JPH0878160A - 薄膜電場発光素子とその製造方法 - Google Patents
薄膜電場発光素子とその製造方法Info
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- JPH0878160A JPH0878160A JP6215441A JP21544194A JPH0878160A JP H0878160 A JPH0878160 A JP H0878160A JP 6215441 A JP6215441 A JP 6215441A JP 21544194 A JP21544194 A JP 21544194A JP H0878160 A JPH0878160 A JP H0878160A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層を硫黄元素を含む雰囲気中で熱処理して
結晶性の改善を行う際に電極が劣化しない薄膜電場発光
素子を得る。 【構成】絶縁基板上に第一の電極２、第一の絶縁膜３、
発光層４、第二の絶縁膜５および第二の電極６が順次積
層されている。第一の電極２と第二の電極６はそれぞれ
複数個のストライプで立体的に交差する。第一の電極２
の二つの端子部２１は金メッキ層８で表面被覆されてい
る。
結晶性の改善を行う際に電極が劣化しない薄膜電場発光
素子を得る。 【構成】絶縁基板上に第一の電極２、第一の絶縁膜３、
発光層４、第二の絶縁膜５および第二の電極６が順次積
層されている。第一の電極２と第二の電極６はそれぞれ
複数個のストライプで立体的に交差する。第一の電極２
の二つの端子部２１は金メッキ層８で表面被覆されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型表示装置に用いる
薄膜電場発光素子およびその製造方法に係り、特に発光
層を硫黄元素を含む雰囲気中で安定に処理することが可
能な薄膜電場発光素子とその製造方法に関する。
薄膜電場発光素子およびその製造方法に係り、特に発光
層を硫黄元素を含む雰囲気中で安定に処理することが可
能な薄膜電場発光素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電場の印加によりエレクトロルミネセン
スＥＬを呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光．高速
応答．広視野角．薄型軽量．高解像度など多くの優れた
特長を有することから、薄型表示装置の表示素子として
注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンをドー
プした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープした硫
化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側に絶
縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧を印
加することにより、電場発光が得られる。
スＥＬを呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光．高速
応答．広視野角．薄型軽量．高解像度など多くの優れた
特長を有することから、薄型表示装置の表示素子として
注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンをドー
プした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープした硫
化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側に絶
縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧を印
加することにより、電場発光が得られる。
【０００３】このような従来の薄膜電場発光素子は以下
のようにして作製される。図４は従来の薄膜電場発光素
子の製造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層し
た素子を示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層し熱処理
を行った素子を示す断面図、図（ｃ）はアルミニウムＡ
ｌから成る対向電極を積層した素子を示す断面図であ
る。
のようにして作製される。図４は従来の薄膜電場発光素
子の製造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層し
た素子を示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層し熱処理
を行った素子を示す断面図、図（ｃ）はアルミニウムＡ
ｌから成る対向電極を積層した素子を示す断面図であ
る。
【０００４】ガラス基板１上にインジウムスズ酸化物Ｉ
ＴＯからなる透明電極２を設け、この上に透明電極２の
端子部２１を覆わないように（例えば端子部２１の部分
にメタルマスクを付けて成膜する）第一の絶縁膜３を被
着する（図（ａ））。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層
４を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間
熱処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を
する（図（ｂ））。そして第２絶縁膜５を第一の絶縁膜
３と同様に、透明電極２の端子部２１を覆わないように
被着した後、Ａｌから成る対向電極６を設ける（図
（ｃ））。
ＴＯからなる透明電極２を設け、この上に透明電極２の
端子部２１を覆わないように（例えば端子部２１の部分
にメタルマスクを付けて成膜する）第一の絶縁膜３を被
着する（図（ａ））。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層
４を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間
熱処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を
する（図（ｂ））。そして第２絶縁膜５を第一の絶縁膜
３と同様に、透明電極２の端子部２１を覆わないように
被着した後、Ａｌから成る対向電極６を設ける（図
（ｃ））。
【０００５】上記のように、現在商品化されている黄橙
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら薄膜電場
発光素子を多色化するために、硫化ストロンチウムＳｒ
Ｓ（例えば硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
ＳｒＳ：Ｃｅは青緑色発光、セリウムとユーロピウムを
ドープしたＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕは白色発光を示す）を母
材とした発光層を用いる場合においては、硫化ストロン
チウムＳｒＳは真空中での熱処理では十分な結晶性の改
善はされないという問題があった。硫化ストロンチウム
ＳｒＳ発光層の膜質を改善するためには、硫黄元素Ｓを
含む雰囲気中で熱処理して発光層中の硫黄を補い、発光
層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を行う必要があるがこ
の場合には硫黄元素Ｓを含む雰囲気により下部に形成し
た透明電極２の端子部２１が、硫黄で劣化してしまうと
いう問題がおこる。
発光素子を多色化するために、硫化ストロンチウムＳｒ
Ｓ（例えば硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
ＳｒＳ：Ｃｅは青緑色発光、セリウムとユーロピウムを
ドープしたＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕは白色発光を示す）を母
材とした発光層を用いる場合においては、硫化ストロン
チウムＳｒＳは真空中での熱処理では十分な結晶性の改
善はされないという問題があった。硫化ストロンチウム
ＳｒＳ発光層の膜質を改善するためには、硫黄元素Ｓを
含む雰囲気中で熱処理して発光層中の硫黄を補い、発光
層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を行う必要があるがこ
の場合には硫黄元素Ｓを含む雰囲気により下部に形成し
た透明電極２の端子部２１が、硫黄で劣化してしまうと
いう問題がおこる。
【０００７】このために硫化ストロンチウムＳｒＳを母
材とした発光層を有する薄膜電場発光素子は実用化する
ことが困難であった。この発明は上述の点に鑑みてなさ
れその目的は発光層を硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理した際に透明電極が硫化して劣化することを防止して
実用化可能な薄膜電場発光素子およびその製造方法を提
供することにある。
材とした発光層を有する薄膜電場発光素子は実用化する
ことが困難であった。この発明は上述の点に鑑みてなさ
れその目的は発光層を硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理した際に透明電極が硫化して劣化することを防止して
実用化可能な薄膜電場発光素子およびその製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によれば絶縁基板上に第一の電極、第一の絶縁膜、発光
層、第二の絶縁膜および第二の電極を有している。第一
の電極はストライプであり長さ方向に中央部と二つの端
子部からなり、絶縁基板の上に複数個が並列的に設けら
れている。
によれば絶縁基板上に第一の電極、第一の絶縁膜、発光
層、第二の絶縁膜および第二の電極を有している。第一
の電極はストライプであり長さ方向に中央部と二つの端
子部からなり、絶縁基板の上に複数個が並列的に設けら
れている。
【０００９】第一の絶縁膜が前記した各ストライプの前
記中央部を被覆し且つ絶縁基板を選択的に被覆してい
る。第一の電極の前記した各ストライプは少なくとも前
記二つの端子部が非硫化性の金属で表面被覆されてい
る。発光層は第一の絶縁膜の上に選択的に被覆されてい
る。
記中央部を被覆し且つ絶縁基板を選択的に被覆してい
る。第一の電極の前記した各ストライプは少なくとも前
記二つの端子部が非硫化性の金属で表面被覆されてい
る。発光層は第一の絶縁膜の上に選択的に被覆されてい
る。
【００１０】第二の絶縁膜は発光層の全部と第一の絶縁
膜の上に被覆されている。第二の電極は第一の電極と立
体的に交差する複数のストライプであり、第二の絶縁膜
と絶縁基板を選択的に被覆してなるとすることにより達
成される。上述の薄膜電場発光素子は第一の電極として
インジウムスズ酸化物を用いること若しくはＡｌ，Ｎ
ｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの群から選ばれた少なくとも一つを
用いること又は非硫化性の金属として金を用いることが
有効である。
膜の上に被覆されている。第二の電極は第一の電極と立
体的に交差する複数のストライプであり、第二の絶縁膜
と絶縁基板を選択的に被覆してなるとすることにより達
成される。上述の薄膜電場発光素子は第一の電極として
インジウムスズ酸化物を用いること若しくはＡｌ，Ｎ
ｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの群から選ばれた少なくとも一つを
用いること又は非硫化性の金属として金を用いることが
有効である。
【００１１】第二の発明によれば第一の発明に記載の薄
膜電場発光素子の製造方法であって、非硫化性の金属か
らなる表面層の形成工程と発光層の熱処理工程を有して
いる。薄膜電場発光素子は絶縁基板の上に第一の電極、
第一の絶縁膜、発光層、第二の絶縁膜および第二の電極
を順次積層して製造される。
膜電場発光素子の製造方法であって、非硫化性の金属か
らなる表面層の形成工程と発光層の熱処理工程を有して
いる。薄膜電場発光素子は絶縁基板の上に第一の電極、
第一の絶縁膜、発光層、第二の絶縁膜および第二の電極
を順次積層して製造される。
【００１２】非硫化性の金属からなる表面層の形成工程
は、発光層を積層する前に第一の電極の少なくとも二つ
の端子部を非硫化性の金属で表面被覆する工程である。
発光層の熱処理工程は発光層の形成後に硫黄元素を含む
雰囲気中で発光層を熱処理する工程であるとすることに
より達成される。非硫化性の金属として例えば金を用い
る場合は金を端子部の最上部に形成する際に、金の密着
性を改善するために必要に応じてＮｉメッキ層などの他
の中間層を設けることができる。金表面層の形成方法は
無電解メッキ法，電解メッキ法，蒸着法，スパッタリン
グ法などを適用することができる。
は、発光層を積層する前に第一の電極の少なくとも二つ
の端子部を非硫化性の金属で表面被覆する工程である。
発光層の熱処理工程は発光層の形成後に硫黄元素を含む
雰囲気中で発光層を熱処理する工程であるとすることに
より達成される。非硫化性の金属として例えば金を用い
る場合は金を端子部の最上部に形成する際に、金の密着
性を改善するために必要に応じてＮｉメッキ層などの他
の中間層を設けることができる。金表面層の形成方法は
無電解メッキ法，電解メッキ法，蒸着法，スパッタリン
グ法などを適用することができる。
【００１３】硫黄元素を含む雰囲気中での熱処理は、硫
黄を加熱してガス状したものや硫化水素Ｈ2 Ｓガスなど
の硫黄元素を含むガスを適用することができる。また必
要に応じてＡｒなどをキャリヤーガスとして用いても良
い。硫黄元素を含む雰囲気ガスの圧力は加圧，常圧，減
圧のいずれでも良く、熱処理温度は４００〜７００℃の
温度範囲が望ましい。
黄を加熱してガス状したものや硫化水素Ｈ2 Ｓガスなど
の硫黄元素を含むガスを適用することができる。また必
要に応じてＡｒなどをキャリヤーガスとして用いても良
い。硫黄元素を含む雰囲気ガスの圧力は加圧，常圧，減
圧のいずれでも良く、熱処理温度は４００〜７００℃の
温度範囲が望ましい。
【００１４】第一の電極２と第二の電極６のうち少なく
と一方は、インジウムスズ酸化物ＩＴＯなどの透明電極
を適用する必要があり、他方はＡｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｃｒなどの金属を適用することができる。またこ
れらの合金や積層を用いても良い。第一の絶縁膜３と第
二の絶縁膜５はＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 ０3 など
を適用することができ、これらの混合物や積層を用いて
も良い。
と一方は、インジウムスズ酸化物ＩＴＯなどの透明電極
を適用する必要があり、他方はＡｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｃｒなどの金属を適用することができる。またこ
れらの合金や積層を用いても良い。第一の絶縁膜３と第
二の絶縁膜５はＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 ０3 など
を適用することができ、これらの混合物や積層を用いて
も良い。
【００１５】発光層４は硫化ストロンチウムＳｒＳや硫
化亜鉛ＺｎＳなどの硫黄元素を含む化合物を母材にし
て、Ｃｅ，Ｅｕ，Ｐｒなどの希土類元素やＭｎなどの遷
移金属などをドープしたものを適用することができる。
またこれらの混合物や積層を用いても良い。第一の電極
２、第二の電極６、第一の絶縁膜３、第二の絶縁膜５の
成膜方法は、スパッタリング法，蒸着法，ＣＶＤ法など
を適用することができ、またパターニング方法はウエッ
トエッチング法やドライエッチング法などを適用するこ
とができる。発光層４も上記のような成膜方法を適用す
ることができる。
化亜鉛ＺｎＳなどの硫黄元素を含む化合物を母材にし
て、Ｃｅ，Ｅｕ，Ｐｒなどの希土類元素やＭｎなどの遷
移金属などをドープしたものを適用することができる。
またこれらの混合物や積層を用いても良い。第一の電極
２、第二の電極６、第一の絶縁膜３、第二の絶縁膜５の
成膜方法は、スパッタリング法，蒸着法，ＣＶＤ法など
を適用することができ、またパターニング方法はウエッ
トエッチング法やドライエッチング法などを適用するこ
とができる。発光層４も上記のような成膜方法を適用す
ることができる。
【００１６】
【作用】第一の電極である各ストライプ状インジウムス
ズ酸化物膜の少なくとも二つの端子部が非硫化性の金属
で表面被覆されていると発光層を硫黄元素を含む雰囲気
中で熱処理する際に第一の電極の二つの端子部が硫黄に
より劣化することがない。
ズ酸化物膜の少なくとも二つの端子部が非硫化性の金属
で表面被覆されていると発光層を硫黄元素を含む雰囲気
中で熱処理する際に第一の電極の二つの端子部が硫黄に
より劣化することがない。
【００１７】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製造
工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子を
示す断面図、図（ｂ）は金メッキ層を表面被覆した素子
を示す断面図、図（ｃ）は発光層を積層し熱処理を行っ
た素子を示す断面図、図（ｄ）はアルミニウムＡｌから
なる対向電極を積層した素子を示す断面図である。
工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子を
示す断面図、図（ｂ）は金メッキ層を表面被覆した素子
を示す断面図、図（ｃ）は発光層を積層し熱処理を行っ
た素子を示す断面図、図（ｄ）はアルミニウムＡｌから
なる対向電極を積層した素子を示す断面図である。
【００１８】図２はこの発明の実施例に係る薄膜電場発
光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積
層した素子を示す平面図、図（ｂ）はアルミニウムＡｌ
からなる対向電極を積層した素子を示す平面図である。
ガラス基板１に膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物
ＩＴＯをスパッタリングで成膜し、塩酸と塩化第二鉄と
の混合水溶液でウエットエッチングして第一の電極２を
ストライプ状にパターニング形成した後に、スパッタリ
ング法で膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第一の絶縁膜３
として被着する（図１（ａ））。
光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積
層した素子を示す平面図、図（ｂ）はアルミニウムＡｌ
からなる対向電極を積層した素子を示す平面図である。
ガラス基板１に膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物
ＩＴＯをスパッタリングで成膜し、塩酸と塩化第二鉄と
の混合水溶液でウエットエッチングして第一の電極２を
ストライプ状にパターニング形成した後に、スパッタリ
ング法で膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第一の絶縁膜３
として被着する（図１（ａ））。
【００１９】次に、基板を８０℃の無電解Ｎｉメッキ浴
に４分浸漬する事により、膜厚６００ｎｍのＮｉメッキ
層７を端子部２１、２２のＩＴＯ上に析出させる。そし
て基板を水で洗浄後、８５℃の無電解Ａｕメッキ浴に４
分浸漬する事により膜厚３０ｎｍのＡｕメッキ層８をＮ
ｉメッキ層７の上部に析出させる （図１（ｂ）、図２
（ａ））。
に４分浸漬する事により、膜厚６００ｎｍのＮｉメッキ
層７を端子部２１、２２のＩＴＯ上に析出させる。そし
て基板を水で洗浄後、８５℃の無電解Ａｕメッキ浴に４
分浸漬する事により膜厚３０ｎｍのＡｕメッキ層８をＮ
ｉメッキ層７の上部に析出させる （図１（ｂ）、図２
（ａ））。
【００２０】次に、電子ビーム蒸着法で膜厚１０００ｎ
ｍのＳｒＳ：Ｃｅからなる発光層４を被着し、アルゴン
と硫黄の混合雰囲気中において６００℃の温度で１時間
熱処理を行った（図１（ｃ））。そして、第一の絶縁膜
３と同様に膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 からなる第二の
絶縁膜５を形成した後、膜厚５００ｎｍのＡｌをスパッ
タリング法で成膜しリン酸と硝酸の混合水溶液でウエッ
トエッチングして、第二の電極６をストライプ状にパタ
ーニング形成する。第二の電極６と端子部２２は、電気
的に接続するように第二の電極６をパターニング形成す
る（図１（ｄ）、図２（ｂ））。
ｍのＳｒＳ：Ｃｅからなる発光層４を被着し、アルゴン
と硫黄の混合雰囲気中において６００℃の温度で１時間
熱処理を行った（図１（ｃ））。そして、第一の絶縁膜
３と同様に膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 からなる第二の
絶縁膜５を形成した後、膜厚５００ｎｍのＡｌをスパッ
タリング法で成膜しリン酸と硝酸の混合水溶液でウエッ
トエッチングして、第二の電極６をストライプ状にパタ
ーニング形成する。第二の電極６と端子部２２は、電気
的に接続するように第二の電極６をパターニング形成す
る（図１（ｄ）、図２（ｂ））。
【００２１】本発明によれば、硫黄元素を含む雰囲気中
での熱処理工程において、第一の電極２の端子部２１や
第二の電極６の端子部２２の最上部はＡｕメッキ層８で
覆われており、Ａｕメッキ層８は硫黄劣化がないので第
一の電極２の端子部２１や第二の電極６の端子部２２を
硫黄元素を含む雰囲気中で熱処理する際に保護すること
ができる。 実施例２ 図３はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
を示し、図（ａ）は金表面層を形成した素子を示す断面
図、図（ｂ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｃ）は第二の電極を積層した素子を示す断面図
である。
での熱処理工程において、第一の電極２の端子部２１や
第二の電極６の端子部２２の最上部はＡｕメッキ層８で
覆われており、Ａｕメッキ層８は硫黄劣化がないので第
一の電極２の端子部２１や第二の電極６の端子部２２を
硫黄元素を含む雰囲気中で熱処理する際に保護すること
ができる。 実施例２ 図３はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
を示し、図（ａ）は金表面層を形成した素子を示す断面
図、図（ｂ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｃ）は第二の電極を積層した素子を示す断面図
である。
【００２２】実施例１と異なり金表面層を第一の電極に
積層したのちに第一の絶縁膜３が形成される。ガラス基
板１にインジウムスズ酸化物ＩＴＯからなる第一の電極
２をストライプ状にパターニング形成し、表示画面部を
レジストなどで覆った後に、第一の電極の端子部２１に
無電解メッキ法でＮｉメッキ層７とＡｕメッキ層８を形
成し、表示画面部をレジストは除去する（図（ａ））。
積層したのちに第一の絶縁膜３が形成される。ガラス基
板１にインジウムスズ酸化物ＩＴＯからなる第一の電極
２をストライプ状にパターニング形成し、表示画面部を
レジストなどで覆った後に、第一の電極の端子部２１に
無電解メッキ法でＮｉメッキ層７とＡｕメッキ層８を形
成し、表示画面部をレジストは除去する（図（ａ））。
【００２３】第一の絶縁膜３は第一の電極２のＡｕメッ
キ層８で覆われていないインジウムスズ酸化物ＩＴＯ
を、被覆するように形成する（図（ｂ））。次に、電子
ビーム蒸着法で膜厚１０００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ
からなる発光層４を被着し、硫化水素の雰囲気中におい
て６００℃の温度で１時間熱処理を行い、第二の絶縁膜
５を形成した後に第二の電極６をストライプ状にパター
ニング形成する（図（ｃ））。
キ層８で覆われていないインジウムスズ酸化物ＩＴＯ
を、被覆するように形成する（図（ｂ））。次に、電子
ビーム蒸着法で膜厚１０００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ
からなる発光層４を被着し、硫化水素の雰囲気中におい
て６００℃の温度で１時間熱処理を行い、第二の絶縁膜
５を形成した後に第二の電極６をストライプ状にパター
ニング形成する（図（ｃ））。
【００２４】本実施例の場合は図示しないが、金メッキ
層８を第一の電極２の全部に積層することができる。
層８を第一の電極２の全部に積層することができる。
【００２５】
【発明の効果】第一の発明によれば第一の電極の各スト
ライプは少なくとも二つの端子部が非硫化性の金属で表
面被覆されているので、発光層を硫黄元素を含む雰囲気
中で熱処理する際に第一の電極の端子部が硫黄により劣
化することがなく、多色化された薄膜電場発光素子の製
造が容易になる。
ライプは少なくとも二つの端子部が非硫化性の金属で表
面被覆されているので、発光層を硫黄元素を含む雰囲気
中で熱処理する際に第一の電極の端子部が硫黄により劣
化することがなく、多色化された薄膜電場発光素子の製
造が容易になる。
【００２６】第一の電極はインジウムスズ酸化物または
Ａｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの群から選ばれた少なくと
も一つであるので、これらは表面被覆された非硫化性の
金属により保護され多色化された薄膜電場発光素子の製
造が容易になる。第二の発明によれば非硫化性の金属か
らなる表面層の形成工程と発光層の熱処理工程を有する
ので、発光層の形成前に実施される非硫化性の金属表面
層の形成工程により第一の電極の少なくとも二つの端子
部に非硫化性の金属表面層が形成され、発光層の熱処理
工程において第一の電極が硫黄元素を含む雰囲気ガスに
より劣化する事態を防止しながら発光層の結晶性の改善
を行い、多色化された薄膜電場発光素子を提供すること
が可能になる。
Ａｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの群から選ばれた少なくと
も一つであるので、これらは表面被覆された非硫化性の
金属により保護され多色化された薄膜電場発光素子の製
造が容易になる。第二の発明によれば非硫化性の金属か
らなる表面層の形成工程と発光層の熱処理工程を有する
ので、発光層の形成前に実施される非硫化性の金属表面
層の形成工程により第一の電極の少なくとも二つの端子
部に非硫化性の金属表面層が形成され、発光層の熱処理
工程において第一の電極が硫黄元素を含む雰囲気ガスに
より劣化する事態を防止しながら発光層の結晶性の改善
を行い、多色化された薄膜電場発光素子を提供すること
が可能になる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製
造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子
を示す断面図、図（ｂ）は金メッキ層を表面被覆した素
子を示す断面図、図（ｃ）は発光層を積層し熱処理を行
った素子を示す断面図、図（ｄ）はアルミニウムＡｌか
らなる対向電極を積層した素子を示す断面図
造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子
を示す断面図、図（ｂ）は金メッキ層を表面被覆した素
子を示す断面図、図（ｃ）は発光層を積層し熱処理を行
った素子を示す断面図、図（ｄ）はアルミニウムＡｌか
らなる対向電極を積層した素子を示す断面図
【図２】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製
造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子
を示す平面図、図（ｂ）はアルミニウムＡｌからなる対
向電極を積層した素子を示す平面図
造工程を示し、図（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子
を示す平面図、図（ｂ）はアルミニウムＡｌからなる対
向電極を積層した素子を示す平面図
【図３】この発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素
子を示し、図（ａ）は金表面層を形成した素子を示す断
面図、図（ｂ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断
面図、図（ｃ）は第二の電極を積層した素子を示す断面
図
子を示し、図（ａ）は金表面層を形成した素子を示す断
面図、図（ｂ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断
面図、図（ｃ）は第二の電極を積層した素子を示す断面
図
【図４】従来の薄膜電場発光素子の製造工程を示し、図
（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断面図、図
（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行った素子を示す断面
図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌから成る対向電極を積
層した素子を示す断面図
（ａ）は第一の絶縁膜を積層した素子を示す断面図、図
（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行った素子を示す断面
図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌから成る対向電極を積
層した素子を示す断面図
１ ガラス基板 ２ 第一の電極 ３ 第一の絶縁膜 ４ 発光層 ５ 第二の絶縁膜 ６ 第二の電極 ７ ニッケルメッキ層 ８ 金メッキ層 ２１ 第一の電極の端子部 ２２ 第二の電極の端子部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 幸則 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁基板上に第一の電極、第一の絶縁膜、
発光層、第二の絶縁膜および第二の電極を有している。
第一の電極はストライプであり長さ方向に中央部と二つ
の端子部からなり、絶縁基板の上に複数個が並列的に設
けられている。第一の絶縁膜が前記した各ストライプの
前記中央部を被覆し且つ絶縁基板を選択的に被覆してい
る。第一の電極の前記した各ストライプは少なくとも前
記二つの端子部が非硫化性の金属で表面被覆されてい
る。発光層は第一の絶縁膜の上に選択的に被覆されてい
る。第二の絶縁膜は発光層の全部と第一の絶縁膜の上に
被覆されている。第二の電極は第一の電極と立体的に交
差する複数のストライプであり、第二の絶縁膜と絶縁基
板を選択的に被覆してなることを特徴とする薄膜電場発
光素子。 - 【請求項２】請求項１に記載の素子において、第一の電
極はインジウムスズ酸化物であることを特徴とする薄膜
電場発光素子。 - 【請求項３】請求項１に記載の素子において、第一の電
極はＡｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの群から選ばれた少な
くとも一つであることを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項４】請求項１に記載の素子において、非硫化性
の金属は金であることを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項５】請求項１に記載の薄膜電場発光素子の製造
方法であって、非硫化性の金属からなる表面層の形成工
程と発光層の熱処理工程を有している。薄膜電場発光素
子は絶縁基板の上に第一の電極、第一の絶縁膜、発光
層、第二の絶縁膜および第二の電極を順次積層して製造
される。非硫化性の金属からなる表面層の形成工程は、
発光層を積層する前に第一の電極の少なくとも二つの端
子部を非硫化性の金属で表面被覆する工程である。発光
層の熱処理工程は発光層の形成後に硫黄元素を含む雰囲
気中で発光層を熱処理する工程であることを特徴とする
薄膜電場発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215441A JPH0878160A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜電場発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215441A JPH0878160A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜電場発光素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878160A true JPH0878160A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16672409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215441A Pending JPH0878160A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜電場発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013121585A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP6215441A patent/JPH0878160A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013121585A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
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