JPH0565097U - 薄膜el素子の構造 - Google Patents
薄膜el素子の構造Info
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- JPH0565097U JPH0565097U JP1316792U JP1316792U JPH0565097U JP H0565097 U JPH0565097 U JP H0565097U JP 1316792 U JP1316792 U JP 1316792U JP 1316792 U JP1316792 U JP 1316792U JP H0565097 U JPH0565097 U JP H0565097U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】2色発光薄膜EL素子の夫々の発光体の駆動電
圧を等しくする。 【構成】ガラス基板1の上に透明電極2、第1の絶縁体
層3、ZnS:Re発光体4bを順次積層する。Zn
S:Re発光体4bの厚みは約2000オングストロー
ムである。その上にZnS:Mn発光体4aを所定パタ
ーンに形成し、ZnS:Mn発光体4aとZnS:Re
発光体4bとの上にZnS:Re発光体4bを約200
0オングストロームの厚みに積層する。さらに、Zn
S:Re発光体4bを覆うように第2絶縁体層5が積層
され、第2絶縁体層5の上に夫々の発光体に対応して金
属膜の背面電極6が蒸着される。ZnS:Re発光体の
みが積層されている発光体とZnS:Re発光体層の間
にZnS:Mn発光体が介在する発光体との発光駆動電
圧が同一となるようにZnS:Mn発光体の厚みを調整
する。
圧を等しくする。 【構成】ガラス基板1の上に透明電極2、第1の絶縁体
層3、ZnS:Re発光体4bを順次積層する。Zn
S:Re発光体4bの厚みは約2000オングストロー
ムである。その上にZnS:Mn発光体4aを所定パタ
ーンに形成し、ZnS:Mn発光体4aとZnS:Re
発光体4bとの上にZnS:Re発光体4bを約200
0オングストロームの厚みに積層する。さらに、Zn
S:Re発光体4bを覆うように第2絶縁体層5が積層
され、第2絶縁体層5の上に夫々の発光体に対応して金
属膜の背面電極6が蒸着される。ZnS:Re発光体の
みが積層されている発光体とZnS:Re発光体層の間
にZnS:Mn発光体が介在する発光体との発光駆動電
圧が同一となるようにZnS:Mn発光体の厚みを調整
する。
Description
【0001】
この考案は交流電界印加によりEL発光を呈する薄膜EL素子に係わり、特に 、駆動電圧が等しい2色発光薄膜EL素子の構造に関する。
【0002】
電圧を印加すると物質が蛍光を発する現象すなわちエレクトロルミネッセンス (EL)を利用したディスプレイに用いられる薄膜EL素子が知られている。こ のような薄膜EL素子の2色発光のものの例を図2を参照して説明する。
【0003】 図に示すように、ガラス基板1の上に酸化インジウム・すず膜等の透明電極2 が積層されている。さらに、透明電極2の上に第1絶縁体層3が積層されている 。 4aは黄橙色発光を呈するZnS:Mn発光体であり、第1絶縁体層3上に メタルマスクを用いた蒸着あるいはフォトエッチング加工により所定パターンに 形成されている。
【0004】 4bはZnS:Re発光体であり、ZnS:Mn発光体4aと同様に、第1絶 縁体層3上にメタルマスクを用いた蒸着あるいはフォトエッチング加工により所 定のパターンに形成されている。上記のReはレアアース即ち希土類金属を表し 、以下の説明でも同様である。
【0005】 ZnS:Mn発光体4a、ZnS:Re発光体4bおよび第1絶縁体層3を覆 うように第2絶縁体層5が積層され、第2絶縁体層5の上に夫々の発光体に対応 して金属膜の背面電極6が蒸着されている。背面電極6と透明電極2の間に電圧 を印加することにより、これら電極間に挟まれた部分の発光体4aおよび4bが 発光する。
【0006】
【考案が解決しようとする問題点】 上記、従来の薄膜EL素子は、ZnS:Mn発光体4aとZnS:Re発光体 4bとの駆動電圧が異なり、電源の構成が複雑となる欠点があった。
【0007】 この考案は上記した点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは 、駆動電圧が同一である2色発光の薄膜EL素子を提供することである。
【0008】
この考案の薄膜EL素子の構造は、ガラス基板の上に透明電極、第1の絶縁体 層、EL発光を呈する発光層、第2の絶縁体層、背面電極を順次積層してなる薄 膜EL素子において、ZnS:Re発光体を第1の絶縁体層上に約2000オン グストロームの厚みに積層し、その上にZnS:Mn発光体を所定パターンに形 成し、前記所定パターンのZnS:Mn発光体と第1の絶縁体層上のZnS:R e発光体との上にZnS:Re発光体を約2000オングストロームの厚みに積 層し、ZnS:Re発光体のみが積層されている発光体とZnS:Re発光体層 の間にZnS:Mn発光体が介在する発光体との発光駆動電圧が同一となるよう にZnS:Mn発光体の厚みを調整したものである。
【0009】
ZnS:Re発光体は発光についてのデッドレイヤーがあり、2000オング ストロームの厚みでは発光しない。しかしながら約2000オングストロームの 厚みの層が重ねられた部分は発光する。ZnS:Re発光体に挟まれたZnS: Mn発光体の厚みを調整することによりその部分の発光駆動電圧をZnS:Re 発光体のみの部分の発光駆動電圧と等しくすることができる。
【0010】
この考案の実施例である薄膜EL素子の構造を図1に基づいて説明する。図に 示すように、ガラス基板1の上に酸化インジウム・すず膜等の透明電極2が積層 されている。さらに、透明電極2の上に第1絶縁体層3が積層されている。第1 絶縁体層3はチタン酸バリウムまたはチタン酸ストロンチウムの強誘電体で形成 されている。
【0011】 第1絶縁体層3の上全面にわたりZnS:Re発光体4bが約2000オング ストロームの厚みに蒸着されている。
【0012】 ZnS:Re発光体4bの上記蒸着層の上にZnS:Mn発光体4aがメタル マスクを用いた蒸着あるいはフォトエッチング加工により所定パターンに形成さ れている。
【0013】 ZnS:Re発光体4bおよび第1絶縁体層3の上のZnS:Re発光体4b との双方の上にZnS:Re発光体4bが約2000オングストロームの厚みに 蒸着されている。
【0014】 さらに、ZnS:Re発光体4bを覆うようにチタン酸バリウムまたはチタン 酸ストロンチウムの第2絶縁体層5が積層され、第2絶縁体層5の上に夫々の発 光体に対応して金属膜の背面電極6が蒸着されている。背面電極6と透明電極2 の間に電圧を印加することにより、これら電極間に挟まれた部分の発光体が発光 する。
【0015】 ZnS:Mn発光体はZnS:Re発光体に比べて発光駆動電圧が低いが、そ の上下にZnS:Re発光体を夫々2000オングストローム重ねると発光電圧 が高くなる。また、ZnS:Re発光体のZnS:Mn発光体の上下に配置され た層は膜厚が2000オングストローム程度であり駆動電圧を上げても発光する ことはない。
【0016】 しかしながらZnS:Re発光体が2層に重なった部分は厚みが4000オン グストローム程度となり発光する。つまり、発光を呈するのはZnS:Mn発光 体とZnS:Re発光体であり2色発光EL薄膜素子が得られる。
【0017】 ZnS:Mn発光体の厚みを調整することによりZnS:Mn発光体とZnS :Re発光体との発光駆動電圧を同一とすることができる。また、ZnS:Mn 発光体の上下にZnS:Re発光体を配置したので駆動電圧の正負の対称性も保 たれることになった。
【0018】
この考案の薄膜EL素子の構造によれば、ZnS:Mn発光体とZnS:Re 発光体とを同一面上で同一駆動電圧で発光させることができ、また、2つの発光 体とも駆動電圧の正負の対称性が保たれるので駆動回路のコストダウンが図られ る。
【0019】 また、ある程度駆動電圧を上げてもZnS:Mn発光体の上下のZnS:Re 発光体は膜厚が2000オングストローム程度と薄いため発光せず混色が避けら れる。さらに、この考案の薄膜EL素子の構造によれば製造方法が簡単となる。
【図1】この考案の実施例である薄膜EL素子の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図2】従来の薄膜EL素子の例を示す断面図である。
1 ガラス基板 2 透明電極 3 第1絶縁体層 4a ZnS:Mn発光体 4b ZnS:Re発光体 5 第2絶縁体層 6 背面電極
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス基板の上に透明電極、第1の絶縁
体層、EL発光を呈する発光層、第2の絶縁体層、背面
電極を順次積層してなる薄膜EL素子において、Zn
S:Re発光体を第1の絶縁体層上に約2000オング
ストロームの厚みに積層し、その上にZnS:Mn発光
体を所定パターンに形成し、前記所定パターンのZn
S:Mn発光体と第1の絶縁体層上のZnS:Re発光
体との上にZnS:Re発光体を約2000オングスト
ロームの厚みに積層し、ZnS:Re発光体のみが積層
されている発光体とZnS:Re発光体層の間にZn
S:Mn発光体が介在する発光体との発光駆動電圧が同
一となるようにZnS:Mn発光体の厚みを調整した薄
膜EL素子の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1316792U JPH0565097U (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜el素子の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1316792U JPH0565097U (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜el素子の構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0565097U true JPH0565097U (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11825624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1316792U Pending JPH0565097U (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜el素子の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0565097U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP1316792U patent/JPH0565097U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
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