는 건조 기구를 갖는 것인 절단 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절단 대상물은 수지부를 갖는 지지 부재인 것인 절단 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 건조 기구는, 상기 테이블이 적어도 상기 건조부 및 상기 중간실의 하방을 이동할 때에 상기 절단물을 건조하는 것인 절단 장치.
KR1020170139288A 2016-12-19 2017-10-25 절단 장치 KR102120533B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016245013A JP6612206B2 (ja) 2016-12-19 2016-12-19 切断装置
JPJP-P-2016-245013 2016-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180071157A KR20180071157A (ko) 2018-06-27
KR102120533B1 true KR102120533B1 (ko) 2020-06-08

Family

ID=62603344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170139288A KR102120533B1 (ko) 2016-12-19 2017-10-25 절단 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6612206B2 (ko)
KR (1) KR102120533B1 (ko)
CN (1) CN108206147A (ko)
TW (1) TWI671157B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7308621B2 (ja) * 2019-02-19 2023-07-14 株式会社ディスコ 搬送装置
JP7394712B2 (ja) * 2020-06-24 2023-12-08 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JP2023010304A (ja) * 2021-07-09 2023-01-20 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
JP2023013000A (ja) * 2021-07-15 2023-01-26 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
JP2023023057A (ja) * 2021-08-04 2023-02-16 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058501A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009253160A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Towa Corp 基板の切断方法及び装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6068002A (en) * 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
JPH1197407A (ja) * 1997-09-16 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置
US20070251548A1 (en) * 2006-04-11 2007-11-01 Toppoly Optoelectronics Corp. Conveyor type wet-processing apparatus and treatment of substrate
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
JP5399690B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-29 アピックヤマダ株式会社 切断装置
KR101097932B1 (ko) * 2009-12-03 2011-12-23 세메스 주식회사 약액 분사 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
JP2013080811A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
TWI537094B (zh) * 2012-09-08 2016-06-11 西凱渥資訊處理科技公司 於射頻模組製造期間關於切除及清潔的系統及方法
JP6218526B2 (ja) * 2013-09-20 2017-10-25 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
CN104538332B (zh) * 2014-12-12 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种湿制程机台的腔室结构
CN205248239U (zh) * 2015-11-19 2016-05-18 江苏润丽光能科技发展有限公司 一种新型多晶硅片清洗机

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058501A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009253160A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Towa Corp 基板の切断方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018101649A (ja) 2018-06-28
JP6612206B2 (ja) 2019-11-27
TWI671157B (zh) 2019-09-11
TW201822942A (zh) 2018-07-01
KR20180071157A (ko) 2018-06-27
CN108206147A (zh) 2018-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102120533B1 (ko) 절단 장치
KR101793337B1 (ko) 절단 장치 및 절단 방법
US20140048519A1 (en) Laser processing apparatus
KR102204848B1 (ko) 패키지 기판의 가공 방법
WO2009113236A1 (ja) 基板の切断方法及び装置
KR101733290B1 (ko) 절단 장치 및 절단 방법
TWI740094B (zh) 加工裝置、及製品的製造方法
JP2017080860A (ja) 産業機器及び保護カバー並びに移動方法
JP2003163180A (ja) ワーク搬送装置及びダイシング装置
KR101643502B1 (ko) 절단 장치 및 절단 방법
JP2009253160A (ja) 基板の切断方法及び装置
KR102374339B1 (ko) 절단 장치 및 절단품의 제조 방법
KR101560305B1 (ko) 기판 절단 시스템 및 기판 지지장치
JP2013080811A (ja) 切削装置
KR102634455B1 (ko) 클리닝 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2012004225A (ja) 被切断基板の治具及び製品基板の製造方法
KR20030003946A (ko) 반도체 패키지의 이물질 제거를 위한 에어 블로우 시스템
JP2006205012A (ja) 塗布装置
KR20240045335A (ko) 절단 장치 및 절단품의 제조 방법
CN117817469A (zh) 一种基板减薄系统和基板减薄方法
KR20230020758A (ko) 반도체 패키지 칩 스팀 세정장치
JP2009200089A (ja) 基板の切断方法及び装置
KR20160048369A (ko) 반도체 패키지 건조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant