JP2014032945A - 有機発光装置 - Google Patents

有機発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014032945A
JP2014032945A JP2012238801A JP2012238801A JP2014032945A JP 2014032945 A JP2014032945 A JP 2014032945A JP 2012238801 A JP2012238801 A JP 2012238801A JP 2012238801 A JP2012238801 A JP 2012238801A JP 2014032945 A JP2014032945 A JP 2014032945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light
magnesium
emitting device
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012238801A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6309707B2 (ja
Inventor
Ju-Gyu Yun
錫 奎 尹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2014032945A publication Critical patent/JP2014032945A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6309707B2 publication Critical patent/JP6309707B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0107—Ytterbium [Yb]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Abstract

【課題】高透過率／低吸収率を有する電極を含む有機発光装置を提供する。
【解決手段】第１電極、第１電極と対向する第２電極、及び第１電極と第２電極の間に位置する発光層を含み、第１電極は、銀（Ａｇ）含有量がマグネシウム（Ｍｇ）含有量よりも高い銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金を含む有機発光装置である。マグネシウム（Ｍｇ）は、合金の総含有量に対して３０体積％以下で含まれることが好ましく、より好ましくはて５体積％〜３０体積％である。
【選択図】図１

Description

本発明は有機発光装置に関する。
最近、モニタまたはテレビなどの軽量化および薄型化が要求されているが、このような要求に応じて陰極線管（ＣＲＴ）が液晶表示装置（ＬＣＤ）に代替されている。しかし、液晶表示装置は受発光素子であって、別途のバックライトが必要なだけでなく、応答速度および視野角などにおいて限界がある。
最近、このような限界を克服することができる表示装置として、有機発光ダイオードディスプレイ装置（ＯＬＥＤディスプレイ）が注目されている。
有機発光装置は、２つの電極とその間に位置する発光層を含み、１つの電極から注入された電子と他の電極から注入された正孔が発光層で結合して励起子を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
一方、発光層で発光した光は、２つの電極のうちの少なくとも１つを通過して外部に放出する。この場合、電極の光学的特性が素子効率に影響を与えることがある。
本発明の一目的としては、高透過率／低吸収率を有する電極を含む有機発光装置を提供することである。
一実施形態によれば、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を含み、前記第１電極は、銀（Ａｇ）含有量がマグネシウム（Ｍｇ）含有量よりも高い銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金を含む有機発光装置を提供する。
前記マグネシウム（Ｍｇ）は、前記合金の総含有量に対して約３０体積％以下で含まれてもよい。
前記マグネシウム（Ｍｇ）は、前記合金の総含有量に対して約５体積％〜３０体積％で含まれてもよい。
前記第１電極は、イッテルビウム（Ｙｂ）をさらに含んでもよい。
前記イッテルビウム（Ｙｂ）は、前記合金の総含有量に対して約３０体積％以下で含まれてもよい。
前記イッテルビウム（Ｙｂ）は、前記合金の総含有量に対して約５〜３０体積％で含まれてもよい。
前記第１電極は、約３０Å〜３００Åの厚さを有してもよい。
前記有機発光装置は、前記第１電極と前記発光層の間にイッテルビウム（Ｙｂ）を含む補助層をさらに含んでもよい。
前記補助層は、約５Å〜５０Åの厚さを有してもよい。
前記第１電極は、約４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で約６０％以上の光透過率を有してもよい。
前記第１電極は、約４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で約６０％〜８５％の光透過率を有してもよい。
前記第１電極は、約４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で約４０％以下の光反射率を有してもよい。
前記第１電極は、約４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で約１５％以下の光吸収率を有してもよい。
前記第２電極は反射電極を含んでもよく、前記発光層は白色発光してもよい。
前記第２電極は透明電極を含んでもよく、前記発光層は白色発光してもよい。
前記第１電極はカソードであってもよい。
電極の光吸収率を低めることにより、外部に発光する光効率が優れた有機発光装置を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る有機発光装置を示す断面図である。 実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光透過率を示すグラフである。 実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光反射率を示すグラフである。 実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光吸収率を示すグラフである。 実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光透過率を示すグラフである。 実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光反射率を示すグラフである。 実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光吸収率を示すグラフである。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様に相違した形態で実現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されることはない。
図面において、多様な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に渡って類似する部分については同じ図面符号を付与した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「直ぐ上」にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分が存在する場合も含む。これとは反対に、ある部分が他の部分の「直ぐ上」にあるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。
以下、図１を参照しながら、本発明の一実施形態に係る有機発光装置について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光装置を示す断面図である。
図１を参照すれば、一実施形態に係る有機発光装置は、基板１０、下部電極２０、下部電極２０と対向する上部電極４０、及び下部電極２０と上部電極４０の間に介在している発光層３０を含む。
基板１０は、例えば、ガラスのような無機物質、またはポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、またはこれらの組み合わせのような有機物質、シリコンウエハなどで形成されてもよい。
下部電極２０と上部電極４０のうちの１つはカソードであり、他の１つはアノードである。例えば、下部電極２０はアノードであり、上部電極４０はカソードであってもよい。
下部電極２０と上部電極４０のうちの少なくとも１つは透明電極であるが、下部電極１０が透明電極である場合、基板１０側に光を出す背面発光であってもよく、上部電極４０が透明電極である場合、基板１０の反対側に光を出す前面発光であってもよい。また、下部電極２０および上部電極４０がすべて透明電極である場合、基板１０側および基板１０の反対側に両面発光してもよい。
上記透明電極は、銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金を含む。
銀（Ａｇ）は電気伝導度が高くて光吸収率が低い金属であって、電気的特性および光学的特性を改善することができる。マグネシウム（Ｍｇ）は仕事関数が低い金属であって、電荷移動性を改善することができ、電極薄膜の強度を高めて信頼性を高めることができる。
このとき、上記銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金は、銀（Ａｇ）含有量がマグネシウム（Ｍｇ）含有量よりも高い銀リッチ（Ａｇ−リッチ）合金であることが好ましい。
上記マグネシウム（Ｍｇ）は、上記銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金の総含有量に対して約３０体積％以下で含まれてもよいが、例えば、約０．００１〜３０体積％で含まれてもよい。この範囲で含まれることにより、電極薄膜の安定性を確保しながらも、光透過率は高めて光吸収率は低めることにより、効率を改善することができる。
この範囲内において、上記マグネシウム（Ｍｇ）は約５〜３０体積％で含まれてもよい。この範囲で含まれることにより、銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金を容易に形成しながらも効率を改善することができる。
上記透明電極は、イッテルビウム（Ｙｂ）をさらに含んでもよい。イッテルビウム（Ｙｂ）は、仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）が比較的低く、発光層３０に電子注入が容易であり、駆動電圧を低めることができ、可視光線領域で吸収率が低く、光透過度が改善される。
上記イッテルビウム（Ｙｂ）は、上記銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金の総含有量に対して約３０体積％以下で含まれてもよい。この範囲内において、上記イッテルビウム（Ｙｂ）は、上記銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金の総含有量に対して約５〜３０体積％で含まれてもよい。この範囲で含まれることにより、電極薄膜の安定性を維持しながらも電子注入を円滑にし、駆動電圧を減少させることができる。
上記透明電極は、約３０Å〜３００Åの厚さを有してもよい。この範囲の厚さを有することにより、光透過率および低抵抗特性を同時に満たすことができる。
上記透明電極は、可視光線領域である約４５０〜７５０ｎｍの波長領域で約６０％以上の光透過率を有してもよい。上記透明電極は、可視光線領域の約４５０〜７５０ｎｍの波長領域で約６０％〜８５％の光透過率を有してもよい。
上記透明電極は、約４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で約４０％以下の光反射率を有してもよく、上記波長領域で約１５％以下の光吸収率を有してもよい。このように、上記透明電極が比較的低い範囲の光反射率および光吸収率を有することにより、外部に発光する光効率を高めることができる。
下部電極２０および上部電極４０がすべて透明電極である場合、１つは上述した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成された電極であり、他の１つは上述した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金または透明導電性酸化物で形成された電極であってもよい。上記透明導電性酸化物は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられてもよい。
下部電極２０および上部電極４０のうちの１つが透明電極である場合、透明電極は上述した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成され、他の１つは不透明導電体で形成された反射電極であってもよい。不透明導電体は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせのような金属を含んでもよい。
発光層３０は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色（原色）のうちのいずれか１つの光を固有に出す有機物質、または有機物質と無機物質の混合物で形成されるが、例えば、ポリフルオレン誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系統色素、クマリン系統色素、ローダーミン系統色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン、キナクリドンなどをドーピングした化合物が含まれてもよい。有機発光装置は、発光層で放出される基本色の光の空間的な組み合わせによって所望する映像を表示することができる。
発光層３０は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色の組み合わせによって白色発光してもよいが、このとき、色の組み合わせは、隣接するのサブ画素の色を組み合わせて白色発光してもよく、垂直方向に積層された色を組み合わせて白色発光してもよい。
発光層３０と上部電極４０の間には、発光層３０の発光効率を改善するための補助層５０を含むことができる。図面においては、発光層３０と上部電極４０の間にだけ示したが、これに限定されることはなく、発光層３０と下部電極２０の間に位置したり、発光層３０と上部電極４０の間および発光層３０と下部電極２０の間にすべて位置してもよい。
補助層５０は、電子と正孔の均衡を合わせるための電子輸送層および正孔輸送層と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層および正孔注入層などがあり、このうちから選択された１つまたは２つ以上の層を含んでもよい。
補助層５０は電子注入層または電子輸送層であって、イッテルビウム（Ｙｂ）を含んでもよい。
イッテルビウム（Ｙｂ）は、上述したように、仕事関数が比較的低く、発光層３０に電子注入が容易であり、可視光線領域で屈折率および吸収率が低く、光透過度が高い。
イッテルビウム（Ｙｂ）を含む補助層５０は、約５Å〜５０Åの厚さを有してもよい。この範囲の厚さを有することにより、光透過率を高めながらも電荷移動性を高め、効率を改善することができる。
上記透明電極は、反射電極と共に微細共振（マイクロキャビティ）を形成してもよい。これにより、発光層３０で発光した光が所定間隔で離隔している透明電極と反射電極の間で反復して反射し、このような光の間に強い干渉効果を引き起こすことによって特定波長の光を増幅させ、光効率を高めることができる。
以下、実施例を参照しながら、本発明をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は説明の目的のためのものに過ぎず、本発明の範囲を制限するものではない。
＜透明薄膜の形成＞
（実施例１−１）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、６０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例１−２）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、８０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例１−３）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、１００Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例１−４）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、１２０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例２−１）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、９０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例２−２）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９０：１０（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、９０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例２−３）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を８５：１５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、９０Å厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例２−４）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を８０：２０（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、９０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（実施例２−５）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を７５：２５（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、９０Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
（比較例１）
ガラス基板上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を１０：９０（ｖｏｌ％）の比率で熱蒸着方法によって形成し、１１５Åの厚さの銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を形成した。
＜評価：光透過率、光反射率、光吸収率＞
実施例１−１〜２−５と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光透過率、光反射率、および光吸収率を測定した。測定方法は、紫外線−可視光線分光法によって測定した。
その結果を図２〜図７に示す。
図２は、実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光透過率を示すグラフである。図３は、実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光反射率を示すグラフである。図４は、実施例１−１〜１−４と比較例１の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光吸収率を示すグラフである。
図５は、実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光透過率を示すグラフである。図６は、実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光反射率を示すグラフである。図７は、実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜の光吸収率を示すグラフである。
図２〜図４を参照すれば、実施例１−１〜１−４の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜は、比較例１の薄膜に比べて光透過率は高まり、光反射率および光吸収率は低下することが分かる。
これは、実施例１−１〜１−４の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜を電極として使用するとき、光透過率は改善され、電極表面で反射したり電極によって吸収される光の量を減少させることにより、効率を改善することができることを意味する。
特に、約５５０ｎｍの波長基準で、実施例１−１〜１−４の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜は約７５％以上の光透過率を示し、約４５０〜７５０ｎｍの波長領域で、約３０％以下の光反射率および約１２％以下の光吸収率を示すことが確認される。
一方、図５〜図７を参照すれば、実施例２−１〜２−５の銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金薄膜は、約５５０ｎｍの波長基準で約６０％以上の光透過率を示し、約４５０〜７５０ｎｍの波長領域で約３０％以下の光反射率および約１５％以下の光吸収率を示すことが確認される。
＜有機発光素子の製作＞
（実施例３−１）
ガラス基板上にＩＴＯアノードをスパッタリングによって形成した後にパターニングした。続いて、赤色発光物質であるトリフェニルアミン誘導体、青色発光物質であるペリレン誘導体、緑色発光物質であるフルオレン誘導体を順に蒸着して発光層を形成した後、電子輸送層としてリチウムキノレートを蒸着した。続いて、その上にイッテルビウム（Ｙｂ）を１５Åの厚さで蒸着し、その上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９５：５の比率で熱蒸着方法によって形成し、銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを８０Åの厚さに形成して有機発光素子を製作した。
（実施例３−２）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を９０：１０の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
（実施例３−３）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を８５：１５の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
（実施例３−４）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を８０：２０の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
（実施例３−５）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を７０：３０の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
（比較例２）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を１０：９０の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
（比較例３）
銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）を４０：６０の比率で形成した銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金で形成されたカソードを使用したことを除いては、実施例３−１と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
＜評価：有機発光素子の効率＞
実施例３−１〜３−５と比較例２の有機発光素子の白色発光効率を評価した。効率は色座標を合わせて輝度計（ＣＡ２１０、ミノルタ）で測定し、単位はＣｄ／Ａとする。
その結果を表１に示す。
Figure 2014032945
表１を参照すれば、実施例３−１〜３−５の有機発光素子は、比較例２（ｒｅｆ．とする）および比較例３の有機発光素子と比較して約１５％以上の効率が改善されたことが確認される。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることはなく、添付する特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
１０：基板
２０：下部電極
３０：発光層
４０：上部電極
５０：補助層

Claims (16)

  1. 第１電極、
    前記第１電極と対向する第２電極、及び
    前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を含み、
    前記第１電極は、銀（Ａｇ）含有量がマグネシウム（Ｍｇ）含有量よりも高い銀（Ａｇ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金を含む、有機発光装置。
  2. 前記マグネシウム（Ｍｇ）は、前記合金の総含有量に対して３０体積％以下で含まれる、請求項１に記載の有機発光装置。
  3. 前記マグネシウム（Ｍｇ）は、前記合金の総含有量に対して５体積％〜３０体積％で含まれる、請求項１に記載の有機発光装置。
  4. 前記第１電極は、イッテルビウム（Ｙｂ）をさらに含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  5. 前記イッテルビウム（Ｙｂ）は、前記合金の総含有量に対して３０体積％以下で含まれる、請求項４に記載の有機発光装置。
  6. 前記イッテルビウム（Ｙｂ）は、前記合金の総含有量に対して５体積％〜３０体積％で含まれる、請求項４に記載の有機発光装置。
  7. 前記第１電極は、３０Å〜３００Åの厚さを有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  8. 前記第１電極と前記発光層の間にイッテルビウム（Ｙｂ）を含む補助層をさらに含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  9. 前記補助層は、５Å〜５０Åの厚さを有する、請求項８に記載の有機発光装置。
  10. 前記第１電極は、４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で６０％以上の光透過率を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  11. 前記第１電極は、４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で６０％〜８５％の光透過率を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  12. 前記第１電極は、４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で４０％以下の光反射率を有する、請求項１から１１のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  13. 前記第１電極は、４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域で１５％以下の光吸収率を有する、請求項１から１２のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  14. 前記第２電極は反射電極を含み、前記発光層は白色発光する、請求項１から１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  15. 前記第２電極は透明電極を含み、前記発光層は白色発光する、請求項１から１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
  16. 前記第１電極はカソードである、請求項１から１５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
JP2012238801A 2012-08-02 2012-10-30 有機発光装置 Active JP6309707B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0084974 2012-08-02
KR1020120084974A KR101918712B1 (ko) 2012-08-02 2012-08-02 유기 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014032945A true JP2014032945A (ja) 2014-02-20
JP6309707B2 JP6309707B2 (ja) 2018-04-11

Family

ID=50024802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012238801A Active JP6309707B2 (ja) 2012-08-02 2012-10-30 有機発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9949336B2 (ja)
JP (1) JP6309707B2 (ja)
KR (1) KR101918712B1 (ja)
CN (1) CN103579529B (ja)
TW (1) TWI625879B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190608A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2020513660A (ja) * 2017-01-05 2020-05-14 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電極及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10372232B2 (en) * 2014-03-12 2019-08-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Keyboard devices with flexible layers and lattice substrates
US10003041B2 (en) * 2014-08-21 2018-06-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
US11211575B2 (en) 2014-08-21 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
US10437348B2 (en) * 2015-05-26 2019-10-08 Stryker Corporation User interfaces for patient care devices
CN106449714B (zh) * 2016-11-09 2019-12-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
CN106601929A (zh) * 2016-12-14 2017-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
JP2003109775A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2008166283A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2009301858A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP2010055919A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP2010278003A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子
JP2011119246A (ja) * 2009-11-02 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子の作製方法、発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器
JP2012004116A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
JP2012018899A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ダイオード装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0428197A (ja) 1990-05-22 1992-01-30 Ricoh Co Ltd 端面発光型電界発光素子およびその駆動方法
JPH10162960A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
JPH11102786A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
US6468676B1 (en) * 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
JP3824798B2 (ja) 1999-01-21 2006-09-20 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP2002540566A (ja) 1999-03-24 2002-11-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネセンス構成部材
US7102282B1 (en) * 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light
US8119254B2 (en) * 2003-09-05 2012-02-21 City University Of Hong Kong Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode
US7002293B2 (en) * 2004-01-27 2006-02-21 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode
US7151339B2 (en) 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
KR20070029717A (ko) 2004-05-27 2007-03-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 비대칭 피렌 유도체 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자
KR101200860B1 (ko) 2004-05-28 2012-11-13 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 ｏｌｅｄ
US8278818B2 (en) * 2004-06-04 2012-10-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP2008521165A (ja) 2004-11-16 2008-06-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
KR100721562B1 (ko) 2004-12-03 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법
US7304428B2 (en) 2004-12-14 2007-12-04 Eastman Kodak Company Multilayered cathode structures having silver for OLED devices
US7494722B2 (en) 2005-02-23 2009-02-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having an organic intermediate connector
JP4699098B2 (ja) 2005-06-09 2011-06-08 ローム株式会社 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置
JP2007035432A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US7696683B2 (en) * 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
KR100766947B1 (ko) 2006-07-05 2007-10-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
JP4981414B2 (ja) 2006-11-07 2012-07-18 積水化学工業株式会社 液晶表示素子用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示素子
KR100813854B1 (ko) * 2007-04-23 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20080102576A (ko) 2007-05-21 2008-11-26 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2009054710A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
KR101434363B1 (ko) 2007-11-07 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
KR20100024710A (ko) 2008-08-26 2010-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
US8022612B2 (en) * 2008-11-10 2011-09-20 Global Oled Technology, Llc. White-light LED having two or more commonly controlled portions with improved angular color performance
KR101107175B1 (ko) * 2009-12-07 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101127767B1 (ko) 2009-12-09 2012-03-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101753772B1 (ko) 2010-10-22 2017-07-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101771253B1 (ko) 2010-10-22 2017-08-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
CN103022377B (zh) 2012-12-06 2015-12-23 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
JP2003109775A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2008166283A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2009301858A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP2010055919A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP2010278003A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子
JP2011119246A (ja) * 2009-11-02 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子の作製方法、発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器
JP2012004116A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
JP2012018899A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ダイオード装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LAI S.L. ET AL.: ""Applications of Ytterbium in organic light-emitting devices as high performance and transparent el", CHEMICAL PHYSICS LETTERS, vol. 366, JPN6018005566, 25 November 2002 (2002-11-25), pages 128 - 133, XP002626371, ISSN: 0003741957, DOI: 10.1016/S0009-2614(02)01553-1 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020513660A (ja) * 2017-01-05 2020-05-14 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電極及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2018190608A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Also Published As

Publication number Publication date
US20140035457A1 (en) 2014-02-06
KR101918712B1 (ko) 2018-11-15
CN103579529B (zh) 2018-02-13
JP6309707B2 (ja) 2018-04-11
CN103579529A (zh) 2014-02-12
TW201407850A (zh) 2014-02-16
US9949336B2 (en) 2018-04-17
KR20140018621A (ko) 2014-02-13
TWI625879B (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6309707B2 (ja) 有機発光装置
JP5452853B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5698848B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5706111B2 (ja) 有機発光装置
JP5975831B2 (ja) 表示装置
JP6043401B2 (ja) 有機発光素子およびその製造方法
US10446798B2 (en) Top-emitting WOLED display device
JP2004127795A (ja) 表示素子およびこれを用いた表示装置
JP6089338B2 (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
KR20120034146A (ko) 유기전계발광소자
JP2010056211A (ja) 有機ｅｌ装置およびその製造方法
WO2017075880A1 (zh) Oled显示器及其显示模组
JP2006318697A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5306949B2 (ja) 有機電界発光装置
JP2004281188A (ja) 薄膜発光表示素子、その製造方法および表示装置
KR101974089B1 (ko) 유기발광소자
TWI299962B (en) Organic electro-luminescent device
JP2012222013A (ja) 有機薄膜及びこれを発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004039409A (ja) 有機発光素子
KR20140101506A (ko) 유기 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20150310

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151020

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161102

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170425

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6309707

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250