JP5744523B2 - 有機発光素子用基板およびその基板を組み込んだ有機発光素子 - Google Patents

Description

本発明の主題は、有機発光素子用基板およびその基板を組み込んだ有機発光素子である。

知られている有機発光システムまたはＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）は、１つ以上の電界発光材料を備え、有機電界発光材料は、通常は、この、またはこれらの電界発光材料に隣接する２層の導電性層の形態の電極により電力を供給される。

これらの導電性層は一般に、ほとんどの場合、略称ＩＴＯでよく知られる錫ドープ酸化インジウムの酸化インジウム系の層を備える。ＩＴＯ層は、特に研究がなされてきた。ＩＴＯ層は、酸化物ターゲット（非反応性スパッタリング）、またはインジウムおよび錫系ターゲット（酸素系酸化剤の存在下の反応性スパッタリング）によるマグネトロンスパッタリングにより容易に蒸着され、ＩＴＯ層の厚さは約１００から１５０ｎｍである。しかしながら、このＩＴＯ層には、いくつかの欠点がある。まず、導電性を向上させるための材料および高温（３５０°）蒸着工程はさらにコストがかかる。層の厚さが１５０ｎｍを超えない限り、シート抵抗は比較的高い（約１０Ω／□）ままであるが、透明度は低下し表面粗度が高くなるので、ＯＬＥＤには致命的な欠点である。

さらに、広い面積全体に均一に照射するためには、典型的には数ｍｍ^２の電極帯を形成することによって不連続な下部電極を形成し、その電極帯間の距離を典型的には約１０ミクロン程度に大幅に減らすことが必要である。また、このためには、特に、コストのかかる複雑なフォトリソグラフィーおよびパッシベーション技術が使用される。

したがって、新規な電極構造は、照明用のほぼ白色の光を発するＯＬＥＤ素子を製造するために、ＩＴＯの代わりに金属薄膜を使用して開発される。

ほぼ白色の光を発する有機発光素子は、例えば、米国特許出願公開第２００５／００７３２２８Ａ１号明細書で知られている。この有機発光素子は、一般には下部または底部電極と呼ばれる電極を備え、該電極は以下の層：
吸収低減副層、
例えば、２２．５ｎｍの銀層などの半反射性金属薄層、
ＩＴＯなどの透明導電性材料からなる被覆層とのスタックからなる。

上部電極は、それ自体が、例えば、７５．５ｎｍの銀層のような反射不透明金属薄層からなる。

これらの２つの金属層は、所与の共振波長を中心としてＯＬＥＤ素子の発光スペクトルを発生させるＦｅｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔタイプのマイクロキャビティを形成する。

この発光スペクトルは観測角に強く依存するので、ＯＬＥＤ素子はさらに、可視領域に単一の広帯域発光スペクトルを形成することによってこの角度依存を低減することができる光学要素を備える。

この光学要素は、内部全反射フラストレートシステム（「ＴＩＲＦ」または内部全反射フラストレータ）であり、下部電極の下または基板の反対面に配置される。これは、例えば、テフロン（登録商標）フォイルの形態である。

本発明が本発明の基板を設置する目的は、可視領域における多色発光スペクトルの角度依存を制限すると同時に、より単純および／またはより有効な設計のＯＬＥＤ素子を提供することである。

特に、一般的な（建築用および／または装飾用の）照明用途、および／またはバックライト用途、および／または標示用途に、特に適しており、任意のサイズに対応したＯＬＥＤ素子を開発するのが課題である。

この目的を達成するために、本発明の第１の主題は、有機発光素子用の基板である。該基板は、光学指数ｎ０で、第１の主要面に下部電極として知られている電極の第１の透明または半透明コーティングを担持する透明基板を備える。該電極は：
所与の光学的厚さＬ１を有し、光学指数ｎ１のｎ０に対する比が６／５以上になるような光学指数ｎ１を有する反射防止副層と、
所与の厚さｅ１を有する第１の金属層（それにより第１の反射体を形成する）と、
第１の金属層上に位置決めされた所与の光学的厚さＬ２を有する第１の分離層と、
固有の電気伝導特性を有し（それにより、第２の反射体を形成する）、所与の厚さｅ２を有する第２の金属層であって、第１の分離層上に位置決めされる第２の金属層と、
仕事関数を調整するための被覆層であって、第２の金属層上に位置決めされ、所与の厚さｅ３を有する被覆層とのスタックを備える。

さらに、本発明によれば：
Ｌ１は２０ｎｍから１２０ｎｍであり、
Ｌ２は７５ｎｍから２００ｎｍ、特に、１６０ｎｍから２００ｎｍであり、
第１の金属層と第２の金属層の厚さの合計ｅ１＋ｅ２は、吸収を低減するために４０ｎｍ以下、特に、２５ｎｍ以下であり、
下部電極は、シート抵抗が６Ω／□以下である。

このように、少なくとも２つの金属層を備える電極構造の選択は、光学的厚さＬ１およびＬ２の賢明な選択と組み合わせることによって、観測角に応じて色の変化を大きく低減することができる。

より正確には、第１の電極（基板に最も近い電極である下部電極）に２つの金属層が存在することで、ＯＬＥＤ素子が完成されると、可視領域で十分に離間した（少なくとも１００ｎｍあるいは２００ｎｍ離間するのが好ましい）、例えば、一方は４５０ｎｍで他方は６５０ｎｍの２つの異なる波長で（それぞれ第１の金属薄層と第２の電極との間、および第２の金属薄層と第２の電極との間で）共振するマイクロキャビティを形成することができる。本発明に従ってＬ１値とＬ２値との範囲を正確に調節する（結局、２つのマイクロキャビティの光学的距離を調節することになる）ことで、可視領域における単一の広帯域スペクトルを形成するためにこれら２つのピークは大きくなる。

対象とするスペクトルは、可視領域でほぼ「フラット」で、（疑似）純白色光を生成するスペクトルか、特に、バックライトや照明の分野の仕様に対応する任意の他のスペクトル、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の座標（０．４５、０．４１）で定義される照明Ａのスペクトル（「黄色」光）、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の座標（０．３３、０．３３）で定義される照明Ｅのスペクトル（「白色」光）などとすることができる。

最適な演色効果を得るために、Ｌ１およびＬ２の選択により得られる共振は、干渉効果により、ＯＬＥＤシステムの発光層の一色または複数色の発光スペクトルを大きく減衰しないのが好ましい。例えば、減衰は、７０％未満、または５０％以下としてもよい。

有利には、できるだけ角度依存を制限するために：
Ｌ１は１００ｎｍ以下、より好ましくは、８０ｎｍ以下で、および／または
Ｌ１は４０ｎｍ以上、より好ましくは、さらに５０ｎｍ以上で、および／または
Ｌ２は１６０ｎｍあるいは１３０ｎｍ以下で、および／または
Ｌ２は９０ｎｍ以上で、および／または
Ｌ１はＬ２未満で、特にＬ１は少なくとも１．５Ｌ１あるいは１．６５Ｌ１以上、好ましくは２．５Ｌ１あるいは２Ｌ１未満である。

電極は、できる限り透明にするように最適化されるのではなく、広帯域放射体に適するマイクロキャビティを生成するように最適化される。

さらに、驚くことに、第２の銀層を追加することで、ＯＬＥＤ素子により発せられる光学的放射の空気中への抽出効率、すなわち、光源により発せられた全光パワーに対する空気中に出る光パワーの比を低減することはほとんどなくなる。

このような電極を備えたＯＬＥＤ素子は、単純で、小型で、信頼性が高く、ロバストな設計であり、米国特許出願公開第２００５／００７３２２８Ａ１号明細書の解決策に見られるような追加の機能要素に依存しない。しかしながら、米国特許出願公開第２００５／００７３２２８Ａ１号明細書に示されているこの機能要素（体積散乱層または表面散乱層、テフロン（登録商標）フォイルなど）を追加することで、さらに本発明のＯＬＥＤ素子の光抽出を増加させることが可能である。

本発明の電極は、広い表面積、例えば０．０２ｍ^２以上あるいは０．５ｍ^２または１ｍ^２以上の表面積に及ぶ場合もある。

本発明の電極は、十分な電気伝導特性を保持し、またはさらには、第１の分離層が絶縁層でない場合に電気伝導特性を向上させる。

用語「層」は、本明細書の意味では、１つの材料からなる層（単層）または各々が異なる材料からなる複数層（多層）からなる層であり得ること意味することを理解すべきである。

本明細書の意味では、特に別途指示がない限り、厚さは幾何学的厚さに相当する。

本明細書の意味では、表現「〜系の」は、通常は、主に当該材料を含む、すなわち、容積の少なくとも５０％はこの材料を含む層を意味するものと理解される。

本明細書の意味では、「〜と〜との間」は、当然、示される制限値を意味すると理解される。

本発明では、下部層「ｘ」または別の層「ｙ」の下の層「ｘ」（つまり、層「ｘ」は層「ｙ」より基板に近いことを意味する）について言及する。

光学指数ｎ０、ｎ１については、５５０ｎｍにおける値が選択され得る。

（第１の分離層のような）反射防止副層が多層であることも可能であるので、当然、光学的厚さＬ１（またはＬ２）は当該層の各々の光学的厚さの合計であり、光学指数ｎ１は、多層の指数である。したがって、合計は全ての層について、層の厚さに層の光学指数を乗じた積から求められる。

当然、反射防止副層（場合によっては基層および／または場合によっては平滑層および／または接触層）および第１の分離層（場合によっては追加層および／または場合によっては平滑層および／または接触層）は、誘電性（すなわち、非金属）であるのが好ましい（不可欠である）。

当然、反射防止副層、第１の分離層、被覆層は、薄層からなることが好ましい。

第１の金属層および／または第２の金属層は：
第１の選択として、銀、金、アルミニウム、もしくは銅の群、または第２の選択として、モリブデンなどの他の導電性の劣る金属から選ばれた純粋な材料系、または
上述の材料のうちの１つがＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、もしくはＳｎの群から選ばれた少なくとも１つの他の材料で合金された、またはドープされた材料系であって、特に、銀の耐湿性を向上させるために、銀とパラジウムおよび／または金および／または銅との合金系とすることが好ましい。

第１の金属層は、特に、電極の電気導電性に寄与しない場合、モリブデン製とすることができる。

第１の金属層および第２の金属層は、１つの同じ材料製としてもよい。

１つの好ましい設計では、第１の金属層および第２の金属層は銀系金属層であり（すなわち、純銀製または主に銀を含む金属合金からなり）、任意に：
厚さｅ１は１５ｎｍ以下、特に、６から１５ｎｍあるいは１３ｎｍ以下、および／または１３ｎｍ以下、および／または
厚さｅ２は１５ｎｍ以下、特に、６から１５ｎｍあるいは１３ｎｍ以下、および／または１０ｎｍ以上、および／または
厚さｅ１は厚さｅ２より（１から数ナノメートル）厚い。

当然、第１の金属層および／または第２の金属層は、金属多層としてもよい。

有利には、本発明の下部電極は：
特に、（機能的な）６ｎｍ以上の第２の金属層の厚さ、場合によっては、同様に機能的な６ｎｍ以上に選択された第１の金属層の厚さに対して３Ω／□以下のシート抵抗、および／または
５０％以上、好ましくは６０％から９０％、またはＯＬＥＤの性能を損なわなければそれ以上の光透過率Ｔ_Ｌを有することができる。

当然、電極は、第２の金属層と被覆層の間に、場合によっては１回または複数回繰り返された一連の層を備え、その列は：、
第１の分離層で挙げられたような材料からなり、場合によっては第１の分離層と１つの同じ材料からなり、および／または第１の分離層で示された範囲の光学的厚さを有し、好ましくは導電性である別の分離層から、
金属層で挙げられたような材料からなり、場合によっては１つの第２の金属層と同じ材料からなり、特に銀系の別の金属層が（直接または間接的に）載せられて形成される。

この場合、金属層の厚さの合計は、４０ｎｍ以下であるのが好ましい場合がある。

反射防止副層は１つ以上の層を備えることができる。この１つ以上の層各々は、典型的には１０ｎｍ未満の薄い厚さと、例えば、基板の光学指数に近い光学指数とを有する場合には特に、反射防止機能を妨げない。

好ましくは、反射防止副層は、以下の特徴のうち少なくとも１つの特徴を有することができる：
好ましくは、基板上に直接蒸着される、および／または
単層、二重層、三重層である、および／または
特に、約１．５の光学指数の基板または高指数の基板に対して、１．８あるいは２以上の光学指数ｎ１を有する、および／または
反射防止副層を形成する層の大部分あるいは全体（あるいは基板と第１の金属層との間の層全体）が１．８あるいは２以上の光学指数ｎ１を有する、および／または
基板と第１の金属層との間の層全体が１２０ｎｍ以下の光学的厚さを有する、および／または
好ましくは基板の前記主要面をほぼ覆い、好ましくはアルカリ金属のバリア（必要な場合）および／または（ドライおよび／またはウェット）エッチング停止層および／または平滑層を形成する基層、すなわち基板に最も近い層を備える。

基層の例として、酸化チタン層または酸化錫層が挙げられる。

アルカリ金属のバリア（必要な場合）および／またはエッチング停止層を形成する基層は、好ましくは：
酸化炭化ケイ素（一般式ＳｉＯＣ）系、
窒化ケイ素（一般式Ｓｉ_ｘＮ_ｙ）、特に、Ｓｉ_３Ｎ_４系、
酸化窒化ケイ素（一般式Ｓｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）系、
酸化炭化窒化ケイ素（一般式Ｓｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚＣ_ｗ）系、
あるいは、酸化ケイ素（一般式Ｓｉ_ｘＯ_ｙ）系で、厚さが１０ｎｍ未満とすることができる。

他の酸化物および／または窒化物が選択される場合もある。特に：
酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、
酸化チタン（ＴｉＯ_２）、
酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、
酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、
あるいは、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、または窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせがあり、場合によってはＺｒドープされている。

基層の窒化は、わずかに半化学量論的組成になる可能性がある。

このようにして、基層は電極の下部にあるアルカリ金属のバリアとなることができる。基層は、任意の上層、特に、第１の金属層の下にある接触層をいずれの汚染（層間剥離などの機械的欠陥を招く可能性のある汚染）からも保護し、さらに第１の金属層の電気伝導性を維持する。また、基層は、ＯＬＥＤ素子の有機的構造が、実際にＯＬＥＤの寿命を大幅に短くするアルカリ金属により汚染されるのを防止する。

アルカリ金属のマイグレーションは、素子の製造時に発生する場合があり、このために信頼性の欠如を招き、および／または素子の製造後発生する場合には、寿命を短くしてしまう。

基層は、１つ以上の層（平滑層など）が基層と接触層との間に介在している場合でさえ、層のスタック全体の粗度を十分に高めなくても、接触層の接着性能を向上させることができる。

基部は、場合によっては、特にその指数を高くするためにドープされる。基部は、３ｎｍあるいは５ｎｍ以上の厚さを有し得るのが好ましい。

所望の光学的厚さＬ１にするために、反射防止副層を選択することが可能であり、その反射防止層の幾何学的厚さの少なくとも５０％あるいは６０％以上は基部からなる。反射防止副層は、特に：
単独またはベーススタックのＳｉ_ｘＮ_ｙ（特に、Ｓｉ_３Ｎ_４）の層、
単独またはＳｉ_ｘＮ_ｙ／ＳｎＯ_２タイプのベーススタックでのＳｎＯ_２の層、
あるいは、単独またはＳｉ_ｘＮ_ｙ／ＳｎＯ_２タイプのベーススタックのＴｉＯ_２の層とすることができ、場合によっては、ＴｉＯ_２は高い光学指数のために厚さが限定されている。

反射防止副層は、特に、酸化錫系層のエッチング停止層を備えるのが好ましい。

特に、単純化するために、エッチング停止層は基層の一部または基層自体としてもよい。エッチング層は、窒化ケイ素系層とするのが好ましく、または酸化ケイ素系、あるいは酸化窒化ケイ素系、酸化炭化ケイ素系あるいは酸化炭化窒化ケイ素系で、エッチング防止特性による強化のための錫を含有する層、すなわち、一般式ＳｎＳｉＯＣＮの層としてもよい。

エッチング停止層は、化学エッチングまたは反応性プラズマエッチング操作の場合に、基板を保護するのに使用される。

エッチング停止層によって、基層は依然としてエッチング（「パターン化」）領域に存在する。また、エッチング領域の基板と電極（あるいは有機構造物）の隣接部との間でのエッジ効果によるアルカリ金属のマイグレーションは、停止され得る。

（主に）ドープまたは非ドープの窒化ケイ素Ｓｉ_３Ｎ_４からなる基層／エッチング停止層が、最も好ましい。窒化シリコンは、非常に速く蒸着され、アルカリ金属の優れたバリアを形成する。

特に銀系の第１の金属層は、第１の接触層と呼ばれる誘電性（非金属）薄層（結晶質であるのが好ましい）上に結晶形態で蒸着され得るのが好ましい。

代替形態として、または追加形態として、特に銀系の第２の金属層は、第２の接触層と呼ばれる誘電性（非金属）薄層（結晶質であるのが好ましい）上に結晶形態で蒸着され得るのが好ましい。

接触層は、その上に蒸着される金属層の適切な結晶配向を促す。

第１の接触層および／または第２の接触層は、場合によってドープされた以下の金属酸化物、酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的組成の酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化錫、酸化タンタル、または酸化ケイ素（分かりやすくするために、ケイ素は、本明細書では金属と見なす）の少なくとも１つの金属酸化物系であるのが好ましい。

ドーピングは、一般に、層内に金属要素の１０重量％未満の量の要素を導入することとして理解されており、したがって、表現「〜系」はドーピングを含める表現である。金属酸化物は、特に、例えば、ＦドープまたはＳドープ酸化錫を使用して０．５から５％ドープされ得る。

第１の接触層としては、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛系）、ＩＧＺＯ（インジウムガリウム亜鉛系）、あるいはＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚが特に選択され得る。

第２の接触層としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、あるいはＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚが特に選択され得る。

第１の接触層および／または第２の接触層は、蒸着工程でより安定させるために、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、あるいはＢ、Ｓｃ、Ｓｂでドープされた酸化亜鉛系であり得るのが好ましい。また、酸化亜鉛ＺｎＯ_ｘの層は、好ましくはｘが１未満、より好ましくはさらに０．８８から０．９８、特に０．９０から０．９５である層であるのが好ましい。

また、第１の接触層および／または第２の接触層は、特に、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、あるいはＧａＮ、ＩｎＮ（一般にはより高価である）の窒化金属系とすることができる。この場合、第１の接触層は、特に基層が窒化ケイ素系である場合に、基層と融合する場合がある。

さらに、電流の注入を促進するために、および／または動作電圧の値を限定するために、好ましくは：
第１の分離層は、１０^７Ω．ｃｍ以下、好ましくは１０^６Ω．ｃｍ以下、あるいは１０^４Ω．ｃｍ以下の電気抵抗率（文献で知られているように、バルク状態で）を有する層（後述する遮断薄層とは異なる）からなり、
および／または、反射防止副層（および／または被覆層）は、１０^７Ω．ｃｍ以下、好ましくは１０^６Ω．ｃｍ以下、あるいは１０^４Ω．ｃｍ以下の電気抵抗率（文献で知られているように、バルク状態で）を有する層（後述する遮断薄層とは異なる）からなるように規定されてもよい。

したがって、例えば、窒化ケイ素系、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素系、酸化炭化ケイ素系、酸化炭化窒化ケイ素系あるいは酸化チタン系の１つ以上の層（少なくとも（全体の）厚さが１５ｎｍあるいは１０ｎｍ、さらには５ｎｍ以上である）を除外することが可能である。

第１の金属層および／または第２の金属層は、（後述する下方遮断層を考慮しないで）それらの接触層上に直接蒸着され得るのが好ましい。

当然、単純化するために、第１の接触層および第２の接触層は、１つの同じ材料製としてもよい。

第１の接触層の厚さおよび／または第２の接触層の厚さは、３ｎｍ以上あるいは５ｎｍ以上であるのが好ましく、さらに２０ｎｍ以下あるいは１０ｎｍとする場合もある。

既に記述したように、列が繰り返される（３層以上の金属層を有する電極）場合、重ねられる金属層または各金属層は、接触層で上述した１つ以上の材料からなる接触層上に重ねられ得る。

下部電極で覆われる本発明の基板は、被覆層上の最も低い点ともっとも高い点との間の差（「山から谷」の高さ）が１０ｎｍ以下であるような低い粗度を有するのが好ましい。

下部電極で覆われる本発明の基板は、被覆層上では、特にＯＬＥＤの寿命を著しく短くし、信頼性を著しく低下させるスパイクの影響を避けるために、１０ｎｍ以下、あるいは５または３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ、１．５ｎｍ、あるいは１ｎｍ以下のＲＭＳ粗度を有するのが好ましい。

ＲＭＳ粗度は、二乗平均平方根粗さを示す。これは、粗度のＲＭＳ偏差の尺度である。したがって、ＲＭＳ粗度は、粗度の山と谷との高さを平均高さと比較した平均的な数値で明確に表わす。したがって、２ｎｍのＲＭＳ粗度は、２倍の山の平均振幅を意味する。

ＲＭＳ粗度は、種々の方法で測定されてもよい。例えば、原子間力顕微鏡法、機械的触針システム（例えば、商品名「ＤＥＫＴＡＫ」のＶＥＥＣＯにより販売されている測定機器を使用して）、任意の干渉分光法によって測定されてもよい。測定は、一般に、１平方ミクロンの面積では原子間力顕微鏡法によって行われ、約５０平方ミクロンから２平方ｍｍのそれより広い面積では、機械的触針システムによって行われる。

この低粗度は、特に、基板が第１の平滑層、特に非結晶質の平滑層を備えるときに得られ、前記第１の平滑層は、第１の接触層の直下に位置決めされ、接触層の材料以外の材料からなる。

第１の平滑層は、以下の金属の１つ以上の酸化物系のドープまたは非ドープの単体酸化物または複合酸化物の層であるのが好ましい。その金属として、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎが挙げられる。特に、場合によってはドープされた亜鉛錫系の複合酸化物層、またはインジウム錫複合酸化物（ＩＴＯ）層、またはインジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）層であるのが好ましい。

第１の平滑層は、特に、好ましくは非化学量論的組成であり非晶相の、場合によっては、特にアンチモンドープ亜鉛錫複合酸化物（Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ）系、または特に低い温度で蒸着されたインジウム錫複合酸化物（ＩＴＯ）系、またはインジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）系としてもよい。

この第１の平滑層は、基層上に、あるいは基板の直上に位置してもよい。

また、第２の接触層の直下に、第１の平滑層ですでに挙げられた材料からなる第２の平滑層を使用することも可能である。

当然、単純化するために、第１の平滑層と第２の平滑層とは、１つの同じ材料製としてもよい。

さらに一般的には、第１の金属層（任意の下方遮断層とは異なる）の直下に、ドープまたは非ドープの、場合によっては酸素の非化学量論的組成であるＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ層を使用する、および／または第２の金属層（任意の下方遮断層とは異なる）の直下に、ドープまたは非ドープのＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ層を使用することも可能である。

第１の分離層は、第２の接触層の下および任意の第２の平滑層の下に、酸化亜鉛（例えば、アルミニウムドープされた）、酸化錫などの場合によってはドープ金属酸化物の第１の追加層および／または窒化ケイ素系の第２の追加層を備えることができる。

追加層は、第２の接触層の材料からなり、特に、ＺｎＯ系であることが好ましい。

ＺｎＯ系あるいはＩＴＯ系の追加層（詳細に後述される上方遮断層を有する、または持たない）は、特に、銀層と適合することがわかった。

追加層の厚さは（第１の接触層および／または第２の接触層の厚さと同じように）、３ｎｍ以上あるいは５ｎｍ以上にするのが好ましく、さらに、２０ｎｍあるいは１０ｎｍ以下としてもよい。

所望の光学的厚さＬ２を得るために、任意の追加層の厚さおよび／または第２の接触層の厚さを示されるように限定することができ、および／または幾何学的厚さの少なくとも５０％あるいは６０％、７０％、７５％以上が、特にＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ単層、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ単層、または上方にあるＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚもしくはＳｎＯ_２との混合層である平滑層（場合によっては接触層を形成する）からなる第１の分離層を選ぶことが可能である。例えば、（特に、ＺｎＯ系の任意の接触層の下に）Ｓｉ_３Ｎ_４／Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ、Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｎＯ_２、Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚの単層が設けられる。

所望の光学的厚さＬ１を得るために、第１の接触層の厚さを示されるように限定することができ、および／または幾何学的厚さの少なくとも５０％あるいは６０％、８０％以上が基層および／または、特にＳｉ_ｘＮ_ｙ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２の単層またはスタック層の第１の平滑層（場合によっては基層を形成する）および／または基板の直上に位置決めされるのが好ましいＳｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ平滑層からなる。例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４／Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚの混合層、ＳｎＯ_２／Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ、ＳｎＯ_２／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ、Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚの単層が設けられる。

すでに記述したように、順次追加される（３層以上の金属層を有する電極）場合、追加される分離層または各分離層は、任意の上方遮断層および／または下方遮断層と共に、上述の材料からなる平滑層および／または接触層を備えることができる。

仕事関数を調整する被覆層は、４．５ｅＶから、好ましくは５ｅＶ以上の仕事関数Ｗｓを有することができる。

本発明の被覆層は、場合によってはドープされた以下の金属酸化物、酸化錫、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的組成の酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化ケイ素、または酸化ニオブの少なくとも１つの金属酸化物系の単体酸化物または複合酸化物系であるのが好ましい。

この被覆層は、特に、場合によってはＦドープまたはＳｂドープ酸化錫からなる、または場合によってはアルミニウムドープ酸化亜鉛からなる、または場合によっては、特に、インジウム錫複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、または亜鉛錫の複合酸化物Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚの複合酸化物系とすることができる。

この被覆層は、４０ｎｍ以下、特に３０ｎｍ以下、例えば、１５から３０ｎｍの厚さｅ３を有し得るのが好ましい。

あるいは、本発明の被覆層は、特に、ニッケル、白金、またはパラジウム系で、例えば、５ｎｍ以下、特に１から２ｎｍの厚さを有する金属薄層で、被覆層または平滑層または接触層で上述したような単体金属酸化物または複合金属酸化物からなるスペーサ層と呼ばれる上層により第２の金属層から分離されてもよい。

本発明の下部電極は、特にスタックの材料として、ＩＴＯなどの周囲温度で蒸着可能で、正確な電気伝導性を得るのに熱アニーリングを必要としない材料を選択することで、製造しやすい。より好ましくは、スパッタリング法、場合によってはマグネトロンスパッタリング法によりスタックのほとんどあるいは全ての層が真空下で（好ましくは連続的に）蒸着され、このことが生産性の大きな伸びにつながる。

さらに、下部電極のコストを減らすために、この電極のインジウムを含む（好ましくは、優位に、すなわち、インジウムの重量％が５０％以上の）材料の全体の厚さが６０ｎｍ以下あるいは５０ｎｍ、４０ｎｍ、さらには３０ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、厚さを限定するのが好ましい層としてＩＴＯおよびＩＺＯが挙げられる。

好ましくは：
反射防止副層は、特に、金属酸化物製の平滑層および接触層からなる（遮断薄層とは異なる）二重層であり、
および／または、第１の分離層（遮断薄層とは異なる）は、金属酸化物製で平滑層と接触層とを有する二重層である、または金属酸化物製で第１の層として追加層を有する三重層である。

また、特に、第１の金属層および／または第２の金属層が銀系である場合に、それらの層の真下、上面または両側に蒸着される「遮断コーティング」と呼ばれる１つまたは２つの非常に薄いコーティングを備えることもできる。

基板の方向に向かって、金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）の下にある下方遮断コーティングは、接着コーティング、核（ｎｕｃｌｅａｔｉｎｇ）コーティング、および／または保護コーティングである。

金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）の上にある上方遮断コーティングは、上に重ねられた層からの酸素の攻撃および／またはマイグレーションによる金属層の損傷、または上に重ねられた層が酸素存在下でスパッタリングにより蒸着される場合には酸素のマイグレーションによる金属層の損傷を防ぐように、保護または「犠牲」コーティングとなる。

このように、金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）は、少なくとも１つの下方遮断コーティングの直上および／または少なくとも１つの上方遮断コーティングの直下に位置決めされ、各コーティングは、０．５から５ｎｍの厚さを有するのが好ましい。

本発明の枠においては、層またはコーティング（１つ以上の層を備える）の蒸着物が別の蒸着物の直下または直上で形成されると指定される場合、これらの２つの蒸着物の間に別の層が介在しない可能性がある。

少なくとも１つの遮断コーティングは、好ましくはＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１つの金属系、または前記材料の少なくとも１つを含む合金系で、好ましくは、ＮｉもしくはＴｉ系、Ｎｉを含む合金系、またはＮｉＣｒの合金系の金属層、窒化金属層、および／または金属酸化物層を備える。

例えば、遮断コーティングは、ニオブ、タンタル、チタン、クロム、ニッケル系または前記金属の少なくとも２つで形成された合金系、例えば、ニッケルクロム合金系の層からなる場合がある。

遮断薄層は、保護層あるいは「犠牲」層を形成し、特に、以下の構造の１つおよび／または他の構造の場合に、金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）の金属の損傷を防ぐ：
金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）の上に重なる層が反応性プラズマ（酸素、窒素など）を使用して蒸着される場合、例えば、金属層の上に重なる酸化物層がスパッタリングにより蒸着される場合、
金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）の上に重なる層の組成が工業製造時に変化しやすい（ターゲットが摩耗するタイプの蒸着状態の変化など）場合、特に、酸化物および／または窒化物タイプの層の化学量論的組成が変化して、したがって金属層の品質ひいては電極の特性（シート特性、光透過性など）を変化させる場合、および
電極のコーティングが蒸着後に熱処理を受ける場合。

この保護または犠牲層は、電極の電気特性や光学特性の再現性を大きく改善する。これは、電極の特性のほんのわずかなばらつきしか許容されない工業的手法にとっては非常に重要である。

ニオブＮｂ、タンタルＴａ、チタンＴｉ、クロムＣｒ、ニッケルＮｉから選択された金属系、またはこれらの金属の少なくとも２つから形成された合金、特に、ニオブ／タンタル（Ｎｂ／Ｔａ）合金、ニオブ／クロム（Ｎｂ／Ｃｒ）合金、タンタル／クロム（Ｔａ／Ｃｒ）合金、またはニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金系の遮断薄層が、特に好ましい。少なくとも１つの金属系のこのタイプの層は、特に、高いゲッタリング効果を有する。

遮断金属薄層は、金属層（第１の金属層および／または第２の金属層）を損傷しないで容易に製造できる。この金属層は、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ）からなる不活性雰囲気中（すなわち、酸素または窒素が意図的に導入されていない）で蒸着され得るのが好ましい。金属酸化物系の層の次の蒸着のときに、金属層が表面で酸化されるのは例外ではないし、また問題でもない。

また、遮断金属薄層は、優れた力学的挙動（特に、摩擦抵抗および引っかき抵抗）を備える。

しかしながら、遮断金属層を使用するために、金属層の厚さ、ひいては光吸収を制限して、透明電極の十分な光透過性を保持するする必要がある。

遮断薄層は、部分的に酸化されてもよい。この層は、非金属形態で蒸着され、したがって、化学量論的形態ではなく、ＭＯ_ｘタイプ（Ｍは材料を示し、ｘは材料の酸化物の化学量論比より小さい数字である）、またはＭおよびＮの２つの材料（または２つ以上の材料）の酸化物のＭＮＯ_ｘタイプの半化学量論的形態で蒸着される。例えば、ＴｉＯ_ｘおよびＮｉＣｒＯ_ｘが挙げられる。

ｘは酸化物の通常の化学量論比の数字の０．７５から０．９９倍であるのが好ましい。一酸化物では、特にｘは０．５から０．９８となるように選択され、二酸化物ではｘは１．５から１．９８となるように選択され得る。

１つの特定の変形例では、遮断薄層はＴｉＯ_ｘ系である（ｘは、特に、１．５≦ｘ≦１．９８または１．５＜ｘ＜１．７あるいは１．７≦ｘ≦１．９５である）。

遮断薄層は、部分的に窒化されてもよい。したがって、この層は、化学量論的形態ではなく、ＭＮ_ｙタイプ（Ｍは材料を示し、ｙは材料の窒化物の化学量論比より小さい数字である）の半化学量論的形態で蒸着される。ｙは窒化物の通常の化学量論比の数字の０．７５から０．９９倍であるのが好ましい。

同様に、遮断金属薄層は、部分的に酸化窒化されてもよい。

この酸化および／または窒化遮断薄層は、機能層を損傷せずに容易に製造できる。この層は、好ましくは希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ）からなる非酸化雰囲気中でセラミックターゲットを使用して蒸着される。

遮断薄層は、さらに電極の電気特性および光学的特性の再現性を高めるために、半化学量論的組成の窒化物および／または酸化物からなり得るのが好ましい。

選択されたこの半化学量論的組成の酸化物および／または窒化物の遮断薄層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの金属の少なくとも１つから選択される金属系、またはこれらの材料の少なくとも１つの材料系の半化学量論的組成の合金の酸化物系とし得るのが好ましい。

特に、ニオブＮｂ、タンタルＴａ、チタンＴｉ、クロムＣｒ、ニッケルＮｉから選択された金属の酸化物もしくは酸化窒化物系、またはこれらの材料の少なくとも２つから形成された合金、特に、ニオブ／タンタル（Ｎｂ／Ｔａ）合金、ニオブ／クロム（Ｎｂ／Ｃｒ）合金、タンタル／クロム（Ｔａ／Ｃｒ）合金、またはニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金系の層が好ましい。

半化学量論的組成の金属窒化物としては、窒化ケイ素ＳｉＮ_ｘ、窒化アルミニウムＡｌＮ_ｘ、窒化クロムＣｒＮ_ｘ、窒化チタンＴｉＮ_ｘ、またはＮｉＣｒＮ_ｘなどの複数の金属の窒化物からなる層を選択することも可能である。

遮断薄層は、例えば、変数ｘ_ｉを有するＭ（Ｎ）Ｏｘ_ｉのような酸化勾配を有する場合がある。遮断層の金属層と接触する部分は、特定の蒸着雰囲気を使用して、この層の金属層からさらに離れた部分よりも酸化されないようにできる。

また、遮断コーティングは多層とすることができ、特に：
１つは、前記機能層と直接接触する「界面」層であって、上述したような非化学量論的組成の金属酸化物、窒化物、または酸化窒化物系の材料からなる界面層と、
他は、上述したような金属材料からなる少なくとも１つの層であって、前記「界面」層と直接接触する層とを備える。

界面層は、任意の近接する金属層内になる金属（複数可）の酸化物、窒化物、または酸化窒化物とすることができる。

当然、単純化するために、第１および第２の上遮断層は同じ材料製とすることができ、および／または第１および第２の下遮断層は同じ材料製としてもよい。

さらに、基板は、下部電極コーティングの上面に下部バス電極構造を備えるのが好ましい。前記バス電極構造は、前記電極コーティングと電気接触する。

下部バス電極構造は、エッチングの前に電流を供給するための層の形態であり、０．５から１０μｍの厚さを有するのが好ましく、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄの１つの金属またはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの合金からなる単層、またはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層の形態であるのが好ましい。

電極の全ての層は、真空蒸着技術によって蒸着されるのが好ましいが、しかしながら、第１の層またはスタックの層が別の技術、例えば、熱分解式の加熱分解技術によって蒸着され得るのも除外されない。

全ての電極層は、１つの同じエッチングパターンでエッチングされるのが好ましく、エッチングされない基層を除いて一回のエッチングによってエッチングされるのが好ましい。エッチング停止層がある場合は、エッチング停止層は無傷であるのが好ましいが、例えば、最初の厚さの１０分の１だけわずかにエッチングされてもよい。エッチング停止層がない場合、基層にも同じことが当てはまる。

基板は、フラットまたは湾曲していてもよく、さらに、硬質、可撓性、または半可撓性としてもよい。

基板の主要面は、長方形、正方形、あるいは他の形状（円、楕円、多角形など）としてもよい。この基板は、例えば、０．０２ｍ^２あるいは０．５ｍ^２もしくは１ｍ^２より大きい表面積の大きなサイズにして、下部電極（場合によっては電極表面として知られている複数の領域に分割される）は、（構造化領域は別として、および／またはエッジ領域は別として）ほぼ全体の面積を占めるようにしてもよい。

基板は、ほぼ透明である。７０％以上、好ましくは８０％以上、あるいは９０％以上の光透過率を有することができる。

基板は、無機物としてもよいし、ポリカーボネートＰＣ、ポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ、ポリエチレンナフタレートＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミド、ポリエステルスルホンＰＥＳ、ＰＥＴ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥ、例えば、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリウレタンＰＵなどの熱可塑性樹脂シートなどのプラスチック製、エチレン酢酸ビニールＥＶＡ製、熱硬化性単一成分または多成分樹脂（エポキシ、ＰＵ）または紫外線硬化性単一成分または多成分樹脂（エポキシ、アクリル樹脂）製としてもよい。

基板は、ガラス、無機ガラス、ケイ酸塩ガラス、特に、ソーダ石灰ガラスまたはソーダ石灰シリカガラス、透明ガラスまたは超透明ガラス、フロートガラスからなり得るのが好ましい。基板は、高指数（特に、１．６より高い指数）のガラスとすることができる。

基板は、有利には、ＯＬＥＤ放射の波長で、２．５ｍ^−１未満、好ましくは０．７ｍ^−１の吸収係数を有するガラスとすることができる。

例えば、０．０５％未満のＦｅＩＩＩまたはＦｅ_２Ｏ_３が０．０５％未満のソーダ石灰シリカガラスが選択される。特に、Ｓａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ ＧｌａｓｓのガラスＤＩＡＭＡＮＴ、ＰｉｌｋｉｎｇｔｏｎのガラスＯＰＴＩＷＨＩＴＥ、またはＳｃｈｏｔｔのガラスＢ２７０が選択される。国際公開第０４／０２５３３４号パンフレットで記載されている全ての超透明ガラスの組成物が選択可能である。

ＯＬＥＤシステムの発光が透明基板の厚さを通って、発せられる放射の一部が基板内に導かれる。したがって、本発明の１つの有利な設計では、選択されたガラス基板の厚さは少なくとも１ｍｍ（例えば、少なくとも５ｍｍが好ましい）とすることができる。このことにより、内部反射の数が少なくなり、したがってガラス内の導かれる放射がより多く抽出されて、発光領域の輝度を増加させることができる。

１つの追加の構造として、本発明の基板は、第２の主要面上に、反射防止多層、防曇性または防汚性層、紫外線フィルタ、特に、酸化チタン層、蛍光体層、ミラー層または散乱光抽出領域から選択される機能コーティングを備える。

さらに、一般に、ＯＬＥＤシステムの蒸着の前に、バス電極を有する電極コーティングを備えることが好ましい。バス電極を形成する層は、電極コーティングと同時にエッチングされるのが好ましい。

ＯＬＥＤ素子で前に定義されたような、１×１ｃｍ^２または５×５ｃｍ^２以上、あるいは１０×１０ｃｍ^２以上のサイズの少なくとも１つの（固体）電極領域を備える基板を使用することができる。

ＯＬＥＤ素子で前に定義されたような、特に、１×１ｃｍ^２または５×５ｃｍ^２以上、さらには１０×１０ｃｍ^２以上のサイズの（固体）電極表面積を有する１つの（ほぼ白色および／または均一な）照明パネルまたはバックライトパネルを形成する基板を使用することができる。

したがって、ＯＬＥＤは、（ほぼ白色の）多色光で照射する（１つの電極表面積を有する）１つの照明敷石、または（ほぼ白色の）多色光で照射する（複数の電極表面積を有する）多数の照明敷石を形成するように設計されてもよい。各々の照明敷石は、１×１ｃｍ^２または５×５ｃｍ^２以上、１０×１０ｃｍ^２以上の（固体）電極表面積を有する。

したがって、本発明のＯＬＥＤは、特に照明用には、非ピクセル化電極が選択される場合がある。これは、通常は、非常に小さい寸法の３つの並列ピクセルで、各々が所与の準単色（典型的には、赤色、緑色、青色）放射を発する３つの並列ピクセルから形成される（「ＬＣＤ」などの）ディスプレイ電極と区別される。

ＯＬＥＤ素子を製造するために、本発明の基板はさらに、上述した下部電極の上面に、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の座標（ｘ１，ｙ１）で定義される多色放射を発するために設けられるＯＬＥＤシステムを備える。したがって座標は法線に対する放射に対して定められる。

ＯＬＥＤ素子は、上部電極が反射性または半反射性あるいは透明（特に、典型的には６０％以上、好ましくは８０％以上のアノードと同程度のＴ_Ｌを有する）であるか否かに応じて、下面発光型および場合によっては上面発光型とすることができる。

ＯＬＥＤ素子はさらに：
前記ＯＬＥＤシステムの上面に上部電極と、
好ましくは、上部電極コーティングの上面に、前記上部電極コーティングと電気接触する上部バス電極構造とを備え得る。

より好ましくは、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の表色（ｃｏｌｏｒｍｅｔｒｉｃ）座標（ｘ２，ｙ２）で定義されるスペクトルを出力として発するＯＬＥＤ素子が製造される。この場合、

は０．１未満、より好ましくは、０．０８以下あるいは０．０３以下である。

ＯＬＥＤシステムは、特に０°において座標（０．３３、０．３３）または座標（０．４５、０．４１）に可能な限り最も近い（ほぼ）白色の光を発するようになされてもよい。

ほぼ白色の光を生成するために、複数の方法が可能である。例えば、１つの層内で成分（赤色、緑色、青色の発光）を混合する方法、３つの有機構造物（赤色、緑色、青色の発光）または２つの有機構造物（黄色、青色）を電極の表面で積層する方法である。

ＯＬＥＤ素子は、出力として、特に０°において座標（０．３３、０．３３）または座標（０．４５、０．４１）に可能な限り最も近い（ほぼ）白色の光を生成するようになされてもよい。

また、０°における色差を評価するために、例えば、（ｘ１、ｙ１）を座標（０．３３、０．３３）または座標（０．４５、０．４１）とすることも可能である。

さらに、ＯＬＥＤ素子が製造されると、色の角度依存を判断するために、ＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図において、０°で発光されるスペクトルと６０°で発光されるスペクトルとの間で、角度Ｖ_{ｃｏｌｏｕｒ}、つまり、光路長に応じて、例えば、３０°のような少なくとも１つの中間角度を通ることによって色差が評価される。

この光路は、例えば、直線または弧などの種々の形状を有することができる。色変化の測定は、分光光度計を使用して、異なる角度で（例えば、０°と所与の臨界角θ_ｃ６０°との間で、５°ごとに）発光素子のスペクトルを測定することにより行われる。その後、角度θ_１の各スペクトルに対する表色座標がＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の（ｘ（θ_１）、ｙ（θ_１））の組で表わされる。

Ｖ_{ｃｏｌｏｕｒ}光路長は、以下の数式を使用して計算され得る。

Ｖ_{ｃｏｌｏｕｒ}光路長は最小化され、０．１以下、より好ましくは０．０８以下、または０．０５以下、さらには０．０３以下とすることができる。さらに、０°と８５°との間で光路長を最小化することによって最適化され得る。

素子は、多層グレージングユニット、特に真空グレージングユニット、または空気層または他のガスの層を有する多層ガラスユニットの一部を形成し得る。また、素子は、より小型および／または軽量にするためにモノリシック構造で、モノリシック構造のグレージングユニットを備えてもよい。

ＯＬＥＤシステムは、積層中間層、特に超透明な中間層を使用して、ガラスなどの透明であるのが好ましいカバーと呼ばれる別の平坦基板に接着され得るか、またはその基板で積層され得るのが好ましい。

積層されるガラスユニットは、通常、２枚の硬質基板からなり、それらの基板の間に熱可塑性高分子シートまたはそのようなシートの重ね合わせが配置される。本発明はさらに、特に、ガラスタイプの硬質キャリア基板の基板を使用し、被覆基板として１つ以上の保護高分子シートを使用する、いわゆる「非対象に」積層されたガラスユニットを含む。

本発明はさらに、エラストマータイプの片面または両面接着性高分子系の少なくとも１枚の中間層シート（すなわち、用語の定型的な意味での積層動作、つまり、熱可塑性中間シートを軟化させて接着させるために、通常は圧力下での加熱が必要な積層が必要でない中間シート）を有する積層ガラスユニットを含む。

この構造では、カバーをキャリア基板に固定する手段は、この場合、積層中間層、特に、例えば、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、エチレン酢酸ビニールＥＶＡの熱可塑性樹脂シート、熱硬化性単一成分または多成分樹脂（エポキシ、ＰＵ）、または紫外線硬化性単一成分または多成分樹脂（エポキシ、アクリル樹脂）とすることができる。シートは、カバーおよび基板と（ほぼ）同じ寸法であるのが好ましい。

積層中間層は、特に大きな素子、例えば、０．５ｍ^２より大きい面積の素子の場合に、カバーが折れ曲がるのを防ぐことができる。

特に、ＥＶＡは以下のような多くの利点がある：
水の含有量がほとんどない、または全くない、
加工するのに必ずしも高い圧力を必要としない。

熱可塑性の積層中間層は、注型樹脂からなるカバーとすることが好ましい。それは、製造しやすい上にコストが安く、より不浸透性が高い可能性があると考えられるからである。

中間層は、場合によっては、上部電極に面する内側面に配置された電気伝導性ワイヤのアレイ、および／またはカバーの内側面上に電気伝導性層または電気伝導性帯を含む。

ＯＬＥＤシステムは、特に、不活性ガス（例えば、アルゴン）層を有する二重グレージングユニット内部に配置され得るのが好ましい。

上部電極は、有利に金属酸化物、特に、以下の材料：
ドープされた酸化亜鉛、特に、アルミニウムドープ酸化亜鉛ＺｎＯ：Ａｌまたはガリウムドープ酸化亜鉛ＺｎＯ：Ｇａ、
あるいは、ドープされた酸化インジウム、特に、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）または亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）から選択された電気導電性層とすることができる。

一般的には、任意のタイプの透明の電気伝導性層、例えば、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層で、例えば、厚さが２０から１０００ｎｍ、典型的にはＩＴＯでは１２０ｎｍの電気伝導性層を使用することができる。

また、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、ＰｔＩｎ、Ｍｏ、またはＡｕからなり、典型的には、所望の光透過性／反射に応じて、厚さが５から１５０ｎｍの「ＴＣＣ」（透明導電性コーティング）として知られている金属薄層を使用することも可能である。例えば、銀層は、１５ｎｍ未満が透明で、４０ｎｍ以上が不透明である。

電極は、必ずしも連続体でなくてもよい。上部電極は、複数の導電性帯または導電性ワイヤ（グリッド）を備え得る。

さらに、本発明の電極を担持する基板とは反対側に、または追加の基板上に所与の機能性を有するコーティングを加えることが有利である場合がある。これは、防曇性層（親水性層を使用する）、防汚性層（アナターゼ型の少なくとも部分的に結晶化したＴｉＯ_２を備える光触媒コーティング）、あるいは、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２タイプの反射防止スタック、あるいは、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）層などのＵＶフィルタとすることができる。また、１つ以上の蛍光体層、ミラー層、または少なくとも１つの散乱光抽出領域としてもよい。

本発明はさらに、これらのＯＬＥＤ素子が利用され得る種々の用途に関する。前記素子は、屋外および屋内の両方の用途で使用される透明のおよび／または反射する（ミラー機能）１つ以上の発光面を形成する。

素子は、代替的に、または組み合わせて、照明用、装飾用、建築用などのシステムを形成し、または表示用ディスプレイパネル（例えば、図、ロゴまたはアルファベットや数字の表示式）、特に、非常口パネルを形成することができる。

ＯＬＥＤ素子は、均一な多色光、特に、均質な照明を生成するように、または同じ強度または異なる強度の種々の発光領域を生成するように配置され得る。

逆に、分化した多色照明が求められる場合もある。有機発光システム（ＯＬＥＤ）は、直射光領域を生成し、別の発光領域は、基板（ガラス製が選択される）の厚さ内の全反射によって導かれるＯＬＥＤ放射の抽出によって得られる。

この他の照明領域を形成するために、抽出領域はＯＬＥＤシステムに近接して、または基板の反対側に位置し得る。抽出領域は、例えば、特に、建築照明用に、あるいは発光パネルを表示するために、直射光領域により得られた照度を上げる働きをすることができる。抽出領域（複数可）は、１つ以上の、特に均一な光の帯の形状であるのが好ましく、面の１つの周囲に配置されるのが好ましい。これらの帯は、例えば、光度の高いフレームを形成し得る。

抽出は、抽出領域に配置された手段、つまり、光拡散層、光を拡散するようになされた基板、特に、テクスチャ基板または凹凸基板のうちの少なくとも１つの手段によって行われる。

電極およびＯＬＥＤシステムの有機構造物が透明なもので選択される場合、特別に、照明窓が作られ得る。このとき、部屋の照度を上げることは、光透過性を損なわない。さらに、特に、照明窓の外側の光反射を制限することで、反射のレベルを制御して、例えば、建物の壁用の防眩性の現行の基準に合わせることもできる。

より一般的には、素子、特に部分的に透明または全体が透明な素子は：
外部照明グレージング、内部照明仕切り、または照明グレージングドア（または、ドアの一部）、特に、スライディングドアなどの建物を対象とし、
陸上、海上または航空輸送機関（車、大型トラック、列車、飛行機、船など）の発光屋根、発光側窓（または、窓の一部）、内部照明仕切りなどの輸送機関を対象とし、
バス待合所案内板、陳列台の壁、宝石の陳列またはショーウィンドウ、温室の壁、または、照明タイルなどのアーバンまたは商業用ファニチャーを対象とし、
棚またはキャビネット要素、キャビネットのファサード、照明タイル、天井、冷蔵庫の照明棚、水槽の壁などの室内家具を対象とし、
電子機器のバックライト、特に、テレビ画面またはコンピュータ画面、タッチセンサ式画面などの、ディスプレイ画面、場合によっては２画面を対象とし得る。

照明ミラーを形成するために、上部電極は反射性にすることができる。

照明ミラーはミラーであってもよい。発光パネルは、浴室の壁または厨房の調理台の照明としての役割をしてもよいし、天井としてもよい。

ＯＬＥＤは、一般に、使用される有機材料に基づいて、２つの広範な群に分けられる。

エレクトロルミネッセンス層が小分子から形成される場合、素子はＳＭ−ＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）と呼ばれる。

一般に、ＳＭ−ＯＬＥＤの構造体は、ＨＩＬ（ホール注入層）およびＨＴＬ（ホール輸送層）、放出層およびＥＴＬ（電子輸送層）のスタックからなる。

有機発光スタックの例は、例えば、「Ｆｏｕｒ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｗｈｉｔｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｕｓｉｎｇ ４，４’−ｂｉｓ−［ｃａｒｂａｚｏｙｌ−（９）］−ｓｔｉｌｂｅｎｅ ａｓ ａ ｄｅｅｐ ｂｌｕｅ ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ」（Ｃ．Ｈ． Ｊｅｏｎｇら、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ８発行、２００７年、６８３〜６８９頁）に記載されている。

有機エレクトロルミネッセンス層が高分子である場合、素子はＰＬＥＤ（高分子発光ダイオード）と呼ばれる。

有機ＯＬＥＤ層は、一般に、１．８以上（１．９以上）の指数を有する。

ＯＬＥＤ素子は、大体、５０から３５０ｎｍまたは３００ｎｍ、特に、９０から１３０ｎｍ、あるいは１００から１２０ｎｍの厚さのＯＬＥＤシステムを備え得るのが好ましい。

キャビティ内の各群の放射体の位置は、Ｌ２および／またはＬ１の微調整に影響を与える場合がある。

本発明は、非限定的な例と図によってより詳細に説明される。

本発明の第１の実施形態の下部電極を含む均一照明用の有機発光素子の概略断面図である。 上記下部電極をより詳細に示す部分図である。 色度図における種々の光路長を示す図である。 ＯＬＥＤ素子のスペクトルを示す図である。

図示される対象（角度を含む）の様々な要素は、分かりやすくするために必ずしも一定の縮尺で描かれていないことに留意されたい。

図１は、意図的にきわめて概略的に示す図である。図１は、有機発光素子１０（基板を通して発光、または「下面発光型」）を断面で示しており、有機発光素子１０は、順に：
例えば、厚さが０．７ｍｍ以上で、第１の主要面１１および第２の主要面１２を有し、第１の主要面１１にはまず（半）透明下部電極３を備える、場合によっては透明または超透明なソーダ石灰石英ガラスの平坦基板１を備え、下部電極３は：
第１の主要面１１の表面に直接蒸着され、窒化ケイ素からなり、第１の主要面１１のほぼ全体を覆う基層２と、
アンチモンＳｂでドープされたＳｎ_ｙＺｎ_ｚＯ_ｘからなる第１の平滑層３１であって、変形例として主要面１１の表面に直接蒸着される第１の平滑層３１と、
アルミニウムドープＺｎＯ_ｘからなる第１の接触層とを備える反射防止副層と、
好ましくは銀からなる、例えば、純銀からなる第１の金属層３０と、
場合によっては、金属層３２上の直上にある上部遮断コーティング３３と、
場合によっては、アルミニウムドープＺｎＯ_ｘからなる追加層３４と、
ＳｂでドープされたＳｎ_ｙＺｎ_ｚＯ_ｘからなる第２の平滑層３１’と、
アルミニウムドープＺｎＯ_ｘからなる第２の接触層３２’とを備える第１の分離層と、
好ましくは銀からなる、例えば、純銀からなる第２の金属層３０’と、
場合によっては、遮断コーティング３３’と、
仕事関数を調整するＩＴＯからなる被覆層３５との層のスタックを備える（図２）。

素子１０はさらに、電極３上に：
４５ｎｍの２−ＴＮＡＴＡと、
１５ｎｍのＮＯＢ（１０ｎｍ）と、
５ｎｍのＮＰＢ：ＤＣＪＴＢ（０．２重量％）と、
６ｎｍのＢＣＳ：ペリレン（０．５重量％）と、
１ｎｍのＡｌｑ_３：Ｃ５４５Ｔ（０．２重量％）と、
５０ｎｍのＡｌｑ_３と、
１ｎｍのＬｉとから形成される、例えば、白色光を発するＳＭ−ＯＬＥＤなどの有機発光システム４を備える。

これらの層は、「Ｆｏｕｒ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｗｈｉｔｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｕｓｉｎｇ ４，４’−ｂｉｓ−［ｃａｒｂａｚｏｙｌ−（９）］−ｓｔｉｌｂｅｎｅ ａｓ ａ ｄｅｅｐ ｂｌｕｅ ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ」（Ｃ．Ｈ．Ｊｅｏｎｇら、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ８発行、２００７年、６８３〜６８９頁）に記載されている。

素子１０はさらに、ＯＬＥＤシステム４上に：
特に、銀またはアルミニウム系の上部（半）反射性金属電極５を備える。

本発明の下部電極を作成するための蒸着スタックの一群の例１から５は、室温で、一般には基板１でマグネトロンスパッタリングによって行われた。

比較のために、さらに：
反射防止副層と被覆層との間に銀の単層をベースとする電極の確立された例Ｎｏ．６と、
ＩＴＯ系の電極の従来例Ｎｏ．７とが示されている。

以下の表１は、これらの例の種々の層の性質およびナノメートルの幾何学的厚さ、さらに、これらの例の主な光学特性および電気特性を示す。

層の各々の蒸着状態は、以下の通りである：
Ｓｉ_３Ｎ_４：Ａｌ系層は、アルミニウムドープケイ素ターゲットを使用して、アルゴン／窒素雰囲気下の０．２５Ｐａの圧力下で反応性スパッタリングによって蒸着された、
ＳｎＺｎ：ＳｂＯ_ｘ系層は、６５重量％のＳｎと３４重量％のＺｎと１重量％のＳｂとを含むアルミニウムドープ亜鉛錫ターゲットを使用して、アルゴン／酸素雰囲気下の０．２Ｐａの圧力下で反応性スパッタリングによって蒸着された、
銀系層は、銀ターゲットを使用して、純アルゴン雰囲気下の０．８Ｐａの圧力下で蒸着された、
Ｔｉ層は、チタンターゲットを使用して、純アルゴン雰囲気下の０．８Ｐａの圧力下で蒸着された、
ＺｎＯ：Ａｌ系層は、アルミニウムドープ亜鉛ターゲットを使用して、アルゴン／酸素雰囲気下の０．２Ｐａの圧力下で反応性スパッタリングによって蒸着された、
ＩＴＯ系被覆層は、アルゴン／窒素雰囲気下で、セラミックターゲットを使用して、アルゴン／酸素雰囲気下の０．２Ｐａの圧力下で蒸着された。

下部電極は、変形例として、下部遮断コーティングを備えてもよい。下部遮断コーティングは、特に上部遮断コーティングと同様に、中性プラズマと金属ターゲットとによって得られるのが好ましい金属層、または中性プラズマとセラミックターゲットとによって得られるのが好ましいＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの１つ以上の窒化物および／酸化物からなる層を含む。

下部電極３は、基板１の片側で突起している。したがって、被覆層３５の縁部には、好ましくは、厚さが０．５から１０μｍ、例えば、５μｍで、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄのうちの１つの金属からなる層、またはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの合金からなる層、またはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層の形態の第１の金属製電流リード帯６１が重ねられる。

上部電極は、基板１の反対側で突起している。上部電極５の縁部には、場合によって、好ましくは、第１の金属帯と同様に、第２の金属製電流リード帯が重ねられる。上部電極が５０ｎｍ以下の厚さを有する場合には、この第２の金属帯が好ましい。

特に、上部電極はさらに、変形例として、例えば、アルミニウム層の透明または半透明電極としてもよい。また、例えば、下部電極と同一または類似の電極としてもよい。この場合、場合によって、例えば、厚さ１５０ｎｍの金属層の反射体が第２の面１２に加えられる。

ＥＶＡタイプのシートは、基板１を別のガラス（基板１と同じ特性を有するのが好ましい）に積層させることができる。場合によって、ＥＶＡシートに向けられたガラス１の面１２は、後述する所与の機能性のスタックを備える。

下部電極３は、エッチング領域３１０によって離間された２つの部分からなる。

素子１０の下部電極３を上部電極５から電気的に分離するのに、ウェットエッチングが使用される。

以下の表２は、特に、発光体Ｅを基準として、上述の例１から４および比較例６、７のＯＬＥＤ素子の光学特性を示す。

抽出効率を求めるために、まず、外部量子効率Ｐ_ｏｕｔ／Ｐ_ｉｎ、すなわち、ＯＬＥＤ素子に投入される電力Ｐ_ｏｕｔと０から８５°で統合された発光出力Ｐ_ｉｎとの比が計算される。次に、２５％の内部量子効率を考慮して、外部量子効率が０．２５で割られて抽出効率を求められる。

以下の表３は、特に、発光体Ａを基準として、上述の例５のＯＬＥＤ素子の光学特性を示す。

表２、表３の値は、銀二重層電極（例１から例５）は角度依存による表色において影響が非常に少なく、抽出効率に悪影響を与えないことを示している。

図３は、例２（曲線１００）、例６（曲線１１０）、例７（曲線１２０）に関して、空気中での観測角に応じてＣＩＥ ＸＹＺ１９３１色度図の表色座標の変化を示す。

したがって、最も短くて白色放射体（０．３３、０．３３）に最も近い光路は銀の二重層の電極に相当することがわかる。

図４は、０°における例２（曲線１００’）、例６（曲線１１０’）のＯＬＥＤ素子のスペクトルを示す図である。

したがって、二重層電極によって得られるスペクトル１００’はスペクトル１１０’とは異なり、可視スペクトルの大部分にわたって比較的平坦であることがわかる。

本発明は、上述の例で記載されたもの以外の発光システムを使用する場合も同様に適用されることは言うまでもない。

上述では、本発明は例として説明されている。当業者は特許請求の範囲によって規定される特許の範囲から逸脱することなく、本発明の様々な変形例を想到し得ることは理解されたい。

Claims (28)

1. 光学指数ｎ０で、第１の主要面（１１）に、下部電極として知られている電極（３）の第１の透明または半透明コーティングを担持する透明基板（１）を備え、下部電極（３）が、
   所与の光学的厚さＬ１を有し、光学指数ｎ１のｎ０に対する比が６／５以上になるような光学指数ｎ１を有する反射防止副層と、
   反射防止副層上に位置決めされた、所与の厚さｅ１を有する第１の金属層（３０）と、
   第１の金属層上に位置決めされた、所与の厚さｅ３を有する、仕事関数を調整する被覆層（３５）とのスタックを備える、有機発光素子（１０）用の基板であって、
   下部電極（３）が、
   第１の金属層上および被覆層の下に位置決めされた、所与の光学的厚さＬ２を有する第１の分離層と、
   固有の電気伝導特性を有し、所与の厚さｅ２を有する第２の金属層であって（３０’）、第１の分離層と被覆層との間に位置決めされる第２の金属層（３０’）とをさらに備えることと、
   前記反射防止副層が、第１の金属層（３０）の下にある第１の接触層（３２）を備え、前記第１の分離層が、第２の金属層（３０’）の下にある第２の接触層（３２’）を備え、前記第１の接触層（３２）および第２の接触層（３２’）の各々が、インジウムを含まない酸化亜鉛系であること、
   Ｌ１が２０ｎｍから１２０ｎｍであり、Ｌ２が７５ｎｍから２００ｎｍであり、第１の金属層の厚さと第２の金属層の厚さとの合計ｅ１＋ｅ２が４０ｎｍ以下であることと、
   下部電極が、６Ω／□以下のシート抵抗を有することとを特徴とする、有機発光素子用基板。
2. Ｌ１が１００ｎｍ以下、好ましくは８０ｎｍ以下であり、および／またはＬ２が１６０ｎｍ以下、好ましくは１３０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の基板（１）。
3. Ｌ１がＬ２未満であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板（１）。
4. 第１および第２の金属層（３０、３０’）が銀系層であり、第１の金属層の厚さｅ１が１５ｎｍ以下であり、および／または第２の金属層の厚さｅ２が１５ｎｍ以下であり、好ましくは、厚さｅ１が厚さｅ２より厚いことを特徴する、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板（１）。
5. 下部電極が、３Ω／□以下のシート抵抗を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板（１）。
6. 反射防止副層が、アルカリ金属のバリアおよび／またはエッチング停止層を形成する厚さ３ｎｍ以上の基層（２）であって、好ましくは基板の前記主要面（１１）をほぼ覆い、場合によってドープされた窒化ケイ素系、酸化炭化ケイ素系、酸化窒化ケイ素系、または酸化炭化窒化ケイ素系の材料からなる基層（２）を備えることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板（１）。
7. 第１および第２の接触層が、３ｎｍ以上の厚さを有することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板（１）。
8. 第１および第２の接触層（３２、３２’）が、ドープされた酸化亜鉛系であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板（１）。
9. 反射防止副層が、単体酸化物または複合酸化物からなる非結晶質の第１の平滑層（３１）を備え、前記第１の平滑層（３１）が、前記第１の接触層（３２）の直下に位置決めされ、第１の接触層の材料以外の材料からなり、好ましくは基板の直上に位置することを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の基板（１）。
10. 第１の分離層が、単体酸化物または複合酸化物からなる非結晶質の第２の平滑層（３１’）を備え、前記第２の平滑層（３１’）が、前記第２の接触層（３２’）の直下に位置決めされ、第２の接触層の材料以外の材料からなることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板（１）。
11. 第１および／または第２の平滑層（３１、３１’）が、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎの１つ以上の金属系の単体酸化物または複合酸化物系の層、特に、亜鉛錫系の複合酸化物Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ層、またはインジウム錫複合酸化物（ＩＴＯ）層、またはインジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）層であることを特徴とする、請求項９または１０に記載の基板（１）。
12. 副層の幾何学的厚さの少なくとも６０％が第１の平滑層からなり、および／または第１の分離層の幾何学的厚さの少なくとも６０％が第２の平滑層からなることを特徴とする、請求項９から１１のいずれか一項に記載の基板（１）。
13. 第１の平滑層（３１）が、酸素の非化学量論的組成である酸化物系で、亜鉛錫系Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚで、場合によってドープされ、好ましくは基板の直上に位置する層であり、第１の接触層（３２）が、酸素の非化学量論的組成であるドープまたは非ドープの酸化物系で、亜鉛系ＺｎＯの層であること、および／または、第２の平滑層（３１’）が、酸素の非化学量論的組成である酸化物系で、亜鉛錫系Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚで、場合によってドープされた層であり、第２の接触層（３２’）が、酸素の非化学量論的組成であるドープまたは非ドープの酸化物系で、亜鉛系ＺｎＯの層であることを特徴とする、請求項９から１２のいずれか一項に記載の基板（１）。
14. 第１の分離層が、第２の接触層の下および場合によって第２の平滑層の下に、酸化亜鉛、酸化錫などの金属酸化物の追加層および／または窒化ケイ素系の追加層を備えることを特徴とする、請求項９から１３のいずれか一項に記載の基板（１）。
15. 第１の分離層が、１０^７Ω．ｃｍ以下、好ましくは１０^６Ω．ｃｍ以下の電気抵抗率を有する層からなり、および／または、反射防止副層が、１０^７Ω．ｃｍ以下、好ましくは１０^６Ω．ｃｍ以下の電気抵抗率を有する層からなることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板（１）。
16. 被覆層（３５）が、場合によってドープされた以下の金属酸化物、酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的組成の酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化錫、酸化タンタル、または酸化ケイ素の少なくとも１つの金属酸化物系の単体酸化物または複合酸化物であり、好ましくは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ系の層であることと、被覆層が、好ましくは４０ｎｍ以下の厚さｅ３を有すること、および／または被覆層（３５）が、特にニッケル、白金、またはパラジウム系の金属薄層で、単体金属酸化物または複合金属酸化物からなる上部スペーサ層と結合されることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板（１）。
17. 第１の金属層（３０）が、少なくとも第１の下部遮断コーティングの直上に位置決めされ、および／または少なくとも第１の上部遮断コーティング（３３）の直下に位置し、および／または第２の金属層（３２）が、少なくとも第２の下部遮断コーティングの直上に位置決めされ、および／または少なくとも第２の上部遮断コーティング（３３’）の直下に位置すること、第１および第２の上部遮断コーティング（３３、３３’）または下部遮断コーティングの少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１つの金属系、または前記材料の少なくとも１つを含む合金系で、好ましくは、ＮｉもしくはＴｉ系、Ｎｉを含む合金系、またはＮｉＣｒの合金系の金属層、窒化金属層、および／または酸化物層を備えることを特徴とする、請求項１から１６のいずれか一項に記載の基板（１）。
18. 下部電極のインジウム含有材料の全体の厚さが、６０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から１７のいずれか一項に記載の基板（１）。
19. 基板（１）が、特に、９０から３５０ｎｍの厚さを有するＯＬＥＤシステム（４）であって、１×１ｃｍ^２以上の電極表面積を有する下部電極（３）の上面に配置されるＯＬＥＤシステム（４）を備えることを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載の基板（１）。
20. 上部電極５が、前記ＯＬＥＤシステム（４）の上面に配置されることことを特徴とする、請求項１９に記載の基板（１）。
21. 特に１×１ｃｍ^２以上の電極表面積を有する下部電極（３）を備えた照明パネルまたはバックライトパネルを形成するＯＬＥＤ素子（１０）を形成する際の請求項１から２０のいずれか一項に記載の基板（１）の使用。
22. 光学指数ｎ０で、下部電極を担持する透明基板（１）を組み込んだ有機発光素子であって、該下部電極が、
    所与の光学的厚さＬ１を有し、光学指数ｎ１のｎ０に対する比が６／５以上になるような光学指数ｎ１を有する反射防止副層と、
    反射防止層上に位置決めされた、所与の厚さｅ１を有する第１の金属層（３０）と、
    第１の金属層上に位置決めされた、所与の光学的厚さＬ２を有する第１の分離層と、
    固有の電気伝導特性を有し、所与の厚さｅ２を有する第２の金属層（３０’）であって、第１の分離層上および被覆層の間に位置決めされた第２の金属層と、
    仕事関数を調整するための被覆層（３５）であって、所与の厚さｅ３を有し、第１の金属層上に位置決めされる被覆層とが連続してなるスタックを備え、
    前記反射防止副層が、第１の金属層（３０）の下にある第１の接触層（３２）を備え、前記第１の分離層が、第２の金属層（３０’）の下にある第２の接触層（３２’）を備え、前記第１の接触層（３２）および第２の接触層（３２’）の各々が、インジウムを含まない酸化亜鉛系であり、
    第１の金属層の厚さと第２の金属層の厚さとの合計ｅ１＋ｅ２が４０ｎｍ以下であり、
    下部電極の上面に配置され、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の座標（ｘ１，ｙ１）で定義される多色放射を発するＯＬＥＤシステム（４）を有し、
    Ｌ１およびＬ２がマイクロキャビティが第１および第２の金属層で形成されるように調節され、マイクロキャビティが可視領域で、特に少なくとも１００ｎｍ十分に離間した２つの異なる波長で共振して、共振ピークを大きくし、可視領域における広帯域スペクトルを形成する有機発光素子（１０）。
23. 請求項１から２０のいずれか一項に記載の基板（１）、および下部電極の上面に配置され、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の座標（ｘ１，ｙ１）で定義される多色放射を発するＯＬＥＤシステム（４）を組み込んだ有機発光素子（１０）。
24. 

    が０．１未満となるように、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の表色座標（ｘ２，ｙ２）で定義されるスペクトルを出力として発することを特徴とする、請求項２２または２３に記載の有機発光素子（１０）。
25. 有機発光素子（１０）が、０°においてＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図の表色座標（ｘ２，ｙ２）で定義されるスペクトルを出力として発することと、およびＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図における０°で発せられたスペクトルと６０°で発せられたスペクトルとの間の光路長が０．１以下であることとを特徴とする、請求項２２から２４のいずれか一項に記載の有機発光素子（１０）。
26. ＣＩＥ−ＸＹＺ１９３１色度図における０°で発せられたスペクトルと６０°で発せられたスペクトルとの間の光路長が０．０５以下であることを特徴とする、請求項２２から２５のいずれか一項に記載の有機発光素子（１０）。
27. 有機発光素子（１０）が、１つ以上の透明および／または反射発光面、特に、照明用、装飾用、建築用などのシステム、または例えば、図、ロゴまたはアルファベットや数字の表示式の表示用ディスプレイパネルであって、均一光または、特にガラス基板で導かれた光を抽出することで分化した分化多色発光領域を生成するシステムを形成することを特徴とする、請求項２２から２６のいずれか一項に記載の有機発光素子（１０）。
28. 外部照明グレージング、内部照明仕切り、または照明グレージングドア（または、ドアの一部）、特に、スライディングドアなどの建物を対象とし、
    陸上、海上または航空輸送機関の発光屋根、発光側窓（または、窓の一部）、内部照明仕切りなどの輸送機関を対象とし、
    バス待合所案内板、陳列台の壁またはショーウィンドウ、温室の壁、または、照明タイルなどのアーバンまたは商業用ファニチャーを対象とし、
    棚またはキャビネット要素、キャビネットのファサード、照明タイル、天井、冷蔵庫の照明棚、水槽の壁などの室内家具を対象とし、
    電子機器のバックライト、特に、テレビ画面またはコンピュータ画面、タッチセンサ式画面などのディスプレイ画面、場合によっては２画面を対象とし、
    特に浴室の壁または厨房の調理台の照明用または天井用の発光ミラーを対象とすることを特徴とする、請求項２２から２７のいずれか一項に記載の有機発光素子（１０）。

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