KR20220096665A - 표시 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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김진현
정성구
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

실시 예들은, 보조 전극 컨택부가 정의되고, 복수의 오목부들을 포함하는 기판, 상기 복수의 오목부들 내에 각각 배치되는 복수의 반사층들, 상기 보조 전극 컨택부에 중첩하여 배치되고, 저전위 구동 전원에 연결되는 보조 전극, 상기 보조 전극을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 형성되고, 상기 보조 전극 컨택부에서 상기 보조 전극과 직접 컨택되는 캐소드 전극을 포함하되, 상기 복수의 반사층들 사이에 상기 보조 전극 컨택부와 적어도 일 영역이 중첩되고 상기 기판으로 채워진 적어도 하나의 개구가 형성되는, 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

표시 패널 및 그의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치를 구성하는 유기 발광 소자(이하, 발광 소자)는 자체 발광형으로서, 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 표시 장치의 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
일반적으로 발광 소자는 애노드 전극, 애노드 전극의 가장자리 영역을 둘러싸는 뱅크, 뱅크 내에서 애노드 전극 상에 형성되는 발광층 및 발광층과 뱅크를 커버하는 캐소드 전극이 적층된 구조를 갖는다. 이러한 발광 소자는 구동 트랜지스터에 의해 발광 소자를 흐르는 전류량이 제어되어 요구되는 휘도로 발광한다.
실시 예들은, 리플로우 공정을 통해 보조 전극과 캐소드 전극 사이에 형성되는 유기층을 제거한 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
실시 예들은, 반사층을 통해 유기층에 부분적 리플로우를 유도하여 보조 전극과 캐소드 전극 사이가 직접 컨택되게 하는 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
일 실시 예에 따른 표시 장치는, 보조 전극 컨택부가 정의되고, 복수의 오목부들을 포함하는 기판, 상기 복수의 오목부들 내에 각각 배치되는 복수의 반사층들, 상기 보조 전극 컨택부에 중첩하여 배치되고, 저전위 구동 전원에 연결되는 보조 전극, 상기 보조 전극을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 형성되고, 상기 보조 전극 컨택부에서 상기 보조 전극과 직접 컨택되는 캐소드 전극을 포함하되, 상기 복수의 반사층들 사이에 상기 보조 전극 컨택부와 적어도 일 영역이 중첩되고 상기 기판으로 채워진 적어도 하나의 개구가 형성될 수 있다.
상기 복수의 오목부들 및 상기 복수의 반사층들은, 상기 보조 전극 컨택부와 중첩하지 않도록 배치되고, 상기 개구의 폭은, 상기 보조 전극 컨택부의 폭과 동일할 수 있다.
상기 복수의 오목부들 및 상기 복수의 반사층들은, 상기 보조 전극 컨택부의 일 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 개구의 폭은, 상기 보조 전극 컨택부의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 캐소드 전극은, 상기 보조 전극의 중앙 영역과 직접 컨택될 수 있다.
상기 복수의 오목부들은, 상기 보조 전극 컨택부와 중첩하지 않도록 배치되는 제1 오목부들 및 상기 제1 오목부들 사이에 배치되고, 상기 보조 전극 컨택부에 중첩되는 제2 오목부들을 포함하고, 상기 복수의 반사층들은, 상기 제1 오목부들 내에 배치되는 제1 반사층들 및 상기 제2 오목부들 내에 배치되는 제2 반사층들을 포함할 수 있다.
상기 캐소드 전극은, 상기 보조 전극의 가장자리 영역과 직접 컨택될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 복수의 반사층들을 커버하는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성되는 적어도 하나의 트랜지스터 및 상기 적어도 하나의 트랜지스터를 커버하고, 상기 보조 전극이 배치되는 오버코트층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 개재되고, 상기 적어도 하나의 트랜지스터에 중첩하여 배치되는 광 차단층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 적어도 하나의 개구와 상기 보조 전극 사이에 다른 도전층이 개재되지 않을 수 있다.
상기 반사층은, 은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 보조 전극 컨택부가 정의되는 기판 상에 복수의 오목부들을 형성하는 단계, 상기 복수의 오목부들 각각에 복수의 반사층들을 형성하는 단계, 상기 보조 전극 컨택부에 중첩하여, 저전위 구동 전원에 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 보조 전극을 커버하는 유기층을 형성하는 단계, 상기 유기층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계 및 상기 기판의 배면 전체에 레이저를 조사하여 리플로우 공정을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 반사층들 사이에 상기 보조 전극 컨택부와 적어도 일 영역이 중첩되고 상기 기판으로 채워진 적어도 하나의 개구가 형성될 수 있다.
상기 레이저 중 일부는 상기 반사층에 의해 반사되고, 나머지 일부는 상기 적어도 하나의 개구를 통과하여 상기 보조 전극에 도달할 수 있다.
상기 유기층은, 상기 보조 전극을 통해 전달되는 상기 레이저의 에너지에 의해 적어도 일부가 용융되어 상기 보조 전극 상에서 유동할 수 있다.
상기 적어도 하나의 개구는, 상기 보조 전극의 중앙 영역과 중첩되고, 상기 용융된 유기층은, 상기 보조 전극 상에서 가장자리 영역으로 유동할 수 있다.
상기 보조 전극은, 상기 유기층의 유동에 의해 상기 중앙 영역이 상부로 노출되고, 상기 캐소드 전극은, 상기 보조 전극의 노출된 중앙 영역과 직접 컨택될 수 있다.
상기 적어도 하나의 개구는, 상기 보조 전극의 가장자리 영역과 중첩되고, 상기 용융된 유기층은, 상기 보조 전극 상에서 중앙 영역으로 유동할 수 있다.
상기 보조 전극은, 상기 유기층의 유동에 의해 상기 가장자리 영역이 상부로 노출되고, 상기 캐소드 전극은, 상기 보조 전극의 노출된 가장자리 영역과 직접 컨택될 수 있다.
상기 방법은, 상기 복수의 반사층을 형성하는 단계 이후에, 상기 복수의 반사층들을 커버하는 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성하는 단계 및 상기 적어도 하나의 트랜지스터를 커버하는 오버코트층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 버퍼층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상에, 상기 적어도 하나의 트랜지스터에 중첩하여 배치되는 광 차단층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반사층은, 은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다.
실시 예들에 따른 표시 패널 및 그의 제조 방법은, 캐소드 전극과 보조 전극 사이의 저항을 감소시켜, 보조 배선을 통해 인가되는 전원이 캐소드 전극에 안정적으로 공급되게 한다.
실시 예들에 따른 표시 패널 및 그의 제조 방법은, 리플로우 공정 시, 레이저를 표시 패널의 전면에 조사하더라도 유기층이 선택적으로 용융될 수 있게 함으로써, 레이저 장비의 제약을 극복하고 대면적 표시 장치의 제조를 용이하게 한다.
실시 예들에 따른 표시 패널 및 그의 제조 방법은, 캐소드 전극과 보조 전극 사이의 연결을 안정화하여 리플로우 공정 시 발생하는 불량률을 감소시킬 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따라 도 1의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 4는 도 3에 도시된 보조 전극 컨택부를 형상하기 위한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 반사층의 재료에 따른 광 흡수율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7은 제3 실시 예에 따라 도 1의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 8은 도 7에 도시된 보조 전극를 형상하기 위한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제4 실시 예에 따라 도 1의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 10은 도 9에 도시된 보조 전극 컨택부를 형성하기 위한한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11 내지 도 15는 일 실시 예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
이하, 도면을 참조하여 실시 예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성 요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성 요소 "상에 있다.", "연결된다.", 또는 "결합된다."고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성 요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성 요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 실시 예들의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
"아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다." 또는 "가지다." 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시 예에 따른 표시 패널(1)은 복수 개의 화소(PX)들이 배치된다. 화소(PX)들 각각은 레드, 그린 및 블루 중 어느 하나의 색을 표시할 수 있다. 이때, 레드, 그린 및 블루 색을 표시하는 3개의 화소(PX)들이 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다.
화소(PX)들은 보조 전극 컨택부(CA)에 형성되는 컨택홀을 통해 저전위 구동 전압이 인가되는 전원 라인에 연결될 수 있다. 도 1에서는, 단위 화소 내에 하나의 보조 전극 컨택부(CA)가 마련되는 예가 도시된다. 그러나 본 실시 예는 이로써 한정되지 않고, 각각의 화소(PX)들이 보조 전극 컨택부(CA)를 구비할 수도 있다.
이하에서, 화소(PX)들의 보다 구체적인 구조를 설명한다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 표시 패널(1000)의 개략적인 단면도이다. 도 3은 도 2의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다. 이때 도 3은 보조 전극 컨택부(CA)에 대응하는 AA 영역을 확대한 도면이다.
도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 표시 패널(1)은 기판(100), 기판(100) 상에 형성되고 적어도 하나의 회로 소자가 구비되는 회로 소자층 및 발광 소자(LD)가 구비되는 발광 소자층을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시 패널(1)의 베이스 기재로서, 투광성 기판일 수 있다. 기판(100)은 유리 또는 강화 유리를 포함하는 경성 기판(rigid substrate) 또는 플라스틱 재질의 가요성 기판(flexible substrate)일 수 있다. 기판(100)은 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 발광 소자(LD)의 캐소드 전극(230)과 보조 전극(260)이 직접 컨택되는 보조 전극 컨택부(CA)를 포함한다.
도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 기판(100)은 복수의 오목부(P1)들을 포함할 수 있다. 제1 실시 예에서, 오목부(P1)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 즉, 오목부(P1)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되지 않도록, 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 이러한 실시 예에서, 오목부(P1)들 사이의 이격된 거리는 보조 전극 컨택부(CA)의 폭과 동일하거나 유사하다.
각각의 오목부(P1) 내에는 반사층(111)이 배치된다. 오목부(P1)들과 동일하게, 반사층(111)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되지 않도록 배치된다. 이러한 실시 예에서, 반사층(111)들 사이에는 기판(100)으로 채워진 개구(OPN1)가 형성된다. 개구(OPN1)는 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되며, 개구(OPN1)의 폭은 보조 전극 컨택부(CA)의 폭과 동일하거나 유사하다. 개구(OPN1)가 형성되는 영역에는 기판(100)과 보조 전극(260) 사이에 다른 도전층이 개재되지 않는다.
반사층(111)은 리플로우 공정 시에 외부에서 조사되는 레이저에 대한 흡수율이 낮은 물질로 형성될 수 있다. 즉, 반사층(111)은 레이저를 반사시킬 수 있는 물질로 형성될 수 있다.
회로 소자층은 기판(100) 상에 형성되며, 화소(PX)를 구성하는 회로 소자들(예를 들어, 트랜지스터 및 커패시터 등) 및 배선들을 포함할 수 있다.
제1 실시 예에서, 기판(100) 상에는 제1 도전층이 배치될 수 있다. 제1 도전층은 광 차단층(121) 및 보조 배선(122)을 포함할 수 있다. 광 차단층(121)은 액티브층(140), 특히, 채널과 평면 상에서 중첩되도록 배치되어, 외부광으로부터 산화물 반도체 소자를 보호할 수 있다. 보조 배선(122)은 저전위 구동 전압이 인가되는 전원 라인과 연결될 수 있다.
버퍼층(130)은 제1 도전층을 커버하도록 기판(100) 상에 배치된다. 버퍼층(130)은 기판(100)으로부터 이온이나 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 수분 침투를 차단할 수 있다.
버퍼층(130) 상에는 액티브층(140)이 형성될 수 있다. 액티브층(140)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 액티브층(140)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스 영역과 드레인 영역, 및 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 형성된 채널을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150)은 후술되는 게이트 전극(161)이 형성될 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(150)은 액티브층(140)의 채널 상에 형성될 수 있다.
게이트 절연층(150) 상에는 제2 도전층이 배치될 수 있다. 제2 도전층은 게이트 전극(161)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(161)은 액티브층(140)의 채널에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
제2 도전층 상에는 층간 절연층(170)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(170) 상에는 제3 도전층이 형성될 수 있다. 제3 도전층은 소스 전극(181) 및 드레인 전극(182)을 포함할 수 있다. 소스 전극(181) 및 드레인 전극(182)은 층간 절연층(170)을 관통하는 컨택홀을 통해 액티브층(140)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 소스 전극(181) 및 드레인 전극(182)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(181), 드레인 전극(182), 게이트 전극(161) 및 이들에 대응되는 액티브층(140)은 트랜지스터를 구성할 수 있다. 도 2에서는, 소스 전극(181)이 발광 소자(LD)의 애노드 전극(210)에 연결되는 구동 트랜지스터가 예로써 도시되었다.
제3 도전층은 브릿지 전극(184)을 더 포함할 수 있다. 브릿지 전극(184)은 층간 절연층(170) 및 버퍼층(130)을 관통하는 컨택홀을 통해 보조 배선(122)과 접속된다.
회로 소자층은 패시베이션층(191) 및 오버코트층(192)에 의해 커버될 수 있다. 패시베이션층(191)은 하부의 소자들을 보호하기 위한 절연막이고, 오버코트층(192)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있다.
발광 소자층은 오버코트층(192) 상에 형성되며, 발광 소자(LD)들을 포함한다. 발광 소자(LD)는 애노드 전극(210), 발광층(220) 및 캐소드 전극(230)을 포함한다.
애노드 전극(210)은 오버코트층(192) 상에 형성된다. 애노드 전극(210)은 오버코트층(192)과 패시베이션층(191)을 관통하는 제1 비아홀(VIA1)을 통해 구동 트랜지스터(DT)와 연결된다. 애노드 전극(210)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명 도전 물질로 구성될 수 있다. 애노드 전극(210)이 반사형 전극일 때, 애노드 전극(210)은 투명 도전층/반사층(금속 산화물층)/투명 도전층으로 구성된 삼중층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(210)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 삼중층으로 구성될 수 있다.
오버코트층(192) 상에는 캐소드 전극(230)과 브릿지 전극(184)을 연결시키기 위한 보조 전극(260)을 더 형성된다. 보조 전극(260)은 비발광 영역(NEA)의 보조 전극 컨택부(CA)에 배치되며, 애노드 전극(210)과 동일한 물질로 구성되고 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 이러한 보조 전극(260)은 오버코트층(192)과 패시베이션층(191)을 관통하는 제2 비아홀(VIA2)을 통해 브릿지 전극(184)에 연결될 수 있다.
뱅크(250)는 오버코트층(192) 상에 형성될 수 있다. 뱅크(250)는 애노드 전극(210)의 일부 영역, 예를 들어 중심 영역을 노출하되, 나머지 영역, 예를 들어 가장자리를 커버하도록 형성될 수 있다. 뱅크(250)에 의해 커버되지 않은 애노드 전극(210)의 노출 영역이 화소(PX)의 발광 영역(EA)으로 정의될 수 있다. 비발광 영역(NEA)에서 뱅크(250)는 보조 전극(260)의 일 영역을 노출하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 뱅크(250)는 친수성 뱅크(251)와 소수성 뱅크(252)가 적층된 구조를 가질 수 있다.
친수성 뱅크(251)는 애노드 전극(211)과 보조 애노드 전극(212)의 중앙 영역을 노출하고 가장자리를 커버하도록 형성될 수 있다. 친수성 뱅크(251)에 의해 커버되지 않은 애노드 전극(210)의 노출 영역이 발광 영역(EA)으로 정의될 수 있다. 친수성 뱅크(251)는 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)과 같은 친수성의 무기 절연 물질로 형성되어, 후술되는 발광층(220)의 형성 시에 용액이 잘 퍼지게 한다.
소수성 뱅크(252)는 친수성 뱅크(251) 상의 일부 영역에 형성될 수 있다. 소수성 뱅크(252)는 화소 행들 사이에 배치되어, 화소 행들 사이를 구획할 수 있다. 소수성 뱅크(252)는 적어도 일 영역, 예를 들어 상부 영역이 소수성을 갖도록 구성되어, 화소 행들 사이에서 혼색을 방지한다.
뱅크(250)로 둘러싸인 애노드 전극(210)의 노출 영역 상에 발광층(220)이 형성된다. 일 실시 예에서, 발광층(220)은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA) 내에 발광층(220)을 형성하기 위한 용액이 도포될 수 있다. 용액은 용매(solvant)에 발광층(220)을 구성하는 유기 재료를 혼합하여 제조될 수 있다. 용액은 잉크젯 헤드에 실장된 노즐을 구비하는 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역에 제팅될 수 있다. 도포된 잉크가 건조되어 발광층(220)을 형성한다. 용액 공정을 통해 형성될 발광층(220)은 중앙 영역의 표면이 가장자리 영역의 표면보다 낮게 형성될 수 있으나, 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
일 실시 예에서, 발광층(220)과 애노드 전극(210) 사이에는 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL) 등이 배치될 수 있다.
캐소드 전극(230)은 발광층(220) 상에 형성된다. 캐소드 전극(230)은 광을 투과시킬 수 있는 투명한 금속 물질(Transparent Conductive Material; TCO) 또는 반투과 금속 물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.
캐소드 전극(230)과 발광층(220) 사이에 유기층(240)이 배치될 수 있다. 유기층(240)은 예를 들어, 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 및/또는 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)일 수 있다. 유기층(240)은 캐소드 전극(230)으로부터 주입된 전자를 발광층(220)으로 원활하게 전달하는 역할을 한다.
유기층(240)과 캐소드 전극(230)은 표시 패널(1) 상에 넓게 형성될 수 있다. 발광 영역(EA)에서, 유기층(240)과 캐소드 전극(230)은 애노드 전극(210)과 발광층(220) 상에 순서대로 적층될 수 있다. 보조 전극 컨택부(CA)에서 유기층(240)과 캐소드 전극(230)은 보조 전극(260) 상에 순서대로 적층될 수 있다. 캐소드 전극(230)은 보조 전극(260), 브릿지 전극(184) 및 보조 배선(122)을 경유하여 저전위 구동 전원이 인가되는 전원 라인에 연결될 수 있다.
캐소드 전극(230) 상에 봉지층(300)이 형성될 수 있다. 봉지층(300)은 외부의 수분이 발광층(220)으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(300)은 무기 절연물로 이루어질 수도 있고, 무기 절연물과 유기 절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 도 3에 도시된 보조 전극 컨택부에 대한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 반사층의 재료에 따른 광 흡수율을 나타낸 그래프이다.
캐소드 전극(230)과 보조 전극(260) 사이에 유기층(240)이 개재되면, 캐소드 전극(230)과 보조 전극(260) 사이의 전기 저항이 증가할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 보조 전극 컨택부(CA)에 레이저를 조사하는 리플로우(reflow) 공정이 적용될 수 있다.
리플로우 공정 동안 조사되는 레이저에 의해 다른 구성 요소들이 손상될 수 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해 레이저는 보조 전극 컨택부(CA)에만 선택적으로 조사되어야 한다. 이는 표시 패널(1)의 제조 공정의 복잡도 및 불량률을 증가시킬 수 있다.
본 실시 예에서는, 기판(100)의 오목부(P1)들에 각각 배치되는 반사층(111)들을 통해 상술한 문제를 해결한다. 구체적으로, 도 4에 도시된 것과 같이, 리플로우 공정 동안 표시 패널(1)의 배면 전체에 레이저가 조사될 수 있다.
이때, 레이저의 일부는 반사층(111)들 사이의 개구(OPN1)를 통과하여 보조 전극 컨택부(CA) 내의 보조 전극(260)에 도달할 수 있다. 보조 전극(260)은 레이저의 에너지를 흡수하여 유기층(240)에 전달한다. 에너지를 전달받은 유기층(240)은 부분적으로 또는 전체가 용융될 수 있다. 용융된 유기층(240)이 유동됨에 따라, 보조 전극(260)의 적어도 일 영역이 상부로 노출될 수 있다. 노출된 영역에서 보조 전극(260)은 상부의 캐소드 전극(230)과 직접 컨택될 수 있다.
레이저의 나머지 일부는 반사층(111)에 의해 반사되어 외부로 방사될 수 있다. 따라서, 보조 전극 컨택부(CA) 이외의 나머지 영역에 배치된 소자들에 레이저가 전달되지 않는다. 결과적으로, 리플로우 공정 동안 표시 패널(1)의 전체에 레이저를 조사하여도, 표시 패널(1)에 배치된 소자들의 손상을 방지할 수 있으며, 공정 복잡도 및 난이도를 감소시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, MMCB, 몰리티타늄(MoTi)으로 구성된 금속 필름의 경우, 대상 파장 대역에서 광 흡수율이 높다. 은(Ag)으로 구성된 10nm 두께의 금속 필름의 경우, 약 350nm 이상의 파장 대역에서 낮은 흡수율을 갖는다. ITO(Indium tin oxide)/은/ITO의 삼중충으로 구성된 금속 필름의 경우, 약 500nm 이상의 파장 대역에서 낮은 흡수율을 갖는다. 광 흡수율이 낮을수록 광 반사율이 높으므로, 반사층(111)은 은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다. 반사층(111)의 재료에 따라 후술되는 리플로우 공정에서 사용되는 레이저의 광 파장이 선택될 수 있다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 표시 패널(2000)의 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시된 제1 실시 예와 비교하면, 제2 실시 예에서, 제1 도전층이 생략된다. 즉, 기판(100) 상에서 광 차단층(121) 및 보조 배선(122)이 생략된다. 대신에, 반사층(1111)들이 광 차단층(121) 및 보조 배선(122)으로 기능할 수 있다.
반사층(1111)은 외부 광을 차단하는 금속으로 구성될 수 있으므로, 액티브층(140)의 채널과 평면 상에서 중첩하여 배치되는 반사층(1111)이 광 차단층(121)으로 기능할 수 있다.
또한, 반사층(1111)은 저전위 구동 전원이 인가되는 전원 배선에 연결되고, 브릿지 전극(184)은 층간 절연층(170) 및 버퍼층(130)을 관통하는 컨택홀을 통해 해당 반사층(1111)에 연결될 수 있다. 그에 따라, 해당 반사층(1111)이 보조 배선(122)으로 기능할 수 있다.
상기와 같이 제1 도전층이 생략되면, 표시 패널(1)의 제조 공정이 간소화되고, 표시 패널(1)의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
도 7은 제3 실시 예에 따라 도 1의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다. 이때 도 7은 보조 전극 컨택부(CA)에 대응하는 AA 영역을 확대한 도면으로 도 2와 비교하였을 때 보조 전극 컨택부(CA)에서만 차이가 있으므로, AA 영역만을 도시하고 설명한다. 도 8은 도 7에 도시된 보조 전극 컨택부(CA)에 대한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다.
제1 실시 예에서와 같이 리플로우 공정에서 유기층(240)의 전체가 용융되면, 유기층(240)이 불균일하게 유동되어 보조 전극(260)을 노출되지 않거나, 캐소드 전극(230)과 보조 전극(260) 사이의 컨택이 불안정하게 형성될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 제3 실시 예에서 오목부(P2)들은 도 7에 도시된 것과 같이 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되는 영역 중 일부를 제외한 나머지 영역에 형성된다.
오목부(P2)들과 동일하게, 각각의 반사층(112)은 보조 전극 컨택부(CA)와 적어도 일 영역이 중첩하도록 배치된다. 이러한 실시 예에서, 반사층(112)들 사이에는 기판(100)으로 채워진 개구(OPN2)가 형성된다. 특히, 본 실시 예에서 반사층(112)의 단부는 보조 전극 컨택부(CA)로 더욱 돌출된다. 개구(OPN2)는 보조 전극 컨택부(CA)의 일 영역과 중첩하며, 개구(OPN2)의 폭은 보조 전극 컨택부(CA)의 폭보다 작다. 개구(OPN2)가 형성되는 영역에는 기판(100)과 보조 전극(260) 사이에 다른 도전층이 개재되지 않는다.
도 8에 도시된 것과 같이, 리플로우 공정 동안 표시 패널(1)의 배면 전체에 레이저가 조사될 수 있다. 이때, 레이저의 일부는 반사층(112)들 사이의 개구(OPN2)를 통과하여 보조 전극 컨택부(CA) 내의 보조 전극(260)에 도달할 수 있다. 보조 전극(260)은 레이저의 에너지를 흡수하여 유기층(240)에 전달한다.
보조 전극 컨택부(CA) 내에서, 유기층(240)은 개구(OPN2)를 통해 레이저의 에너지를 전달받은 일부분만이 선택적으로 용융될 수 있다. 예를 들어, 유기층(240)은 개구(OPN2)에 중첩된 중앙 영역이 용융되고 가장자리 영역이 용융되지 않을 수 있다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
용융된 유기층(240)의 일 영역은 용융되지 않은 주변 영역과의 장력에 의해 주변 영역으로 유동한다. 예를 들어, 용융된 유기층(240)은 보조 전극(260) 상에서 가장자리 영역으로 유동할 수 있다. 그러면, 보조 전극(260)의 중앙 영역이 유기층(240)에 의해 커버되지 않고 상부로 노출될 수 있다. 노출된 영역에서 보조 전극(260)은 상부의 캐소드 전극(230)과 직접 컨택될 수 있다.
상기와 같은 제3 실시 예에서, 유기층(240)은 반사층(112)과 중첩되는 영역과 중첩되지 않는 영역들 사이에서 선택적으로 용융된다. 그에 따라, 유기층(240)은 용융된 영역과 용융되지 않은 영역 사이의 장력을 통해 특정 방향으로의 유동이 효율적으로 유도될 수 있다. 유기층(240)의 유동이 용이하게 유도됨에 따라, 보조 전극(260)과 캐소드 전극(230) 사이의 컨택이 안정적으로 이루어질 수 있다.
도 9는 제4 실시 예에 따라 도 1의 AA 영역을 개략적으로 도시한 확대도이다. 이때 도 9는 보조 전극 컨택부(CA)에 대응하는 AA 영역을 확대한 도면으로 도 2와 비교하였을 때 보조 전극 컨택부(CA)에서만 차이가 있으므로, AA 영역만을 도시하고 설명한다. 도 10은 도 9에 도시된 보조 전극 컨택부에 대한 리플로우 공정을 설명하기 위한 도면이다.
제4 실시 예에서, 기판(100)은 도 9에 도시된 것과 같이 복수의 제1 오목부(P3)들 및 복수의 제2 오목부(P4)들을 포함할 수 있다.
제1 오목부(P3)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 즉, 제1 오목부(P3)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되지 않도록, 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 이러한 실시 예에서, 제1 오목부(P3)들 사이의 이격된 거리는 보조 전극 컨택부(CA)의 폭과 동일하거나 유사하다.
제2 오목부(P4)들은 보조 전극 컨택부(CA)의 일 영역과 중첩하도록 배치된다. 다시 말해, 제2 오목부(P4)들은 제1 오목부(P3)들의 사이에 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 오목부(P4)들은 보조 전극 컨택부(CA)의 중앙 영역과 중첩하도록 배치될 수 있다.
각각의 오목부(P3, P4) 내에는 반사층(113, 114)이 배치된다. 제1 반사층(113)들은 제1 오목부(P3)들과 동일하게 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되지 않도록 배치된다. 제2 반사층(114)들은 제2 오목부(P3)들과 동일하게 보조 전극 컨택부(CA)의 일 영역과 중첩하도록 배치된다. 즉, 제2 반사층(114)들은 제1 반사층(113)들의 사이에 배치될 수 있다.
이러한 실시 예에서, 제1 반사층(113)들과 제2 반사층(114)들의 사이에는 기판(100)으로 채워진 개구(OPN3)가 형성된다. 개구(OPN3)는 보조 전극 컨택부(CA)의 일 영역과 중첩한다. 예를 들어, 개구(OPN3)는 보조 전극 컨택부(CA)의 가장자리 영역과 중첩할 수 있다. 개구(OPN3)가 형성되는 영역에는 기판(100)과 보조 전극(260) 사이에 다른 도전층이 개재되지 않는다.
도 10에 도시된 것과 같이, 리플로우 공정 동안 표시 패널(1)의 배면 전체에 레이저가 조사될 수 있다. 이때, 레이저의 일부는 반사층들(113, 114) 사이의 개구(OPN3)를 통과하여 보조 전극 컨택부(CA) 내의 보조 전극(260)에 도달할 수 있다. 보조 전극(260)은 레이저의 에너지를 흡수하여 유기층(240)에 전달한다.
보조 전극 컨택부(CA) 내에서, 유기층(240)은 개구(OPN3)를 통해 레이저의 에너지를 전달받은 일부분만이 선택적으로 용융될 수 있다. 예를 들어, 유기층(240)은 개구(OPN3)에 중첩된 가장자리 영역이 용융되고 중앙 영역이 용융되지 않을 수 있다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
용융된 유기층(240)의 일 영역은 용융되지 않은 주변 영역과의 장력에 의해 주변 영역으로 유동한다. 예를 들어, 용융된 유기층(240)은 보조 전극(260) 상에서 중앙 영역으로 유동할 수 있다. 그러면, 보조 전극(260)의 가장자리 영역이 유기층(240)에 의해 커버되지 않고 상부로 노출될 수 있다. 노출된 영역에서 보조 전극(260)은 상부의 캐소드 전극(230)과 직접 컨택될 수 있다.
도 11 내지 도 15는 일 실시 예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 도면들이다. 이하에서는, 도 6에 도시된 제2 실시 예를 참조하여, 표시 패널의 제조 방법을 설명한다.
도 11을 참조하면, 먼저 기판(100) 상에 회로 소자층이 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판(100) 상에 복수의 오목부(P2)들이 형성된다. 오목부(P2)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 즉, 오목부(P2)들은 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되지 않도록, 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 오목부(P2)들 사이의 이격된 거리는 이후에 형성될 보조 전극 컨택부(CA)의 폭과 동일하거나 유사하게 결정될 수 있다.
각각의 오목부(P2) 내에는 반사층(111)이 배치된다. 이러한 공정을 통해 반사층(111)들 사이에는 기판(100)으로 채워진 개구(OPN1)가 형성된다. 개구(OPN1)는 보조 전극 컨택부(CA)와 중첩되며, 개구(OPN1)의 폭은 보조 전극 컨택부(CA)의 폭과 동일하거나 유사하다. 일 실시 예에서, 반사층(111)은 은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다.
기판(100) 상에 버퍼층(130)이 형성되고, 제1 내지 제3 도전층들 및 패시베이션층(191), 오버코트층(192)이 더 형성된다. 또한, 발광 영역(EA)에서 오버코트층(192) 상에 애노드 전극(210)이 되고, 비발광 영역(NEA)의 보조 전극 컨택부(CA)에서 오버코트층(192) 상에 보조 전극(260)이 형성된다. 보조 전극(260)은 브릿지 전극(184)과 연결된다.
오버코트층(192) 상에 뱅크(250)가 형성된다. 뱅크(250)는 애노드 전극(210)의 중심 영역을 노출하되 가장자리 영역을 커버하도록 형성될 수 있다. 또한, 뱅크(250)는 보조 전극(260)의 중심 영역을 노출하되 가장자리 영역을 커버하도록 형성될 수 있다.
뱅크(250)는 표면의 적어도 일부가 소수성으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(250)는 유기 절연물에 불소(F)와 같은 소수성 물질을 혼합한 용액을 도포한 후 포토리소그라피 공정을 통해 형성될 수 있다. 포토리소그라피 공정 시 조사되는 광에 의해 불소와 같은 소수성 물질이 뱅크(250)의 상부로 이동할 수 있고, 그에 따라, 뱅크(250)의 상부 표면이 소수성 성질을 가지며 나머지 부분은 친수성 성질을 가질 수 있다. 상기와 같은 소수성 뱅크(250)는 이후에 발광층(220)이 용액 공정을 통해 형성될 때, 발광 영역(EA)들 사이에서 잉크가 섞이지 않도록 하는 댐(dam) 역할을 수행할 수 있다.
이후에, 도 12에 도시된 것과 같이, 발광층(220)이 형성된다. 발광층(220)은 뱅크(250)에 의해 정의되는 발광 영역(EA) 내에서 애노드 전극(210) 상에 형성된다.
일 실시 예에서, 발광층(220)은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA) 내에 발광층(220)을 형성하기 위한 용액이 도포될 수 있다. 용액은 용매(solvant)에 발광층(220)을 구성하는 유기 재료를 혼합하여 제조될 수 있다. 용액은 잉크젯 헤드에 실장된 노즐을 구비하는 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역에 제팅될 수 있다. 도포된 잉크가 건조되어 발광층(220)을 형성한다. 용액 공정을 통해 형성될 발광층(220)은 중앙 영역의 표면이 가장자리 영역의 표면보다 낮게 형성될 수 있으나, 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
이후에, 도 13에 도시된 것과 같이 유기층이 형성된다. 유기층은 유기층(240)일 수 있다. 유기층(240) 상에 캐소드 전극(230)이 형성된다. 유기층(240) 및 캐소드 전극(230)은 표시 패널(1) 상에 넓게 형성되어, 뱅크(250) 및 보조 전극(260)을 커버할 수 있다. 유기층(240) 및 캐소드 전극(230)은 열 증착과 같은 증발(evaporation) 증착법 또는 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다.
이후에, 유기층(240)에 대한 리플로우 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 14에 도시된 것과 같이 표시 패널(1)의 하부에서 레이저가 조사될 수 있다. 이때, 레이저는 표시 패널(1)의 배면 전체에 조사된다.
조사된 레이저의 일부 영역은 반사층(111)들에 의해 반사되어 외부로 방사된다. 조사된 레이저의 다른 일부 영역은 반사층(111)들 사이의 개구(OPN1)를 통과하여 보조 전극(260)에 도달한다. 보조 전극(260)에 도달한 레이저의 에너지는 보조 전극(260)의 상부에 적층된 유기층(240)으로 전달될 수 있다.
유기층(240)은 레이저의 에너지에 의해 적어도 일부가 용융된다. 용융된 유기층(240)이 유동하여 보조 전극(260)의 적어도 일 영역이 상부로 노출될 수 있다.
리플로우 공정 이후에 도 15에 도시된 것과 같이, 보조 전극(260)은 유기층(240)이 형성되지 않은 노출된 영역에서 캐소드 전극(230)과 직접 컨택될 수 있다.
상기와 같이, 본 실시 예는 반사층(111)을 통해 표시 패널(1)의 전면에 조사되는 레이저 중 일부만을 선택적으로 보조 전극 컨택부(CA)에 전달한다. 따라서, 리플로우 공정 시 전면 레이저 조사에 따른 주변 소자들의 손상을 방지할 수 있다. 본 실시 예는 레이저를 표시 패널(1) 전체에 조사할 수 있게 함으로써, 공정 복잡도 및 난이도를 감소시킬 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 표시 장치
10: 타이밍 제어부
20: 게이트 구동부
30: 데이터 구동부
40: 전원 공급부
50: 표시 패널

Claims (20)

  1. 발광 영역 및 보조 전극 컨택부가 정의되고, 복수의 오목부들을 포함하는 기판;
    상기 복수의 오목부들 내에 각각 배치되는 복수의 반사층들;
    상기 발광 영역에 중첩하여 배치되는 배치되는 애노드 전극;
    상기 보조 전극 컨택부에 중첩하여 배치되고, 저전위 구동 전원에 연결되는 보조 전극;
    상기 애노드 전극과 상기 보조 전극 각각의 가장 자리 영역을 커버하는 뱅크;
    상기 애노드 전극의 상기 뱅크로 커버되지 않은 영역 상에 형성되고, 상기 뱅크에 인접한 가장자리 영역에서, 중앙 영역 보다 표면이 높게 형성되는 발광층;
    상기 보조 전극을 커버하는 유기층; 및
    상기 발광층 및 상기 유기층 상에 형성되고, 상기 보조 전극 컨택부에서 상기 보조 전극과 직접 컨택되는 캐소드 전극을 포함하되,
    상기 복수의 반사층들 사이에 상기 보조 전극 컨택부와 적어도 일 영역이 중첩되고 상기 기판으로 채워진 적어도 하나의 개구가 형성되는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 오목부들 및 상기 복수의 반사층들은,
    상기 보조 전극 컨택부와 중첩하지 않도록 배치되고,
    상기 개구의 폭은,
    상기 보조 전극 컨택부의 폭과 동일한, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 오목부들 및 상기 복수의 반사층들은,
    상기 보조 전극 컨택부의 일 영역과 중첩하도록 배치되고,
    상기 개구의 폭은,
    상기 보조 전극 컨택부의 폭보다 좁은, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 캐소드 전극은,
    상기 보조 전극의 중앙 영역과 직접 컨택되는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 오목부들은,
    상기 보조 전극 컨택부와 중첩하지 않도록 배치되는 제1 오목부들; 및
    상기 제1 오목부들 사이에 배치되고, 상기 보조 전극 컨택부에 중첩되는 제2 오목부들을 포함하고,
    상기 복수의 반사층들은,
    상기 제1 오목부들 내에 배치되는 제1 반사층들; 및
    상기 제2 오목부들 내에 배치되는 제2 반사층들을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 캐소드 전극은,
    상기 보조 전극의 가장자리 영역과 직접 컨택되는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반사층들을 커버하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 형성되는 적어도 하나의 트랜지스터; 및
    상기 적어도 하나의 트랜지스터를 커버하고, 상기 보조 전극이 배치되는 오버코트층을 더 포함하는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 개재되고, 상기 적어도 하나의 트랜지스터에 중첩하여 배치되는 광 차단층을 더 포함하는, 표시 장치.
  9. 제9항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 개구와 상기 보조 전극 사이에 다른 도전층이 개재되지 않는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반사층은,
    은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성되는, 표시 장치.
  11. 보조 전극 컨택부가 정의되는 기판 상에 복수의 오목부들을 형성하는 단계;
    상기 복수의 오목부들 각각에 복수의 반사층들을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극 컨택부에 중첩하여, 저전위 구동 전원에 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극을 커버하는 유기층을 형성하는 단계;
    상기 유기층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 기판의 배면 전체에 레이저를 조사하여 리플로우 공정을 수행하는 단계를 포함하되,
    상기 복수의 반사층들 사이에 상기 보조 전극 컨택부와 적어도 일 영역이 중첩되고 상기 기판으로 채워진 적어도 하나의 개구가 형성되는, 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 레이저 중 일부는 상기 반사층에 의해 반사되고, 나머지 일부는 상기 적어도 하나의 개구를 통과하여 상기 보조 전극에 도달하는, 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 유기층은,
    상기 보조 전극을 통해 전달되는 상기 레이저의 에너지에 의해 적어도 일부가 용융되어 상기 보조 전극 상에서 유동하는, 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 개구는,
    상기 보조 전극의 중앙 영역과 중첩되고,
    상기 용융된 유기층은,
    상기 보조 전극 상에서 가장자리 영역으로 유동하는, 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 보조 전극은,
    상기 유기층의 유동에 의해 상기 중앙 영역이 상부로 노출되고,
    상기 캐소드 전극은,
    상기 보조 전극의 노출된 중앙 영역과 직접 컨택되는, 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 개구는,
    상기 보조 전극의 가장자리 영역과 중첩되고,
    상기 용융된 유기층은, 상기 보조 전극 상에서 중앙 영역으로 유동하는, 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 보조 전극은,
    상기 유기층의 유동에 의해 상기 가장자리 영역이 상부로 노출되고,
    상기 캐소드 전극은,
    상기 보조 전극의 노출된 가장자리 영역과 직접 컨택되는, 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 복수의 반사층을 형성하는 단계 이후에,
    상기 복수의 반사층들을 커버하는 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 트랜지스터를 커버하는 오버코트층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 기판 상에, 상기 적어도 하나의 트랜지스터에 중첩하여 배치되는 광 차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 반사층은,
    은 또는 은을 포함하는 다중층으로 구성되는, 표시 장치의 제조 방법.
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