CN1573438A - 电光装置和电子设备及投射型显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种电光装置，通过防止翻转倾斜区域引起的图像质量下降，同时不在图像上产生光泄漏，显示更高质量的图像。电光装置在基板上包括数据线和扫描线、TFT、像素电极(9a)。在该像素电极的一部分上形成切口部(91)。将第1遮光膜(400)沿所述数据线和所述扫描线的至少一个延伸。在该第1遮光膜上，形成与其作为同一膜形成的用于防止所述切口部引起的光泄漏的方形状部(410)。

Description

电光装置和电子设备及投射型显示装置

技术领域

本发明属于例如有源矩阵驱动的液晶装置、电子纸等的电泳装置、EL(Electro-Luminescence)显示装置等的电光装置的技术领域。此外，本发明属于包括这种电光装置的电子设备和液晶投影机等投射型显示装置的技术领域。

背景技术

以往，已知通过在基板上包括矩阵状排列的像素电极和连接到各个该电极的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下简称为‘TFT’)、连接到各个该TFT的行和列方向分别平行设置的扫描线和数据线，可进行所谓的有源矩阵驱动的电光装置。

在这样的电光装置中，除了上述以外，还包括与所述基板对向配置的对向基板，同时在该对向基板上包括与像素电极对向的对向电极等，而且，通过在像素电极和对向电极间夹持的液晶层等，进行图像显示。即，液晶层的液晶分子通过像素电极和对向电极间设定的规定的电位差，适当地变更其取向状态，由此，通过变化透过该液晶层的光的透过率进行图像的显示。

此外，在这样的电光装置中，每当提供所述像素电极的电位时，以防止所述液晶层的恶化为目的，采用所谓的1H反转驱动、1S反转驱动、或点反转驱动的驱动方法。这里，例如1H反转驱动是包含以下过程的驱动方法：在所述矩阵状排列的像素电极中，例如在以正电位驱动第n行的像素电极时，为了以负电位驱动第n+1行的像素电极，在每行中将极性反转，同时进行矩阵状排列的所有像素电极的驱动。由此，在相邻的像素电极的行间，在所述对向电极之间产生的纵电场的方向相反，可以预先防止始终在一定方向上施加电场的情况下看到的液晶层的特性恶化的发生。再有，1S反转驱动是将上述中以‘行’为单位的部位以‘列’为单位来考虑的驱动方法，而点反转驱动是考虑在每个像素电极中进行极性反转的驱动方法。

可是，如果使用这样的驱动方法，则在每个像素电极中产生所谓的翻转倾斜区域，同时相邻的像素电极所对应的翻转倾斜区域之间相互作用，因而存在降低图像的质量的问题。这里，翻转倾斜区域指本来通过取向膜等在规定的方向上排列(即，具有规定的预倾斜角的排列)的液晶分子出现在与其相反方向上排列的区域。产生这种现象的原因在于，如上述那样，由于在每个像素电极上附加使极性反转的电场，所以液晶分子的排列状态容易发生混乱。附带说明一下，翻转倾斜区域原因引起的图像质量的下降例如为图像对比度的下降，或更具体地说，如果由进行全面黑色显示的图像来进行淡灰度的显示，则出现残存其前的黑色显示部分(差的情况下，有在一条横线上残存黑色显示的情况)的现象。

因此，以往为了处理这样的问题，例如在专利文献1中公开的那样，通过在各个所述像素电极中设置切口部，使相邻的像素电极间的距离远离，从而增大相邻的翻转倾斜区域之间的物理距离，提供防止降低图像质量的电光装置。

【专利文献1】

特开2001-318388号公报

但是，在上述专利文献1中公开的电光装置中有以下问题。即，如果通过在像素电极中设置切口部，使相邻的像素电极间的距离远离，确实可获得防止图像质量下降的效果，但根据设置了上述切口部的结构，以该切口部作为原因，存在图像上产生光泄漏的新问题。虽然不清楚其原因和详细的机理，但根据本发明人的研究，在没有设置所述切口部的装置结构中，由于确认没有产生所述光泄漏，所以该切口部为光泄漏的原因是没有错误的。此外，即使所述切口部的具体形状的不同和液晶左旋转或右旋转等，都可确认所述光泄漏出现的方式有所不同。

例如，在像素电极的平面形状大致矩形形状的情况下，在将该矩形形状的相邻的两角切口时，在与被所述两角夹持的边对向的边上的角部中，产生所述光泄漏。即，在切口部形成在‘下边’侧时，光泄漏出现在‘上边’上的角部，而在切口部形成在‘上边’侧时则出现在‘下边’上的角部。产生这样的光泄漏的结果，通过在像素电极中形成所述切口部，即使尽力防止翻转倾斜区域引起的图像质量的下降，但仍会损失图像质量。

发明内容

本发明是鉴于上述问题的发明，其目的在于，通过防止翻转倾斜区域引起的图像质量下降，同时不在图像上产生光泄漏，从而提供一种可显示更高质量的图像的电光装置和配有该装置的电子设备及投射型显示装置。

为了解决上述课题，本发明的第1电光装置在基板上包括：在一定方向上延伸的数据线和在与该数据线交叉的方向延伸的扫描线；通过所述扫描线被供给扫描信号的开关元件；通过所述数据线经所述开关元件被供给图像信号的像素电极；将该像素电极的一部分切口的切口部；沿所述数据线和所述扫描线的至少一方延伸的第1遮光膜；以及与该第1遮光膜作为同一膜形成的用于防止所述切口部引起的光泄漏的第2遮光膜。

根据本发明的第1电光装置，对作为开关元件一例的薄膜晶体管，通过扫描线供给扫描信号，从而控制其导通-截止(ON·OFF)。另一方面，作为像素电极，通过数据线供给图像信号，从而对应于所述薄膜晶体管的导通-截止，在像素电极上施加、不施加该图像信号。由此，本发明的电光装置可进行所谓的有源矩阵驱动。

而且，在本发明中，特别是像素电极包括切口部。由此，如果排列该像素电极，则可以仅使形成所述切口部部分的相邻像素电极间远离，所以可增大对各个该像素电极产生的翻转倾斜区域的物理距离。因此，可以防止发生该翻转倾斜区域间的相互作用，所以可以防止图像质量的下降。此外，可以照样维持没有形成切口部的部分中的相邻像素电极间的距离，所以不过度地变窄具有作为光透过区域意义的像素电极的形成区域，可显示亮度不逊色以前的图像。

此外，在本发明中，包括沿数据线和扫描线的至少一个延伸的第1遮光膜，同时包括与该第1遮光膜作为同一膜形成的用于防止所述切口部引起的光泄漏的第2遮光膜。这里，如在发明要解决的课题中所述的那样，并不清楚‘切口部’引起的光泄漏如何产生的原因。但是，根据本发明，可通过第2遮光膜遮挡所述光泄漏的光的行进，所以可以极大地降低这种光混入图像上的危险。

因此，根据本发明，除了可以防止上述翻转倾斜区域引起的图像质量下降以外，还可以预先防止因切口部引起的光泄漏而使图像质量恶化。

再有，在本发明中，将第1遮光膜和第2遮光膜进行‘作为同一膜形成’，是指在该电光装置的制造工序中，将第1和第2遮光膜的前驱膜在同一机会中成膜，并且对该前驱膜同时实施规定的图形化处理(例如，光刻和腐蚀工序等)。此外，第1及第2遮光膜，也可将前者作为后者的一部分，或将后者作为前者的一部分来形成。即未将第1遮光膜(或第2遮光膜)与第2遮光膜(或第1遮光膜)图形化上分断，将两者平面上不间断地连续形成的形态也包含在本发明中。关键在于，进行‘作为同一膜形成’，将第1遮光膜和第2遮光膜如上述那样在同一机会中形成，同时也可将两者图形化上分断形成，也可不间断地连续形成。

为了解决上述课题，本发明的第2电光装置在基板上包括：在一定方向上延伸的数据线和在与该数据线交叉的方向延伸的扫描线；通过所述扫描线被供给扫描信号的开关元件；通过所述数据线经所述开关元件被供给图像信号的俯视包含矩形形状的像素电极；将该像素电极中的所述矩形形状的角部切口的切口部；沿所述数据线和所述扫描线的至少一方延伸的第1遮光膜；以及与该第1遮光膜作为同一膜形成的所述像素电极中的所述矩形形状的至少一个角部对应配置的第2遮光膜。

根据本发明的第2电光装置，与上述第1电光装置同样，可进行有源矩阵驱动。

而且，在本发明中，特别是像素电极包括俯视包含矩形形状、将该矩形形状的角部切口的切口部。由此，如果排列该像素电极，可以仅使形成所述切口部部分的相邻像素电极间远离，所以可增大对各个该像素电极产生的翻转倾斜区域的物理距离。因此，可以防止发生该翻转倾斜区域间的相互作用，所以可以防止图像质量的下降。此外，可以像现有那样维持没有形成切口部的部分中的相邻像素电极间的距离，所以不过度地变窄具有作为光透过区域意义的像素电极的形成区域，可显示亮度不逊色以前的图像。

此外，在本发明中，包括沿数据线和扫描线的至少一个延伸的第1遮光膜，同时包括与该第1遮光膜作为同一膜形成的对应于所述像素电极的所述矩形状的至少一个角部而配置的第2遮光膜。这里，如在发明要解决的课题中所述的那样，并不清楚‘切口部’引起的光泄漏如何产生的原因。但是，根据本发明人的研究，如本发明那样，在像素电极的平面形状包含矩形形状，将该矩形形状的角部切口的情况下，可确认光泄漏以对应于该矩形形状的至少一个角部出现的几率高。这种情况下所说的‘至少一个角部’除了包含形成了所述切口部的角部以外，还包含构成矩形形状的其他角部。在本发明中，为了对应于这样的‘至少一个角部’，形成遮挡光的行进的第2遮光膜。

因此，根据本发明，除了可以防止上述翻转倾斜区域引起的图像质量下降以外，还可以预先防止因切口部引起的光泄漏而使图像质量恶化。

再有，在本发明中，将第1遮光膜和第2遮光膜进行‘作为同一膜形成’，具有已经论述的意义。

此外，像素电极的平面形状为‘包含矩形形状’，除了该像素电极本身为正方形、长方形等的情况以外，还包含以这些正方形、长方形等为基础，该像素电极的平面形状在该正方形、长方形等中有若干变形的图形的情况。

在本发明的第1或第2电光装置的一方式中，将所述切口部以使其在夹持所述矩形形状的某一边的两个角部中至少对一个角部进行切口来形成，将所述第2遮光膜以使其对应于夹持与所述某一边对向的边的两个角部的其中之一来形成。

根据该方式，可以更可靠地防止发生切口部引起的光泄漏。即，根据本发明人的研究，例如在像素电极的平面形状为长方形状的情况下，如果以对夹持该长方形的一个短边的两个角部切口而形成所述切口部，则可确认所述光泄漏出现在夹持与所述短边对向的短边的两个角部的其中一个上的几率高。而且，在本方式中，为了对应于这两个角部的其中一个，形成所述第2遮光膜。这样，在本方式中，将第2遮光膜根据容易产生光泄漏的部位来设置，所以可以更可靠地防止以其为原因的图像质量的下降。

在本发明的第1或第2电光装置的另一方式中，将所述第1遮光膜沿所述扫描线和所述数据线的其中之一俯视格子状地形成，并且除了该格子状以外，将所述像素电极矩阵状地排列，将所述第2遮光膜以使其对应于所述格子状的各交叉点的角部来形成。

根据该方式，由于将所述第1遮光膜沿所述扫描线和所述数据线的其中之一格子状地形成，并且除了该格子状以外，将所述像素电极矩阵状地排列，所以具有作为将相邻的各像素间隔开的所谓‘遮光’的遮光膜的功能。由此，可进行图像的高对比度化。

另一方面，将第2遮光膜以使其对应于所述格子状的各交叉点的角部来形成。由此，第2遮光膜以仅覆盖一个一个像素电极的角部来形成。因此，一般地，不将具有作为光透过区域意义的像素电极的形成区域大面积过度覆盖，所以与以往相比，几乎不牺牲图像的亮度，可以获得防止所述光泄漏的作用效果。

此外，如上述那样，在像素电极的平面形状包含矩形形状，并且切口部以对该矩形形状的角部进行切口而形成的情况下，光泄漏正好发生在本方式中称为‘角部’附近的几率高。因此，根据本方式，在有这样的前提的情况下，可以更可靠地防止切口部引起的图像质量的下降。

再有，在本方式中，将像素电极‘除了如格子状那样’而形成仅意味着第1遮光膜和像素电极平面上看没有完全重合地形成。例如，像素电极的一边和第1遮光膜也可以局部重合而形成。这种情况下，也包含将像素电极‘除了格子状以外那样’来形成。

在这种方式中，也可以形成以下结构：所述第2遮光膜对应所述交叉点的一个角部来形成，同时还包括第3遮光膜，与所述第1遮光膜和所述第2遮光膜作为同一膜形成，在所述交叉点中除了所述一个角部以外的三个角部中至少对应一个角部。

根据这样的结构，在形成格子状的第1遮光膜的交叉点中观念上的四个角部中，除了对应于所述第2遮光膜的角部以外，以使对应于三个角部中的至少一个来形成第3遮光膜。

因此，首先，假如以切口部作为原因的光泄漏即使出现在预想以外的部位，也可以通过所述第3遮光膜预先防止产生该光泄漏。

此外，根据这样的第3遮光膜，在所述开关元件例如由薄膜晶体管等构成的情况下，可以预先防止光进入其半导体层(有源层)的情况。因此，可以预先防止因产生这样的情况而在半导体层内产生光漏泄电流，在图像上产生闪烁等。

再有，有关这样的光漏泄电流的作用效果，在所述开关元件‘以对应于所述格子状的交叉点来配置’的情况下更有效。这种情况下，因为通过交叉点的角部附近的光更容易入射到半导体层。

在该方式中，期望所述第3遮光膜以使其覆盖所述切口部来形成。

根据这样的结构，可以遮挡透过切口部本身的光，换句话说，可以遮挡透过最终没有形成像素电极部分的光的行进。

在本发明的第1或第2电光装置其它方式中，还包括与所述基板对向配置的对向基板、以及在所述基板和所述对向基板间封入的扭转向列型液晶(TN液晶；Twisted Nematic)，由所述TN液晶的旋转方向确定所述第2遮光膜的形成位置。

根据该方式，按照TN液晶的旋转方向，确定第2遮光膜的形成位置，从而可以可靠地防止发生切口部引起的光泄漏。因为根据本发明人的研究，可确认即使切口部的形成位置相同，但根据TN液晶的旋转方向不同，发生光泄漏的部位也有所不同。具体地说，如上述那样，在像素电极的平面形状为长方形时，如果以对夹持该长方形的一个短边的两个角部切口而形成所述切口部，则可确认所述光泄漏出现在夹持与所述短边对向的短边的两个角部的其中一个上的几率高，这种情况下，可确认例如如果所述TN液晶为左旋转，则光泄漏出现在所述两个角部中的一个上，而如果为右旋转，则与其相反地出现等的情况。

这样，虽然根据TN液晶的旋转方向而发生光泄漏的部位改变，但在本方式中，由于与之对应来形成第2遮光膜，所以可以更可靠地防止该光泄漏。

在本发明的第1或第2电光装置的另一方式中，将所述第1遮光膜配置在所述数据线和所述像素电极之间，使所述第1遮光膜为固定电位。

根据该方式，可以防止在数据线和像素电极间产生电容耦合。因此，不发生沿数据线的色不匀，可以显示更高质量的图像。此外，在本方式中，通过第1遮光膜具有这样的防止电容耦合用的膜的功能，与分别形成该第1遮光膜和防止所述电容耦合用的膜的情况相比，可以简化该电光装置的结构或构成，同时可以实现成本降低。

再有，为了更有效地获得这样的作用，也可以第1遮光膜覆盖数据线，并且该第1遮光膜的宽度比该数据线的宽度更宽来形成该第1遮光膜。这样形成的原因是，更可靠地进行数据线和像素电极间的遮蔽。

在本发明的第1或第2电光装置的另一方式中，在所述基板上还包括：电连接所述开关元件和所述像素电极的像素电位电极；面对该像素电位电极配置的固定电位电极；以及由配置在所述像素电位电极和所述固定电位电极间的电介质膜构成的存储电容器；所述第1遮光膜对所述固定电位电极供给固定电位。

根据该方式，首先，通过配有存储电容器，可以极大地提高像素电极中的电位保持特性，所以可以提高图像的对比度。

此外，根据本方式，所述第1遮光膜具有作为用于向构成所述存储电容器的一个电极的固定电位电极供给固定电位的布线功能。因此，与分别形成该第1遮光膜和用于向固定电位电极供给固定电位的布线的情况相比，可以简化该电光装置的结构或构成，同时可以实现成本降低。

再有，如果将具备本方式所述的主要条件的第1遮光膜配置在数据线和像素电极间，则如上述，该第1遮光膜还具有作为防止电容耦合用的膜的功能，该第1遮光膜的高功能化进一步增加，更有效地发挥所述结构简化、成本降低等效果。

在本发明的第1或第2电光装置的另一方式中，所述第1遮光膜有叠层结构。

根据该方式，由于第1遮光膜有叠层结构，所以与该第1遮光膜作为同一膜形成的所述第2遮光膜、或第3遮光膜也形成具有同一叠层结构的遮光膜。而且，如果该叠层结构例如为光反射材料和光吸收材料构成的双层结构，则所述第1、第2、或第3遮光膜具有优良的遮光性能。因此，可以更有效地获得所述第2遮光膜的防止发生光泄漏的作用效果，以及第1遮光膜的像素电极间的作为遮光的遮光作用效果。

此外，在第1遮光膜为叠层结构的情况下，除了考虑其具体的结构以外，也可以考虑提高所述遮光性能目的以外的目的。例如，在第1遮光膜如上述那样具有作为用于将固定电位供给存储电容器的固定电位电极的布线功能的情况下，期望该第1遮光膜低电阻化，所以作为该叠层结构的一层，期望使用电阻值更低的材料(例如，铝)。

再有，作为所述光反射材料的具体例，例如有光反射性能比较优良的铝构成的膜，作为所述光吸收材料的具体例，例如有光吸收性能比较优良的钛、或氮化钛构成的膜。

为了解决上述课题，本发明的电子设备包括所述本发明的电光装置(其中，包括其各种方式)。

根据本发明的电子设备，由于包括所述本发明的电光装置，所以没有翻转倾斜区域引起的图像质量下降和像素电极的切口部引起的光泄漏，可实现能够显示更高质量图像的液晶电视、携带电话、电子笔记薄、字处理机、取景器型或监视器直观型的录象机、工作站、电视电话机、POS终端、触摸板等各种电子设备。

为了解决上述课题，本发明的投射型显示装置包括：所述本发明的电光装置(其中，包括其各种形态)；光源；将从该光源发出的投射光导入所述电光装置的光学系统；以及投射从所述电光装置射出的投射光的投射光学系统。

根据本发明的投射型显示装置，由于包括所述本发明的电光装置，所以没有翻转倾斜区域引起的图像质量下降和像素电极的切口部引起的光泄漏，可实现能够显示更高质量图像的投射型显示装置。特别是在本发明的投射型显示装置中，作为所述光源，大多采用比较强力的光源，这种情况下，像素电极的切口部引起的光泄漏程度更明显(例如，该光泄漏更明亮等)，所以包括所述本发明的电光装置更有利。

从以下说明的实施方式中会明白本发明的这样作用和其他好处。

附图说明

图1是从对向基板侧观察TFT阵列基板和其上形成的各结构元件的电光装置的平面图。

图2是图1的H-H’剖面图。

图3是构成电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路。

图4是形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的多个相邻像素组的平面图，仅表示下层部分(直至图6中的标号70(存储电容器)的下层部分)的结构。

图5是形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的多个相邻像素组的平面图，仅表示上层部分(超过图6中的标号70(存储电容器)的上层部分)的结构。

图6是将图4和图5重合的情况下的A-A’剖面图。

图7是仅图示图5中电容布线和像素电极的平面图。

图8是表示像素电极的切口部引起的光泄漏形态的说明图。

图9是与图7相同意义的图，是表示电容布线的一部分的四边形状部的形成位置有所不同的图。

图10是与图7相同意义的图，是表示电容布线的一部分的四边形状部和三角形状部及像素电极的切口部的形成位置有所不同(与图7有上下正好相反的关系)。

图11是与图7相同意义的图，是表示像素电极的切口部的形成位置有所不同的图。

图12是将本发明实施方式的电光装置用作光阀的投射型显示装置的概略结图形化。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。以下的实施方式在液晶装置中使用本发明的电光装置。

[电光装置的整体结构]

首先，参照图1和图2来说明本发明的电光装置的实施方式的整体结构。这里，图1是从在其上形成了各构成元件的对向基板侧观察TFT阵列基板的电光装置的平面图，图2是图1的H-H’剖面图。这里，以作为电光装置一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

在图1和图2中，在本实施方式的电光装置中，将TFT阵列基板10和对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入液晶层50，将TFT阵列基板10和对向基板20通过在位于图像显示区域10a周围的密封区域中设置的密封材料52而相互粘结。

密封材料52用于粘结两基板，例如由紫外线固化树脂、热固化树脂等构成，在制造处理中涂敷在TFT阵列基板10上后，通过紫外线照射、加热等进行固化。此外，在密封材料52中，散布用于将TFT阵列基板10和对向基板20的间隔(基板间的间隙)形成规定值的玻璃纤维或玻璃珠等的间隙材料。即，本实施方式的电光装置作为投影机的光阀，适合小型并进行放大显示。

与配置了密封材料52的密封区域的内侧并行，将规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53设置在对向基板20侧。但是，也可以将这样的边框遮光膜53的一部分或全部作为内置第1遮光膜设置在TFT阵列基板10侧。再有，在本实施方式中，存在位于所述图像显示区域10a周边的周边区域。换句话说，在本实施方式中，特别是从TFT阵列基板10的中心来看，将比该边框遮光膜53远的区域规定为周边区域。

在周边区域中，在位于配置了密封材料52的密封区域外侧的区域中，将数据线驱动电路101和外部电路连接端子102沿TFT阵列基板10的一边设置。此外，扫描线驱动电路104以沿相邻这一边的两边、并且可覆盖所述边框遮光膜53来设置。而且，为了将这样设置在图像显示区域10a两侧的两个扫描线驱动电路104间连接，以沿TFT阵列基板10的剩余一边、并且可覆盖所述边框遮光膜53来设置多个布线105。

此外，在对向基板20的四个角部中，配置具有作为两基板间的上下导通端子功能的上下导通材料106。另一方面，在TFT阵列基板10中，在与这些角部对向的区域中，设置上下导通端子。由此，可以在TFT阵列基板10和对向基板20之间获得电导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成了像素开关用的TFT和扫描线、数据线等的布线后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，除了对向电极21之外，形成格子状或条纹状的第1遮光膜23，而且在最上层部分形成取向膜。此外，液晶层50例如由一种或混合了多种扭曲向列液晶的液晶构成，在其一对取向膜间，获得规定的取向状态。

再有，在图1和图2所示的TFT阵列基板10上，除了它们的数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，也可以形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路、将规定电压电平的预充电信号在图像信号之前分别供给多个数据线的预充电电路、用于检查制造中途和出厂时的该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。

[像素部的结构]

以下，参照图3至图6来说明本发明实施方式的电光装置的像素部的结构。这里，图3是构成电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路，图4和图5是形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻多个像素组的平面图。再有，图4和图5分别分开图示后述的叠层结构中下层部分(图4)和上层部分(图5)。

此外，图6是将图4和图5重合的情况下的A-A’剖面图。再有，在图6中，为了将各层、各部件达到图面上可识别程度的尺寸，在各层、各部件上比例有所不同。

(像素部的电路结构)

在图3中，在构成本实施方式的电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a电连接到该TFT30的源。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn可以按线顺序依次供给，对于相邻的多个数据线6a之间，也可以每组供给。

此外，在TFT30的栅上电连接栅电极3a，按规定的定时，将扫描信号G1、G2、…、Gm以该线顺序依次脉冲式地施加在扫描线11a和栅电极3a上而构成。像素电极9a与TFT30的漏电连接，通过将作为开关元件的TFT30仅在一定期间关闭其开关，从而按规定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn。

通过像素电极9a写入到作为电光物质一例的液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn在对向基板上形成的对向电极之间保持一定时间。液晶通过施加的电压电平而变化分子集合的取向和秩序，对光进行调制，可进行灰度显示。如果是常白色模式，根据以各像素为单位施加的电压来减少相对于入射光的透过率，如果是常黑色模式，根据以各像素为单位施加的电压来增加相对于入射光的透过率，作为整体，从电光装置射出具有与图像信号对应的对比度的光。

这里，为了防止保持的图像信号漏泄，附加与像素电极9a和对向电极之间形成的液晶电容并联的存储电容器70。这种存储电容器70与扫描线11a并排设置，包含固定电位侧电容电极和被固定为恒定电位的电容电极300。

[像素部的具体结构]

以下，参照图4至图6来说明通过上述数据线6a、扫描线11a和栅电极3a、TFT30等来实现上述电路工作的电光装置的具体结构。

首先，在图5中，将像素电极9a在TFT阵列基板10上矩阵状地设置多个(由实线表示轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横边界设置数据线6a和扫描线11a。数据线6a如后述那样，由包含铝膜等的叠层结构构成，扫描线11a例如由导电性的多晶硅膜等构成。此外，扫描线11a通过接触孔12cv与半导体层1a中图中右上斜线区域所示的沟道区域1a’对向的栅电极3a电连接，该栅电极3a为包含该扫描线11a的形式。即，分别在栅电极3a和数据线6a的交叉部位上，在沟道区域1a’中，设置将扫描线11a中包含的栅电极3a对向配置的像素开关用的TFT30。由此，TFT30(除了栅电极以外)成为存在于栅电极3a和扫描线11a之间的形态。

接着，如图4和图5的A-A’线剖面图的图6所示，电光装置例如包括：石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10；以及与其对向配置的、例如玻璃基板或石英基板构成的对向基板20。

如图6所示，在TFT阵列基板10侧，设置所述像素电极9a，在其上侧，设置实施了研磨处理等的规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。另一方面，在对向基板20侧，遍及其整个表面设置对向电极21，在其下侧，设置实施了研磨处理等的规定的取向处理的取向膜22。对向电极21与上述像素电极9a同样，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。

这样，在对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20之间，在由上述密封材料52(参照图1和图2)包围的空间中封入液晶等的电光物质，形成液晶层50。液晶层50在没有施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过取向膜16和22获得规定的取向状态。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除了所述像素电极9a和取向膜16以外，还将包含它们的各种结构形成叠层结构。这种叠层结构如图6所示，从下向上由包含扫描线11a的第1层、包含栅电极3a的TFT30等的第2层、包含存储电容器70的第3层、包含数据线6a等的第4层、包含电容布线400(本发明中对应于所谓‘第1遮光膜’的一例)等的第5层、包含所述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最上层)构成。此外，在第1层和第2层间设置衬底绝缘膜12，在第2层和第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层间设置第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层间设置第4层间绝缘膜44，防止上述各元件间产生短路。此外，在这些各种绝缘膜12、41、42、43和44中，例如还设置将TFT30的半导体层1a中的高浓度源区域1d和数据线6a电连接的接触孔等。以下，对于这些各个元件，以从下向上的顺序进行说明。再有，上述中从第1层至第3层作为下层部分图示在图4中，而从第4层至第6层作为上层部分图示在图5中。

(叠层结构：第1层的结构-扫描线等-)

首先，在第1层中，设置例如包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的至少一种金属，由金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将其叠层的物质、或导电性多晶硅等构成的扫描线11a。平面上看，将该扫描线11a沿图4的X方向条纹状地图形化。更详细地观察，条纹状的扫描线11a包括沿图4的X方向延伸的本线部、以及在数据线6a或电容布线400延伸的图4的Y方向上延伸的突出部。再有，从相邻的扫描线11a延伸的突出部相互不连接，因此，该扫描线11a成为一条一条分断的形状。

(叠层结构：第2层的结构-TFT等-)

接着，作为第2层，设置包含栅电极3a的TFT30。如图6所示，TFT30有LDD(Lightly Doped Drain)结构，作为其构成要件，包括上述的栅电极3a、例如通过来自多晶硅膜构成的栅电极3a的电场而形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’、包含将栅电极3a和半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a中的低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d和高浓度漏区域1e。

此外，在本实施方式中，在该第2层中，作为与上述栅电极3a同一膜，形成中继电极719。俯视该中继电极719如图4所示，以位于各像素电极9a X方向上延伸的一边大致中央而岛状地形成。中继电极719和栅电极3a作为同一膜形成，所以后者在例如由导电性多晶硅膜等构成的情况下，前者也由导电性多晶硅膜等构成。

再有，上述的TFT30最好如图6所示具有LDD结构，但也可以具有在低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c中不掺入杂质的偏置结构，也可以是将栅电极3a作为掩模，以高浓度掺入杂质，自对准地形成高浓度源区域和高浓度漏区域的自对准型的TFT。

(叠层结构：第1层和第2层间的结构-衬底绝缘膜-)

在以上说明的扫描线11a的上面，并且在TFT30的下面，设置例如氧化硅膜等构成的衬底绝缘膜12。衬底绝缘膜12除具有将TFT30与扫描线11a进行层间绝缘的功能以外，通过形成在TFT阵列基板10的整个表面上，还具有防止TFT阵列基板10的表面研磨时的破裂，以及清洗后剩余的污迹等引起像素开关用的TFT30的特性变化的功能。

在该衬底绝缘膜12中，平面上看，在半导体层1a的两侧，沿后述的数据线6a延伸的顺着半导体层1a的沟道长度方向挖出沟状的接触孔12cv，对应于该接触孔12cv，在其上方叠层的栅电极3a包含在下侧凹状形成的部分。此外，为了将该接触孔12cv整体进行填埋，通过形成栅电极3a，在该栅电极3a上，延伸设置与其一体形成的侧壁部3b。由此，TFT30的半导体层1a如图4所示，平面上看从侧面被覆盖，至少抑制来自该部分的光的入射。

此外，将该侧壁部3b以可填埋所述接触孔12cv来形成，同时其下端可与所述扫描线11a连接。这里，扫描线11a如上述那样形成条纹状，所以存在于某一行上的栅电极3a和扫描线11a仅着眼该行始终为同电位。

(叠层结构：第3层的结构-存储电容器等-)

而且，在接续所述第2层的第3层中，设置存储电容器70。将连接到TFT30的高浓度漏区域1e和像素电极9a的作为像素电位侧电容电极的下部电极71和作为固定电位侧电容电极的电容电极300通过电介质膜75对向配置来形成存储电容器70。根据该存储电容器70，可显著提高像素电极9a中的电位保持特性。此外，观察图4的平面图可知，本实施方式的存储电容器70以大致不到达对应于像素电极9a的形成区域的光透过区域来形成(换句话说，以收敛在遮光区域内来形成)，所以将电光装置整体的像素开口率维持得比较大，由此可显示更明亮的图像。

更详细地说，下部电极71例如由导电性的多晶硅膜构成，具有作为像素电位侧电容电极的功能。但是，下部电极也可以由包含金属或合金的单一层膜或多层膜构成。此外，该下部电极71除了具有作为像素电位侧电容电极的功能以外，还具有将像素电极9a和TFT30的高浓度漏区域1e进行中继连接的功能。其中，这里所述的中继连接通过所述中继电极719进行。

电容电极300具有作为存储电容器70的固定电位侧电容电极的功能。在本实施方式中，通过实现与形成了固定电位的电容布线400(将后述)进行电连接，以便使电容电极300为固定电位。此外，电容电极300由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的至少一个、金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅、叠层它们的物质、或最好是钨硅化物来构成。由此，电容电极300具有遮挡从上侧入射到TFT30的光的功能。

如图6所示，电介质膜75例如由膜厚5～20nm左右的比较薄的HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。从增大存储电容器70的观点来看，只要可充分获得膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。

在本实施方式中，如图6所示，该电介质膜75具有下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b的双层结构。上层的氮化硅膜75b比像素电位侧电容电极的下部电极71的尺寸稍大，或以相同尺寸图形化，以可在遮光区域(非开口区域)内收敛来形成。

再有，在本实施方式中，电介质膜75具有双层结构，但根据情况，也可以具有例如氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜等的三层结构，或其以上的叠层结构。当然也可以为单层结构。此外，作为使用的材料，除了氮化硅以外，也可以使用Al₂O₃、Ta₂O₅、HfO₂等。

(叠层结构、第2层和第3层间的结构-第1层间绝缘膜-)

在以上说明的TFT30或者栅电极3a和中继电极719的上面，并且在存储电容器70的下面，例如形成NSG(非搀杂硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜和氧化硅膜、或最好是NSG构成的第1层间绝缘膜41。

然后，在该第1层间绝缘膜41上，将TFT30的高浓度源区域1d和后述的数据线6a进行电连接的接触孔81贯通后述第2层间绝缘膜42，同时进行开孔。此外，在第1层间绝缘膜41中，开孔将TFT30的高浓度漏区域1e和构成存储电容器70的下部电极71进行电连接的接触孔83。而且，在该第1层间绝缘膜41中，开孔将构成存储电容器70的作为像素电位侧电容电极的下部电极71和中继电极719进行电连接的接触孔881。此外，在第1层间绝缘膜41中，将用于电连接中继电极719和后述的第2中继电极6a2的接触孔882贯通后述第2层间绝缘膜，同时进行开孔。

(叠层结构：第4层的结构-数据线等-)

而且，在接续所述第3层的第4层上，设置数据线6a。如图6所示，作为具有从下层起依次为铝构成的层(参照图6中的标号41A)、氮化钛构成的层(参照图6中的标号41TN)、氮化硅膜构成的层(参照图6中的标号401)的三层结构的膜来形成该数据线6a。氮化硅膜以稍大的尺寸图形化，以使其可覆盖其下层的铝层和氮化钛层。

此外，在该第4层上，作为与数据线6a同一膜，形成电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2。由此，如图5所示，从平面来看，它们不是以具有与数据线6a连续的平面形状来形成，而是各者间图形化上被分断那样来形成。例如，着眼于图5中最左方的数据线6a，在其正右方形成具有大致矩形形状的电容布线用中继层6a1，而且在其右方形成面积比电容布线用中继层6a1稍大的具有大致矩形形状的第2中继电极6a2。

其中，这些电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2与数据线6a作为同一膜来形成，具有从下层依次为铝构成的层、氮化钛构成的层、等离子体氮化膜构成的层的三层结构。

(叠层结构：第3层和第4层间的结构-第2层间绝缘膜-)

在以上说明的存储电容器70的上面，并且在数据线6a的下面，形成例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜和氧化硅膜等的第2层间绝缘膜42，或最好是使用TEOS气体通过等离子体CVD法形成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42中，开孔将TFT30的高浓度源区域1d和数据线6a电连接的所述接触孔81，同时开孔将所述电容布线用中继层6a1和作为存储电容器70的上部电极的电容电极300电连接的接触孔801。而且，在第2层间绝缘膜42中，形成用于将第2中继电极6a2和中继电极719电连接的所述接触孔882。

(叠层结构：第5层的结构-电容布线等-)

然后，在接续所述第4层的第5层中，形成电容布线400和第3中继电极402。其中，平面上来看，电容布线400如图5所示，分别在图中X方向和Y方向上延伸，格子状地形成。有关该电容布线400，在大概结束有关图6的叠层结构的各层的说明后，重新详细地说明其细节。

(叠层结构：第4层和第5层间的结构-第3层间绝缘膜-)

在以上说明的所述数据线6a的上面，并且在电容布线400的下面，形成NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等的第3层间绝缘膜43，或最好是使用TEOS气体通过等离子体CVD法形成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43中，分别开孔将所述电容布线400和电容布线用中继层6a1电连接的接触孔803、以及用于将第3中继电极402和第2中继电极6a2电连接的接触孔804。

(叠层结构：第6层和第5层及第6层间的结构-像素电极等-)

最后，在第6层中，如上述那样，矩阵状地形成像素电极9a，在该像素电极9a上形成取向膜16(再有，在本实施方式中，在像素电极9a的平面形状上有特征，有关这方面将后述)。在该像素电极9a下面，形成NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜和氧化硅膜等的第4层间绝缘膜44，或最好是由NSG构成的第4层间绝缘膜44。在该第4层间绝缘膜44中，开孔用于将像素电极9a和所述第3中继电极402间电连接的接触孔89。通过该接触孔89、第3中继层402及上述接触孔804、第2中继层6a2、接触孔882、中继电极719、接触孔881、下部电极71和接触孔83，将像素电极9a和TFT30之间电连接。

[电容布线的结构和作用]

以下，参照直至上述参照的各图及图7和图8，详细地说明上述中作为第5层中设置的要件说明的有关电容布线400的结构和作用。这里，图7是在图5所示的各种元件中仅提取电容布线和像素电极来描述的平面图。而图8是表示像素电极的切口部产生的光泄漏状况的平面图。

首先，在说明电容布线400的结构等之前，说明与该电容布线400的结构紧密相关的像素电极9a的平面形状。

像素电极9a如图5和图7所示，有切口部91。在该切口部91不存在的情况下，或在该切口部91的部分中还存在像素电极的情况下形成本实施方式的切口部91，以平面上看在长方形状的像素电极(图7中，参照右上端的像素电极9a中的虚线)中，将夹持该长方形状的短边的两个角部切口。

在本实施方式中，通过存在这样的切口部91，可以防止相邻的翻转倾斜区域的相互作用。这里，翻转倾斜区域是指例如在第n场期间内，将图3、图5或图7所示的各行(图中X方向)的像素电极9a正负交替驱动，同时在随后的第n+1场期间内，将所述各行的像素电极9a与上述相反地负正交替驱动(以下同样地继续)，通过实施所谓的‘1H反转驱动’来实现(更具体地说，指在第n场中，第奇数行的像素电极9a为正，第偶数行的像素电极9a为负，在第n+1场中，奇数行的像素电极9a为负，偶数行的像素电极9a为正)。根据这样的1H反转驱动，通过在每个像素电极9a上附加极性相反的电场，在液晶分子的排列状态上容易产生混乱，所以在特定的区域中，出现排列在与原来方向相反的方向上的液晶分子。该特定区域是翻转倾斜区域。而且，在不存在所述切口部91的情况下，相邻的像素电极9a间的距离，例如图7中右上端的像素电极9a和其左邻的像素电极9a间的距离比较窄(参照图7虚线)，所以在这些像素电极9a上产生的翻转倾斜区域间产生相互作用，例如产生残存横一条方式的黑线显示等的图像质量下降。

但是，在本实施方式中，通过存在所述切口部91，可以将相邻的像素电极9a远离，所以可以防止翻转倾斜区域间的相互作用，不产生上述那样的图像上的不良情况。

此外，在本实施方式中，通过形成切口部91，可获得上述的作用效果，同时与不存在切口部91的状态相比，还可获得可显示不逊色的明亮的图像的作用效果。这是因为，如图5所示，将切口部91设置在产生翻转倾斜区域危险的某一必要最小限度的区域中，仅在该部分中将像素电极9a间的距离远离，使具有作为光透过区域意义的像素电极9a的面积不窄于需要以上。

再有，在本实施方式中，具体地说，例如像素间距DD为14[μm]，在像素电极9a的除了图中X方向的切口部91以外的宽度W1为11.0～11.5[μm]的情况下，将该图中横方向的宽度W₂设定为12.0～12.5[μm]左右就可以(关于DD、W1和W2，参照图7)。其中，这种情况下，不存在切口部91的部分中的相邻像素电极9a间的距离为DD-W2＝1.5～2.0[μm](＝“W3”。参照图7)左右，存在切口部91的部分中的该距离为(DD-W1)＝2.5～3.0[μm]左右。满足了这样的关系的情况，成为可最大限度发挥上述作用效果的一例。

而且，像素电极9a如上述那样配有切口部91来应对，在本实施方式中，电容布线400包括以下那样的结构。首先，如图5和图7所示，将电容布线400格子状地形成，以使其在图中X方向和Y方向上分别延伸(再有，在图5和图7中，对电容布线400的形成区域施加阴影线)。对于该电容布线400中图中Y方向上延伸的部分，以可覆盖数据线6a并且比该数据线6a宽度宽地形成。此外，对于图中X方向上延伸的部分，为了确保形成第3中继电极402的区域，形成切口部，以使其对应在各像素电极9a的一边的中央附近。这里，如图6所示，将所述第3中继电极402与电容布线400作为同一膜形成。如图6所示，该第3中继电极402通过接触孔804和89，具有将第2中继电极6a2和像素电极9a间电连接进行中继的功能。由此，通过数据线6a供给的图像信号依次流过接触孔81、TFT30、接触孔83、存储电容器70、接触孔881、中继电极719、接触孔882、第2中继电极6a2、接触孔804、第3中继电极402及接触孔89，供给像素电极9a。再有，第3中继电极402和电容布线400间不是平面连续地形成，两者间以图形化上被分断来形成。

而且，在图5和图7中，在XY方向分别延伸的电容布线400的交叉部分的角部中，设置四边形状部410和三角形状部411，以填埋该角部。更详细地说，如果着眼于一个交叉部分，则为应对图中左上的角部，形成四边形状部410(本发明中对应于‘第2遮光膜’的一例)，在图中左下的角部和右下的角部分别形成三角形状部411(本发明中对应于‘第3遮光膜’的一例)。这些四边形状部410和三角形状部411都与电容布线400作为同一膜，而且以从该电容布线400延伸设置而形成(换句话说，可以说作为该电容布线400的一部分来形成)。此外，应对将像素电极9a的切口部91如上述那样形成在作为该像素电极9a的平面形状的长方形状中的夹持图中下边的两个角部中，在夹持与所述图中下边对向的图中上边的两个角部中可应对图中左方的角部来形成上述四边形状部410。另一方面，三角形状部411对应形成在形成于像素电极9a中的切口部91的形成位置，同时以可全部覆盖该切口部91来形成。

另外，上述电容布线400和第3中继电极402有下层为铝构成的层、上层为氮化钛构成的层的双层结构。其中，通过下层的铝构成的层光反射能力比较良好，上层的氮化钛构成的层光吸收能力比较良好，从而这些电容布线400和第3中继电极402具有作为遮光膜的功能。

此外，通过所述电容布线400从配置了像素电极9a的图像显示区域10a与延伸设置在其周围的恒定电位源进行电连接，从而为固定电位。而且，该电容布线400通过接触孔803与电容布线用中继层6a1电连接，从中再通过接触孔801与作为存储电容器70的一个电极的电容电极300电连接。这样，电容布线400具有将固定电位供给电容电极300的功能。

[电光装置的作用效果]

以上那样构成的电光装置，特别是通过与像素电极9a中形成的切口部对应形成的电容布线400中的四边形状部410和三角形状部411，可获得以下的作用效果。

首先，第一，根据本实施方式的电光装置，可以防止发生像素电极9a的切口部91引起的光泄漏。例如图8所示那样可观察出这种光泄漏。这里，图8是表示在像素电极9a中设置了切口部91的情况下观察的光泄漏状况的说明图。如该图所示，如果将图5和图7所示的切口部91形成在像素电极9a中，则尽管其详细的原因不清楚，但在各像素电极9a的图中左上所对应的部分中，可确认产生比较强的光泄漏C。在有这样的光泄漏C时，例如尽管想用黑色B显示整个面，但不能达到这个目的(即，图像质量下降)(参照图8)。可是，在本实施方式中，作为电容布线400的一部分，形成四边形状部410。因此，根据本实施方式，通过该四边形状部410，可以遮挡所述光泄漏的光的行进，而且可以防止图像质量的下降。这样，根据本实施方式，通过在像素电极9a中形成切口部91，可以防止翻转倾斜区域引起的图像质量下降，同时可以防止该切口部91引起的光泄漏，从而可以防止图像质量的下降。

此外，在本实施方式中，尽管可获得这样的作用效果，但将四边形状部410以仅覆盖一个一个像素电极9a的图中左上角部来形成，该四边形状部410不过大面积地覆盖具有作为光泄漏区域意义的像素电极9a的形成区域，所以与以往相比，几乎不牺牲图像的亮度。关键是，根据本实施方式，可以获得有关防止所述光泄漏的作用效果，同时依然可以进行更明亮的图像显示。

此外，作为本实施方式的电光装置的第二作用效果，作为电容布线400的一部分，除了所述四边形状部410以外，通过形成三角形状部411，假设即使以所述切口部91为原因的光泄漏出现在所述图8所示的位置以外、即预想外的部位，也可以预先防止发生该光泄漏。此外，根据这样的三角形状部411，可以预先防止光进入TFT30的半导体层1a的情况。因此，根据本实施方式，可以预先防止因发生这样的情况，而在半导体层1a内产生光漏泄电流，在图像上产生闪烁等。特别是在本实施方式中，通过将TFT30以对应格子状的电容布线400的交叉部分来配置(参照图4和图5)，在没有所述三角形状部411的情况下，通过该交叉部分的角部附近的光入射到半导体层1a中的可能性大，所以可更有效地利用所述作用效果。而且，该三角形状部411以覆盖像素电极9a的切口部91的全部来形成，所以可以遮挡穿过该切口部91本身的光，换句话说，最终可以遮挡穿过没有形成像素电极9a部分的光的行进。

再有，在上述中，四边形状部410为了应对‘光泄漏’而设置，三角形状部411为了防止对半导体层1a的光入射而设置，进行了如是说的区别记载，但这只不过是为了便于说明而已，不涉及本发明的本质事项。即，四边形状部410将可靠地防止图8上切口部91引起的‘光泄漏’作为主要任务，但应该明白，该四边形状部410同样具有上述三角形状部411的功能(即，防止对半导体层1a的光入射)。换句话说，在这种意义上，四边形状部410和三角形状部411没有功能性的差异。此外，有关这方面，在本实施方式中，取四边形状部410和三角形状部411的称呼名称，同时在它们的具体形状上也设置名称那样的差异，但这只不过都是为了说明的方便，在本发明中没有特殊的意义。即，填埋电容布线400的交叉部分的角部的形状无论三角形还是四边形都可以(即，本发明中称为‘第2遮光膜’和‘第3遮光膜’可以如本实施方式那样有各自不同的形状，也可以有完全相同的形状，此外，根据部位，即使是相同的‘第3遮光膜’，也可以包含具体形状不同的遮光膜)。

而且，作为本实施方式的电光装置的第三作用效果，将电容布线400在TFT阵列基板10上的叠层结构上配置在像素电极9a和数据线6a间(参照图6)，而且形成固定电位，所以防止在像素电极9a和数据线6a间产生电容耦合。因此，根据本实施方式，不沿数据线6a产生色不匀等，可以显示更高质量的图像。此外，在本实施方式中，通过电容布线400如上述那样由铝构成的膜和氮化钛构成的膜构成而具有作为遮光膜的功能，这样在一个要件上同时具有两个功能，与分别形成该电容布线400和该遮光膜的情况相比，可以简化该电光装置的结构或构成，同时可以实现成本的低廉化。

此外，本实施方式的所述电容布线400具有作为用于向构成所述存储电容器70的一个电极的电容电极300供给固定电位的布线的功能(参照图6)。这样，本实施方式的电容布线400同时具有防止像素电极9a和数据线6a间的电容耦合的所谓屏蔽层功能、向存储电容器70的电容电极300供给固定电位的功能、以及与防止所述切口部91引起的‘光泄漏’的三角形状部41作为同一膜形成时的遮光膜的功能(不用说，还包含防止对TFT30的光入射的功能)这三个功能，简化所述电光装置的结构或构成，更有效地实现成本的低廉化。

再有，在上述实施方式中，除了格子状形成的电容布线400的形成区域以外(如果用本发明的用语表述，则为‘除了格子状式地’)可以形成像素电极9a。其中，从图5和图7所示可知，在本实施方式中，构成像素电极9a的各边以平面看使其可与电容布线400的一部分重合来形成，所以严格地讲不能说‘除了’，但在‘除了式地’的范畴内。这样，本发明中所谓‘除了式地’也包含电容布线400的一部分和像素电极9a的一部分相互重合的情况。

此外，在上述实施方式中，以对应夹持像素电极9a的图中下边的两个角部来形成切口部91，作为电容布线400的一部分的四边形状部410形成在夹持与所述下边对向的图中上边的两个角部中的图中左方等，但本发明不限定于这样的方式。

首先，根据本发明人的研究，参照图8说明的光泄漏C的发生位置被确认为随着TFT阵列基板10和对向基板20间夹持的液晶层50内的液晶分子的旋转方向而受到影响。即，已经说明的图8的光泄漏C的产生形态实际上在液晶层50内的液晶分子左旋转情况下被观察到，而在该液晶分子右旋转的情况下，可确认光泄漏产生与图8相反的位置(即，在图中各像素的右上)。因此，这种情况下，在图5和图7中所示的配置关系中，不能有效地防止光泄漏引起的图像质量的下降。因此，在本发明中，分别按照上述那样的液晶分子的左旋转和右旋转，可变更四边形状部的形成位置。例如，在液晶分子右旋转的情况下，如上述那样，因为在与图8相反的位置上产生光泄漏，所以例如构成图9所示的配置关系的电光装置就可以。在图9中，与图7相比可知，尽管切口部91(及三角形状部411)的形成位置没有不同，但图9的四边形状部420与图7的四边形状部410正好形成左右相反的位置上。由此，与上述同样，可以防止发生光泄漏。

此外，光泄漏毕竟是随着像素电极9a中形成的切口部的位置而产生，所以如图10所示，如果像素电极9a的切口部92与图5和图7的情况有所不同，以对应于夹持图中上边的两个角部而形成，则电容布线400的四边形状部430如该图所示，可以是对应于该电容布线400的交叉部分中的图中左下的角部而形成的形态。其中，在图10中，随着四边形状部430的形成位置变更，从与图7的对比中可知，三角形状部431也变化其形成位置。

而且，像素电极9a中形成的‘切口部’不限于图7至图10所示的方式。例如，如图11所示，也可以采用仅在夹持像素电极9a的图中下边的两个角部中一个角部上形成切口部93的方式。即使是这样的情况，也不改变因形成该切口部93而可增大相邻的像素电极9a间的物理距离，所以可以防止翻转倾斜区域引起的图像质量的下降。而且，在这样的结构中，如果形成本实施方式的四边形状部410和三角形状部411，显然可获得与上述大致同样的作用效果。再有，在图11中，将四边形状部410和三角形状部411形成在与图7完全相同的位置上，但因变更‘切口部’，有‘光泄漏’以其他方式出现的可能性。因此，在这样的情况下，以该四边形状部410的形成位置为主，也可以适当变更三角形状部411的形成位置。

另外，在本发明中，以像素电极的切口部和四边形状部的配置关系作为基础，有上述以外的各种变形方式，本发明无论是哪种方式，基本上都包括在其范围内。

(电子设备)

下面，说明作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的一例电子设备的投射型彩色显示装置的实施方式，说明其整体结构，特别是光学结构。这里，图12是投射型彩色显示装置的图式剖面图。

在图12中，作为本实施方式的投射型彩色显示装置一例的液晶投影机1100如下构成：准备三个包括将驱动电路搭载在TFT阵列基板上的液晶装置的液晶模块，分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B的投影机。在液晶投影机1100中，从卤化金属灯等的白色光源的灯组件1102发射投射光时，通过三片反射镜1106和两片分色镜1108，分成对应于RGB三基色的光分量R、G和B，分别导入对应各色的光阀100R、100G和100B。此时，为了防止因长光路引起的光损失，特别将B光通过入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜系统1121来导入。然后，通过光阀100R、100G和100B分别调制的对应于三基色的光分量由分色棱镜1112再次合成后，通过投射透镜1114作为彩色图像投射在屏幕1120上。

本发明不限于上述实施方式，在从技术方案和说明书整体中获取的本发明的精神、或不违背其思想的范围内可适当变更，伴随这种变更的电光装置和电子设备及投射型显示装置也包括在本发明的技术范围中。

Claims (12)

1.一种电光装置，其特征在于，在基板上包括：

在一定方向上延伸的数据线和在与该数据线交叉的方向上延伸的扫描线；

通过所述扫描线被供给扫描信号的开关元件；

通过所述数据线经所述开关元件被供给图像信号的像素电极；

将该像素电极的一部分切口的切口部；

沿所述数据线和所述扫描线的至少一方延伸的第1遮光膜；以及

与该第1遮光膜作为同一膜形成的用于防止所述切口部引起的光泄漏的第2遮光膜。

2.一种电光装置，其特征在于，在基板上包括：

在一定方向上延伸的数据线和在与该数据线交叉的方向上延伸的扫描线；

通过所述扫描线被供给扫描信号的开关元件；

通过所述数据线经所述开关元件被供给图像信号的俯视包含矩形形状的像素电极；

将该像素电极中的所述矩形形状的角部切口的切口部；

沿所述数据线和所述扫描线的至少一方延伸的第1遮光膜；以及

与该第1遮光膜作为同一膜形成的与所述像素电极中的所述矩形形状的至少一个角部对应配置的第2遮光膜。

3.如权利要求2所述的电光装置，其特征在于，所述切口部对夹持所述矩形形状中的某一边的两个角部中的至少一个进行切口来形成，

所述第2遮光膜以对应于夹持与所述某一边对向的边的两个角部的其中之一来形成。

4.如权利要求1至3任何一项所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜沿所述扫描线和所述数据线的其中之一俯视格子状地形成，并且所述像素电极除了该格子状以外式地，矩阵状地排列，

所述第2遮光膜以对应于所述格子状的各交叉点的角部来形成。

5.如权利要求4所述的电光装置，其特征在于，所述第2遮光膜对应于所述交叉点的一个角部来形成，

同时还包括第3遮光膜，其与所述第1遮光膜和所述第2遮光膜作为同一膜形成，在所述交叉点中除了所述一个角部以外的三个角部中至少对应于一个角部。

6.如权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述第3遮光膜以覆盖所述切口部来形成。

7.如权利要求1至3任何一项所述的电光装置，其特征在于，还包括与所述基板对向配置的对向基板、以及在所述基板和所述对向基板间封入的扭曲向列型液晶(TN液晶；Twisted Nematic)，

根据所述TN液晶的旋转方向确定了所述第2遮光膜的形成位置。

8.如权利要求1至3任何一项所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜配置在所述数据线和所述像素电极之间，所述第1遮光膜取为固定电位。

9.如权利要求1至3任何一项所述的电光装置，其特征在于，在所述基板上还包括：电连接所述开关元件和所述像素电极的像素电位电极；与该像素电位电极对向配置的固定电位电极；以及由配置在所述像素电位电极和所述固定电位电极间的电介质膜构成的存储电容器；

所述第1遮光膜对所述固定电位电极供给固定电位。

10.如权利要求1至3任何一项所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜有叠层结构。

11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至3任何一项所述的电光装置。

12.一种投射型显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1至3任何一项所述的电光装置；

光源；

将从该光源发出的投射光导入所述电光装置的光学系统；以及

投射从所述电光装置射出的投射光的投射光学系统。

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