CN1215450C - 电光装置、其制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明的液晶装置用电光装置包括：在基板之上设置的TFT；设置在该TFT之上，通过接触孔与中继电极连接的像素电极；在该像素电极上，自该像素电极的间隙至边缘部分地设置的、覆盖该像素电极边缘部分的端面的保护用绝缘膜；以及被涂布在含有该保护用绝缘膜的一面上并且被施以摩擦处理的取向膜。可以防止在该像素电极的边缘附近或接触孔附近，取向膜材料渣滓发生或积存。由此，可降低亮度不均或显示不均。

Description

电光装置、其制造方法以及电子设备

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等电光装置及其制造方法，以及具有这种电光装置而成的例如液晶投影仪等电子设备的技术领域。

背景技术

在这种电光装置中，一般为在一对基板间夹持有液晶等电光物质，且在这些之中一方的基板中在各像素上与液晶等面对地具备像素电极的形式。这种情况下，多个像素电极通常以一定节距(以下适当称为“像素节距”)排列成矩阵状。在像素电极的表面或与液晶等接触的基板表面上，设置有规定液晶的取向状态等的电光物质的动作状态的取向膜。而且，用于对像素电极进行开关控制的薄膜晶体管(以下适当称为“TFT”)被相对于各像素电极而设置，在该TFT上设置有用于提供扫描信号的扫描线和用于提供图像信号的数据线。此外，在作为一对基板中的另一方的基板的对向基板上设置有对向电极。而且，在动作时，在通过TFT进行开关控制的像素电极和对向电极之间，对液晶等施加驱动电场，按像素单位进行液晶等的驱动。

在这种电光装置中，如果在面对液晶等的基板面上存在凹凸或阶差，则对液晶取向状态等电光物质动作状态产生紊乱。然而，在基板上，在像素电极的下层侧制作有扫描线、数据线、TFT等，如果任何对策都不采取，则由于所述各种布线、电子元件等的存在，会导致产生所述凹凸或阶差。

因此，开发出了通过在基板上预先挖设凹部，将各种布线、电子元件埋入其中，降低在面对液晶等的基板面上发生的凹凸或阶差的技术。而且，还开发出了对作为像素电极的基底层的位于最上面的层间绝缘膜的表面进行CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械研磨)处理的技术。

另一方面，在该种电光装置中，由于避免在液晶等上施加直流电压的目的、防止闪烁的目的，采用了使多个像素电极的驱动电位极性例如以场为单位，按每个像素行反向的行方向反向驱动方式(以下适当称为“1H反向驱动方式”)、或按每像素列反向驱动的列方向反向驱动方式(以下适当称为“1S反向驱动方式”)。当采用这种反向驱动方式时，则在相邻的像素电极间会产生横向电场。为此，在预定以垂直于基板表面的纵向电场来驱动的该电光装置中，会随着该横向电场的强度而在显示图像上产生紊乱。因此，以往开发出了通过在基板上预先挖设凹部，使各种布线、电子元件部分地埋入其中，并且部分地不埋入其中，在作为产生横向电场的区域的、沿着扫描线或数据线的各像素的非开口区域形成用于使横向电场降低的保护用绝缘膜的技术。

但在以往的技术中，对于由像素电极本身的存在造成的阶差，却不能处理。即，在间隔间隙地平面排列的多个像素电极的各缘上，会产生与像素电极的膜厚相应的阶差。而且，通常，即使对于随着用于直接或间接地将像素电极连接到薄膜晶体管的接触孔的开孔而在像素电极的表面上产生的凹陷，在所述以往的技术中也不能处理。

而且，由于在这样的像素电极的边缘附近的阶差或接触孔附近的凹陷，在摩擦在该像素电极上由聚酰亚胺等形成的取向膜时，会产生或积存聚酰亚胺等的渣滓。也存在取代其或在其基础上、在该摩擦后的诸工序中该渣滓浮游在液晶等中的情况。由于这些取向膜的材料渣滓，出现了在最终显示的图像中产生亮度不均或显示不均这样的技术问题。

特别地，随着为了适应显示图像的高精细化这样的一般要求而使像素间距细微化，进而使基板间间隙缩小的趋势，因这种像素电极本身的存在而引起的阶差、接触孔附近的凹陷相对变大。另一方面，由于像素节距的细微化，对于聚酰亚胺等的渣滓的大小也相对变大。由此，在为了高品位地显示图像而使像素间距细微化的过程中，由于在这样的像素电极的边缘附近或接触孔附近发生的或积存的渣滓，或电光物质中浮游的渣滓所带来的技术性问题更加严重。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种减少了例如在像素电极的边缘附近或接触孔附近取向膜材料渣滓等杂质的存在、由此还减少电光物质中浮游的杂质，能够实现降低了亮度不均或显示不均的高品质的图像显示的电光装置及其制造方法、以及具备这种电光装置的电子设备。

为解决上述课题，本发明的电光装置，在一对基板间夹持电光物质而成，并包括：在该一对基板中的一个基板之上，平面看彼此相隔有间隙地排列的多个像素电极；作为该像素电极的基底的基底层；形成在该基底层的下方并且与前述像素电极连接的布线和电子元件的至少一方；通过在前述间隙中在前述基底层上至少部分地形成并且在前述像素电极的边缘部分上重叠地形成、从而覆盖前述像素电极的边缘部分的端面的保护用绝缘膜；以及涂布在包含该保护用绝缘膜及上述像素电极的中央部分的一面上并且被施以规定摩擦方向的摩擦处理后的取向膜。

按照本发明的电光装置，在其动作时，对作为电子元件的一个例子的薄膜晶体管，通过例如作为布线的一个例子的数据线提供图像信号，通过例如作为布线的另一个例子的扫描线提供扫描信号。如此，则可通过薄膜晶体管对例如连接到薄膜晶体管上的像素电极进行开关控制，由此进行有源矩阵驱动方式的驱动。

在作为与这样的基板对向的另一基板的对向基板上，设置有隔着液晶等电光物质而与像素电极对向配置的对向电极，在其与像素电极之间进行电压施加。此外，在横向电场驱动方式的情况下，则不需要这样的对向电极，而在相邻的像素电极间进行电压施加。或者，也可以构成为通过作为电子元件另一例子的薄膜二极管(以下适当称为TFD)对像素电极进行有源矩阵驱动，或者也可以构成为不通过电子元件而将图像信号等提供给岛状、条状、片段(セグメント)状等各种形状的像素电极。

在本实施方式中，特别地，保护用绝缘膜在像素电极的间隙中在基底层上至少部分地形成并且在像素电极的边缘部分上重叠地形成。由此，保护用绝缘膜以覆盖像素电极的边缘部分的端面的方式而被设置。此外，这样的保护用绝缘膜，通过对例如氧化硅、氮化硅等透明绝缘膜进行图案形成而形成。并且，取向膜被涂布在包含保护用绝缘膜及像素电极的中央部分的一面上并同时被施以规定摩擦方向的摩擦处理。由此，因为像素电极的边缘被绝缘膜覆盖，所以降低了像素电极边缘附近的阶差。从而，可以有效降低在对聚酰亚胺等取向膜摩擦处理时产生的、像素电极的边缘附近的取向膜的材料渣滓的发生量。而且，也可有效地将像素电极的边缘或其上的取向膜在摩擦时局部地剥落或仔细观察时的剥落的事态防止于未然，对于伴随这种剥落发生的取向膜的材料渣滓，其结果也可以降低。或者，对于伴随这种剥落发生的摩擦不良，结果也可以降低。此外，也可以有效防止这样产生的材料渣滓浮游在例如液晶等的电光物质内。

而且，保护用绝缘膜在像素电极的间隙或像素电极的边缘部分上重叠地形成，不必形成在占据与显示有关的各像素开口区域的像素电极的中央部分上。从而，由于该保护用绝缘膜的存在，不会在进行显示的开口区域内引起显示图像的烧附现象。

以上的结果，按照本发明的电光装置，可以降低例如在像素电极的边缘附近取向膜的材料渣滓等杂质的存在，由此还可降低电光物质中浮游的杂质，能够实现降低了亮度不均或显示不均的高品质的图像显示。特别地，即使因为缩小像素节距、使像素电极的端面处的阶差或起因于接触孔的凹陷等相对变大，或者使取向膜的材料渣滓的尺寸相对变大，在本发明的电光装置中也可以有效降低由此产生的不良影响。从而，在推进显示图像的高精细化方面非常有利。

在本发明的电光装置的一个方案中，前述基底层被实施了平坦化处理。

按照这种方案，在实施了平坦化处理的基底层上形成像素电极，进而在其上形成保护用绝缘膜。从而，可以遍及全体地提高与电光物质接触的取向膜表面的平坦度，由此可降低液晶的取向不良等电光物质的动作不良。而且，即使对于因这样提高了平坦度的像素电极边缘附近处的像素电极本身的存在而引起的阶差而言，也可借助前述那样的保护用绝缘膜而降低，因此最终可以进一步减少取向膜的材料渣滓。

在本发明的电光装置的一个方案中，前述保护用绝缘膜被实施了平坦化处理。

按照这种方案，在实施了平坦化处理的保护用绝缘膜上形成取向膜。从而，可以遍及整体地提高与电光物质接触的取向膜表面的平坦度，由此可降低液晶的取向不良等的电光物质的动作不良。而且，即使对于因这样提高了平坦度的像素电极边缘附近处的像素电极本身的存在而引起的阶差而言，也可以借助前述那样的保护用绝缘膜而降低，因此最终可以进一步减少取向膜材料渣滓。

在本发明的电光装置的另一个方案中，前述像素电极通过接触孔与前述布线和电子元件的至少一方连接，前述保护用绝缘膜被形成为除覆盖前述端面以外还覆盖与前述接触孔的开孔对应的前述像素电极的凹陷部分。

按照这种方案，前述像素电极通过接触孔与前述布线和电子元件的至少一方连接。由此，会与该接触孔的开孔对应地，在像素电极的表面产生凹陷。假设在该凹陷上直接形成取向膜，则在其摩擦时，会导致在凹陷附近、即在由凹陷引起的阶差附近或凹凸附近发生或积存取向膜材料渣滓。然而，在该方案中，保护用绝缘膜以不仅覆盖像素电极的边缘部分、而且还覆盖该凹陷部分的方式形成。由此，可以将取向膜材料渣滓在接触孔的开孔附近发生或积存的事态防止于未然。

在本发明的电光装置的另一个方案中，还包括遮光膜，所述遮光膜在前述一对基板的至少一方之上，除前述间隙外，还将形成前述保护用绝缘膜的平面区域作为各像素的非开口区域来覆盖。

按照这种方案，占据像素电极间的间隙的全部或一部分的保护用绝缘膜被遮光膜覆盖，被配置在各像素的非开口区域内。由此，对于因为与保护用绝缘膜直接面对、而使电光物质中其动作状态局部劣化的部分而言，与实际的显示基本没有关系，因此不会导致显示品位的劣化。例如，对于因为由保护用绝缘膜的存在而产生的直流电压的施加而造成劣化的电光物质部分，在实际显示上是看不见的。而且，即使因为保护用绝缘膜的存在而使透过率降低，或者即使使用不透明或遮光性的保护用绝缘膜，但由于在实际的显示上看不到，所以不会特别地产生障碍。

此外，这样规定各像素开口区域的遮光膜，既可以设置在一对基板中的一方的基板上，也可以设置在另一方的基板上。此外，也可以将遮光膜的一部分设置在一方的基板上，将其余的部分设置在另一方的基板上。而且，也可以将这样的遮光膜冗长地设置在两个基板上，还也可以将大小稍微改变，重叠地形成在两个基板上。特别地，当在设置了像素电极的基板上设置遮光膜的情况下，布线或电子元件、和遮光膜既可以至少部分地共用，也可以构筑成所谓内置遮光膜。

在本发明的电光装置的另一方案中，前述保护用绝缘膜的边缘部分设置有在其边缘具有45度或以下的锥角的锥形。

按照该方案，保护用绝缘膜的边缘部分设置有在其边缘具有45度或以下的锥角的锥形。即，保护用绝缘膜的边缘部分或端面被作成相对平缓的阶差。从而，在保护用绝缘膜上，即使形成取向膜并且对其施以摩擦处理，也可以随着设置有该锥形的阶差的平缓度，降低取向膜的材料渣滓发生或积存的量。还可以随着阶差的平缓度，降低在摩擦时取向膜剥落的事态。

在有关该锥形的方案中，优选前述锥角小于或等于30度。

如果这样构成，则由于保护用绝缘膜的边缘部分或端面被作成非常平缓的阶差，所以即使在其上形成取向膜并且对其施以摩擦处理，也可以显著降低取向膜的材料渣滓发生或存积的量。

在有关上述锥形的方案中，前述锥形可以设置在前述保护用绝缘膜的边缘部分中沿与前述规定摩擦方向交叉的方向延伸的部分上。

根据这样构成，对于在取向膜的摩擦时呈擦起或擦落的保护用绝缘膜的边缘部分，设置有锥形。从而，可以显著降低由于该阶差而造成取向膜的材料渣滓发生或积存的量。

在本发明的电光装置的另一方案中，前述保护用绝缘膜不在上述像素电极的中央部分上重叠地形成。

按照该方案，保护用绝缘膜重叠地形成在像素电极的边缘部分，并不在上述像素电极的中央部分上重叠地形成。从而，在像素电极的中央部分，即在实际进行显示的开口区域内，不会引起由于该保护用绝缘膜的存在而造成的显示图像的烧附现象。

在本发明的电光装置的另一方案中，前述布线和电子元件的至少一方包含：相交叉的扫描线和数据线，和分别由它们提供扫描信号和图像信号并且对前述像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；并且前述保护用绝缘膜的平面形状为沿与前述扫描线和前述数据线相对应的前述间隙延伸成条状或格子状的结构。

按照该方案，在其动作时，向薄膜晶体管，通过数据线提供图像信号，通过扫描线提供扫描信号，进行TFT有源矩阵驱动方式的驱动。在此，特别地，保护用绝缘膜，其平面形状沿着间隙延伸成条状或格子状，构成向另一方的基板侧突出的保护用绝缘膜。在该方式中，特别地，如果采用通过对基底层实施平坦化处理，从而没有因除了该保护用绝缘膜以外的结构要素而在基底层上产生凹凸的结构，则大致仅通过该保护用绝缘膜的存在，就可以高可靠性地防止如前所述的取向膜的材料渣滓发生或积存的事态。

而且，前述保护用绝缘膜沿着以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙，延伸成条状。或者，该延伸成条状的区域，与其他区域相比距前述像素电极的高度较高。或者，前述保护用绝缘膜被设置在以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙的附近区域中。或者前述保护用绝缘膜的附近区域，与其他区域相比距前述像素电极的高度较高。

例如在上述电光装置的驱动方法为使每一像素行反向的行方向反向驱动方式的1H反向驱动情况下，前述保护用绝缘膜，沿着与上述扫描线和上述数据线对应的上述间隙延伸成格子状，并且与上述扫描线对应地沿X方向延伸设置的保护用绝缘膜距像素电极的高度，比与上述数据线对应地沿Y方向延伸设置的保护用绝缘膜距像素电极的高度高。另外，上述格子状的交叉区域距像素电极的高度无论与哪一个高度相一致都可以。

另外，在上述电光装置的驱动方法为按每一像素列反向驱动的列方向反向驱动方式的1S反向驱动情况下，前述保护用绝缘膜，沿着与上述扫描线和上述数据线相对应的上述间隙延伸成格子状，并且与上述扫描线对应地沿X方向延伸设置的保护用绝缘膜距像素电极的高度，比与上述数据线对应地沿Y方向延伸设置的保护用绝缘膜的高度低。另外，上述格子状的交叉区域距像素电极的高度无论与哪一个高度相一致都可以。

另外，在上述电光装置的驱动方法为按每一像素反向驱动的点反向驱动情况下，前述保护用绝缘膜沿着与上述扫描线和上述数据线相对应的上述间隙延伸设置成格子状，并且与上述扫描线对应地沿X方向延伸设置的保护用绝缘膜的高度，与和上述数据线对应地沿Y方向延伸设置的保护用绝缘膜的高度大致为同一高度。

按照这些结构，由于相邻的该像素电极间的驱动极性反向而在该间隙产生的横向电场对电光物质的影响，可通过上述保护用绝缘膜而降低，而且由于与横向电场无关的部分的保护用绝缘膜距像素电极表面的高度相对较低，所以可防止由于存在多余高度的保护用绝缘膜而造成的摩擦时的取向膜材料渣滓的产生。

在该方案中，也可以构成为，上述像素电极，通过前述薄膜晶体管在每个沿行方向延伸的排列或每个沿列方向延伸的排列进行反向驱动；前述保护用绝缘膜沿着前述间隙中的在前述像素电极间产生横向电场的间隙延伸成条状。

如果这样构成，则在该TFT有源矩阵驱动方式中，在采用前述1H反向驱动方式的情况下，如果由保护用绝缘膜形成沿着扫描线的条状保护用绝缘膜，则可通过该保护用绝缘膜的存在而降低横向电场对电光物质的影响。即，横向电场的电力线有一部分通过保护用绝缘膜，通过电光物质的部分减少，由此横向电场的不良影响也降低。或者，在采用前述1S反向驱动方式的情况下，如果由保护用绝缘膜形成沿着数据线的条状保护用绝缘膜，则可通过该保护用绝缘膜的存在而降低横向电场对电光物质的影响。另外，在采用在每个像素使驱动电位极性反向的所谓“点反向驱动方式”的情况下，如果形成沿着扫描线和数据线两者的格子状保护用绝缘膜，则可通过该保护用绝缘膜的存在而降低横向电场对电光物质的影响。在这样构成时，特别地，如果采用通过对基底层实施平坦化处理，从而没有因该保护用绝缘膜以外的构成要素而在基底层上产生凹凸的结构，则大概仅通过该保护用绝缘膜的存在即可高精度地降低横向电场。

在本发明的电光装置的另一个方案中，前述保护用绝缘膜的膜厚度，在与前述边缘部分重叠形成的部位中为大于等于前述一对基板的间隙的1/10并且小于等于其1/4。

按照该方案，由于前述保护用绝缘膜的膜厚度，在与边缘部分重叠形成的部位中是基板间隙、即基板间的间隙的1/10或以上且1/4或以下，所以可降低液晶的取向不良等的电光物质的动作不良。而且，可以有效地防止取向膜材料渣滓的产生或积存。此外，在采用如前述的反向驱动方式时，特别地，通过由该保护用绝缘膜构成的适当高度的保护用绝缘膜的存在，可有效地降低横向电场的影响。

为解决上述课题，本发明的电光装置的制造方法包括：在基板上形成布线和电子元件的至少一方的工序；在该布线和电子元件的至少一方之上形成基底层的工序；在该基底层上，形成多个像素电极的工序，所述多个像素电极平面看彼此相隔有间隙地排列并且与前述布线和电子元件的至少一方连接；在前述间隙中在前述基底层上至少部分地、并且在前述像素电极的边缘部分上重叠地形成保护用绝缘膜，使得覆盖前述像素电极的边缘部分的端面的工序；在包含该保护用绝缘膜及前述像素电极的中央部分的一面上涂布取向膜的工序；以及在该取向膜上实施规定摩擦方向的摩擦处理的工序。

按照本发明电光装置的制造方法，在基板上形成扫描线、数据线、薄膜晶体管、存储电容、中继层等各种布线、电子元件。并且，在其上利用溅射、CVD(Chemical Vapor Deposition)等成膜技术，形成由硅酸盐玻璃膜或氧化硅膜、氮化硅膜等构成的基底层。而且，在该基底层上，形成通过例如接触孔与布线、电子元件连接的多个像素电极。该像素电极例如通过借助溅射等方法对ITO(Indium Tin Oxide)膜进行成膜、并对其进行图案形成而形成。而且，在像素电极的边缘部分上重叠地形成保护用绝缘膜，使得覆盖像素电极的边缘部分的端面。这样的保护用绝缘膜，例如在用溅射或CVD等形成氧化硅、氮化硅膜等后，通过图案形成而形成。之后，在形成了保护用绝缘膜后基板表面的一面上，涂布由例如聚酰亚胺等构成的取向膜，进而对其实施摩擦处理。这样，可以有效地制造上述本发明的电光装置。

在本发明中，因为特别地在如将像素电极的边缘部分的端面覆盖那样地在像素电极的边缘部分上重叠地形成保护用绝缘膜之后，涂敷取向膜，实施摩擦处理，所以在该摩擦处理中可以有效地防止取向膜材料渣滓因像素电极的边缘附近的阶差而产生或积存。

在本发明电光装置的制造方法的一个方案中，还包括在形成前述基底层的工序后，对前述基底层实施平坦化处理的工序。

按照该方案，在将基底层平坦化后，在其上形成像素电极和保护用绝缘膜。从而，如果除去由像素电极的边缘部分等的像素电极的存在而引起的阶差，则在像素电极上或在其间隙露出的基底层上，几乎没有阶差。因此，通过在它们之上形成保护用绝缘膜，可以有效地防止因像素电极的边缘附近的阶差而产生或积存取向膜材料渣滓。

与此同时，在采用如前所述的反向驱动方式的情况下，可以利用保护用绝缘膜在几乎完全平坦的表面上以高精度形成具有适于降低横向电场的不良影响的高度和形状的保护用绝缘膜。

在本发明电光装置的制造方法的另一个方案中，还包括在对前述基底层实施平坦化处理的工序之后，开设用于将前述像素电极与前述布线和电子元件的至少一方连接的接触孔的工序；且形成前述保护用绝缘膜的工序形成前述保护用绝缘膜，使得覆盖与前述接触孔的开孔对应的前述像素电极的凹陷部分。

按照该方案，在基底层的平坦化处理后，将接触孔开孔。然后，利用该接触孔，连接在其上形成的像素电极和制作在其下方的布线、电子元件连接。从而，会对应接触孔的开孔而在像素电极的表面上产生凹陷。在此，假设在该凹陷上直接形成取向膜，则在其摩擦时，取向膜材料渣滓会在凹陷附近、即由凹陷产生的阶差附近或凹凸附近产生或积存。然而，在该方案中，使保护用绝缘膜以不仅覆盖像素电极的边缘部分、而且还覆盖该凹陷部分的方式形成。从而，可以有效地将取向膜材料渣滓在接触孔的开孔附近发生或积存的事态防止于未然。

在本发明电光装置的制造方法的另一个方案中，形成前述保护用绝缘膜的工序包括：在前述像素电极上和从前述间隙露出的前述基底层上的一面上形成绝缘膜的工序；对绝缘膜实施平坦化处理的工序；以及通过对实施了该平坦化处理的绝缘膜，实施借助蚀刻进行的图案形成，形成前述保护用绝缘膜的工序。

按照该方案，在形成了像素电极后的基板表面的一面上，形成绝缘膜，在将其平坦化处理后通过实施借助蚀刻进行的图案形成，形成前述保护用绝缘膜。从而，可以在规定区域高精度地形成表面被平坦化的保护用绝缘膜。

在该方案中，上述蚀刻也可以包含湿式腐蚀。

如果这样制造，则可以将表面被平坦化后的保护用绝缘膜的端面作为具有平缓的斜度的端面来形成。换句话说，可以形成为小于等于45度或小于等于30度的适当锥角的锥形状。此外，既可以仅通过湿式腐蚀进行蚀刻，也可以将湿式腐蚀和干式腐蚀组合以进行蚀刻。

在本发明电光装置的制造方法的另一个方案中，形成前述保护用绝缘膜的工序在不会对前述布线和电子元件的至少一方造成损坏的预定温度或以下进行。

按照该方案，例如使用CVD或溅射、蚀刻来进行的保护用绝缘膜的形成，在例如摄氏400度或以下等预定温度或以下进行。由此，可以避免对已经制作在基底层下方的例如TFT、存储电容、数据线、扫描线等各种布线、电子元件造成损坏。即，可以避免在半导体层中因高温引起扩散而使半导体层的性质变化，或者使导电膜或绝缘膜产生因热应力引起的变形或引起裂纹等。具体地说，通过低温CVD、低温溅射等的所谓低温处理，进行该保护用绝缘膜的形成。

为解决上述课题，本发明的电子设备具有上述的本发明电光装置(也包括其各种方案)。

本发明的电子设备，由于具备上述的本发明的电光装置，所以可以实现降低了亮度不均或显示不均、能够进行高品质的图像显示的投射型显示装置、液晶电视、便携式电话、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。此外，作为本发明的电子设备，还可以实现例如电子纸等电泳装置。

从以下说明的实施方式中可以明了本发明这样的作用以及其他优点。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的电光装置的设置在构成图像显示区域的矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路的电路图。

图2选择表示了本发明的实施方式的像素电极、保护用绝缘膜等。是形成有这些部件的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群组的平面图。

图3是图2的E-E’剖面图。

图4是比较例的对应于图2的E-E’剖面的部位的剖面图。

图5是本发明的实施方式的电光装置的形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群组的平面图。

图6是仅选出图5中要部的平面图。

图7是图5的A-A’剖面图。

图8是按顺序表示本发明的实施方式的电光装置的制造方法的工序剖面图(其1)。

图9是按顺序表示本发明的实施方式的电光装置的制造方法的工序剖面图(其2)。

图10是将本发明的实施方式的电光装置的TFT阵列基板与形成在其上各种构成要素一起、从对向基板一侧看的平面图。

图11是图10的H-H’剖面图。

图12是表示作为本发明的电子设备的实施方式的投射型彩色显示装置的一个例子的彩色液晶投影仪的示意剖面图。

图13是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第1立体图。

图14是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第2立体图。

图15是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第3立体图。

图16是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第4立体图。

标号说明：

3a        栅电极          6a    数据线

9a        像素电极        10    TFT阵列基板

11a       扫描线          16    取向膜

30        TFT             44    第4层间绝缘膜

89        接触孔          300   电容电极

501       保护用绝缘膜    501a  Y方向的保护用绝缘膜

501b      X方向的保护用绝缘膜

具体实施方式

以下参照附图说明本发明的实施方式。以下的实施方式是将本发明的电光装置适用于TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置中的方式。

像素部的构成

对于本发明实施方式的电光装置的像素部的构成参照图1至图7来说明。

首先，参照图1，说明其电路的构成。在此，图1是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路。

图1中，在构成本实施方式的电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中，分别形成有像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a的TFT30，提供图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn可以按照该顺序按线顺次提供，也可以对彼此邻接的多个数据线6a按每组提供。

另外，栅电极与TFT30的栅极电连接，并构成为以规定的定时(タィミング)脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、GM按照该顺序依线顺次施加给扫描线11a和栅电极。像素电极9a与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30在一定期间关闭其开关，将由数据线6a提供的图像信号S1、S2、...、Sn以规定的定时写入。

通过像素电极9a写入作为电光物质一个例子的液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn在与形成于对向基板上的对向电极之间被保持一定期间。液晶，其分子集合的取向、秩序等随着所施加的电压电平而变化，从而对光进行调制，可进行灰度显示。如果是常白模式，则根据以各像素单位施加的电压而减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，则根据以各像素单位施加的电压而增加对入射光的透过率，作为整体从电光装置射出具有与图像信号相对应的对比度的光。

在此为防止被保持的图像信号泄露，与形成在像素电极9a和对向电极之间的液晶电容并联地附加存储电容70。该存储电容70与扫描线11a并排设置，包含固定电位侧电容电极，同时包含被固定为恒定定电位的电容电极300。

接着，参照图2至图4，对于防止在像素部中、形成在TFT阵列基板的最上层的取向膜的材料渣滓的产生或积存的结构进行说明。在此，图2是选择表示了用于将本实施方式的像素电极、保护用绝缘膜、用于将像素电极连接到中继电极上的接触孔、以及该中继电极的，形成有所述部件的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群组的平面图。图3是图2的E-E’剖面图。图4是比较例的对应于图2的E-E’剖面的部位的剖面图。此外，在图3及图4中，为将各层、各部件设成在图面上大致可以辨认的大小，使所述各层、各部件的比例尺不同。

如图2和图3所示，在像素部中，在作为有源矩阵基板的TFT阵列基板10上，在其最上层形成有取向膜16。

取向膜16通过在涂敷了例如聚酰亚胺后，实施规定摩擦方向的摩擦处理而形成。此外，虽然在图2中没有图示取向膜16的存在，但作为TFT阵列基板上的最上层，作为透明的膜形成在整个面上。

像素电极9a如图2所示，呈矩阵状地平面排列。各像素电极9a如图2中由虚线9a’表示的轮廓那样，具有矩形平面形状。

各像素电极9a通过在作为本发明“基底层”的一个例子的层间绝缘膜44上开孔的接触孔89，与中继电极402连接。

如后所述，中继电极402与制作在位于其下方的叠层结构600内的各种布线、电子元件601连接。此外，对于各种布线、电子元件601的具体结构在后面详述(参照图5至图7)。

在本实施方式中，特别地，在图2中，在以剖面线表示的格子状的平面区域中形成有保护用绝缘膜501。而且，如图3所示，保护用绝缘膜501层叠在像素电极9a和取向膜16间。保护用绝缘膜501是对例如将氧化硅、氮化硅等透明绝缘膜进行图案形成而成的。而且，保护用绝缘膜501被设置为覆盖像素电极9a的边缘部分的端面。

在此，如图4的比较例，对从本实施方式的结构中除去保护用绝缘膜501的结构加以考察。在该比较例的情况下，如图中虚线的圆所示，与位于在像素电极9a的端面附近的像素电极9a和层间绝缘膜44的表面的凹凸相对应地，在取向膜16的表面上形成了凹凸551。而且，与位于像素电极9a的接触孔89附近的像素电极9a的表面的凹凸相对应地，在取向膜16的表面上形成了凹凸552。从而，在对取向膜16实施图中箭头所示的摩擦方向550的摩擦处理时，在所述端面附近的凹凸551和接触孔89附近的凹凸552处会产生、存积取向膜16的材料渣滓等。或者，由于这样的凹凸551和552的存在，摩擦时取向膜16的表面会部分地剥落，这又进一步助长取向膜16的材料渣滓的产生，或者发生摩擦不良。结果，在使用了图5所示的比较例的TFT阵列基板10的电光装置中，会产生亮度不均或显示不均。此外，这样产生的材料渣滓，在采用将该TFT阵列基板10作为一方的基板来夹持液晶等电光物质的结构的情况下，很可能会浮游在电光物质中，致使所述亮度不均或显示不均进一步增大。

对此，根据如图2及图3所示的本实施方式，像素电极9a的端面附近和接触孔89附近被保护用绝缘膜501覆盖。并且，如后面在制造工序中所描述的那样，对层间绝缘膜44的上表面及对保护用绝缘膜501的上表面施加CMP处理、回蚀刻处理、旋转涂敷处理等平坦化处理。而且，在保护用绝缘膜501的边缘附近，设置有平缓的锥形501t。

从而，按照本实施方式，因为保护用绝缘膜501的存在，可降低取向膜16表面上的像素电极9a的边缘附近的阶差。由此，能够有效降低在该电光装置的制造中、在对取向膜16进行摩擦处理时产生的、在像素电极9a的边缘附近的取向膜16的材料渣滓的产生量。而且，也可以有效地将像素电极9a的边缘或其上的取向膜16在摩擦时部分地剥落或仔细观察时剥落的情况防止于未然。由此，即使对于伴随这种剥落发生的取向膜16的材料渣滓，结果也可以减少。或者，即使对伴随这种剥落发生的摩擦不良而言，结果也可以减少。此外，还能够有效地防止在例如液晶等的电光物质内浮游有因此产生的材料渣滓。

而且，根据本实施方式，保护用绝缘膜501只要在像素电极9a的间隙附近形成就足够了，不必在占据各像素的开口区域的像素电极9a的中央部分形成。因此，由于保护用绝缘膜501的存在，所以不会引起显示图像的烧附现象，因此实用上非常有利。换句话说，保护用绝缘膜501被设置在各像素的非开口区域内，在设置有保护用绝缘膜501的区域(即图2中的剖面线区域)中，如后详述，设置有TFT阵列基板10上的各种内置遮光膜，或者，取而代之或在此之上在对向基板上设置遮光膜。

在本实施方式中，锥形501t的锥角优选为在保护用绝缘膜501的边缘处为45度以下，更优选为在30度以下。通过设置这样平缓的锥形501t，即使形成取向膜16并且对其施以摩擦处理，也可以随着设置有该锥形501t的阶差的缓和，而显著降低取向膜16的材料渣滓产生或者积存的量。但是，对于所述锥形角度，不限于这样的角度范围，只要是与像素电极9a的端面相比多少稍微缓和的锥角，就可以获得相应的效果。另外，也可以使锥形501t以设置在保护用绝缘膜501的边缘部分之中、沿与规定摩擦方向(参照图4的箭头550)交叉的方向延伸的部分上、而部设置在除此以外的边缘部分上的方式构成。即，只要对于在进行取向膜16的摩擦时呈擦起或擦落的保护用绝缘膜501的边缘部分设置锥形501t，即可有效降低取向膜16的材料渣滓产生或者积存的量。

接着，对于由上述数据线6a、扫描线11a以及栅电极、TFT30等形成的、实现上述电路动作的电光装置的实际的构成，参照图5至图7说明。在此，图5是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群组的平面图。图6是为表示图5中的要部，具体地说是数据线、屏蔽层及像素电极间的配置关系，而主要仅将其选出的平面图。图7是图5的A-A’剖面图。此外，在图7中，为将各层、各部件设为在图面上大致可以辨认的大小，使所述各层、各部件的比例尺不同。

首先，在图5中，在TFT阵列基板10上呈矩阵状地设置多个像素电极9a(由虚线部表示轮廓)，且分别沿着像素电极9a的纵横边界设置有数据线6a和扫描线11a。数据线6a如后述那样由包含铝膜等的层叠结构构成，扫描线11a由例如导电性的金属膜、多晶硅膜等构成。此外，扫描线11a电连接在与半导体层1a中的以图中右上向的斜线区域表示的沟道区域1a’对向的栅电极3a，该栅电极3a为包含在该扫描线11a中的形态。即，在栅电极3a和数据线6a的交叉部位，分别设置有与沟道区域1a’对向地配置有被包含在扫描线11a中的栅电极3a的像素切换用的TFT30。换句话说，TFT30(除栅电极3a外)成为存在于栅电极3a和扫描线11a之间的形态。

其次，如作为图5的A-A’线剖面图的图7所示，电光装置包括由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10、和与之对向配置的由例如玻璃基板或石英基板构成的对向基板20。

如图7所示，在TFT阵列基板10一侧，设置有上述像素电板9a，在其上侧，设置施加了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由例如ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在对向基板20一侧，遍及其全部表面地设置有对向电极21，在其下侧，设置有施加了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。其中对向电极21与上述像素电极9a同样，由例如ITO膜等透明导电性膜构成，上述取向膜16和22由例如聚酰亚胺膜等透明有机膜构成。

如图7所示，在对向基板20上，在各像素的开口区域以外的区域呈格子状或条状地形成有遮光膜23。通过采用这样的结构，可与如后述那样由制作在TFT阵列基板10中的数据线6a、电容线300等构成的内置遮光膜一起，借助该遮光膜23的遮光作用，更可靠地阻止来自对向基板20侧的入射光对沟道区域1a’及其邻接区域的入侵。而且，通过使遮光膜23的至少入射光照射的一面由高反射的膜形成，也可以构成为起到防止电光装置的温度上升的作用。遮光膜23优选以从平面看位于TFT阵列基板10的内置遮光膜的遮光区域内的方式、即作为遮光膜要小一圈的方式形成。由此，借助遮光膜23，不会使各像素的开口率下降，能够获得这样的遮光以及防止温度上升的效果。

在这样对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20之间，在由后述的密封材料(参见图10和图11)所包围的空间内封入液晶等电光物质，形成液晶层50。液晶层50在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过取向膜16和22形成规定的取向状态。液晶层50由例如一种或混合有多种向列液晶的电光物质形成。密封材料是用于将TFT基板10和对向基板20在其周边贴合起来的、由例如光固化性树脂或热固化性树脂构成的接合剂，并混入了用于使两基板之间的距离为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等隔离物。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除上述像素电极9a和取向膜16外，呈层叠结构地具备有包含这些部件的各种构成。如图7所示，该层叠结构从下面开始依次包括：包含扫描线11a的第1层，包含含有栅电极3a的TFT30等的第2层，包含存储电容70的第3层，包含数据线6a等的第4层，包含屏蔽层400等的第5层，包含上述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最上层)。此外，分别在第1层和第2层间设置基底绝缘膜12，在第2层和第3层间设置第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层间设置第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层间设置第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层间设置第4层间绝缘膜44，以防止前述各要素间短路。此外，在所述各种绝缘膜12、41、42、43和44上，例如还设置有将TFT30的半导体层1a中的高浓度源极区域1d和数据线6a电连接的接触孔等。以下对于所述的各要素按从下面开始的顺序进行说明。

首先，在第1层上，设置有由包含例如Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅酸盐、其叠层体、或者导电性多晶硅等构成的扫描线11a。该扫描线11a，从平面看以沿着图5的X方向的方式被图案形成为条状。更详细地讲，条状的扫描线11a具有沿图5的X方向延伸的本线部，和沿着延设有数据线6a或屏蔽层400的图5的Y方向延伸的突出部。此外，从相邻的扫描线11a延伸出的突出部彼此不连接，从而该扫描线11a形成为1条1条断开的形状。

由此，扫描线11a具有同时控制存在于同一行上的TFT30的ON/OFF的功能。此外，因为该扫描线11a以大体将未形成像素电极9a的区域掩盖的方式形成，所以还具有遮挡从下侧向TFT30入射的光的功能。由此，可抑制TFT30的半导体层1a的光露电流的发生，可进行无闪烁等的高品质的图像显示。

接着，作为第2层，设置有包含栅电极3a的TFT30。如图7所示，TFT30具有LDD(Light Doped Drain)结构，作为其构成要素，具备有上述栅电极3a、由例如多晶硅膜构成并通过来自栅电极3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’、含有将栅电极3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c、以及高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。

而且，在本实施方式中，特别地，在该第2层中，作为与上述栅电极3a相同的膜形成中继电极719。如图5所示，该中继电极719从平面看以位于各像素电极9a的一边的大致中央的方式形成为岛状。由于中继电极719和栅电极3a被作为相同的膜形成，在后者由例如导电性多晶硅膜等构成的情况下，前者也同样由多晶硅膜等构成。

此外，上述TFT30优选如图7所示的那样具有LDD结构，但也可具有不对低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c进行杂质的注入的偏置结构，还可以是将栅电极3a作为掩膜以高浓度注入杂质，自调整式地形成高浓度源极区域和高浓度漏极区域的自对准型的TFT。此外，在本实施方式中，采用了在高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e之间仅配置1个像素开关用TFT30的栅电极3a的单栅结构，但也可以在它们之间配置2个以上的栅电极。如果以双栅或三栅以上构成TFT，则可防止沟道与源极及漏极区域的接合部的泄露电流，可降低截止时的电流。

而且，构成TFT30的半导体层1a既可以是非单晶体层也可以是单晶体层。在单晶体层的形成时，可使用贴合法等公知方法。通过将半导体层1a设为单晶体层，可以谋求特别是周边电路的高性能化。

在以上说明的扫描线11a之上、且在TFT30之下，设置有由例如氧化硅膜等形成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了将TFT30与扫描线11a层间绝缘的功能外，通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，具有防止由于TFT阵列基板10的表面研磨时的破裂、或洗净后残余的污物等造成像素开关用TFT30的特性变化的功能。

在该基底绝缘膜12上，平面看于半导体层1a的两旁，挖设有沿后述的数据线6a延伸的沟槽12cv，对应该沟槽12cv，在其上方层叠的栅电极3a含有在下侧形成为凹状的部分。此外，通过以将该沟槽12cv的全部填埋那样地形成栅电极3a，而在该栅电极3a上延伸设置有与其一体形成的侧壁部3b。由此，如图5所示，TFT30的半导体层1a平面看被从侧方覆盖，至少可以抑制来自该部分的光的入射。

此外，该侧壁部3b，在以将上述沟槽12cv填埋的方式被形成的同时，使其下端与上述扫描线11a连接。在此，由于扫描线11a如上所述地被形成为条状，所以存在于某一行的栅电极3a和扫描线11a，只要着眼于该行，则始终为同电位。

在此，在本发明中，也可以采用与扫描线11a平行地形成包含栅电极3a的另一扫描线的结构。在这种情况下，该扫描线11a和该另一扫描线构成冗长的布线结构。

由此，例如，即使在该扫描线11a的一部分存在某些缺陷而不可能正常通电的情况下，只要与该扫描线11a存在于同一行的另一扫描线完好无损，则通过该另一扫描线依然可正常地进行TFT30的动作控制。

而继前述第2层之后在第3层上，设置有存储电容70。该存储电容70，通过使连接到TFT30的高浓度漏极区域1e和像素电极9a上的作为像素电位侧电容电极的下侧电极71、与作为固定电位侧电容电极的电容电极300，隔着电介质膜75对向配置而形成。根据该存储电容70，可以显著提高像素电极9a的电位保持特性。此外，如观看图5的平面图可知的那样，由于本实施方式的存储电容70以没有到达与像素电极9a的形成区域大体相对应的光透过区域的方式形成(换句话说，由于以收敛在遮光区域内的方式形成)，所以电光装置整体的像素开口率维持得较大，由此，可以显示更明亮的图像。

更详细地说，下侧电极71由例如导电性多晶硅膜构成并具有作为像素电位侧电容电极的功能。但是，下侧电极71也可以由金属或包含合金的单一层膜或多层膜构成。此外，该下侧电极71除作为像素电位侧电容电极的功能外，还具有中继连接像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e的功能。

电容电极300具有作为存储电容70的固定电位侧电容电极的功能。在本实施方式中，为将电容电极300设为固定电位，通过谋求与被设为固定电位的屏蔽层400电连接来实现。

如图7所示，电介质膜75由例如膜厚5～200nm左右的较薄的HTO(HighTemperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。从使存储电容70增大的观点出发，只要能够充分地获得膜可靠性，电介质膜75越薄越好。因此，在本实施方式中，特别地，如图7所示，该电介质膜75具有下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b这样的双层结构。由此，由于存在相对介电常数较大的氮化硅膜75b，所以，除了可使存储电容70的电容值增大，另外，尽管这样，由于存在氧化硅膜75a，所以也不会使存储电容70的耐压性降低。这样，通过将电介质膜75设为双层结构，可以获得互为相反的两种作用效果。此外，由于存在氮化硅膜75b，可以将水对TFT30的浸入防止于未然。由此，在本实施方式中，不会产生TFT30的阈值电压的上升这样的后果，比较长期的装置运用成为可能。此外，虽然在本实施方式中，电介质膜75成为具有双层结构的形态，但根据情况不同，也可以将其构成为具有例如氧化硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜等这样的三层结构或三层以上的叠层结构。

在以上说明的TFT30或栅电极3a及中继电极719之上、且在存储电容70之下，形成有由例如NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等、或者优选为NSG构成的第1层间绝缘膜41。而且，在该第1层间绝缘膜41上，贯穿后述的第2层间绝缘膜42地开孔有将TFT30的高浓度源极区域1d和后述的数据线6a电连接的接触孔81。此外，在该第1层间绝缘膜41上，开孔有将TFT30的高浓度漏极区域1e和构成存储电容70的下侧电极71电连接的接触孔83。

而且，在该第1层间绝缘膜41上，开孔有用于将构成存储电容70的作为像素电位侧电容电极的下侧电极71和中继电极719电连接的接触孔881。另外，在该第1层间绝缘膜41上，还贯穿后述第2层间绝缘膜地开孔有将中继电极719和后述的第2中继电极6a2电连接的接触孔882。

此外，在所述的四个接触孔中，在接触孔81和882的形成部分，不形成前述的电介质膜75，换句话说，在该电介质膜75上形成有开口部。这是因为在接触孔81处，需要通过下侧电极71，实现高浓度源极区域1b和数据线6a之间的电气导通，在接触孔882处，使该接触孔882贯穿第1及第2层间绝缘膜41和42的缘故。顺便说一下，如果在电介质膜75上设置这样的开口部，则在进行对TFT30的半导体层1a的氢化处理时，还能够获得可以使该处理用的氢通过该开口部较容易地到达半导体层1a的作用效果。

另外，在本实施方式中，也可以对于第1层间绝缘膜41，通过进行约1000℃的焙烧，实现在构成半导体层1a或栅电极3a的多晶硅膜中注入的离子的激活。

又，继前述第3层之后在第4层上，设置有数据线6a。该数据线6a与TFT30的半导体层1a的延伸方向一致地，即与图5中Y方向重合地形成为条状。如图7所示，该数据线6a作为具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层(参照图7的标号401)的双层结构的膜而形成。其中，由于数据线6a含有相对较低电阻的材料铝，所以可以无延迟地实现对TFT30、像素电极9a的图像信号的供给。另一方面，由于该数据线6a含有防止水分的浸入的作用较优异的氮化钛，所以可以实现TFT30的耐湿性的提高，可实现其寿命的长期化。

此外，在该第4层中，作为与数据线6a相同的膜，形成屏蔽层用中继层6a1和第2中继电极6a2。如图5所示，它们若从平面看，并未形成为具有与数据线6a连续的平面形状，各部之间在图案形成上被断开地形成。即，如果着眼于图5中位于最左方的数据线6a，则在其正右方形成有具有大致四边形状的屏蔽层用中继层6a1，在其更右方形成有具有比屏蔽层用中继层6a1略大一些的面积的具有大致四边形状的第2中继电极6a2。

在以上说明的存储电容70之上、且在数据线6a之下，形成有由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，或者优选通过使用了TEOS气体的等离子体CVD法形成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42上，开孔有将TFT30的高浓度源极区域1d与数据线6a电连接的上述的接触孔81，同时开孔有将上述屏蔽层用中继层6a1与作为存储电容70的上部电极的电容电极300电连接的接触孔801。而且，在该第2层间绝缘膜42上，形成有用于将第2中继电极6a2和中继电极719电连接的上述的接触孔882。

继前述第4层之后在第5层上，形成有屏蔽层400。若从平面看，如图5及图6所示，该屏蔽层400分别沿图中X方向和Y方向延伸地形成为格子状。特别地，对于该屏蔽层400中沿图中Y方向延伸的部分，以将数据线6a覆盖的方式，且比该数据线6a更宽地被形成。此外，对于沿图中X方向延伸的部分，为确保形成后述的第3中继电极402的区域，在各像素电极9a的一边的中央附近具有缺口部。

而且，在图5或图6中，在分别沿XY方向延伸的屏蔽层400的交叉部分的角部，将该角部掩盖地设置大致呈三角形状的部分。由于在该屏蔽层400上设置有该大致三角形状的部分，所以可以有效地进行对TFT30的半导体层1a的光的遮蔽。即，相对于半导体层1a从斜上方进入的光，在该三角形状的部分被反射或吸收，不能到达半导体层1a。从而，光露电流的发生受到抑制，可以显示无闪烁等的高品质图像。

该屏蔽层400，通过从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸设置，并与固定电位源电连接，从而被设为固定电位。此外，作为在此所述的“固定电位源”，既可以是提供给数据线驱动电路101的正电源或负电源的固定电位源，也可以是提供给对向基板20的对向电极21的固定电位源。

这样，由于被形成为覆盖数据线6a的整体(参照图6)、同时被设为固定电位的屏蔽层400的存在，可以排除在数据线6a和像素电极9a间产生的电容耦合的影响。即，可以将像素电极9a的电位随着向数据线6a的通电而变动的不良现象防止于未然，降低在图像上发生沿着该数据线6a的显示不均等的可能性。在本实施方式中，特别地，由于屏蔽层400形成为格子状，即使对于延伸有扫描线11a的部分，也可以将其抑制以免发生无用电容耦合。

此外，在第4层中，作为与这样的屏蔽层400相同的膜，形成作为本发明中所说的“中继层”的一个例子的第3中继电极402。该第3中继电极402具有通过后述的接触孔89对第2中继电极6a2和像素电极9a之间的电连接进行中继的功能。此外，所述屏蔽层400和第3中继电极402间，并不是呈平面形状地连续地形成的，两者间是在图案形成上被断开形成的。

另一方面，上述的屏蔽层400和第3中继电极402具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层的双层结构。由此，首先可以预期由氮化钛带来的水分防止作用的发挥。此外，在第3中继电极402中，下层的由铝构成的层与第2中继电极6a2连接，上层的由氮化钛构成的层与由ITO等构成的像素电极9a连接。这种情况下，尤其后者的连接可良好地进行。这一点，与假定在采取将铝和ITO直接连接的方式时，会在两者间发生电蚀，因为铝的断线、或氧化铝的形成造成的绝缘等原因，没有实现理想的电连接的情况形成对照。这样，在本实施方式中，由于可以良好地实现第3中继电极402和像素电极9a的电连接，因此可以良好地维持对该像素电极9a的电压施加、或者该像素电极9a的电位保持特性。

而且，屏蔽层400和第3中继电极402，含有光反射性较优异的铝，并且含有光吸收性能较优异的氮化钛，所以可获得作为遮光层的功能。即，按照这些，可以将对TFT30的半导体层1a的入射光(参照图7)的传播，遮挡在其上侧。此外，关于这样的情形，如既已描述的那样，可以说即使对上述的电容电极300和数据线6a而言也是同样的。在本实施方式中，所述屏蔽层400、第3中继电极402、电容电极300和数据线6a成为构筑在TFT阵列基板10上的层叠结构的一部分，同时又可具有作为遮挡对TFT30的来自上侧的光的入射的上侧遮光膜(或者如果着眼于构成“层叠结构”的一部分这一点，则为“内置遮光膜)的功能。此外，按照构成该“上侧遮光膜”或“内置遮光膜”的概念，则除上述构成外，可以认为栅电极3a、下侧电极71等也被包含在其中。主要的是，在最广义地解释的前提下，只要是构筑在TFT阵列基板10上的由不透明材料构成的结构，就可称为“上侧遮光膜”或“内置遮光膜”。

在以上说明的前述数据线6a之上、且在屏蔽层400下，形成有由NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等，或者优选为通过使用了TEOS气体的等离子体CVD法形成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43上，分别开孔有用于将上述屏蔽层400和屏蔽层用中继层6a1电连接的接触孔803，以及用于将第3中继电极402和第2中继电极6a2电连接的接触孔804。

此外，对于第2层间绝缘膜42，也可以不进行关于第1层间绝缘膜42所述那样的焙烧，由此实现在电容电极300的界面附近产生的应力的缓和。

最后，在第6层上，如上述那样地呈矩阵状地形成像素电极9a，并在该像素电极9a上形成取向膜16。并且，在该像素电极9a下，形成有由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等、或者优选为BPSG构成的第4层间绝缘膜44。在该第4层间绝缘膜44上，开孔有用于将像素电极9a和上述第3中继电极402间电连接的接触孔89。此外，在本实施方式中，特别地，第4层间绝缘膜44的表面通过CMP(ChemicalMechanical Polishing)处理等被平坦化，降低由于在其下方存在的各种布线、元件等形成的阶差引起的液晶层50的取向不良。但是，代替这样对第4层间绝缘膜44实施平坦化处理，或者在此之上，通过在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42和第3层间绝缘膜43中的至少一个上挖设沟槽，并将数据线6a等布线或者TFT30等埋入其中，以进行平坦化处理。

另外，在上述中，存储电容70构成了自下起依序为像素电位侧电容电极、电介质膜和固定电位侧电容电极这样的三层结构，但根据情况不同，也可以构成与此相反的结构。在这种情况下，例如，最好使作为上部电极的像素电位侧电容电极，以具有比固定电位侧电容电极的面积还大的面积的方式、即前者相对于后者在平面上具有剩余的面的方式形成，同时，使该剩余的面与通向中继电极719的接触孔的形成位置对应地配置。如果这样，则中继电极719和像素电位侧电容电极的电连接可通过该接触孔而较容易地实现。这样，本发明所说的“像素电位侧电容电极”并非是构成存储电容70的“下部”电极71(参照上述实施方式)，而是构成其上部电极。

在本实施方式中，特别地，如图7所示，已参照图2至图4详述的保护用绝缘膜501形成在像素电极9a和取向膜16之间。而且，对于保护用绝缘膜501的平面布局，如图2所示，在图5或图6中为说明方便省略其图示。

从而，按照本实施方式的电光装置，在像素电极9a的边缘附近取向膜16的材料渣滓等的杂质的存在减少，由此液晶层50中浮游的杂质也减少。因此，减小了亮度不均或显示不均的高品质图像显示成为可能。特别是，即使因为缩小像素节距，像素电极9a的端面处的阶差或者起因于接触孔89的凹陷等变得相对较大，或者，取向膜16的材料渣滓的尺寸变得相对较大，在本发明的电光装置中也可以有效降低由此造成的不良影响。所述的结果是，本实施方式的电光装置在改进显示像素的高精细化方面非常有利。

另外，按照本实施方式的电光装置，对第4层间绝缘膜44的上表面，施以CMP处理等的平坦化处理。因此，可以不受制作在第4层间绝缘膜44的下层侧的各种布线、电子元件的存在的影响地，遍及全体地提高与液晶层50接触的取向膜16的平坦度，或者由于保护用绝缘膜501的存在可以高精度地将与液晶层50接触的取向膜16的凹凸形状控制为所希望的形状，所以由此可以降低液晶的取向不良。

例如，本实施方式的电光装置通过前述的1H反向驱动进行液晶驱动。这种情况下，更具体地说，例如，以对由图5中在X方向排列的多个像素电极9a构成的每一像素行，分别使驱动电位极性相同，对第2n(n为自然数)行的像素行和第2n-1行的像素行，使驱动电位极性反向的方式，并且以对任意的像素行，以场单位或帧单位，使驱动电位极性反向的方式进行驱动。从而，在图5中，沿Y方向相邻的任意的两个像素电极9a，始终以相反的驱动电位极性驱动，所以在两者中会产生横向电场。

在这样采用1H反向驱动的场合，在本实施方式中优选为通过在平坦化后的笫4层间绝缘膜44上形成的保护用绝缘膜501，沿像素电极9a的间隙中的在像素电极9a间产生横向电场的间隙，即沿图5中X方向形成延伸成条状的堤坝形状。

此外，如图13的表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第1立体图所示，在距像素电极的表面的高度的比较中，保护用绝缘膜的对应扫描线而延伸设置的部位的高度构成得比与数据线相对应地延伸设置的部位的高度更高。被形成为为了降低横向电场而沿X方向延伸成条状的X方向的保护绝缘膜501b的高度相对较高，并且与横向电场基本无关的沿Y方向延伸成条状的Y方向的保护绝缘膜501a的高度相对较低。即，对于与横向电场无关的保护用绝缘膜501a的部分，构成为专以降低取向膜16的材料渣滓为目的，而形成足够程度的高度或形状。

同样，在采用前述的1S反向驱动的场合，在本实施方式中优选为通过在平坦化后的第4层间绝缘膜44上形成的保护用绝缘膜501，形成沿图5中Y方向延伸成条状的堤坝形状。

此外，如图14的表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第2立体图所示，在距像素电极的表面的高度的比较中，保护用绝缘膜的对应扫描线而延伸设置的部位的高度构成得比与数据线相对应地延伸设置的部位的高度低。被形成为为了降低横向电场而沿Y方向延伸成条状的Y方向保护绝缘膜501a的高度相对较高，并且与横向电场基本无关的沿X方向延伸成条状的X方向保护绝缘膜501b的高度相对较低。

此外，图15是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第3立体图。与图13的不同点是，作为上述格子状的保护用绝缘膜的交叉区域的距像素电极的高度，与对应较低的一方即数据线而延伸设置的部位的高度一致。对于与横向电场无关的区域的包含上述交叉区域的整个区域，预先使距像素电极的高度降低，可以将摩擦时的取向膜16的材料渣滓的发生抑制到最小限度。

此外，图16是表示本发明的实施方式的保护用绝缘膜的第4立体图。与图14的不同点在于，与图15同样地，作为上述格子状的保护用绝缘膜的交叉区域的距像素电极的高度，与对应于较低的一方即扫描线而延伸设置的部位的高度一致。

而且，在采用对每个像素反向驱动的点反向驱动的情况下，在本实施方式中，优选为通过在平坦化后的第4层间绝缘膜44上形成的保护用绝缘膜501，形成分别沿图5中Y方向及X方向延伸成格子状的堤坝形状。

这样，通过用保护用绝缘膜501形成保护用绝缘膜，大体仅由于该保护用绝缘膜的，就可以高精度地降低横向电场。

此外，为适当降低由于液晶层50的表面上的凹凸或阶差而在液晶层50中引起的取向不良，降低上述那样的横向电场的不良影响，并且，降低取向膜16的材料渣滓，保护用绝缘膜501的厚度优选为，在与像素电极9a的边缘部分重叠形成的部位，设定为大于或等于基板间间隙(即的液晶层50的层厚)的1/10且小于或等于其1/4。更具体地说，例如，如果基板间间隙为2～4μm，则保护用绝缘膜501的厚度设为0.2μm～1μm左右。但，最低限度，出于降低取向膜16的材料渣滓的目的，有关保护用绝缘膜501的厚度既可以比该范围更小，也可以更大。

制造工序

下面以与参照图2～图4说明的保护用绝缘膜501有关的工序部分为中心，对以上那样构成的电光装置的制造工序，参照图8和图9进行说明。在此，图8和图9是针对图3所示的接触孔附近的Ae剖面部分、按顺序表示本实施方式的电光装置的制造工序的一连串的工序图。

首先，在图8的工序(1)中，准备石英基板、硬质玻璃、硅基板等TFT阵列基板10，在其上使用平面技术，将各种布线、电子元件601构筑在层叠结构600内。具体地说，通过导电膜或半导体膜的成膜处理、掺杂处理、图案形成处理、退火处理等，顺次形成扫描线11a、TFT30、存储电容70、数据线6a、中继电极等。由此，成为以下状态：在TFT阵列基板10上构筑有包含各种布线、电子元件601的层叠结构，并在其上形成第3中继电极402，进而在其上形成绝缘膜44b。

在此，第3中继电极402，例如通过溅射法或等离子体CVD法等、由多层结构的导电膜形成。更具体地说，在层叠结构600的最上层(例如第3层间绝缘膜43)上，由例如铝等低电阻的材料形成第1层，继而，在该第1层上，由例如氮化钛等其他与后述的构成像素电极9a的ITO不发生电蚀的材料形成第2层，最后，以第1层和第2层为基础，通过进行图案形成而形成具有双层结构的第3中继电极402。此外，可在形成该第3继电极402的同时形成屏蔽层400(参照图5到图7)。

另一方面，层绝缘膜44b例如通过常压或减压CVD法等，利用TEOS(原硅酸四乙酯)气体、TEB(硼酸四乙酯)气体、TMOP(四甲基氧磷酸酯)气体等，由NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等形成。该绝缘膜44b的膜厚度，例如约为500～2000nm左右。在该阶段中，在绝缘膜44b的表面上，由于构筑在层叠结构600内的各种布线、电子元件的影响，所以存在有凹凸。

接着在图8的工序(2)中，通过CMP处理，使绝缘膜44b的表面平坦化，由此成为第4层间绝缘膜44。具体地说，例如，在固定于研磨盘上的研磨垫上，一边使含有二氧化硅颗粒的液状浆料(化学研磨液)流过，一边使固定于转轴上的基板表面(绝缘膜44b一侧)旋转接触，由此来研磨绝缘膜44b的表面。并且，通过时间管理或通过预先在规定位置形成适当的止挡层，使研磨处理停止。由此，形成例如约500～1500nm左右膜厚的平坦化后的第4层间绝缘膜44。

接着在图8的工序(3)中，通过反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干式腐蚀，将接触孔89开孔至第3中继电极402。但也可以通过湿式腐蚀或干式腐蚀与湿式腐蚀组合，以对接触孔89的侧壁稍微设置锥度的方式开孔。

接着在图8的工序(4)中，在第4层间绝缘膜44上，通过溅射处理等，将ITO膜等透明导电膜堆积成约50～200nm的厚度。然后，通过光刻和蚀刻，形成像素电极9a。此外，在将该电光装置作为反射型使用的情况下，也可以利用Al等反射率高的不透明材料形成像素电极9a。

其次在图9的工序(5)中，在像素电极9a和从像素电极9a的间隙露出的第4层间绝缘膜44的一面上，例如通过使用了TEOS气体、TEB气体、TMOP气体等的常压或减压CVD法等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成的绝缘膜501b。该第1层间绝缘膜41的膜厚例如约为50～500nm左右。形成绝缘膜501b时的处理温度根据像素电极9a的材质等而定，优选为在不会给包含像素电极9a的已形成在TFT阵列基板10上的各种电极、布线、电子元件等造成损伤的预定温度或以下进行。在此，也可以在例如400℃左右的低温下进行退火处理，使绝缘膜501b的膜质提高。

接着在图9的工序(6)中，对绝缘膜501b的上表面，实施CMP处理、蚀刻处理等平坦化处理，形成上表面被平坦化的绝缘膜501c。此外，也可以通过旋转涂覆，形成被平坦化的绝缘膜501c。

接着在图9的工序(7)中，利用光刻技术，在图2中用剖面线表示的区域中形成光致抗蚀剂602，以其作为掩膜，通过蚀刻，进行保护用绝缘膜501的图案形成。此时，通过使用湿式腐蚀，形成在端面具有优选45度或以下、更优选30度或以下的平缓的锥角的保护用绝缘膜501。

接着在图9的工序(8)中，通过剥离光致抗蚀剂602使保护用绝缘膜501露出。然后，在其上的一面上，涂布上聚酰亚胺系的取向膜涂布液，然后沿规定摩擦方向且以具有规定的预倾斜角的方式实施摩擦处理，由此形成取向膜16(参照图3及图7)。

通过以上工序，完成了电光装置中的如图2和图3所示的设置有保护用绝缘膜501而成的TFT阵列基板10一侧。

另一方面，对于对向基板20，首先准备玻璃基板等，在溅射例如金属铬后，经过光刻和蚀刻形成作为框缘的遮光膜。然后，通过对对向基板20的整个面进行溅射处理等，将ITO等透明导电性膜堆积成约50～200nm的厚度，由此形成对向电极21。而且，在将聚酰亚胺系的取向膜涂布液涂布到对向电极21的整个面上之后，通过以保持规定的预倾斜角的方式且以规定方向实施摩擦处理等，形成取向膜22。

最后，如上所述，将形成有各层的TFT阵列基板10和对向基板20，以取向膜16和22相面对的方式用密封材料贴合，通过真空吸引等，将例如混合多种向列液晶而成的液晶吸引到两基板间的空间中，从而形成规定层厚的液晶层50。

通过以上说明的制造工序，可制造前述实施方式的电光装置。

如以上详细说明的那样，按照本实施方式的制造工序，在TFT阵列基板10上，经过图9的工序(5)至(8)，如将像素电极9a的边缘部分处的端面覆盖那样，重叠在像素电极9a的边缘部分上地形成保护用绝缘膜501。与此并行，如将接触孔89附近覆盖那样地形成保护用绝缘膜501。之后，涂布取向膜16，实施摩擦处理。从而，在该摩擦处理中，可以有效地防止聚酰亚胺渣滓等取向膜16的材料渣滓因像素电极9a的边缘附近或接触孔89的附近的阶差而发生或积存。

电光装置的整体结构

以下参照图10和图11说明如以上那样构成的本实施方式的电光装置的整体结构。此外，图10是将TFT阵列基板10与形成在其上的各种构成要素一起从对向基板20的一侧看的平面图，图11是图10的H-H’剖面图。

在图10和图11中，在本实施方式的电光装置中，TFT阵列基板10与对向基板20被对向配置。在TFT阵列基板10与对向基板20之间，封入有液晶层50，TFT阵列基板10与对向基板20由设置在位于图像显示区域10a周围的密封区域的密封材料52相互粘接。

密封材料52是用于使两基板贴合、例如由紫外线固化树脂、热固化树脂等形成、并通过紫外线、加热等而固化的物质。此外，如果将本实施方式的电光装置适用于如液晶装置之投影仪用途那样进行小型放大显示的液晶装置，则在该密封材料52中，散布用于使两基板间的距离(基板间间隙)为规定值的玻璃纤维、玻璃珠等间隙材料(隔离物)。或者，如果将该电光装置适用于如液晶显示器或液晶电视那样进行大型等倍显示的液晶装置，则这样的间隔材料可以包含在液晶层50中。

在密封材料52的外侧区域，沿TFT阵列基板10的一边设置有通过以规定的定时向数据线提供图像信号而驱动该数据线6a的数据线驱动电路101以及外部电路接线端子102，沿与该边相邻的两边设置有通过以规定的定时向扫描线11a及栅电极3a提供扫描信号而驱动栅电极3a的扫描线驱动电路104。

此外，只要向扫描线11a和栅电极3a提供的扫描信号的延迟没有成为问题，则扫描线驱动电路104当然也可以仅在单侧。此外，也可以将数据线驱动电路101沿着图像显示区域10a的边排列在两侧。

在TFT阵列基板10的余下的一边，设置有用于将设置在图像显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104间连接的多个布线105。

此外，在对向基板20的角部的至少一个部位，设置有用于在TFT阵列基板10和对向基板20之间取得电导通的导通材料106。

在图11中，在TFT阵列基板10上，在形成有像素开关用TFT或扫描线、数据线等布线之后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，除对向电极21外，在最上层部分形成取向膜。此外，液晶层50例如由一种或混合有多种向列液晶的液晶构成，且在所述一对取向膜间，形成规定的取向状态。

此外，在TFT阵列基板10上，除所述的数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成以规定的定时向多个数据线6a外加图像信号的取样电路、将规定电压电平的预充电信号先于图像信号分别提供给多条数据线6a的预充电电路、用于检查制造过程中、出厂时的电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。

此外，在上述的各实施方式中，代替将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上，也可以通过设置在TFT阵列基板10的周边部的各向异性导电薄膜，将其电气式地及机械式地连接到例如安装在TAB(Tape Automated Bonding)基板上的驱动用LSI上。此外，在对向基板20的投射光入射侧和TFT阵列基板10的出射光出射侧，根据例如TN(Twisted Nematic)模式、VA(Vertically Aligned)模式、PDLC(Poly Dispersed Liquid Crystal)模式等的动作模式，或者常白模式、常黑模式的不同，分别以规定的方向配置偏振膜、相差膜、偏振板等。

电子设备

下面，对于作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的电子设备的一个例子的投射型彩色显示装置的实施方式、其整体结构、特别是光学结构进行说明。在此，图12是投射型彩色显示装置的示意剖面图。

在图12中，作为本实施方式的投射型彩色显示装置一个例子的液晶投影仪1100作为如下的投影仪而被构成，其预备有3个液晶模块，分别作为RGB用光阀(light valve)100R、100G和100B而使用，其中液晶模块含有在TFT阵列基板上搭载有驱动电路的液晶装置。在液晶投影仪1100中，当从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发射出投射光时，通过三片反射镜1106和两片分色镜1108，将其分为与RGB三原色对应的光分量R、G和B，并分别传送到与各色相对应的光阀100R、100G和100B中。此时，对于B光为了防止由于光路长而造成的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121来引导。然后，经光阀100R、100G和100B而分别被调制后的与三原色对应的光分量由分色棱镜1112再度合成，然后通过投射透镜1114投射到屏幕1120上形成彩色图像。

本发明不限于上述实施方式，在不违反根据权利要求范围以及说明书整体所能理解的本发明要旨或思想的范围内，可以适当变化，伴有这样的变化的电光装置及其制造方法以及电子设备也应包含在本发明的技术范围内。

Claims (23)

1.一种电光装置，其特征在于，包括：

夹持在一对基板间的电光物质；

在该一对基板中的一个基板之上，平面看彼此相隔有间隙地排列的多个像素电极；

成为该像素电极的基底的基底层；

形成在该基底层的下方并且与前述像素电极电连接的布线和电子元件的至少一方；

通过在前述间隙中在前述基底层上至少部分地形成并且在前述像素电极的边缘部分上重叠地形成、从而覆盖前述像素电极的边缘部分的端面的保护用绝缘膜；以及

设置在该保护用绝缘膜及前述像素电极上的被实施以规定摩擦方向的摩擦处理后的取向膜。

2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述基底层被实施了平坦化处理。

3.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜被实施了平坦化处理。

4.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述像素电极通过接触孔与前述布线和电子元件的至少一方连接；

前述保护用绝缘膜被形成为除覆盖前述端面以外还覆盖与前述接触孔的开孔对应的前述像素电极的凹陷部分。

5.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，还包括遮光膜，所述遮光膜在前述一对基板的至少一方之上，除前述间隙外，还将形成有前述保护用绝缘膜的平面区域作为各像素的非开口区域进行覆盖。

6.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜的边缘部分，在其边缘设置有具有45度或以下的锥角的锥形部分。

7.如权利要求6所述的电光装置，其特征在于，前述锥角小于等于30度。

8.如权利要求6所述的电光装置，其特征在于，在前述取向膜上实施了规定摩擦方向的摩擦处理，前述锥形部分设置在前述保护用绝缘膜的边缘部分中沿与前述规定摩擦方向交叉的方向延伸的部分上。

9.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜不在前述像素电极的中央部分上重叠地形成。

10.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述布线和电子元件的至少一方包含：相交叉的扫描线和数据线，和分别从他们提供扫描信号和图像信号并且对前述像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；

前述保护用绝缘膜的平面形状为沿与前述扫描线和前述数据线对应的前述间隙延伸成条状或格子状的结构。

11.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜，沿着以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙延伸成条状。

12.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜，沿着以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙延伸成条状的区域，与其他区域相比距前述像素电极的高度较高。

13.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜，设置在以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙的附近区域中。

14.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜，设置在以相对于基准电位互不相同的极性驱动前述电光物质的相邻的前述像素电极的间隙的附近区域，该附近区域与其他区域相比从前述像素电极开始算起的高度较高。

15.如权利要求10所述的电光装置，其特征在于，前述像素电极，通过前述薄膜晶体管在每个沿行方向延伸的排列或每个沿列方向延伸的排列进行反向驱动；

前述保护用绝缘膜沿着前述间隙中的在前述像素电极间产生横向电场的间隙延伸成条状。

16.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，前述保护用绝缘膜的膜厚度，在与前述边缘部分重叠形成的部位中大于等于前述一对基板的间隙的1/10并且小于等于其1/4。

17.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成布线和电子元件的至少一方的工序；

在该布线和电子元件的至少一方之上，形成基底层的工序；

在该基底层上，形成多个像素电极的工序，所述多个像素电极平面看彼此相隔有间隙地排列并且与前述布线和电子元件的至少一方连接；

在前述间隙中在前述基底层上至少部分地、并且在前述像素电极的边缘部分上重叠地形成保护用绝缘膜，使得覆盖前述像素电极的边缘部分的端面的工序；

在包含该保护用绝缘膜及前述像素电极的中央部分的一个面上涂布取向膜的工序；以及

在该取向膜上实施规定摩擦方向的摩擦处理的工序。

18.如权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于，还包括在形成前述基底层的工序后，对前述基底层实施平坦化处理的工序。

19.如权利要求18所述的电光装置的制造方法，其特征在于，还包括对前述基底层实施平坦化处理的工序后，开设用于把前述像素电极与前述布线和电子元件的至少一方连接的接触孔的工序；

其中，形成前述保护用绝缘膜的工序，形成前述保护用绝缘膜，使得覆盖与前述接触孔的开孔对应的前述像素电极的凹陷部分。

20.如权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于，形成前述保护用绝缘膜的工序包括：

在前述像素电极上和从前述间隙露出的前述基底层上的一面形成绝缘膜的工序；

对绝缘膜实施平坦化处理的工序；以及

通过在实施了该平坦化处理的绝缘膜上实施借助蚀刻进行的图案形成，形成前述保护用绝缘膜的工序。

21.如权利要求20所述的电光装置的制造方法，其特征在于，前述蚀刻包括湿式腐蚀。

22.如权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于，形成前述保护用绝缘膜的工序，在不对前述布线和电子元件的至少一方造成损坏的预定温度或以下进行。

23.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1所述的电光装置。

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