JPS6318318B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6318318B2 JPS6318318B2 JP59246663A JP24666384A JPS6318318B2 JP S6318318 B2 JPS6318318 B2 JP S6318318B2 JP 59246663 A JP59246663 A JP 59246663A JP 24666384 A JP24666384 A JP 24666384A JP S6318318 B2 JPS6318318 B2 JP S6318318B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- ito
- etching
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、交流電界の印加により発光する薄膜
EL素子の製造方法に関する。
EL素子の製造方法に関する。
＜従来技術＞
薄膜EL素子の構造を図に示す。図に於いて、
１はガラス基板、２は透明電極、３は第１絶縁
膜、４は発光層、５は第２絶縁膜、６は背面電
極、７は駆動電源である。
１はガラス基板、２は透明電極、３は第１絶縁
膜、４は発光層、５は第２絶縁膜、６は背面電
極、７は駆動電源である。
この薄膜EL素子の背面電極としては、Al等の
金属や、ITOやネサ膜等の金属酸化物が用いられ
ている。このうち、背面電極をITOとした場合、
透明電極２の製法と同様に、第２絶縁膜上にITO
をスパツタした後、第２絶縁膜との密着性、透過
率を高め、抵抗を下げるため、400〜650℃で数時
間高真空アニールする。この後エツチングを行
い、電極を形成する。
金属や、ITOやネサ膜等の金属酸化物が用いられ
ている。このうち、背面電極をITOとした場合、
透明電極２の製法と同様に、第２絶縁膜上にITO
をスパツタした後、第２絶縁膜との密着性、透過
率を高め、抵抗を下げるため、400〜650℃で数時
間高真空アニールする。この後エツチングを行
い、電極を形成する。
しかしながら、上記製造方法には次のような問
題がある。
題がある。
１ アニールにより生ずるITO膜と第２絶縁膜と
の間の応力により絶縁耐圧が低下する。
の間の応力により絶縁耐圧が低下する。
２ アニール後のITO膜はエツチングレートが低
いためエツチング時間が長い。
いためエツチング時間が長い。
３ １の結果生ずる第２絶縁膜の欠陥よりエツチ
ング液が浸透し、発光層のZnSが溶解する。
ング液が浸透し、発光層のZnSが溶解する。
上記１〜３の欠陥のため、形成された薄膜EL
素子は実用上問題がある。
素子は実用上問題がある。
＜発明の目的＞
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので
あり、背面電極のITO膜をスパツタした後、ITO
膜と第２絶縁膜との間に応力のない状態でエツチ
ングし、その後アニールすることにより、低抵抗
でかつ第２絶縁膜の絶縁耐圧を低下させることの
ない薄膜EL素子を提供することを目的としたも
のである。
あり、背面電極のITO膜をスパツタした後、ITO
膜と第２絶縁膜との間に応力のない状態でエツチ
ングし、その後アニールすることにより、低抵抗
でかつ第２絶縁膜の絶縁耐圧を低下させることの
ない薄膜EL素子を提供することを目的としたも
のである。
＜実施例＞
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
ガラス基板１上に透明導電膜（ITO膜）２をス
パツタする。この後、400〜650℃で真空アニール
して、透過率、抵抗等の膜特性を高めてから、エ
ツチングにより電極状に形成する。この上にスパ
ツタ、真空蒸着等で第１絶縁膜３を形成する。次
に、発光層４をZnS：Mn焼結ペレツトを用いて
電子ビーム蒸着により形成し、500〜650℃で真空
アニールする。第２絶縁膜５を第１絶縁膜と同様
の方法で形成する。背面透明電極（ITO膜）をス
パツタする。従来技術では、これを透明導電膜２
と同様真空アニールした後エツチングを行つてい
た。これに対し本発明では、スパツタ後エツチン
グにより電極形成し、その後真空アニールして薄
膜EL素子とする。
パツタする。この後、400〜650℃で真空アニール
して、透過率、抵抗等の膜特性を高めてから、エ
ツチングにより電極状に形成する。この上にスパ
ツタ、真空蒸着等で第１絶縁膜３を形成する。次
に、発光層４をZnS：Mn焼結ペレツトを用いて
電子ビーム蒸着により形成し、500〜650℃で真空
アニールする。第２絶縁膜５を第１絶縁膜と同様
の方法で形成する。背面透明電極（ITO膜）をス
パツタする。従来技術では、これを透明導電膜２
と同様真空アニールした後エツチングを行つてい
た。これに対し本発明では、スパツタ後エツチン
グにより電極形成し、その後真空アニールして薄
膜EL素子とする。
従来はエツチング時の第２絶縁膜の破壊とこれ
に伴うZnSの溶出により素子化が困難であつたも
のが本発明により可能となつた。
に伴うZnSの溶出により素子化が困難であつたも
のが本発明により可能となつた。
＜発明の効果＞
以上の様に、本発明によれば従来技術に比べて
次の様な効果がある。
次の様な効果がある。
１ アニールされていないITO膜をエツチングす
るため、第２絶縁膜の発光層へのエツチング液
に対する保護能力が高い。
るため、第２絶縁膜の発光層へのエツチング液
に対する保護能力が高い。
２ アニールされていないITO膜をエツチングす
るため、エツチング速度が速く、第２絶縁膜を
通してのエツチング液の発光層への浸透を防ぐ
ことができる。
るため、エツチング速度が速く、第２絶縁膜を
通してのエツチング液の発光層への浸透を防ぐ
ことができる。
３ 第２絶縁膜と発光層の間の応力が少なく耐圧
が向上する。
が向上する。
図は薄膜EL素子の構造を示す断面図である。
符号の説明、１……ガラス基板、２……透明電
極、３……第１絶縁膜、４……発光層、５……第
２絶縁膜、６……背面電極、７……駆動電源。
極、３……第１絶縁膜、４……発光層、５……第
２絶縁膜、６……背面電極、７……駆動電源。
Claims (1)
- １ 背面電極材料としてITO膜を用いる透過型薄
膜EL素子において、背面電極ITO膜形成後、エ
ツチングによりパターン形成を行い、その後アニ
ール処理する事を特徴とする、薄膜EL素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246663A JPS61124095A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246663A JPS61124095A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124095A JPS61124095A (ja) | 1986-06-11 |
| JPS6318318B2 true JPS6318318B2 (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=17151761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246663A Granted JPS61124095A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124095A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7110528B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2022-08-02 | 学校法人東京工芸大学 | 有機ｅｌ素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59246663A patent/JPS61124095A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61124095A (ja) | 1986-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0645073B1 (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
| US5445899A (en) | Color thin film electroluminescent display | |
| FI84869C (fi) | Matrisfilmstruktur i synnerhet foer elektroluminecens displayenhet. | |
| JPS6318318B2 (ja) | ||
| US4734618A (en) | Electroluminescent panel comprising a layer of silicon between a transparent electrode and a dielectric layer and a method of making the same | |
| GB2088632A (en) | Electroluminescent display | |
| JP2844964B2 (ja) | Ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| EP0450077A1 (en) | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same | |
| JPS61151996A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH056319B2 (ja) | ||
| JPH01320796A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR910004067A (ko) | 박막 el표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| KR970005102B1 (ko) | 박막형 전장 발광 표시소자 | |
| JPS61188890A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPH056141A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JPH0124358B2 (ja) | ||
| JPS6081799A (ja) | 電極の製造方法 | |
| JPS5910033B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPS61188892A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPH0416917B2 (ja) | ||
| JPH05326151A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS62216194A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
| JPS62113385A (ja) | 薄膜型ｅｌ素子の製造方法 |