KR20220056811A - 발광장치, 표시장치, 촬상장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조방법 - Google Patents

발광장치, 표시장치, 촬상장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조방법 Download PDF

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KR20220056811A
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코지 이시즈야
히로아키 사노
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

발광장치는, 기판 위에, 적어도 제1발광 소자를 구비한 표시 영역과, 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖는다. 제1발광 소자는, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖는다. 발광장치는, 기판과 제1발광 소자의 하부 전극 사이에, 제1 고반사층과, 제1 고반사층보다 반사율이 낮은 제1 저반사층이 적층된 제1적층부를 더 갖는다. 발광장치는, 외주 영역에, 기판 위에, 기판의 측에서 순서대로, 외주 고반사층과, 외주 고반사층보다 반사율이 낮은 외주 저반사층이 적층된 외주 적층부를 더 갖는다. 발광 영역과 평면에서 볼 때 중첩하는 제1적층부의 적어도 일부에 대해, 제1 고반사층이 노출하도록 제1 저반사층이 개구를 갖는다.

Description

발광장치, 표시장치, 촬상장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조방법{LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은, 발광장치, 표시장치, 촬상장치, 전자기기, 및 발광장치의 제조방법에 관한 것이다.
유기 EL 소자는, 한쌍의 전극과, 그 사이에 배치되어 있는 발광층을 포함하는 유기 화합물층을 갖는 발광 소자다. 유기 EL 소자는 우수한 특징, 즉 면발광 특성, 경량 및 시인성을 갖고 있고, 그 때문에 박형 디스플레이, 조명 기구, 헤드 마운트 디스플레이, 전자사진 방식 프린터의 프린트 헤드용 광원 등 발광장치로서의 실용화가 진행되고 있다.
특히 유기 EL 표시장치의 고선명화의 요구가 높아지고 있다. 고선명화를 제공하는 한가지 기술로서, 백색 유기 EL 소자와 칼라 필터를 사용한 방식(화이트+CF 방식)이 알려져 있다. 화이트+CF 방식에서는, 유기 EL 소자가 발생하는 백색광의 출사 방향으로, 흡수된 빛의 파장 의존성이 다른 복수의 칼라 필터가 설치된다. 예를 들면, 칼라 필터 투과후의 발광 색이 적색, 녹색 및 청색이 되도록 각 색 칼라 필터를 형성함으로써, 가법 혼색에 의한 풀컬러 표시가 가능해진다. 화이트+CF 방식에서는, 발광 화소 단위로 유기 화합물층을 막형성할 필요가 없으므로, 발광 화소의 고선명화의 달성이 용이하다.
유기 EL 표시장치의 소비 전력과 색도의 개선을 위해, 유기 EL 소자의 발광층과 반사막 사이의 광학거리를 최적화하는 것이 알려져 있다. 일본국 특개 2017-142926호 공보(PTL 1)에서는, 화이트+CF 방식의 유기 EL 표시장치에 있어서, 발광 색이 다른 화소마다 하부 전극과 반사막 사이의 광학거리를 다르게 하는 기술이 개시되어 있다.
한편, 표시장치의 표시 품위의 개선을 위해, 외광 반사의 저감이 알려져 있다. 일본국 특개 2013-054863호 공보(PTL 2)에는, 표시 영역 외부에 배치된 전극의 외광 반사의 저감 기술이 개시되어 있다.
PTL 1에는, 외광 반사에 의한 표시 품위의 저하에 대해서는 언급되어 있지 않다. PTL 1의 발광장치에는, 표시 영역 및 표시 영역 외부에 설치된 반사층의 광 출사측의 전체 영역에 거쳐 알루미늄 합금이 설치되기 때문에, 표시 영역 및 표시 영역 외부에 있어서 외광 반사가 크다고 생각된다. 외광 반사가 큰 경우, 섬광 반사, 착색 및 산란이 발생하여 표시 품위가 저하해 버린다.
상기 실정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 외광 반사의 억제와 높은 발광 효율을 양립가능한 발광장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1형태는, 기판 위에, 적어도 제1발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖고, 상기 제1발광 소자는, 상기 기판의 측에서 순서대로, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖고, 상기 기판과 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 제1 고반사층과, 상기 제1 고반사층보다 반사율이 낮은 제1 저반사층이 적층된 제1적층부를 갖고, 상기 외주 영역에 있어서, 상기 기판 위에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 외주 고반사층과, 상기 외주 고반사층보다 반사율이 낮은 외주 저반사층이 적층된 외주 적층부를 갖고, 상기 발광 영역과 평면에서 볼 때 중첩하는 상기 제1적층부의 적어도 일부에 대해, 상기 제1 고반사층이 노출하도록 상기 제1 저반사층이 개구 영역을 갖는, 발광장치다.
본 발명의 제2형태는, 기판 위에, 적어도 제1발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖고, 상기 제1발광 소자는, 상기 기판의 측에서 순서대로, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖고, 상기 기판과 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 제1 고반사층과 제1 저반사층이 적층된 제1적층부를 갖고, 상기 외주 영역에 있어서, 상기 기판 위에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 외주 고반사층과, 상기 외주 고반사층보다 반사율이 낮은 외주 저반사층이 적층된 외주 적층부를 갖고, 상기 제1 고반사층 및 상기 외주 고반사층은 Al 또는 Ag을 갖는 재료로 구성되고, 상기 제1 저반사층 및 상기 외주 저반사층은 Co, Mo, Pt, Ta, Ti, TiN 및 W 중 어느 것을 갖는 재료로 구성되고, 상기 발광 영역과 평면에서 볼 때 중첩하는 상기 제1적층부의 적어도 일부에 대해, 상기 제1 고반사층이 노출하도록 상기 제1 저반사층이 개구를 갖는, 발광장치다.
본 발명의 제3형태는, 발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖는 발광장치의 제조방법으로서, 기판 위에, 제1재료로 구성되는 고반사층과, 상기 제1재료보다도 반사율이 낮은 제2재료로 구성되는 저반사층을, 이 순서로 적층하는 스텝과, 상기 표시 영역에 있어서 상기 저반사층의 적어도 일부를 제거하여, 상기 고반사층이 노출되는 개구 영역을 설치하는 스텝과, 상기 개구 영역 위에, 하부 전극, 발광층, 및 상부 전극을 이 순서로 포함하는 발광 소자를 형성하는 스텝을 포함하는, 발광장치의 제조방법이다.
본 발명의 제4형태는, 발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖는 발광장치의 제조방법으로서, 기판 위에, Al 또는 Ag을 갖는 재료로 구성되는 고반사층과, Co, Mo, Pt, Ta, Ti, TiN 또는 W 중 어느 것을 갖는 재료로 구성되는 저반사층을, 이 순서로 적층하는 스텝과, 상기 표시 영역에 있어서 상기 저반사층의 적어도 일부를 제거하여, 상기 고반사층이 노출되는 개구 영역을 설치하는 스텝과, 상기 개구 영역 위에, 하부 전극, 발광층, 및 상부 전극을 이 순서로 포함하는 발광 소자를 형성하는 스텝을 포함하는, 발광장치의 제조방법이다.
본 발명의 또 다른 특징은 (첨부도면을 참조하는) 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도1은 제1실시형태에 따른 발광장치의 일례의 단면의 모식도다.
도2는 제1실시형태에 따른 발광장치의 일례의 평면의 모식도다.
도3은 제1실시형태에 따른 발광장치의 일례의 평면의 모식도다.
도4는 제1실시형태에 따른 발광장치의 일례의 평면의 모식도다.
도5는 제2실시형태에 따른 발광장치의 일례의 단면의 모식도다.
도6은 제2실시형태에 따른 발광장치의 일례의 단면의 모식도다.
도7은 제2실시형태에 따른 발광장치의 일례의 평면의 모식도다.
도8은 제2실시형태에 따른 발광장치의 일례의 평면의 모식도다.
도9는 제3실시형태에 따른 표시장치를 나타낸 모식도다.
도10a 및 도 10b는 제3실시형태에 따른 촬상장치와 전자기기를 나타낸 모식도다.
도11a 및 도11b는 제3실시형태에 따른 표시장치를 나타낸 모식도다.
도12a 및 도12b는 제3실시형태에 따른 조명장치와 이동체를 나타낸 모식도다.
도13a 및 도13b는 제3실시형태에 따른 웨어러블 디바이스를 나타낸 모식도다.
이하, 첨부도면에 따라서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 단, 본 실시형태에 기재되어 있는 구성요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 기술적 범위는, 청구범위에 의해 확정되는 것이며, 이하의 개별의 실시형태에 의해 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 하기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 명세서의 개시의 취지에 근거하여 다양한 변형(각 실시형태의 유기적인 조합을 포함한다)이 가능하고, 그것들을 본 명세서의 개시의 범위에서 제외하는 것은 아니다. 따라서, 후술하는 각 실시예 및 그것의 변형예를 조합한 구성도 모두 본 명세서에 개시의 실시형태에 포함되는 것이다.
제1실시형태
본 발명에 따른 발광장치의 제1실시형태로서의 유기 EL 디바이스(10)의 구성 에 대해 설명한다. 도1은 제1실시형태의 단면의 모식도다. 도2는 제1실시형태의 평면의 모식도로서, 표시 영역(50)에 있어서의 제1적층부(104)와 외주 영역(400)에 있어서의 외주 적층부(404)의 평면적인 위치 관계를 나타낸 것이다. 도1은 도2에 있어서의 A-A' 선에 따른 단면도다. 본 실시형태는, 발광 소자로서, 발광층에 유기 발광 재료를 포함하는 유기 EL 발광 소자를 사용하고 있지만, 발광층에 무기 발광 재료를 포함하는 무기 EL 발광 소자를 사용해서 발광장치를 구성해도 된다.
이하의 설명에서는, 기판에 대한 발광층의 방향을 상측 방향으로 칭하고, 그것의 반대 방향을 하측 방향으로 칭한다. 본 실시형태에 있어서, 빛의 출사 방향은 상측 방향이다. 또한, 제1층 위에 제2층이 배치되어 있다고 할 때, 이것은 제1층과 제2층이 접하고 있는 경우와, 제1층과 제2층 사이에 1개의 제3층 또는 복수의 제3층이 개재하는 경우의 양쪽을 포함한다.
전체 구성
유기 EL 디바이스(10)는, 표시를 행하는 표시 영역(50)과, 표시를 행하지 않으며 표시 영역(50)의 외주의 주위에 있는 영역인 외주 영역(400)을 갖는다. 도1에서는, 표시 영역(50)에 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)가 설치되어 있지만, 유기 EL 디바이스(10)가 구비하는 유기 EL 소자의 수는 특별히 한정되지 않는다. 각각의 유기 EL 소자의 구성은 기본적으로 같기 때문에, 이하에서는 대표적으로 제1유기 EL 소자(100)에 대해 설명한다.
유기 EL 디바이스(10)는, 기판(1), 적층부(104, 204, 304, 404), 광학 간섭층(30), 하부 전극(2), 유기 화합물층(3), 상부 전극(4), 보호층(6), 칼라 필터(121, 221, 321), 마이크로렌즈(122, 222, 322)를 갖는다. 도1에 나타낸 구성의 전체가 본 발명에 따른 유기 EL 디바이스의 실시에 필요한 것은 아니고, 일부의 구성은 생략해도 된다.
표시 영역(50) 내의 제1유기 EL 소자(제1 발광 소자)(100)는, 기판의 측에서 순서대로, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖는다. 더욱 상세하게는, 제1유기 EL 소자(100)는, 하부 전극(2), 상부 전극(4)과, 하부 전극(2)과 상부 전극(4) 사이 끼워진 적어도 발광층을 포함하는 유기 화합물층(3)을 포함한다. 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2)과 기판(1)의 사이에는, 제1적층부(104)가 배치되어 있다. 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)도 마찬가지이다. 한편, 외주 영역(400)에는 외주 적층부(404)가 배치되어 있다. 이하에서는 유기 EL 디바이스(10)를 상세하게 설명한다.
기판(1)
기판(1)은 하부 전극(2), 유기 화합물층(3) 및 상부 전극(4)을 지지할 수 있는 재료로 형성된다. 예를 들어, 기판(1)의 재료로는 글래스, 플라스틱, 실리콘 등이 적합하다. 예를 들어, 기판(1) 위에는 트랜지스터 등의 스위칭 소자(미도시). 및/또는 배선(21), 및/또는 층간 절연막(22) 등이 형성되어 있어도 된다.
하부 전극(2)
하부 전극(2)은 발광 효율의 관점에서 빛의 투과성을 갖는 재료의 박막인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 하부 전극(2)의 재료는, ITO, IZO 등의 투명 도전 산화물이나, Al, Ag나 Pt 등의 금속이나 합금이 적합하다. 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)의 각각의 하부 전극(2)은 전기적으로 분리되어 있다. 광학 간섭을 최적화하기 위해, 하부 전극(2)의 막 두께는, 제1유기 EL 소자(100)와, 제2유기 EL 소자(200) 및, 제3유기 EL 소자(300)의 각각에서 달라도 된다.
유기 화합물층(3)
유기 화합물층(3)은, 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2) 위에 배치되어 있고, 예를 들어, 증착법, 스핀 코트법 등 공지의 기술에 의해 형성할 수 있다. 유기 화합물층(3)은, 적어도 발광층을 포함하는 층이며, 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다. 복수의 층으로서는, 정공주입층, 정공수송층, 전자 블록층, 발광층, 정공 블록층, 전자수송층 및 전자주입층을 들 수 있다. 유기 화합물층(3)에서는, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 발광층에 있어서 재결합함으로써, 발광층으로부터 빛을 출사한다. 발광층은 단층 구성 또는 복수층 구성을 가져도 된다. 각 발광층 중 어느 것에 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료 및 청색 발광 재료를 가질 수 있고, 각 발광 색을 혼합함으로써, 백색광을 얻는 것도 가능하다. 또한, 각 발광층 중 어느 것에, 청색 발광 재료와 황색 발광 재료 등의 보색 관계에 있는 발광 재료가 설치되어도 된다.
유기 화합물층(3)은, 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2), 제2유기 EL 소자(200)의 하부 전극(2) 및 제3유기 EL 소자(300)의 하부 전극(2)에 걸쳐서 배치되어 있어도 된다. 또한, 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)의 유기 화합물층(3)의 전부 또는 일부가 소자마다 패터닝되어 있어도 된다. 또한, 유기 화합물층(3)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400)에 형성되어 있어도 된다.
상부 전극(4)
상부 전극(4)은, 투광성을 갖고, 제1유기 EL 소자의 유기 화합물층(3) 위에 배치되어 있다. 또한, 상부 전극(4)은 그것의 표면에 도달한 빛의 일부를 투과하는 동시에 다른 일부를 반사하는 성질(즉 반투과 반사성)을 갖는 반투과 재료이어도 된다. 상부 전극(4)을 구성하는 재료는, 예를 들면, ITO나 IZO와 같은 투명 도전 산화물이나, 금속 재료로 이루어진 반투과 재료로 구성된다. 금속 재료의 예는, 알루미늄, 은 및 금 등의 순수한 금속, 리튬 및 세슘 등의 알칼리 금속, 마그네슘, 칼슘 및 바륨 등의 알칼리 토류 금속, 이들 금속 재료를 포함하는 합금 재료이다. 특히, 반투과 재료로는 주성분이 마그네슘이나 은인 합금이 바람직하다. 상부 전극(4)은 바람직한 투과율을 가지면, 상기 재료의 적층 구성이어도 된다.
상부 전극(4)은, 제1유기 EL 소자(100)의 유기 화합물층(3), 제2유기 EL 소자(200)의 유기 화합물층(3) 및 제3유기 EL 소자(300)의 유기 화합물층(3)에 걸쳐서 배치되어 있어도 된다. 또한, 상부 전극(4)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400)에 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 하부 전극(2)이 양극이어도 되고, 상부 전극(4)이 음극이어도 되고, 또는 하부 전극(2)이 음극이고 상부 전극(4)이 양극이어도 된다.
절연층(5)
본 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스(10)에서는, 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2)의 외주부에 절연층(5)이 설치되어 있어도 된다. 절연층(5)은 하부 전극(2)의 일부에 설치되고, 절연층(5)이 설치되지 않는 영역에 하부 전극(2)이 노출하고 있다. 하부 전극(2)이 노출하고 있는 영역이, 유기 화합물층(3)이 발광하는 발광 영역을 제공한다. 절연층(5)은 제1발광 영역(101)을 정확하게 원하는 형상으로 하기 위해 형성된다. 절연층(5)을 설치하지 않는 경우에는, 하부 전극(2)의 형상에 의해 제1발광 영역(101)이 규정된다. 절연층(5)은, 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON) 또는 실리콘 산화물(SiO) 등의 무기 재료로 형성된다. 절연층(5)은 스퍼터링법, 화학기상퇴적법(CVD법)등 공지의 기술을 사용해서 형성이 가능하다. 절연층(5)은 아크릴 수지나 폴리이미드 수지와 같은 유기 재료를 사용해서 형성해도 된다.
광학 간섭층(30)
본 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스(10)는, 제1적층부(104)와 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2) 사이에, 광학 간섭층(30)을 갖는다. 광학 간섭층(30)의 두께를 조정함으로써, 제1유기 EL 소자(100)의 발광층과 제1 고반사층(102) 사이의 광학거리를 최적화하는 것이 가능하므로, 광학 간섭을 이용한 발광 효율의 향상이 가능해진다. 도1은, 제1유기 EL 소자(100)의 광학 간섭층(30)이 제1광학 간섭층(31), 제2광학 간섭층(32) 및 제3광학 간섭층(33)으로 이루어진 3층 구조인 예를 나타내고 있지만, 층 수는 특별히 한정되지 않고, 단층 구조가 사용되어도 된다.
제2유기 EL 소자(200) 및/또는 제3유기 EL 소자(300)도 광학 간섭층(30)을 갖고 있어서 된다. 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200)와 제3유기 EL 소자(300)의 광학 간섭층에 대해 다른 두께를 사용하는 것에 의해, 각각의 유기 EL 소자로부터 발생되는 빛의 색을 조정하는 것이 가능하다. 광학 간섭층(30)에 대해 복수층을 갖는 적층 구성를 사용하고, 소자에 따라 적층수를 변경함으로써, 광학 간섭층(30)의 두께를 용이하게 조정가능하다. 예를 들면, 제1유기 EL 소자(100)>제2유기 EL 소자(200)>제3유기 EL 소자(300)의 순서로 광학 간섭층(30)을 얇게 하는 경우, 제1적층부(104) 위에는 제1광학 간섭층(31), 제2광학 간섭층(32)과 제3광학 간섭층(33)의 3층을 설치한다. 한편, 제2적층부(204) 위에는 제2광학 간섭층(32)과 제3광학 간섭층(33)의 2층을 설치하는 한편, 제3적층부(304) 위에는 제3광학 간섭층(33) 만을 설치해도 된다.
광학 간섭층(30)은 투명한 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 특히 SiO, SiN 또는 SiON으로 구성되는 것이 바람직하다. 형성 수법으로는 스퍼터링법, CVD법, ALD법 등 공지 기술을 이용할 수 있다.
유기 EL 디바이스(10)의 일부 또는 전부의 유기 EL 소자에 있어서, 광학 간섭층(30)을 설치하지 않아도 된다. 예를 들면, 제1유기 EL 소자(100)에 있어서 광학 간섭층(30)을 설치하지 않는 경우에는, 하부 전극(2)이 제1적층부(104)와 접한다.
적층부(104, 204, 304, 404)
본 실시형태에 있어서 제1유기 EL 소자(100)는 하부 전극(2)과 기판(1) 사이에 제1적층부(104)를 갖는다. 제1적층부(104)는, 서로 절연된 제1 화소 반사 영역(105) 및 제1 화소 콘택 영역(115)을 포함한다. 제1적층부(104)의 제1 화소 반사 영역(105) 및 제1 화소 콘택 영역(115)은 각각, 기판의 측에서 제1 고반사층(102)과 제1 저반사층(103)의 순서로 적층되어 구성된다. 제1 화소 반사 영역(105) 중, 제1발광 영역(101)과 평면에서 볼 때 중첩하는 영역의 적어도 일부에 있어서, 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)은 제1 고반사층(102)을 노출하도록 개구를 갖는다. 이 개구 영역에 있어서는 광학 간섭층(30)과 제1 고반사층(102)이 접촉한다.
제1 고반사층(102)은 제1 저반사층(103)보다도 반사율이 높기 때문에, 제1유기 EL 소자에서 발광한 빛은 하부 전극(2)을 투과하여 제1 고반사층(102)에서 효율적으로 반사될 수 있다. 제1 고반사층(102)에서 반사된 빛은, 상부 전극(4)으로부터 광 출사측으로 벗어나기 때문에, 본 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스는 높은 발광 효율의 특성을 얻을 수 있다. 여기에서, 광 출사측은, 하부 전극(2)에 대한 상부 전극(4)의 방향을 가리킨다.
마찬가지로, 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)는 각각, 제2적층부(204) 및 제3적층부(304)를 갖는다. 제2적층부(204)는, 서로 절연된 제2화소 반사 영역(205) 및 제2화소 콘택 영역(215)을 포함하는 한편, 제3적층부(304)는, 서로 절연된 제3화소 반사 영역(305) 및 제3화소 콘택 영역(315)을 포함한다. 제2적층부(204)는, 기판(1)측에서 제2 고반사층(202)과 제2 저반사층(203)의 순서로 적층되어 구성되는 한편, 제3적층부(304)는, 기판(1)측에서 제3 고반사층(302)과 제3 저반사층(303)의 순서로 적층되어 구성된다. 제2화소 반사 영역(205) 중, 제2발광 영역(201)과 평면에서 볼 때 중첩하는 영역의 적어도 일부에 있어서, 제2적층부(204)의 제2 저반사층(203)은 제2 고반사층(202)을 노출하도록 개구를 갖는다. 제3화소 반사 영역(305) 중, 제3발광 영역(301)과 평면에서 볼 때 중첩하는 영역의 적어도 일부에 있어서, 제3적층부(304)의 제3 저반사층(303)은 제3 고반사층(302)을 노출하도록 개구를 갖는다. 각각의 개구 영역에 있어서는, 광학 간섭층(30)은 제2 고반사층(202) 또는 제3 고반사층(302)과 접촉한다.
한편, 외주 영역(400)은, 외주 적층부(404)를 갖는다. 외주 적층부(404)는, 기판(1)측으로부터 외주 고반사층(402) 및 외주 저반사층(403)의 순서로 적층되어 구성된다. 본 실시형태에서는, 외주 저반사층(403)은, 외주 고반사층(402)이 노출하도록 하는 개구를 갖지 않는다. 따라서, 외광이 광 출사측으로부터 외주 영역(400)에 입사한 경우, 외주 저반사층(403)이 외주 적층부(404)의 광 출사측에 있기 때문에, 외광이 반사되기 어렵다. 더구나, 제1발광 영역(101)과 표시 영역(50)의 제1적층부(104)가 중첩하지 않는 영역의 적어도 일부에 있어서도, 제1적층부(104)의 광 출사측에는 제1 저반사층(103)이 있기 때문에, 외광이 반사되기 어렵다. 따라서, 본 실시형태에 있어서는, 주위로부터의 외광이 유기 EL 디바이스에 입사한 경우에도, 섬광 반사, 착색, 눈부심 및 산란 등의 표시 품위를 저하시키는 주위 광과 관련된 요인을 억제할 수 있다.
제1발광 영역(101)과 중첩하는 영역에 배치되는, 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)의 개구와 관련하여, 제1발광 영역(101)과 중첩하는 영역의 적어도 일부에 존재하는 경우, 본 실시형태의 효과를 얻을 수 있다. 제1적층부(104)가 제1 저반사층(103)을 갖고 있으면, 개구의 크기는 특별히 제한되지 않지만, 발광 효율 향상의 관점에서, 적어도 제1발광 영역(101)과 같은 크기인 것이 특히 바람직하다.
또한, 외주 영역(400)의 외주 적층부(404)에 있어서는, 외주 저반사층(403)이 광 출사측에 설치되어 있는 영역은, 외광 반사 억제의 관점에서 외주 적층부(404)의 전체 영역인 것이 바람직하지만, 일부의 외주 저반사층(403)이 제거되어 있는 개소가 존재해도 된다. 바람직하게는, 일부의 외주 저반사층(403)이 제거되어 있는 개소에 있어서는, 광 출사측에 저반사율의 재료나 광흡수 재료가 형성되어 있다.
제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과, 외주 적층부(404)의 외주 고반사층(402)은, 주성분이 동일한 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)과, 외주 적층부(404)의 외주 저반사층(403)은, 주성분이 동일한 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 여기에서, 주성분은 조성비(원소비)가 가장 높은 원소를 가리킨다. 또한, 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과, 외주 적층부(404)의 외주 고반사층(402)은, 반사율이 대략 동일한 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)과, 외주 적층부(404)의 외주 저반사층(403)은, 반사율이 대략 동일한 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 이와 같은 "반사율이 대략 동일하다"는 것은, 반사율의 차이가 10퍼센트 포인트 이내인 것을 의미한다. 이것은, 더욱 바람직하게는, 반사율의 차이가 5퍼센트 포인트 이내인 것을 의미한다.
제1적층부(104) 및 외주 적층부(404)를 구성하는 적층 재료는, 반사율이 소정의 조건을 만족하고 있으면 특별히 제한되는 것은 아니다. 표 1에 제1적층부(104) 및 외주 적층부(404)를 구성하는 재료의 대표적인 일례를 나타낸다. 각 적층부의 적층 재료는, 표1에 나타낸 것과 같은 재료로부터 반사율의 관계를 고려하여 선택되는 것이 바람직하다. 제1 고반사층(102)과 제1 저반사층(103)의 반사율의 차이는, 10퍼센트 포인트 이상 있는 것이 바람직하고, 30퍼센트 포인트 이상 있는 것이 특히 바람직하다. 예를 들면, 제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)은 Ag 또는 Al을 포함하는 재료로 구성되는 것이 바람직하고, Ag 또는 Al을 주성분으로 하는 재료로 구성되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)은, Co, Mo, Pt, Ta, Ti, TiN 또는 W 등 중에서 적어도 어느 것을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하고, 이들 중 어느 것을 주성분으로 하는 재료로 구성되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)과, 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)은, 합금이나 화합물이어도 된다.
대표적인 재료의 550nm에 있어서의 반사율
Ag 96%
Al 92%
Co 65%
Mo 57%
Pt 64%
Ta 36%
Ti 50%
TiN 47%
W 49%
재료의 조합의 일례에 관해, 제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)이 Al을 주성분으로 하는 재료이며, 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)이 Ti 또는 TiN을 주성분으로 하는 재료다. 더구나, 제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)은 Al을 주성분으로 하고 Cu가 함유되어 있는 것이 바람직하다. 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)은 TiN을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)은, 도전성과 반사 억제의 효과를 제공하는 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)이 TiN을 주성분으로 하는 경우, 그것의 두께는, 1nm 이상 200nm 이하가 바람직하고, 5nm 이상 100nm 이하가 보다 바람직하다. 또한, 제1적층부(104) 및/또는 외주 적층부(404)의 기판측에는 Ti나 TiN 등의 배리어 메탈을 설치해도 된다.
제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)과, 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)은, 스퍼터링법, CVD법, ALD법 등의 공지의 성막수법으로 형성할 수 있다. 제1 고반사층(102) 및 외주 고반사층(402)은, 고반사율의 재료를 기판 위에 막형성한 후, 공지의 에칭 프로세스로 패터닝함으로써, 동시에 주성분이 같은 재료로 형성해도 된다. 또한, 제1 저반사층(103) 및 외주 저반사층(403)도, 저반사율의 재료를 기판 위에 막형성한 후, 공지의 에칭 프로세스로 패터닝함으로써, 동시에 주성분이 같은 재료로 형성해도 된다. 바람직하게는, 기판 위에 고반사율 재료를 형성한 후, 저반사율 재료를 형성하고, 에칭 프로세스로 패터닝함으로써, 제1적층부(104) 및 외주 적층부(404)를 동시에 형성해도 된다.
성막시나 에칭에 의한 패터닝시의 프로세스 격차의 억제의 관점에서, 제1적층부(104)와 기판(1) 사이의 거리는, 외주 적층부(404)와 기판(1) 사이의 거리와 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102)의 막 두께는 외주 고반사층(402)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하고, 제1 저반사층(103)의 막 두께는 외주 저반사층(403)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하다.
제1적층부(104)에 설치한 제1 저반사층(103)의 개구 영역은, 공지의 에칭 프로세스에 의해 제1 저반사층(103)을 제거하는 것에 의해 형성해도 된다. 개구 영역의 제1 고반사층(102)의 반사율이 원하는 특성이면, 개구 영역에서 노출한 제1 고반사층(102)에 있어서, 제1 저반사층(103)의 성분이 존재해도 된다. 예를 들면, 개구 영역에서 노출된 제1 고반사층(102)에 있어서, 제1 고반사층(102)의 주성분인 Al과 달리, 제1 저반사층(103)의 주성분인 TiN이 포함되어 있어도 된다. 원하는 특성과 관련하여, 예를 들면, 개구 영역의 제1 고반사층(102)의 반사율이, 제1 저반사(103)의 반사율보다도 10퍼센트 포인트 이상 높은 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 30퍼센트 포인트 이상 높다.
본 실시형태에서는, 제1적층부(104) 및 외주 적층부(404)는, 기판측에 고반사율의 부재를 갖고, 광 출사측에 저반사율의 부재가 설치되어 있기 때문에, 고반사율이 필요한 발광 영역과 중첩하는 영역의 제1 저반사층 만을 제거하면 된다. 따라서, 표시 영역(50)에 있어서의 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)의 면적이, 외주 영역(400)에 있어서의 외주 적층부(404)의 외주 저반사층(403)의 평면에서 볼 때의 면적과 달라도 된다.
본 실시형태에 있어서는, 외주 영역(400)에서 외주 적층부(404)의 적어도 일부와 상부 전극(4)의 적어도 일부가 평면에서 볼 때 중첩해도 되고, 단면에서 볼 때 적어도 각각의 일부가 서로 이격되어 있어도 된다. 상부 전극(4)이 반투과/반반사성인 경우 및/또는 상부 전극(4)과 상부 전극(4)의 광 출사측의 재료 사이의 굴절률 차이가 큰 경우, 상부 전극(4)에 대해 높은 반사율이 주어진다. 이러한 경우, 유기 EL 디바이스의 주위에서 입사한 외광은, 외주 적층부(404)와 상부 전극(4) 사이의 광학거리에 의해 광학 간섭이 발생한다. 본 실시형태에 있어서는, 외주 적층부(404)의 반사율이 낮기 때문에, 외주 적층부(404)와 상부 전극(4)에서 발생하는 광학 간섭에 의한 착색을 억제할 수 있다.
더구나, 외주 적층부(404), 유기 화합물층(3)과 상부 전극(4)이 평면에서 볼 때 중첩하는 경우, 외주 저반사층(403)과 상부 전극(4) 사이의 적어도 일부에 있어서, 유기 화합물층(3) 혹은 발광층의 두께가 평면 방향에서 변화하고 있어도 된다. 외주 적층부(404)와 상부 전극(4) 사이에서 유기 화합물층(3)의 두께가 변화하면, 외주 적층부(404)와 상부 전극(4) 사이의 광학거리가 변화하고, 광학 간섭에 의해 강해지는 빛의 파장이 변화하여 버린다. 그렇지만, 본 실시형태에 있어서는, 외주 적층부(404)의 반사율이 낮기 때문에, 외주 적층부(404), 유기 화합물층(3)과 상부 전극(4)에서 발생하는 착색의 변동을 억제하는 것이 가능하다.
본 실시형태에 있어서는, 하부 전극(2)과 제1적층부(104)는 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 제1적층부(104)를 도전 재료로 형성하고, 하부 전극(2)과 제1적층부(104)를 전기적으로 접속함으로써, 제1적층부(104)로부터 제1유기 EL 소자(100)에 전류를 흘리는 것이 가능하다. 더욱 상세하게는, 하부 전극(2)을 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)을 거쳐 제1 고반사층(102)에 접속함으로써, 제1 고반사층(102)으로부터 하부 전극(2)으로 전류를 흘릴 수 있다. 또한, 광학 간섭층(30)을 설치하는 경우에는, 광학 간섭층(30)을 관통하는 플러그(12)를 설치하고 플러그 내에 도전성 재료를 형성함으로써, 제1유기 EL 소자(100)의 하부 전극(2)과, 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)을 전기적으로 접속해도 된다. 플러그 내에 설치하는 도전성 재료로는, W, Ti이나 TiN과 같은 공지의 도전 재료를 사용해도 된다. 플러그 내에 설치하는 도전성 재료는 하부 전극(2)과 같은 재료이어도 된다. 바꿔 말하면, 플러그를 통해, 하부 전극(2)과 제1적층부(104)가 접하고 있어도 된다. 제1적층부(104)에 있어서 플러그(12)와 접하는 개소는, 외광 반사의 억제의 관점에서 제1 저반사층(103)인 것이 바람직하다.
플러그를 설치하는 영역은, 예를 들면, 도2 및 도3에서 나타낸 것과 같이, 제1적층부(104)의 제1 저반사층이 있는 화소 콘택 영역(115)인 것이 바람직하다. 제1적층부(104)와 하부 전극(2)이 직접 접하는 경우에는, 특히 제1 저반사층(103)과 하부 전극(2)은 갈바닉 부식을 억제하는 조합인 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 저반사층 104가 TiN을 주성분으로 하는 재료로 형성되고, 하부 전극(2)이 ITO 혹은 IZO인 것이 바람직하다.
도2에서 나타낸 구성에서는, 제1적층부(104)는, 제1 화소 반사 영역(105)으로부터는 절연되고 하부 전극(2)과 전기 접속된 화소 콘택 영역(115)을 갖고 있다. 더욱 상세하게는, 화소 콘택 영역(115)에 있어서 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)은 외부 전원에 연결되는 배선에 접속되어 있다. 기판(1)에 대한 정사영에 있어서, 해당 배선과 제1 고반사층(102)의 접점은, 제1적층부(104)의 개구 영역과 중첩하지 않는 위치에 설치된다. 또한, 기판(1)에 대한 정사영에 있어서, 개구 영역과 중첩하는 제1 고반사층(102)(제1 화소 반사 영역(105)의 제1 고반사층(102))은, 배선과의 접점에 있어서의 제1 고반사층(102)(화소 콘택 영역(115)에 있어서의 제1 고반사층(102))으로부터 이격되어 있다. 도3에서 나타낸 구성에서는, 제1 화소 반사 영역(105)과 화소 콘택 영역(115)이 전기적으로 접속하고 있다. 어느쪽의 경우도, 제1유기 EL 소자(100)에서는 화소 콘택 영역(115)을 통해 하부 전극(2)에 전류를 흘릴 수 있다.
더구나, 제2유기 EL 소자(200)와 제3유기 EL 소자(300)도, 각각 같은 화소 콘택 영역 215와 화소 콘택 영역 315를 갖고 있어도 된다. 특정한 유기 EL 소자에서 화소 반사 영역과 화소 콘택 영역이 접속되어 있는 경우에는, 도3에서 나타낸 것과 같이, 특정한 유기 EL 소자의 화소 반사 영역이 분리되어 전기적으로 절연된다. 한편, 특정한 유기 EL 소자의 화소 콘택 영역으로부터 화소 반사 영역이 전기적으로 절연되어 있는 경우에는, 도2에서 나타낸 것과 같이, 인접하는 유기 EL 소자의 화소 반사 영역이 서로 접촉하여 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 또한, 도4에 나타낸 것과 같이, 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)의 각각에서 화소 반사 영역과 접촉에 의해 외주 적층부(404)가 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)의 각 화소 반사 영역이 전기적으로 접속하고, 화소 반사 영역이 화소 콘택 영역으로부터 절연되어 있는 경우, 화소 반사 영역에 대해 전위가 임의로 설정될 수도 있다. 특히, 화소 반사 영역과 상부 전극(4)의 전위차가, 유기 EL 소자의 발광 임계전압 이하인 것이 바람직하다. 제조상의 격차에 의해, 어떤 소자의 화소 콘택 영역과 화소 반사 영역이 전기적으로 접속되는 결함이 발생한 경우, 화소 콘택 영역의 전위가 화소 반사 영역의 전위와 같아진다. 화소 콘택 영역과 하부 전극은 같은 전위이기 때문에, 화소 반사 영역과 상부 전극의 전위차가 유기 EL 소자의 발광 임계전압 이하로 설정되어 있는 경우, 화소 반사 영역과 하부 전극이 전기적으로 접속된 유기 EL 소자는 발광하지 않는다. 따라서, 큰 화소 결함으로 될 가능성을 저감할 수 있다. 더구나, 화소 반사 영역의 전위는 상부 전극(4)과 같은 것이 바람직하다.
보호층(6)
본 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스(10)에서는, 보호층(6)이 적어도 제1유기 EL 소자(100)를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 보호층(6)은 투광성을 갖고, 외부에서의 산소와 수분의 투과성이 극히 낮은 무기 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(Al2O3) 및 티탄 산화물(TiO2) 등의 무기 재료가 특히 바람직하다. 밀봉 성능의 관점에서, SiN, SiON 및 Al2O3의 무기 재료가 특히 바람직하다. 보호층(6)의 형성에는 화학기상퇴적법(CVD법), 원자층 퇴적법(ALD법), 또는 스퍼터링법을 사용하는 것이 바람직하다. 보호층(6)은, 충분한 수분 차단 성능이 있으면, 단층 구조를 갖거나, 상기한 재료 및/또는 형성 수법을 조합하여 설치된 적층 구조를 가져도 된다. 또한, 무기 재료와 수지 등의 유기 재료의 적층 구조이어도 된다. 또한, 제2유기 EL 소자(200)와 제3유기 EL 소자(300)를 형성하는 경우에는, 제1유기 EL 소자의 상부 전극(4), 제2유기 EL 소자의 상부 전극(4) 및 제3유기 EL 소자의 상부 전극(4) 위에 보호층(6)이 배치되어 있어도 된다. 보호층(6)은, 외주 영역(400)까지 더 연장해서 배치되어 있어도 된다.
평탄화층(7)
제1유기 EL 소자(100)의 보호층(6) 위에는 평탄화층(7)을 더 형성해도 된다. 평탄화층(7)은 스핀 코트법, 딥 코트법, 슬릿 코트법, 블레이드 코트법 등의 웨트 프로세스로 형성되는 것이 바람직하다. 웨트 프로세스의 실행에 의해 평탄화층(7)의 광 출사측의 면을 평탄하게 하는 것이 용이해진다. 그것의 형성후에, 웨트 프로세스로 형성된 평탄화층(7)은 가열이나 UV 조사 등에 의해 경화시키는 것이 바람직하다. 제2유기 EL 소자(200)와 제3유기 EL 소자(300)가 형성될 때, 제1유기 EL 소자의 보호층(6), 제2유기 EL 소자의 보호층(6) 및 제3유기 EL 소자의 보호층(6) 위에 평탄화층(7)이 배치되어 있어도 된다.
칼라 필터(121, 221, 321)
제1유기 EL 소자(100)의 평탄화층(7)의 광 출사측에는 제1 칼라 필터(121)가 설치되어 있어도 된다. 제2유기 EL 소자(200)의 평탄화층(7)의 광 출사측에는 제2 칼라 필터(221)를 더 설치해도 되고, 제3유기 EL 소자(300)의 평탄화층(7)의 광 출사측에는 제3 칼라 필터(321)를 더 설치해도 된다. 제1 칼라 필터(121), 제2 칼라 필터(221)와 제3 칼라 필터(321)는 투과하는 빛의 파장 성분을 다르게 하는 것이 가능하다. 제1 칼라 필터(121), 제2 칼라 필터(221) 및 제3 칼라 필터(321)는, 평탄화층(7) 등의 하지 위에 컬러 레지스트를 도포한 후, 그것을 리소그래피에 의해 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 컬러 레지스트는, 예를 들면, 광경화성 수지로 구성되고, 자외선 등이 조사된 부위를 경화시킴으로써 패턴을 형성한다.
렌즈(122, 222, 322)
제1유기 EL 소자(100)의 제1 칼라 필터(121)의 광 출사측에는 제1 렌즈(122)를 설치해도 된다. 제1 렌즈(122)는 제1 칼라 필터(121)의 기판측에 설치해도 된다. 제1 렌즈(122)를 설치함으로써, 제1유기 EL 소자(100)의 발광 효율을 향상하는 것이 가능하다. 더구나, 제2유기 EL 소자(200)의 제2 칼라 필터(221)의 상측 혹은 하측에는 제2 렌즈(222)를 설치해도 되고, 제3유기 EL 소자(300)의 제3 칼라 필터(321)의 상측 혹은 하측에는 제3 렌즈(322)를 설치해도 된다.
제1 렌즈(122)는 광 투과성을 갖고, 예를 들면, 아크릴 수지, 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등의 유기 재료나, 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 또는 실리콘 산화물(SiO) 등 무기 재료로 구성된다.
제1 렌즈(122)의 형상은 볼록 형상이거나 오목 형상이어도 된다. 볼록 형상인 경우에는, 렌즈의 광 출사측에는 렌즈를 구성하는 재료보다도 굴절률이 낮은 재료가 형성된다. 특히, 공기, 질소 등의 기체, 실리카 에어로겔 등의 굴절률이 낮은 재료나, 진공 상태가 바람직하다. 볼록 형상의 렌즈를 SiN 등의 고굴절 재료로 구성하는 경우에는, 렌즈의 광 출사측은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 실리콘 수지 등의 유기 재료나, 실리콘 산화물(SiO) 등의 무기 재료 등, 비교적 저굴절률의 재료로 구성해도 된다. 오목 형상의 렌즈의 경우, 광 출사측에는 렌즈를 구성하는 재료보다도 굴절률이 높은 재료가 형성된다. 렌즈의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 구면이거나 비구면의 어느쪽이어도 된다.
제2 렌즈(222) 및 제3 렌즈(322)의 재료 및 형상은 제1 렌즈(122)와 동일할 수도 있지만, 제1 렌즈(122)와 다른 재료 또는 다른 형상을 사용해도 된다.
본 실시형태에서는, 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300) 등 복수의 유기 EL 소자를 각각 부화소로 간주하고, 복수의 유기 EL 소자를 1개의 주 화소로 간주할 수 있다. 부화소의 화소 배열은, 스트라이프 배열, 펜타일 배열, 델타 배열, 베이어 배열 등, 어떤 화소 배열이어도 된다. 특히, 델타 배열의 경우, 원형의 렌즈를 표시 평면 내에 배치하기 쉽기 때문에, 바람직하다. 또한, 복수의 주 화소를 표시 평면 내에 설치함으로써, 고선명의 표시장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태의 유리한 효과
본 실시형태에서는, 외주 적층부(404)의 광 출사측에 저반사율의 부재가 설치되어 있으므로, 외광 반사를 억제할 수 있다. 또한, 제1적층부(104)에 노출하고 있는 고반사율의 부재로 인해, 또한 광학 간섭층(30)에 의한 조사 광파장 성분의 증강으로 인해, 높은 발광 효율을 달성할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제1적층부(104) 및 외주 적층부(404)에서, 기판측에 고반사율의 부재가 있고, 광 출사측에 저반사율의 부재를 설치하고 있기 때문에, 고반사율이 필요한 발광 영역과 중첩하는 영역의 제1 저반사층 만을 제거하면 된다.
외광 반사를 억제하기 위해, PTL 2에서는, 하부 전극(2)의 기판측의 반사막이 기판측에 설치된 저반사율의 부재와 광 출사측에 설치된 고반사율의 부재로 구성된다. 이러한 구성에 있어서 외광 반사를 억제하기 위해서는, 예를 들면, 에칭 프로세스 기술에 의해, 광 출사측의 고반사율의 부재를 제거할 필요가 있다. 일반적으로는, 표시 영역(50)에 있어서의 고반사율의 부재를 제거하는 영역과, 외주 영역에 있어서의 고반사율의 부재를 제거하는 영역은 면적이 다르다. 예를 들면, 외주 영역에서는 고반사율의 부재 전체를 제거하는 것이 바람직한 반면에, 표시 영역에서는 중심부에 고반사율의 부재를 남기고 주변부에서 고반사율의 부재를 제거하는 것이 바람직하다. 특히, 플러그 12를 사용해서 하부 전극(2)과 반사막을 접속하는 경우에는, 갈바닉 부식을 방지한다는 관점에서, 고반사율의 부재를 제거하고, 플러그 12를 저반사율의 부재와 접속하는 것이 바람직하다.
제거할 고반사율의 부재의 면적이 표시 영역(50)과 외주 영역(400)에서 다른 경우, 에칭하는 속도가 달라져 버리기 때문에, 고반사율의 부재를 표시 영역(50)과 외주 영역에서 동시에 제거하는 프로세스는 실행이 곤란하다. 또한, 표시 영역(50)에 있어서의 고반사율의 부재를 제거하는 프로세스와, 외주 영역에 있어서의 고반사율의 부재를 제거하는 프로세스의 2개의 공정을 별도로 행할 수도 있지만, 프로세스가 증가해 버린다. 또한, 표시 영역에 있어서 고반사율의 부재의 잔류물이 발생하면, 갈바닉 부식이 발생하여 고저항화할 우려가 있다.
이에 대하여, 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이, 표시 영역 중 고반사율이 필요한 발광 영역과 중첩하는 영역의 저반사층 만을 제거하면 되고, 그 밖의 영역에서는 저반사층의 제거가 불필요하다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 외광 반사의 억제와 높은 발광 효율을 양립가능한 유기 EL 디바이스를, 간단하고 간편한 프로세스에 의해 제조할 수 있다.
제2실시형태
본 발명에 따른 발광장치의 제2실시형태로서, 복수의 유기 EL 디바이스를 구비한 유기 EL 디바이스(20)의 구성을 설명한다.
도5 및 도6은 본 실시형태의 단면의 모식도다. 도7 및 도8은 본 실시형태에 있어서의 표시 영역(50)의 제1적층부(104) 및 외주 영역(400)의 외주 적층부의 평면에서 본 관계를 나타낸 것이다. 도5는 도7의 B-B'선의 단면 모식도이며, 도6은 도8의 선분 C-C'선의 단면 모식도다. 본 실시형태에 있어서, 외주 영역(400)은, 더미 영역(500),상부 전극 콘택 영역(600), 배선 영역(700) 및 방습 영역(800)을 포함한다.
도5 및 도7은, 더미 영역(500)의 적층부(504)가 상부 전극 콘택 영역(600)의 적층부(604)로부터 전기적으로 절연된 구성 예이다. 도6 및 도8은 이들 적층부를 전기적으로 접속한 구성 예다. 적층부 504와 적층부 604가 접속하고 있는지 아닌지를 제외하고, 도5 및 도7의 구성과, 도6 및 도8의 구성은 같다. 또한, 본 실시형태에 있어서 특별히 설명이 없는 구성에 대해서는, 제1실시형태에 따른 구성을 적용할 수 있다.
유기 EL 디바이스(20)의 표시 영역(50)에는, 제1유기 EL 소자(100), 제2유기 EL 소자(200) 및 제3유기 EL 소자(300)가 델타 배열로 존재한다. 표시 영역(50)의 주위에는, 더미 화소가 형성되는 더미 영역(500)이 설치된다. 더미 영역(500)의 주위에는, 상부 전극(4)에 전류를 공급하기 위한 상부 전극 콘택 영역(600)이 설치된다. 상부 전극 콘택 영역(600)의 주위에는 배선 영역(700)이 설치되고, 그 주위에는 방습 영역(800)이 설치된다.
더미 영역(500)
도5에서, 더미 영역(500)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400) 내에 설치되어 있다. 더미 영역(500)에 있어서, 외주 적층부(504)의 기판측에 외주 고반사층(502)이 설치되고, 외주 적층부(504)의 광 출사측(기판(1)과는 반대측)에 외주 저반사층(503)이 설치되어 있다. 외주 고반사층(502)은, 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과 주성분이 동일하고, 외주 저반사층(503)은, 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)과 주성분이 동일하다.
더미 영역(500)은, 표시 영역(50)의 제1유기 EL 소자(100)의 적어도 일부의 구성과 같은 구성이 설치되어 있는 외주 영역(400) 내의 영역이다. 더미 영역(500)의 형성에 의해, 표시 영역(50) 내에서의 제조상의 격차를 억제할 수 있다. 예를 들면, 도5와 도6에 나타낸 것과 같이, 더미 영역(500)에, 하부 전극(2), 절연층(5), 유기 화합물층(3) 및 상부 전극(4)을 표시 영역(50)과 동일하게 형성할 수도 있다.
더미 영역(500)에 있어서, 외주 적층부(504)의 광 출사측에는 외주 저반사층(503)이 설치되어 있기 때문에, 본 실시형태에 있어서는, 외주 영역(400)에 의한 외광 반사를 억제하는 것이 가능하다.
더미 영역(500)의 외주 적층부(504)는, 제1적층부(104)로부터 절연되어 있어도 된다. 또한, 제1유기 EL 소자(100)의 화소 콘택 영역(115)이 화소 반사 영역(105)으로부터 절연되어 있는 경우에는, 도5 및 도7에 나타낸 것과 같이, 더미 영역(500)의 외주 적층부(504)와 표시 영역(50)의 화소 반사 영역(105)이 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 제2유기 EL 소자(200)의 화소 반사 영역(205) 및 제3유기 EL 소자(300)의 화소 반사 영역(305)에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 더미 영역(500)의 외주 적층부(504)에서는, 부분적으로 외주 저반사층(503)이 제거되어 있어도 되지만, 외주 적층부(504)의 광 출사측에 광 흡수 재료가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 광 흡수 재료는, 제1 칼라 필터(121), 제2 칼라 필터(221) 또는 제3 칼라 필터(321)이어도 된다.
제1적층부(104) 및 외주 적층부(504)는, 기판 위에 고반사율 재료의 막을 형성한 후, 저반사율 재료의 막을 형성하고, 에칭 프로세스에 의해 패터닝함으로써, 동시에 형성할 수 있다. 성막시나 에칭에 의한 패터닝시의 프로세스 격차의 억제의 관점에서, 제1적층부(104)와 기판(1) 사이의 거리는, 외주 적층부(504)와 기판(1) 사이의 거리와 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102)의 막 두께는 외주 고반사층(502)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하고, 제1 저반사층(103)의 막 두께는 외주 저반사층(503)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하다.
상부 전극 콘택 영역(600)
도5에 있어서, 상부 전극 콘택 영역(600)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400) 내에 설치되어 있다. 상부 전극 콘택 영역(600)에 있어서, 외주 적층부(604)는 기판측에는 외주 고반사층(602)이 설치되고, 외주 적층부(604)의 광 출사측에는 외주 저반사층(603)이 설치되어 있다. 외주 고반사층(602)은, 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과 주성분이 동일하고, 외주 저반사층(603)은, 제1적층부(104)의 제1 저반사층(103)과 주성분이 동일하다.
상부 전극 콘택 영역(600)은, 상부 전극(4)과 전기적으로 접속하는 전극을 갖는 영역이고, 상부 전극(4)에 대해 전류를 공급가능한 영역이다. 상부 전극(4)과 외주 적층부(604)는 직접 접속하거나, 상부 전극(4)과 외주 적층부(604) 사이에, 전기 접속을 중계하는 부재가 있어도 된다. 예를 들면, 도5와 도6에 나타낸 것과 같이, 상부 전극 콘택 영역(600)의 외주 적층부(604) 위에, 플러그(606)와 중간 전극(605)을 형성함으로써, 상부 전극(4)이 외주 적층부(604)와 전기적으로 접속되어도 된다. 중간 전극(605)은, 하부 전극(2)과 주성분이 같은 재료로 구성할 수 있다. 또한, 플러그(606)는 중간 전극(605)으로 충전되거나, 예를 들면, W, TiN이나 Ti와 같은 다른 재료로 충전되어 있어도 된다. 도5 및 도7에 나타낸 것과 같이, 외주 적층부(604)는 제1적층부(104)로부터 전기적으로 절연되어 있어도 된다.
상부 전극 콘택 영역(600)에 있어서, 외주 적층부(604)의 광 출사측에는 외주 저반사층(603)이 설치되어 있기 때문에, 본 실시형태에 있어서는 외주 영역(400)에 의한 외광 반사를 억제하는 것이 가능하다.
또한, 제1유기 EL 소자(100)의 화소 콘택 영역이 화소 반사 영역으로부터 절연되어 있는 경우에는, 상부 전극 콘택 영역(600)의 외주 적층부(604)와, 표시 영역(50)의 화소 반사 영역(105)은 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 제2유기 EL 소자(200)의 화소 반사 영역(205) 및 제3유기 EL 소자(300)의 화소 반사 영역(305)에 대해서도 마찬가지이다. 이러한 경우, 상부 전극(4) 및 화소 반사 영역 105, 205, 305의 전위는 같아진다. 제조상의 격차에 의해, 어떤 소자의 화소 콘택 영역과 화소 반사 영역이 전기적으로 접속하는 결함이 발생하는 경우, 상부 전극 콘택 영역(600)의 외주 적층부(604)와 화소 반사 영역이 접속하고 있으면, 화소 콘택 영역의 전위는 상부 전극(4)의 전위와 같아진다. 상부 전극(4)과 하부 전극(2)이 같은 전위를 취하기 때문에, 화소 반사 영역과 하부 전극이 전기적으로 접속한 유기 EL 소자는 발광하지 않으므로, 큰 화소 결함으로 되는 것을 방지할 수 있다.
더구나, 상기한 것과 같이 각 유기 EL 소자의 화소 콘택 영역이 화소 반사 영역으로부터 절연되어 있는 경우에는, 도6 및 도8에 나타낸 것과 같이, 외주 적층부(604), 외주 적층부(504)와, 표시 영역(50)의 화소 반사 영역이 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 이러한 경우, 상부 전극(4), 외주 적층부(604), 외주 적층부(504) 및 화소 반사 영역의 전위가 같아져, 상기한 것과 같이 큰 화소 결함을 방지할 수 있다.
제1적층부(104) 및 외주 적층부(604)는, 기판 위에 고반사율 재료의 막을 형성한 후 저반사율 재료의 막을 형성하고, 에칭 프로세스에 의해 패터닝함으로써, 동시에 형성할 수 있다. 성막시나 에칭에 의한 패터닝시의 프로세스 격차의 억제의 관점에서, 제1적층부(104)와 기판(1) 사이의 거리가 외주 적층부(604)와 기판(1) 사이의 거리와 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102)의 막 두께가 외주 고반사층(602)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하고, 제1 저반사층(103)의 막 두께가 외주 저반사층(603)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하다.
배선 영역(700)
도5에 있어서, 배선 영역(700)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400) 내에 설치되어 있다. 배선 영역(700)에 있어서, 외주 적층부(704)의 기판측에는 외주 고반사층(702)이 설치되고, 외주 적층부(704)의 광 출사측에는 외주 저반사층(703)이 설치되어 있다. 외주 고반사층(702)은, 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과 주성분이 동일하고, 외주 저반사층(703)은 제1적층부(104)의 제1 저반사층과 주성분이 동일하다.
배선 영역(700)은, 상부 전극(4)으로부터 전기적으로 절연되고 있는 외주 적층부(704)가 배선으로서 설치되어 있는 영역이다. 배선의 용도는 특별히 한정되지 않는다.
배선 영역(700)에 있어서, 외주 적층부(704)의 광 출사측에는 외주 저반사층(703)이 설치되어 있기 때문에, 본 실시형태에 있어서는, 배선 영역(700)의 외광 반사를 억제하는 것이 가능하다.
제1적층부(104) 및 외주 적층부(704)는, 기판 위에 고반사율 재료의 막을 형성한 후, 저반사율 재료의 막을 형성하고, 에칭 프로세스에 의해 패터닝함으로써, 동시에 형성할 수 있다. 성막시와 에칭에 의한 패터닝시의 프로세스 격차의 억제의 관점에서, 제1적층부(104)와 기판(1) 사이의 거리는 외주 적층부(704)와 기판(1) 사이의 거리와 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102)의 막 두께는 외주 고반사층(702)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하고, 제1 저반사층(103)의 막 두께는 외주 저반사층(703)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하다.
방습 영역(800)
도5에 있어서, 방습 영역(800)은 표시 영역(50)의 외주에 있는 외주 영역(400) 내에 설치되어 있다. 방습 영역(800)에 있어서, 외주 적층부(804)의 기판측에 외주 고반사층(802)이 설치되고, 외주 적층부(804)의 광 출사측에 외주 저반사층(803)이 설치되어 있다. 외주 고반사층(802)은, 제1적층부(104)의 제1 고반사층(102)과 주성분이 동일하고, 외주 저반사층(803)은, 제1적층부(104)의 제1 저반사층과 주성분이 동일하다.
방습 영역(800)은 유기 EL 디바이스의 최외주에 설치되어 있고, 유기 EL 디바이스의 주위로부터 수분의 침입을 방지할 목적으로 형성한다. 따라서, 방습성의 관점에서, 외주 적층부(804)는 유기 EL 디바이스(10)의 최외주에 연속적으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 방습 영역(800)에 있어서, 외주 적층부(804)의 기판측에는 플러그 805가 설치되고, 외주 적층부(804)의 광 출사측에는 플러그 806이 설치된다. 방습성의 관점에서, 플러그 805 및 플러그 806도 유기 EL 디바이스의 최외주에 연속적으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 더구나, 플러그 806의 상부에 설치된 밀착부(807)도 방습성의 관점에서 유기 EL 디바이스의 최외주에 연속적으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 특히 보호층(6)을 설치하는 경우에는, 보호층(6)과 밀착부(807)가 직접 접하고 있는 것이 보다 바람직하다. 밀착부(807)는, 하부 전극(2)과 주성분이 같은 재료로 형성할 수 있다.
방습 영역(800)에 있어서, 외주 적층부(804)의 광 출사측에는 외주 저반사층(803)이 설치되어 있기 때문에, 본 실시형태에 있어서는, 방습 영역(800)에 의한 외광 반사를 억제하는 것이 가능하다.
제1적층부(104) 및 외주 적층부(804)는, 기판 위에 고반사율 재료의 막을 형성한 후, 저반사율 재료의 막을 형성하고, 에칭 프로세스에 의해 패터닝함으로써, 동시에 형성할 수 있다. 성막시와 에칭에 의한 패터닝시의 프로세스 격차의 억제의 관점에서, 제1적층부(104)와 기판(1) 사이의 거리는, 외주 적층부(804)와 기판(1) 사이의 거리와 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 고반사층(102)의 막 두께는 외주 고반사층(802)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하고, 제1 저반사층(103)의 막 두께는 외주 저반사층(803)의 막 두께와 대략 동일한 것이 바람직하다.
제3실시형태
본 발명의 제3실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제1 및 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 각종 장치에 적용한 예를 설명한다.
도9는, 본 실시형태에 따른 표시장치의 일례인 표시장치(1000)를 나타낸 모식도다. 표시장치(1000)는, 상부 커버(1001)와 하부 커버(1009) 사이에, 터치패널(1003), 표시 패널(1005), 프레임(1006), 회로 기판(1007) 및 배터리(1008)를 가져도 된다. 표시 패널(1005)은, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖는 표시부이며, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행한다. 터치패널(1003) 및 표시 패널(1005)에는 플렉시블 프린트 회로 FPC 1002, 1004가 각각 접속되어 있다. 회로 기판(1007)에는 트랜지스터를 포함하는 제어회로가 프린트되어 있고, 표시 패널(1005)의 제어 등의 각종 제어를 행한다. 배터리(1008)는, 표시장치가 휴대 기기가 아니면, 설치하지 않아도 되고, 표시장치가 휴대 기기이어도, 다른 위치에 설치해도 된다. 표시장치(1000)는, 적색, 녹색 및 청색에 각각 대응하는 3종류의 칼라 필터를 가져도 된다. 복수의 칼라 필터가 델타 배열로 배치되어도 된다.
표시장치(1000)는, 휴대 단말의 표시부에 사용되어도 된다. 이 경우에 표시장치(1000)는 표시 기능과 조작 기능의 양쪽을 가져도 된다. 휴대 단말로서는, 스마트 폰 등의 휴대전화, 태블릿, 헤드 마운트 디스플레이 등을 들 수 있다.
표시장치(1000)는, 복수의 렌즈를 갖는 광학부와, 해당 광학부를 통과한 빛을 수광하는 촬상 소자를 갖는 촬상장치의 표시부에 사용되어도 된다. 촬상장치는, 촬상 소자가 취득한 정보(예를 들어, 촬상 소자가 촬상한 화상)를 표시하는 표시부를 가져도 된다. 또한, 표시부는, 촬상장치의 외부에 노출한 표시부이거나, 화인더 내에 배치된 표시부이어도 된다. 촬상장치는, 예를 들어, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등이어도 된다.
도10a는, 본 실시형태에 따른 촬상장치의 일례인 촬상장치(1100)를 나타낸 모식도다. 촬상장치(1100)는, 뷰 화인더(1101), 배면 디스플레이(1102), 조작부(1103) 및 케이싱(1104)을 가져도 된다. 뷰 화인더(1101)는, 본 실시형태에 따른 표시장치(제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행하는 표시장치)를 가져도 된다. 이 경우, 표시장치는, 촬상할 화상 뿐만 아니라, 환경 정보, 촬영 지시 등을 표시해서 된다. 환경 정보는, 예를 들어, 외광의 강도, 외광의 방향, 피사체가 움직이는 속도, 피사체가 차폐물에 차폐될 가능성 등이어도 된다. 배면 디스플레이(1102)도 본 실시형태에 따른 표시장치를 가져도 된다.
촬상에 거의 시간이 걸리지 않는 것이 바람직하기 때문에, 가능한한 신속하게 정보 표시하 행해지는 것이 좋다. 따라서, 응답 속도가 빠른 유기 발광 소자를 사용한 표시장치를 사용하는 것이 바람직하다. 표시 속도가 중요한 장치에 있어서, 유기 발광 소자를 사용하는 표시장치는, 예를 들어, 액정 표시장치보다도 더욱 적절하게 사용될 수 있다.
촬상장치(1100)는 광학(미도시)부를 갖는다. 광학부는 복수의 렌즈를 갖고, 케이싱(1104) 내에 수용되어 있는 촬상 소자에 빛을 결상한다. 복수의 렌즈는 그것들의 상대 위치를 조정함으로써, 초점을 조정할 수 있다. 이 조작을 자동으로 행할 수도 있다. 촬상장치(1100)는 광전 변환장치로 생각해도 된다. 광전 변환장치의 촬상방법은, 순차 촬상이 아니라, 이전 화상으로부터의 차분을 검출하는 방법, 기록되어 있는 화상의 일부를 잘라내는 방법 등을 포함할 수 있다.
도10b는, 본 실시형태에 따른 전자기기의 일례인 전자기기(1200)를 나타낸 모식도다. 전자기기(1200)는, 표시부(1201)와, 조작부(1202)와, 하우징(1203)을 갖는다. 표시부(1201)는, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행한다. 전자기기(1200)는, 하우징(1203) 내부에, 회로, 해당 회로를 갖는 프린트 기판, 배터리와, 외부와 통신하는 통신부를 가져도 된다. 조작부(1202)는, 버튼이거나 터치패널 방식의 반응부이어도 된다. 조작부는, 지문을 인식해서 록의 해제 등을 행하는 생체 인식부이어도 된다. 통신부를 갖는 전자기기는 통신 기기로 생각해도 있다. 전자기기는, 렌즈와 촬상 소자를 구비함으로써 카메라 기능을 더 가져도 된다. 카메라 기능에 의해 촬상된 화상이 표시부에 표시된다. 전자기기의 예로는 스마트 폰 및 노트북 컴퓨터를 들 수 있다.
도11a는, 본 실시형태에 따른 표시장치의 일례인 표시장치(1300)를 나타낸 모식도다. 표시장치(1300)는 텔레비젼 모니터나 PC 모니터 등의 표시장치다. 표시장치(1300)는, 프레임(1301)과, 표시부(1302)와, 프레임(1301) 및 표시부(1302)를 지지하는 토대(1303)를 갖는다. 표시부(1302)는, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행한다. 토대(1303)의 형상은 도11a의 형상에 한정되지 않는다. 프레임(1301)의 하측 변이 토대(1303)를 겸해도 된다. 또한, 프레임(1301) 및 표시부(1302)는 절곡되어 있어도 된다. 이들의 곡률 반경은 5000mm 이상 6000mm 이하이어도 된다.
도11b는, 본 실시형태에 따른 다른 표시장치의 일례인 표시장치(1310)를 나타낸 모식도다. 표시장치(1310)는, 절곡 가능하게 구성된, 소위 폴더블한 표시장치다. 표시장치(1310)는, 제1표시부(1311), 제2표시부(1312), 하우징(1313) 및 굴곡점(1314)을 갖는다. 제1표시부(1311)와 제2표시부(1312) 모두는 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행한다. 제1표시부(1311)와 제2표시부(1312)는, 이음매가 없는 1매의 표시장치이어도 된다. 제1표시부(1311)와 제2표시부(1312)는 굴곡점에서 나뉠 수 있다. 제1표시부(1311)와 제2표시부(1312)는, 각각 다른 화상을 표시하거나, 제1표시부(1311)와 제2표시부(1312)가 1개의 화상을 표시해도 된다.
도12a는, 본 실시형태에 따른 조명장치의 일례인 조명장치(1400)를 나타낸 모식도다. 조명장치(1400)는, 하우징(1401)과, 광원(1402)과, 회로 기판(1403)과, 광학 필름(1404)과, 광 확산부(1405)를 가져도 된다. 광원(1402)은, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖는다. 광학 필름(1404)은 광원(1402)의 연색성을 향상시키는 필터(광학필터)이어도 된다. 광 확산부(1405)는, 광원(1402)으로부터의 빛을 효과적으로 확산하여, 예를 들어, 광역 조명과 같이 넓은 범위에 빛을 전달할 수 있다. 광학 필름(1404)과 광 확산부(1405)는 조명장치(1400)의 광 출사측에 설치되어도 된다. 필요에 따라, 최외부에 커버를 설치해도 된다.
조명장치(1400)는, 예를 들면, 실내를 조명하는 장치다. 조명장치(1400)는 백색, 주백색, 또는 그 밖의 색(청색 내지 적색의 어느쪽의 색)을 발광하는 것이어도 된다. 백색은 색온도가 4200K인 색이며, 주백색은 색온도가 5000K인 색이다. 조명장치(1400)는, 조명장치(1400)의 발광 색을 조광하는 조광회로를 가져도 된다. 조명장치(1400)는, 광원(1402)에 접속되는 전원회로를 가져도 된다. 전원회로는, AC 전압을 DC 전압으로 변환하는 회로다. 조명장치(1400)는 칼라 필터를 가져도 된다. 또한, 조명장치(1400)는 방열부를 갖고 있어도 된다. 방열부는 장치 내의 열을 장치 외부로 방출하는 것이며, 그것의 예로는 비열이 높은 금속과 액체 실리콘을 들 수 있다.
도12b는, 본 실시형태에 따른 이동체의 일례인 자동차(1500)를 나타낸 모식도다. 자동차(1500)는 램프의 일례인 테일 램프(1501)를 가져도 된다. 테일 램프(1501)는 브레이크 조작 등에 따라 점등한다.
테일 램프(1501)는, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖는다. 테일 램프(1501)는, 발광장치(10)를 보호하는 보호부재를 가져도 된다. 보호부재는 어느 정도의 강도를 갖고, 투명하면 모든 재료가 사용될 수 있지만, 보호부재는, 예를 들어, 폴리카보네이트로 구성되는 것이 바람직하다. 폴리카보네이트에 푸란디카르복실산 유도체, 아크릴로니트릴 유도체 등을 섞어도 된다.
자동차(1500)는, 차체(1503)와 차체(1503)에 부착되어 있는 창문(1502)을 가져도 된다. 창문(1502)은, 자동차(1500)의 전후를 확인하기 위한 창문이 아니면, 투명한 디스플레이이어도 된다. 투명한 디스플레이는, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 가져도 된다. 이 경우에, 발광장치(10)의 전극 등의 구성 재료는 투명한 부재로 구성된다.
본 실시형태에 따른 이동체는, 예를 들어, 선박, 항공기, 드론 등이어도 된다. 이동체는, 기체와 해당 기체에 설치된 램프를 가져도 된다. 램프는, 기체의 위치를 알리기 위한 발광을 해도 된다. 램프는 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖는다.
본 실시형태에 따른 표시장치(제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행하는 표시장치)는, 예를 들면, 스마트 글래스, HMD 및 스마트 콘택과 같은 웨어러블 디바이스에도 적용할 수 있다. 본 실시형태에 따른 표시장치는, 예를 들어, 웨어러블 디바이스를 갖는 시스템에도 적용할 수 있다. 예를 들어, 웨어러블 디바이스로서 사용되는 촬상 표시장치는, 가시광을 광전변환가능한 촬상장치와, 가시광을 발광가능한 표시장치를 갖는다.
도13a는, 본 실시형태에 따른 웨어러블 디바이스의 일례인 안경(1600)(스마트 글래스)을 나타낸 모식도다. 안경(1600)의 렌즈(1601)의 정면측에, CMOS 센서나 SPAD와 같은 촬상장치(1602)가 설치되어 있다. 또한, 렌즈(1601)의 이면측에는, 본 실시형태에 따른 표시장치(제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행하는 표시장치)가 설치되어 있다.
안경(1600)은, 제어장치(1603)를 더 구비한다. 제어장치(1603)는, 촬상장치(1602)와 상기 표시장치에 전력을 공급하는 전원으로서 기능한다. 또한, 제어장치(1603)는, 촬상장치(1602)와 표시장치의 동작을 제어한다. 렌즈(1601)에는, 촬상장치(1602)에 빛을 집광하기 위한 광학계가 형성되어 있다.
도13b는, 본 실시형태에 따른 웨어러블 디바이스의 일례인 안경(1610)(스마트 글래스)을 나타낸 모식도다. 안경(1610)은, 제어장치(1612)를 갖고 있고, 제어장치(1612)에, 촬상장치(1602)에 해당하는 촬상장치와, 본 실시형태에 따른 표시장치가 탑재된다. 렌즈(1611)에는, 제어장치(1612) 내에 촬상장치와, 표시장치로부터의 발광을 투영하기 위한 광학계가 형성되어 있고, 렌즈(1611)에 화상이 투영된다. 제어장치(1612)는, 촬상장치 및 표시장치에 전력을 공급하는 전원으로서 기능하는 동시에, 촬상장치 및 표시장치의 동작을 제어한다.
제어장치는, 안경(1610)의 장착자의 시선을 검지하는 시선 검지부를 가져도 된다. 시선의 검지를 위해 적외선을 사용해도 된다. 적외 발광부는, 표시 화상을 주시하고 있는 유저의 안구를 향해 적외광을 발생한다. 발생한 적외광의 안구로부터의 반사광을, 수광소자를 갖는 촬상부가 검출함으로써 안구의 촬상 화상이 얻어진다. 평면에서 볼 때 적외 발광부로부터 표시부를 향한 빛을 저감하는 저감부의 존재에 의해, 표시장치로부터 렌즈(1611)에 투영된 화상의 품위 저하가 저감된다. 적외광의 촬상에 의해 얻어진 안구의 촬상 화상으로부터 표시 화상에 대한 유저의 시선을 검출한다. 안구의 촬상 화상을 사용한 시선 검출에는 임의의 공지의 수법을 적용할 수 있다. 일례로서, 각막에 의한 조사광의 반사에 의해 주어진 풀키니에 상에 근거한 시선 검출방법을 사용할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 동공 각막 반사법에 근거한 시선 검출처리가 행해진다. 동공 각막 반사법을 사용하여, 안구의 촬상 화상에 포함되는 동공의 상과 풀키니에 상에 근거하여, 안구의 방향(회전각도)을 나타내는 시선 벡터가 산출함으로써, 유저의 시선이 검출된다.
시인 검지(시선 검지)에 근거하여 표시 제어를 행하는 경우에는, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)는, 외부를 촬상하는 촬상장치를 갖는 스마트 글래스에 바람직하게 적용할 수 있다. 스마트 글래스는 촬상한 외부 정보를 실시간으로 표시할 수 있다.
본 실시형태에 따른 표시장치(제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 갖고, 발광장치(10)로부터 발생한 빛을 사용해서 표시를 행하는 표시장치)는, 수광소자를 갖는 촬상장치를 갖고, 촬상장치로부터의 유저의 시선 정보에 근거하여 표시 화상을 제어해도 된다. 구체적으로는, 시선 정보에 근거하여, 유저가 주시하는 제1 시야 영역과, 제1 시야 영역 이외의 제2 시야 영역이 결정된다. 제1 시야 영역과 제2 시야 영역은, 표시장치의 제어장치가 결정하거나, 외부의 제어장치가 결정한 것을 표시장치가 수신해도 된다. 표시장치의 표시 영역에 있어서, 제1 시야 영역의 표시 해상도를 제2 시야 영역의 표시 해상도보다도 높게 제어해도 된다. 즉, 제2 시야 영역의 해상도를 제2 시야 영역보다도 낮게 해도 된다.
또한, 표시 영역은, 제1 표시 영역과, 제1 표시 영역과는 다른 제2 표시 영역을 갖고, 시선 정보에 근거하여, 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역으로부터 우선도가 높은 영역을 결정해도 된다. 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역은, 표시장치의 제어장치가 결정하거나, 외부의 제어장치가 결정한 것을 표시장치가 수신해도 된다. 우선도가 높은 영역의 해상도를 우선도가 높은 영역 이외의 영역의 해상도보다도 높게 제어해도 된다. 즉 우선도가 상대적으로 낮은 영역의 해상도를 낮게 해도 된다.
예를 들어, 제1 시야 영역, 우선도가 높은 영역 등의 결정에는 AI를 사용해도 된다. AI는, 안구의 화상과 해당 화상의 안구가 실제로 보고 있었던 방향을 교사 데이터로 사용하여, 안구의 화상으로부터 시선의 각도와 시선 앞의 목적물까지의 거리를 추정하도록 구성된 모델이어도 된다. AI 프로그램은, 표시장치가 가, 촬상장치, 또는 외부 장치에 위치해도 된다. 외부 장치에 위치하는 경우에는, 통신을 거쳐, 표시장치에 전달된다.
이상에서 설명한 것과 같이, 제1 또는 제2실시형태에 따른 발광장치(10)를 각종 장치에 사용함으로써, 양호한 화질로 표시를 행하고, 양호한 발광을 행할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
실시예1
도1에 도시되는 구성을 갖는 유기 EL 디바이스를 이하와 같이 제작하였다.
우선, 기판(1) 위에 Al과 Ti를 스퍼터링법으로 형성하고, 이것을 패터닝함으로써 배선(21)을 형성하였다. 다음에, SiO를 CVD법으로 형성하고, 에칭에 의해 플러그 11을 형성하였다. 다음에, Al:Cu 합금을 스퍼터링법으로 형성하고, TiN을 스퍼터링법으로 더 형성함으로써, Al:Cu 합금과 TiN의 적층막을 형성하였다. Al:Cu 합금이 제1재료의 일례이고, Al:Cu 합금의 층이 고반사층에 해당한다. 마찬가지로, TiN이 제2재료의 일례이고, TiN의 층이 저반사층에 해당한다. Al:Cu 합금 및 TiN을 에칭함으로써, 제1유기 EL 소자의 제1적층부(104), 제2유기 EL 소자의 제2적층부(204) 및 제3유기 EL 소자의 제3적층부(304)에 대한 외주 적층부(404)의 형상을 형성하였다. 제1적층부(104)의 TiN을 일부 에칭에 의해 제거하여, Al:Cu 합금이 노출된 개구를 얻었다.
다음에, 광학 간섭층(31)으로서, SiO를 CVD법으로 형성하고, 에칭에 의해 광학 간섭층(31)과 제2적층부(204)의 TiN을 같은 프로세스에 의해 제거하여, 제2적층부(204)에 Al:Cu 합금이 노출된 개구를 얻었다. 다음에, 광학 간섭층 32로서, SiO를 CVD법으로 형성하고, 에칭에 의해 광학 간섭층 32와 제3적층부(304)의 TiN을 동일한 프로세스에서 제거하고, 제3적층부(304)에 Al:Cu 합금이 노출된 개구를 얻었다. 다음에, 광학 간섭층(33)으로서 SiO를 CVD법으로 형성하였다.
제1유기 EL 소자, 제2유기 EL 소자 및 제3유기 EL 소자의 각각에서 광학 간섭층(30)에 대해 서로 다른 막 두께를 생성함으로써, 각각 원하는 광학거리를 얻었다. 다음에, 플러그 12를 광학 간섭층(30)에 형성함으로써 제1적층부(104), 제2적층부(204) 및 제3적층부(304)의 TiN을 노출시켰다.
다음에, 스퍼터링법으로 ITO를 막형성하고, 에칭함으로써 제1유기 EL 소자, 제2유기 EL 소자 및 제3유기 EL 소자의 하부 전극(2)을 형성하였다. 다음에, 하부 전극(2) 위에 CVD법으로 절연층(5)을 위한 SiO를 막형성하였다. 각 발광 소자의 절연층(5)에 개구 영역을 설치하고, 제1발광 영역(101), 제2발광 영역(201) 및 제3발광 영역(301)을 제공하였다. 제1발광 영역(101), 제2발광 영역(201) 및 제3발광 영역(301)은, 각각 제1적층부(104), 제2적층부(204) 및 제3적층부(304)에 대해, Al:Cu 합금이 노출된 개구와 평면에서 볼 때 중첩하고 있는 것을 확인하였다.
다음에, 하부 전극(2) 위에 유기 화합물층(3)을 형성하였다. 구체적으로는, 정공주입층으로서 하기의 화합물 1을 3nm의 두께로 형성하였다. 다음에, 정공수송층으로서, 하기 화합물 2를 15nm의 두께로 형성하고, 전자 블록층으로서 하기 화합물 3을 10nm의 두께로 형성하였다.
제1발광층은, 호스트 재료로서 하기 화합물 4를 중량비 97퍼센트, 발광 불순물로서 하기 화합물 5를 중량비 3퍼센트가 되도록, 10nm의 두께로 형성하였다. 제2발광층은, 호스트 재료로서 하기 화합물 4를 중량비 98%, 발광 불순물로서 하기 화합물 6과 하기 화합물 7을 각각 중량비 1%가 되도록, 10nm의 두께로 형성하였다. 전자수송층으로서 하기 화합물 8을 110nm의 두께로 형성하였다. 전자주입층으로서 불화 리튬을 1nm의 두께로 형성하였다.
Figure pat00001
다음에, 상부 전극(4)으로서 MgAg 합금을 10nm의 두께로 형성하였다. Mg과 Ag의 비율은 1:1이었다. 그후, 보호층(6)을 설치하기 위해 CVD법으로 SiN막을 2㎛의 두께로 형성하였다. SiN 막 위에 평탄화층(7)을 스핀 코트에 의해 300nm의 두께로 형성하였다.
다음에, 칼라 필터를 평탄화층(7) 위에 형성하였다. 제1 칼라 필터(121)는 적색 성분을 투과하는 칼라 필터이고, 제2 칼라 필터(221)는 녹색 성분을 투과하는 칼라 필터이고, 제3 칼라 필터(321)는 청색 성분을 투과하는 칼라 필터이었다. 다음에, 평탄화층(7)을 각각의 칼라 필터 위에 형성하였다. 다음에, 렌즈 122를 제1 칼라 필터(121) 위에 형성하고, 렌즈 222를 제2 칼라 필터(221) 위에 형성하고, 렌즈 322를 제3 칼라 필터(321) 위에 형성하였다.
비교예1
제1유기 EL 소자의 제1적층부(104), 제2유기 EL 소자의 제2적층부(204) 및 제3유기 EL 소자의 제3적층부(304)에 대한 외주 적층부(404) 및 광학 간섭층의 형성 프로세스 이외는, 실시예 1과 동일하게 제조를 행하였다. 실시예 1과의 다른 점에 대해 설명한다.
플러그 11을 형성후, TiN을 스퍼터링법으로 형성하고, Al:Cu 합금을 스퍼터링법으로 형성함으로써 TiN과 Al:Cu 합금의 적층막을 형성하였다. TiN 및 Al:Cu 합금을 에칭함으로써, 제1유기 EL 소자의 제1적층부(104), 제2유기 EL 소자의 제2적층부(204) 및 제3유기 EL 소자의 제3적층부(304)에 대한 외주 적층부(404)의 형상을 형성하였다.
다음에, 광학 간섭층 31로서, SiO를 CVD법으로 형성하고, 에칭에 의해 제1적층부(104) 위의 광학 간섭층 31을 제거하였다. 다음에, 광학 간섭층 32로서, SiO를 CVD법으로 형성하고, 제2적층부(204) 위의 광학 간섭층 32를 제거하였다. 다음에, 광학 간섭층 33으로서 SiO를 CVD법으로 형성하였다.
제1유기 EL 소자, 제2유기 EL 소자 및 제3유기 EL 소자 각각에서 광학 간섭층(30)에 대해 서로 다른 막 두께를 생성함으로써 각각 원하는 광학거리를 얻었다. 다음에, 플러그(12) 공정 이후는 실시예 1과 같다.
실시예 1과 비교예 1의 비교
실시예 1과 비교예 1의 유기 EL 디바이스에 대해 외광 반사의 영향을 평가하였다. 평가는, 외광이 유기 EL 디바이스에 입사하는 명소에서 행하였다. 비교예 1에 있어서는, 표시 영역(50) 및 외주 영역(400)에서의 외광 반사가 강하여, 섬광 반사와 착색이 확인되었다. 한편, 실시예 1에서는, 비교예 1과 비교해서 표시 영역(50) 및 외주 영역(400)의 섬광 반사와 착색이 억제된 것을 확인할 수 있었으며, 이에 따라 본 발명의 유기 EL 디바이스 구성에 대해 외광 반사 억제 효과를 확인할 수 있었다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.
본 발명은, 외광 반사의 억제와 높은 발광 효율을 양립가능한 발광장치를 제공할 수 있다.

Claims (26)

  1. 기판 위에, 적어도 제1발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖고, 상기 제1발광 소자는, 상기 기판의 측에서 순서대로, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖고,
    상기 기판과 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 제1 고반사층과, 상기 제1 고반사층보다 반사율이 낮은 제1 저반사층이 적층된 제1적층부를 갖고,
    상기 외주 영역에 있어서, 상기 기판 위에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 외주 고반사층과, 상기 외주 고반사층보다 반사율이 낮은 외주 저반사층이 적층된 외주 적층부를 갖고,
    상기 발광 영역과 평면에서 볼 때 중첩하는 상기 제1적층부의 적어도 일부에 대해, 상기 제1 고반사층이 노출하도록 상기 제1 저반사층이 개구 영역을 갖는, 발광장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 고반사층과 상기 외주 고반사층은 주성분이 동일한 재료로 구성되고,
    상기 제1 저반사층과 상기 외주 저반사층은 주성분이 동일한 재료로 구성되는 발광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 고반사층과 상기 외주 고반사층은 반사율이 대략 동일한 재료로 구성되고,
    상기 제1 저반사층과 상기 외주 저반사층은 반사율이 대략 동일한 재료로 구성되는 발광장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 고반사층의 반사율과 상기 제1 저반사층의 반사율의 차이가 10퍼센트 포인트 이상인 발광장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 고반사층은, Al이 주성분인 재료로 구성되고,
    상기 제1 저반사층은, Ti 또는 TiN이 주성분인 재료로 구성되는 발광장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 저반사층의 두께는 1nm 이상 200nm 이하인 발광장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극은, 상기 제1적층부의 상기 제1 저반사층을 개재하여 상기 제1 고반사층에 접하는 발광장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1적층부와 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에 광학 간섭층을 갖고, 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극과 상기 제1적층부의 상기 제1 저반사층이, 상기 광학 간섭층을 관통하는 플러그 내의 도전성 재료를 거쳐 전기적으로 접속되어 있는 발광장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1적층부와 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에 광학 간섭층을 갖고, 상기 광학 간섭층이 상기 개구 영역에 있어서 상기 제1 고반사층과 접하는 발광장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1적층부와 상기 기판 사이의 거리는, 상기 외주 적층부와 상기 기판 사이의 거리와 동일한 발광장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 외주 저반사층의 적어도 일부가 평면에서 볼 때 상기 상부 전극의 적어도 일부와 중첩하고,
    상기 외주 저반사층의 적어도 일부가 단면에서 볼 때 상기 상부 전극의 적어도 일부로부터 이격되어 있는 발광장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 외주 저반사층과 상기 상부 전극 사이에 있는 적어도 일부에 대해, 상기 발광층의 두께가 평면 방향으로 변화하는 발광장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제1적층부의 상기 제1 고반사층은 외부 전원에 접속되는 배선에 접하고,
    상기 기판에 대한 정사영에 있어서, 상기 배선과 상기 제1 고반사층 사이의 접점은 상기 개구 영역과 중첩하지 않는 발광장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기판에 대한 정사영에 있어서, 상기 개구 영역과 중첩하는 상기 제1 고반사층은 상기 배선과의 상기 접점에서 상기 제1 고반사층으로부터 이격되어 있는 발광장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 외주 영역은 상부 전극 콘택 영역을 포함하고,
    상기 상부 전극 콘택 영역에 있어서, 상기 외주 적층부는 상부 전극과 전기적으로 접속되어 있는 발광장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 외주 영역은 배선 영역을 포함하고,
    상기 배선 영역의 상기 외주 적층부는, 상부 전극과 전기적으로 접속되어 있지 않은 배선인 발광장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 외주 영역은 방습 영역을 포함하고,
    상기 방습 영역에 있어서 상기 외주 적층부는 상기 표시 영역을 둘러싸도록 연속적으로 배치되어 있는 발광장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 상부 전극의 기판과는 반대측에, 상기 외주 영역으로 연장되는 보호층이 배치되고,
    상기 방습 영역에, 상기 하부 전극과 주성분이 같은 재료로 구성되는 밀착부가 상기 표시 영역을 둘러싸도록 연속적으로 배치되고,
    상기 외주 적층부의 적어도 일부와 상기 밀착부의 적어도 일부는 평면에서 볼 때 중첩하고,
    상기 밀착부는 상기 보호층과 직접 접하고 있는 발광장치.
  19. 제 1항에 있어서,
    상기 제1발광 소자는, 상기 발광층에 유기 발광 재료를 포함하는 유기 EL 소자인 발광장치.
  20. 기판 위에, 적어도 제1발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖고, 상기 제1발광 소자는, 상기 기판의 측에서 순서대로, 하부 전극과, 발광층과, 상부 전극이 적층된 발광 영역을 갖고,
    상기 기판과 상기 제1발광 소자의 상기 하부 전극 사이에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 제1 고반사층과 제1 저반사층이 적층된 제1적층부를 갖고,
    상기 외주 영역에 있어서, 상기 기판 위에, 상기 기판의 측에서 순서대로, 외주 고반사층과, 상기 외주 고반사층보다 반사율이 낮은 외주 저반사층이 적층된 외주 적층부를 갖고,
    상기 제1 고반사층 및 상기 외주 고반사층은 Al 또는 Ag을 갖는 재료로 구성되고,
    상기 제1 저반사층 및 상기 외주 저반사층은 Co, Mo, Pt, Ta, Ti, TiN 및 W 중 어느 것을 갖는 재료로 구성되고,
    상기 발광 영역과 평면에서 볼 때 중첩하는 상기 제1적층부의 적어도 일부에 대해, 상기 제1 고반사층이 노출하도록 상기 제1 저반사층이 개구를 갖는, 발광장치.
  21. 청구항 1 내지 20 중 어느 한 항에 기재된 발광장치를 갖는 표시부와,
    상기 표시부를 제어하는 제어회로를 갖는 표시장치.
  22. 광학부와,
    상기 광학부를 통과한 빛을 수광하는 촬상 소자와,
    상기 촬상 소자가 취득한 화상을 표시하는 표시부를 갖고,
    상기 표시부는 청구항 1 내지 20 중 어느 한 항에 기재된 발광장치를 갖는 촬상장치.
  23. 청구항 1 내지 20 중 어느 한 항에 기재된 발광장치를 갖는 표시부와,
    상기 표시부가 배치되는 하우징과,
    상기 하우징 내부에 배치되고 외부와 통신하는 통신부를 갖는 전자기기.
  24. 발광 소자를 구비한 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외주에 있는 외주 영역을 갖는 발광장치의 제조방법으로서,
    기판 위에, 제1재료로 구성되는 고반사층과, 상기 제1재료보다도 반사율이 낮은 제2재료로 구성되는 저반사층을, 이 순서로 적층하는 스텝과,
    상기 표시 영역에 있어서 상기 저반사층의 적어도 일부를 제거하여, 상기 고반사층이 노출되는 개구 영역을 설치하는 스텝과,
    상기 개구 영역 위에, 하부 전극, 발광층, 및 상부 전극을 이 순서로 포함하는 발광 소자를 형성하는 스텝을 포함하는 발광장치의 제조방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 개구 영역 및 상기 저반사층 위에 광학 간섭층을 설치하는 스텝과,
    상기 표시 영역의 상기 개구 영역이 배치되어 있지 않은 부분의 상기 광학 간섭층을 제거하여, 상기 저반사층을 노출하는 플러그를 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 발광 소자를 형성하는 스텝에서는, 상기 하부 전극이 상기 플러그를 거쳐 상기 저반사층과 전기적으로 접속되도록 상기 하부 전극을 형성하는 발광장치의 제조방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 발광장치는, 상기 표시 영역에 제1발광 소자와 제2발광 소자를 포함하고,
    상기 제1발광 소자가 설치된 영역에 있는 상기 저반사층의 적어도 일부를 제거하여, 상기 고반사층이 노출되는 개구 영역을 설치하고,
    상기 제1발광 소자 및 상기 제2발광 소자가 설치된 영역에, 제1광학 간섭층을 배치하고,
    상기 제2발광 소자가 설치된 영역에 있는 상기 제1광학 간섭층의 적어도 일부 및 상기 저반사층의 적어도 일부를 제거하여, 상기 고반사층이 노출되는 개구 영역을 설치하고,
    상기 제1발광 소자 및 상기 제2발광 소자가 설치된 영역에, 제2광학 간섭층을 배치하는 발광장치의 제조방법.
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