JPH1012915A - 光学式パターン読取りセンサ - Google Patents
光学式パターン読取りセンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望の分解能を得ることができるとともに、
機械的な強度を高めることができる光学式パターン読取
りセンサを提供する。 【解決手段】 光学式パターン読取りセンサにおいて、
発光素子３のダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッド
２を表面の略全面に形成する発光素子搭載用プリント基
板１と、この基板１の裏面に搭載される電流制限用抵抗
と、この基板１の裏面の略全面に配置される電流制限用
抵抗の配置パターンとを備え、前記基板１の表面上に発
光素子３を直線的に配列した際、ダイスボンドパッド兼
ワイヤボンドパッド２を発光素子３の配列方法とほぼ同
方向に配列する。
機械的な強度を高めることができる光学式パターン読取
りセンサを提供する。 【解決手段】 光学式パターン読取りセンサにおいて、
発光素子３のダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッド
２を表面の略全面に形成する発光素子搭載用プリント基
板１と、この基板１の裏面に搭載される電流制限用抵抗
と、この基板１の裏面の略全面に配置される電流制限用
抵抗の配置パターンとを備え、前記基板１の表面上に発
光素子３を直線的に配列した際、ダイスボンドパッド兼
ワイヤボンドパッド２を発光素子３の配列方法とほぼ同
方向に配列する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学式パターン読
取りセンサに関するものである。
取りセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図２７〜図３
０はかかる従来の光学式パターン読取りセンサを示す図
である。これらの図において、２０１はカバーガラス、
２０２はケース、２０３はＳＬＡ（セルホックレンズア
レイ）、２０４は受光基板、２０５は受光素子、２０６
は発光素子（ＬＥＤ）、２０７はＬＥＤ搭載用プリント
基板（ＬＥＤ基板）である。
例えば、以下に示すようなものがあった。図２７〜図３
０はかかる従来の光学式パターン読取りセンサを示す図
である。これらの図において、２０１はカバーガラス、
２０２はケース、２０３はＳＬＡ（セルホックレンズア
レイ）、２０４は受光基板、２０５は受光素子、２０６
は発光素子（ＬＥＤ）、２０７はＬＥＤ搭載用プリント
基板（ＬＥＤ基板）である。
【０００３】そこで、図３０に示すように、発光素子
（ＬＥＤ）２０６より出た光は、カバーガラス２０１上
の読み取るパターンの印刷された被読取り物２１０に当
たり、乱反射した光がカバーガラス２０１及びＳＬＡ
（セルホックレンズアレイ）２０３を通り、受光素子２
０５に達し、認識される。図２８及び図２９に示すよう
に、ＳＬＡ２０３は本体樹脂形成体２０９にファイバ２
０８がアレイ状に並べられたようなものであり、その両
面に焦点を持つ。この両サイドの焦点間の距離をＴｃと
いう。このファイバ２０８の直径により分解能は決ま
り、白黒パターンを認識でき、線の太さ及びパターンサ
イズが決定される。
（ＬＥＤ）２０６より出た光は、カバーガラス２０１上
の読み取るパターンの印刷された被読取り物２１０に当
たり、乱反射した光がカバーガラス２０１及びＳＬＡ
（セルホックレンズアレイ）２０３を通り、受光素子２
０５に達し、認識される。図２８及び図２９に示すよう
に、ＳＬＡ２０３は本体樹脂形成体２０９にファイバ２
０８がアレイ状に並べられたようなものであり、その両
面に焦点を持つ。この両サイドの焦点間の距離をＴｃと
いう。このファイバ２０８の直径により分解能は決ま
り、白黒パターンを認識でき、線の太さ及びパターンサ
イズが決定される。
【０００４】また、ここで使用する受光素子はラインセ
ンサであり、通常、１ｄｏｔ／ｍｍ，２ｄｏｔ／ｍｍ，
８ｄｏｔ／ｍｍ，１６ｄｏｔ／ｍｍのピッチで受光エリ
アが配列されている。更に、この配列されている長さに
より読取り可能な長さが決まる。
ンサであり、通常、１ｄｏｔ／ｍｍ，２ｄｏｔ／ｍｍ，
８ｄｏｔ／ｍｍ，１６ｄｏｔ／ｍｍのピッチで受光エリ
アが配列されている。更に、この配列されている長さに
より読取り可能な長さが決まる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の読取りセンサでは、被読取り物２１０より反射
してきた光のみが受光素子２０５に入力されないと、黒
パターンを読み取った場合でも、白パターンの時と差が
出ず、ダイナミックレンジが小さくなる（ノイズレベル
が上がる）。この濡れ光は発光素子２０６のＬＥＤ基板
を通したり、また、受光素子２０５に至る。また、受光
素子２０５に至った光も、受光素子２０５の受光エリア
以外に当たると同様な現象が生ずる。
た従来の読取りセンサでは、被読取り物２１０より反射
してきた光のみが受光素子２０５に入力されないと、黒
パターンを読み取った場合でも、白パターンの時と差が
出ず、ダイナミックレンジが小さくなる（ノイズレベル
が上がる）。この濡れ光は発光素子２０６のＬＥＤ基板
を通したり、また、受光素子２０５に至る。また、受光
素子２０５に至った光も、受光素子２０５の受光エリア
以外に当たると同様な現象が生ずる。
【０００６】また、読取り範囲が直線上になるため、本
来は、このどこでも被読取り物２１０へ当たる光の強さ
が一定になり、均一の反射率の被読取り物２１０が来た
場合、受光出力は受光素子２０５のどこでも同一な出力
を得られなければいけないが、不均一になってしまって
いた。この読取りセンサはＬＥＤ２０６の光の照射角度
やＳＬＡ２０３の固定位置及び受光素子２０５の固定位
置が設計通りに実装されないと期待された分解能が得ら
れない。また、最終装置に、この読取りセンサを組み込
んだとき、装置の機械的振動が大きく、この振動に耐え
られる固定方法を施さなければならない。しかし、従来
では接着剤のみによる固定方法が一般的で、この両者の
要求を満たすことができなかった。
来は、このどこでも被読取り物２１０へ当たる光の強さ
が一定になり、均一の反射率の被読取り物２１０が来た
場合、受光出力は受光素子２０５のどこでも同一な出力
を得られなければいけないが、不均一になってしまって
いた。この読取りセンサはＬＥＤ２０６の光の照射角度
やＳＬＡ２０３の固定位置及び受光素子２０５の固定位
置が設計通りに実装されないと期待された分解能が得ら
れない。また、最終装置に、この読取りセンサを組み込
んだとき、装置の機械的振動が大きく、この振動に耐え
られる固定方法を施さなければならない。しかし、従来
では接着剤のみによる固定方法が一般的で、この両者の
要求を満たすことができなかった。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、所望の分
解能を得ることができるとともに、機械的な強度を高め
ることができる光学式パターン読取りセンサを提供する
ことを目的とする。
解能を得ることができるとともに、機械的な強度を高め
ることができる光学式パターン読取りセンサを提供する
ことを目的とする。
【０００８】
〔１〕光学式パターン読取りセンサにおいて、発光素子
のダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッドを表面の略
全面に形成する発光素子搭載用プリント基板と、この発
光素子搭載用プリント基板の裏面に搭載される電流制限
用抵抗と、前記発光素子搭載用プリント基板の裏面の略
全面に配置される前記電流制限用抵抗の配置パターンと
を備え、前記プリント基板の表面上に発光素子を直線的
に配列した際、前記ダイスボンドパッド兼ワイヤボンド
パッドを発光素子の配列方法とほぼ同方向に配列するよ
うにしたものである。
のダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッドを表面の略
全面に形成する発光素子搭載用プリント基板と、この発
光素子搭載用プリント基板の裏面に搭載される電流制限
用抵抗と、前記発光素子搭載用プリント基板の裏面の略
全面に配置される前記電流制限用抵抗の配置パターンと
を備え、前記プリント基板の表面上に発光素子を直線的
に配列した際、前記ダイスボンドパッド兼ワイヤボンド
パッドを発光素子の配列方法とほぼ同方向に配列するよ
うにしたものである。
【０００９】〔２〕上記〔１〕記載の光学式パターン読
取りセンサにおいて、前記発光素子のダイスボンドパッ
ド兼ワイヤボンドパッドの隙間と前記電流制限用抵抗の
配置パターンの隙間が重ならないように配置し、更にダ
イスボンドパッドの一部にワイヤボンドがなされる場
合、ワイヤボンド部とダイスボンド部のエリアを繋ぐ配
線をなるべく細く配置するようにしたものである。
取りセンサにおいて、前記発光素子のダイスボンドパッ
ド兼ワイヤボンドパッドの隙間と前記電流制限用抵抗の
配置パターンの隙間が重ならないように配置し、更にダ
イスボンドパッドの一部にワイヤボンドがなされる場
合、ワイヤボンド部とダイスボンド部のエリアを繋ぐ配
線をなるべく細く配置するようにしたものである。
【００１０】〔３〕光学式パターン読取りセンサの受光
素子において、シリコンチップ上に遮光を目的とした多
層アルミニウムパターンを配置し、この多層アルミニウ
ムパターンにスルーホールを前記多層アルミニウムパタ
ーンの段差を設けるために配置するようにしたものであ
る。 〔４〕光学式パターン読取りセンサの受光素子におい
て、シリコンチップ上に遮光を目的とした多層アルミニ
ウムパターンを配置し、この多層アルミニウムパターン
にスルーホール及びコンタクトホールを前記多層アルミ
ニウムパターンの段差を設けるために、密に、更に互い
に交互に配置するようにしたものである。
素子において、シリコンチップ上に遮光を目的とした多
層アルミニウムパターンを配置し、この多層アルミニウ
ムパターンにスルーホールを前記多層アルミニウムパタ
ーンの段差を設けるために配置するようにしたものであ
る。 〔４〕光学式パターン読取りセンサの受光素子におい
て、シリコンチップ上に遮光を目的とした多層アルミニ
ウムパターンを配置し、この多層アルミニウムパターン
にスルーホール及びコンタクトホールを前記多層アルミ
ニウムパターンの段差を設けるために、密に、更に互い
に交互に配置するようにしたものである。
【００１１】〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の光学式
パターン読取りセンサにおいて、前記スルーホール及び
又はコンタクトホールをポリシリコン膜で囲むように配
置するようにしたものである。 〔６〕シリコンチップ上に複数の受光エリアを形成した
受光素子において、受光エリア間にキャリア吸収用の拡
散層を形成するようにしたものである。
パターン読取りセンサにおいて、前記スルーホール及び
又はコンタクトホールをポリシリコン膜で囲むように配
置するようにしたものである。 〔６〕シリコンチップ上に複数の受光エリアを形成した
受光素子において、受光エリア間にキャリア吸収用の拡
散層を形成するようにしたものである。
【００１２】〔７〕発光素子を発光素子搭載用プリント
基板に直線的に配列した際、直線配置の端部の配置ピッ
チを中央部におけるピッチに比べ狭くするようにしたも
のである。 〔８〕発光素子を発光素子搭載用プリント基板に直線的
に配列した際、直線配置の端部の配置ピッチを中央部に
おけるピッチに比べ狭くし、両端の狭いピッチ部と中央
の均一ピッチを中央均一ピッチより広くするようにした
ものである。
基板に直線的に配列した際、直線配置の端部の配置ピッ
チを中央部におけるピッチに比べ狭くするようにしたも
のである。 〔８〕発光素子を発光素子搭載用プリント基板に直線的
に配列した際、直線配置の端部の配置ピッチを中央部に
おけるピッチに比べ狭くし、両端の狭いピッチ部と中央
の均一ピッチを中央均一ピッチより広くするようにした
ものである。
【００１３】
〔９〕発光素子を発光素子搭載用プリント
基板に直線的に配列した際、直線配置の端部に一直線状
でなく、複数個のＬＥＤチップを配置するようにしたも
のである。 〔１０〕反射光によりパターンを読み取るセンサにおい
て、センサに用いる発光素子光の集光レンズを光路がほ
ぼ平行光になり、更に焦点を持たないレンズを用いるよ
うにしたものである。
基板に直線的に配列した際、直線配置の端部に一直線状
でなく、複数個のＬＥＤチップを配置するようにしたも
のである。 〔１０〕反射光によりパターンを読み取るセンサにおい
て、センサに用いる発光素子光の集光レンズを光路がほ
ぼ平行光になり、更に焦点を持たないレンズを用いるよ
うにしたものである。
【００１４】〔１１〕反射光によりパターンを読み取る
センサにおいて、センサに用いる発光素子光の集光レン
ズで指定幅の光束幅になるようにしたレンズを用いるよ
うにしたものである。 〔１２〕発光素子を発光素子搭載用プリント基板上に直
線的に配列した際、リフレクタ部と前記発光素子搭載用
プリント基板を固定するために前記リフレクタにＬ字形
状の引っかかり爪を設けるようにしたものである。
センサにおいて、センサに用いる発光素子光の集光レン
ズで指定幅の光束幅になるようにしたレンズを用いるよ
うにしたものである。 〔１２〕発光素子を発光素子搭載用プリント基板上に直
線的に配列した際、リフレクタ部と前記発光素子搭載用
プリント基板を固定するために前記リフレクタにＬ字形
状の引っかかり爪を設けるようにしたものである。
【００１５】〔１３〕受光素子へ光を導くセルフォック
レンズを固定する固定面に接着剤溜め用溝を設けるよう
にしたものである。 〔１４〕受光素子へ光を導くセルフォックレンズを固定
する固定面に接着剤を流し込むために注入用の穴を設け
るようにしたものである。 〔１５〕受光素子へ光を導くセルフォックレンズを固定
するために固定部にセルフォックレンズの上部押さえ爪
と下部押さえ爪と横押さえ爪とを設けるようにしたもの
である。
レンズを固定する固定面に接着剤溜め用溝を設けるよう
にしたものである。 〔１４〕受光素子へ光を導くセルフォックレンズを固定
する固定面に接着剤を流し込むために注入用の穴を設け
るようにしたものである。 〔１５〕受光素子へ光を導くセルフォックレンズを固定
するために固定部にセルフォックレンズの上部押さえ爪
と下部押さえ爪と横押さえ爪とを設けるようにしたもの
である。
【００１６】〔１６〕センサのガラスを固定する際のケ
ースとガラスの間にケースの接着剤を塗布する面に接着
剤溜め用溝を設けるようにしたものである。 〔１７〕発光素子搭載用プリント基板をケースに固定す
る際の割入りフック形状の固定用爪を前記ケースに複数
個配置し、前記固定用爪を互いに前記発光素子搭載用プ
リント基板中心に対し、ほぼ対称位置に配置し、更に前
記割入りフック形状の固定用爪の割りの方向が互いに直
交するように配置するようにしたものである。
ースとガラスの間にケースの接着剤を塗布する面に接着
剤溜め用溝を設けるようにしたものである。 〔１７〕発光素子搭載用プリント基板をケースに固定す
る際の割入りフック形状の固定用爪を前記ケースに複数
個配置し、前記固定用爪を互いに前記発光素子搭載用プ
リント基板中心に対し、ほぼ対称位置に配置し、更に前
記割入りフック形状の固定用爪の割りの方向が互いに直
交するように配置するようにしたものである。
【００１７】〔１８〕上記〔１７〕記載の光学式パター
ン読取りセンサにおいて、前記固定爪に対応する発光素
子搭載用プリント基板に形成される穴を長穴にし、互い
に前記発光素子搭載用プリント基板中心に対し、ほぼ対
称位置に複数個配置するようにしたものである。
ン読取りセンサにおいて、前記固定爪に対応する発光素
子搭載用プリント基板に形成される穴を長穴にし、互い
に前記発光素子搭載用プリント基板中心に対し、ほぼ対
称位置に複数個配置するようにしたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す光学式読取りセンサの発光部の平面図であ
る。図１に示すように、１はＬＥＤ搭載用プリント基板
（ガラスエポキシ基板：以下、ガラエポ基板という）、
２はダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッド、３はＬ
ＥＤチップ（発光素子）、４はワイヤボンド金線であ
る。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す光学式読取りセンサの発光部の平面図であ
る。図１に示すように、１はＬＥＤ搭載用プリント基板
（ガラスエポキシ基板：以下、ガラエポ基板という）、
２はダイスボンドパッド兼ワイヤボンドパッド、３はＬ
ＥＤチップ（発光素子）、４はワイヤボンド金線であ
る。
【００１９】このように、ガラエポ基板１上のダイスボ
ンドパッド２にＬＥＤチップ３をダイスボンドする。ダ
イスボンドパッド２は金メッキされている。このＬＥＤ
チップ３は直列に配線されるため、隣のダイスボンドパ
ッド２に、ワイヤボンド金線４により配線したものであ
る。このダイスボンドパッド２を、ガラエポ基板１表面
がなるべく一杯になるように配置する。パッド間は基板
作製時のメッキ工程で間隔が制限されるが、通常は０．
３から０．４ｍｍ位である。また、ガラエポ基板１端面
とダイスボンドパッド２の間隔は、各ダイスボンドパッ
ド２が短絡さえしなければ、ダイスボンドパッド２がガ
ラエポ基板１端面まで達していても構わない。
ンドパッド２にＬＥＤチップ３をダイスボンドする。ダ
イスボンドパッド２は金メッキされている。このＬＥＤ
チップ３は直列に配線されるため、隣のダイスボンドパ
ッド２に、ワイヤボンド金線４により配線したものであ
る。このダイスボンドパッド２を、ガラエポ基板１表面
がなるべく一杯になるように配置する。パッド間は基板
作製時のメッキ工程で間隔が制限されるが、通常は０．
３から０．４ｍｍ位である。また、ガラエポ基板１端面
とダイスボンドパッド２の間隔は、各ダイスボンドパッ
ド２が短絡さえしなければ、ダイスボンドパッド２がガ
ラエポ基板１端面まで達していても構わない。
【００２０】このように構成したので、ＬＥＤの光はガ
ラエポ基板をあたかも光ファイバの中を透過するように
光を裏面まで通す。この光は漏れ光としてセンサの受光
部まで達することがあり、センサの光学特性のＳ／Ｎの
低下につながる。しかし、ダイスボンドパッド面を大き
くすることにより、裏面に透過する光は大半が遮光され
る。また、ダイスボンドパッド面が金メッキであるの
で、裏面に透過していた光は逆に反射し、ＬＥＤの取り
出し光量が見かけ上アップする。
ラエポ基板をあたかも光ファイバの中を透過するように
光を裏面まで通す。この光は漏れ光としてセンサの受光
部まで達することがあり、センサの光学特性のＳ／Ｎの
低下につながる。しかし、ダイスボンドパッド面を大き
くすることにより、裏面に透過する光は大半が遮光され
る。また、ダイスボンドパッド面が金メッキであるの
で、裏面に透過していた光は逆に反射し、ＬＥＤの取り
出し光量が見かけ上アップする。
【００２１】したがって、従来、読取りセンサがリーク
光の影響で黒色パターン読取り時（暗レベル）ノイズレ
ベルとして、あたかも光が当たっているかのような出力
値が出てＳ／Ｎ比が低下していたが、この実施例によれ
ば、ＬＥＤ基板を通してリークする光を遮光することが
できる。図２は本発明の第２実施例を示す光学式読取り
センサの構成図であり、図２（ａ）にＬＥＤチップが搭
載された基板表面と、電流制限抵抗（チップ抵抗）が搭
載される基板裏面とを示し、図２（ｂ）にその等価回路
を示し、図２（ｃ）に読取りセンサの断面図を示してい
る。なお、図２（ｃ）において、６はガラス、７はＳＬ
Ａ、９は受光素子、１０はケースである。
光の影響で黒色パターン読取り時（暗レベル）ノイズレ
ベルとして、あたかも光が当たっているかのような出力
値が出てＳ／Ｎ比が低下していたが、この実施例によれ
ば、ＬＥＤ基板を通してリークする光を遮光することが
できる。図２は本発明の第２実施例を示す光学式読取り
センサの構成図であり、図２（ａ）にＬＥＤチップが搭
載された基板表面と、電流制限抵抗（チップ抵抗）が搭
載される基板裏面とを示し、図２（ｂ）にその等価回路
を示し、図２（ｃ）に読取りセンサの断面図を示してい
る。なお、図２（ｃ）において、６はガラス、７はＳＬ
Ａ、９は受光素子、１０はケースである。
【００２２】図２（ｂ）に示すように、直列にＬＥＤチ
ップ３を接続し、電流制限用抵抗５をさらに直列に接続
する。この直列に接続されたブロックを更に並列に接続
する。図２（ａ）に示すように、この電流制限用抵抗５
をガラエポ基板１のＬＥＤチップ３がダイスボンドされ
ている面と逆の面（裏面）に配置する。この実施例では
電流制限用抵抗５はチップ抵抗を用いているが、リード
線が出ているような抵抗でも構わない。ただし、スルー
ホールを基板に形成しなくてはならないので、ＬＥＤチ
ップ３がダイスボンドされている面の配線と短絡しない
ようにレイアウトする必要がある。
ップ３を接続し、電流制限用抵抗５をさらに直列に接続
する。この直列に接続されたブロックを更に並列に接続
する。図２（ａ）に示すように、この電流制限用抵抗５
をガラエポ基板１のＬＥＤチップ３がダイスボンドされ
ている面と逆の面（裏面）に配置する。この実施例では
電流制限用抵抗５はチップ抵抗を用いているが、リード
線が出ているような抵抗でも構わない。ただし、スルー
ホールを基板に形成しなくてはならないので、ＬＥＤチ
ップ３がダイスボンドされている面の配線と短絡しない
ようにレイアウトする必要がある。
【００２３】図２（ｃ）はセンサへの使用例を示すが、
この例では電流制限用抵抗５をガラエポ基板１のＬＥＤ
チップ３がダイスボンドされている面と同じ面に配置し
ている。この電流制限用抵抗５を裏面につけ、この分の
基板幅を細くすると、センサ自身のサイズを縮小できる
ことが分かる。しかしながら、パッドパターンをガラエ
ポ基板１がなるべく一杯になるように配置することによ
り、ＬＥＤの光を裏面に透過しなくなる効果はあるが、
このパターンのメッキ厚は数ミクロンなので片面のみで
はまだ光は透過してしまう。そこで、このパターンをガ
ラエポ基板１の両面に形成することにより、遮光の効果
は片面の時の倍に高まり、かなりの光が遮光される。
この例では電流制限用抵抗５をガラエポ基板１のＬＥＤ
チップ３がダイスボンドされている面と同じ面に配置し
ている。この電流制限用抵抗５を裏面につけ、この分の
基板幅を細くすると、センサ自身のサイズを縮小できる
ことが分かる。しかしながら、パッドパターンをガラエ
ポ基板１がなるべく一杯になるように配置することによ
り、ＬＥＤの光を裏面に透過しなくなる効果はあるが、
このパターンのメッキ厚は数ミクロンなので片面のみで
はまだ光は透過してしまう。そこで、このパターンをガ
ラエポ基板１の両面に形成することにより、遮光の効果
は片面の時の倍に高まり、かなりの光が遮光される。
【００２４】図３は本発明の第３実施例を示す光学式読
取りセンサの発光素子基板の裏面の配線パターンを示す
図である。図３（ａ）に示すように、ガラエポ基板１の
裏面には配線パターン１１が配置されている。また、図
３（ｂ）に示すように、配線パターン１１が形成されて
いない部分には、電流制限用抵抗（チップ抵抗）５を図
５に示すように半田付けする。この実施例ではＬＥＤチ
ップ３がダイスボンドされている面と逆の裏面にチップ
抵抗５を形成するようにしている。
取りセンサの発光素子基板の裏面の配線パターンを示す
図である。図３（ａ）に示すように、ガラエポ基板１の
裏面には配線パターン１１が配置されている。また、図
３（ｂ）に示すように、配線パターン１１が形成されて
いない部分には、電流制限用抵抗（チップ抵抗）５を図
５に示すように半田付けする。この実施例ではＬＥＤチ
ップ３がダイスボンドされている面と逆の裏面にチップ
抵抗５を形成するようにしている。
【００２５】このように、ガラエポ基板のＬＥＤチップ
がダイスボンドされている面に電流制限用抵抗を配置し
ないようにしたので、ＬＥＤ基板の面積を小さくするこ
とができる。従来はＬＥＤチップと電流制限用抵抗は同
一面に配置されているため、ダイスボンドパッド面の他
に電流制限用抵抗を配置するパッドを配置するため基板
幅が広くなり、センサケースの小型化が図れず、そのた
め、センサ自身の小型化も図れなかった。しかし、この
実施例によれば、裏面に電流制限用抵抗を配置すること
により、ＬＥＤ基板の幅を細くすることができるため、
このＬＥＤ基板を使用するセンサ自身のサイズを小さく
することができる。
がダイスボンドされている面に電流制限用抵抗を配置し
ないようにしたので、ＬＥＤ基板の面積を小さくするこ
とができる。従来はＬＥＤチップと電流制限用抵抗は同
一面に配置されているため、ダイスボンドパッド面の他
に電流制限用抵抗を配置するパッドを配置するため基板
幅が広くなり、センサケースの小型化が図れず、そのた
め、センサ自身の小型化も図れなかった。しかし、この
実施例によれば、裏面に電流制限用抵抗を配置すること
により、ＬＥＤ基板の幅を細くすることができるため、
このＬＥＤ基板を使用するセンサ自身のサイズを小さく
することができる。
【００２６】なお、パターン形状は、図４に示すよう
に、基板の表面側〔図４（ａ）参照〕、基板の裏面側
〔図４（ｂ）参照〕ともに、第１実施例の場合と同様
に、ガラエポ基板１表面がなるべく一杯になるように配
置する。そして、ダイスボンドパッド２面でのパターン
間の隙間と、裏面のパターン間の隙間が同じ位置になら
ないようにずらして配置する。
に、基板の表面側〔図４（ａ）参照〕、基板の裏面側
〔図４（ｂ）参照〕ともに、第１実施例の場合と同様
に、ガラエポ基板１表面がなるべく一杯になるように配
置する。そして、ダイスボンドパッド２面でのパターン
間の隙間と、裏面のパターン間の隙間が同じ位置になら
ないようにずらして配置する。
【００２７】上記したように、図２（ｂ）に示すような
回路構成にしたとき、図６（ａ）に示すように、４個の
ＬＥＤは直列の配線になるが、この配線を横方向に配線
する。この時、ワイヤボンド用のパッドも、図６（ｂ）
に示すように縦に配置せず、横方向にワイヤボンドでき
るように配置する。このように、パターンを両面に配置
したため、遮光の効果は片面の時に比べて高まり、更
に、両面のパターンの隙間が重ならないため、ＬＥＤの
光が裏面に透過するのを効率的に妨げ、十分な遮光効果
を得ることができる。 図７は本発明の第４実施例を示
す光学式読取りセンサの発光素子基板の配線パターンを
示す図である。
回路構成にしたとき、図６（ａ）に示すように、４個の
ＬＥＤは直列の配線になるが、この配線を横方向に配線
する。この時、ワイヤボンド用のパッドも、図６（ｂ）
に示すように縦に配置せず、横方向にワイヤボンドでき
るように配置する。このように、パターンを両面に配置
したため、遮光の効果は片面の時に比べて高まり、更
に、両面のパターンの隙間が重ならないため、ＬＥＤの
光が裏面に透過するのを効率的に妨げ、十分な遮光効果
を得ることができる。 図７は本発明の第４実施例を示
す光学式読取りセンサの発光素子基板の配線パターンを
示す図である。
【００２８】この実施例は、ダイスボンドパッドとワイ
ヤボンドパッドが同一面上にある場合に適合する。図７
（ａ）はダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッ
ド部１４間にスリット１２を形成し、一部のみ繋いでい
る。スリット１２の幅はパターン形成時のエッチング精
度によるが、通常０．３ｍｍから０．４ｍｍである。ま
た、ダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部
１４を繋いでいるパターン部の太さも通常０．３ｍｍか
ら０．４ｍｍである。
ヤボンドパッドが同一面上にある場合に適合する。図７
（ａ）はダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッ
ド部１４間にスリット１２を形成し、一部のみ繋いでい
る。スリット１２の幅はパターン形成時のエッチング精
度によるが、通常０．３ｍｍから０．４ｍｍである。ま
た、ダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部
１４を繋いでいるパターン部の太さも通常０．３ｍｍか
ら０．４ｍｍである。
【００２９】図７（ｂ）は図７（ａ）が１箇所、ダイス
ボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部１４を繋い
でいるのに対して２箇所で繋いだ例である。図７（ｃ）
はダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部１
４を繋ぐパターンのリードパスを長くした例である。こ
の場合、ワイヤボンドパッド部１４のサイズは１００μ
ｍ□あれば十分である。
ボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部１４を繋い
でいるのに対して２箇所で繋いだ例である。図７（ｃ）
はダイスボンドパッド部１３とワイヤボンドパッド部１
４を繋ぐパターンのリードパスを長くした例である。こ
の場合、ワイヤボンドパッド部１４のサイズは１００μ
ｍ□あれば十分である。
【００３０】このように、チップをダイスボンドパッド
にボンディングする際、使用する銀ペーストには溶剤及
び液体状の樹脂が含まれている。この溶剤及び液体状の
樹脂はパッド部分のメッキの粒子の間を毛細管現象で広
がり、ワイヤボンド強度を低下させる。しかし、ダイス
ボンドパッド部とワイヤボンドパッド部をスリットで分
離することにより、ワイヤボンドパッドまで溶剤が広が
らなくなる。また、リードパスを長くすることにより、
その効果は一層高められる。
にボンディングする際、使用する銀ペーストには溶剤及
び液体状の樹脂が含まれている。この溶剤及び液体状の
樹脂はパッド部分のメッキの粒子の間を毛細管現象で広
がり、ワイヤボンド強度を低下させる。しかし、ダイス
ボンドパッド部とワイヤボンドパッド部をスリットで分
離することにより、ワイヤボンドパッドまで溶剤が広が
らなくなる。また、リードパスを長くすることにより、
その効果は一層高められる。
【００３１】図８は本発明の第５実施例を示す受光素子
の構成を示す図である。この実施例では、受光素子にお
いて、受光エリアでない部分の遮光を目的として２層ア
ルミニウムにて覆うようにする。この図において、２１
はシリコン基板であり、その上に中間絶縁膜２２を形成
し、その上に配線及び遮光を目的とした１層アルミニウ
ム配線２３を形成する。更に、中間絶縁膜２４を介して
２層アルミニウム配線２５を形成し、この２層アルミニ
ウム配線２５は遮光を目的とするため、図８（ａ）に示
すように、広い範囲に付けられる。この２層アルミニウ
ム配線２５にスルーホール２６を形成する。更に、表面
には保護膜２７が形成される。
の構成を示す図である。この実施例では、受光素子にお
いて、受光エリアでない部分の遮光を目的として２層ア
ルミニウムにて覆うようにする。この図において、２１
はシリコン基板であり、その上に中間絶縁膜２２を形成
し、その上に配線及び遮光を目的とした１層アルミニウ
ム配線２３を形成する。更に、中間絶縁膜２４を介して
２層アルミニウム配線２５を形成し、この２層アルミニ
ウム配線２５は遮光を目的とするため、図８（ａ）に示
すように、広い範囲に付けられる。この２層アルミニウ
ム配線２５にスルーホール２６を形成する。更に、表面
には保護膜２７が形成される。
【００３２】この実施例では、スルーホール２６は千鳥
状に配置されているが、必ずしも千鳥状に配置しなくて
も良い、ほぼ１０μｍから３０μｍ間隔でスルーホール
２６を設ければ良い。中間絶縁膜２２，２４は通常のＣ
−ＭＯＳもしくはバイポーラの素子形成プロセスで形成
されるものである。また、このスルーホール２６の形状
は正方形にこだわらず長方形でもよいし、更に、図８
（ｃ）に示すように、スルーホールを直線状のスルーホ
ールに２６′に配置するようにしても良い。なお、２
５′は第２層アルミニウム配線である。
状に配置されているが、必ずしも千鳥状に配置しなくて
も良い、ほぼ１０μｍから３０μｍ間隔でスルーホール
２６を設ければ良い。中間絶縁膜２２，２４は通常のＣ
−ＭＯＳもしくはバイポーラの素子形成プロセスで形成
されるものである。また、このスルーホール２６の形状
は正方形にこだわらず長方形でもよいし、更に、図８
（ｃ）に示すように、スルーホールを直線状のスルーホ
ールに２６′に配置するようにしても良い。なお、２
５′は第２層アルミニウム配線である。
【００３３】因みに、スルーホールを形成していない場
合には、２層アルミニウムは中間絶縁膜（酸化膜）の上
に平坦な面で乗っているだけであるので、樹脂封止を施
した場合等に横方向の応力でずれて剥がれてしまう。そ
こでスルーホールを設け、２層アルミニウムが、このス
ルーホールに食い込む構造（入れ込み構造）にすること
により、横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくは
ズレに対する抵抗力が強くなる。
合には、２層アルミニウムは中間絶縁膜（酸化膜）の上
に平坦な面で乗っているだけであるので、樹脂封止を施
した場合等に横方向の応力でずれて剥がれてしまう。そ
こでスルーホールを設け、２層アルミニウムが、このス
ルーホールに食い込む構造（入れ込み構造）にすること
により、横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくは
ズレに対する抵抗力が強くなる。
【００３４】図９は本発明の第６実施例を示す受光素子
の構成を示す図である。この図において、３１はシリコ
ン基板、３２は中間絶縁膜、３３は１層アルミニウム配
線、３４はコンタクトホール、３５は中間絶縁膜、３６
は２層アルミニウム配線、３７はスルーホール、３８は
保護膜である。この実施例では、スルーホール３７だけ
でなく、コンタクトホール３４も交互に配置する。配置
はスルーホール３７だけでなくコンタクトホール３４も
交互に配置されていれば良く、各々のサイズは問わない
が密度が高い方が良い。この実施例では１０μｍ□程度
の大きさである。
の構成を示す図である。この図において、３１はシリコ
ン基板、３２は中間絶縁膜、３３は１層アルミニウム配
線、３４はコンタクトホール、３５は中間絶縁膜、３６
は２層アルミニウム配線、３７はスルーホール、３８は
保護膜である。この実施例では、スルーホール３７だけ
でなく、コンタクトホール３４も交互に配置する。配置
はスルーホール３７だけでなくコンタクトホール３４も
交互に配置されていれば良く、各々のサイズは問わない
が密度が高い方が良い。この実施例では１０μｍ□程度
の大きさである。
【００３５】この配置は、図９（ａ）に示すように、ス
ルーホール３７を一列に並べ、その隣にコンタクトホー
ル３４を並べたものであり、図９（ｃ）はスルーホール
３７とコンタクトホール３４を交互に並べた例である。
また、スルーホール３７とコンタクトホール３４の形状
は、正方形にこだわらず長方形でも良い。更に、図９
（ｄ）のように、コンタクトホールを直線状のコンタク
トホール３４′に形成しても良い。なお、３６′は２層
アルミニウム配線である。
ルーホール３７を一列に並べ、その隣にコンタクトホー
ル３４を並べたものであり、図９（ｃ）はスルーホール
３７とコンタクトホール３４を交互に並べた例である。
また、スルーホール３７とコンタクトホール３４の形状
は、正方形にこだわらず長方形でも良い。更に、図９
（ｄ）のように、コンタクトホールを直線状のコンタク
トホール３４′に形成しても良い。なお、３６′は２層
アルミニウム配線である。
【００３６】このように、１層アルミニウムにコンタク
トホールを形成することにより、図９（ｂ）に示すよう
に食い込み構造が増える。そのため、１層アルミニウム
に対しても横方向の力（応力等）による剥がれ、もしく
はズレに対する抵抗が強くなる。また、２層アルミニウ
ムは１層アルミニウムのコンタクトホールの食い込み構
造の影響も受けるため、一層横方向の力（応力等）によ
る剥がれ、もしくはズレに対しても強くなる。
トホールを形成することにより、図９（ｂ）に示すよう
に食い込み構造が増える。そのため、１層アルミニウム
に対しても横方向の力（応力等）による剥がれ、もしく
はズレに対する抵抗が強くなる。また、２層アルミニウ
ムは１層アルミニウムのコンタクトホールの食い込み構
造の影響も受けるため、一層横方向の力（応力等）によ
る剥がれ、もしくはズレに対しても強くなる。
【００３７】図１０は本発明の第７実施例を示す受光素
子の構成を示す図である。図１０（ａ）に示すように、
受光素子４１のキャリア吸収エリアのコンタクトホール
４２の周りに、ポリシリコン膜４３を形成する。このポ
リシリコン膜４３は通常のＣ−ＭＯＳ半導体作製プロセ
スのゲート形成プロセスにおいて同時に形成されるもの
である。この実施例では、ポリシリコン膜２９が全て繋
がっているように構成したが、この形状の他に、図１０
（ｂ）示すように、ポリシリコン膜４３が繋がらないよ
うに形成しても良い。
子の構成を示す図である。図１０（ａ）に示すように、
受光素子４１のキャリア吸収エリアのコンタクトホール
４２の周りに、ポリシリコン膜４３を形成する。このポ
リシリコン膜４３は通常のＣ−ＭＯＳ半導体作製プロセ
スのゲート形成プロセスにおいて同時に形成されるもの
である。この実施例では、ポリシリコン膜２９が全て繋
がっているように構成したが、この形状の他に、図１０
（ｂ）示すように、ポリシリコン膜４３が繋がらないよ
うに形成しても良い。
【００３８】このように、発光素子ではチップ面積の大
半を受光エリアが占め、信号処理回路部分は全体の面積
の１０％から２０％しか占めないことがある。そのた
め、ポリシリコンのチップ面積に対するパターンレシオ
（ポリシリコンのパターンがチップ全体に占める割合）
が著しく小さくなり、通常の信号処理回路のみで構成さ
れているＩＣチップを作成する工程（ウエハプロセス）
で流すと安定した処理が行えず、作成されたチップ（ウ
エハ）の特性がばらついてしまう。
半を受光エリアが占め、信号処理回路部分は全体の面積
の１０％から２０％しか占めないことがある。そのた
め、ポリシリコンのチップ面積に対するパターンレシオ
（ポリシリコンのパターンがチップ全体に占める割合）
が著しく小さくなり、通常の信号処理回路のみで構成さ
れているＩＣチップを作成する工程（ウエハプロセス）
で流すと安定した処理が行えず、作成されたチップ（ウ
エハ）の特性がばらついてしまう。
【００３９】そこで、受光エリア間の空いている隙間に
ポリシリコンを入れることにより、ポリシリコンのチッ
プ面積に対するパターンレシオを上げることができ、ウ
エハはプロセスの安定化が図れる。また、ポリシリコン
をコンタクトホール、もしくはスルーホールの周りを囲
むように配置するため、図９で示したような効果と同じ
ような凹凸形状を形成することができるため、遮光を目
的とした広い面積で配線されている１層アルミニウム、
もしくは２層アルミニウムの食い込みを良くし、横方向
の力に対し、ずれないようにすることができる。
ポリシリコンを入れることにより、ポリシリコンのチッ
プ面積に対するパターンレシオを上げることができ、ウ
エハはプロセスの安定化が図れる。また、ポリシリコン
をコンタクトホール、もしくはスルーホールの周りを囲
むように配置するため、図９で示したような効果と同じ
ような凹凸形状を形成することができるため、遮光を目
的とした広い面積で配線されている１層アルミニウム、
もしくは２層アルミニウムの食い込みを良くし、横方向
の力に対し、ずれないようにすることができる。
【００４０】図１１は本発明の第８実施例を示す受光素
子の構成を示す図である。この図に示すように、受光チ
ップ５１の幅は約１．５ｍｍであり、この受光チップ５
１には受光エリア５２が並んでいる。この受光エリア５
２の間が受光出力に関与しないキャリア吸収エリア５３
である。この部分に拡散層６６を形成し、ここにコンタ
クトホール５４を形成する。さらに、この上にアルミニ
ウム配線６８を形成する。このアルミニウム配線６８の
電位は電源電位もしくはＧＮＤ電位にする。この拡散層
６６の形状は正方形にこだわらず長方形でも良いし、更
に直線状に配置しても良い。
子の構成を示す図である。この図に示すように、受光チ
ップ５１の幅は約１．５ｍｍであり、この受光チップ５
１には受光エリア５２が並んでいる。この受光エリア５
２の間が受光出力に関与しないキャリア吸収エリア５３
である。この部分に拡散層６６を形成し、ここにコンタ
クトホール５４を形成する。さらに、この上にアルミニ
ウム配線６８を形成する。このアルミニウム配線６８の
電位は電源電位もしくはＧＮＤ電位にする。この拡散層
６６の形状は正方形にこだわらず長方形でも良いし、更
に直線状に配置しても良い。
【００４１】この実施例によれば、まず、キャリア吸収
エリア５３にコンタクトホールがないときの状況につい
て説明する。光を受けると、受光エリア５２ではキャリ
アが発生する。この発生したキャリアの大半は受光エリ
ア５２に配線されている電極を通し吸収され、受光電流
となる。しかし、図１１（ｄ）に示すように、キャリア
７０の一部は隣接する受光エリア５２まで移動する。そ
の結果、例えば、左部の受光エリア５２にしか光が当た
ってなくても、その右側の受光エリア５２に移動したキ
ャリアの影響で、この右側の受光エリア５２にも光が当
たっているかのように受光電流が得られてしまう。
エリア５３にコンタクトホールがないときの状況につい
て説明する。光を受けると、受光エリア５２ではキャリ
アが発生する。この発生したキャリアの大半は受光エリ
ア５２に配線されている電極を通し吸収され、受光電流
となる。しかし、図１１（ｄ）に示すように、キャリア
７０の一部は隣接する受光エリア５２まで移動する。そ
の結果、例えば、左部の受光エリア５２にしか光が当た
ってなくても、その右側の受光エリア５２に移動したキ
ャリアの影響で、この右側の受光エリア５２にも光が当
たっているかのように受光電流が得られてしまう。
【００４２】そこで、図１１（ｅ）に示すように、両者
の受光エリア５２の間にキャリア吸収構造としてのコン
タクトホール５４を形成すると、隣接する受光エリア５
２まで移動しようとするキャリア７０を、コンタクトホ
ール５４で吸収し、隣接する受光エリア５２まで移動さ
せないで済む。この結果、光が受光エリア５２に当たっ
ていないときの出力（暗レベル）を低下させることがで
きる。なお、図１１において、６５はシリコン基板、６
７は層間絶縁膜、６９は保護膜である。
の受光エリア５２の間にキャリア吸収構造としてのコン
タクトホール５４を形成すると、隣接する受光エリア５
２まで移動しようとするキャリア７０を、コンタクトホ
ール５４で吸収し、隣接する受光エリア５２まで移動さ
せないで済む。この結果、光が受光エリア５２に当たっ
ていないときの出力（暗レベル）を低下させることがで
きる。なお、図１１において、６５はシリコン基板、６
７は層間絶縁膜、６９は保護膜である。
【００４３】図１２は本発明の第９実施例を示す発光部
の配置と発光特性を示す図である。この実施例では、図
１２（ａ）に示すように、ＬＤＥ基板７１の端のＬＥＤ
チップ７２ａ，７２ｂはピッチを詰めて配列し、３チッ
プ目からのＬＥＤチップ７２は均一ピッチにて配列す
る。この実施例では、１チップ目と２チップ目のピッチ
は１．７ｍｍであり、２チップ目以降のピッチは３ｍｍ
である。
の配置と発光特性を示す図である。この実施例では、図
１２（ａ）に示すように、ＬＤＥ基板７１の端のＬＥＤ
チップ７２ａ，７２ｂはピッチを詰めて配列し、３チッ
プ目からのＬＥＤチップ７２は均一ピッチにて配列す
る。この実施例では、１チップ目と２チップ目のピッチ
は１．７ｍｍであり、２チップ目以降のピッチは３ｍｍ
である。
【００４４】ピッチを詰めるチップ数は２チップでなく
ても良く、図１２（ｂ）の合成光出力分布７４の端部立
ち上がり形状により決める。また、ピッチも端部チップ
については、詰めれば詰めるほど合成光出力分布７４の
端部立ち上がり形状は急峻になる。なお、７３は個々の
ＬＥＤの光出力分布を示している。なお、図１２（ｃ）
には等ピッチのＬＥＤチップを示し、図１２（ｄ）に
は、その場合の合成光出力分布を示している。
ても良く、図１２（ｂ）の合成光出力分布７４の端部立
ち上がり形状により決める。また、ピッチも端部チップ
については、詰めれば詰めるほど合成光出力分布７４の
端部立ち上がり形状は急峻になる。なお、７３は個々の
ＬＥＤの光出力分布を示している。なお、図１２（ｃ）
には等ピッチのＬＥＤチップを示し、図１２（ｄ）に
は、その場合の合成光出力分布を示している。
【００４５】このように、ＬＥＤ基板７５上の全てのＬ
ＥＤチップ７６を等ピッチ３ｍｍで配置した場合、図１
２（ｄ）に示すように１チップ目の上では合成光出力分
布７８は均一レベル（飽和値）まで達していないことが
分かる。なお、図１２（ｄ）において、７７は個々のＬ
ＥＤの光出力分布を示している。これを図１２（ａ）に
示すように、端のチップのみピッチを小さくすることに
より合成光出力分布７４の端部での立ち上がりがよくな
り、１チップ目には均一レベル（飽和値）まで達するよ
うにすることができる。ピッチを更に小さくすると、こ
の効果はもっと顕著に現れ、端部での立ち上がりは一層
急峻になる。
ＥＤチップ７６を等ピッチ３ｍｍで配置した場合、図１
２（ｄ）に示すように１チップ目の上では合成光出力分
布７８は均一レベル（飽和値）まで達していないことが
分かる。なお、図１２（ｄ）において、７７は個々のＬ
ＥＤの光出力分布を示している。これを図１２（ａ）に
示すように、端のチップのみピッチを小さくすることに
より合成光出力分布７４の端部での立ち上がりがよくな
り、１チップ目には均一レベル（飽和値）まで達するよ
うにすることができる。ピッチを更に小さくすると、こ
の効果はもっと顕著に現れ、端部での立ち上がりは一層
急峻になる。
【００４６】図１３は本発明の第１０実施例を示す発光
部の配置と発光特性を示す図である。単純に両端のＬＥ
Ｄのピッチだけを詰めると、図１２（ｂ）に示すよう
に、端部の出力は上がるが、合成光出力分布７４にて均
一出力値よりも上がりすぎ瘤のような形状を示す。これ
は、１、２チップ目と３、４チップ目の光出力値が合成
されるためで、瘤の範囲は３チップあたりまで及ぶ。そ
こで、この実施例では、１チップ目と２チップ目のチッ
プを詰め、逆に２チップ目と３チップ目のピッチは均一
ピッチより広くした。
部の配置と発光特性を示す図である。単純に両端のＬＥ
Ｄのピッチだけを詰めると、図１２（ｂ）に示すよう
に、端部の出力は上がるが、合成光出力分布７４にて均
一出力値よりも上がりすぎ瘤のような形状を示す。これ
は、１、２チップ目と３、４チップ目の光出力値が合成
されるためで、瘤の範囲は３チップあたりまで及ぶ。そ
こで、この実施例では、１チップ目と２チップ目のチッ
プを詰め、逆に２チップ目と３チップ目のピッチは均一
ピッチより広くした。
【００４７】図１３（ａ）に示すように、１チップ目の
ＬＥＤ７２ａと２チップ目のＬＥＤ７２ｂのピッチ間は
１．７ｍｍ、２チップ目のＬＥＤ７２ｃと３チップ目の
ＬＥＤ７２ｄのピッチ間は５ｍｍ、３チップ目以降は３
ｍｍのピッチとした。また、図１３（ｃ）に示すよう
に、１、２チップ目のピッチ７２ａ，７２ｂ及び３、４
チップ目のピッチ７２ｃ，７２ｄ間を詰め、２、３チッ
プのピッチ７２ｂ，７２ｃ間を均一ピッチに近い距離に
し、均一ピッチになる５チップ目と４チップ目のピッチ
を均一ピッチより広くするようにしてもよい。
ＬＥＤ７２ａと２チップ目のＬＥＤ７２ｂのピッチ間は
１．７ｍｍ、２チップ目のＬＥＤ７２ｃと３チップ目の
ＬＥＤ７２ｄのピッチ間は５ｍｍ、３チップ目以降は３
ｍｍのピッチとした。また、図１３（ｃ）に示すよう
に、１、２チップ目のピッチ７２ａ，７２ｂ及び３、４
チップ目のピッチ７２ｃ，７２ｄ間を詰め、２、３チッ
プのピッチ７２ｂ，７２ｃ間を均一ピッチに近い距離に
し、均一ピッチになる５チップ目と４チップ目のピッチ
を均一ピッチより広くするようにしてもよい。
【００４８】合成光出力分布７４を均一にするため、
２、３チップのピッチを均一ピッチより広く取っても良
い。因みに、この実施例では、１、２チップ間及び３、
４チップ間ピッチは１．７ｍｍ、２、３チップ間ピッチ
は３ｍｍ、４、５チップ間ピッチは５ｍｍ、５チップ目
以降の均一ピッチは５ｍｍである。この実施例によれ
ば、ＬＥＤのピッチを詰めると合成光出力分布の端部で
の立ち上がりは急峻になるが、均一値より出力の高い部
分ができる。この出力の高い部分はピッチを詰めたＬＥ
Ｄの合成波形と均一ピッチに並んでいるＬＥＤの出力の
合成により範囲が規定される。そこで、均一ピッチより
ピッチを離してやることにより、合成光出力分布の均一
値より出力の高い部分を狭くすることが可能になる。更
に、ピッチを詰めたＬＥＤの印加電流を下げ、光出力を
少し下げてやると合成光出力分布をほぼ均一にすること
が可能になる。
２、３チップのピッチを均一ピッチより広く取っても良
い。因みに、この実施例では、１、２チップ間及び３、
４チップ間ピッチは１．７ｍｍ、２、３チップ間ピッチ
は３ｍｍ、４、５チップ間ピッチは５ｍｍ、５チップ目
以降の均一ピッチは５ｍｍである。この実施例によれ
ば、ＬＥＤのピッチを詰めると合成光出力分布の端部で
の立ち上がりは急峻になるが、均一値より出力の高い部
分ができる。この出力の高い部分はピッチを詰めたＬＥ
Ｄの合成波形と均一ピッチに並んでいるＬＥＤの出力の
合成により範囲が規定される。そこで、均一ピッチより
ピッチを離してやることにより、合成光出力分布の均一
値より出力の高い部分を狭くすることが可能になる。更
に、ピッチを詰めたＬＥＤの印加電流を下げ、光出力を
少し下げてやると合成光出力分布をほぼ均一にすること
が可能になる。
【００４９】図１４は本発明の第１１実施例を示す発光
部の配置を示す図である。ガラエポ基板８１の端部にダ
イスボンドするチップを他のＬＥＤチップとは同一直線
上に配置せず、更に、図１４（ａ）に示すように、端部
に配置される２個のＬＥＤチップ８２ａ，８２ｂをすぐ
近く（１ｍｍ以内）に斜めに配置する。これは、斜めで
なくても、図１４（ｂ）に示すように、中心線に対して
直交するように配置してもよい。この実施例では配置す
るチップ数は２個であるが、複数個であれば良く、図１
４（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ８２ａ，８２ｂ，
８２ｃ，８２ｄ，８２ｅを配置場所により配置個数を変
えるようにしても良い。また、この場合、各複数個のＬ
ＥＤ８２のブロックのピッチは等ピッチでなくてもよ
い。
部の配置を示す図である。ガラエポ基板８１の端部にダ
イスボンドするチップを他のＬＥＤチップとは同一直線
上に配置せず、更に、図１４（ａ）に示すように、端部
に配置される２個のＬＥＤチップ８２ａ，８２ｂをすぐ
近く（１ｍｍ以内）に斜めに配置する。これは、斜めで
なくても、図１４（ｂ）に示すように、中心線に対して
直交するように配置してもよい。この実施例では配置す
るチップ数は２個であるが、複数個であれば良く、図１
４（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ８２ａ，８２ｂ，
８２ｃ，８２ｄ，８２ｅを配置場所により配置個数を変
えるようにしても良い。また、この場合、各複数個のＬ
ＥＤ８２のブロックのピッチは等ピッチでなくてもよ
い。
【００５０】この実施例によれば、図１２（ｄ）で示し
たように、１個ずつのＬＥＤを均一ピッチで配列する
と、個々のＬＥＤの光を合成した合成光出力分布の端部
が下がる。そこで端部に配置するＬＥＤの個数を増やし
たので端部の出力が上がる。そのため、合成光出力分布
の均一値の範囲を広げることができる。図１５は本発明
の第１２実施例を示す光学式読取りセンサの構成を示す
図である。
たように、１個ずつのＬＥＤを均一ピッチで配列する
と、個々のＬＥＤの光を合成した合成光出力分布の端部
が下がる。そこで端部に配置するＬＥＤの個数を増やし
たので端部の出力が上がる。そのため、合成光出力分布
の均一値の範囲を広げることができる。図１５は本発明
の第１２実施例を示す光学式読取りセンサの構成を示す
図である。
【００５１】図１５（ａ）はその光学式パターン読取り
センサを示す図であり、この時のＬＥＤの光束９８を示
した。ここで、ＬＥＤ用レンズ９３は、図１５（ｂ）に
示すように、ＬＥＤチップ９２と逆側に焦点を持たず、
平行光に近い光束９８を示すレンズである。また、この
ＬＥＤ用レンズ９３は透明樹脂にて成形されたものであ
り、収差も小さくし、火線もほとんど現れないようにし
てある。なお、９１はＬＥＤ基板、９７はケースであ
る。
センサを示す図であり、この時のＬＥＤの光束９８を示
した。ここで、ＬＥＤ用レンズ９３は、図１５（ｂ）に
示すように、ＬＥＤチップ９２と逆側に焦点を持たず、
平行光に近い光束９８を示すレンズである。また、この
ＬＥＤ用レンズ９３は透明樹脂にて成形されたものであ
り、収差も小さくし、火線もほとんど現れないようにし
てある。なお、９１はＬＥＤ基板、９７はケースであ
る。
【００５２】また、この実施例で示すＬＥＤ用レンズ９
３は、図１５（ｃ）に示すＳＬＡ９５上部のガラス９４
の上にｌｏｐｔの幅の光束９８を持つように設計された
レンズである。レンズ曲面は非球面であり、透明樹脂に
て成形されたものである。この実施例におけるＬＥＤ用
レンズ９３を用い、ガラス９４の上面に白紙を置いて反
射光の出力値を受光部９６で検出すると、出力値はレン
ズ無しの時に比べ、約２倍以上になる。また、レンズの
光源と逆の側に焦点を持たないため、検知する範囲であ
るＳＬＡ９５の上部での光束９８の中で光強度分布の変
化が少ない。
３は、図１５（ｃ）に示すＳＬＡ９５上部のガラス９４
の上にｌｏｐｔの幅の光束９８を持つように設計された
レンズである。レンズ曲面は非球面であり、透明樹脂に
て成形されたものである。この実施例におけるＬＥＤ用
レンズ９３を用い、ガラス９４の上面に白紙を置いて反
射光の出力値を受光部９６で検出すると、出力値はレン
ズ無しの時に比べ、約２倍以上になる。また、レンズの
光源と逆の側に焦点を持たないため、検知する範囲であ
るＳＬＡ９５の上部での光束９８の中で光強度分布の変
化が少ない。
【００５３】また、図１５（ｃ）に示すように、被読取
り物９９がガラス９４上面に入り、その反射光はＳＬＡ
９５を通し受光部９６にて検出されるが、この被読取り
物９９はガラス９４上面の一定の場所（ガラス９４上面
から一定の距離）を通るのでなく、ある範囲で上下す
る。そこで、ｌｏｐｔが、この範囲より多少広ければ常
にほぼ均一の反射出力値を得ることができる。
り物９９がガラス９４上面に入り、その反射光はＳＬＡ
９５を通し受光部９６にて検出されるが、この被読取り
物９９はガラス９４上面の一定の場所（ガラス９４上面
から一定の距離）を通るのでなく、ある範囲で上下す
る。そこで、ｌｏｐｔが、この範囲より多少広ければ常
にほぼ均一の反射出力値を得ることができる。
【００５４】図１６は本発明の第１３実施例を示す発光
部の構成を示す図である。この実施例においては、図１
６（ａ）は、ガラエポ基板１０１上にはＬＥＤチップ１
０２が配置されるが、それらのＬＥＤチップ１０２はリ
フレクタ１０３によって区分された場合を、また、図１
６（ｂ）は、ガラエポ基板１０５上にはＬＥＤチップ１
０６が配置されるが、それらのＬＥＤチップ１０６は３
個ずつリフレクタ１０７によって区分された場合を示し
ている。
部の構成を示す図である。この実施例においては、図１
６（ａ）は、ガラエポ基板１０１上にはＬＥＤチップ１
０２が配置されるが、それらのＬＥＤチップ１０２はリ
フレクタ１０３によって区分された場合を、また、図１
６（ｂ）は、ガラエポ基板１０５上にはＬＥＤチップ１
０６が配置されるが、それらのＬＥＤチップ１０６は３
個ずつリフレクタ１０７によって区分された場合を示し
ている。
【００５５】以下、このリフレクタの具体的構造につい
て、図１７を参照しながら説明する。図１７は本発明の
第１４実施例を示すリフレクタの構成を示す図である。
図１７（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ１０６間のリ
フレクタ橋部１０７ａの高さを０．５ｍｍ以下にする。
図１７（ｂ）では３個のＬＥＤチップ１０６間にリフレ
クタ橋部１０７ａが形成されているが、１個ずつのＬＥ
Ｄチップ１０６間に形成しても良い。リフレクタ橋部１
０７ａの高さは、樹脂成形条件で最低値が決まるが、こ
の実施例では０．４ｍｍである。
て、図１７を参照しながら説明する。図１７は本発明の
第１４実施例を示すリフレクタの構成を示す図である。
図１７（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ１０６間のリ
フレクタ橋部１０７ａの高さを０．５ｍｍ以下にする。
図１７（ｂ）では３個のＬＥＤチップ１０６間にリフレ
クタ橋部１０７ａが形成されているが、１個ずつのＬＥ
Ｄチップ１０６間に形成しても良い。リフレクタ橋部１
０７ａの高さは、樹脂成形条件で最低値が決まるが、こ
の実施例では０．４ｍｍである。
【００５６】図１７（ｂ）に示すように、リフレクタ橋
部１０７ａの高さが高いと、リフレクタ橋部１０７ａに
隣接するＬＥＤ１０６の光は、リフレクタ橋部１０７ａ
に遮られ合成光出力分布は、図１７（ｃ）に示すよう
に、リフレクタ橋部１０７ａの部分の出力値が下がって
しまう。そこで、以下のように改良することができる。
図１７（ｄ）に示すように、リフレクタ橋部１０７ａの
高さを下げることにより、図１７（ｅ）に示すように、
リフレクタ橋部１０７ａにより光を遮らなくなり、隣接
するＬＥＤ１０６の光が均等に干渉するため、図１７
（ｆ）に示すように均一な合成光出力分布を得ることが
できる。
部１０７ａの高さが高いと、リフレクタ橋部１０７ａに
隣接するＬＥＤ１０６の光は、リフレクタ橋部１０７ａ
に遮られ合成光出力分布は、図１７（ｃ）に示すよう
に、リフレクタ橋部１０７ａの部分の出力値が下がって
しまう。そこで、以下のように改良することができる。
図１７（ｄ）に示すように、リフレクタ橋部１０７ａの
高さを下げることにより、図１７（ｅ）に示すように、
リフレクタ橋部１０７ａにより光を遮らなくなり、隣接
するＬＥＤ１０６の光が均等に干渉するため、図１７
（ｆ）に示すように均一な合成光出力分布を得ることが
できる。
【００５７】上記したように、リフレクタ橋部の高さが
高いと、リフレクタ橋部に隣接するＬＥＤの光は、リフ
レクタ橋部に遮られ合成光出力分布はリフレクタ橋部の
部分の出力値が下がってしまう。そこで、このリフレク
タ橋部の高さを下げることにより、リフレクタ橋部によ
り光を遮らなくなり、隣接するＬＥＤの光が均等に干渉
するため、均一な合成光出力分布を得ることができる。
高いと、リフレクタ橋部に隣接するＬＥＤの光は、リフ
レクタ橋部に遮られ合成光出力分布はリフレクタ橋部の
部分の出力値が下がってしまう。そこで、このリフレク
タ橋部の高さを下げることにより、リフレクタ橋部によ
り光を遮らなくなり、隣接するＬＥＤの光が均等に干渉
するため、均一な合成光出力分布を得ることができる。
【００５８】図１８は本発明の第１５実施例を示すリフ
レクタの固定爪の構成を示す図である。この実施例は、
リフレクタ部とガラエポ基板を固定するために、前記リ
フレクタにＬ字形状の引っかかり爪を設けるようにした
ものである。このリフレクタ固定用爪１１３はリフレク
タ１１２作製時にＬ字形状に一体成形する。このリフレ
クタ固定用爪１１３の長さはガラエポ基板１１１の厚さ
によって変える。
レクタの固定爪の構成を示す図である。この実施例は、
リフレクタ部とガラエポ基板を固定するために、前記リ
フレクタにＬ字形状の引っかかり爪を設けるようにした
ものである。このリフレクタ固定用爪１１３はリフレク
タ１１２作製時にＬ字形状に一体成形する。このリフレ
クタ固定用爪１１３の長さはガラエポ基板１１１の厚さ
によって変える。
【００５９】図１８（ａ）は一般的なリフレクタ固定用
爪の固定方法を示す図であり、リフレクタ固定用爪１１
３が熱により溶かされて固定したリフレクタ固定部１１
４を示しており、これに対し、図１８（ｃ）では、図１
８（ｂ）に示すリフレクタ固定用爪１１３がガラエポ基
板１１１に嵌着されたままで固定されるようになってい
る。つまり、リフレクタ固定用爪１１３の高さがガラエ
ポ基板１１１の厚さと等しくなるようになっている。
爪の固定方法を示す図であり、リフレクタ固定用爪１１
３が熱により溶かされて固定したリフレクタ固定部１１
４を示しており、これに対し、図１８（ｃ）では、図１
８（ｂ）に示すリフレクタ固定用爪１１３がガラエポ基
板１１１に嵌着されたままで固定されるようになってい
る。つまり、リフレクタ固定用爪１１３の高さがガラエ
ポ基板１１１の厚さと等しくなるようになっている。
【００６０】上記したように、リフレクタの固定は図１
８（ａ）に示すように、リフレクタ固定用爪を溶かして
基板の穴より大きくして固定するのが一般的であるが、
裏面からヒータを当てて溶かし固定するため、この際に
リフレクタが基板より若干浮いたりすることがある。ま
た、リフレクタ固定用爪を溶かすための特別の装置を必
要とする。
８（ａ）に示すように、リフレクタ固定用爪を溶かして
基板の穴より大きくして固定するのが一般的であるが、
裏面からヒータを当てて溶かし固定するため、この際に
リフレクタが基板より若干浮いたりすることがある。ま
た、リフレクタ固定用爪を溶かすための特別の装置を必
要とする。
【００６１】しかし、固定のためのリフレクタ固定用爪
を一体成形で形成すれば、特別な装置を用いなくても基
板にはめ込むだけで固定され、また浮くこともない。ま
た、リフレクタ固定用爪の形状としては、図１９に示す
ように各種の形状にすることができる。すなわち、図１
９（ａ）に示すように、三日月形状１１５ａにしたり、
図１９（ｂ）に示すように、半月形状１１５ｂにした
り、図１９（ｃ）に示すように、先細部に半月形状１１
５ｃにしたり、図１９（ｄ）に示すように、逆台形状１
１５ｄにする等種々の変形を施すことができる。
を一体成形で形成すれば、特別な装置を用いなくても基
板にはめ込むだけで固定され、また浮くこともない。ま
た、リフレクタ固定用爪の形状としては、図１９に示す
ように各種の形状にすることができる。すなわち、図１
９（ａ）に示すように、三日月形状１１５ａにしたり、
図１９（ｂ）に示すように、半月形状１１５ｂにした
り、図１９（ｃ）に示すように、先細部に半月形状１１
５ｃにしたり、図１９（ｄ）に示すように、逆台形状１
１５ｄにする等種々の変形を施すことができる。
【００６２】図２０は本発明の第１６実施例を示す光学
式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す図
（その１）である。図２０（ａ）は光学式パターン読取
りセンサのガラス１２２は光学式パターン読取りセンサ
１２１上に設けられるが、図２０（ｃ）に示すように、
ケース１２３とガラス１２２の先端部間に間隙１２４が
存在すると、読取り用の紙１２６の先端部がその間隙１
２４に引っ掛かり不具合である。
式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す図
（その１）である。図２０（ａ）は光学式パターン読取
りセンサのガラス１２２は光学式パターン読取りセンサ
１２１上に設けられるが、図２０（ｃ）に示すように、
ケース１２３とガラス１２２の先端部間に間隙１２４が
存在すると、読取り用の紙１２６の先端部がその間隙１
２４に引っ掛かり不具合である。
【００６３】そこで、図２０（ｅ）又は図２０（ｆ）に
示すように、前記した間隙１２４をなくし、読取り用の
紙１２６がガラス１２２上面へ円滑に移行するように丸
みのついたケース１２３の上面と同じ高さのガイド部１
２５を配置する。図２１は本発明の第１６実施例を示す
光学式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す
図（その２）である。
示すように、前記した間隙１２４をなくし、読取り用の
紙１２６がガラス１２２上面へ円滑に移行するように丸
みのついたケース１２３の上面と同じ高さのガイド部１
２５を配置する。図２１は本発明の第１６実施例を示す
光学式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す
図（その２）である。
【００６４】光学式パターン読取りセンサのガラスの後
端部においても、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示す
ように、読取り用の紙１２６が引っ掛かり易いので、こ
れを回避するために、図２１（ｃ）に示すように、ガラ
ス１２２の後端部に対して、ガイド部１２７の上面部を
低くなるようにして、読取り用の紙１２６の円滑な移行
を行うようにする。
端部においても、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示す
ように、読取り用の紙１２６が引っ掛かり易いので、こ
れを回避するために、図２１（ｃ）に示すように、ガラ
ス１２２の後端部に対して、ガイド部１２７の上面部を
低くなるようにして、読取り用の紙１２６の円滑な移行
を行うようにする。
【００６５】図２２は本発明の第１７実施例を示す光学
式パターン読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図で
ある。ＳＬＡ１３１は、図２８及び図２９に示したよう
に、ファイバをアレイ状に並べ、樹脂で固定した物であ
り、上面及び下面の特定の位置に焦点を持つ。この焦点
位置と、例えば受光素子の受光面位置が一致するかしな
いかで読取りパターンの解像度が極端に変わる。
式パターン読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図で
ある。ＳＬＡ１３１は、図２８及び図２９に示したよう
に、ファイバをアレイ状に並べ、樹脂で固定した物であ
り、上面及び下面の特定の位置に焦点を持つ。この焦点
位置と、例えば受光素子の受光面位置が一致するかしな
いかで読取りパターンの解像度が極端に変わる。
【００６６】図２２（ａ）〜図２２（ｃ）のように、一
般には、この筐体１３２に、シリコン樹脂１３３を塗布
し、ＳＬＡ１３１を固定するが、このような固定方法で
は、余分な樹脂１３３′が図２２（ｃ）に示すように、
はみ出てしまう。そこで、更に、図２２（ｄ）に示すよ
うに、その固定する端面に約半径０．５ｍｍ位の半円の
溝１３４を掘り、そこにシリコン樹脂１３５を塗布し、
ＳＬＡ１３１を固定する。その溝１３４は半円に限らず
角形でも良く、また、１ラインで入れるのでなく、２ラ
インで入れても良い。
般には、この筐体１３２に、シリコン樹脂１３３を塗布
し、ＳＬＡ１３１を固定するが、このような固定方法で
は、余分な樹脂１３３′が図２２（ｃ）に示すように、
はみ出てしまう。そこで、更に、図２２（ｄ）に示すよ
うに、その固定する端面に約半径０．５ｍｍ位の半円の
溝１３４を掘り、そこにシリコン樹脂１３５を塗布し、
ＳＬＡ１３１を固定する。その溝１３４は半円に限らず
角形でも良く、また、１ラインで入れるのでなく、２ラ
インで入れても良い。
【００６７】ところで、第１８実施例として、図２３
（ｂ）に示すように、アルミニウムの押し出し成形によ
り形成されたケース１４１の側面より直径約１ｍｍの穴
１４２を空け、ＳＬＡ固定用の樹脂を流し込みＳＬＡを
固定する。上記したように、図２３（ａ）及び図２３
（ｂ）に示すように、単に樹脂をつけても固定はでき
る。しかし、余分な樹脂がはみ出てしまう。このはみ出
た樹脂はファイバ部にまで及ぶことがあり、光を遮り読
取り像が得られなくなる。そこで溝を設けることによ
り、この中で余分な樹脂は溝内に広がり、更に樹脂の肉
厚も稼げるため、固定強度も増す。
（ｂ）に示すように、アルミニウムの押し出し成形によ
り形成されたケース１４１の側面より直径約１ｍｍの穴
１４２を空け、ＳＬＡ固定用の樹脂を流し込みＳＬＡを
固定する。上記したように、図２３（ａ）及び図２３
（ｂ）に示すように、単に樹脂をつけても固定はでき
る。しかし、余分な樹脂がはみ出てしまう。このはみ出
た樹脂はファイバ部にまで及ぶことがあり、光を遮り読
取り像が得られなくなる。そこで溝を設けることによ
り、この中で余分な樹脂は溝内に広がり、更に樹脂の肉
厚も稼げるため、固定強度も増す。
【００６８】図２４は本発明の第１９実施例を示す光学
式パターン読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図で
ある。ＳＬＡ１５１は、ケース１５２にＳＬＡ押さえ上
爪１５３、ＳＬＡ押さえ下爪１５４、ＳＬＡ押さえ横爪
１５５をつけて固定する。ＳＬＡ押さえ上爪１５３とＳ
ＬＡ押さえ下爪１５４はＳＬＡ１５１を完全に挟み込む
ため、ＳＬＡ１５１の高さと同じである。また、ＳＬＡ
押さえ横爪１５５はＳＬＡ１５１を押さえ込むため、半
円球状の先端をつぶすような方式で挟み込む。
式パターン読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図で
ある。ＳＬＡ１５１は、ケース１５２にＳＬＡ押さえ上
爪１５３、ＳＬＡ押さえ下爪１５４、ＳＬＡ押さえ横爪
１５５をつけて固定する。ＳＬＡ押さえ上爪１５３とＳ
ＬＡ押さえ下爪１５４はＳＬＡ１５１を完全に挟み込む
ため、ＳＬＡ１５１の高さと同じである。また、ＳＬＡ
押さえ横爪１５５はＳＬＡ１５１を押さえ込むため、半
円球状の先端をつぶすような方式で挟み込む。
【００６９】実際のケースは、図２３に示すように、入
り組んだ形状であり、ＳＬＡ固定用の溝に樹脂を塗布す
るのはかなり困難な作業となる。そこで、横方向に穴を
空け外部から固定用樹脂を注入する方法を用いることに
より、この問題を解決することができる。図２５は本発
明の第２０実施例を示す光学式パターン読取りセンサの
ガラエポ基板の固定構造を示す図である。
り組んだ形状であり、ＳＬＡ固定用の溝に樹脂を塗布す
るのはかなり困難な作業となる。そこで、横方向に穴を
空け外部から固定用樹脂を注入する方法を用いることに
より、この問題を解決することができる。図２５は本発
明の第２０実施例を示す光学式パターン読取りセンサの
ガラエポ基板の固定構造を示す図である。
【００７０】図２５（ａ）に示すように、ケース１６１
にガラエポ基板１６３が取り付けられるが、この実施例
では、図２５（ｂ）に示すように、ケース１６１には、
突設された割入りフック形状の固定用爪１６２が２箇所
に、その割りが直交する方向に形成されて突設されてい
る。そこに、図２５（ｄ）に示すように、２個の丸穴１
６４を有するガラエポ基板１６３が嵌着される。つま
り、ガラエポ基板１６３の丸穴１６４が割入りフック形
状の固定用爪１６２に嵌まり合うことにより、ＸＹＺ方
向に強固に固定されることになる。この割入りフック形
状の固定用爪１６２の入るガラエポ基板１６３の丸穴１
６４は直径２ｍｍで、爪の押さえる部分の幅は０．４ｍ
ｍである。
にガラエポ基板１６３が取り付けられるが、この実施例
では、図２５（ｂ）に示すように、ケース１６１には、
突設された割入りフック形状の固定用爪１６２が２箇所
に、その割りが直交する方向に形成されて突設されてい
る。そこに、図２５（ｄ）に示すように、２個の丸穴１
６４を有するガラエポ基板１６３が嵌着される。つま
り、ガラエポ基板１６３の丸穴１６４が割入りフック形
状の固定用爪１６２に嵌まり合うことにより、ＸＹＺ方
向に強固に固定されることになる。この割入りフック形
状の固定用爪１６２の入るガラエポ基板１６３の丸穴１
６４は直径２ｍｍで、爪の押さえる部分の幅は０．４ｍ
ｍである。
【００７１】また、図２５（ｅ）に示すように、ガラエ
ポ基板１６３には長穴１６５を形成し、互いに直交する
ように配置するようにしてもよい。この実施例では、長
穴１６５の直径は２ｍｍで、穴の長さは５ｍｍである。
これをガラエポ基板１６３のセンタラインに対し、ほぼ
対象であって、かつ直交する向きに基板の端に配置す
る。この配置は、図２５（ｆ）に示すように、４個配置
するようにしても良い。更に、個数を増加させ、複数個
の配置にするようにしても良い。
ポ基板１６３には長穴１６５を形成し、互いに直交する
ように配置するようにしてもよい。この実施例では、長
穴１６５の直径は２ｍｍで、穴の長さは５ｍｍである。
これをガラエポ基板１６３のセンタラインに対し、ほぼ
対象であって、かつ直交する向きに基板の端に配置す
る。この配置は、図２５（ｆ）に示すように、４個配置
するようにしても良い。更に、個数を増加させ、複数個
の配置にするようにしても良い。
【００７２】このように、割入りフック形状の固定用爪
１６２によるガラエポ基板１６３の固定は、割り入りフ
ック形状の固定用爪１６２の広がる方向で固定される。
そのため、図２５（ｂ）に示すような場合、割り入りフ
ック形状の固定用爪１６２の広がる方向が同じである
と、それと垂直な方向に関しては固定した基板が多少動
いてしまう。そこで、２個の固定用爪１６２を互いに広
がる方向を垂直に配置することにより、個々の固定用爪
１６２の、この短所を補うため基板の動きがなくなる。
１６２によるガラエポ基板１６３の固定は、割り入りフ
ック形状の固定用爪１６２の広がる方向で固定される。
そのため、図２５（ｂ）に示すような場合、割り入りフ
ック形状の固定用爪１６２の広がる方向が同じである
と、それと垂直な方向に関しては固定した基板が多少動
いてしまう。そこで、２個の固定用爪１６２を互いに広
がる方向を垂直に配置することにより、個々の固定用爪
１６２の、この短所を補うため基板の動きがなくなる。
【００７３】図２６は本発明の第２１実施例を示す光学
式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す図で
ある。この実施例では、一般には、図２６（ａ）に示す
ように、ケース１７１にガラス１７２をシリコン樹脂１
７３で固定する。つまり、フラットな面にシリコン樹脂
１７３を塗布していた。そのためガラス１７２を固定す
ると、ガラス１７２とケース１７１の間のシリコン樹脂
１７３の厚みが極端に薄くなり、接着強度が落ちること
があった。また、隙間ができ、その隙間から粉塵や湿気
が入り特性不良になった。
式パターン読取りセンサのガラスの固定構造を示す図で
ある。この実施例では、一般には、図２６（ａ）に示す
ように、ケース１７１にガラス１７２をシリコン樹脂１
７３で固定する。つまり、フラットな面にシリコン樹脂
１７３を塗布していた。そのためガラス１７２を固定す
ると、ガラス１７２とケース１７１の間のシリコン樹脂
１７３の厚みが極端に薄くなり、接着強度が落ちること
があった。また、隙間ができ、その隙間から粉塵や湿気
が入り特性不良になった。
【００７４】そこで、図２６（ｂ）に示すように、ケー
ス１７１に接着剤溜め用溝１７４を設けた。この接着剤
溜め用溝１７４の幅は０．５ｍｍから１ｍｍであり、深
さは０．５ｍｍである。このように、接着剤溜め用溝１
７４を設けたことにより、ケース１７１とガラス１７２
の間にある溝１７４で必ず接着剤（樹脂）と十分接着し
ているため、強度も十分確保することができ、更に隙間
もできない。いわゆる、パッキンのような役目を果たす
ことができる。
ス１７１に接着剤溜め用溝１７４を設けた。この接着剤
溜め用溝１７４の幅は０．５ｍｍから１ｍｍであり、深
さは０．５ｍｍである。このように、接着剤溜め用溝１
７４を設けたことにより、ケース１７１とガラス１７２
の間にある溝１７４で必ず接着剤（樹脂）と十分接着し
ているため、強度も十分確保することができ、更に隙間
もできない。いわゆる、パッキンのような役目を果たす
ことができる。
【００７５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００７６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）従来、読取りセンサがリーク光の影響で黒色パタ
ーン読取り時（暗レベル）ノイズレベルとして、あたか
も光が当たっているかのような出力値が出てＳ／Ｎ比が
低下していたが、本発明によれば、ＬＥＤ基板を通して
リークする光を遮光することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）従来、読取りセンサがリーク光の影響で黒色パタ
ーン読取り時（暗レベル）ノイズレベルとして、あたか
も光が当たっているかのような出力値が出てＳ／Ｎ比が
低下していたが、本発明によれば、ＬＥＤ基板を通して
リークする光を遮光することができる。
【００７７】（Ｂ）パッドパターンをガラエポ基板上に
なるべく一杯になるように配置することにより、ＬＥＤ
の光を裏面に透過しなくなる効果はあるが、このパター
ンのメッキ厚は数ミクロンなので片面のみではまだ光は
透過してしまう。そこで、このパターンをガラエポ基板
の両面に形成することにより、遮光の効果は片面の時の
倍に高まり、かなりの光が遮光される。
なるべく一杯になるように配置することにより、ＬＥＤ
の光を裏面に透過しなくなる効果はあるが、このパター
ンのメッキ厚は数ミクロンなので片面のみではまだ光は
透過してしまう。そこで、このパターンをガラエポ基板
の両面に形成することにより、遮光の効果は片面の時の
倍に高まり、かなりの光が遮光される。
【００７８】（Ｃ）ガラエポ基板のＬＥＤチップがダイ
スボンドされている面に電流制限用抵抗を配置しないこ
とにより、ＬＥＤ基板の面積を小さくすることができ
る。従来はＬＥＤチップと電流制限用抵抗は同一面に配
置されているため、ダイスボンドパッド面の他に電流制
限用抵抗を配置するパッドを配置することにより、基板
幅が広くなり、センサケースの小型化が図れず、そのた
め、センサ自身の小型化も図れなかった。しかし、裏面
に電流制限用抵抗を配置することにより、ＬＥＤ基板の
幅を細くすることができるため、このＬＥＤ基板を使用
するセンサ自身のサイズを小さくすることができる。
スボンドされている面に電流制限用抵抗を配置しないこ
とにより、ＬＥＤ基板の面積を小さくすることができ
る。従来はＬＥＤチップと電流制限用抵抗は同一面に配
置されているため、ダイスボンドパッド面の他に電流制
限用抵抗を配置するパッドを配置することにより、基板
幅が広くなり、センサケースの小型化が図れず、そのた
め、センサ自身の小型化も図れなかった。しかし、裏面
に電流制限用抵抗を配置することにより、ＬＥＤ基板の
幅を細くすることができるため、このＬＥＤ基板を使用
するセンサ自身のサイズを小さくすることができる。
【００７９】（Ｄ）パターンを両面に配置するようにし
たので、遮光の効果は片面の時に比べて高まり、更に、
両面のパターンの隙間が重ならないため、ＬＥＤの光が
裏面に透過するのを効率的に妨げ、十分な遮光効果を奏
することができる。 （Ｅ）チップをダイスボンドパッドにボンディングする
際、使用する銀ペーストには溶剤が含まれている。この
溶剤はパッド部分のメッキの粒子の間を毛細管現象で広
がり、ワイヤボンド強度を低下させる。しかし、ダイス
ボンドパッド部とワイヤボンドパッド部をスリットで分
離することにより、ワイヤボンドパッドまで溶剤が広が
らなくなる。また、リードパスを長くすることにより、
その効果は一層高められる。
たので、遮光の効果は片面の時に比べて高まり、更に、
両面のパターンの隙間が重ならないため、ＬＥＤの光が
裏面に透過するのを効率的に妨げ、十分な遮光効果を奏
することができる。 （Ｅ）チップをダイスボンドパッドにボンディングする
際、使用する銀ペーストには溶剤が含まれている。この
溶剤はパッド部分のメッキの粒子の間を毛細管現象で広
がり、ワイヤボンド強度を低下させる。しかし、ダイス
ボンドパッド部とワイヤボンドパッド部をスリットで分
離することにより、ワイヤボンドパッドまで溶剤が広が
らなくなる。また、リードパスを長くすることにより、
その効果は一層高められる。
【００８０】（Ｆ）スルーホールを形成していない２層
アルミニウムは、中間絶縁膜（酸化膜）の上に平坦な面
で乗っているだけであるので樹脂封止等した際、横方向
の応力でずれて剥がれてしまう。しかし、本発明によれ
ば、スルーホールを設け、２層アルミニウムが、このス
ルーホールに食い込む構造（入れ込み構造）にすること
により、横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくは
ズレに対する抵抗が強くなる。
アルミニウムは、中間絶縁膜（酸化膜）の上に平坦な面
で乗っているだけであるので樹脂封止等した際、横方向
の応力でずれて剥がれてしまう。しかし、本発明によれ
ば、スルーホールを設け、２層アルミニウムが、このス
ルーホールに食い込む構造（入れ込み構造）にすること
により、横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくは
ズレに対する抵抗が強くなる。
【００８１】（Ｇ）１層アルミニウムにコンタクトホー
ルを形成することにより、食い込み構造が増える。その
ため、１層アルミニウムに対しても横方向の力（応力
等）による剥がれ、もしくはズレに対する抵抗力が強く
なる。また、２層アルミニウムは１層アルミニウムのコ
ンタクトホールの食い込み構造の影響も受けるため、一
層横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくはズレに
対しても強くなる。
ルを形成することにより、食い込み構造が増える。その
ため、１層アルミニウムに対しても横方向の力（応力
等）による剥がれ、もしくはズレに対する抵抗力が強く
なる。また、２層アルミニウムは１層アルミニウムのコ
ンタクトホールの食い込み構造の影響も受けるため、一
層横方向の力（応力等）による剥がれ、もしくはズレに
対しても強くなる。
【００８２】（Ｈ）発光素子ではチップ面積の大半を受
光エリアが占め、信号処理回路部分は全体の面積の１０
％から２０％しか占めないことがある。そのため、ポリ
シリコンのチップ面積に対するパターンレシオ（ポリシ
リコンのパターンがチップ全体に占める割合）が著しく
小さくなり、通常の信号処理回路のみで構成されている
ＩＣチップを作成する工程（ウエハプロセス）で流すと
安定した処理が行えず、作成されたチップ（ウエハ）の
特性がばらついてしまう。そこで、本発明によれば、受
光エリア間の空いている隙間にポリシリコンを入れるこ
とにより、ポリシリコンのチップ面積に対するパターン
レシオを上げることができ、ウエハはプロセスの安定化
が図れる。また、ポリシリコンをコンタクトホールもし
くはスルーホールの周りを囲むように配置するため、凹
凸形状を形成することができるため、遮光を目的とした
広い面積で配線されている１層アルミニウムもしくは２
層アルミニウムの食い込みを良くし、横方向の力に対
し、ずれないようにすることができる。
光エリアが占め、信号処理回路部分は全体の面積の１０
％から２０％しか占めないことがある。そのため、ポリ
シリコンのチップ面積に対するパターンレシオ（ポリシ
リコンのパターンがチップ全体に占める割合）が著しく
小さくなり、通常の信号処理回路のみで構成されている
ＩＣチップを作成する工程（ウエハプロセス）で流すと
安定した処理が行えず、作成されたチップ（ウエハ）の
特性がばらついてしまう。そこで、本発明によれば、受
光エリア間の空いている隙間にポリシリコンを入れるこ
とにより、ポリシリコンのチップ面積に対するパターン
レシオを上げることができ、ウエハはプロセスの安定化
が図れる。また、ポリシリコンをコンタクトホールもし
くはスルーホールの周りを囲むように配置するため、凹
凸形状を形成することができるため、遮光を目的とした
広い面積で配線されている１層アルミニウムもしくは２
層アルミニウムの食い込みを良くし、横方向の力に対
し、ずれないようにすることができる。
【００８３】（Ｉ）両者の受光エリアの間にキャリア吸
収構造としてのコンタクトホールを形成すると、隣接す
る受光エリアまで移動しようとするキャリアをこのコン
タクトホールから吸収し、隣接する受光エリアまで移動
させないで済む。この結果、光が受光エリアに当たって
いないときの出力（暗レベル）を低下させることができ
る。
収構造としてのコンタクトホールを形成すると、隣接す
る受光エリアまで移動しようとするキャリアをこのコン
タクトホールから吸収し、隣接する受光エリアまで移動
させないで済む。この結果、光が受光エリアに当たって
いないときの出力（暗レベル）を低下させることができ
る。
【００８４】（Ｊ）端のチップのみピッチを小さくする
ことにより合成光出力分布の端部での立ち上がりがよく
なり、１チップ目には均一レベル（飽和値）まで達する
ようにすることができる。ピッチを更に小さくすると、
この効果はもっと顕著に現れ、端部での立ち上がりは一
層急峻になる。 （Ｋ）ＬＥＤのピッチを詰めると合成光出力分布の端部
での立ち上がりは急峻になるが、均一値より出力の高い
部分ができる。この出力の高い部分はピッチを詰めたＬ
ＥＤの合成波形と均一ピッチに並んでいるＬＥＤの出力
の合成により範囲が規定される。そこで、均一ピッチよ
りピッチを離してやることにより、合成光出力分布の均
一値より出力の高い部分を狭くすることが可能になる。
ピッチを詰めたＬＥＤの印加電流を下げ、光出力を少し
下げてやると合成光出力分布をほぼ均一にすることが可
能になる。
ことにより合成光出力分布の端部での立ち上がりがよく
なり、１チップ目には均一レベル（飽和値）まで達する
ようにすることができる。ピッチを更に小さくすると、
この効果はもっと顕著に現れ、端部での立ち上がりは一
層急峻になる。 （Ｋ）ＬＥＤのピッチを詰めると合成光出力分布の端部
での立ち上がりは急峻になるが、均一値より出力の高い
部分ができる。この出力の高い部分はピッチを詰めたＬ
ＥＤの合成波形と均一ピッチに並んでいるＬＥＤの出力
の合成により範囲が規定される。そこで、均一ピッチよ
りピッチを離してやることにより、合成光出力分布の均
一値より出力の高い部分を狭くすることが可能になる。
ピッチを詰めたＬＥＤの印加電流を下げ、光出力を少し
下げてやると合成光出力分布をほぼ均一にすることが可
能になる。
【００８５】（Ｌ）１個ずつのＬＥＤを均一ピッチで配
列すると、個々のＬＥＤの光を合成した合成光出力分布
の端部が下がる。そこで、本発明によれば、端部に配置
するＬＥＤの個数を増やしたので端部の出力が上がる。
そのため、合成光出力分布の均一値の範囲を広げること
ができる。 （Ｍ）ガラスの上面に白紙をおいて反射光の出力値を受
光部で検出すると、出力値はレンズ無しの時に比べ、約
２倍以上になる。また、レンズの光源と逆の側に焦点を
持たないため、検知する範囲であるＳＬＡの上部での光
束の中で光強度分布の変化が少ない。
列すると、個々のＬＥＤの光を合成した合成光出力分布
の端部が下がる。そこで、本発明によれば、端部に配置
するＬＥＤの個数を増やしたので端部の出力が上がる。
そのため、合成光出力分布の均一値の範囲を広げること
ができる。 （Ｍ）ガラスの上面に白紙をおいて反射光の出力値を受
光部で検出すると、出力値はレンズ無しの時に比べ、約
２倍以上になる。また、レンズの光源と逆の側に焦点を
持たないため、検知する範囲であるＳＬＡの上部での光
束の中で光強度分布の変化が少ない。
【００８６】また、被読取り物がガラス上面に入り、そ
の反射光をＳＬＡを通し受光部にて検出されるが、この
被読取り物はガラス上面の一定の場所（ガラス上面から
一定の距離）を通るのでなく、ある範囲で上下する。そ
こで、１ｏｐｔがこの範囲より多少広ければ常にほぼ均
一の反射出力値を得ることができる。 （Ｎ）リフレクタ橋部の高さが高いと、リフレクタ橋部
のＬＥＤの光はリフレクタ橋部に遮られ、合成光出力分
布はリフレクタ橋部の部分の出力値が下がってしまう。
そこで、このリフレクタ橋部の高さを下げることによ
り、リフレクタ橋部により光を遮らなくなり、隣接する
ＬＥＤの光が均等に干渉するため、均一な合成光出力分
布を得ることができる。
の反射光をＳＬＡを通し受光部にて検出されるが、この
被読取り物はガラス上面の一定の場所（ガラス上面から
一定の距離）を通るのでなく、ある範囲で上下する。そ
こで、１ｏｐｔがこの範囲より多少広ければ常にほぼ均
一の反射出力値を得ることができる。 （Ｎ）リフレクタ橋部の高さが高いと、リフレクタ橋部
のＬＥＤの光はリフレクタ橋部に遮られ、合成光出力分
布はリフレクタ橋部の部分の出力値が下がってしまう。
そこで、このリフレクタ橋部の高さを下げることによ
り、リフレクタ橋部により光を遮らなくなり、隣接する
ＬＥＤの光が均等に干渉するため、均一な合成光出力分
布を得ることができる。
【００８７】（Ｏ）リフレクタの固定は、従来は、リフ
レクタ固定用爪を溶かして基板の穴より大きくして固定
するのが一般的であるが、裏面からヒータを当てて溶か
し固定するため、この際にリフレクタが基板より若干浮
いたりすることがある。また、リフレクタ固定用爪を溶
かすための特別の装置を必要とする。しかし、固定のた
めのリフレクタ固定用爪を一体成形で形成すれば、特別
な装置を用いなくても基板にはめ込むだけで固定され、
また浮くこともない。
レクタ固定用爪を溶かして基板の穴より大きくして固定
するのが一般的であるが、裏面からヒータを当てて溶か
し固定するため、この際にリフレクタが基板より若干浮
いたりすることがある。また、リフレクタ固定用爪を溶
かすための特別の装置を必要とする。しかし、固定のた
めのリフレクタ固定用爪を一体成形で形成すれば、特別
な装置を用いなくても基板にはめ込むだけで固定され、
また浮くこともない。
【００８８】（Ｐ）ＳＬＡの固定にあたり、固着用樹脂
の余分なはみ出しを防止するとともに、樹脂の肉厚も薄
くし、固定強度の増大を図ることができる。 （Ｑ）ＳＬＡの固定にあたり、上部押さえ爪、下部押さ
え爪及び横押さえ爪により、強固なＳＬＡの固定を行う
ことができる。 （Ｒ）ＬＥＤ基板を固定用爪により、３次元的に確実に
強固に固定することができる。
の余分なはみ出しを防止するとともに、樹脂の肉厚も薄
くし、固定強度の増大を図ることができる。 （Ｑ）ＳＬＡの固定にあたり、上部押さえ爪、下部押さ
え爪及び横押さえ爪により、強固なＳＬＡの固定を行う
ことができる。 （Ｒ）ＬＥＤ基板を固定用爪により、３次元的に確実に
強固に固定することができる。
【００８９】（Ｓ）接着剤溜め用溝を設けることによ
り、ケースとガラスの間にある溝で必ず樹脂と十分接着
するため、強度も十分確保することができ、更に隙間も
できない。いわゆる、パッキンのような役目を果たすこ
とができる。
り、ケースとガラスの間にある溝で必ず樹脂と十分接着
するため、強度も十分確保することができ、更に隙間も
できない。いわゆる、パッキンのような役目を果たすこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光部の平面図である。
の発光部の平面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す光学式読取りセンサ
の構成図である。
の構成図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光素子基板の裏面の配線パターンを示す図である。
の発光素子基板の裏面の配線パターンを示す図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光素子基板の配線パターンを示す図である。
の発光素子基板の配線パターンを示す図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光素子基板に電流制限用抵抗が取り付けられた状態
を示す図である。
の発光素子基板に電流制限用抵抗が取り付けられた状態
を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光素子基板の構成図である。
の発光素子基板の構成図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す光学式読取りセンサ
の発光素子基板の配線パターンを示す図である。
の発光素子基板の配線パターンを示す図である。
【図８】本発明の第５実施例を示す受光素子の構成を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明の第６実施例を示す受光素子の構成を示
す図である。
す図である。
【図１０】本発明の第７実施例を示す受光素子の構成を
示す図である。
示す図である。
【図１１】本発明の第８実施例を示す受光素子の構成を
示す図である。
示す図である。
【図１２】本発明の第９実施例を示す発光部の配置と発
光特性を示す図である。
光特性を示す図である。
【図１３】本発明の第１０実施例を示す発光部の配置と
発光特性を示す図である。
発光特性を示す図である。
【図１４】本発明の第１１実施例を示す発光部の配置を
示す図である。
示す図である。
【図１５】本発明の第１２実施例を示す光学式読取りセ
ンサの構成を示す図である。
ンサの構成を示す図である。
【図１６】本発明の第１３実施例を示す発光部の構成を
示す図である。
示す図である。
【図１７】本発明の第１４実施例を示すリフレクタの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１８】本発明の第１５実施例を示すリフレクタの固
定用爪の構成を示す図である。
定用爪の構成を示す図である。
【図１９】本発明の１５実施例を示すリフレクタの固定
用爪の変形例を示す図である。
用爪の変形例を示す図である。
【図２０】本発明の第１６実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図（その１）で
ある。
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図（その１）で
ある。
【図２１】本発明の第１６実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図（その２）で
ある。
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図（その２）で
ある。
【図２２】本発明の第１７実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図である。
読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図である。
【図２３】本発明の第１８実施例を示すＳＬＡ固定部の
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図２４】本発明の第１９実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図である。
読取りセンサのＳＬＡの固定構造を示す図である。
【図２５】本発明の第２０実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのガラエポ基板の固定構造を示す図であ
る。
読取りセンサのガラエポ基板の固定構造を示す図であ
る。
【図２６】本発明の第２１実施例を示す光学式パターン
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図である。
読取りセンサのガラスの固定構造を示す図である。
【図２７】従来の光学式パターン読取りセンサの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２８】従来の光学式パターン読取りセンサのＳＬＡ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２９】従来の光学式パターン読取りセンサのＳＬＡ
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３０】従来の光学式パターン読取りセンサの動作を
示す図である。
示す図である。
１，７１，７５，８１，９１，１０１，１０５，１１
１，１６３ ＬＥＤ搭載用プリント基板（ガラエポ基
板：ＬＥＤ基板） ２ ダイスボンドパッド ３，７２，７２ａ〜７２ｄ，８２，８２ａ〜８２ｅ，９
２，１０２，１０６ＬＥＤチップ（発光素子） ４ ワイヤボンド金線 ５ 電流制限用抵抗（チップ抵抗） ６，９４，１２２，１７２ ガラス ７，９５，１３１，１５１ ＳＬＡ ９ 受光素子 １０，９７，１２３，１４１，１５２，１６１，１７１
ケース １１ 配線パターン １２ スリット １３ ダイスボンドパッド部 １４ ワイヤボンドパッド部 ２１，３１，６５ シリコン基板 ２２，２４，３２，３５ 中間絶縁膜 ２３，３３ １層アルミニウム配線 ２５，２５′，３６ ２層アルミニウム配線 ２６，２６′，３７ スルーホール ２７，３８，６９ 保護膜 ２９，４３ ポリシリコン膜 ３４，３４′，４２，５４ コンタクトホール ４１，５１ 受光素子（受光チップ） ５２ 受光エリア ５３ キャリア吸収エリア ６６ 拡散層 ６７ 層間絶縁膜 ６８ アルミニウム配線 ７０ キャリア ７３，７７ 個々のＬＥＤの光出力分布 ７４，７８ 合成光出力分布 ９３ ＬＥＤ用レンズ ９６ 受光部 ９８ ＬＥＤの光束 ９９ 被読取り物 １０３，１０７，１１２ リフレクタ １０７ａ リフレクタ橋部 １１３ リフレクタ固定用爪 １１４ リフレクタ固定部 １２１ 光学式パターン読取りセンサ １２４ 間隙 １２５，１２７ ガイド部 １２６ 読取り用の紙 １３２ 筐体 １３３，１３５，１７３ シリコン樹脂 １３４，１７４ 溝 １４２ 穴 １５３ ＳＬＡ押さえ上爪 １５４ ＳＬＡ押さえ下爪 １５５ ＳＬＡ押さえ横爪 １６２ 割入りフック形状の固定用爪 １６４ 丸穴 １６５ 長穴
１，１６３ ＬＥＤ搭載用プリント基板（ガラエポ基
板：ＬＥＤ基板） ２ ダイスボンドパッド ３，７２，７２ａ〜７２ｄ，８２，８２ａ〜８２ｅ，９
２，１０２，１０６ＬＥＤチップ（発光素子） ４ ワイヤボンド金線 ５ 電流制限用抵抗（チップ抵抗） ６，９４，１２２，１７２ ガラス ７，９５，１３１，１５１ ＳＬＡ ９ 受光素子 １０，９７，１２３，１４１，１５２，１６１，１７１
ケース １１ 配線パターン １２ スリット １３ ダイスボンドパッド部 １４ ワイヤボンドパッド部 ２１，３１，６５ シリコン基板 ２２，２４，３２，３５ 中間絶縁膜 ２３，３３ １層アルミニウム配線 ２５，２５′，３６ ２層アルミニウム配線 ２６，２６′，３７ スルーホール ２７，３８，６９ 保護膜 ２９，４３ ポリシリコン膜 ３４，３４′，４２，５４ コンタクトホール ４１，５１ 受光素子（受光チップ） ５２ 受光エリア ５３ キャリア吸収エリア ６６ 拡散層 ６７ 層間絶縁膜 ６８ アルミニウム配線 ７０ キャリア ７３，７７ 個々のＬＥＤの光出力分布 ７４，７８ 合成光出力分布 ９３ ＬＥＤ用レンズ ９６ 受光部 ９８ ＬＥＤの光束 ９９ 被読取り物 １０３，１０７，１１２ リフレクタ １０７ａ リフレクタ橋部 １１３ リフレクタ固定用爪 １１４ リフレクタ固定部 １２１ 光学式パターン読取りセンサ １２４ 間隙 １２５，１２７ ガイド部 １２６ 読取り用の紙 １３２ 筐体 １３３，１３５，１７３ シリコン樹脂 １３４，１７４ 溝 １４２ 穴 １５３ ＳＬＡ押さえ上爪 １５４ ＳＬＡ押さえ下爪 １５５ ＳＬＡ押さえ横爪 １６２ 割入りフック形状の固定用爪 １６４ 丸穴 １６５ 長穴
Claims (18)
- 【請求項１】（ａ）発光素子のダイスボンドパッド兼ワ
イヤボンドパッドを表面の略全面に形成する発光素子搭
載用プリント基板と、（ｂ）該発光素子搭載用プリント
基板の裏面に搭載される電流制限用抵抗と、（ｃ）前記
発光素子搭載用プリント基板の裏面の略全面に配置され
る前記電流制限用抵抗の配置パターンとを備え、（ｄ）
前記プリント基板の表面上に前記発光素子を直線的に配
列した際、前記パッドを前記発光素子の配列方法とほぼ
同方向に配列するようにしたことを特徴とする光学式パ
ターン読取りセンサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の光学式パターン読取りセ
ンサにおいて、前記発光素子のダイスボンドパッド兼ワ
イヤボンドパッドの隙間と前記電流制限用抵抗の配置パ
ターンの隙間が重ならないように配置し、更にダイスボ
ンドパッドの一部にワイヤボンドがなされる場合、ワイ
ヤボンド部とダイスボンド部のエリアを繋ぐ配線をなる
べく細く配置するようにしたことを特徴とする光学式パ
ターン読取りセンサ。 - 【請求項３】光学式パターン読取りセンサの受光素子に
おいて、シリコンチップ上に遮光を目的とした多層アル
ミニウムパターンを配置し、該多層アルミニウムパター
ンにスルーホールを前記多層アルミニウムパターンの段
差を設けるために配置するようにしたことを特徴とする
光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項４】光学式パターン読取りセンサの受光素子に
おいて、シリコンチップ上に遮光を目的とした多層アル
ミニウムパターンを配置し、該多層アルミニウムパター
ンにスルーホール及びコンタクトホールを前記多層アル
ミニウムパターンの段差を設けるために、密に、更に互
いに交互に配置するようにしたことを特徴とする光学式
パターン読取りセンサ。 - 【請求項５】 請求項３又は４記載の光学式パターン読
取りセンサにおいて、前記スルーホール及び又はコンタ
クトホールをポリシリコン膜で囲むように配置するよう
にしたことを特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項６】シリコンチップ上に複数の受光エリアを形
成した受光素子において、受光エリア間にキャリア吸収
用の拡散層を形成するようにしたことを特徴とする光学
式パターン読取りセンサ。 - 【請求項７】発光素子を発光素子搭載用プリント基板に
直線的に配列した際、直線配置の端部の配置ピッチを中
央部におけるピッチに比べ狭くするようにしたことを特
徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項８】発光素子を発光素子搭載用プリント基板に
直線的に配列した際、直線配置の端部の配置ピッチを中
央部におけるピッチに比べ狭くし、両端の狭いピッチ部
と中央の均一ピッチを中央均一ピッチより広くするよう
にしたことを特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項９】発光素子を発光素子搭載用プリント基板に
直線的に配列した際、直線配置の端部に一直線状でな
く、複数個のＬＥＤチップを配置するようにしたことを
特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項１０】反射光によりパターンを読み取るセンサ
において、センサに用いる発光素子光の集光レンズを光
路がほぼ平行光になり、更に焦点を持たないレンズを用
いるようにしたことを特徴とする光学式パターン読取り
センサ。 - 【請求項１１】反射光によりパターンを読み取るセンサ
において、センサに用いる発光素子光の集光レンズで指
定幅の光束幅になるようにしたレンズを用いるようにし
たことを特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項１２】発光素子を発光素子搭載用プリント基板
上に直線的に配列した際、リフレクタ部と前記発光素子
搭載用プリント基板を固定するために前記リフレクタに
Ｌ字形状の引っかかり爪を設けるようにしたことを特徴
とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項１３】受光素子へ光を導くセルフォックレンズ
を固定する固定面に接着剤溜め用溝を設けるようにした
ことを特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項１４】受光素子へ光を導くセルフォックレンズ
を固定する固定面に接着剤を流し込むための注入用の穴
を設けるようにしたことを特徴とする光学式パターン読
取りセンサ。 - 【請求項１５】受光素子へ光を導くセルフォックレンズ
を固定するために固定部にセルフォックレンズの上押さ
え爪と下押さえ爪と横押さえ爪とを設けるようにしたこ
とを特徴とする光学式パターン読取りセンサ。 - 【請求項１６】センサのガラスを固定する際のケースと
ガラスの間にケースの接着剤を塗布する面に接着剤溜め
用溝を設けるようにしたことを特徴とする光学式パター
ン読取りセンサ。 - 【請求項１７】発光素子搭載用プリント基板をケースに
固定する際の割入りフック形状の固定用爪を前記ケース
に複数個配置し、前記固定用爪を互いに前記発光素子搭
載用プリント基板中心に対し、ほぼ対称位置に配置し、
更に前記割入りフック形状の固定用爪の割りの方向が互
いに直交するように配置することを特徴とする光学式パ
ターン読取りセンサ。 - 【請求項１８】 請求項１７記載の光学式パターン読取
りセンサにおいて、前記固定爪に対応する発光素子搭載
用プリント基板に形成される穴を長穴にし、互いに前記
発光素子搭載用プリント基板中心に対し、ほぼ対称位置
に複数個配置するようにしたことを特徴とする光学式パ
ターン読取りセンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547296A JPH1012915A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光学式パターン読取りセンサ |
| US08/822,922 US5841128A (en) | 1996-06-26 | 1997-03-21 | Optical sensor for reading a pattern |
| EP97302036A EP0817280A3 (en) | 1996-06-26 | 1997-03-25 | Optical sensor for reading a pattern |
| KR1019970023137A KR980006549A (ko) | 1996-06-26 | 1997-06-04 | 광학식 패턴 판독센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547296A JPH1012915A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光学式パターン読取りセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012915A true JPH1012915A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15813067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16547296A Withdrawn JPH1012915A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光学式パターン読取りセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5841128A (ja) |
| EP (1) | EP0817280A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1012915A (ja) |
| KR (1) | KR980006549A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057446A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JP2009111346A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Cree Inc | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
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