CN1267775C - 电光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

电光装置，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。

Description

电光装置和电子设备

技术领域

本发明属于电光装置和电子设备的技术领域，特别是属于具备改善像素电极的电位保持特性的存储电容器的电光装置和其构成为具备该电光装置的电子设备的技术领域。此外，本发明也属于电子纸(paper)等的电泳装置或EL(电致发光)装置或使用电子发射元件的装置(电场发射显示器和表面传导电子发射显示器)等的技术领域。

背景技术

人们知道得益于具备矩阵状地排列的像素电极和被连接到该像素电极中的每一者上的薄膜晶体管(以下，适宜叫做‘TFT’)、连接到该TFT中的每一者上，与行和列方向分别平行地设置的扫描线和数据线，因而可以进行所谓的有源矩阵驱动的电光装置。在这样的电光装置中，由于还具有已形成了上述的像素电极、TFT等的TFT阵列基板，与之对向配置的已形成了对向电极的对向基板，和被两基板挟持着的液晶等的电光物质，故可以显示图像。就是说，采用用上述有源矩阵驱动，对上述像素电极写入规定的图像信号的办法，在每一个像素中都给上述电光物质施加上与该图像信号对应的电场以变更其状态，变更光的透过率。例如，参看专利文献1。

专利文献1：日本公开特许2002-156652号公报。

在该情况下，例如，在设置有多条上述扫描线的情况下，从使连接到1条扫描线上的TFT变成为导通的状态，到其次该TFT再变成为导通的状态为止方面，对数条扫描线都选择完了为止，需要一定的时间。因此，对于像素电极或液晶等的电光物质施加上的电压，一般地说，由于结果就变成为在该一定时间内进行衰减，故要是在该状态下就会给图像上造成影响。

于是，在现有的电光装置中，除去上述那样的构成外，在TFT阵列基板上有时候还具备存储电容器。这是一种由其构成为把电介质膜挟持起来的一对基板构成，在给像素电极施加图像信号对于液晶等的电光物质施加规定的电场，同时，被作成为使得可以施加同一电场的电容器。归因于利用这样的存储电容器，在上述那样的全选择期间之内，典型地说，例如在1个场期间内，由于可以像当初施加时那样维持对液晶等的电光物质的电场，故可以显示高品质的图像。

但是，在现有的电光装置中，存在着不能把上述的存储电容形成得充分地大的问题。如果不能把存储电容形成得充分地大，则就不能在上述全选择期间内充分地进行已对液晶等的电光物质施加上的电场的维持，结果就变成为在图像上会产生显示不均匀或闪烁等。

为了应付这样的问题，理想的是加大存储电容器，但是在今天随着电光装置的小型化、该精细化或高开口率化的不断进展，满足该要求就变得困难起来。例如，如果想要单纯地实现存储电容的增大化，虽然可以考虑进行使构成该存储电容器的上部电极和下部电极等大面积化的尝试，但是，要这样做开口率的减少是必须的，对于要显示明亮的图像的电光装置来说要满足根本的要求是不可能的。

此外，为了实现存储电容的增大化，虽然也可以考虑进行使上部电极和下部电极间的间隔变窄，就是说使电介质膜薄膜化的尝试，但是，甚至是在现状下，由于电介质膜的厚度已经进行了相当程度地薄膜化，故这样的尝试已经达到了界限。

发明内容

本发明就是鉴于上述那些问题而完成的，目的在于提供可以在维持高开口率原状不变地增大存储电容，可以显示没有显示不均匀和闪烁等的高品质的图像的电光装置和其构成为具备这样的电光装置的电子设备。

本发明的第1电光装置，为了解决上述课题，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线；在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的薄膜晶体管；配置在上述数据线的上层，与上述薄膜晶体管对应配置的像素电极；电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；配置在上述数据线和上述像素电极间的遮光层，其特征在于，夹持构成上述存储电容器的电介质膜的上部电极和下部电极，其叠层的剖面形状具有凸形形状，该凸形形状含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层的平行部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层的立起部分。

倘采用本发明的第1电光装置，首先，由于具备扫描线和数据线以及像素电极和薄膜晶体管，故可以进行有源矩阵驱动。此外，在该电光装置中，上述各种构成部分构成叠层结构的一部分，故可以实现整个装置的小型化等，此外，通过实现各种构成部分的适当配置，可提高像素的开口率。另外，由于在数据线和像素电极间具备屏蔽层，故可以防患于未然地防止在两者间产生电容耦合。就是说，借助于数据线的通电，就可以减小像素电极上的电位变动等产生的可能性，可以显示更高品质的图像。此外，在本发明中，还具备由其构成为把电介质膜挟持起来的上部电极和下部电极构成，该上部电极和该下部电极中的一方连接到上述像素电极而构成的存储电容器。因此，当给像素电极施加上与上述图像信号对应的电场时，结果就变成为在该存储电容器上存储有与之相同的电场。因此，由于可以在遍及规定的期间地维持施加到液晶上的电场，所以，倘采用本发明，则可以显示没有闪烁等的高品质的图像。

在这里，特别是在本发明中，由于上述存储电容器包括上述上部电极和上述下部电极把上述电介质膜挟持起来地沿着与上述基板的表面平行的面地进行叠层的第1部分，和沿着对上述基板的表面立起的平面叠层的第2部分，故其剖面形状含有凸形形状。就是说，结果变成为位于其上层的电介质膜和上部电极，例如，要根据下部电极自身对于基板究竟是被形成为含有凸形形状的部分，还是在该下部电极的下边的规定的地方上形成有凸状构件等，具有作成为从剖面视图看弯曲的形状。因此，在该情况下，与现有的平面性的存储电容器比较，结果变成为仅仅其构成为沿着沿着基板的表面立起的平面，使上部电极、电介质膜和下部电极叠层起来的第2部分的面积部分，换句话说，仅仅凸形形状的侧壁的面积部分，才可以期待电容增大的作用效果。

因此，在本发明中，由于可以增大其容量而无须平面性地增大构成存储电容器的上部电极和下部电极的面积，故可以在维持高开口率原状不变地实现存储电容的增大，因而可以显示没有显示不均匀、闪烁等的高品质的图像。

再有，本发明可以构成这样的叠层体：上述电介质膜由含有不同的材料的多层构成，同时，其中的一层与别的层比较含有由高介电系数材料构成的层。借助于此，将进一步提高该存储电容器的电荷存储特性。

这一点，结果变成为会对本发明的电光装置的高品质的图像显示作出大的贡献。

另外，存储电容器的剖面形状含有凸形形状这样的形态，如上所述，虽然可以用把它形成为使得下部电极自身含有凸形形状的部分，或者在下部电极的下边形成凸状构件等手段实现，但是在本发明中，也可以作成为以其它的手段或方法实现上述形态那样的形态。例如，在在下部电极的下层上，形成一种什么布线、电路元件等，而且，在它们之上形成层间绝缘膜的情况下，在在该层间绝缘膜的表面上，相应于上述布线、上述电路元件等所具有的高度产生了台阶的情况下，可以考虑这样地利用该台阶：使之变成为上述第2部分或上述凸形形状的基础的情况等。就是说，在该情况下，在上述台阶上如果依次形成下部电极、电介质膜、上部电极，则可以自然地构成作为剖面形状含有凸形形状的存储电容器。

此外，在有的情况下，也可以作成为这样的形态：例如在基板上的层间绝缘膜上形成凹部，使得把该凹部覆盖起来那样地形成下部电极和电介质膜，同时，在其上，使得把该凹部完全填埋起来，而且，把上述层间绝缘膜的表面覆盖起来那样地形成上部电极。

再有，在本发明中，由于构成存储电容器的上部电极和下部电极的一方，被连接到像素电极上，故结果变成为与之具有同一电位，但是，在该情况下，对于未连接到像素电极上的另一方的电极来说，理想的是变成为固定电位。顺便说一下，在该情况下，对于成为连接到像素电极上的上部电极或下部电极来说，一般地说，可以将之叫做‘像素电位一侧电容器电极’，至于上述另一方的电极，则可以把它叫做‘固定电位一侧电容器电极’。在这里，连接于像素电极的电极，由于既可以是上部也可以是下部，作为更为实际的存储电容器的构成，既可以作成为从基板上、下边开始依次为像素电位一侧电容器电极、电介质膜和固定电位一侧电容器电极这样的叠层结构，也可以作成为顺序颠倒过来的叠层结构。

另外，与之相关联，也可以把上述的固定电位一侧电容器电极构成为沿着扫描线的延伸方向形成的电容线的一部分，这样的话。就可以削减制造上的劳力和时间或成本。之所以这么说，是因为如果单独地或在基板上岛状地形成固定电位一侧电容器电极，则必须对于它们个别的设置布线等，但是该固定电位一侧电容器电极，总之只要是固定电位即可，故若把它作为电容‘线’的一部分来形成，对于该电容线来说只要设置1条布线即可，因而就可以减少与其相应的量的制造成本。

除此之外，作为构成上述上部电极和下部电极的材料，基本上选择什么材料都行，但是理想的是这样的形态：例如，对于上部电极和下部电极的中的至少一方，用遮光性材料构成该一方。借助于此，由于可以使上部电极和下部电极担负起作为防患于未然地防止对薄膜晶体管的沟道区的光入射的遮光层的角色，因而可以抑制上述沟道区内的光漏泄电流的发生，可以显示不发生起因于该漏泄电流的闪烁等的高品质的图像。

除此之外，作为在本发明中所说的‘高介电系数材料’，除去后述的氮化硅之外，还可以举出其构成为含有TaO_x(氧化钽)、BST(钛酸锶钡)、PZT(钛酸锆酸盐)、TiO₂(氧化钛)、ZiO₂(氧化锆)、HfO₂(氧化铪)以及SiON(氮氧化硅)和SiN(氮化硅)之内的至少一种的绝缘材料等。特别是如果使用TaO_x、BST、PZT、TiO₂、ZiO₂、HfO₂等的高介电系数材料，则可以在有限的基板上区域内增大电容值。或者，若使用SiO₂(二氧化硅)以及SiON(氮氧化硅)和SiN(氮化硅)这样的含硅的材料，则可以减少在层间绝缘膜上的应力的发生。

本发明的第2电光装置，为了解决上述课题，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的遮光膜。把构成上述存储电容器的电介质膜挟持起来构成的上部电极和下部电极，归因于含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层上的第1部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层上的第2部分，其剖面形状含有凸形形状。

倘采用本发明的第2电光装置，则不设置上述的第1电光装置的屏蔽层，而代之以设置遮光膜。这样的话，由于可以借助于该遮光膜的存在而提高薄膜晶体管的遮光性，故可以抑制所谓的光漏泄电流的发生，因而可以抑制起因于此的图像上的闪烁等的发生。

此外，如果把存储电容器形成为封入到由该遮光膜规定的遮光区域内，则可以把开口率维持为高的开口率。

而且，倘采用本形态，尽管可以如上所述地维持高的开口率，但是由于存储电容器的剖面形状含有凸形形状，故也可以把其电容值形成得大。

另外，也可以是本发明的遮光膜与上述的屏蔽层并存的形态，或者，设置兼备两者的功能的构件，就是说，设置遮光膜兼屏蔽层的形态等。

在本发明的第1电光装置的一个形态中，上述屏蔽层与上述存储电容器的上部电极电连。

倘采用该形态，则屏蔽层和存储电容器的上部电极间变成为同一电位。说得更具体一点，可以使两者维持于同一固定电位。此外，倘采用本形态，若把任何一方连接到供给固定电位的电源上，由于可以使另一方同时变成为固定电位，故可以实现装置构成的简化等。此外，还可以实现叠层结构的优化。

在本发明的第1电光装置的另一形态或第2电光装置的一个形态中，上述凸形形状，采用把上述下部电极被形成为对上述基板含有凸状的部分的办法形成。

倘采用本形态，由于可以把下部电极自身形成为含有凸形形状的部分，故可以比较容易地形成本发明的含有凸形形状的存储电容器。就是说，在该情况下，结果就变成为在下部电极的形成过程中，使得含有上述凸形形状那样地而且与之一体地形成该下部电极，就是说，由于可以作为与下部电极同一膜形成凸状部分，故可以实现制造工序的简化。

说得更具体一点，在形成了将来要成为下部电极的基础的膜之后，在该基础膜中，在应当作为凸状剩下来的部分上形成光刻胶膜，借助于对之实施刻蚀等的手段，就可以形成含有凸状的下部电极。

在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述凸形形状，采用在上述下部电极的下边形成凸状构件的办法形成。

倘采用本形态，由于不是像上述那样，把下部电极形成为使得含有凸状的部分，而是在下部电极的下边，形成变成为与之另体的凸状构件，故可以形成上述凸形形状。因此，在该情况下，可以形成使得与构成下部电极的材料和构成凸状构件的材料不同的形态。

此外，在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述下部电极可用光吸收性的导电材料构成。

倘采用该形态，就可以借助于本身就是膜厚的下部电极增大光吸收效果。

在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述凸形形状包括锥形形状。

倘采用本形态，则可以满意地形成要在下部电极上形成的电介质膜和上部电极。就是说，若上述凸形形状含有锥形形状，则例如与含有垂直的侧壁部分的凸形形状之间的对比可知，由于该凸形形状的角部分将变成为圆滑的角部分，故在含有锥形形状的凸形形状上，形成电介质膜和上部电极时，对于其覆盖性的恶化几乎没有必要担心。因此，倘采用本形态，则可以满意地形成电介质膜和上部电极。

此外，在对含有垂直的侧壁部分的凸形形状，和本形态的含有锥形形状的凸形形状进行比较的情况下，如果假定两者的高度作成为相同，而且在两者间该凸形形状的上表面的面积也作成为相同，则一般地说，结果将变成为比起前者来后者这一方侧壁部分的面积可以形成得更大，所以从存储电容的增大这样的观点看可以说是理想的。

在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述凸形形状的高度为50～1000nm。

倘采用本形态，则取决于究竟要用什么材料构成电介质膜等种种的条件而异，但是以现有的平面性的存储电容器为基准，可以使其容量变成为大概1.5倍左右以上。因此，倘采用本形态，就可以使电位保持特性提高一个与存储电容的增加量恰好对应的量，可以减少图像上的显示不均匀和闪烁等的发生。

在本发明的电光装置的另一形态中，上述像素电极的构成为排列成矩阵状，上述扫描线和上述数据线，在与上述矩阵状对应的的遮光区内形成，上述存储电容器在上述遮光区域内形成。

倘采用本形态，由于存储电容器在遮光区域上形成，故可以把开口率维持于高的水平。而且，倘采用本形态，尽管可以如上所述地维持高的开口率，但是由于存储电容器的剖面形状含有凸形形状，故也可以把其电容值形成得大。

因此，倘采用本形态，则可以进行明亮的图像的显示，而且，还可以显示没有显示不均匀、闪烁等的高品质的图像。

另外，所谓遮光区域，指的是可以遮挡参与图像显示的光的区域，其具体的形状，却可以因上述的所谓‘矩阵状’形状到底具有什么样的形状而不同。例如，如果所说的矩阵状指的是像素电极在纵横每一方上都直线性地排列起来的情况，则结果就变成为遮光区域的具体形状指的是网格状，而在与此不同，在像素电极在纵横每一方上都锯齿状地排列起来的情况下，遮光区域的具体形状就变成为成沿着该像素电极边缘部分弯曲的曲线在纵横每一方上排列起来的形状等。

在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述存储电容器的上述凸形形状，沿着上述扫描线和上述数据线中的至少一方形成。

倘采用本形态，当在上述凸形形状上不断叠层层间绝缘膜等时，由于要在该凸形形状上形成凸部，故结果就变成为会出现凸部沿着扫描线和数据线中的至少一方延长的状态。因此，在该情况下，结果就变成为会出现该凸部存在于相邻的像素电极间的状态。借助于此，在用1H反转驱动方式、1S反转驱动方式或点反转驱动方式驱动本形态的电光装置的情况下，就可以减小起因于在相邻的像素电极间产生的横向电场的、对像素的坏影响，结果变成为可以显示品质更高的图像。以下，对该情况详细地进行说明。

首先，所谓1H反转驱动方式，是连续地进行下述驱动的状态的驱动方式：例如，设想一种正方形形状地排列的像素电极的情况，在某一帧或某一场中，以公用电极的电位为基准用正极性的电位驱动排列在其奇数行上的像素电极，同时，用负极性的电位驱动排列在偶数行上的像素电极，在接在其后边的其次的帧或场中，与最前反过来，奇数行用负极性，偶数行用正极性进行驱动。另一方面。所谓1S反转驱动方式，是把在刚才所说的与1H反转驱动方式有关的说明中，理解为把奇数行置换成奇数列，把偶数行置换成偶数列的驱动方式。此外，所谓点反转驱动方式，是在有列方向和行方向这两方向上相邻接的像素电极间使要施加到各个像素电极上的电压极性进行反转的驱动方式。由于采用这些驱动方式，就可以抑制由施加直流电压成分所产生的液晶等的电光物质的劣化，或图像上的串扰或闪烁的发生。

但是，在这样的反转驱动方式中，由于结果变成为施加上不同的极性的电压的像素电极彼此邻接，故结果就变成为要发生所谓的‘横向电场’。例如，在1H反转驱动方式的情况下，结果就变成为在位于某一行上的像素电极，和位于与之相邻的的行上的像素电极之间要产生横向电场。当发生了这样的横向电场时，就会因在基板上的像素电极和对向基板上的公用电极间的电位差(以下，叫做‘纵向电场’)中产生混乱而引起液晶的取向不良，产生在该部分处的光泄漏等，结果变成为带来对比度的降低等的画质的劣化。

然而，在本形态中，由于如上所述存储电容器的上述凸形形状，沿着扫描线和数据线中的至少一方地形成，故可以抑制上述横向电场的发生。

其原因如下：第一，如果形成为使得像素电极的边缘骑坐在上述凸部的边缘上，由于可以使像素电极和公用电极间的距离变窄，故与从前比可以加强纵向电场；此外第二，可以取决于该凸部具有的介电系数的如何而减弱横向电场自身而与像素电极的边缘是否存在于凸部上无关；再有第三，由于可以减小上述凸部和公用电极间的间隙的容积，就是说可以减小位于该间隙内的液晶的体积，故可以相对地减小横向电场给予液晶的影响。

顺便地说，在1H反转驱动方式的情况下，理想的是把凸形形状或凸部形成为使之沿着扫描线，在1S反转驱动方式的情况下，不言而喻理想的是使之沿着数据线。此外，在点反转驱动方式的情况下，理想的是把凸形形状或凸部形成为使之沿着扫描线和数据线这双方。

由以上可知，倘采用本形态，由于可以满意地实现纵向电场对液晶的施加，故可以显示所期望的那样的图像。

在本发明的第1或第2电光装置的另一形态中，上述电介质膜，由氧化硅膜和氮化硅膜构成。

倘采用本形态，则结果就变成为在电介质膜中含有介电系数比较高的氮化硅膜，即便是存储电容器的面积，就是说构成该存储电容器的一对电极的面积多少会有些牺牲，也可以享受高的电荷存储特性。

因此，可以显著地提高像素电极的电位保持特性，可以显示更高品质的图像。此外，由于在从平面上看时的存储电容器可以进一步小型化，故还可以实现像素开口率的进一步的提高。

此外，由于氮化硅膜阻止水分的浸入或扩散的作用优良，故可以防患于未然地防止水分对构成薄膜晶体管的半导体层的浸入。这一点，如果水分浸入到半导体层或者栅绝缘膜等内，则在半导体层和栅绝缘膜间的界面上就会产生正电荷，产生使阈值电压提高这样的坏影响。在本形态的情况下，由于如上所述可以有效地防止水分对半导体层的浸入，故可以极力防止该薄膜晶体管的阈值电压上升这样的问题的发生。

此外，由于在该电介质膜中，除去上述氮化硅膜之外，还含有氧化硅膜，故不会使存储电容器的耐压性降低。

如上所述，倘采用本形态的电介质膜，则可以同时享受复合性的作用效果。

另外，本形态的电介质膜，当然包括变成为氧化硅膜和氮化硅膜这2层结构的情况，在有的情况下，例如，还包括变成为氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜这么3层结构的情况，和变成为3层结构以上的叠层结构的情况。

本发明的电光装置的另一形态，作为上述叠层结构的一部分，还具备作为上述像素电极的基底配置的层间绝缘膜，上述层间绝缘膜的表面实施了平坦化处理。

倘采用本形态，则可以减小在液晶等的电光物质的取向状态中产生紊乱的可能性，因而可以显示品质更高的图像。

本发明的电子设备，其构成为具备上述的电光装置，其中，包括其各种形态。

倘采用本发明的电子设备，由于其构成为具备上所述的本发明的电光装置，就是说具备在保持高开口率的同时增大存储电容的电光装置，故可以实现在可以显示明亮的的图像的同时，还可以显示没有显示不均匀、闪烁等的高品质的图像的各种电子设备：投影式显示装置、液晶电视、移动电话、电子笔记本、文字处理机、取景器式或监视器直视式的视频录象机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等。

本发明的这样的作用和其它的好处会从其次要说明的实施形态中了解明白。

附图说明

图1的电路图，示出了设置在构成本发明的实施形态的电光装置的图像显示区域的矩阵状的多个像素上的各种元件、布线等的等效电路。

图2是本发明的实施形态的电光装置的已形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图。

图3是图2的A-A’剖面图。

图4是图2的B-B’剖面图。

图5是示出了与一个像素对应的存储电容器的立体构成的透视图。

图6的透视图示出的是与图5同一意思的图，是存储电容器不含立体部分的现有的电光装置的构成例。

图7的透视图示出的是与图5同一意思的图，而且是含于存储电容器的剖面形状中的凸形形状是锥形形状的构成例。

图8的透视图示出的是与图2同一意思的图，而且是存储电容器和数据线在各自的层上形成的形态。

图9的透视图示出的是与图4同一意思的图，而且是存储电容器和数据线在各自的层上形成的形态。

图10的透视图示出的是与图5同一意思的图，而且是在图8和图9中示出的、与一个像素对应的存储电容器的立体构成。

图11的透视图示出的是与图10同一意思的图，而且是存储电容器的立体部分仅仅在下侧遮光膜的方向上延伸的构成例。

图12的透视图示出的是与图10同一意思的图，而且是存储电容器的立体部分仅仅在数据线的方向上延伸的构成例。

图13的透视图示出的是与图10同一意思的图，而且是存储电容器的立体部分以下侧遮光膜进行延伸的方向为边界在数据线的一方的方向和下侧遮光膜进行延伸的方向上延伸的构成例。

图14的透视图示出的是与图10同一意思的图，而且是含于存储电容器的剖面形状中的凸形形状是锥形形状的构成例。

图15是与在其上形成的各个构成部分一起从对向基板的一侧看本发明的实施形态的电光装置的TFT阵列基板的平面图。

图16是图15的H-H’剖面图。

图17是示出了本身为作为本发明的实施形态的投影式彩色显示装置的一个例子的彩色液晶投影仪的图示性的剖面图。

具体实施方式

以下，边参看附图边说明本发明的实施形态。以下的实施形态，是把本发明的电光装置应用于液晶装置的实施形态。

(像素部分的构成)

首先，参看图1到图4对本发明的实施形态1的电光装置的像素部分的构成进行说明。

图1的电路图，示出了设置在构成电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素上的各种元件、布线等的等效电路。图2是已形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图。图3是图2的A-A’剖面图，图4是图2的B-B’剖面图。另外，在图3和图4中，为了把各层和各个构件作成为在图面上可以识别的那种程度的大小，对于该各层和各个构件都进行了不同的比例。

在图1中，在构成本实施形态的电光装置的图像显示区域的矩阵状地形成的多个像素上，都形成有像素电极9a和用来开关控制该像素电极9a的TFT30，供给图像信号的数据线6a被电连到该TFT30的源上。要写入到数据线6a上的象素信号S1、S2、...、Sn，既可以按照该顺序线顺序地供给，也可以作成为对相邻的多条数据线6a彼此间分组供给。

此外，要构成为使得扫描线3a电连到TFT30的栅上，并以规定的定时，按照扫描信号G1、G2、...、Gm的顺序，线顺序地给扫描线3a脉冲式地加上扫描信号。象素电极9a已电连到TFT30的漏上，采用使作为开关元件的TFT30仅仅在恒定的期间内才闭合其开关的办法，以规定的定时，把从数据线6a供给的信号S1、S2、...、Sn写入。

通过像素电极9a写入到作为电光物质的一个例子的液晶内的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn在与在对向基板上形成的像向电极之间可保持恒定期间。液晶采用借助于要施加的电压电平使分子集合的取向或秩序变化的办法，对光进行调制，使得可以进行灰度等级显示。若是常态白模式，则根据在各个像素的单位中施加上的电压减小对入射光的透过率，若是常态黑模式，则根据在各个像素的单位中施加上的电压增加对入射光的透过率，作为全体从电光装置出射具有与图像信号对应的对比度的光。

在这里，为了防止所保持的图像信号进行漏泄，要与在象素电极9a和对向电极之间形成的液晶电容并联地附加上存储电容器70。该存储电容器70，被设置为与扫描线3a并行，且含有固定电位一侧电容器电极，同时，还含有已固定于恒定电位上电容器电极300。

以下，参看图2和图3，对由上述数据线6a、扫描线3a、TFT30等实施的实现上述那样的电路工作的电光装置的实际的构成进行说明。

首先，在图2中，在TFT阵列基板10上，矩阵状地设置多个像素电极9a(用虚线部分9a’示出了轮廓)分别沿着像素电极9a的纵横边界地设置数据线6a和扫描线3a。数据线6a如后所述由含有铝膜等的金属膜或合金膜等构成，扫描线3a例如由导电性的多晶硅膜等构成。此外，扫描线3a被配置为使得与半导体层1a之内用图中右上斜的斜线区域表示的沟道区1a’对向，该扫描线3a起着栅电极的作用。就是说，在扫描线3a与数据线6a之间的交叉的部位上，在沟道区1a’上分别设置有作为栅电极把扫描线3a的主线部分对向配置的像素开关用的TFT30。

其次，电光装置，如本身为图2的A-A’线剖面图的图3所示，例如，具备由石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10，和与之对向配置的例如由玻璃基板或石英基板构成的对向基板20。

在TFT阵列基板10一侧，如图3所示，设置有上述像素电极9a，在其上侧，设置有已施行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。另一方面，在对向基板20一侧，遍及其整个面地设置对向电极21，在其下侧，设置有已施行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜22。其中，对向电极21，与上述的像素电极9a同样，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成，上述的取向膜16和22，例如，由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成。在像这样地对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20之间，向由后述的密封材料(参看图15和16)围起来的空间内，封入液晶等电光物质，形成液晶层50。液晶层50在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，借助于取向膜16和22得到规定的取向状态。液晶层50例如由把一种或数种的向列液晶混合起来的电光物质构成。密封材料是用来在TFT阵列基板10和对向基板20的周边把它们粘贴起来的光硬化树脂或热硬化树脂构成的粘接剂，已混入有用来使两基板间的距离变成为规定值的玻璃纤维或玻璃微殊等的间隙材料。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除去上述的像素电极9a和取向膜16之外，形成叠层结构地具备包括它们的各种的构成。该叠层结构，如图3所示，从下面开始，按照顺序，由含有下侧遮光膜11a的第1层、含有TFT30和扫描线3a等的第2层、含有存储电容器70和数据线6a等的第3层、含有屏蔽层400等的第4层、含有上述像素电极9a和取向膜16等的第5层(最上层)构成。此外，在第1层和第2层之间设置有基底绝缘膜12，在第2层和第3层之间设置有第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层之间设置有第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层之间设置有第3层间绝缘膜43，防止上所述的各个部分间产生短路。此外，在这些各种的绝缘膜12、41、42和43上，还设置有把TFT30的半导体层1a中的高浓度源区1d和数据线6a电连起来的接触孔等。以下，对于这些各个部分从下开始依次进行说明。

首先，在第1层上，设置有由含有Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等的高熔点金属之内的至少一种的、金属单质、合金或金属硅化物、聚合硅化物或把它们叠层起来的叠层体等构成的下侧遮光膜11a。该下侧遮光膜11a，从平面上看被图形化为网格状，借助于此，界定各个像素的开口区域(参看图2)。在下侧遮光膜11a的扫描线3a和数据线6a进行交叉的区域中，使得对像素电极9a的角进行倒角那样地形成突出出来的区域。对于该下侧遮光膜11a来说，为了避免其电位变动对TFT30造成坏影响，可以从图像显示区域向其周围延伸地连接到恒定电位源上。

其次，作为第2层，设置有TFT30和扫描线3a。TFT30，如图3所示，具有LDD(轻掺杂漏)结构，作为其构成部分，如上所述，具备：作为栅电极起作用的扫描线3a，例如由多晶硅膜构成借助于来自扫描线3a的电场形成的半导体层1a的沟道区1a’，含有使扫描线3a和半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2，半导体层1a中的低浓度源区1b及低浓度漏区1c以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e。

另外，TFT30，虽然理想的是具有图3所示的那样的LDD结构，但是既可以具有向低浓度源区1b和低浓度漏区1c不进行杂质注入的偏置(offset)结构，也可以是以由扫描线3a的一部分构成的栅电极为掩模高浓度地注入杂质，自我匹配地形成高浓度源区和高浓度漏区的自对准型的TFT。此外，在本实施形态中，虽然作成为在高浓度源区1d和高浓度漏区1e之间，仅仅配置1个像素开关用的TFT30的栅电极的单个栅结构，但是也可以在它们之间配置2个以上的栅电极。若如上所述地用双栅或三栅以上构成TFT，则可以防止沟道与源和漏区之间的结部分的漏泄电流，可以减小截止时的电流。此外，构成TFT30的半导体层1a非单晶层也罢单晶层也罢都可以。单晶层的形成，可以使用粘贴法等众所周知的方法。采用使半导体层1a变成为单晶层的办法，就可以实现特别是外围电路的高性能化。

在以上所说明的下侧遮光膜11a上，而且，在TFT30的下边，设置例如由硅氧化膜等构成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，归因于除去用下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘之外，在TFT阵列基板10的整个面上形成，故具有防止在TFT阵列基板10的表面研磨时的表面粗糙化或因清洗后剩下的污垢引起的像素开关用的TFT30的特性变化的功能。

此外，在本实施形态中，特别是在该基底绝缘膜12上，从平面上看在半导体层1a的两边挖了与沟道长度同一幅度，或比沟道长度更长的沟(接触孔状地形成的沟)12cv，与该沟12cv对应地在其上方叠层上的扫描线3a，在下侧含有凹状地形成的部分(在图2中为了避免复杂化而未画出来。此外，采用使得把该沟12cv全部填埋起来那样地形成扫描线3a的办法，结果就变成为在该扫描线3a上延长设置与之一体地形成的水平突出部分3b。借助于此，TFT30的半导体层1a，就如在图2中很好地示出的那样，从平面上看就从侧方被被履起来，至少可以抑制来自该部分的光的入射。另外，水平突出部分3b也可以仅仅是设置在半导体层1a的单侧。

接在上述第2层后边在第3层上，设置存储电容器70和数据线6a。存储电容器70采用中间存在着电介质膜75使TFT30的高浓度漏区1e和作为已电连到像素电极9a上的像素电位一侧电容器电极的第1中继层71和作为固定电位侧电容器电极的电容器电极300对向配置的办法形成。存储电容器70通过接触孔87与屏蔽层400电连。倘使用该存储电容器70，则可以显著地提高像素电极9a的电位保持特性。此外，本实施形态的存储电容器70，由图3或本身为图2的B-B’剖面图的图4所示，被形成为具有立体的形状。此外，在图4中，为了简化起见，作成为具有2层结构的形态而未画出来电容器电极300。在以后的图5中也是如此。

电介质膜75，如图4所示，例如可以由膜厚5到200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化物)膜，LTO(低温氧化物)膜等的氧化硅膜或氮化硅膜等构成。在本实施形态中，特别是该电介质膜75，如图3所示，具有下层是氧化硅膜75a，上层是氮化硅膜75b这样的具有2层结构，且在TFT阵列基板10的整个面上形成。此外，作为电介质膜75的另外的例子，也可以构成为使得下层的氧化硅膜75a，在TFT阵列基板10的整个面上形成，上层的氮化硅膜75b则被图形化为可收纳于遮光区域(非开口区域)内，以便防止透过率因具有着色性的氮化硅膜的存在而降低。

借助于此，结果变成为可以期待电荷存储特性的进一步提高、因而像素电极9a的电位保持特性的进一步的提高等，这一点决定在后边边参看图5以后边再次讲解。在这里，特别是决定要仅仅着眼于构成存储电容器70的电容器电极300，而且，在本实施形态中特别是要对作为与该电容器电极300同一膜形成的数据线6a进行说明。

首先，所谓作为‘同一膜’形成电容器电极300和数据线6a，指的是作为两者同一层或在制造工序阶段中，同时形成的膜。但是，在电容器电极300和数据线6a间并不是在平面形状上连续地形成，两者之间在图形上是被分断开来的。

具体地说，如图2所示，电容器电极300，使得与扫描线3a的形成区域进行重叠那样地，就是说，沿着图中的X方向边分断边形成，数据线6a，则使得与半导体层1a的长向方向进行重叠那样地就是说沿着图中的Y方向延长设置那样地形成。说得更为详细一点，电容器电极300，具备：沿着扫描线3a延伸的主线部分；在图2中在与半导体层1a相邻的区域中沿着该半导体层1a向图中上方突出出来的突出部分(图中看起来像似梯形部分的部分)；和与后述的接触孔85对应的部位稍微变细一点的变细部分。其中突出部分，将对存储电容器70的形成区域的增大作出贡献。就是说，存储电容器70，在平面性地重叠到邻接的数据线6a间的扫描线3a上的区域上，和下侧遮光膜11在扫描线3a和数据线6a进行交叉的角部分处且像素电极9a的角进行倒角的区域上形成。

另一方面，数据线6a，具有沿着图2中的Y方向直线性地延伸的主线部分。另外，半导体层1a的图2中的上端，虽然具有向右方弯成90度直角那样的形状，这是因为要避开数据线6a地实现该半导体层1a与存储电容器70之间的电连的缘故(参看图3)。

在本实施形态中，由于使得呈现以上那样的形状那样地实施图形化等，故结果变成为可同时形成电容器电极300和数据线6a。

此外，这些电容器电极300和数据线6a，如图3所示，被形成为具有下层为导电性的多晶硅构成的层，上层为由铝构成的层这么2层结构的膜。其中对于数据线6a来说，虽然结果变成为通过贯通后述的电介质膜75的开口部分的接触孔81与TFT30的半导体层1a电连，但是，由于该数据线6a采取上述那样的2层结构，此外，上述的第1中继层71由导电性的多晶硅膜构成，故结果就变成为该数据线6a和半导体层1a间的电连可以用导电性的多晶硅膜实现。就是说，结果变成为从下开始按照顺序是第1中继层的多晶硅膜、数据线6a的下层的多晶硅膜和其上层的铝膜。因此，就可以良好地保持两者间的电连。

此外，电容器电极300和数据线6a，由于含有光反射性能比较优良的铝，而且还含有光吸收性比较优良的多晶硅，故可以起着遮光层的作用。就是说，倘采用它们，则可以用其上侧遮住对TFT30的半导体层1a的入射光(参看图3)的行进。

在以上所说明的TFT30或扫描线3a上，而且，在存储电容器70或数据线6a的下边，形成例如NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，或者理想地说形成由NSG构成的第1层间绝缘膜41。然后，在该层间绝缘膜41上形成把TFT30的高浓度源区1d和数据线6a电连起来的接触孔81的开孔，此外，在第1层间绝缘膜41上，形成把TFT30的高浓度漏区1e和构成存储电容器70的第1中继层71电连起来的接触孔83的开孔。

另外，在这2个接触孔之内，在接触孔81的形成部分中，就可以不形成上述的电介质膜75，换句话说就可以在该电介质膜75上形成开口部分。这是因为在该接触孔81中，需要中间存在着第1中继层71地实现高浓度源区1b和数据线6a间的电导通的缘故。顺便提一下，如果在电介质膜75上设置有该开口部分，则在进行对TFT30的半导体层1a的氢化处理之类的情况下，也可以得到使该处理中所用的氢可以通过该开口部分容易地到达半导体层1a的作用效果。

此外，在本实施形态中，对于第1层间绝缘膜41，也可以采用进行约1000℃的烘焙的办法，实现已注入到构成半导体层1a和扫描线3a的多晶硅膜内的离子的激活化。

接在上所述的第3层后边在第4层上，形成遮光性的屏蔽层400。该屏蔽层400，从平面上看，如图2和图3所示，被形成为分别在图2中的X方向和Y方向上延伸的网格状。对于在该屏蔽层400之内在图2中的Y方向上延伸的部分来说，特别要形成为使得把数据线6a被覆起来，而且，要形成得比该数据线6a的宽度更宽。此外，至于在图2中的X方向上延伸的部分，为了确保形成后述的第3中继电极402的区域，在各个像素电极9a的一边的中央附近都具有切缺部分。再有，在在图2中XY方向中的每一方向上延伸的屏蔽层400的交叉部分的角部分上，使得与上所述的电容器电极300的大体上的梯形形状的突出部分相对应那样地设置大体上三角形形状的部分。该大体上三角形形状的部分，也可以包括在屏蔽层400内。

该屏蔽层400，采用从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延长设置，并与恒定电位源进行电连的办法，变成为固定电位。另外，这里所说的‘恒定电位源’，既可以是供往数据线驱动电路101的正电源或负电源的恒定电位源，也可以是供往对向基板20的对向电极21的恒定电位源。

如上所述，如果存在着被形成为把数据线6a的全体都被覆起来，同时(参看图3)已变成为固定电位的屏蔽层400，则可以排除在该数据线6a和像素电极9a间产生的电容耦合的影响。就是说，可以防患于未然地避免因相应于给数据线6a的通电而使得像素电极9a的电位变动这样的事态，可以减低在图像上发生沿着该数据线6a的显示不均匀等。在本实施形态中，由于屏蔽层400被形成为网格状，故即便是对扫描线3a的延长部分来说，也可以把它形成为使得不会产生无用的电容耦合，可将其抑制。此外，屏蔽层400中的上述的三角形形状的部分，可以排除在电容器电极300和像素电极9a之间产生的电容耦合的影响，因此，也可以得到与上述大致同样的作用效果。

此外，在第4层上，作为与这样的屏蔽层400同一膜，形成作为在本发明中所说的‘中继层’的一个例子的第2中继层402。该第2中继层402，具有通过后述的接触孔89对构成存储电容器70的第1中继层71和像素电极9a间的电连进行中继的功能。在这些屏蔽层400和第2中继层402间，与上所述的电容器电极300和数据线6a同样，并不是平面形状地连续地形成，而是被形成为两者之间在图形上被分断开来。

另一方面，上所述的屏蔽层400和第2中继层402，具有下层是由铝构成的层，上层是由氮化钛构成的层的2层结构。借助于此，首先可以期待作为接触孔89的开口时的穿透的防止的壁垒金属的作用效果。此外，在第2中继层402中，下层的由铝构成的层与构成存储电容器70的第1中继层71连接，上层的由氮化钛构成的层，与由ITO等构成的像素电极9a连接。在该情况下，结果就变成为特别是后者的连接可以良好地进行。这一点，假如采用铝和ITO直接进行连接的形态，则在两者间就会产生电蚀，产生铝的断线、或者因氧化铝的形成而产生的绝缘等，故不能实现理想的电连的情况，形成鲜明的对照。如上所述，在本实施形态中，由于可以良好地实现第1中继层402与像素电极9a之间的电连，故可以良好地维持对该像素电极9a的电压施加、或该像素电极9a的电位保持特性。

此外，屏蔽层400和第2中继层402，由于含有光反射性能比较优良的铝，而且还含有光吸收特性比较优良的氮化钛，故可以起着遮光层的作用。就是说，倘采用这些，则可以在其上侧阻挡对TFT30的半导体层1a的入射光(参看图2)的前进。另外，就这样的事态来说，就如已经说明的那样，对于上述的电容器电极300和数据线6a，可以说也是同样的。在本实施形态中，这些屏蔽层400、第2中继层402、电容器电极300和数据线6a，在构成要在TFT阵列基板10上构筑的叠层结构的一部分的同时，还可以作为遮挡对TFT30的来自上侧的光入射的上侧遮光膜(或者，如果着眼于已构成‘叠层结构的一部分’这一点则是‘内置遮光膜’)发挥作用。另外，倘应用该‘上侧遮光膜’或‘内置遮光膜’的概念，则除去上述的构成外，还可以考虑为扫描线3a或第1中继层71等以及含于其中的构件。总之，如果是在最为广义地进行理解的前提下，要在TFT阵列基板10上构筑的由不透明的材料构成的构成，则可以叫做‘上侧遮光膜’或‘内置遮光膜’。

在以上所说明的上述数据线6a上，而且，在屏蔽层400的下边，形成NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，或者理想地说形成由NSG构成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42上，分别形成用来把上述屏蔽层400和电容器电极300电连起来的接触孔87，和用来把第2中继层402和第1中继层71电连起来的接触孔85的开孔。

另外，对于第2层间绝缘膜42来说，也可以作成为采用不进行对于第1层间绝缘膜41所说的那样的烘焙的办法，实现在电容器电极300的界面附近产生的应力的缓和。

最后，在第5层上，如上所述地矩阵状地形成像素电极9a，在该像素电极9a上形成取向膜16。此外，在该像素电极9a的下边，可以形成NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，或者理想地说形成由BPSG构成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43上，形成用来把像素电极9a和上述第2中继层402间电连起来的接触孔89的开孔。

(存储电容器的构成)

以下，参看图4和图5对上述的存储电容器70的构成，说得更详细一点，对立体地构成该存储电容器70的情况进行说明。在这里图5的透视图示出了图2中的赋予标号Q的部分的存储电容器70的立体的构成。另外，图5并不是图示出在图2到图4中所示的所有的构成，而是例如对构成存储电容器70的电介质膜75或扫描线3a等若干个部分，适宜地予以省略的图。

在图4和图5中，存储电容器70，具有沿着扫描线3a延伸的方向形成的立体部分。采用在该立体部分中，作为第1中继层71的一部分形成有凸状部分71a，在该凸状部分71a上形成电介质膜75和电容器电极300的办法，构成电容器。借助于此，存储电容器70具有含有沿着对基板的表面立起的平面构成第1中继层71、电介质膜75和电容器电极300的叠层结构部分的结构，结果变成为该存储电容器70的剖面形状含有凸形形状。

在这里，作为这样的凸形形状的高度或上述凸状部分71a的高度H(参看图5)，理想的是将之作成为50到1000nm左右。因为若在该范围以下，则不能充分地得到存储电容的增大效果，而若在该范围以上，则台阶将变得过大，会产生由该台阶引起的液晶层50内的取向不良等的缺点。

顺便提一下，由于把存储电容器70形成为含有立体部分，故如图4所示，在在立体部分的上形成的第3层间绝缘膜43的表面上，中间存在着第2层间绝缘膜42、屏蔽层400等地形成凸部43A。就是说，在图4中，就变成为在左右方向上邻接的的像素电极9a间可以设置所谓的壁垒。

将变成为这样的形态的存储电容器70，由图2到图5可知，被形成为使得将之所谓地封闭到含有扫描线3a和数据线6a的形成区域的遮光区域内，因而不会存在会带来开口率的减少的可能。

此外，上述的第1中继层71、电容器电极300和电介质膜75，在本形态中，分别具有以下所述的属性。

首先，第1中继层71，例如由导电性的多晶硅膜构成，并起着像素电位一侧电容器电极的作用。但是，第1中继层71，也可以由含有金属或合金的单一层或多层膜构成。此外，该第1中继层71，除去起着像素电位一侧电容器电极的作用之外，还具有通过接触孔83、85和89对像素电极9a和TFT30的高浓度漏区1e进行中继连接的作用。该第1中继层71，如图2所示，被形成为具有与上述的电容器电极300的平面形状大体上同一形状。

其次，电容器电极300，起着存储电容器70的固定电位一侧电容器电极的作用。在本实施形态中，为了使电容器电极300变成为固定电位，采用与已变成为固定电位的屏蔽层400电连的办法完成。

另外，对于该电容器电极300和数据线6a被形成为同一膜，而且，被形成为使得具有含有下层是多晶硅膜，上层是铝膜的2层结构，就像已经讲述过的那样。

最后，电介质膜75，如图3所示，例如可由膜厚5到200nm左右的比较薄的HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜或氮化硅膜等构成，从增大存储电容器70的观点考虑，只要可以充分地得到膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。

此外，在本实施形态中，特别是该电介质膜75，如图3所示，变成为具有下层是氧化硅膜75a，上层是氮化硅膜75b这样的2层结构的膜。借助于此，由于存在着介电系数比较大的氮化硅膜75b，故除去可以增大存储电容器70的电容值之外，尽管如此，由于存在着氧化硅膜75a，故不会使存储电容器70的耐压性降低。如上所述，由于把电介质膜75作成为2层结构，故可以享受相反的2个作用效果。此外，由于存在着氮化硅膜75b故可以防患于未然地防止水对TFT30的浸入。借助于此，在本实施形态中，可以进行比较长期的装置运行而不会招致TFT30的阈值电压的上升这样的事态的发生。另外，在本实施形态中，电介质膜75虽然变成为具有2层结构的膜，但是，在有的情况下，例如，也可以作成为具有例如氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜这么3层结构的情况，或变成为3层结构以上的叠层结构的情况。

此外，在本实施形态中，数据线6a和电容器电极300，虽然作成为2层结构，但是，也可以从下层开始变成为多晶硅膜、铝膜、氮化硅膜的3层结构，把氮化钛膜形成为接触孔87的开孔时的壁垒金属。

另外，在图3到图5中，本实施形态的存储电容器70，虽然被构成为具有在TFT阵列基板10上，从下开始依次为第1中继层71、电介质膜75和电容器电极300这样的叠层结构，但是，在有的情况下，也可以与之颠倒过来地采用电容器电极300、电介质膜75和第1中继层71的构成。

总之，只要把电介质膜75挟持起来地构成一对电极，只要满足这样的相对关系，则不论具体地要采取什么样的构成，基本上是自由的。

在将变成为这样的构成的本实施形态的电光装置中，以上述存储电容器70的存在为要因，结果变成为具有如下的作用效果。

首先，在本实施形态中，由于被构成为使得存储电容器70的剖面形状含有凸形形状，故结果变成为可以期待仅仅在该凸形形状的侧面的面积部分的电容增大的作用效果。这一点，从已经参看过的图5，与虽然是与该图同一意思的图但是示出的却是不含有立体部分的存储电容器70’的构成例的图6之间的对比，就可以看出来。另外，在图6中，存储电容器70’，由于用不论哪一者都借助于平面性地形成的中继层71’和电容器电极300’构成其下部电极和上部电极，故变成为图5所示的那样的不存在沿着扫描线3a的立体部分的构成。

由这些图5和图6可知，在本实施形态中，由于高度H的凸状部分71a被形成为第1中继层71的一部分，大致上恰好是像素电极9a的一边的长度L那么大的量，故可知与图6比较起来图5这一方作为全体被构成为大致上仅仅增加了2HL的面积的存储电容器70。该2HL的面积，不言而喻相当于立体部分的侧壁的面积。

因此，倘采用本实施形态，由于可以增大其容量而不会平面地增大构成存储电容器70的、作为固定电位一侧电容器电极的电容器电极300和作为像素电极一侧电容器电极的第1中继层71的面积，所以可以维持高开口率不变地实现存储电容器70的电容值增大，因而，可以显示没有显示不均匀、闪烁等的高品质的图像。

此外，在本实施形态中，如上所述，由于为了变成为使得存储电容器70的剖面形状含有凸形形状，作成为在第1中继层71中形成本身为其一部分的凸状部分71a的形态，故其制造是容易的。就是说，上述凸状部分71a或上述凸形形状，由于可以在第1中继层71的形成工艺中形成，故当考虑例如为形成凸形形状而另外准备材料或实施别的工艺的情况等，则可以削减相应的量的制造成本。

此外，在本实施形态中，由于存储电容器70含有凸形形状的部分，沿着扫描线3a形成，故可以得到如下的作用效果。就是说，本实施形态的电光装置，在可用1H反转驱动方式驱动的情况下，就可以抑制在把扫描线3a挟制着地邻接的像素电极间产生的横向电场的发生。这是因为如图4所示在本身为第1中继层71的一部分的凸状部分71a上形成的第3层间绝缘膜43的表面上，中间存在着第2层间绝缘膜42、屏蔽层400地形成凸部43A的缘故。就是说，第一，原因在于：如果把该像素电极9a形成为使得像素电极9a的边缘部分骑坐在该凸部43A上，则如图4所示，对向电极21和像素电极9a间的距离就会从G1变窄到G2，或者比G1更窄，因此纵向电场就可以与上述变窄相对应的量地增强要施加到图4中上下方向上的电场。

此外，第二，原因在于：横向电场自身可以取决于该凸部43A所具有的介电系数的如何而减弱，与在凸部43A上是否存在像素电极9a的边缘部分无关。再有，第三，原因在于：如图4所示，上述凸部43a和对向电极21间的间隙，伴随着从G1变窄到G3，可以减小其容积就是说减小位于该间隙内的液晶层50的体积，故可以相对地减小横向电场给予液晶层50的影响的缘故。

如上所述，倘采用本实施形态，由于可以抑制因把数据线6a挟持起来而可能产生的横向电场的发生，故可以降低在由该横向电场产生的液晶层50中的液晶分子的取向状态中产生紊乱的可能性，因而，可以显示高品质的图像。

另外，在上述实施形态中，虽然把存储电容器70的立体部分的剖面形状作成为矩形形状，但是本发明并不限定于这样的形态。例如，如图7所示，也可以作成为使该剖面形状变成为锥形形状的形态。

在这里，图7示出的是与图5同一意思的图，而且是其剖面形状变成为锥形形状的存储电容器70A的透视图。

在该图7中，变成为这样的形态：采用与第1中继层71A作成为一体的凸状部分71AA，其剖面形状被作成为具有锥形形状，在该凸状部分71AA上形成电介质膜和电容器电极300A的办法，构成在其剖面形状中含有锥形形状的存储电容器70A。

即便是在该情况下，有一点也是明白的：尽管可以期待存储电容器的增大一个与构成立体部分的侧壁的面积的量，也不会牺牲开口率，这和图5是同样的。此外，在这样的形态中，特别是就如由图7可以明白的那样，由于具有圆角化的角部分而不存在图5所示的凸状部分71A那样的锐敏的角部分，故可以满意地形成该凸状部分71从上的电介质膜和电容器电极300A。这是因为在该电介质膜和该电容器电极300A的成膜过程中，与图4或图5的形态比，对于其覆盖性的恶化等没有必要担心的缘故。

此外，在上述实施形态中，虽然把凸状部分71A形成为与第1中继层71变成为一个整体，但是，本发明并不限定于这样的形态。例如，也可以作成为这样的形态：在第1中继层71的下边，设置变成为与该第1中继层71不同的材料的凸状构件，在其上形成电介质膜75和电容器电极300。

再有，在上述中，虽然说明的是沿着扫描线3a形成凸部这样的形态，但是，本发明并不限定于这样的形态。例如，也可以用CMP(机械化学研磨)处理等使第3层间绝缘膜43的表面平坦化。借助于此，就可以减少起因于由在其下方存在的各种布线或元件等形成的台阶的液晶层50的取向不良。但是，也可以不像这样地对第3层间绝缘膜43实施平坦化处理，而代之以采用或者追加在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42之内的至少一者上挖沟，埋入数据线6a等的布线或TFT30等的办法，进行平坦化处理。

(电光装置的变形形态)

以下，边参看图8到图10边说明本发明的电光装置的变形形态。在这里，图8和图9，分别是与图2和图3等同一意思的图，而且是表现本变形形态的特征的平面图和剖面图。此外，图10的透视图示出的是与图5同一意思的图，而且是在图8中的赋予了标号Q的部分的存储电容器70DF的立体构成。另外，本变形形态的电光装置，具备与上述各个实施形态的电光装置的像素部分的构成大体上同样的构成。因此，以下，决定在本变形形态中主要仅仅对特征性的部分加以说明，至于剩下的部分，决定适宜省略或简化其说明。

在图8和图9中，与图2和图3比，本身为构成存储电容器70DF的上部电极300DF和数据线6a不作为同一膜构成这一点，此外，伴随于此，增加了层间绝缘膜，就是说新设置了另外一层‘第4层间绝缘膜44’这一点，以及作为与栅电极3aa同一膜形成了中继电极719这一点上，有大的不同。借助于此，就可以从TFT阵列基板10上开始，按照顺序由含有兼用做扫描线的下侧遮光膜11a的第1层、含有具有栅电极3aa的TFT30等的第2层、含有存储电容器70DF的第3层、含有数据线6a等的第4层、形成屏蔽层404的第5层、含有上述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最上层)构成。此外，在第1层和第2层之间设置有基底绝缘膜12，在第2层和第3层之间设置有第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层之间设置有第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层之间设置有第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层之间设置有第4层间绝缘膜44，以防止上述的各个构成部分间的短路。

此外，也可以在形成取代扫描线3a的栅电极3aa的同时，作为与之同一膜形成中继电极719。

此外，在位于上述第3层和第4层间的第2层间绝缘膜42上，形成接触孔801的同时，在第4层上，使得与这些接触孔801相对应那样地形成屏蔽层用中继层6a1，在位于上述第4层和第5层间的第3层间绝缘膜43上，形成接触孔803。借助于此，在屏蔽层404和电容器电极300DF间，就借助于接触孔801或屏蔽层用中继层6a1和接触孔803电连起来。

此外，在图9中，在作为与栅电极3aa同一膜形成中继电极719的同时，把像素电极9a和第1中继层71DF电连到该中继电极719上。

说得更详细一点，首先，与像素电极9a的电连，可以通过第2中继层6a2和第3中继层406进行。其中第2中继层6a2，被形成为与数据线6a同一膜，而且，在第1和第2层间绝缘膜41和42中要把被开孔为达到中继电极719的接触孔882填埋起来。此外，第3中继层406，被形成为与屏蔽层404同一膜，而且，在第3层间绝缘膜43上被形成为把开孔到达上述第2中继层6a2的接触孔804填埋起来。

另外，在该情况下，由于结果变成为与像素电极9a的ITO存在着电蚀的可能性的，是第3中继层406，故对于该第3中继层406来说，只要如上所述采用由铝膜和氮化钛膜构成的构成即可。此外，在有的情况下，对于屏蔽层404和第3中继层406来说，在用ITO形成的同时，对于基板的整个面都满面地形成，对于与构成这些部分的ITO会产生电蚀的可能的第2中继层6a2和屏蔽层用中继层6a1等来说，也可以采用同样的2层结构。

另一方面，中继电极719与第1中继层71DF间的电连，可通过在第1层间绝缘膜41形成了开孔的接触孔881进行。就是说，采用在形成了接触孔881的开孔后，使得把它填埋起来那样地形成第1中继层71DF的前驱膜的办法，结果就变成为可以实现第1中继层71DF和中继电极719的电连。

倘采用以上的办法，结果就变成为可以通过中继电极719把第1中继层71DF和像素电极9a电连起来。

顺便地说，在上述的实施形态中，把扫描线3a形成为使得在同一平面内含有栅电极，在本实施形态中，为了确保要形成中继电极719的区域，扫描线的作用变成为承担上述实施形态中的下侧遮光膜11a的作用。就是说，本形态的下侧遮光膜11a，采用从平面上看被形成为条带状，同时构成接触孔的沟12cv的底被形成为与该下侧遮光膜11a进行接连的办法，结果变成为从该下侧遮光膜11a向栅电极3aa供给扫描信号。此外，下侧遮光膜11a在与数据线6a进行交叉的区域上，被形成为使得像素电极9a的角进行倒角那样地突出出来的区域。

借助于此，结果变成为本形态的水平突出部分3b，发挥对半导体层1a的遮光功能，同时，还发挥向栅电极3aa供给信号的功能。

此外，中继电极719，使得从平面上看，如图8所示，大体上位于各个像素电极9a的一边的中央那样地，被形成为岛状。由于中继电极719和栅电极3aa被形成为同一膜，故后者例如由导电性多晶硅膜等构成的情况下，前者也由导电性多晶硅膜等构成。

此外，在本形态中，与上述的实施形态同样，如图9所示，立体地构成存储电容器。就是说，在本变形形态中，作为第1中继层71DF的一部分形成有凸状部分71DFA，借助于此，存储电容器70DF的剖面形状就含有凸形形状。第1中继层，由光吸收性的导电多晶硅或含有光反射性的金属或合金的单一层膜或多层膜构成。该存储电容器70DF，如图10所示，与图5不同，不同之处是：不仅仅在下侧遮光膜11a(就是说，在上述实施形态中相应的地方的‘扫描线3a’。以下与此相同)上，存在第1中继层71DF和电容器电极300DF，它们的数据线6a上也存在，而且，对于下侧遮光膜11a和数据线6a中的任何一者的方向，都形成有立体部分。

即便是在要变成为这样的形态的本变形形态中，与在上述的实施形态中说明的作用效果大体上同样地可以享受因存储电容器70DF立体地构成而得到的作用效果。就是说，可以实现电容值与立体部分的侧壁部分的面积的大小相应的量的增大。而且，倘采用本变形形态，根据与图5进行比较可知，可以维持高开口率原状不变地实现存储电容的增大，因而可以显示没有显示不均匀、闪烁等的高品质的图像。

此外，在含有这样的立体部分的存储电容器70DF的情况下，图4所示的那样的凸部43A，由于结果变成为不论沿着下侧遮光膜11a和数据线6a中的任何一者的方向都可以形成，故对于这样的形态的电光装置来说，即便是用1H反转驱动方式、1S反转驱动方式或点反转驱动方式驱动本形态的电光装置的情况下，出于与上述的同样的理由，抑制横向电场的发生是可能的，进行高品质的图像显示是可能的。

另外，在本实施形态的电光装置中得到的其它的作用效果，就是说，对于那些因屏蔽层404的存在，排除数据线6a和像素电极9a间的电容耦合的影响的等的作用效果，在本变形形态中也同样地可以享受，这是不言而喻的。

此外，在本形态中，特别是由于形成有中继电极719，可以得到如下的作用效果。就是说，在图3等中，为了实现TFT30和像素电极9a间的电连，如同图的接触孔85所示，必须在构成存储电容器70的本身为更下层的电极的第1中继层71的图中的‘上表面’上实现接触。

但是，在这样的形态的情况下，在电容器电极300和电介质膜75的形成工序中，在对这些前驱膜进行刻蚀时，就必须实施边使位于其正下边的第1中继层71健全地残存边执行对该前驱膜的刻蚀这样的非常困难的制造工序。特别是像本发明这样，作为电介质膜75使用高介电系数材料的情况下，一般地说其刻蚀是困难的，此外，由于还要加上电容器电极300的刻蚀速率与该高介电系数材料的刻蚀速率不一致等的条件，故结果就变成为更进一步提高了该制造工序的困难程度。因此，在这样的情况下，在第1中继层71中，产生所谓的‘穿透’等的可能性大。这样一来，在不好的情况下，就会在构成存储电容器70的电容器电极300和第1中继层71间产生产生短路的危险性。

然而，如本形态那样，倘作成为使得在第1中继层71DF的图中的‘下表面’上设置电连接点的办法来实现TFT30和像素电极9a间的电连，则不会发生上述的那样的缺点。因为就像由图9可以看出的那样，在本形态中，不需要边对电容器电极300DF和电介质膜75的前驱膜进行刻蚀边残存下第1中继层71DF的工序。

由以上可知，倘采用本形态，由于不需要经由上述那样的困难的刻蚀工序，故可以良好地实现第1中继层71DF与像素电极9a间的电连。这是因为通过中继电极719实现了两者间的电连才得以实现的。此外，也可以说出于同样的理由，倘采用本变形形态，在电容器电极300DF和第1中继层71DF间产生短路等的可能性极其之小。就是说，可以满意地形成没有缺陷的存储电容器70DF。

而且，如果设置这样的中继电极719，实现存储电容器70DF和像素电极9a间的电连，故要形成该存储电容器的面积的确保就更为容易。因此，结果就变成为该存储电容器，可以含有更多的立体部分，其结果是可以更有效地实现电容值增大化这样的作用效果(请对比参看图2和图5，与图8和图10)。

另外，在本形态中，电容器电极300DF和数据线6a由于在不同的层内形成，故不需要像图2等那样实现在同一平面内的两者间的电绝缘。因此，在本形态中，电容器电极300DF，可以作为在下侧遮光膜11a方向上延伸的电容线的一部分形成。此外，借助于此，为了使该电容器电极300DF变成为固定电位，只要变成为使该电容线一直延伸到图像显示区域10a以外以连接到恒定电位源上的形态即可。再有，在该情况下，含有电容器电极300DF的电容线，由于其自身可以独自连接到恒定电位源上，屏蔽层404其自身也可以独自连接到恒定电位源上，故在采用这样的构成的情况下，也不一定非需要把两者间电连起来的接触孔801和803不可。

另外，电介质膜75，如图9所示，具有下层是氧化硅膜75a，上层是氮化硅膜75b这样的2层结构，且在遍及TFT阵列基板10的整个面地形成。此外，作为电介质膜75的另外的例子，也可以作成为这样的构成：遍及TFT阵列基板10的整个面地形成下层的氧化硅膜75a，把上层的氮化硅膜75b图形化为使得收纳于遮光区域(非开口区域)内，以防止归因于具有着色性的氮化硅膜的存在而降低透过率。

此外，数据线6a、屏蔽层用中继层6a1、第2中继层6a2，也可以作为从下层开始依次具有由铝构成的层、由氮化钛构成的层、由氮化硅膜构成的层这3层结构的膜形成。氮化硅膜，可以图形化为稍微大一点的尺寸，以便把其下层的铝层和氮化钛层覆盖起来。其中数据线6a，由于含有本身为电阻比较低的材料的铝，故可以无间断地实现图像信号对TFT30、像素电极9a的供给。另一方面由于可以形成防止水分向数据线6a上浸入的作用比较优良的氮化硅膜，故可以实现TFT30的耐湿性的提高，可以实现其寿命长期化。此外，氮化硅膜，理想的是可进行低温成膜的等离子体氮化硅膜。

(立体存储电容器的变形形态)

在上述中，存储电容器70DF的立体部分，被形成为沿着下侧遮光膜11a和数据线6a这双方，本发明并不仅仅限定于此，除此之外还可以采用种种的具体的形态。以下，依次说明除此之外的具体的形态。

首先，例如如图11所示，也可以采用仅仅对于下侧遮光膜11a的方向形成与第1中继层71DF变成为一体的凸状部分71DFAA，同时，在该凸状部分71DFAA上形成电介质膜和电容器电极300DFA的办法，构成对于上述方向设置立体部分的那样的存储电容器70DFA。

顺便地说，如果用1H反转驱动方式驱动这样的形态的电光装置，则归因于与上述的同样的理由而可以抑制横向电场的发生，可以显示高品质的图像。

此外，如图12所示，也可以采用仅仅对数据线6a的方向形成与第1中继层71DFB变成为一体的凸状部分71DFBA，同时，在该凸状部分71DFBA上形成电介质膜和电容器电极300DFB的办法，构成对上述方向设置立体部分的这样的存储电容器70DFB。

此外还有，如图13所示，也可以采用以下侧遮光膜11a进行延伸的方向为边界，对在数据线6a的一方上延伸的方向，和该下侧遮光膜11a进行延伸的方向，形成与第1中继层71DFC变成为一体的凸状部分71DFCA，同时，在该凸状部分71DFCA上，形成电介质膜和电容器电极300DFC的办法，构成对上述各个方向都设置立体部分的这样的存储电容器70DFC。

顺便提一下，即便是变成为这样的图11到图13中的任何一者的形态，与图6等的现有例比较，可知：尽管可以期待存储电容会增大一个恰好与构成立体部分的侧壁的面积量相应的量，却不会使开口率减少，这与图5或图10是同样的。

此外，在上述变形形态中，存储电容器70DF的含有凸形形状的剖面形状，虽然作成为完全的矩形形状，但是，在本发明中，除此之外例如如图14所示，也可以作成为该剖面形状变成为锥形形状的那样的形态。说得更为详细一点，与第1中继层71DFD成为一体的凸状部分71DFDA，如图14所示，其剖面形状被作成为具有锥形形状，并采用在该凸状部分71DFDA上形成电介质膜和电容器电极300DFD的办法，就变成为可以构成其剖面形状含有锥形形状的存储电容器70DFD的形态。

即便是在该情况下，有一点也是明白的：尽管可以期待存储电容器会增大一个恰好与构成立体部分的侧壁的面积量相应的量，却不会牺牲开口率，这与图5或图10是同样的。此外，特别是就如由图14可以明白的那样，由于变成为具有圆角化的角部分而不存在图10等所示的凸状部分71DFA那样的锐敏的角部分的形态，故可以满意地形成该凸状部分71DFDA上的电介质膜和电容器电极300DFD。这是因为在该电介质膜和该电容器电极300DFD的成膜过程中，对于其覆盖性的恶化等没有必要担心的缘故。

再有，在上述实施形态中，虽然把凸状部分71DFA形成为与第1中继层71变成为一体，但是，本发明并不限定于这样的形态。例如，也可以作成为这样的形态：在第1中继层71DF的下边设置由与该第1中继层71DF不同的材料构成的凸状构件，使之作为中继层发挥作用，形成第1中继层71DF、电介质膜75和电容器电极300DF。在该情况下，第1中继层71DF，既可以是薄的膜，也可以是厚的膜。

(电光装置的全体构成)

参看图15和图16说明像以上那样地构成的各个实施形态的电光装置的全体构成。另外，图15是与在TFT阵列基板上形成的各个构成部分一起，从对向基板20的一侧看该TFT阵列基板的平面图，图16是图15的H-H’剖面图。

在图15和图16中，在本实施形态的电光装置中，TFT阵列基板10和对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间已封入了液晶50，TFT阵列基板10和对向基板20，借助于设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域上的密封材料52彼此粘接起来。

密封材料52，为了把两个基板粘接起来，由例如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，可借助于紫外线、加热等使之硬化。此外，在该密封材料52中，如果本实施形态的液晶装置是像投影仪用途那样小型且进行扩大显示的液晶装置，则散布有目的为使两基板间的距离(基板间间隙)变成为规定值的玻璃纤维或玻璃微珠等的间隙材料(衬垫材料)。或者，如果该液晶装置是液晶显示器或液晶电视那样地大型且进行等倍显示的液晶装置，则在液晶层50中可以不含有这样的间隙材料。

在密封材料52的外侧的区域中，采用用规定的定时向数据线6a供给图像信号的办法，沿着TFT阵列基板10的一边设置驱动该数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，采用以规定的定时向扫描线3a供给扫描信号的办法，沿着与该一边邻接的2边设置驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。

另外，若供往扫描线3a的扫描信号延迟不会成为问题，则也可以仅仅在单侧设置扫描线驱动电路104，这是不言而喻的。此外，也可以沿着图像显示区域10a的边在两侧排列数据线驱动电路101。

在TFT阵列基板10的剩下的一边上，设置用来把设置在图像显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104间连接起来的多条布线105。

此外，在对向基板20的角部分中的至少一个地方上，设置用来在TFT阵列基板10和对向基板20之间形成电导通的导通构件106。

在图16中，在TFT阵列基板10上，在已形成了像素开关用的TFT或扫描线、数据线等的布线后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面在对向基板20上，除去对向电极21之外，在最上层部分上形成取向膜。此外，液晶层50由例如一种或把多种的向列液晶混合起来后的液晶构成，在这些一对的取向膜之间，形成规定的取向状态。

另外，在TFT阵列基板10上，除去这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等之外，也可以形成以规定的定时向多条数据线6a施加规定的图像信号的采样电路，先于图像信号分别向多条数据线6a供给规定的电压电平的预充电信号的预充电电路，用来在制造途中或出厂时检查该电光装置的品质，缺陷等的检查电路等。

(电子设备)

其次，对本身为把以上详细地说明的电光装置用做光阀的电子设备的一个例子的投影式彩色显示装置的实施形态，对其全体构成、特别是光学上的构成，进行说明。在这里，图17是投影式彩色显示装置的图示性的剖面图。

在图17中，本身为本实施形态的投影式彩色显示装置的一个例子的液晶投影仪1100的构成为：准备3个含有在TFT阵列基板上装载有驱动电路的液晶装置的液晶模块，分别用做RGB用的光阀100R、100G、100B。在液晶投影仪1100中，当从金属卤素灯泡等的白光源的灯泡单元1102发出投影光后，借助于3块的反射镜1106和2块的分色镜1108，分成与RGB的3原色对应的光成分R、G和B，并分别导入与各色对应的光阀100R、100G和100B内。这时特别是B光，为了防止因光路长所带来的光损耗，要通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121导入。然后，与分别用光阀100R、100G和100B进行调制后的3原色对应的光成分，借助于分色棱镜1112再次合成后，通过投影透镜1114作为彩色图像被投影到屏幕1120上。

本发明并不限于上述的实施形态，在不违背从技术方案的范围和说明书全体中可能读到的发明的要旨或思想的范围内，适宜变更是可能的，伴随着这样的变更的电光装置和电子设备也包括在本发明的技术范围内。作为电光装置，可以在电泳装置或EL装置或使用电子发射元件的装置等中应用。

Claims (15)

1.一种电光装置，具备：

在基板上在第1方向上延伸的数据线；

在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；

被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的薄膜晶体管；

配置在上述数据线的上层，与上述薄膜晶体管对应配置的像素电极；

电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；

配置在上述数据线和上述像素电极间的遮光层，其特征在于，

夹持构成上述存储电容器的电介质膜的上部电极和下部电极，其叠层的剖面形状具有凸形形状，该凸形形状含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层的平行部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层的立起部分。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述遮光层与上述存储电容器的上部电极电连。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述凸形形状，通过将上述下部电极形成为对上述基板含有凸状的部分构成。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于：上述下部电极用光吸收性的导电材料构成。

5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述凸形形状通过在上述下部电极下边形成凸状构件构成。

6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述凸形形状包括锥形形状。

7.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述凸形形状的高度为50～1000nm。

8.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述像素电极排列成矩阵状，上述扫描线和上述数据线，在与上述矩阵状对应的的遮光区内形成，

上述存储电容器，在上述遮光区内形成。

9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述存储电容器的上述凸形形状，沿着上述扫描线和上述数据线中的至少一方形成。

10.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：构成上述存储电容器的电介质膜，由含有不同的材料的多个层构成，同时，其中之一的层构成含有由介电系数比另外的层高的材料构成的层的叠层体。

11.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于：上述电介质膜，由氧化硅膜和氮化硅膜构成。

12.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：作为上述叠层结构的一部分，还具备作为上述像素电极的基底配置的层间绝缘膜，

上述层间绝缘膜的表面实施了平坦化处理。

13.一种电子设备，其特征在于，具备如下的电光装置，该电光装置具备：

在基板上在第1方向上延伸的数据线；

在与上述数据线交叉的第2方向上延伸的扫描线；

被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的薄膜晶体管；

配置在上述数据线的上层，与上述薄膜晶体管对应配置的像素电极；

电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器；

配置在上述数据线和上述像素电极间的遮光层，该电光装置的特征在于，

夹持构成上述存储电容器的电介质膜的上部电极和下部电极，其叠层的剖面形状具有凸形形状，该凸形形状含有沿着与上述基板的表面平行的面叠层的平行部分，和沿着对于上述基板的表面立起的平面叠层的立起部分。

14.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述存储电容器配置在与上述遮光层重叠的区域。

15.根据权利要求14所述的电光装置，其特征在于：上述扫描线由遮光性材料构成，与上述薄膜晶体管重叠地配置于上述薄膜晶体管的下层。

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