JPS5913327A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5913327A JPS5913327A JP12210482A JP12210482A JPS5913327A JP S5913327 A JPS5913327 A JP S5913327A JP 12210482 A JP12210482 A JP 12210482A JP 12210482 A JP12210482 A JP 12210482A JP S5913327 A JPS5913327 A JP S5913327A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etched
- cathode
- cooled
- thickness
- water
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、被エツチング物の機械的押えを具備したドラ
イエツチング装置に関する。
イエツチング装置に関する。
近年、集積回路は微細化の一途をたど力、最近では最少
寸法が１〜２μｍの超Ｌ８Ｉも試作されるに至っている
。この微細加工には、平行平板型電接を有Ｌ、試料載置
の電極に高周波電力を印加することによりグロー放電を
生じせしめ、プラズマ中の正イオンを陰極上に生じる陰
極降下電圧（負の自己バイアス；例えば、Ｈ，Ｓ、 Ｂ
ｕｔｌｅｒ ａｎｄ Ｇ、 ８． Ｋｔｎｏ。
寸法が１〜２μｍの超Ｌ８Ｉも試作されるに至っている
。この微細加工には、平行平板型電接を有Ｌ、試料載置
の電極に高周波電力を印加することによりグロー放電を
生じせしめ、プラズマ中の正イオンを陰極上に生じる陰
極降下電圧（負の自己バイアス；例えば、Ｈ，Ｓ、 Ｂ
ｕｔｌｅｒ ａｎｄ Ｇ、 ８． Ｋｔｎｏ。
Ｔｈｅｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｆｌｕｉｄｓ、 ６．１
３（１９６３）参照）によって加速し、試料にイオンを
垂直に入射させてこれをエツチングするもので、反応性
イオンエツチング（ＲＩＰりと呼ばれている。しかし、
とのＲＴＢでは、例えば、ＣＦ４／Ｈｌガスを用いたｓ
ｉｏ、のエツチング速度は高々３００〜４００ Ｘ／ｍ
ｌｎであり、１μｍ厚のＳｉｎ、をエツチングするのに
３０分以−ヒも有するなど、量産性の点で、この極めて
低いエツチング速度は重大な問題となっている。この低
いエツチング速度の主なる原因は、イオン化効率が１０
−４〜１０−６と極めて低いグロー放電を用いている点
にある。
３（１９６３）参照）によって加速し、試料にイオンを
垂直に入射させてこれをエツチングするもので、反応性
イオンエツチング（ＲＩＰりと呼ばれている。しかし、
とのＲＴＢでは、例えば、ＣＦ４／Ｈｌガスを用いたｓ
ｉｏ、のエツチング速度は高々３００〜４００ Ｘ／ｍ
ｌｎであり、１μｍ厚のＳｉｎ、をエツチングするのに
３０分以−ヒも有するなど、量産性の点で、この極めて
低いエツチング速度は重大な問題となっている。この低
いエツチング速度の主なる原因は、イオン化効率が１０
−４〜１０−６と極めて低いグロー放電を用いている点
にある。
最近本発明者等は、放電のイオン化効率の非常に大きな
高度反応性イオンエツチング装置について提案（特願昭
５５−１７３８２１ ）を行った。この提案は、イオン
化効率の向上が高速のエツチング速度をもたらすという
基本概念に基すいて行われたものである。第１図を用い
、その高速エツチング装置の概略について船、明する。
高度反応性イオンエツチング装置について提案（特願昭
５５−１７３８２１ ）を行った。この提案は、イオン
化効率の向上が高速のエツチング速度をもたらすという
基本概念に基すいて行われたものである。第１図を用い
、その高速エツチング装置の概略について船、明する。
反応容器は水冷され、かつ、高周波電力（２）に印加で
きる様にした陰極（４）により２つの領域に分離されて
いる。１つは、被エツチング物（８）が買れたエツチン
グ領域（３）であり、他の１つは、磁場発生のためのマ
グネットアセンブリ（１）が置れた高真空領域（＋！１
９である。マグネットアセンブリ（１）は、軟鉄板上に
設けられた上面がＮ極を示す永久磁石と、これを取り囲
む上面が８極の永久磁石から成る。ここで、前記自己バ
イアスによる被エツチング物上の直流電界（２））と、
前記マグネットアセンブリによる磁界（Ｂ）とによって
生じる電子のＷＸＢ方向へのドリフト運動によりプラズ
マの高密度が達成される。また、陰極（４）下の領域、
０りは強い磁場が存在するため放電しやすく、そのため
、放電防止のために１０”−’ Ｔｏｒｒ以下の高真空
に保たれている。一方領域３は１Ｏ−ＩＴｏｒｒ程度で
ある。実際のエツチングは、前記マグネットアセンブリ
の機械的な一方向走査（Ｉ６１に同期したプラズマルー
プ（７）の被エツチング物上での繰返し走査により均一
に行われる。第２図は、この装置により８１０！をエツ
チングした時のエツチング速度。
きる様にした陰極（４）により２つの領域に分離されて
いる。１つは、被エツチング物（８）が買れたエツチン
グ領域（３）であり、他の１つは、磁場発生のためのマ
グネットアセンブリ（１）が置れた高真空領域（＋！１
９である。マグネットアセンブリ（１）は、軟鉄板上に
設けられた上面がＮ極を示す永久磁石と、これを取り囲
む上面が８極の永久磁石から成る。ここで、前記自己バ
イアスによる被エツチング物上の直流電界（２））と、
前記マグネットアセンブリによる磁界（Ｂ）とによって
生じる電子のＷＸＢ方向へのドリフト運動によりプラズ
マの高密度が達成される。また、陰極（４）下の領域、
０りは強い磁場が存在するため放電しやすく、そのため
、放電防止のために１０”−’ Ｔｏｒｒ以下の高真空
に保たれている。一方領域３は１Ｏ−ＩＴｏｒｒ程度で
ある。実際のエツチングは、前記マグネットアセンブリ
の機械的な一方向走査（Ｉ６１に同期したプラズマルー
プ（７）の被エツチング物上での繰返し走査により均一
に行われる。第２図は、この装置により８１０！をエツ
チングした時のエツチング速度。
陰極降下電圧Ｖｄｃと表面磁界の強さを示したものであ
る。その結果、磁場の増加と共にＶｄｃは単調に減少す
るのに対して、８ｉ０．のエツチング速度は逆に大きく
なシ、例えば、磁ｉの強さ１００ＯＧにオイテ、エツチ
ング速度は、１．Ｑ μｒＰＬ／ｍｉｎ 、 Ｖｄｃは
２００ｖという値が得られている。この結果は、グルー
放電のイオン化効率がマグネトロン放電を用いることに
より向上したことに起因している。また、磁場の増加に
よるＶｄｃの低下は、電子の垂直方向の易動度の減少に
よる。（例えば、Ｈ，Ｄｋａｎｏ。
る。その結果、磁場の増加と共にＶｄｃは単調に減少す
るのに対して、８ｉ０．のエツチング速度は逆に大きく
なシ、例えば、磁ｉの強さ１００ＯＧにオイテ、エツチ
ング速度は、１．Ｑ μｒＰＬ／ｍｉｎ 、 Ｖｄｃは
２００ｖという値が得られている。この結果は、グルー
放電のイオン化効率がマグネトロン放電を用いることに
より向上したことに起因している。また、磁場の増加に
よるＶｄｃの低下は、電子の垂直方向の易動度の減少に
よる。（例えば、Ｈ，Ｄｋａｎｏ。
Ｔ、Ｙａｎａｚａｋｉ、 Ｙ、Ｈｏｒｉｉｋｅ、 Ｐｒ
ｏｃ、 ３ｒｄ Ｓｙｍｐ、 Ｏｎ ＰｒｙＰｒｏｃｅ
ｓｓｅｓ、 Ｐ、６９（１９８１）か照） Ｖｄｃの低
下は、試料表面へ入射するイオンエネルギの低下を意味
しており、デバイスへのダメージが大幅に軽減化される
。以上説明した様に、高速ＲＩＢ装置の最大の特徴は、
被エツチング物上で１００ＯＧ以−ヒの強磁場を実現し
、ｖｄｃを低下させると同時にエツチング速度を大幅に
大きくできることにある。このためには、第３図に示す
様にマグネットアセンブリ０υから被エツチング物０１
までの間隔’＋（１’Ｊをできるだけ狭くする必要があ
り、従って、陰極の厚みは３〜４朋という極めて薄いも
のとなる。一方、骸陰極上の破エツチング物０１は、エ
ツチングマスク（し□シスト）の劣化をさけるため、見
分冷却されていることが必須であり、この丸め、静電チ
ャック方法や、第３図に示す様な機械的チャッキング方
法が用いられる。しかし、静電チャック方法は被エツチ
ング物そのものへの帯電による絶縁膜破壊やゴミの静電
付着などが予想され、また、静チャックのための高電圧
を切っても、静電電極上の絶縁膜の双極子緩和時間が比
較的長いために、チャッキングが直ぐにはけずれ々いな
どの問題があり、実用化されていないのが現状である。
ｏｃ、 ３ｒｄ Ｓｙｍｐ、 Ｏｎ ＰｒｙＰｒｏｃｅ
ｓｓｅｓ、 Ｐ、６９（１９８１）か照） Ｖｄｃの低
下は、試料表面へ入射するイオンエネルギの低下を意味
しており、デバイスへのダメージが大幅に軽減化される
。以上説明した様に、高速ＲＩＢ装置の最大の特徴は、
被エツチング物上で１００ＯＧ以−ヒの強磁場を実現し
、ｖｄｃを低下させると同時にエツチング速度を大幅に
大きくできることにある。このためには、第３図に示す
様にマグネットアセンブリ０υから被エツチング物０１
までの間隔’＋（１’Ｊをできるだけ狭くする必要があ
り、従って、陰極の厚みは３〜４朋という極めて薄いも
のとなる。一方、骸陰極上の破エツチング物０１は、エ
ツチングマスク（し□シスト）の劣化をさけるため、見
分冷却されていることが必須であり、この丸め、静電チ
ャック方法や、第３図に示す様な機械的チャッキング方
法が用いられる。しかし、静電チャック方法は被エツチ
ング物そのものへの帯電による絶縁膜破壊やゴミの静電
付着などが予想され、また、静チャックのための高電圧
を切っても、静電電極上の絶縁膜の双極子緩和時間が比
較的長いために、チャッキングが直ぐにはけずれ々いな
どの問題があり、実用化されていないのが現状である。
これに対して、機械的チャッキングの場合には、以上の
様な問題は発生しない。しかし、被エツチング物接触部
の厚さｄｅｃａ）は、そこでのプラズマループ（７）の
乱れによる均一性の低下を防止するため、１〜２ ｍｍ
と非常に薄くする必要がアシ、このため大口径の被エツ
チング物を均一に水冷陰極（４）ＫＭ接触させる力を発
生させることが困難である。また、前述した様に陰極板
が極めて薄いため、そりのない水冷板を製作することは
不可能に近く、仮に製作できたとしても、水路のコンダ
クタンスの点で、被エツチング物を充分冷却できないな
どの不都合を生じる。
様な問題は発生しない。しかし、被エツチング物接触部
の厚さｄｅｃａ）は、そこでのプラズマループ（７）の
乱れによる均一性の低下を防止するため、１〜２ ｍｍ
と非常に薄くする必要がアシ、このため大口径の被エツ
チング物を均一に水冷陰極（４）ＫＭ接触させる力を発
生させることが困難である。また、前述した様に陰極板
が極めて薄いため、そりのない水冷板を製作することは
不可能に近く、仮に製作できたとしても、水路のコンダ
クタンスの点で、被エツチング物を充分冷却できないな
どの不都合を生じる。
本発明の目的は、被エツチング物上に強い磁場を発生さ
せ、■ｄｃを低下させると同時に被エツチング物を十分
冷却できるドライエツチング装置を提供することにある
。
せ、■ｄｃを低下させると同時に被エツチング物を十分
冷却できるドライエツチング装置を提供することにある
。
本発明は、前記陰極に被エツチング物載置の場所直下と
その周辺で段差を設け、かつ、該段差部に適合した被エ
ツチング物の押えを具備させることにより上記目的を達
成させている。
その周辺で段差を設け、かつ、該段差部に適合した被エ
ツチング物の押えを具備させることにより上記目的を達
成させている。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を詳細に説
明する。第４図は、本発明の一実施例であり、水冷され
かつ高周波′成力（２邊が印加された陰極（２ツは、被
エツチング物（ａ直下の陰極部ｔ３１）と、その周辺部
（ゼに段差部が設けられている。従って、被エツチング
物押え（肺の被エツチング物接触部（３３ａ） 、 （
３３ｂ）の厚さがたとえ１〜２朋と薄くても、押えの強
度は前記段差部の厚みにより、被エツチング物を陰極へ
熱接触させるのに充分であることが判明した。例えば、
マグネットアセンブリから陰極表面までの冶ｊさを８朋
とすることにより、被エツチング物の厚みを０．５罷と
してＣ憾翰の厚さは各々５．５１１．３門なり、押え板
の全厚は（３３ａ） ＋（３３ｂ）を２朋とすると５．
５朋取れることになる。
明する。第４図は、本発明の一実施例であり、水冷され
かつ高周波′成力（２邊が印加された陰極（２ツは、被
エツチング物（ａ直下の陰極部ｔ３１）と、その周辺部
（ゼに段差部が設けられている。従って、被エツチング
物押え（肺の被エツチング物接触部（３３ａ） 、 （
３３ｂ）の厚さがたとえ１〜２朋と薄くても、押えの強
度は前記段差部の厚みにより、被エツチング物を陰極へ
熱接触させるのに充分であることが判明した。例えば、
マグネットアセンブリから陰極表面までの冶ｊさを８朋
とすることにより、被エツチング物の厚みを０．５罷と
してＣ憾翰の厚さは各々５．５１１．３門なり、押え板
の全厚は（３３ａ） ＋（３３ｂ）を２朋とすると５．
５朋取れることになる。
従って、陰極板のみならず、押え板自身の水冷も可ｂｒ
な加工全格が生まれ、放電中の（３３ａ） ＋ （３３
ｂ）の温度上昇によるそりのために、被エツチング物の
チャッキング力が落ち、レジストが劣化するなどの問題
も解決された。また、エツチング中の押え板、例えＩ′
１ＳＵ８などからの金属汚染を防止するため、通常は（
２１ｉ上に、ポリエステル、ポリイミドなどの高分子膜
が形成されているが、本発明によれば、０３１の温度上
昇による前記高分子膜の劣化も一掃された。
な加工全格が生まれ、放電中の（３３ａ） ＋ （３３
ｂ）の温度上昇によるそりのために、被エツチング物の
チャッキング力が落ち、レジストが劣化するなどの問題
も解決された。また、エツチング中の押え板、例えＩ′
１ＳＵ８などからの金属汚染を防止するため、通常は（
２１ｉ上に、ポリエステル、ポリイミドなどの高分子膜
が形成されているが、本発明によれば、０３１の温度上
昇による前記高分子膜の劣化も一掃された。
第５図は本発明の他の実施例であり、被エツチング（２
樽の押えの水冷を、シリコンラバなどの良熱伝導性の弾
性体陰極Ｃ３２と押え板の間のすき間（至）に挿入し、
これを介して行う場合も、同様の作用効果を確認した。
樽の押えの水冷を、シリコンラバなどの良熱伝導性の弾
性体陰極Ｃ３２と押え板の間のすき間（至）に挿入し、
これを介して行う場合も、同様の作用効果を確認した。
さらに、第６図は押え板の被エツチング物接触部を、Ｓ
ｉ３Ｎ４ 、 ＳｉＣなどのセラミックで構成した実施
例である。この様にすることにより、押え板エツジ（３
５ａ） 、 （３５ｂ）での高分子膜形成の不備による
金属汚染や、高分子膜の劣化の問題は皆無となり、信頼
性は大幅に改善された。なお、被エツチング物直下の陰
極の厚みの増加による磁場の低下は、例えば、８ｍ−Ｃ
ｏ系の永久磁石（例えば、商品名；トスレックスＴ８−
２６）などの強磁性体を使用することにより、被エツチ
ング物上の磁界の強さを落すことなく、本発明を実施で
きることが確められた。
ｉ３Ｎ４ 、 ＳｉＣなどのセラミックで構成した実施
例である。この様にすることにより、押え板エツジ（３
５ａ） 、 （３５ｂ）での高分子膜形成の不備による
金属汚染や、高分子膜の劣化の問題は皆無となり、信頼
性は大幅に改善された。なお、被エツチング物直下の陰
極の厚みの増加による磁場の低下は、例えば、８ｍ−Ｃ
ｏ系の永久磁石（例えば、商品名；トスレックスＴ８−
２６）などの強磁性体を使用することにより、被エツチ
ング物上の磁界の強さを落すことなく、本発明を実施で
きることが確められた。
以上説明した様に、本発明によれば磁場を用いた高速１
１．ｆＥの特徴を保ったｔま、被エツチング物を水冷さ
れた陰極に熱接触させることができ、レジストの劣化も
全くなく良好なエツチングが達成される。
１．ｆＥの特徴を保ったｔま、被エツチング物を水冷さ
れた陰極に熱接触させることができ、レジストの劣化も
全くなく良好なエツチングが達成される。
第１図は、本発明を組込んだ高速Ｒ，ＩＥ装置の概略図
、第２図は、この装置によシ５ｉ０２をエラチンの各実
施例を説明するための図である。これらの図において、
ｍ、（＋ｍ・・・マグネットアセンブリ、 Ｃ２１，（
２ｎ・・高周波電源、（３）・・・エツチング室、 ＋
４＋、Ｃ２５１・・・陰極。 ５・・カス導入口、 （６）、０３１・・・水冷ノくイ
ブ、（７）・・・マグネ） ロン放・Ｋ ＋（８）、＋
２Ｉ、（イ）・・・被エツチング物、（９）・・グロー
放へ、（１υ・靜・１ホ、チャック、圓・・・テフロン
＋ （１２）・・・モータ、 （１４１・Ｎ８間隙、（
國 マグネット収納室（高声空室）、ＩＩＱ−・マグ
ネットアセンブリの繰返し走査、（１傷・・マグネット
アセンブリと被エツチング物までの距ｗｐ、（イ）・押
えの被エツチング物接触部の厚さ、 ＋２１＋・・マツ
チング回路、Ｑ、１ 水冷された押え板、 ＋２４１
・・・高分子膜、＠、（２）・・水路、翰・・・段差部
。 （至）・・押え板と陰極の間の隙間、 Ｃ（１１・・被
エツチング物直下の陰極、 Ｃ３Ｌ−（３１）周辺の陰
極、（３３ａ）、（３３ｂ）＝ ’押え板の被エツチ
ング−物接触部、 Ｃ３４）・・シリコンラバｌ （
３５ａ）、（３’ａｂ）・・・押え板の被エツチング接
触部のエッヂ。 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）第 １１図 績２図 試叫表畑ヒぞ賑昂（ガ′ラス） 第３図 １？ 第４図 第５図 三ヨ ＃１６図
、第２図は、この装置によシ５ｉ０２をエラチンの各実
施例を説明するための図である。これらの図において、
ｍ、（＋ｍ・・・マグネットアセンブリ、 Ｃ２１，（
２ｎ・・高周波電源、（３）・・・エツチング室、 ＋
４＋、Ｃ２５１・・・陰極。 ５・・カス導入口、 （６）、０３１・・・水冷ノくイ
ブ、（７）・・・マグネ） ロン放・Ｋ ＋（８）、＋
２Ｉ、（イ）・・・被エツチング物、（９）・・グロー
放へ、（１υ・靜・１ホ、チャック、圓・・・テフロン
＋ （１２）・・・モータ、 （１４１・Ｎ８間隙、（
國 マグネット収納室（高声空室）、ＩＩＱ−・マグ
ネットアセンブリの繰返し走査、（１傷・・マグネット
アセンブリと被エツチング物までの距ｗｐ、（イ）・押
えの被エツチング物接触部の厚さ、 ＋２１＋・・マツ
チング回路、Ｑ、１ 水冷された押え板、 ＋２４１
・・・高分子膜、＠、（２）・・水路、翰・・・段差部
。 （至）・・押え板と陰極の間の隙間、 Ｃ（１１・・被
エツチング物直下の陰極、 Ｃ３Ｌ−（３１）周辺の陰
極、（３３ａ）、（３３ｂ）＝ ’押え板の被エツチ
ング−物接触部、 Ｃ３４）・・シリコンラバｌ （
３５ａ）、（３’ａｂ）・・・押え板の被エツチング接
触部のエッヂ。 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）第 １１図 績２図 試叫表畑ヒぞ賑昂（ガ′ラス） 第３図 １？ 第４図 第５図 三ヨ ＃１６図
Claims (4)
- （１）陽極及び被エツチング物が載置され高周波電力が
印加される陰極を備えた反応容器に、被エツチングガス
を導入し、前記陰極裏面に設けたＮ−８間隙を有する磁
場発生手段により陰極上に磁場と、前記高周波電力印加
によシ陰極上に発生する電場とにより高密度のマグネト
ロンプラズマを形成し、該プラズマを磁場発生手段の機
械的走査に同期させて一方向に走査しながら、被エツチ
ング物をエツチングするに際し、前記陰極に、被エツチ
ング物載置の場所直下とその周辺で段差を設け、かつ、
該段差部に適合した被エツチング物の押えを具備してな
ることを特徴とするドライエツチング装置。 - （２）前記押えは、水冷又は陰極と紋押えの間にシリコ
ンラバなどの良熱伝導性の弾性体を介して水冷された陰
極により冷却されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のドライエツチング装装置。 - （３） 前記押えの被エツチング物接触部は、”３Ｎ
４＋チング装置。 - （４） 前記押えの最上層部には、ポリエステル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12210482A JPS5913327A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12210482A JPS5913327A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913327A true JPS5913327A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14827737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12210482A Pending JPS5913327A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913327A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230128A (ja) * | 1988-05-18 | 1990-01-31 | Veeco Instr Inc | 基板移送及び冷却方法、並びにその方法を実施するための装置 |
| JPH02308527A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPH04130627A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2007294812A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 冷却装置およびプラズマ処理装置 |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12210482A patent/JPS5913327A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230128A (ja) * | 1988-05-18 | 1990-01-31 | Veeco Instr Inc | 基板移送及び冷却方法、並びにその方法を実施するための装置 |
| JPH02308527A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPH04130627A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2007294812A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 冷却装置およびプラズマ処理装置 |
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