EA021647B1 - Подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее - Google Patents
Подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее Download PDFInfo
- Publication number
- EA021647B1 EA021647B1 EA201070799A EA201070799A EA021647B1 EA 021647 B1 EA021647 B1 EA 021647B1 EA 201070799 A EA201070799 A EA 201070799A EA 201070799 A EA201070799 A EA 201070799A EA 021647 B1 EA021647 B1 EA 021647B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- layer
- oxide
- equal
- less
- thickness
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 239000002585 base Substances 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 silicon oxy nitride Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Изобретение относится к подложке для органического светоиспускающего устройства (10), содержащего прозрачную подложку (1), имеющую оптический индекс n0, несущую на первой главной поверхности (11) первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода (3), известного как нижний электрод, с сопротивлением листа менее или равным 6, содержащего следующий пакет слоев: антиотражательный подслой (2), имеющий заданную оптическую толщину L1 и имеющий оптический индекс n1, так что отношение n1:n0 более или равно 6:5; первый металлический слой, имеющий определенную толщину e1; первый разделительный слой, имеющий определенную оптическую толщину L2; второй металлический слой, имеющий собственную удельную электропроводность и имеющий определенную толщину е2; и верхний слой для согласования рабочей функции, причем L1 составляет 20-120 нм, L2 составляет 75-200 нм, и сумма толщин (e1+e2) первого и второго металлических слоев менее или равна 40 нм.
Description
(57) Изобретение относится к подложке для органического светоиспускающего устройства (10), содержащего прозрачную подложку (1), имеющую оптический индекс и0, несущую на первой главной поверхности (11) первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода (3), известного как нижний электрод, с сопротивлением листа менее или равным 6 Ом/П. содержащего следующий пакет слоев: антиотражательный подслой (2), имеющий заданную оптическую толщину Ь1 и имеющий оптический индекс ηί, так что отношение и1:и0 более или равно 6:5; первый металлический слой, имеющий определенную толщину е1; первый разделительный слой, имеющий определенную оптическую толщину Ь2; второй металлический слой, имеющий собственную удельную электропроводность и имеющий определенную толщину е2; и верхний слой для согласования рабочей функции, причем Ь1 составляет 20-120 нм, Ь2 составляет 75-200 нм, и сумма толщин (е1+е2) первого и второго металлических слоев менее или равна 40 нм.
Claims (20)
1. Проводящая подложка органического светоизлучающего устройства, состоящая из прозрачной подложки (1), имеющей показатель преломления п0, несущей на первой главной поверхности (11) первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода (3), известное как нижний электрод, причем проводящая подложка содержит следующий пакет слоев:
антиотражательный подслой, имеющий заданную оптическую толщину Ь1 и показатель преломления п1, такие что отношение п1:п0 больше или равно 6:5; антиотражательный подслой содержит слой, известный как первый контактный слой (32), расположенный ниже первого металлического слоя, основанный на легированном или нелегированном оксиде цинка;
первый металлический слой (30), имеющий заданную толщину е1, расположенный на антиотражательном подслое;
верхний слой, выбранный из слоя, основанного на оксиде индий-олово, или слоя, основанного на оксиде индий-цинк, или слоя, основанного на оксиде цинка и олова (8ΝχΖΝγΟζ), имеющий заданную толщину е3, расположенный на первом металлическом слое, причем нижний электрод (3) также содержит первый разделительный слой, являющийся диэлектрическим, имеющий заданную оптическую толщину Ь2, расположенный на первом металлическом слое и под верхним слоем; первый разделительный слой содержит слой, известный как второй контактный слой (32'), расположенный ниже второго металлического слоя на основе легированного или нелегированного оксида цинка;
второй металлический слой (30'), имеющий собственную удельную электропроводность и заданную толщину е2, причем указанный второй слой расположен между первым разделительным слоем и верхним слоем;
отличающаяся тем, что Ь1 составляет 20-120 нм, Ь2 составляет 75-200 нм и сумма толщин е1+е2 первого и второго металлических слоев меньше или равна 40 нм, и тем, что нижний электрод имеет сопротивление листа меньшее или равное 6 Ом/п.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что Ь1 меньше или равна 100 нм, предпочтительно меньше или равна 80 нм и/или Ь2 меньше или равна 160 нм, предпочтительно 130 нм.
3. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что Ь1 меньше Ь2.
4. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый и второй металлические слои (30, 30') основаны на серебре, толщина е1 первого металлического слоя меньше или равна 15 нм и/или толщина е2 второго металлического слоя меньше или равна 15 нм, предпочтительно толщина е1 больше толщины е2.
5. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что нижний электрод имеет сопротивление листа меньшее или равное 3 Ом/п.
6. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что антиотражательный подслой содержит базовый слой (2), имеющий толщину более или равную 3 нм, который образует барьер для щелочных металлов, и/или останавливающий вытравливание слой, причем базовый слой предпочтительно, по существу, покрывает указанную главную поверхность (11) подложки и выполнен из опционально легированного материала на основе нитрида кремния, оксикарбида кремния, оксинитрида кремния или оксикарбонитрида кремния.
7. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что антиотражательный подслой содержит первый некристаллический выравнивающий слой (31), выполненный из одиночного или смешанного оксида, причем указанный выравнивающий слой (31) расположен непосредственно под указанным первым контактным слоем (32) и выполнен из материала, иного, чем материал первого контактного слоя, и предпочтительно расположен непосредственно на подложке.
8. Подложка по любому из пп.1, 7, отличающаяся тем, что первый разделительный слой содержит второй некристаллический выравнивающий слой (31'), выполненный из одиночного или смешанного оксида, причем указанный второй выравнивающий слой (31') расположен непосредственно под указанным вторым контактным слоем (32') и выполнен из материала, иного, чем материал второго контактного слоя.
9. Подложка по любому из пп.7, 8, отличающаяся тем, что первый и/или второй выравнивающий слой (31, 31') представляет собой слой на основе одиночного или смешанного оксида на основе одного или более из следующих металлов: 8п, 8ί, Τι, Ζγ, НТ, Ζπ. Оа, 1п, в частности представляет собой слой смешанного оксида на основе цинка и олова 8п^пуОи или слой смешанного оксида индий-олова, или слой смешанного оксида индий-цинка.
10. Подложка по любому из пп.7-9, отличающаяся тем, что по меньшей мере 60% геометрической толщины подслоя составляет первый выравнивающий слой и/или по меньшей мере 60% геометрической толщины первого разделительного слоя составляет второй выравнивающий слой.
11. Подложка по любому из пп.7-10, отличающаяся тем, что первый выравнивающий слой (31) представляет собой слой на основе оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке и олове 8ΐ'ΐ,.Ζι·ιγΟζ и опционально легирован предпочтительно непосредственно на под- 16 021647 ложке, и первый контактный слой (32) представляет собой слой на основе легированного или нелегированного оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке ΖηΟ, и/или второй выравнивающий слой (31') представляет собой слой на основе оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке и олове δηχΖηγΟζ и опционально легированным, и второй контактный слой (32') представляет собой слой на основе легированного или нелегированного оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке ΖηΟ.
12. Подложка по любому из пп.8-11, отличающаяся тем, что первый разделительный слой содержит под вторым контактным слоем и под опциональным вторым выравнивающим слоем дополнительный слой оксида металла, такого как оксид цинка, оксид олова, и/или дополнительный слой на основе нитрида кремния.
13. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый разделительный слой состоит из слоя или слоев, имеющих электрическое удельное сопротивление менее 107 Ом-см, предпочтительно менее или равное 106 Ом-см, и/или антиотражательный слой состоит из слоя или слоев, имеющих электрическое удельное сопротивление менее 107 Ом-см, предпочтительно менее или равное 106 Ом-см.
14. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что верхний слой (35) дополнительно выбран из слоя на основе по меньшей мере одного из следующих оксидов металла, опционально легированных: оксида хрома, оксида индия, оксида цинка опционально субстехиометрического, оксида алюминия, оксида титана, оксида молибдена, оксида циркония, оксида сурьмы, оксида олова, оксида тантала или оксида кремния, и тем, что верхний слой предпочтительно имеет толщину е3 менее или равную 40 нм, и/или тем, что верхний слой (35) основан на тонком металлическом слое, в частности на основе никеля, платины или палладия, и связан с расположенным ниже промежуточным слоем, выполненным из одиночного или смешанного оксида металла.
15. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый металлический слой (30) расположен непосредственно по меньшей мере на одном первом расположенном ниже блокирующем снизу покрытии и/или непосредственно по меньшей мере под одним первым расположенным выше блокирующим сверху покрытием (33) и/или второй металлический слой (32) расположен непосредственно по меньшей мере на одном втором расположенном ниже блокирующем снизу покрытии и/или непосредственно по меньшей мере под одним вторым расположенным выше блокирующим сверху покрытием (33'), и тем, что по меньшей мере одно первое или второе блокирующее сверху (33, 33') или блокирующее снизу покрытие содержит слой металла, нитрида и/или оксида металла на основе по меньшей мере одного из следующих металлов: Τι, V, Μη, Ре, Со, Си, Ζη, Ζγ, Ηί, А1, N6. Νί, Сг, Μο, Та, или на основе сплава по меньшей мере одного из указанных материалов, предпочтительно на основе Νί или Τι, на основе сплава Νί или на основе сплава №Сг.
16. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что общая толщина индийсодержащего материала в нижнем электроде меньше или равна 60 нм, предпочтительно 50 нм.
17. Органическое светоизлучающее устройство (10), включающее в себя подложку (1) по любому из пп.1-16 и ОСИД-систему (4) сверху нижнего электрода, которая излучает полихроматическое излучение, определяемое при 0° координатами (х1, у1) в С1Е ΧΥΖ 1931 диаграмме хроматичности.
18. Органическое светоизлучающее устройство (10) по п.17, отличающееся тем, что оно излучает как выходной спектр, определяемый при 0° колориметрическими координатами (х2, у2) в С1Е ΧΥΖ 1931 диаграмме хроматичности, так что ^((х1-х2)2+(у1-у2)2) меньше 0,1.
19. Органическое светоизлучающее устройство (10) по любому из пп.17, 18, отличающееся тем, что оно испускает выходной спектр, определяемый при 0° колориметрическими координатами (х2, у2) в С1Е ΧΥΖ 1931 диаграмме хроматичности, и тем, что длина пути в С1Е ΧΥΖ 1931 диаграмме хроматичности между спектром, испускаемым при 0°, и спектром, испускаемым при 60°, меньше или равна 0,1.
20. Органическое светоизлучающее устройство (10) по любому из пп.17-19, отличающееся тем, что оно предназначено для применения в строительстве, в частности наружное светящееся остекление, внутренняя светящаяся перегородка или светящаяся остекленная дверь (или часть двери), особенно скользящая дверь;
для применения в транспортном средстве, в частности светящаяся крыша, светящееся боковое окно (или часть окна), внутренняя светящаяся перегородка наземного, водного или воздушного транспортного средства;
для применения в городском или профессиональном оборудовании, таком как панель навеса автобуса, стенка счетчика дисплея или витрина магазина, стенка теплицы или светящаяся черепица;
для внутреннего оборудования, такого как элемент полки или кабинета, фасад кабинета, светящийся изразец, потолок, светящаяся полка холодильника, стенка аквариума;
для фоновой подсветки электронного оборудования, в частности экрана дисплея, опционально двойного экрана, такого как телевизионный или компьютерный экран, сенсорный экран; а также является осветительным зеркалом, в частности для освещения стенки ванной комнаты или рабочей поверхности кухни или для потолка.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0709146A FR2925981B1 (fr) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant. |
| PCT/FR2008/052412 WO2009083693A2 (fr) | 2007-12-27 | 2008-12-23 | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201070799A1 EA201070799A1 (ru) | 2011-02-28 |
| EA021647B1 true EA021647B1 (ru) | 2015-08-31 |
Family
ID=39592088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201070799A EA021647B1 (ru) | 2007-12-27 | 2008-12-23 | Подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8786176B2 (ru) |
| EP (1) | EP2232610B1 (ru) |
| JP (1) | JP5744523B2 (ru) |
| KR (1) | KR101633131B1 (ru) |
| CN (1) | CN101960638A (ru) |
| EA (1) | EA021647B1 (ru) |
| FR (1) | FR2925981B1 (ru) |
| TW (1) | TW200952548A (ru) |
| WO (1) | WO2009083693A2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9855726B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-01-02 | Saint-Gobain Glass France | Transparent pane with electrically conductive coating |
| RU2671236C1 (ru) * | 2017-12-27 | 2018-10-30 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид |
| RU2701468C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-09-26 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид с наночастицами золота |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008054435A1 (de) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Universität Zu Köln | Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren |
| DE102009034822A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt |
| KR101122856B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2012-06-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
| FR2964254B1 (fr) * | 2010-08-30 | 2013-06-14 | Saint Gobain | Support de dispositif a diode electroluminescente organique, un tel dispositif a diode electroluminescente organique et son procede de fabrication |
| FR2965407A1 (fr) | 2010-09-27 | 2012-03-30 | Saint Gobain | Procédé de connexion(s) électrique(s) d'un dispositif a diode électroluminescente organique encapsule et un tel dispositif oled |
| KR101231597B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2013-02-08 | 주식회사 고영테크놀러지 | 검사방법 |
| FR2973946B1 (fr) * | 2011-04-08 | 2013-03-22 | Saint Gobain | Dispositif électronique a couches |
| FR2976729B1 (fr) | 2011-06-16 | 2013-06-07 | Saint Gobain | Substrat a electrode pour dispositif oled et un tel dispositif oled |
| KR101837625B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2018-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| FR2985091B1 (fr) | 2011-12-27 | 2014-01-10 | Saint Gobain | Anode transparente pour oled |
| FR2985378B1 (fr) | 2011-12-30 | 2014-01-24 | Saint Gobain | Dispositif oled a emission par l'arriere, et procede d'homogeneisation de la luminance d'un dispositif oled a emission par l'arriere |
| FR2985379B1 (fr) | 2011-12-30 | 2014-01-24 | Saint Gobain | Dispositif oled a emission par l'arriere |
| FR2985380B1 (fr) | 2011-12-30 | 2014-07-11 | Saint Gobain | Dispositif oled a emission par l'arriere |
| DE102012206967A1 (de) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| BE1020676A3 (fr) * | 2012-05-08 | 2014-03-04 | Agc Glass Europe | Dispositif photonique organique. |
| US9459160B2 (en) | 2012-06-13 | 2016-10-04 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Input device sensor configuration |
| US9684382B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-06-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Input device configuration having capacitive and pressure sensors |
| DE102012210494B4 (de) * | 2012-06-21 | 2023-12-28 | Pictiva Displays International Limited | Organische Leuchtdiode |
| KR101293647B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2013-08-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지 |
| FR2997770B1 (fr) | 2012-11-07 | 2015-11-20 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour vitrage a diffusion variable par cristaux liquides, et un tel vitrage |
| FR2999807B1 (fr) | 2012-12-13 | 2015-01-02 | Saint Gobain | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
| FR2999808B1 (fr) | 2012-12-13 | 2015-01-02 | Saint Gobain | Support conducteur pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
| US10578499B2 (en) | 2013-02-17 | 2020-03-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Piezo-actuated virtual buttons for touch surfaces |
| US20140273525A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Intermolecular, Inc. | Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films |
| US9411436B2 (en) * | 2013-09-20 | 2016-08-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Input device backlighting |
| FR3015116B1 (fr) | 2013-12-17 | 2016-01-01 | Saint Gobain | Support extracteur de lumiere et dispositif oled l'incorporant. |
| US9448631B2 (en) | 2013-12-31 | 2016-09-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Input device haptics and pressure sensing |
| TWI540568B (zh) * | 2014-04-09 | 2016-07-01 | 晨星半導體股份有限公司 | 應用於顯示裝置之校正方法、校正裝置以及建立色彩表現資料庫的方法 |
| FR3019941A1 (fr) | 2014-04-09 | 2015-10-16 | Saint Gobain | Support extracteur de lumiere et dispositif oled l'incorporant |
| FR3025943A1 (fr) * | 2014-09-11 | 2016-03-18 | Saint Gobain Performance Plast | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant et sa fabrication. |
| US10680123B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-09 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive oxide coating |
| WO2016144869A1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Optoelectronic device and method of making the same |
| WO2017121067A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Tsinghua University | Semiconductor structure and method for forming the same |
| FR3051804B1 (fr) * | 2016-05-24 | 2018-06-29 | Saint-Gobain Glass France | Procede de depot de couches minces |
| CN208173629U (zh) * | 2017-08-16 | 2018-11-30 | 昆山国显光电有限公司 | 电极及有机电致发光装置 |
| JP6962376B2 (ja) | 2017-08-29 | 2021-11-05 | Tdk株式会社 | 透明導電体及び有機デバイス |
| CN111758067B (zh) * | 2018-02-23 | 2023-04-21 | Tdk株式会社 | 透明导电体、调光体及电子器件 |
| CN110767660B (zh) * | 2018-07-24 | 2022-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111026289B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-07-14 | 北京空间技术研制试验中心 | 用于载人航天器的人机交互终端 |
| IT202100020357A1 (it) * | 2021-07-29 | 2023-01-29 | Emanuele Grosso | Apparato auto-riscaldante per il condizionamento termico, igrostatico e luminoso di un ambiente circoscritto. |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733053A1 (de) * | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Leybold Ag | Transparentes Substrat |
| JP2001243840A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | 透明電極 |
| US20030049464A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Afg Industries, Inc. | Double silver low-emissivity and solar control coatings |
| EP1329307A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent laminate having low emissivity |
| FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| EP1403939A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting device, display and lighting unit |
| US20050073228A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Eastman Kodak Company | White-emitting microcavity OLED device |
| US20050264185A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Method of producing organic light-emitting surface elements and an organic light-emitting surface element |
| WO2006013373A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electroluminescent device |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158780A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Sony Corp | 表示装置 |
| DE69230189T2 (de) * | 1991-02-14 | 2000-02-10 | Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Laminierte Glaskonstruktion |
| US5280373A (en) * | 1991-07-24 | 1994-01-18 | Mitsubishi Kasei Corporation | Light modulating device including a liquid crystal, a polymer and dichroic dyes having maximum absorption in the different wavelength regions |
| DE69629613T2 (de) * | 1995-03-22 | 2004-06-17 | Toppan Printing Co. Ltd. | Mehrschichtiger, elektrisch leitender Film, transparentes Elektrodensubstrat und Flüssigkristallanzeige die diesen benutzen |
| DE19520843A1 (de) | 1995-06-08 | 1996-12-12 | Leybold Ag | Scheibe aus durchscheinendem Werkstoff sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPH09283866A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板 |
| JPH10100303A (ja) * | 1996-06-07 | 1998-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびそれを用いた表示素子 |
| JPH1170610A (ja) * | 1996-07-26 | 1999-03-16 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜、および透明電極の形成方法 |
| FR2757151B1 (fr) * | 1996-12-12 | 1999-01-08 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage comprenant un substrat muni d'un empilement de couches minces pour la protection solaire et/ou l'isolation thermique |
| EP0924966A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-06-23 | Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG | Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production |
| JP2001035660A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP4287559B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2009-07-01 | 日本発條株式会社 | 電子部品用ソケット |
| JP2002015623A (ja) | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Mitsui Chemicals Inc | 透明電極 |
| TWI263336B (en) * | 2000-06-12 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film transistors and semiconductor device |
| JP2002313139A (ja) | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Mitsui Chemicals Inc | 透明導電性薄膜積層体 |
| JP2002313572A (ja) | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2003123987A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振器 |
| EP1443527A4 (en) * | 2001-10-19 | 2007-09-12 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND PHOTOELECTRIC IMPLEMENTATION ELEMENT |
| JP3962572B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-08-22 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| CN1620841A (zh) * | 2001-12-24 | 2005-05-25 | 法国圣戈班玻璃厂 | 具有透明表面电极与电致发光元件的多层元件的生产方法 |
| US6780693B2 (en) * | 2001-12-29 | 2004-08-24 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating polysilicon thin film transistor |
| US6811815B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-11-02 | Avery Dennison Corporation | Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films |
| KR101002537B1 (ko) | 2002-08-02 | 2010-12-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 소결체, 이들을 사용하여 제조한 도전막,유기 ｅｌ 소자, 및 이것에 사용하는 기판 |
| US7049757B2 (en) * | 2002-08-05 | 2006-05-23 | General Electric Company | Series connected OLED structure and fabrication method |
| US7034470B2 (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
| US6693296B1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus including a series of OLED devices |
| FR2844364B1 (fr) | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
| JP2004127588A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toyota Industries Corp | 発光装置、表示装置及び照明装置 |
| KR100662297B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| GB0229653D0 (en) * | 2002-12-20 | 2003-01-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrical connection of optoelectronic devices |
| US20040149984A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-05 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved emission |
| KR100527191B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자 |
| JP2005116193A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
| KR20050039014A (ko) | 2003-10-23 | 2005-04-29 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
| JP2005259820A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Sharp Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 |
| TWI237525B (en) * | 2004-08-30 | 2005-08-01 | Au Optronics Corp | Electro-luminescence display device and method for forming the same |
| KR100673744B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조 애노드 |
| KR100700642B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| DE202005000979U1 (de) | 2005-01-20 | 2006-06-01 | Schott Ag | Elektro-optisches Element mit gesteuerter, insbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung |
| JP4826939B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2011-11-30 | 富士電機株式会社 | 色変換フィルタおよびそれを用いた色変換発光デバイス |
| US20060209551A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Robert Schwenke | Light emissive plastic glazing |
| EP1717876A1 (en) | 2005-04-27 | 2006-11-02 | C.S.E.M. Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa | Interconnect in polymer light-emitting or light-detecting devices or solar cells |
| KR101152127B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법 |
| EP1887968A4 (en) * | 2005-06-08 | 2013-01-23 | Bard Inc C R | TRANSPLANTS AND STENTS WITH INORGANIC BIOKOMPATIBLE CALCIUM SALT |
| KR101140241B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자 |
| JP2009531811A (ja) * | 2006-02-22 | 2009-09-03 | サン−ゴバン グラス フランス | 有機発光素子及び有機発光素子中の透明な導電層の使用 |
| EP2426552A1 (en) * | 2006-03-03 | 2012-03-07 | Gentex Corporation | Electro-optic elements incorporating improved thin-film coatings |
| US8339031B2 (en) * | 2006-09-07 | 2012-12-25 | Saint-Gobain Glass France | Substrate for an organic light-emitting device, use and process for manufacturing this substrate, and organic light-emitting device |
| US20080100202A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-01 | Cok Ronald S | Process for forming oled conductive protective layer |
| JP5261397B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2013-08-14 | サン−ゴバン グラス フランス | 有機発光素子用の電極、その酸エッチング、及び、それを組み込んだ有機発光素子 |
| FR2913146B1 (fr) * | 2007-02-23 | 2009-05-01 | Saint Gobain | Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications |
-
2007
- 2007-12-27 FR FR0709146A patent/FR2925981B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-23 WO PCT/FR2008/052412 patent/WO2009083693A2/fr active Application Filing
- 2008-12-23 CN CN2008801275682A patent/CN101960638A/zh active Pending
- 2008-12-23 EP EP08866914.8A patent/EP2232610B1/fr not_active Not-in-force
- 2008-12-23 KR KR1020107016644A patent/KR101633131B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-23 JP JP2010540164A patent/JP5744523B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 EA EA201070799A patent/EA021647B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-12-23 US US12/810,490 patent/US8786176B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-26 TW TW097151012A patent/TW200952548A/zh unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733053A1 (de) * | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Leybold Ag | Transparentes Substrat |
| JP2001243840A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | 透明電極 |
| EP1329307A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent laminate having low emissivity |
| US20030049464A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Afg Industries, Inc. | Double silver low-emissivity and solar control coatings |
| FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| EP1403939A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting device, display and lighting unit |
| US20050073228A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Eastman Kodak Company | White-emitting microcavity OLED device |
| US20050264185A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Method of producing organic light-emitting surface elements and an organic light-emitting surface element |
| WO2006013373A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electroluminescent device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9855726B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-01-02 | Saint-Gobain Glass France | Transparent pane with electrically conductive coating |
| RU2671236C1 (ru) * | 2017-12-27 | 2018-10-30 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид |
| RU2701468C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-09-26 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид с наночастицами золота |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009083693A3 (fr) | 2009-12-10 |
| JP5744523B2 (ja) | 2015-07-08 |
| EA201070799A1 (ru) | 2011-02-28 |
| EP2232610B1 (fr) | 2017-05-24 |
| WO2009083693A2 (fr) | 2009-07-09 |
| US20110037379A1 (en) | 2011-02-17 |
| JP2011508400A (ja) | 2011-03-10 |
| FR2925981A1 (fr) | 2009-07-03 |
| KR101633131B1 (ko) | 2016-06-23 |
| EP2232610A2 (fr) | 2010-09-29 |
| US8786176B2 (en) | 2014-07-22 |
| FR2925981B1 (fr) | 2010-02-19 |
| CN101960638A (zh) | 2011-01-26 |
| TW200952548A (en) | 2009-12-16 |
| KR20100113093A (ko) | 2010-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA021647B1 (ru) | Подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее | |
| JP4961786B2 (ja) | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性フィルム | |
| US9099673B2 (en) | Electrode for an organic light-emitting device, acid etching thereof and also organic light-emitting device incorporating it | |
| US8339031B2 (en) | Substrate for an organic light-emitting device, use and process for manufacturing this substrate, and organic light-emitting device | |
| KR102012059B1 (ko) | 4개의 기능성 금속 필름을 포함하는 열적 성질을 갖는 스택을 갖춘 기판 | |
| US20100117523A1 (en) | Substrate bearing a discontinuous electrode, organic electroluminescent device including same and manufacture thereof | |
| JP4802568B2 (ja) | 反射防止積層体、光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品 | |
| JP2018507441A (ja) | 強化された太陽光制御性能を備えた太陽光制御コーティング | |
| US20110297988A1 (en) | Transparent substrate for photonic devices | |
| US20150083468A1 (en) | Textured glass substrate having enhanced optical properties for an optoelectronic device | |
| US9397304B2 (en) | Organic photonic device | |
| CN106536848B (zh) | 低辐射涂层及包括低辐射涂层的窗户用功能性建筑材料 | |
| US20160224151A1 (en) | Electrode to be used in input device and method for producing same | |
| JP2008226581A (ja) | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター | |
| CN102950841B (zh) | 一种高透光率的单银低辐射玻璃 | |
| JP2004217432A (ja) | 積層体および構造体 | |
| KR20160053436A (ko) | 유기 전자소자 및 유기 전자소자의 제조방법 | |
| JP2021079695A (ja) | 積層構造体 | |
| CN115243885A (zh) | 拱肩板 | |
| JP2018126961A (ja) | 積層膜付き透明基板およびガラス積層体 | |
| TWM416204U (en) | Green thin film solar cell structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM |
|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): RU |