JPH02236991A - Ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子及びその製造方法Info
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- JPH02236991A JPH02236991A JP1058326A JP5832689A JPH02236991A JP H02236991 A JPH02236991 A JP H02236991A JP 1058326 A JP1058326 A JP 1058326A JP 5832689 A JP5832689 A JP 5832689A JP H02236991 A JPH02236991 A JP H02236991A
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- cerium
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- strontium sulfide
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＥＬ素子及びその製造方法に関するものであ
り、とりわけ、発光輝度が高く、色純度の優れた青色発
光を示すＥＬ素子及びその製造方法に間するものである
。
り、とりわけ、発光輝度が高く、色純度の優れた青色発
光を示すＥＬ素子及びその製造方法に間するものである
。
従来の技術
近年、コンピュータ端末などに用いるフラットディスプ
レイとして、薄膜ＥＬ素子が盛んに研究されている。黄
橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からなる蛍光体薄膜を
用いたモノクロ薄膜ＥＬディスプレイは既に実用化され
ている。ディスプレイとしての広汎な用途に対応するた
めにはカラー化が必要不可欠であり、赤色、緑色、青色
の３原色に発光するＥＬ用蛍光体の開発に多大の力が注
がれている．この中で青色発光蛍光体としてはＺｎＳ：
ＴｍやＳｒＳ：Ｃｅなどが盛んに研究されている。
レイとして、薄膜ＥＬ素子が盛んに研究されている。黄
橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からなる蛍光体薄膜を
用いたモノクロ薄膜ＥＬディスプレイは既に実用化され
ている。ディスプレイとしての広汎な用途に対応するた
めにはカラー化が必要不可欠であり、赤色、緑色、青色
の３原色に発光するＥＬ用蛍光体の開発に多大の力が注
がれている．この中で青色発光蛍光体としてはＺｎＳ：
ＴｍやＳｒＳ：Ｃｅなどが盛んに研究されている。
発明が解決しようとする課題
青色発光蛍光体としてＺｎＳ：Ｔｍを用いた場合は、色
純度は優れているが発光輝度が低いという問題点があっ
た。またＳｒＳ：Ｃｅを用いた場合は、発光輝度はＺｎ
Ｓ：Ｔｍより高いが色純度が悪いという問題点があった
。
純度は優れているが発光輝度が低いという問題点があっ
た。またＳｒＳ：Ｃｅを用いた場合は、発光輝度はＺｎ
Ｓ：Ｔｍより高いが色純度が悪いという問題点があった
。
本発明は、発光輝度が高く、かっ色純度の優れた薄膜Ｅ
Ｌ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
Ｌ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、基板上に硫化ストロンチウムを主成分とする
発光体層が堆積されてなるＥＬ素子において、前記発光
体層はセリウムが添加された薄膜とセリウムが添加され
ていない薄膜が積層され、かつセリウムが添加されてい
ない薄膜が前記基板側に配置されているものである。
発光体層が堆積されてなるＥＬ素子において、前記発光
体層はセリウムが添加された薄膜とセリウムが添加され
ていない薄膜が積層され、かつセリウムが添加されてい
ない薄膜が前記基板側に配置されているものである。
作用
本発明は、基板上に硫化ストロンチウムを堆積した場合
、堆積初期部、つまり基板面に近い部分では結晶性が悪
く、基板面から遠ざかるにしたがって結晶性が良くなっ
た。結晶性の悪い部分に導人されたセリウムの発光は青
色以外に緑色および橙色成分を有することがわかった。
、堆積初期部、つまり基板面に近い部分では結晶性が悪
く、基板面から遠ざかるにしたがって結晶性が良くなっ
た。結晶性の悪い部分に導人されたセリウムの発光は青
色以外に緑色および橙色成分を有することがわかった。
以上のことから本発明のＥＬ素子は硫化ストロンチウム
の堆積初期部にはセリウムを含まないため色純度が優れ
、かつ発光輝度が高くなったものと考えられる。
の堆積初期部にはセリウムを含まないため色純度が優れ
、かつ発光輝度が高くなったものと考えられる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図に本発明のＥＬ素子の１実施例を説明するための
素子構造を示す。ガラス基板ｌ上にスパッタリング法に
より厚さ３００ｎｍのｔＴｏ薄膜からなる透明電極２を
形成した。その上に、酸素をｌＯｌ含むアルゴン雰囲気
中、４５０℃の基板温度でＳｒＴｉＣｈをｒｆスパッタ
リングすることにより、厚さ５００ｎｍの第ｉｗ！．ａ
体層３を形成した。
素子構造を示す。ガラス基板ｌ上にスパッタリング法に
より厚さ３００ｎｍのｔＴｏ薄膜からなる透明電極２を
形成した。その上に、酸素をｌＯｌ含むアルゴン雰囲気
中、４５０℃の基板温度でＳｒＴｉＣｈをｒｆスパッタ
リングすることにより、厚さ５００ｎｍの第ｉｗ！．ａ
体層３を形成した。
第１絶縁体層３の上には、電子ビーム蒸着法により基板
温度４００℃で、厚さｌｏｏｎｍのセリウムを含まない
ＳｒＳ４と厚さ６００ｎｍの０．３原子％のセリウムを
含むＳｒＳ５を順次積層し発光体ｒｔｉ６を形成した。
温度４００℃で、厚さｌｏｏｎｍのセリウムを含まない
ＳｒＳ４と厚さ６００ｎｍの０．３原子％のセリウムを
含むＳｒＳ５を順次積層し発光体ｒｔｉ６を形成した。
発光体層６の上に、アルゴン雰囲気中でＢａＴａ２０ｅ
をｒｆスパッタリングすることにより、厚さ３００ｎｍ
の第２絶縁体層７を形成した。最後に厚さ２５０ｎｍの
Ａ１からなる背面電極８を形成することによりＥＬ素子
を完成した。
をｒｆスパッタリングすることにより、厚さ３００ｎｍ
の第２絶縁体層７を形成した。最後に厚さ２５０ｎｍの
Ａ１からなる背面電極８を形成することによりＥＬ素子
を完成した。
本発明のＥＬ素子の６０１７における輝度一電圧特性は
、厚さ７００ｎｍの０．３原子％のセリウムを含むＳｒ
Ｓを発光体層として用いた従来のＥＬ素子とほぼ同じて
あったが、色度値は本発明のＥＬ素子では（ ｘ＝ｏ．
ｌ８，ｙ＝０．３７）、従来の構成のＥＬ素子では（
ｘ＝０．２１ ，ｙ”０．４１）であり、本発明の素子
の方がより色純度の高い青色であった。これらの素子の
製造工程において、発光体層を堆積後真空中６００℃で
１時間熱処理した素子では、第２図に示すように熱処理
をしなかった素子に比べて約２倍の発光輝度が得られた
。この場合、従来の素子では色純度は（ ｘ＝０．２１
，ｙ＝０．４１）から（ ｘ＝０．３５，ｙ＝０．４
５）へと変化し、第２図の（ａ）にその発光スペクトル
を示すように発光色は見た目には白っぽくなった。本発
明の素子では第２図の（ｂ）に示すように色純度の変化
はきわめて小さく、 （ ｘ＝ｏ．ｌ８，ｙ＝０．３７
）から（ｘ＝０．２０，ｙ：＝０．３９） ヘと変化し
ただけであり見た目には色の変化は感じられない程度で
あった。発光体層堆積後の真空熱処理は５００℃〜８０
０℃が最適であった。５００℃より低い場合は輝度増加
の効果が小さく、８００℃より高い場合は輝度増加の割
合が飽和し，基板の耐熱性能の点からも実用的でなかっ
た。また本実施例では、セリウムを含まないＳｒＳとセ
リウムを含むＳｒＳを基板しに順次積層した発光体層を
用いた場合について説明したが、セリウムを含まないＳ
ｒＳでセリウムを含むＳｒＳを挟持した３層構造の発光
体層を用いた場合も本発明の効果を発揮することができ
た。とりわけ高温で熱処理をした場合でも色純度の変化
が小さく、高輝度の青色発光ＥＬ素子を形成できた。
、厚さ７００ｎｍの０．３原子％のセリウムを含むＳｒ
Ｓを発光体層として用いた従来のＥＬ素子とほぼ同じて
あったが、色度値は本発明のＥＬ素子では（ ｘ＝ｏ．
ｌ８，ｙ＝０．３７）、従来の構成のＥＬ素子では（
ｘ＝０．２１ ，ｙ”０．４１）であり、本発明の素子
の方がより色純度の高い青色であった。これらの素子の
製造工程において、発光体層を堆積後真空中６００℃で
１時間熱処理した素子では、第２図に示すように熱処理
をしなかった素子に比べて約２倍の発光輝度が得られた
。この場合、従来の素子では色純度は（ ｘ＝０．２１
，ｙ＝０．４１）から（ ｘ＝０．３５，ｙ＝０．４
５）へと変化し、第２図の（ａ）にその発光スペクトル
を示すように発光色は見た目には白っぽくなった。本発
明の素子では第２図の（ｂ）に示すように色純度の変化
はきわめて小さく、 （ ｘ＝ｏ．ｌ８，ｙ＝０．３７
）から（ｘ＝０．２０，ｙ：＝０．３９） ヘと変化し
ただけであり見た目には色の変化は感じられない程度で
あった。発光体層堆積後の真空熱処理は５００℃〜８０
０℃が最適であった。５００℃より低い場合は輝度増加
の効果が小さく、８００℃より高い場合は輝度増加の割
合が飽和し，基板の耐熱性能の点からも実用的でなかっ
た。また本実施例では、セリウムを含まないＳｒＳとセ
リウムを含むＳｒＳを基板しに順次積層した発光体層を
用いた場合について説明したが、セリウムを含まないＳ
ｒＳでセリウムを含むＳｒＳを挟持した３層構造の発光
体層を用いた場合も本発明の効果を発揮することができ
た。とりわけ高温で熱処理をした場合でも色純度の変化
が小さく、高輝度の青色発光ＥＬ素子を形成できた。
セリウムが添加されていない硫化ストロンチウムを主成
分とする薄膜の厚さは５ ０ ｎ ｍ以上、３００ｎｍ
以下であることが望ましかった。５０ｎｍより薄い場合
は熱処理をした時の色度値変化を防止する効果が小さく
、３００ｎｍより厚い場合は防止する効果は充分である
が駆動電圧が高くなるという欠点があった。
分とする薄膜の厚さは５ ０ ｎ ｍ以上、３００ｎｍ
以下であることが望ましかった。５０ｎｍより薄い場合
は熱処理をした時の色度値変化を防止する効果が小さく
、３００ｎｍより厚い場合は防止する効果は充分である
が駆動電圧が高くなるという欠点があった。
発明の効果
以上で説明したように、本発明によれば色純度が優れ、
かつ発光輝度が高い青色発光ＥＬ素子を提供できるもの
である。したがって、多色ＥＬ素子やフルカラーＥＬ素
子を形成する際、特に実用的価値は大きい。
かつ発光輝度が高い青色発光ＥＬ素子を提供できるもの
である。したがって、多色ＥＬ素子やフルカラーＥＬ素
子を形成する際、特に実用的価値は大きい。
第１図は本発明の１実施例を説明するためのＥＬ素子断
面図、第２図は発光スペクトルを示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁体層、４・・・硫化ストロンチウム薄膜、５セリウ
ム添加硫化ストロンチウム薄膜、６・・・発光体層、７
・・・第２絶縁体層、８・・・背面電極。
面図、第２図は発光スペクトルを示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁体層、４・・・硫化ストロンチウム薄膜、５セリウ
ム添加硫化ストロンチウム薄膜、６・・・発光体層、７
・・・第２絶縁体層、８・・・背面電極。
Claims (4)
- （１） 基板上に硫化ストロンチウムを主成分とする発
光体層が堆積されてなるＥＬ素子において、前記発光体
層はセリウムが添加された薄膜とセリウムが添加されて
いない薄膜が積層され、かつセリウムが添加されていな
い薄膜が前記基板側に配置されていることを特徴とする
ＥＬ素子。 - （２） 基板上に硫化ストロンチウムを主成分とする発
光体層が堆積されてなるＥＬ素子において、前記発光体
層は、セリウムが添加された薄膜がセリウムが添加され
ていない薄膜で挟持された構成であることを特徴とする
ＥＬ素子。 - （３） セリウムが添加されていない硫化ストロンチウ
ムを主成分とする薄膜の厚さが５０ｎｍ以上、３００ｎ
ｍ以下である請求項１又は２に記載のＥＬ素子。 - （４） 基板上に発光体層を堆積後、５００℃以上、８
００℃以下の熱処理を施すことによって請求項１又は２
記載のＥＬ素子を製造することを特徴とするＥＬ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058326A JPH02236991A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058326A JPH02236991A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236991A true JPH02236991A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13081175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058326A Pending JPH02236991A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02236991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058326A patent/JPH02236991A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
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