CN220597624U - 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 - Google Patents
一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220597624U CN220597624U CN202321993744.9U CN202321993744U CN220597624U CN 220597624 U CN220597624 U CN 220597624U CN 202321993744 U CN202321993744 U CN 202321993744U CN 220597624 U CN220597624 U CN 220597624U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- vapor deposition
- semiconductor device
- physical vapor
- pvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及工件盘设备技术领域，尤其涉及一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件。便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好，包括圆片，还包括圆环，圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，在圆环的上表面上均布设有若干个连接孔；还包括与连接孔个数相等的固定条，在每个固定条的一端都分别设有条孔，在每个固定条的条孔内分别设有与连接孔相匹配的连接机构；通过连接机构和连接孔的配合能将固定条的一端可拆式固定连接在圆环上。
Description
技术领域
本实用新型涉及工件盘设备技术领域，尤其涉及一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件。
背景技术
物理气相沉积为半导体器件制造中的工艺之一，溅射镀膜是在真空条件下，利用获得功能的氩离子轰击靶材表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸的过程叫做溅射。在真空条件下充入氩气，并在高压电下使氩气进行辉光放电，可使氩原子电离成氩离子，氩离子在电场力作用下加速轰击靶材，靶材会被溅射出来而沉积到圆片表面，在圆片表面上形成晶圆(wafer)。
现在物理气相沉积用的圆片在每次晶圆溅射镀膜时需用高温胶带来将晶圆固定至PVD工件盘上，如若温度过大亦或者操作员操作不恰当，晶圆极容易脱落，对工艺腔室造成不必要的损伤。
现在的圆片在工作时需要将wafer用胶带粘贴在圆片上，但是由于贴胶带的时候会有残留气泡，在镀膜时气泡破裂导致边缘膜层不均匀；同时还有一定概率在工作时脱落，导致wafer碎裂在工艺腔室内极难清理。
因此，设计一种便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上的装置显得非常必要。
实用新型内容
本实用新型是为了解决现有物理气相沉积用的圆片存在的上述不足，提供一种便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，包括圆片，还包括圆环，圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，在圆环的上表面上均布设有若干个连接孔；还包括与连接孔个数相等的固定条，在每个固定条的一端都分别设有条孔，在每个固定条的条孔内分别设有与连接孔相匹配的连接机构；通过连接机构和连接孔的配合能将固定条的一端可拆式固定连接在圆环上。
本方案便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好。
使用过程中都不用胶带，所以也就不会胶带导致的有残留气泡，晶圆边缘膜层也均匀；使用者还不易脱落，晶圆碎裂在工艺腔室内也方便清理。
为解决此种问题现将传统的PVD工件盘表面定制三角固定，三个角用螺丝以及垫片来将wafer固定在PVD工件盘表面。使用三角固定能够起到良好的固定作用同时避免了多点造成的边缘不均匀现象。
作为优选，所述的连接孔为螺丝孔，所述的连接机构为螺丝；
作为优选，连接孔的孔心线与圆片的上表面垂直。
作为优选，所述的固定条包括垫圈和一端一体连接在垫圈上的弹性条。
弹性条的可靠性好，具有余量，使用过程中可靠性好。
作为优选，所述弹性条的一端到另一端为从上到下倾斜布置。
这种结构能让弹性条紧压在晶圆上，可靠性好。
作为优选，所述弹性条的另一端端部为朝上转折布置。
这种结构在使用过程中可靠性好，还不易划伤晶圆。
作为优选，在圆环上设有环缺口，在环缺口处的圆片上设有片缺口。
环缺口和片缺口的设置，便于取放晶圆，使用方便简单，可靠性好。
作为优选，在圆环的上表面上均布设有三个连接孔。
本实用新型能够达到如下效果：
本实用新型便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好。使用过程中都不用胶带，所以也就不会胶带导致的有残留气泡，晶圆边缘膜层也均匀；使用者还不易脱落，晶圆碎裂在工艺腔室内也方便清理。
附图说明
图1为本实用新型圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，并且固定条通过螺丝固定在圆环上的一种俯视连接结构示意图。
图2为本实用新型圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上的一种俯视连接结构示意图。
图3为本实用新型圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上的一种立体连接结构示意图。
图4为本实用新型固定条的一种立体连接结构示意图。
图5为本实用新型固定条的一种俯视连接结构示意图。
图6为本实用新型的一种分解结构示意图。
图7为本实用新型固定条的一种侧视连接结构示意图。
图8为本实用新型在圆环上设有环缺口，在环缺口处的圆片上设有片缺口，并且固定条通过螺丝固定在圆环上的一种连接结构示意图。
图9为本实用新型在圆环上设有环缺口，在环缺口处的圆片上设有片缺口的一种俯视连接结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1：一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件。参见图1-6所示，
包括圆片1，还包括圆环2，圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，在圆环的上表面上均布设有若干个连接孔5；还包括与连接孔个数相等的固定条3，在每个固定条的一端都分别设有条孔6，在每个固定条的条孔内分别设有与连接孔相匹配的连接机构；通过连接机构和连接孔的配合能将固定条的一端可拆式固定连接在圆环上。所述的连接孔为螺丝孔，所述的连接机构为螺丝。连接孔的孔心线与圆片的上表面垂直。
本实施例中；圆片的上表面低于圆环的上表面或者圆片的上表面与圆环的上表面在同一个平面内；这两种情况均可。
使用时，先将晶圆放置在圆片上，然后用螺丝和螺丝孔的配合将固定条的一端固定连接在圆环上，让固定条的另一端压在晶圆的边沿。本实施例便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好。使用过程中都不用胶带，所以也就不会胶带导致的有残留气泡，晶圆边缘膜层也均匀；使用者还不易脱落，晶圆碎裂在工艺腔室内也方便清理。
实施例2：一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件。参见图7-9所示，包括圆片1，还包括圆环2，圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，在圆环的上表面上均布设有若干个连接孔5；还包括与连接孔个数相等的固定条3，在每个固定条的一端都分别设有条孔6，在每个固定条的条孔内分别设有与连接孔相匹配的连接机构；通过连接机构和连接孔的配合能将固定条的一端可拆式固定连接在圆环上。
所述的连接孔为螺丝孔，所述的连接机构为螺丝4。
连接孔的孔心线与圆片的上表面垂直。
所述的固定条包括垫圈7和一端一体连接在垫圈上的弹性条8。
所述弹性条的一端到另一端为从上到下倾斜布置。
所述弹性条的另一端端部为朝上转折9布置。
在圆环上设有环缺口11，在环缺口处的圆片上设有片缺口10。
在圆环的上表面上均布设有三个连接孔。
本方实施例便于在晶圆溅射镀膜时能将晶圆很好的固定在圆片上，使用方便简单，可靠性好。
使用过程中都不用胶带，所以也就不会胶带导致的有残留气泡，晶圆边缘膜层也均匀；使用者还不易脱落，晶圆碎裂在工艺腔室内也方便清理。
在圆环上设置三个固定连接孔，对应的就有三个固定条，并且均布设置在圆环上，这样能够保证在使用过程中不会出现晶圆掉落的情况。环缺口和片缺口的设置，便于取放晶圆，使用方便简单，可靠性好。
Claims (8)
1.一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，包括圆片，其特征在于，还包括圆环，圆片的外圆周一体连接在圆环的内圈上，在圆环的上表面上均布设有若干个连接孔；还包括与连接孔个数相等的固定条，在每个固定条的一端都分别设有条孔，在每个固定条的条孔内分别设有与连接孔相匹配的连接机构；通过连接机构和连接孔的配合能将固定条的一端可拆式固定连接在圆环上。
2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，所述的连接孔为螺丝孔，所述的连接机构为螺丝。
3.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，连接孔的孔心线与圆片的上表面垂直。
4.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，所述的固定条包括垫圈和一端一体连接在垫圈上的弹性条。
5.根据权利要求4所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，所述弹性条的一端到另一端为从上到下倾斜布置。
6.根据权利要求5所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，所述弹性条的另一端端部为朝上转折布置。
7.根据权利要求6所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，在圆环上设有环缺口，在环缺口处的圆片上设有片缺口。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的PVD工件，其特征在于，在圆环的上表面上均布设有三个连接孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321993744.9U CN220597624U (zh) | 2023-07-27 | 2023-07-27 | 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321993744.9U CN220597624U (zh) | 2023-07-27 | 2023-07-27 | 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220597624U true CN220597624U (zh) | 2024-03-15 |
Family
ID=90164181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321993744.9U Active CN220597624U (zh) | 2023-07-27 | 2023-07-27 | 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220597624U (zh) |
-
2023
- 2023-07-27 CN CN202321993744.9U patent/CN220597624U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206418192U (zh) | 准直器、准直器组件和基板处理腔室 | |
| WO2014107558A1 (en) | Silicon sputtering target with enhanced surface profile and improved performance and methods of making the same | |
| CN109642312A (zh) | 高密度、低应力非晶碳膜及其沉积方法和设备 | |
| CN101492808A (zh) | 溅镀用方形TiW靶材表面处理工艺 | |
| TWI755387B (zh) | 直流磁控濺射設備 | |
| CN111902922B (zh) | 具有自定心特征的两件式快门盘组件 | |
| CN220597624U (zh) | 一种物理气相沉积半导体器件镀膜制备用的pvd工件 | |
| US6214184B1 (en) | Insulated wafer pedestal | |
| CN105632863A (zh) | 等离子刻蚀装置 | |
| JP5280589B1 (ja) | スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル | |
| CN204265840U (zh) | 一种压环 | |
| CN108428611B (zh) | 一种调节离子铣均匀性的方法 | |
| CN108517502B (zh) | 一种在软基材表面制备低应力dlc薄膜的方法 | |
| JP2004315931A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| TWI770421B (zh) | 濺鍍裝置及濺鍍方法 | |
| CN218812054U (zh) | 一种新型硅片磁控溅射夹具 | |
| CN213061007U (zh) | 一种溅射靶材及溅射装置 | |
| CN220952025U (zh) | 沉积环及薄膜沉积设备 | |
| CN208617968U (zh) | 一种预溅射装置以及溅射设备 | |
| JPH0360916B2 (zh) | ||
| CN108330443A (zh) | 一种类金刚石镀膜方法 | |
| CN114367908A (zh) | 一种半导体PVD设备Clamp ring抛光打磨机 | |
| JPH1030174A (ja) | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 | |
| JP6014818B1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH02236277A (ja) | スパッタリング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |