JP2011237776A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学装置は、画素電極(9a)と、画素電極に対応して設けられたトランジスター(30)と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線(6a)と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第1電極(72)及び第2電極(71)が容量絶縁膜(75)を介して対向配置されることで形成される蓄積容量(70)と、第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極(401)と、第1電極及び第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極(402)とが、付加容量絶縁膜(42)を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量(400)とを備える。
【選択図】図8
Description
本実施形態に係る電気光学装置について図1から図20を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H´線断面図である。
次に、第2実施形態に係る電気光学装置について、図11から図15を参照して説明する。尚、第2実施形態は、上述の第1実施形態と比べて、積層構造の一部が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る電気光学装置について、図16から図18を参照して説明する。尚、第3実施形態は、上述の第1及び第2実施形態と比べて、積層構造の一部が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第3実施形態では、第1及び第2実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
次に、第4実施形態に係る電気光学装置について、図19と図20を参照して説明する。尚、第4実施形態は、上述の第1から第3実施形態と比べて、一部の動作方法と付加容量の構成が異なり、その他の構成及び動作については概ね同様である。このため第4実施形態では、第1から第3実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
いる。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図21は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
Claims (9)
- 画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第1電極及び第2電極が容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、
前記第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極と、前記第1電極及び前記第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、同時にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第2付加容量電極と同一層に設けられた第3電極を備え、
前記第1電極及び前記第3電極は、他の容量絶縁膜を介して対向配置されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 - 前記1電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気的に接続されており、
前記第2電極及び前記第3電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 前記1電極は、定電位を供給する定電位配線に電気的に接続されており、
前記第2電極及び前記第3電極は、前記画素電極及び前記トランジスターに電気
的に接続されている
ことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 前記第1付加容量電極は、前記第2電極と同一層に設けられた電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 複数の前記データ線からなるデータ線ブロック毎に前記画像信号を供給する画像信号供給手段を備え、
前記データ線ブロックの端に位置するデータ線と電気的に接続された前記付加容量は、前記データ線ブロックの他のデータ線と電気的に接続された前記付加容量よりも小さい
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極及び前記トランジスター間に設けられ、第1電極と、前記第1電極及び前記トランジスターの間に設けられた第2電極とが、容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成される蓄積容量と、
前記第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極と、前記第1電極及び前記第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極とが、付加容量絶縁膜を介して対向配置されることで形成され、前記データ線と電気的に接続された付加容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014056212A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2014142390A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2014203059A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 容量素子、容量素子の製造方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器 |
KR20160140820A (ko) | 2014-04-01 | 2016-12-07 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
CN109244083A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制造方法、显示面板及可穿戴设备 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5834705B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
JP2014206670A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
CN103293790B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元及其制备方法、阵列基板、显示装置 |
AU2017274508A1 (en) * | 2016-05-31 | 2018-11-22 | E Ink Corporation | Backplanes for electro-optic displays |
US9722012B1 (en) * | 2016-09-02 | 2017-08-01 | Qualcomm Incorporated | Circuits and methods providing mutual capacitance in vertical electrical connections |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330856A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP2004125887A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2004309849A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2007199189A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2008008942A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
JP2008111924A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
JP2008241978A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2009048064A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI301915B (ja) | 2000-03-17 | 2008-10-11 | Seiko Epson Corp | |
KR100797374B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2008-01-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4075691B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2008-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法並びに基板装置の製造方法 |
JP4301227B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2009-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器並びにコンデンサー |
JP4285551B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP5079462B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2012-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置および電子機器 |
JP2010191408A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2011
- 2011-03-30 JP JP2011074369A patent/JP5724531B2/ja active Active
- 2011-04-11 US US13/083,933 patent/US9213207B2/en active Active
- 2011-04-12 CN CN201110090666.7A patent/CN102213881B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330856A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP2004125887A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2004309849A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2007199189A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2008008942A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
JP2008111924A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
JP2008241978A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2009048064A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014056212A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2014142390A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2014203059A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 容量素子、容量素子の製造方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器 |
KR20160140820A (ko) | 2014-04-01 | 2016-12-07 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
US9939697B2 (en) | 2014-04-01 | 2018-04-10 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
CN109244083A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制造方法、显示面板及可穿戴设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20110249227A1 (en) | 2011-10-13 |
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