CN205248239U - 一种新型多晶硅片清洗机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型多晶硅片清洗机,包括清洗仓、沥水仓和干燥仓,清洗仓内中间横向设置轨道一,所述轨道一两侧设置喷雾喷头,喷雾喷头之间设置超声波发射器,沥水仓内设置轨道二,沥水仓内左侧上方设置干燥空气入口,干燥仓与沥水仓尺寸相同,干燥仓左侧下方设置干燥空气入口二,干燥仓与沥水仓中间设置挡板,所述挡板在轨道二通过处开有通道,本实用新型所述的新型多晶硅片清洗机,通过轨道一和轨道二的运作,将码放整齐的多晶硅片在清洗仓内清洗完成运送至沥水仓,沥水仓内设置干燥空气入口一,在自然沥水过程中加速水分蒸发,在干燥仓内设置干燥空气入口二,降低空气含水量,提高干燥速度,整个过程自动化完成,节约人力,减少人为的损坏。
Description
技术领域
本发明属于光伏机械领域,具体涉及一种新型多晶硅片清洗机。
背景技术
光伏产业的新兴带动了很多相关产业的发展,其中多晶硅片的生产加工为最基础的一部分。通常的多晶硅在切片后需要进行清洗,并在清洗后旋转脱水,清洗之前需要人工将多晶硅片整理码放,清洗后还需要重新码放,因多晶硅片质量要求较高,因此人为操作容易对多晶硅片产生损伤,而且浪费人力。
发明内容
为解决上述问题,本发明公开了一种新型多晶硅片清洗机,以用来解决人力资源浪费及多晶硅片易损的问题。
为达到上述目的,本发明的技术方案如下:
一种新型多晶硅片清洗机,包括清洗仓、沥水仓和干燥仓,所述清洗仓内中间横向设置轨道一,所述轨道一两侧设置喷雾喷头,喷雾喷头之间设置超声波发射器,所述沥水仓位于清洗仓右侧,沥水仓内设置轨道二,沥水仓内左侧上方设置干燥空气入口,所述轨道二与轨道一宽度相同,轨道二与轨道一交界处设置PVC软帘,轨道二延伸至干燥仓出口,轨道二在沥水仓及干燥仓内为上下弯折设置,所述干燥仓位于沥水仓右侧,干燥仓与沥水仓尺寸相同,干燥仓左侧下方设置干燥空气入口二,干燥仓与沥水仓中间设置挡板,所述挡板在轨道二通过处开有通道。
作为本发明的一种改进,所述喷雾喷头可设置5~8组。
作为本发明的一种改进,所述轨道一为镂空。
作为本发明的一种改进,所述清洗仓内喷雾喷头温度为50℃~65℃。
作为本发明的一种改进,所述干燥空气温度为60℃~70℃。
作为本发明的一种改进,所述轨道二在沥水仓中的长度小于干燥仓。
作为本发明的一种改进,所述轨道二上设置半月形链片式网带。
本发明的有益效果是:
本发明所述的一种新型多晶硅片清洗机,通过轨道一和轨道二的运作,将码放整齐的多晶硅片在清洗仓内清洗完成运送至沥水仓,沥水仓内设置干燥空气入口一,在自然沥水过程中加速水分蒸发,在干燥仓内设置干燥空气入口二,降低空气含水量,提高干燥速度,整个过程自动化完成,节约人力,减少人为的损坏。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
附图标记列表:
1.清洗仓,2.沥水仓,3.干燥仓,4.喷雾喷头,5.超声波发射器,6.轨道一,7.PVC软帘,8.轨道二,9.挡板,10.通道,11.出口,12.干燥空气入口一,13干燥空气入口二。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,进一步阐明本发明,应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
如图所示,一种新型多晶硅片清洗机,包括清洗仓1、沥水仓2和干燥仓3,所述清洗仓1内中间横向设置轨道一6,所述轨道一6两侧设置喷雾喷头4,喷雾喷头4之间设置超声波发射器5,所述清洗仓1内喷雾喷头4温度为50℃~65℃,在整个机器内设置不同的仓位,可以实现多晶硅片清洗干燥一体,喷雾喷头4内的是由蒸馏水混合硅片清洗剂,并将水温控制在50℃~65℃,使清洗剂达到最大的活性而且超声效果好,利用轨道一6的运作将码放好的多晶硅片清洗干净,运送至沥水仓2内。
如图所示,所述沥水仓2位于清洗仓1右侧,沥水仓2内设置轨道二8,沥水仓2内左侧上方设置干燥空气入口一12,在多晶硅片自然沥水的过程中利用干燥空气,加速多晶硅片的水分蒸发,实现干燥的目的,所述轨道二8与轨道一6宽度相同,便于多晶硅片顺利从清洗仓1进入沥水仓2,轨道二8延伸至干燥仓3出口11,轨道二8在沥水仓2及干燥仓3内为上下弯折设置,延长多晶硅片在沥水仓2及干燥仓3的时间,实现干燥多晶硅片的目的,所述干燥仓3位于沥水仓2右侧,干燥仓3与沥水仓2尺寸相同,干燥仓3左侧下方设置干燥空气入口二13,降低干燥仓3内空气的干燥量,干燥仓3与沥水仓2中间设置挡板9,分隔干燥仓3与沥水仓2,防止潮湿空气流动过大,影响干燥程度,所述挡板9在轨道二8通过处开有通道10,方便轨道二8的运作。
如图所示,轨道二8与轨道一6交界处设置PVC软帘7,既可以在没有多晶硅片通过时分隔清洗仓1与沥水仓2,防止水雾直接进入沥水仓2内,也可以防止多晶硅片通过时损坏多晶硅片。
如图所示,所述喷雾喷头4可设置5~8组,以适应轨道一6的长度及多晶硅片的清洗程度。
如图所示,所述轨道一6为镂空,方便冲洗下来的杂质顺利和水一起流走。
如图所示,所述干燥空气温度为60℃~70℃,干燥空气温度高于清洗液体的温度,更利于多晶硅片的干燥,提高干燥速度。
如图所示,所述轨道二8在沥水仓2中的长度小于干燥仓3,干燥仓3内的空气干燥程度大于沥水仓2,多晶硅片在干燥仓3内时间长于沥水仓2,更利于多晶硅片的干燥。
如图所示,所述轨道二8上设置半月形链片式网带,方便轨道二8在沥水仓2和干燥仓3内转换方向,增加了轨道二8的长度,节约了整个清洗机所要占用的面积。
本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段,还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。
Claims (7)
1.一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:包括清洗仓、沥水仓和干燥仓,所述清洗仓内中间横向设置轨道一,所述轨道一两侧设置喷雾喷头,喷雾喷头之间设置超声波发射器,所述沥水仓位于清洗仓右侧,沥水仓内设置轨道二,沥水仓内左侧上方设置干燥空气入口,所述轨道二与轨道一宽度相同,轨道二与轨道一交界处设置PVC软帘,轨道二延伸至干燥仓出口,轨道二在沥水仓及干燥仓内为上下弯折设置,所述干燥仓位于沥水仓右侧,干燥仓与沥水仓尺寸相同,干燥仓左侧下方设置干燥空气入口二,干燥仓与沥水仓中间设置挡板,所述挡板在轨道二通过处开有通道。
2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述喷雾喷头可设置5~8组。
3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述轨道一为镂空。
4.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述清洗仓内喷雾喷头温度为50℃~65℃。
5.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述干燥空气温度为60℃~70℃。
6.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述轨道二在沥水仓中的长度小于干燥仓。
7.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机,其特征在于:所述轨道二上设置半月形链片式网带。
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CN108206147A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 东和株式会社 | 切断装置 |
CN111085497A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-01 | 武汉百臻半导体科技有限公司 | 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法 |
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