JPH0428196A - 有機薄膜型電界発光素子 - Google Patents
有機薄膜型電界発光素子Info
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- JPH0428196A JPH0428196A JP2132108A JP13210890A JPH0428196A JP H0428196 A JPH0428196 A JP H0428196A JP 2132108 A JP2132108 A JP 2132108A JP 13210890 A JP13210890 A JP 13210890A JP H0428196 A JPH0428196 A JP H0428196A
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 22
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電界を印加することにより電気エネルギーを直
接光エネルギーに変換でき、大面積の面状発光体の実現
を可能にする電界発光素子に関する。
接光エネルギーに変換でき、大面積の面状発光体の実現
を可能にする電界発光素子に関する。
[従来の技術]
従来、電界発光素子としては無機化合物からなる薄膜を
積層構成したものが知られている。この無機薄膜型電界
発光素子は一般に第2図に示されるようにガラス基板8
上に透明電極9 (ITO) 、絶縁層10(Si、N
、) 、発光層11(ZnS:Mn)、絶縁層12(s
iiNJ 、金属電極13(AQ)の各層が順次形成さ
れている。このような無機薄膜型電界発光素子は発光輝
度は高いものの、駆動電圧は100〜200■と高く、
専用の高耐圧駆動ICが必要である。また発光層用母体
材料や活性剤として使用できる材料は限定されており、
しかも所望の発光波長で輝度の高い素子が必ずしも得ら
れるわけではない。
積層構成したものが知られている。この無機薄膜型電界
発光素子は一般に第2図に示されるようにガラス基板8
上に透明電極9 (ITO) 、絶縁層10(Si、N
、) 、発光層11(ZnS:Mn)、絶縁層12(s
iiNJ 、金属電極13(AQ)の各層が順次形成さ
れている。このような無機薄膜型電界発光素子は発光輝
度は高いものの、駆動電圧は100〜200■と高く、
専用の高耐圧駆動ICが必要である。また発光層用母体
材料や活性剤として使用できる材料は限定されており、
しかも所望の発光波長で輝度の高い素子が必ずしも得ら
れるわけではない。
これに対して、近年有機薄膜を積層した電界発光素子の
作製が試みられるようになった。これらは、例えば、特
開昭57−51731号公報に開示されている如(、発
光体となるべき有機化合物の薄膜を電子及びまたは正孔
を選択的に伝導する材料の薄膜で挟持し、その両側に電
極を設けた構造を有する。
作製が試みられるようになった。これらは、例えば、特
開昭57−51731号公報に開示されている如(、発
光体となるべき有機化合物の薄膜を電子及びまたは正孔
を選択的に伝導する材料の薄膜で挟持し、その両側に電
極を設けた構造を有する。
このような有機薄膜型電界発光素子においては無機薄膜
型電界発光素子と比べて、発光層用材料の選択の範囲が
広く、種々の発光波長を有するものが見出されている。
型電界発光素子と比べて、発光層用材料の選択の範囲が
広く、種々の発光波長を有するものが見出されている。
また一般に駆動電圧も5〜60V程度と低(、且つ大面
積化も容易であることから、フルカラーデイスプレィを
始めとする各種発光9表示デバイスへの応用が期待され
ている。
積化も容易であることから、フルカラーデイスプレィを
始めとする各種発光9表示デバイスへの応用が期待され
ている。
このような有機薄膜型電界発光素子(以下、有機EL素
子と記す)の−例の模式断面図を第3図に示す。第3図
において一般的には陽極16側を透明電極とし、EL光
は陽極16側より基板15を通して外部に放射される。
子と記す)の−例の模式断面図を第3図に示す。第3図
において一般的には陽極16側を透明電極とし、EL光
は陽極16側より基板15を通して外部に放射される。
素子の高輝度化のためには陽極16の電気抵抗は低い方
が望ましく、従って、透明電極の膜厚は厚くなる。例え
ば、酸化スズインジウムを陽極とした場合、シート抵抗
50Ω/口で600〜800人、20Ω/口で1300
〜1500人の膜厚が必要とされる。また、駆動電圧を
下げるために陽極16、陰極20間に峡持された有機化
合物層、すなわち、正孔輸送層I7、発光層18および
電子輸送層19をできるだけ薄くする傾向にある。
が望ましく、従って、透明電極の膜厚は厚くなる。例え
ば、酸化スズインジウムを陽極とした場合、シート抵抗
50Ω/口で600〜800人、20Ω/口で1300
〜1500人の膜厚が必要とされる。また、駆動電圧を
下げるために陽極16、陰極20間に峡持された有機化
合物層、すなわち、正孔輸送層I7、発光層18および
電子輸送層19をできるだけ薄くする傾向にある。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、これらの有機化合物層の膜厚を薄(した場合
、第3図のA部においては有機化合物層の膜厚が他の部
分に比べて相対的に薄くなり、陽極16と陰極20が接
近する。その結果、陽極端部で絶縁破壊を起こしゃす(
なり素子の寿命を縮める。また陰極もA部においては薄
くなるので断線を生じやすく素子の耐久性が低下する。
、第3図のA部においては有機化合物層の膜厚が他の部
分に比べて相対的に薄くなり、陽極16と陰極20が接
近する。その結果、陽極端部で絶縁破壊を起こしゃす(
なり素子の寿命を縮める。また陰極もA部においては薄
くなるので断線を生じやすく素子の耐久性が低下する。
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は、陽極端部での絶縁破壊や陰極の断線を生じることが
なく、かつ低駆動電圧、高輝度の有機薄膜型電界発光素
子を提供することにある。
は、陽極端部での絶縁破壊や陰極の断線を生じることが
なく、かつ低駆動電圧、高輝度の有機薄膜型電界発光素
子を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、基板上に陽極、有機化合物薄膜による少なく
とも一層以上の電荷キャリア輸送層および発光層、およ
び陰極がこの順に積層形成された有機薄膜型電界発光素
子において、該電荷キャリア輸送層の厚さの総計が該陽
極の厚さと同等以上であることを特徴とする有機薄膜型
電界素子に関する。
とも一層以上の電荷キャリア輸送層および発光層、およ
び陰極がこの順に積層形成された有機薄膜型電界発光素
子において、該電荷キャリア輸送層の厚さの総計が該陽
極の厚さと同等以上であることを特徴とする有機薄膜型
電界素子に関する。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明に使用する基板の材料としては、発光層より放出
されるEL光の波長域において十分な透光性を有するも
のが用いられ、−数的にはガラスまたはポリエステル等
の透光性の樹脂シートが用いられる。また陽極は透明電
極であり、正孔輸送層に正孔を注入し、かつ発光層で放
出されたEL光を基板に透過させるもので、ニッケル、
金、白金、パラジウムやこれらの合金あるいは酸化錫f
snOz)、酸化錫インジウム(ITO) 、沃化銅な
どの仕事関数の大きな金属やそれらの合金、化合物が用
いられる。
されるEL光の波長域において十分な透光性を有するも
のが用いられ、−数的にはガラスまたはポリエステル等
の透光性の樹脂シートが用いられる。また陽極は透明電
極であり、正孔輸送層に正孔を注入し、かつ発光層で放
出されたEL光を基板に透過させるもので、ニッケル、
金、白金、パラジウムやこれらの合金あるいは酸化錫f
snOz)、酸化錫インジウム(ITO) 、沃化銅な
どの仕事関数の大きな金属やそれらの合金、化合物が用
いられる。
また正孔輸送層は陽極より注入された正孔を発光層に輸
送する層で、正孔輸送能を有する有機化合物としては、
ポリビニルカルバゾールのような正孔輸送能に優れた高
分子化合物や正孔輸送能に優れた低分子化合物が挙げら
れる。低分子化合物の例としては、トリフェニルアミン
類、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール類等が挙げ
られ、その具体例としては、たとえば以下のようなもの
が例示される。
送する層で、正孔輸送能を有する有機化合物としては、
ポリビニルカルバゾールのような正孔輸送能に優れた高
分子化合物や正孔輸送能に優れた低分子化合物が挙げら
れる。低分子化合物の例としては、トリフェニルアミン
類、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール類等が挙げ
られ、その具体例としては、たとえば以下のようなもの
が例示される。
また発光層は正孔輸送層より輸送された正孔と電子輸送
層より輸送された電子の再結合により励気されて発光す
る層で、蛍光性有機化合物が用いられ、その具体的とし
てはたとえば以下に示す化合物が例示される。
層より輸送された電子の再結合により励気されて発光す
る層で、蛍光性有機化合物が用いられ、その具体的とし
てはたとえば以下に示す化合物が例示される。
また電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に輸
送する層で、発光層に対して優れた注入効果を有し、発
光層で生じる励起子の電子輸送層への移動を防止し、か
つ真空蒸着法による薄膜形成能に優れた有機化合物であ
り、たとえば以下に示すようなオキサジアゾール誘導体
を用いることができる。
送する層で、発光層に対して優れた注入効果を有し、発
光層で生じる励起子の電子輸送層への移動を防止し、か
つ真空蒸着法による薄膜形成能に優れた有機化合物であ
り、たとえば以下に示すようなオキサジアゾール誘導体
を用いることができる。
きhHs
また陰極は電子輸送層に電子を注入し、また発光層より
放出されたEL光を反射させるもので、仕事関数の小さ
な銀、錫、鉛、マグネシウム、マンガン、アルミニウム
等の金属やこれらの合金が使用される。
放出されたEL光を反射させるもので、仕事関数の小さ
な銀、錫、鉛、マグネシウム、マンガン、アルミニウム
等の金属やこれらの合金が使用される。
以上の各層は、ガラス等の透明基板上に順次積層されて
素子として構成されるわけであるが、素子の安定性の向
上、特に大気中の水分に対する保護のために別に保護層
を設けたり、素子全体をセル中に入れ、シリコーンオイ
ル等を封入するようにしても良い。
素子として構成されるわけであるが、素子の安定性の向
上、特に大気中の水分に対する保護のために別に保護層
を設けたり、素子全体をセル中に入れ、シリコーンオイ
ル等を封入するようにしても良い。
以上の各層はいずれも通常は真空蒸着法により順次形成
されるが、陽極および陰極はスパッタリング法等で形成
しても良い。
されるが、陽極および陰極はスパッタリング法等で形成
しても良い。
また発光層として用いる化合物によっては正孔輸送層ま
たは電子輸送層を介さなくても正孔、電子が良く注入さ
れる場合もある。このような時には正孔輸送層または電
子輸送層のいずれか一方を省略することも可能である。
たは電子輸送層を介さなくても正孔、電子が良く注入さ
れる場合もある。このような時には正孔輸送層または電
子輸送層のいずれか一方を省略することも可能である。
本発明においては陽極端部での絶縁破壊や陰極の断線を
防止するために、・有機化合物層、即ち、正孔輸送層、
発光層および電子輸送層を厚(することを検討したが、
そのうち正孔輸送層と電子輸送層の膜厚を厚くことによ
って良好EL素子を得ることができる。発光層を厚くし
た場合、発光輝度の低下が生じる。それは以下の理由に
よるものである。有機EL素子が発光するためには第1
図に示すように陽極1より正孔輸送層3に注入された正
孔6、および陰極2より電子輸送層4に注入された電子
7が発光層5中で再結合する。発光層5に使用される有
機化合物はその分子構造の違いにより正孔6または電子
7のいずれか一方をより選択的に伝導しやすい性質をも
つため、発光の生じる部分は発光層5の内部よりもむし
ろ発光層5と正孔輸送層3または電子輸送層4との界面
近傍である。例えば、発光層化合物が正孔6を選択的に
伝導しやすい場合、発光層5と電子輸送層4との界面付
近で発光が生じている。発光層化合物は正孔輸送層3お
よび電子輸送層4の化合物よりも正孔輸送能あるいは電
子輸送能が劣るため、発光層6を厚くした場合には正孔
6および電子7の再結合の効率が低下し、その結果、有
機EL素子の発光効率が低下して発光輝度の低下が生じ
る。
防止するために、・有機化合物層、即ち、正孔輸送層、
発光層および電子輸送層を厚(することを検討したが、
そのうち正孔輸送層と電子輸送層の膜厚を厚くことによ
って良好EL素子を得ることができる。発光層を厚くし
た場合、発光輝度の低下が生じる。それは以下の理由に
よるものである。有機EL素子が発光するためには第1
図に示すように陽極1より正孔輸送層3に注入された正
孔6、および陰極2より電子輸送層4に注入された電子
7が発光層5中で再結合する。発光層5に使用される有
機化合物はその分子構造の違いにより正孔6または電子
7のいずれか一方をより選択的に伝導しやすい性質をも
つため、発光の生じる部分は発光層5の内部よりもむし
ろ発光層5と正孔輸送層3または電子輸送層4との界面
近傍である。例えば、発光層化合物が正孔6を選択的に
伝導しやすい場合、発光層5と電子輸送層4との界面付
近で発光が生じている。発光層化合物は正孔輸送層3お
よび電子輸送層4の化合物よりも正孔輸送能あるいは電
子輸送能が劣るため、発光層6を厚くした場合には正孔
6および電子7の再結合の効率が低下し、その結果、有
機EL素子の発光効率が低下して発光輝度の低下が生じ
る。
従って、発光層5の厚さを抑えて、正孔輸送層3および
/または電子輸送層4を厚(することによって、陽極端
部での絶縁破壊や陰極の断線を防止することができる。
/または電子輸送層4を厚(することによって、陽極端
部での絶縁破壊や陰極の断線を防止することができる。
その厚さとしては、正孔輸送層3と電子輸送層4を合わ
せた厚さ(どちらか一方しかない場合はその厚さ)を少
なくとも陽極1の厚さより大きいことが好ましい。また
正孔輸送層3および電子輸送層4は発光層5に比べて正
孔6および電子7の輸送能が高いので、発光層5よりも
厚くすることによる発光効率の低下はわずかな程度に防
止できる。
せた厚さ(どちらか一方しかない場合はその厚さ)を少
なくとも陽極1の厚さより大きいことが好ましい。また
正孔輸送層3および電子輸送層4は発光層5に比べて正
孔6および電子7の輸送能が高いので、発光層5よりも
厚くすることによる発光効率の低下はわずかな程度に防
止できる。
[実施例]
次に本発明を実施例を挙げて説明する。
実施例r
所定形状にパターニングされた厚さ800人の酸化スズ
インジウムの陽極が形成されたガラス基板の上に正孔輸
送層、発光層、電子輸送層として下記構造式(I)、(
n)、(m)の有機化合物をこの順に真空蒸着法により
成膜形成した。
インジウムの陽極が形成されたガラス基板の上に正孔輸
送層、発光層、電子輸送層として下記構造式(I)、(
n)、(m)の有機化合物をこの順に真空蒸着法により
成膜形成した。
さらにこの上に真空蒸着法により陰極として厚さ750
人のアルミニウムを成膜し、第1表に示すような有機E
L素子を作製した。
人のアルミニウムを成膜し、第1表に示すような有機E
L素子を作製した。
第
表
このようにして作製された有機EL素子に直流電源を接
続して陽極側が高電位になるように電圧を印加して駆動
させた。素子1−Cにおいては他の素子に比べてかなり
低い電圧(10〜15■)で絶縁破壊し、また陰極の断
線による作動不能が生じた。また素子1−Bはこのよう
な問題は生じなかったものの、素子1−Aに比べて同一
印加電圧時の輝度は1局であった。一方、素子1−Aは
絶縁耐圧も約40Vと高く、輝度も25V印加時で約1
000cd/m”と3種類中最も高かった。また陰極の
断線も生じなかった。
続して陽極側が高電位になるように電圧を印加して駆動
させた。素子1−Cにおいては他の素子に比べてかなり
低い電圧(10〜15■)で絶縁破壊し、また陰極の断
線による作動不能が生じた。また素子1−Bはこのよう
な問題は生じなかったものの、素子1−Aに比べて同一
印加電圧時の輝度は1局であった。一方、素子1−Aは
絶縁耐圧も約40Vと高く、輝度も25V印加時で約1
000cd/m”と3種類中最も高かった。また陰極の
断線も生じなかった。
実施例2
実施例1と同様な陽極の形成されたガラス基板の上に正
孔輸送層、発光層兼電子輸送層として下記構造式(IV
)、(V)の有機化合物をこの順に真空蒸着法により成
膜形成した。
孔輸送層、発光層兼電子輸送層として下記構造式(IV
)、(V)の有機化合物をこの順に真空蒸着法により成
膜形成した。
さらにこの上に陰極としてマグネシウム/銀の合金(原
子比で10:1)を厚さ750人に真空蒸着し、第2表
に示すような有機EL素子を作製した。
子比で10:1)を厚さ750人に真空蒸着し、第2表
に示すような有機EL素子を作製した。
第
表
このようにして作製した有機EL素子を実施例1と同様
に駆動させたところ、同一印加電圧での輝度は素子2−
Cが最も高く(5v駆動時で約1500cd/m2)
、次が素子2−A(同 約1200cd/m2)最も低
いのが素子2−B(同 約700 cd/m”)であっ
た。ところが素子2−Cは約15Vで絶縁破壊な生じ、
その他陰極の断線による作動不能部分が見られたが、こ
れに対して素子2−A 、2−Bは約35Vまで絶縁耐
圧を示し、この時の輝度は素子2−Cで約6000cd
/m”、2−Bで約3500cd/m2であった。
に駆動させたところ、同一印加電圧での輝度は素子2−
Cが最も高く(5v駆動時で約1500cd/m2)
、次が素子2−A(同 約1200cd/m2)最も低
いのが素子2−B(同 約700 cd/m”)であっ
た。ところが素子2−Cは約15Vで絶縁破壊な生じ、
その他陰極の断線による作動不能部分が見られたが、こ
れに対して素子2−A 、2−Bは約35Vまで絶縁耐
圧を示し、この時の輝度は素子2−Cで約6000cd
/m”、2−Bで約3500cd/m2であった。
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように本発明の有機薄膜型電界発
光素子においては、陽極端部の絶縁破壊や陰極の断線を
防止することができるので耐久性が向上する。また発光
層を厚くする場合に比べて発光輝度の低下も防止できる
ので高い発光効率を有する有機薄膜型電界発光素子を提
供できる。
光素子においては、陽極端部の絶縁破壊や陰極の断線を
防止することができるので耐久性が向上する。また発光
層を厚くする場合に比べて発光輝度の低下も防止できる
ので高い発光効率を有する有機薄膜型電界発光素子を提
供できる。
第1図は有機薄膜型電界発光素子が発光する状態を示す
断面図、第2図は従来の無機薄膜型電界発光素子の模式
断面図、第3図は従来の有機薄膜型電界発光素子の一例
の模式断面図である。 1・・・陽極、2・・ 陰極、3・・・正孔輸送層、4
・・・電子輸送層、5・・・発光層、6・・・正孔、7
・・・電子、8・・・ガラス基板、9・・・透明電極、
10・・・絶縁層、11・・・発光層、12・・・絶縁
層、 13・・・ 金属電極、 14・・・ 電源、 15・・・ 基板、 16・ 陽極、 17・・・ 正孔輸送層、 発光層、 電子輸送層、 20・・・ 陰極。
断面図、第2図は従来の無機薄膜型電界発光素子の模式
断面図、第3図は従来の有機薄膜型電界発光素子の一例
の模式断面図である。 1・・・陽極、2・・ 陰極、3・・・正孔輸送層、4
・・・電子輸送層、5・・・発光層、6・・・正孔、7
・・・電子、8・・・ガラス基板、9・・・透明電極、
10・・・絶縁層、11・・・発光層、12・・・絶縁
層、 13・・・ 金属電極、 14・・・ 電源、 15・・・ 基板、 16・ 陽極、 17・・・ 正孔輸送層、 発光層、 電子輸送層、 20・・・ 陰極。
Claims (1)
- 基板上に陽極、有機化合物薄膜による少なくとも一層
以上の電荷キャリア輸送層および発光層、および陰極が
この順に積層形成された有機薄膜型電界発光素子におい
て、該電荷キャリア輸送層の厚さの総計が該陽極の厚さ
と同等以上であることを特徴とする有機薄膜型電界素子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132108A JPH0428196A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132108A JPH0428196A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0428196A true JPH0428196A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15073632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2132108A Pending JPH0428196A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0428196A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343569A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Mitsui Chemicals Inc | 有機電界発光素子 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2132108A patent/JPH0428196A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343569A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Mitsui Chemicals Inc | 有機電界発光素子 |
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