JP3988782B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。特に、画素電極の駆動用の薄膜トランジスタの上層で且つ画素電極の下層の位置に導電性の遮光膜が設けられている液晶表示装置に適用して好適なものである。

液晶表示装置は平面型ディスプレイとして広く用いられている。この液晶表示装置における画素電極の駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、従来はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴが用いられていたが、最近では多結晶ＳｉＴＦＴが多く用いられる様になっている。多結晶ＳｉＴＦＴはａ−ＳｉＴＦＴ程光感度は高くないにしても、近年の液晶表示装置では、例えばプロジェクタの様に大光量の元での使用が増加し、多結晶ＳｉＴＦＴでも光リーク電流が無視できなくなっている。光リーク電流は、コントラスト低下やクロストーク、フリッカなどの画質劣化をもたらす。
特開平１０−３０１１４２号公報 特開平１１−１６０７３５号公報

従来から、薄膜トランジスタの光リーク電流を抑制する為、ＴＦＴを金属などの遮光膜で被覆する構成が採用されている。一般に、遮光膜は下地の絶縁膜を介して薄膜トランジスタの上に成膜される。更に、金属製の遮光膜の上に別の絶縁膜を介して画素電極が形成される。しかしながら、薄膜トランジスタは表面に凹凸を有しており、絶縁膜を介してこれが遮光膜に影響を与える。特に、凹凸の傾斜の上に位置する遮光膜の部分は膜厚が薄くなる為、遮光性が損なわれる。又、遮光膜の段差が絶縁膜を介して画素電極の形成される表面に影響を与える。画素電極が形成される表面は液晶と接する部分であり、通常配向膜が形成されている。下方の遮光膜の影響で表面に段差が生じると、配向処理を基板全面に亘って均一に施すことが困難である。

上述した従来の技術の課題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明は、基板上に透明な画素電極の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層で且つ上記画素電極の下層の位置に液晶側から入射した光を遮光する導電性の遮光層が設けられている液晶表示装置において、第一の平坦化膜が該薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に該遮光層が配され、該遮光層は、少なくとも該薄膜トランジスタのゲート電極の上方を覆っており、第二の平坦化膜が該遮光層の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された上に該画素電極が配されていることを特徴とする。
前記画素電極を形成した基板は、入射した光を透過する透過領域と遮光する遮光領域に分かれている。好ましくは前記薄膜トランジスタの上層に配した膜をパターニングして信号配線や引き出しを夫々形成し、該第一の平坦化膜を間にして、前記導電性の遮光層と信号配線や引き出し電極にパターニングされた前記膜との重ね合わせにより、液晶側から入射する光に対して遮光がなされている。場合によって前記基板の遮光領域には、該導電性の遮光層とは別の遮光層が形成されている。

具体的には、前記第一の平坦化膜は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化したものである。或いは、前記第一の平坦化膜は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成したものである。又、前記第二の平坦化膜は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化したものである。或いは、前記第二の平坦化膜は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成したものである。或いは、前記第二の平坦化膜は、有機樹脂を塗工したしたものである。一態様では、対向電極を形成した基板が所定の間隙を介して該画素電極を形成した基板に接合しており、該間隙に液晶が保持されている。

本発明によれば、導電性の遮光層は、薄膜トランジスタを被覆する第一の平坦化膜の上に形成するので、遮光層のステップカバレッジが良好となり、その厚みの均一性が向上する。この為、遮光層で十分な光のシールド機能を得ることができ、漏れ光の大幅な低減を図ることが可能である。これにより、高輝度の光照射の元でも光リーク電流の発生を抑えることができる。更に、本発明によれば、遮光膜の形成された面を第二の平坦化膜で被覆することにより、遮光膜の段差を埋めている。この平坦化された第二の平坦化膜の上に画素電極を形成するとともに、液晶に対する配向処理を施す。液晶に接する面が平滑化されているので、均一な配向処理を施すことができる。この様に、導電性の遮光層を上下から絶縁性の平坦化膜で挟み込む構造を採用することで、透過型液晶表示装置の遮光性及び配向性を改善することが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、導電性の遮光層を第一平坦化膜の上に形成することにより、導電性遮光層による遮光性能の向上を図り、光リーク電流による画質低下を抑えることができる。又、導電性の遮光層を第二平坦化膜で平坦化した上で画素電極や配向膜を形成している。これにより、配向状態が大幅に改善可能である。配向処理におけるプロセスマージンが拡大する為生産性が向上するとともに、表示品位も大幅に改善可能である。この様に、導電性の遮光層を上下から二層の平坦化膜で挟持する構成とすることにより、遮光性能の改善及び表示品質の改善が可能になる。特に、第二平坦化膜を用いることで、ＴＦＴ基板上に微細なスペーサを形成しても、液晶の配向が乱れることがなくなる。

以下、この発明の実施形態の一例について図面を参照しながら説明する。尚、実施形態の全図において、同一又は対応する部分には同一の符号を付す。図１はこの発明の実施形態による液晶表示装置のＴＦＴ基板の一例を示し、図２はこの液晶表示装置の全体構成の一例を示す。この液晶表示装置はアクティブマトリクス型の液晶表示装置である。

図１および図２に示すように、この液晶表示装置においては、遮光領域における石英ガラス基板１１上に遮光層１２が設けられている。この遮光層１２は、例えば膜厚が５０ｎｍのリン（Ｐ）がドープされた多結晶Ｓｉ膜および例えば膜厚が２００ｎｍのＷＳｉ膜が順次積層された積層膜からなる。この遮光層１２を覆うように例えばＳｉＯ_２膜からなる層間絶縁膜１３が設けられている。この層間２絶縁膜１３上には所定形状の多結晶Ｓｉ膜１４が設けられ、この多結晶Ｓｉ膜１４を覆うように例えばＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１５が設けられている。このゲート絶縁膜１５上にはゲート配線１６が設けられている。図示は省略するが、多結晶Ｓｉ膜１４中にはゲート配線１６に対して自己整合的にソース領域およびドレイン領域が形成されている。ゲート配線１６からなるゲート電極とこれらのソース領域およびドレイン領域とにより、画素電極駆動用の多結晶ＳｉＴＦＴが構成されている。ドレイン領域の上方の部分におけるゲート絶縁膜１５上には電極１７が設けられている。この電極１７とドレイン領域との間にゲート絶縁膜１５を挟んだ構造により、保持用容量素子が構成されている。

ゲート配線１６および電極１７は、例えば膜厚が１００ｎｍのＰがドープされた多結晶Ｓｉ膜および例えば膜厚が１００ｎｍのＷＳｉ膜が順次重なったされた積層膜からなる。ゲート配線１６および電極１７を覆うように層間絶縁膜１８が設けられている。この層間絶縁膜１８およびゲート絶縁膜１５の所定部分にはコンタクトホール１９、２０が設けられている。遮光領域における層間絶縁膜１８上には、コンタクトホール１９を通じて多結晶ＳｉＴＦＴのドレイン領域に接続された引き出し電極２１が設けられているとともに、コンタクトホール２０を通じて多結晶ＳｉＴＦＴのソース領域に接続されて信号配線２２が接続されている。これらの引き出し電極２１および信号配線２２は、例えば膜厚が５０ｎｍのＷＳｉ膜、例えば膜厚が３００ｎｍのＡ１膜および例えば膜厚が５０ｎｍのＷＳｉ膜が順次重なった積層膜からなる。これらの引き出し電極２１および信号配線２２を覆うように例えばＳｉＯ_２膜からなる層間絶縁膜２３が設けられている。この層間絶縁膜２３は、例えば常圧ＣＶＤ法によリ成膜された膜厚が４００ｎｍのＰＳＧ膜からなる。この層間絶縁膜２３上の所定部分にはプラズマＣＶＤ法によリ成膜された例えば膜厚が２００ｎｍのＳｉＮ膜２４が設けられている。このＳｉＮ膜２４は、主として、多結晶Ｓｉ膜１４中に存在するダングリングボンドを水素で不活性化して多結晶ＳｉＴＦＴの特性向上を図るための水素供給源となるものである。これらの層間絶縁膜２３およびＳｉＮ膜２４上に第一の平坦化膜２５が設けられている。この第一平坦化膜２５は、例えばＴＥＯＳを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によリ成膜されたＳｉＯ_２膜からなる。引き出し電極２１上の所定部分における第一平坦化膜２５および層間絶縁膜２３にはコンタクトホール２６が設けられている。第一平坦化膜２５の表面は、コンタクトホール２６の部分を除いて、少なくとも０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下の残留段差レベルに平坦化されている。この第一平坦化膜２５の膜厚は、例えば、開口領域の部分で１．８±０．５μｍ、引き出し電極２１上の部分で０．３μｍ程度である。

この表面が平坦な第一平坦化膜２５上に導電性遮光層２７、２８が互いに分離して設けられている。導電性遮光層２７は、コンタクトホール２６を通じて引き出し電極２１と接続されている。これらの導電性遮光層２７、２８は、例えば膜厚が２５０ｎｍのＴｉ膜からなる。これらの導電性遮光層２７、２８と引き出し電極２１および信号配線２２との重ね合わせにより、上方からの入射光に対して、画素開口領域以外の領域の全ての遮光がなされている。導電性遮光層２７は後述の画素電極と接続され、導電性遮光層２８は所定の共通電位に接続される。

導電性遮光層２７、２８を覆うように中間膜４０を介して第二の平坦化膜２９が設けられている。この第二平坦化膜２９は、例えばシラノール化合物を原料液として用いたスピンコート法により成膜された膜厚が４００ｎｍのＳｉＯ_２膜からなる。導電性遮光層２７上の所定部分におけるこの第二平坦化膜２９にはコンタクトホール３０が設けられている。第二平坦化膜２９上には、このコンタクトホール３０を通じて導電性遮光層２７と接続されて透明な画素電極３１が設けられている。この画素電極３１は、例えば膜厚が７０ｎｍのＩＴＯからなる。この画素電極３１を覆うように液晶の配向膜３２が設けられている。

図２に示すように、この様に構成されたＴＦＴ基板と、ガラス基板３３の一主面上に対向電極としての透明電極３４および液晶の配向膜３５を順次積層した対向基板との間に液晶３６が封入されている。場合によっては、両基板１１、３３の間に微小なスぺーサを介在させて間隙寸法を一定に保つ。

次に、上述のように構成されたこの実施形態による液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、図３に示すように、石英ガラス基板１１上にＰがドープされた多結晶Ｓｉ膜およびＷＳｉ膜を順次成膜した後、これらの膜をパターニングして遮光層１２を形成する。次に、例えばＣＶＤ法により基板全面にＳｉ０_２膜からなる層間絶縁膜１３を成膜する。次に、例えばＣＶＤ法により全面に多結晶Ｓｉ膜１４を成膜した後、この多結晶Ｓｉ膜１４をパターニングする。次に、例えばＣＶＤ法により基板全面にＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１５を成膜した後、このゲート絶縁膜１５を所定形状にパターニングする。次に、基板全面にＰがドープされた多結晶Ｓｉ膜およびＷＳｉ膜を順次成膜した後、これらの膜をパターニングしてゲート配線１６および容量素子用の電極１７を形成する。

次に、例えばＣＶＤ法によリ基板全面に例えばＳｉＯ_２膜からなる層間絶縁膜１８を成膜する。次に、この層間絶縁膜１８およびゲート絶縁膜１５の所定部分をエッチング除去してコンタクトホール１９、２０を形成する。次に、基板全面にＷＳｉ膜、又はＡ１膜およびＷＳｉ膜を順次成膜した後、これらの膜をパターニングして引き出し電極２１および信号配線２２を形成する。次に、例えば常圧ＣＶＤ法によリ基板全面にＳｉＯ_２膜からなる層間絶縁膜２３を成膜する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法によリ基板全面にＳｉＮ膜２４を成膜した後、このＳｉＮ膜２４をパターニングする。

次に、例えばＴＥＯＳを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によリ基板全面にＳｉＯ_２膜からなる平坦用の第一平坦化膜２５を成膜する。この第一平坦化膜２５の膜厚は例えば２５００ｎｍとする。

次に、図４に示すように、第一平坦化膜２５をＣＭＰ法によリ側えば厚さ約２２００ｎｍ研磨して平坦化する。このＣＭＰ法による平坦化後の残留段差レベルは少なくとも０．５μｍ以下、条件次第では０．１μｍ以下とすることが可能である。ＣＭＰ条件の一例を挙げると下記のとおりである。

研磨荷重 ４７０９ｆ／ｃｍ^２
チャック回転数 ６０ｒｐｍ
テーブル回転数 ４ｒｐｍ
リテーナ高さ ８４０μｍ
研磨レート ５００ｎｍ／分で４分研磨
ドレス方式 ｉｎ−ｓｉｔｕドレス
スラリー ＳＳ−２５（ＫＯＨ液にシリカ粒を分散したスラリー） １／２純水希釈液使用

次に、図１に示すように、第一平坦化膜２５および層間絶縁膜２３の所定部分をエッチング除去してコンタクトホール２６を形成する。次に、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等により基板全面にＴｉ膜を成膜した後、このＴｉ膜をパターニングして導電性遮光層２７、２８を形成する。この場合、Ｔｉ膜の成膜時には、下地の第一平坦化膜２５の表面があらかじめ平垣化されていることによリ、このＴｉ膜、したがって導電性遮光層２７、２８のステップカバレッジは良好であり、均一な厚さとなる。

次に、遮光層２７，２８の上に中間膜４０を介して第二平坦化膜２９を形成する。本実施形態では、第二平坦化膜２９を形成する為にＳＯＧ法を採用しており、図５に概略を示す。前工程で第一平坦化膜２５の上に形成された遮光層２７を覆う様に、まず中間膜４０を形成する。この中間膜４０は例えばＰ−ＴＥＯＳで成膜し、その厚みは例えば１００ｎｍ程度である。尚、遮光層２７の厚みは例えば２７５ｎｍである。この中間膜４０の上にＳＯＧ法で第二平坦化膜２９を成膜する。この際、中間膜４０は第二平坦化膜２９の剥離を防止する為に予め下地処理として形成されたものである。ＳＯＧ法は、例えばシラノール化合物（ＲｎＳｉ（ＯＨ）_４ｎ）とメタノールなどの溶媒からなる溶液である。このシラノール化合物溶液をスピンコーティングにより例えば４００ｎｍの厚みで塗工する。スピンコーティングを行なうことにより、塗工された膜の表面は十分に平滑化される。この後、８０℃，１５０℃，２００℃の各温度で順次６０秒程度のベークを行ない、メタノールなどの溶媒を蒸発させる。この後、例えば４００℃で３０分窒素雰囲気中でアニールし、シラノール化合物を脱水縮合してガラス化する。この過程で、シラノール化合物に含まれるＲ基も焼き飛ばされる。

この後（２）に示す様に、第二平坦化膜２９の所定部分をエッチング除去してコンタクトホール３０を形成する。次に（３）に示す様に、基板全面にＩＴＯ膜を例えば７０ｎｍの厚みで成膜した後、このＩＴＯ膜をエッチングによりパタニングして画素電極３１を形成する。この後図示しないが、基板全面に配向膜を成膜する。以上の様にしてＴＦＴ基板を製造した後、従来公知の方法に従ってプロセスを進め、図２に示す様に目的とする液晶表示装置を完成させる。

図６は、図５に示したＳＯＧ法で用いたシラノール化合物の一例を示す化学構造式であり、特にＲ基の部分を表わしている。このシラノール化合物は例えば東京応化製のＯＣＤ Ｔｙｐｅ−７を用いることができる。

以上の様に、本実施形態によれば、ＣＭＰ法により表面が平坦化された第一平坦化膜２５上に導電性遮光層２７，２８を形成しているので、従来に比べてこれらの導電性遮光層２７，２８のステップカバレッジが向上し、均一な厚さとなる。この為、これらの導電性遮光層２７，２８による遮光性能が良好となり、漏れ光が抑制され、光リーク電流が大幅に減少することから、大光量下での使用でも、光リーク電流に起因する輝点欠陥やクロストークを大幅に低減することができ、画質低下を抑制することが可能になる。又、ＳＯＧ法により表面が平坦化された第二平坦化膜２９の上に画素電極を形成することで、配向膜の均一な処理が可能になる。即ち、第一平坦化膜２５に形成された遮光層２７，２８を第二平坦化膜２９で埋めることで段差を平坦化し、その上に画素電極３１並びに配向膜を３２形成している。平坦化された表面の上に配向膜３２を作成することで、ラビングなど配向処理が基板全面に亘って均一に行なえる。これにより、ディスクリネーションなどを抑えることが可能となり、画質低下を抑制することができる。

上記の実施形態では、第一平坦化膜がＣＭＰ法により形成されており、薄膜トランジスタの凹凸を埋めている。前述した様に、このＣＭＰ法は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化したものである。但し、本発明は、これに限られるものではなく、第一の平坦化膜を例えばＳＯＧ法で形成してもよい。又、上述の実施形態では、第二の平坦化膜はＳＯＧ法により形成されており、遮光層の段差を埋めている。このＳＯＧ法は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成して、平坦化膜を形成するものである。但し、本発明はこれに限られるものではなく、第二平坦化膜をＣＭＰ法で作成してもよい。あるいは、アクリルなどの透明な有機樹脂を塗工及び硬化して第二平坦化膜を作成してもよい。一般に、平坦化膜は種々の方法で形成可能である。例えば、原料ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などを用いたプラズマＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法などによる埋め込み性のよい成膜法を用いる方法、燐シリケートガラス（ＰＳＧ）、ホウ素燐シリケートガラス（ＢＰＳＧ）などを成膜してからリフローさせる方法、スピンオンガラス（ＳＯＧ）を用いた流動法、又は、絶縁膜を成膜してからエッチバックする方法、絶縁膜を成膜してから化学機械研磨（ＣＭＰ）法により研磨する方法などが挙げられる。

図７は、液晶表示装置の参考例を示しており、図１に示した本発明の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。図１の実施形態と異なる点は、第二平坦化膜２９の代わりに、通常の層間絶縁膜２９ａを用いていることである。この層間絶縁膜２９ａは、例えばプラズマＣＶＤ法で原料にＴＥＯＳを用いＳｉＯ₂ を例えば４００ｎｍの厚みで堆積したものである。この層間絶縁膜２９ａは導電性遮光膜２７，２８の段差を十分に埋めることができず、配向膜３２の部分に傾斜が生じてしまう。図７では、この傾斜が生じた領域をＳ１，Ｓ２で表わしてある。配向膜３２の表面に傾斜が生じると、ラビング処理などを均一に行なうことができない。即ち、液晶配向マージンが小さく、安定生産の為には配向に係る装置の管理を極めて厳密に行なう必要がある。例えば、ラビング装置のバフ材の交換頻度が極めて高くなり、生産性が低下する。なお、市場で要求される画質レベルが極めて高くなり、所謂液晶ギャップの均一化が必要になってきている。この為、ＴＦＴ基板上にレジストなどの材料を用いた微細なスペーサを形成する技術（オンチップスペーサ、ＯＣＳ）が一部導入されつつある。ところが、配向マージンの小さい図７に示した構造に、更にＯＣＳでスペーサを形成すると、ディスクリネーションと呼ばれる液晶配向欠陥が多発してしまう。

この点に鑑み、本発明では特に第二平坦化膜２９を用いている。即ち、第一平坦化膜２５の上に形成した遮光膜２７，２８によって生じる段差を、再度第二平坦化膜２９で平坦化乃至平滑化することにより、液晶配向を容易成らしめ且つＯＣＳ技術の導入を可能とする。この再度の平坦化の手法としては、前述した様にＳＯＧ技術を適用できるが、これに代えてＣＭＰ技術や有機材料を用いた平坦化技術を採用してもよい。アクリル樹脂などの有機材料を用いて平坦化する場合には、ＳＯＧと同様にスピンコートを用いて有機樹脂溶液を塗布する。

図８は、図７に示した参考例の断面形状を示す顕微鏡写真図である。特に、図７の領域Ｓ１近傍を写したものであり、コンタクトホール２６や３０が写し出されている。顕微鏡写真から明らかな様に、領域Ｓ１の部分には斜めの段差が生じており、均一なラビング処理の障害となっている。

図９は、図１に示した本発明に係る表示装置の断面顕微鏡写真図であり、特に領域Ｓ２の部分を拡大表示している。図９から明らかな様に、領域Ｓ２には何等顕著な段差が生じておらず、配向膜に対して均一なラビング処理を行なうことが可能である。

図１０は、図８に示した参考例の表面状態を示す顕微鏡写真図である。ほぼ矩形の画素電極がマトリクス状に配列している。田の字型に組み合わせた４個の画素電極の中央に、微細なスペーサを配したＯＣＳ構造となっている。この参考例では、配向処理を均一に行なうことができず、ディスクリネーション（点欠陥）が発生している。

図１１は、図１に示した表示装置の表面状態を示す顕微鏡写真図である。図１０に示した参考例と同様にＯＣＳ構造を採用しているが、ディスクリネーションは何等発生していない。これは、第二平坦化膜を用いることで、ラビング処理が均一に行なえる様になったことがディスクリネーションの抑制に効果を有している為である。

ところで、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の基板周辺部には、外部との電気接続を取る為にパッドなどの端子領域が形成されている。図１２は、この端子領域の参考例を示す模式的な断面図である。図示する様に、端子領域には例えば１００００μｍ² 以上の広大な開口面積を有するコンタクトホール部ＣＯＮＬが形成されている。この端子領域では、ガラスなどからなる基板１１の上に図１に示した層構造とほぼ同様の層構造が形成されている。即ち、基板１１の上には遮光層１２と同層の遮光層１２ａ、層間絶縁膜１３、ゲート配線１６と同層の配線１６ａ、層間絶縁膜１８、信号配線２２と同層の配線２２ａ、遮光層２７と同層の金属導電膜２７ａ、画素電極３１と同層の透明導電膜３１ａが順に重ねられている。前述したコンタクトホール部ＣＯＮＬは第一平坦化膜２５に開口している。このコンタクトホール部ＣＯＮＬを介して金属導電層２７ａと配線２２ａが電気的に接続している。コンタクトホール部ＣＯＮＬからは第二平坦化膜２９が除かれており、透明導電膜３１ａが金属導電膜２７ａと接している。透明導電膜３１ａの上に外部のフレキシブル基板の端子やプローブピンなどが接触する構成となっている。尚、コンタクトホール部ＣＯＮＬの内部には一部第二平坦化膜２９を構成する絶縁物質２９ｘが残留している。ここで、第二平坦化膜２９は前述した様にＳＯＧ法により成膜される。ＳＯＧ法とは、そもそもシラノール化合物とメタノールなどの溶媒からなる溶液を用い、これをスピンコートすることで平坦化（平滑化）が可能になる。従って、巨大なコンタクトホール部ＣＯＮＬの様な深い部分に溶液が溜まりやすい傾向がある。この為、通常１００００μｍ² 以上の広大な面積を有するパッド部分のコンタクトホール部ＣＯＮＬには厚い絶縁物質２９ｘが残留してしまう。この為、第二平坦化膜２９を形成した後、ＣＯＮＬから絶縁物質２９ｘを除去する為に、エッチング処理時間が極めて長くなってしまう。図１２に示した例では、第二平坦化膜２９を用いない場合に比べ、ドライエッチング時間が約２．５倍にもなり、生産性が大きく低下してしまう。

図１３は、図１２に示した端子領域の断面形状を示す顕微鏡写真図である。この断面状態は、第二平坦化膜形成後の状態を表わしたものである。巨大なコンタクトホール部ＣＯＮＬの内部に第二平坦化膜を構成する絶縁物質が大量に流れ込んでいる。これを除去する為に、ドライエッチング時間が極めて長くなってしまう。

図１４は、図１３に示したコンタクトホール部ＣＯＮＬにおける平坦化膜厚を測定した結果を表わしている。縦軸に平坦化膜厚を示し、横軸に距離を取ってある。この距離は、スピンコーティングにおける回転中心に近い側のコンタクトホール側壁を基準とし、これから外側に向って距離を測ってある。グラフから明らかな様に、コンタクトホール部ＣＯＮＬの内部には大量の絶縁物質が流れ込んでいる。

図１５は、図１２に示した端子領域の不具合を改良した構成を表わしている。理解を容易にする為、図１２に示した構成と対応する部分には対応する参照番号を付してある。図示する様に、端子領域には、第一の平坦化膜２５に開口したコンタクトホール部ＣＯＮＳと、これを囲む平坦面部ＦＬＴとが形成されている。遮光層を形成する金属導電膜２７ａはコンタクトホール部ＣＯＮＳを介して下層の配線２２ａに接続している。一方、画素電極を構成する透明導電膜３１ａは第二平坦化膜２９が除かれた平坦面部ＦＬＴで金属導電膜２７ａと接している。好ましくは、コンタクトホール部ＣＯＮＳの開口面積は１００μｍ² 以下に制限されている。この様に微細化されたコンタクトホール部ＣＯＮＳは端子領域に複数個形成されており、分割化が図られている。個々のコンタクトホール部ＣＯＮＳは平坦面部ＦＬＴによって互いに隔てられている。平坦面部ＦＬＴからは第二平坦化膜２９が除かれている一方、コンタクトホール部ＣＯＮＳには第二平坦化膜２９を構成する絶縁物質２９ｘが残留していても差し支えない。

各コンタクトホール部ＣＯＮＳの深さ寸法Ｄは例えば１．４〜２．０μｍである。図１２に示した参考例では、深さＤのコンタクトホール部ＣＯＮＬに溜まった絶縁物質２９ｘをほぼ完全に除去する為に、長いドライエッチング時間が必要であった。これに対し、図１５に示した実施形態では、各コンタクトホール部ＣＯＮＳから絶縁物質２９ｘを完全に除去する必要はないので、ドライエッチング時間は短縮化できる。図１２の参考例で要するドライエッチング時間を２．５とすると、図１５に示した構成ではドライエッチング時間が１．２５まで短縮化できる。即ち、図１５に示した構成では、平坦面部ＦＬＴの上に残った第二平坦化膜２９のみを除去すればよい為、エッチング時間が短くなる。透明導電膜３１ａと金属導電膜２７ａの接触は平坦面部ＦＬＴで取る一方、金属導電膜２７ａと配線２２ａの接触は各コンタクトホール部ＣＯＮＳで取る。外部のプローブピンやフレキシブル基板は、端子領域の平坦面部ＦＬＴに接触することになる。一般に、ＦＬＴにおける接触抵抗は、各コンタクトホール部ＣＯＮＳ内における接触抵抗に比べ高くなるので、端子領域におけるＦＬＴの面積比はＣＯＮＳの開口面積合計に比べ大きく取る様にすることが好ましい。

図１６は、図１５に示した端子領域の例を示す模式的な平面図である。３個の端子領域が描かれている。各端子領域には１００μｍ² 以下の面積のコンタクトホール部ＣＯＮＳを複数個配置する。例えば、２μｍ角（４μｍ² ）のコンタクトホール部ＣＯＮＳを１０μｍピッチでマトリクス状に配置する構造とする。これにより、外部のプローブピンと配線２２ａを電気的に接触させる。尚、参考の為図１２に示したコンタクトホール部ＣＯＮＬの外形を合せて示しておく。

本発明の実施形態による液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の全体構成を示す断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する為の断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する為の断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する為の工程図である。 シラノール化合物の一例を示す化学構造図である。 液晶表示装置の参考例を示す断面図である。 参考例の顕微鏡写真図である。 本発明に係る液晶表示装置の顕微鏡写真図である。 参考例の顕微鏡写真図である。 本発明に係る液晶表示装置の顕微鏡写真図である。 液晶表示装置の周辺部に形成される端子領域を示す参考図である。 図１２に示した端子領域の顕微鏡写真図である。 図１２に示した端子領域における平坦化膜の厚み分布を示すグラフである。 本発明に係る表示装置に形成された端子領域の実施形態を示す模式的な部分断面図である。 図１５に示した端子領域の平面図である。

符号の説明

１１・・・ガラス基板、１２・・・遮光層、１３，１８，２３・・・層間絶縁膜、１４・・・多結晶Ｓｉ膜、１６・・・ゲート配線、１９，２０，２６，３０・・・コンタクトホール、２５・・・第一平坦化膜、２９・・・第二平坦化膜、２７，２８・・・導電性遮光層、３１・・・画素電極、３３・・・ガラス基板、３４・・・対向電極、３６・・・液晶

Claims (20)

1. 基板上に透明な画素電極の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ上記画素電極の下層の位置に液晶側から入射した光を遮光する導電性の遮光層が設けられている液晶表示装置において、
   第一の平坦化膜が該薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に該遮光層が配され、
   前記遮光層は、少なくとも該薄膜トランジスタのゲート電極の上方を覆っており、
   第二の平坦化膜が該遮光層の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された上に該画素電極が配されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記画素電極を形成した基板は、入射した光を透過する透過領域と遮光する遮光領域とに分かれていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記薄膜トランジスタの上層に配した膜をパターニングして信号配線や引き出し電極を夫々形成し、
   該第一の平坦化膜を間にして、前記導電性の遮光層と、信号配線や引き出し電極にパターニングされた前記膜との重ね合わせにより、液晶側から入射する光に対して遮光がなされていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記基板の遮光領域には、該導電性の遮光層の下にこれとは別の遮光層が形成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
5. 前記第一の平坦化膜は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化したものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
6. 前記第一の平坦化膜は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成したものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
7. 前記第二の平坦化膜は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化したものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
8. 前記第二の平坦化膜は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成したものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
9. 前記第二の平坦化膜は、有機樹脂を塗工したしたものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
10. 対向電極を形成した基板が所定の間隙を介して該画素電極を形成した基板に接合しており、該間隙に液晶が保持されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
11. 基板上に透明な画素電極の駆動用の薄膜トランジスタを形成し、この薄膜トランジスタの上層で且つ上記画素電極の下層の位置に液晶側から入射した光を遮光する導電性の遮光層を形成する液晶表示装置の製造方法において、
    第一の平坦化膜を該薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成する第一平坦化工程と、
    第一の平坦化膜の上に該遮光層を形成し、該遮光層で少なくとも該薄膜トランジスタのゲート電極の上方を覆う第一処理工程と、
    第二の平坦化膜を該遮光層の段差を埋める様に形成する第二平坦化工程と、
    第二の平坦化膜の上に該画素電極を形成する第二処理工程とを行なうことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
12. 前記第一処理工程は、該基板に入射した光を透過する透過領域と、前記導電性の遮光層によって遮光する遮光領域とに該基板を分けることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
13. 前記薄膜トランジスタの上に膜を成膜し、これをパターニングして信号配線や引き出し電極を形成する工程を含んでおり、
    該第一の平坦化膜を間にして、前記導電性の遮光層と信号配線や引き出し電極にパターニングされた前記膜との重ね合わせにより、液晶側から入射する光に対して遮光を行うことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 前記基板の遮光領域に、該導電性の遮光層の下にこれとは別の遮光層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記第一平坦化工程は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
16. 前記第一平坦化工程は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記第二平坦化工程は、絶縁膜を成膜した後その表面を化学機械研磨して平坦化することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
18. 前記第二平坦化工程は、スピンコーティングで平滑に塗工した絶縁材料を焼成することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
19. 前記第二平坦化工程は、有機樹脂を塗工することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
20. 対向電極を形成した基板を所定の間隙を介して該画素電極を形成した基板に接合し、該間隙に液晶を保持する組立工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。

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