CN110894591A - 一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 - Google Patents
一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110894591A CN110894591A CN201911099375.7A CN201911099375A CN110894591A CN 110894591 A CN110894591 A CN 110894591A CN 201911099375 A CN201911099375 A CN 201911099375A CN 110894591 A CN110894591 A CN 110894591A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cooling
- cooling disc
- central tray
- cover
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种磁控溅射过程中使用的冷却盘,它包括底座,所述底座上设置有中心托盘与多个卡扣,所述中心托盘的形状为中心高四周低,所述中心托盘上设置有导热垫,所述多个卡扣均匀设置于中心托盘四周,所述底座上设置有多个定位孔和多个螺孔。本发明通过使用冷却盘吸热和罩子隔热来降低腔体内产品的温度,从而解决残胶、撕膜困难、产品表面变色等问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
预贴膜电子产品在线体式磁控溅射设备作业过程中工艺方法如下:
线体式磁控溅射原理是在真空腔体内利用电浆的正离子轰击金属靶材表面,金属靶材表面的原子被入射的正离子所撞击出来,向外溅射,朝材料方向运动,进行金属薄膜沉积达到电磁屏蔽效果。线体内电浆轰击金属靶材表面会产生大量的温度,由于腔体为真空环境没有其他降温方式,温度不能有效降低,产品温度会高达到250°;
预贴膜产品在进行溅镀工艺会存在如下的问题:
1、预贴膜在腔体内受高温影响粘度增加造成撕膜困难,会有残胶问题;
2、预贴膜在腔体内受高温影响会使产品变色。
如上所述,预贴膜电子产品在线体式磁控溅射设备作业过程中工艺方法存在以上明显的缺点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法,通过使用冷却盘吸热和罩子隔热来降低腔体内产品的温度,从而解决残胶、撕膜困难、产品表面变色等问题。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种磁控溅射过程中使用的冷却盘,它包括底座,所述底座上设置有中心托盘与多个卡扣,所述中心托盘的形状为中心高四周低,所述中心托盘上设置有导热垫,所述多个卡扣均匀设置于中心托盘四周,所述底座上设置有多个定位孔和多个螺孔。
优选的,所述底座采用实心铝材制成。
优选的,所述中心托盘的中心最高处与四周最低处的高度差约为3.2mm。
优选的,所述导热垫材质为硅胶。
一种磁控溅射过程中使用冷却盘的降温方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一冷却盘,把冷却盘固定在溅镀平台上;
步骤二、检查并清洁冷却盘上的导热垫表面;
步骤三、在晶片环上固定PI膜,将待镀产品整齐贴放于PI膜上,再将晶片环摆放在导热垫上;
步骤三、使用中心托盘四周卡扣固定晶片环,使PI膜紧贴在中心托盘上;
步骤四、取一中间开孔的罩子,罩在冷却盘上并使用螺钉固定,罩子上的开孔将导热垫上的待镀产品露出;
步骤五、对待镀产品进行溅镀。
优选的,所述罩子包括隔热板,所述隔热板上开设有中心圆孔。
优选的,所述隔热板材质为不锈钢。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、本发明通过使用一种新设计的冷却盘和罩子,冷却盘在腔体内可以吸收靶材原子沉积在产品表面所携带的高温,罩子在腔体内可以隔离产品区域外的靶材原子,避免靶材原子沉积在冷却盘周围增加产品温度,通过冷却盘和罩子可以使产品温度降到130°;
2、本发明冷却盘和罩子是按照晶片环的大小来设计的,所以新的工装夹具可以适用于所有相同尺寸的晶片环的产品,无需根据不同的尺寸的产品制作对应的工装。
附图说明
图1为本发明一种磁控溅射过程中使用的冷却盘的结构示意图。
图2为本发明一种磁控溅射过程中使用的降温方法中罩子的结构示意图。
图3为本发明一种磁控溅射过程中使用的降温方法中冷却盘和罩子的结构示意图。
其中:
底座 1
中心托盘 2
导热垫 3
卡扣 4
定位孔 5
隔热板 6
中心圆孔 7
螺钉 8
螺孔 9
待镀产品 10。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
参见图1,本发明涉及的一种磁控溅射过程中使用的冷却盘,包括底座1,所述底座1上设置有中心托盘2与多个卡扣4,所述中心托盘2上设置有导热垫3,所述多个卡扣4均匀设置于中心托盘2四周,所述底座1上设置有多个定位孔5和多个螺孔9。
所述中心托盘2的形状为中心高四周低,中心最高处与四周最低处的高度差约为3.2mm。
所述底座1采用实心铝材制成。
所述导热垫3材质为硅胶。
本发明涉及的一种磁控溅射过程中使用的降温方法,它包括以下步骤:
步骤一、取一冷却盘,其结构如图1所示,把冷却盘固定在溅镀平台上,溅镀平台上设置有多个定位销,冷却盘上的定位孔5匹配定位销用以固定;
步骤二、检查并清洁冷却盘导热垫3表面;
步骤三、在晶片环上固定PI膜,将待镀产品整齐贴放于PI膜上,再将晶片环摆放在导热垫3上;
步骤三、使用中心托盘四周的卡扣固定晶片环,由于中心托盘的中心比四周高,可以使PI膜紧密贴合在导热垫上;
步骤四、取一罩子,其结构如图2所示,所述罩子包括隔热板6,所述隔热板6上开设有中心圆孔7,中心圆孔7的大小与冷却盘上中心托盘2的大小相同,参见图3,将罩子罩在冷却盘上并使用螺钉8固定在冷却盘底座的螺孔9中,罩子的中心圆孔7将中心托盘2露出,导热垫3上的待镀产品10暴露于罩子外,罩子在腔体内可以隔离待镀产品10区域外的靶材原子,避免靶材原子沉积在冷却盘周围增加产品温度;
所述隔热板6材质为不锈钢;
步骤五、对待镀产品进行表面溅镀。
上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种磁控溅射过程中使用的冷却盘,其特征在于:包括底座(1),所述底座(1)上设置有中心托盘(2)与多个卡扣(4),所述中心托盘(2)的形状为中心高四周低,所述中心托盘(2)上设置有导热垫(3),所述多个卡扣(4)均匀设置于中心托盘(2)四周,所述底座(1)上设置有多个定位孔(5)和多个螺孔(9)。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射过程中使用的冷却盘,其特征在于:所述中心托盘中心最高处与四周最低处的高度差为3.2mm。
3.一种磁控溅射过程中使用的降温方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一冷却盘,把冷却盘固定在溅镀平台上;
步骤二、检查并清洁冷却盘上的导热垫表面;
步骤三、在晶片环上固定PI膜,将待镀产品整齐贴放于PI膜上,再将晶片环摆放在冷却盘的导热垫上;
步骤三、使用冷却盘的卡扣固定晶片环,使PI膜紧贴在导热垫上;
步骤四、取一中间开孔的罩子,罩在冷却盘上并固定,罩子上的开孔将导热垫上的待镀产品露出;
步骤五、对待镀产品进行溅镀。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射过程中使用的降温方法,其特征在于:所述罩子包括隔热板,所述隔热板上开设有中心圆孔,所述中心圆孔的大小与冷却盘上中心托盘的大小相同。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911099375.7A CN110894591A (zh) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911099375.7A CN110894591A (zh) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110894591A true CN110894591A (zh) | 2020-03-20 |
Family
ID=69786610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911099375.7A Pending CN110894591A (zh) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110894591A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2929958Y (zh) * | 2006-08-02 | 2007-08-01 | 联萌科技股份有限公司 | 改进式半导体机台 |
CN101328571A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于物理气相沉积装置的辅助治具及其维护方法 |
CN104911544A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-16 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 控温盘 |
CN104979251A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-10-14 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 整体式pss刻蚀托盘治具 |
CN105097621A (zh) * | 2014-05-04 | 2015-11-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及基片处理设备 |
CN206584895U (zh) * | 2016-11-25 | 2017-10-24 | 聚昌科技股份有限公司 | 具有图案化冷却盘的温度均匀化晶圆托盘结构 |
CN109786314A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-21 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 用于夹持塑封晶圆的固定装置及真空溅射金属薄膜工艺 |
-
2019
- 2019-11-12 CN CN201911099375.7A patent/CN110894591A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2929958Y (zh) * | 2006-08-02 | 2007-08-01 | 联萌科技股份有限公司 | 改进式半导体机台 |
CN101328571A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于物理气相沉积装置的辅助治具及其维护方法 |
CN105097621A (zh) * | 2014-05-04 | 2015-11-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及基片处理设备 |
CN104911544A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-16 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 控温盘 |
CN104979251A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-10-14 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 整体式pss刻蚀托盘治具 |
CN206584895U (zh) * | 2016-11-25 | 2017-10-24 | 聚昌科技股份有限公司 | 具有图案化冷却盘的温度均匀化晶圆托盘结构 |
CN109786314A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-21 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 用于夹持塑封晶圆的固定装置及真空溅射金属薄膜工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180274085A1 (en) | Workpiece holding body and film-forming apparatus | |
US7618520B2 (en) | Physical vapor deposition target constructions | |
JP3134977U (ja) | 冷却pvdシールド | |
TW201237214A (en) | Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate | |
US20130134036A1 (en) | Equipment for Making IC Shielding Coating Layer and Metal Shielding Layer of IC | |
TWI695183B (zh) | 成膜裝置 | |
KR101662068B1 (ko) | 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 | |
JP6439053B2 (ja) | 電子部品の製造方法および処理システム | |
CN108220882B (zh) | 成膜装置 | |
CN105448768A (zh) | 半导体加工设备 | |
CN110894591A (zh) | 一种磁控溅射过程中使用的冷却盘及降温方法 | |
CN219490143U (zh) | 固定环及物理气相沉积设备 | |
TWI772769B (zh) | 成膜裝置 | |
WO2013146182A1 (ja) | 真空成膜装置および真空成膜方法 | |
CN102676997A (zh) | 一种物理气相沉积设备 | |
US20130186752A1 (en) | Target device, sputtering apparatus and method for manufacturing a target device | |
US20130193566A1 (en) | Integrated Circuit Shielding Film and Manufacturing Method Thereof | |
CN213163601U (zh) | 一种溅射环体和固定组件的电子束焊接工装 | |
US10633736B2 (en) | Film formation apparatus | |
KR102019943B1 (ko) | 전자 부품 캐리어 시트 및 이를 이용한 박막 형성장치 | |
CN220597624U (zh) | 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 | |
JP2014141727A (ja) | スパッタリング方法 | |
JPH02236277A (ja) | スパッタリング方法 | |
TWI397596B (zh) | 鍍膜裝置及其所使用之鍍膜傘架遮罩 | |
CN114293164B (zh) | 一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200320 |