CN1220106C - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

在基板上具备像素电极、包含与它连接的半导体层的TFT、与该TFT连接的扫描线以及数据线。其中扫描线，包含与半导体层中的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及不与上述沟道区域相对的宽幅部。由此，在电光装置中，通过预先防止对TFT的光的入射，可以显示高品质的图像。

Description

电光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置以及电子设备的技术领域，特别涉及在夹着液晶等的电光物质构成的一对基板中的一方上，具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下称为“TFT”)，可以进行所谓的有源矩阵驱动的电光装置，以及，具备这样的电光装置构成的电子设备的技术领域。
背景技术
以往，已知由具备被排列成矩阵状的像素电极以及与该电极的各自连接的TFT、与该TFT的各自连接的，被设置成分别与行和列方向平行的扫描线以及数据线等，通过扫描线向TFT提供扫描信号，在控制其动作的同时，通过数据线向TFT以及像素电极提供图像信号，可以驱动所谓的有源矩阵的电光装置。在这样的电光装置中，目前一般要求更小型，并且可以显示更高品质图像的装置。
为了适应这种要求，必须克服各种问题，但其中特别要克服的问题是，对被设置在各像素上的TFT，尤其是对该半导体层中的沟道区域的光入射。这是因为，如果光照射在沟道区域上，则由于光的激励产生光泄露电流，TFT的特性变化，在图像上产生闪光(フリツカ)等的缘故。特别是在把可以驱动该有源矩阵的电光装置作为液晶投影机的光阀使用的情况下，因为入射到该光阀中的光的强度高，所以进行对TFT沟道区域和其周边区域等的入射光的遮挡更加重要。
因而在以往采用这样的构成，即，对制作有上述TFT等的TFT阵列基板，在夹着液晶等的电光学物质相对的相对基板上，设置规定各像素的开口区域的遮光膜，由此使得光不达到沟道区域和其周边区域等。或者，在TFT阵列基板上，也可以采取把通过TFT上的由Al(铝)等的金属膜构成的数据线作为遮光膜利用的构成等。通过采取这样的构成，可以预先防止光入射到该电光装置的TFT乃至其沟道区域，即预先防止光泄露电流的发生。
但是，在上述遮光技术中，存在以下的问题。即，如果采用在相对基板上、TFT阵列基板(above)上等形成遮光膜的技术，则遮光膜和沟道区域之间，3维地看以例如液晶层、电极、层间绝缘膜等介于中间隔得很开，对在两者之间斜向入射光的遮挡不充分。特别是在作为投影机的光阀使用的小型电光装置中，入射光是用透镜集中来自光源的光的光束，因为包含不能忽视的程度的斜向入射的成分(例如，从垂直基板的方向倾斜10度至15度的成分包含10％左右)，所以对这样的斜向入射光的遮光不充分在实际中成为问题。
特别是为了按照上述电光装置的小型化这种一般的要求，在该装置的高精细化或者像素间距的微细化进展的同时，为了按照显示图像的高品质化这种一般的要求显示更明亮的图像，而入射光的光强度有升高的趋势，如果采用上述以往的遮光技术，则实施充分遮光将更加困难。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种通过预先防止对TFT的光入射，可以显示高品质图像的电光装置以及具备这种电光装置构成的电子设备。
本发明的第1的电光装置，为了解决上述问题，在基板上具备，像素电极；通过开关动作向该像素电极提供图像信号的薄膜晶体管；向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；上述第2配线，包含作为与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的栅极电极的窄幅部，和比该窄幅部宽度宽，并且不与上述沟道区域相对的宽幅部。
如果采用本发明的第1电光装置，则通过第2配线向薄膜晶体管提供扫描信号，可以控制其ON·OFF，进而，在把该薄膜晶体管设置为ON的情况下，因为可以通过第1配线向像素电极提供图像信号，所以可以实现所谓的有源矩阵驱动。
而后在本发明中，特别是上述第2配线，包含作为与薄膜晶体管的沟道区域相对的栅极电极的窄幅部，和比该窄幅部宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部。即，本发明的第2配线，在沟道区域的周围采取所谓的伞状扩展的形态。
由此，要入射到薄膜晶体管的沟道区域中的光，由本发明的第2配线的宽幅部，遮挡其行进。特别是，这样的遮挡效果，对于对沟道区域斜向入射的光可以发挥效果。
因而，如果采用本发明，则可以大大抑制在薄膜晶体管中的光泄露电流的发生，而且可以显示没有闪烁等的高品质的图像。
进而，在本发明中，所谓“宽幅”是指相对“窄幅部”具有的宽度宽的意思，所谓“窄幅”是指相对“宽幅部”具有的宽度窄的意思。简而言之，“宽幅部”以及“窄幅部”所说的具体的宽窄的程度，由两者的相对关系确定。
另外，与之相关联，宽幅部，或者窄幅部实际上应具有的宽度值，在考虑了上述的遮光效果的强弱、像素开口率的维持、或者和基板上的其他构成要素的布局(レイアウト)等的情况后，可以根据理论、经验、实验，或者模拟等适当确定。更具体地说，在夹着电光学物质在上述基板上相对配置的相对板上，设置典型地形成的格子状的遮光膜的情况下，宽幅部的宽度，只要形成不超过上述遮光膜的宽度即可。如果采用这种构成，则因为宽幅部被关在非开口区域内，所以不会对像素开口率有影响。
另外，作为在本发明中所说的“电光学物质”，虽然如上所述，典型的是液晶，但此外，在适当的粘合剂内分散的粉末EL(场致发光)，或者无机或有机EL等也适合。在这种情况下，通过对EL施加电场，其自身进行发光，成为显示图像的机构，但即使在这样的“EL显示装置”中，如果考虑了具备上述TFT、第2配线以及第1配线等的情况，则即使在这样的情况下，当然也可以适用本发明。
本发明的第2电光装置，在基板上具备：像素电极；通过开关动作向该像素电极提供图像信号的薄膜晶体管；向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；在包含作为与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的栅极电极的窄幅部以及比该窄幅部宽度宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部的同时，与上述第2配线电气连接的电极部。
如果采用本发明的第2电光装置，则和上述的本发明的第1电光装置大致相同，可以进行有源矩阵驱动。但是，在本发明中，对薄膜晶体管的扫描信号的提供，除了第2配线，还经由电极部进行。
而后，在本发明中，特别是其形态为，在具备包含窄幅部以及宽幅部的电极部的同时，该电极部与第2配线电气连接。由此，例如，由于可以把第2配线以及电极部制作在基板上的另一层上等，可以提高薄膜晶体管等的配置状态的布局自由度，此外，例如对于第2配线在由导电性更优异的材料构成的同时，对于电极部也可以用遮光性优异的材料构成等。
无论哪种情况，如果采用本发明的第2电光装置，则和上述本发明的第1电光装置大致相同，因为可以实现由宽幅部对沟道区域的遮光，所以不会改变抑制光泄露电流的发生，可以显示更高品质画质的图像的优点。
在本发明的第2电光装置的一形态中，上述电极部和上述第2配线的电气连接，经由连接孔进行。
如果采用此形态，则由于和第2配线以及电极部的电气连接，经由连接孔进行，因而可以把两要素，例如作为夹着一层以上的层间绝缘膜等的基板上的单独层来形成，可以提高基板上的各种构成要素的布局自由度。
在本发明的第1电光装置的一形态以及本发明的第2电光装置的另一形态中，上述宽幅部的至少一部分，在平面上看，具有和上述第1配线重合的区域。
如果采用该形态，则例如当从下开始顺序形成沟道区域、包含宽幅部的第2配线或者电极部、以及第1配线这种层积构造的情况下，从第1配线的上方进入的光，如首先在第1配线的上面被遮挡，脱离它的光，在宽幅部的上面被遮挡等那样，发挥更高的光遮挡功能。另外，第1配线以及宽幅部平面地看重合这一点，因为意味着至沟道区域的光的进入路径被限定，所以由此实现更高的遮光功能的发挥。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述宽幅部，包含从上述窄幅部延伸设置构成的部分。
如果采用该形态，则可以比较容易地形成具有宽幅部以及窄幅部的第2配线或者电极部。具体地说，例如作为前提形成宽幅部以及窄幅部是所谓的一体的图案，通过使用公知的光刻以及蚀刻，可以容易地形成本形态的第2配线或者电极部。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述宽幅部，包含从上述窄幅部连接构成的部分。
如果采用该形态，则例如宽幅部，包含通过对窄幅部连接另外准备的导体部件等形成的部分。即使是这样的情况，也可以比较容易地形成宽幅部。
另外，在该情况下，特别是还可以容易地用不同的材料构成窄幅部和宽幅部，使得在期待作为栅极电极功能的窄幅部上适用一种材料，在期待高的遮光性能的宽幅部上适用另一种材料。
作为这种情况下具体地说，可以设置为，例如，对于窄幅部，用具有导电性的多晶硅构成，另一方面，对于宽幅部，用后述的WSi(钨硅化物)等的遮光性材料构成等。如果采用这样的构成，则可以得到对于在一般担负作为栅极电极功能不适宜的遮光性材料中，不使其负担这种功能，而使多晶硅膜承担该功能的这一优点，与此同时，还可以实现发挥高遮光功能效果。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述宽幅部，由遮光性材料构成。
如果采用该形态，则因为宽幅部由遮光性材料构成，所以进一步可靠地发挥该宽幅部的遮光功能。
进而，在本形态中，只把宽幅部用遮光性材料构成这样的构成没有问题，其构成也可以是包含宽幅部以及窄幅部用遮光性材料构成。在前者的情况下，在上述的宽幅部包含从窄幅部连接构成的部分的形态中，可以很好地实现这一点已经说明了。
另外，作为本形态中作为“遮光性材料”的具体例子，可以列举包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物(ポリシリサイド)、层积它们的方式等。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述第2配线或者上述电极部，具有多层构造。
如果采用此形态，则可以使第2配线或者电极部，例如具备由用于使其有效地作为栅极电极功能的层，和用于使其具有遮光性能的层构成的二层构造(进而，作为前者可以列举例如多晶硅等，作为后者如上所述可以列举Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属等)等，在本发明中可以更好地发挥在该第2配线或者该电极部中所希望的性能。由此，在确保薄膜晶体管，或者电光装置的最佳的工作的同时，可以发挥充分的遮光性能。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述宽幅部，从上述窄幅部的边缘部看，在上述沟道区域延伸的方向的一方或者两方上延伸。
如果采用该形态，则宽幅部，因为在沟道区域延伸的一方或者两方上延伸，所以很好地实施和薄膜晶体管以及第2配线或者电极的配置状态的调整。在此，所谓宽幅部在“一方向上延伸”的情况，是在沿着沟道区域延伸的方向上的该沟道区域的一端部的直线上，宽幅部的一端部搭上，而另一端之间不搭在和上述直线平行的直线上，另一方面，所谓“在两方上延伸”的情况，是在沿着上述沟道区域的一端部以及另一端部的各自的直线上，上述宽幅部的一端部以及另一端部的任意一方都不搭上的情况。
在本形态中，如上所述，对于窄幅部，因为可以自由地确定应该作为“宽幅”的部分，所以在可以很好地实施和薄膜晶体管以及第2配线以及电极部的配置状态的调整的同时，还可以由此提高基板上的各种构成要素的布局自由度。
进而，在上述中，在宽幅部只在一方上延伸的情况，或者在两方上延伸的情况的任意一个中，对于使该宽幅部具体地怎样对窄幅部突出这一点，如上所述，可以考虑各种情况决定。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，上述像素电极被排列成矩阵形状；上述沟道区域，被形成在平面地看穿过夹着上述第2配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第1间隙，和穿过夹着上述第1配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第2间隙相交的交点区域内。
如果采用该形态，则由于薄膜晶体管的沟道区域，被形成在交点区域内，因而显现出最难以发生光的入射的构造。因而，如果本发明的宽幅部的作用效果也相辅，采用本发明的电光装置，则可以更可靠地抑制光泄露电流的发生，可以显示更高品质的图像。
进而，在本发明中所谓“排列成矩阵状”，当然是包含像素电极在纵横方向分别被排列成直线的单纯的形态，但还包含例如只在纵横中至少一方向上排列成的蛇行状或者锯齿状那样的形态等。
在该状态下，特别是上述沟道区域以及源极区域以及漏极区域，被形成为沿着上述第2间隙延伸，上述窄幅部的宽度，在与沿着上述沟道区域的第2间隙的长度一致的同时，上述宽幅部的宽度，具有比上述长度还大的值。
如果采用这样的构成，则如此形成薄膜晶体管，使得所谓“沟道长度”(是上述的“沿着沟道区域的第2间隙的长度”)的方向，和第2间隙的方向一致。而后，窄幅部的宽度，与上述沟道长度一致，宽幅部的宽度，具有比该沟道长度还大的宽度。
这种构造，可以说显现出薄膜晶体管至其沟道区域以及第2配线或者电极部的最适宜的配置状态之一，以它为基本，可以更好地确定第1配线、像素电极等的配置状态。
在本发明的第1或者第2电光装置的另一形态中，在上述薄膜晶体管的下侧，进一步具备下侧遮光膜。
如果采用该形态，则可以更可靠地实现防止对薄膜晶体管的光的入射。即，如果本发明的宽幅部被设置在薄膜晶体管的上侧，则可以遮挡从上侧以及下侧对沟道区域入射的光，如果上述宽幅部被设置在薄膜晶体管的下侧，则对于下侧，可以双重遮光。
具体地说，例如本形态的电光装置，在作为可以彩色显示的投影型显示装置中的光阀使用的情况下，在该投影型显示装置中，例如，与一组棱镜相对地具备与红、蓝以及绿三色对应的三组光阀(电光装置)。在这种情况下，例如对于与红对应的电光装置，有脱离和与它相对的蓝色对应的电光装置的光入射的情况。而后，该光，作为所谓的返回光，成为从薄膜晶体管的下侧入射的光。
在此，如果采用本形态的下侧遮光膜，则因为可以遮挡从薄膜晶体管的下侧入射的光，所以可以进一步降低在该薄膜晶体管中的发生光泄露电流的可能性。
本发明的电子设备，具备上述本发明的第1或者第2电光装置(包含该各种形态)。
如果采用本发明的电子设备，因为具备对薄膜晶体管的光遮挡性优异的电光装置，所以可以实现可以显示没有闪烁等的高品质的图像的，投影型显示装置(液晶投影机)、液晶电视、便携电话、电子笔记本、字处理器、取景器型或者监视器直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。
本发明的这种作用以及其他优点可以通过以下说明的实施方式变得明了。
附图说明
图1是展示构成本发明实施方式1的电光装置中的图像显示区域的被设置成矩阵形状的多个像素的各种元件、配线等的等效电路的电路图。
图2是形成有本发明的实施方式1的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图。
图3是图2的A-A’断面图。
图4是展示包含宽幅部以及窄幅部的扫描线和沟道区域，以及和其周围构成的立体配置状态的斜视图。
图5是展示以往的电光装置中的扫描线、以及和其周围构成的立体配置状态的斜视图。
图6是和图2相同宗旨的图，但是展示涉及本发明的实施方式2的，具备包含窄幅部以及宽幅部的电极部的方式的平面图。
图7是和图4相同宗旨的图，但是展示涉及本发明的实施方式2，具备包含窄幅部以及宽幅部的电极部的方式的平面图。
图8从相对基板一侧看在本发明的实施方式的电光装置中的TFT阵列基板和被形成在其上的各构成要素的平面图。
图9是图8的H-H’断面图。
图10是展示作为本发明的电子设备的实施方式的投影型彩色显示装置的一例的彩色液晶投影机的断面图。
符号说明
1a 半导体层
1a’ 沟道区域
1b 低浓度源极区域
1c 低浓度漏极区域
1d 高浓度源极区域
1e 高浓度漏极区域
3a 扫描线
3aa 窄幅部
3ab 宽幅部
6a 数据线
9a 像素电极
10 TFT阵列基板
11a 下侧遮光膜
30 TFT
301 电极部
301a 窄幅部
301b 宽幅部
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。以下的实施方式，把本发明的电光装置适用于液晶装置。
实施方式1
首先，参照图1至图3说明本发明的实施方式1中的电光装置的像素部中的构成。在此，图1是被形成为构成电光装置的图像显示区域的矩阵形状的多个像素中的各种元件、配线等的等效电路。另外，图2是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图，图3是图2的A-A’断面图。进而，在图3中，因为把各层·各部件设置成在图面上可以识别的大小，所以对于各层·各部件的每一个压缩尺寸不同。
在图1中，在被形成为构成实施方式1中的电光装置的图像显示区域的矩阵形状的多个像素上，分别形成有像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a的TFT30，提供图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电气连接。被写入数据线6a中的图像信号S1、S2、...、Sn，可以以该顺序按照线顺序提供，也可以对相邻接的多个数据线6a之间，向每一组提供。
另外，构成为，在TFT30的栅极上电气连接扫描线3a，以规定的定时，以该顺序按照线顺序向扫描线3a脉冲地施加扫描信号G1、G2、G3、...、Gm。像素电极9a，与TFT30的漏极电气连接，通过只在一定期间使作为开关元件的TFT30关闭开关，以规定的定时写入从数据线6a提供的图像信号S1、S2、...、Sn。
经由像素电极9a写入作为电光学物质的一例的液晶的规定电平的像素信号S1、S2、...、Sn，在和被形成在相对基板上的相对电极之间保持一定期间。液晶，根据被施加的电压水平分子集合的排列方向和次序变化，对光进行调制，可以进行灰度显示。如果是常白模式(ノ一マリ一ホワイトモ一ド)，则对应于在各像素单位施加的电压相对入射光的透过率减少，如果是常黑模式(ノ一マリ一ブラツクモ一ド)，则根据在各像素单位施加的电压相对入射光的透过率增加，作为整体从电光装置射出具有与图像信号对应的反差(对比度)的光。
在此为了防止保持的图像信号泄露，在和被形成在像素电极9a和相对电极之间的液晶电容(容量)并列地附加存储电容70。该存储电容70，包含被固定在与扫描线3a并列设置的恒定电位上的电容线300。
以下，参照图2以及图3说明采用上述数据线6a、扫描线3a、TFT30等的，实现上述那样的电路动作的电光装置的更现实的构成。
首先，第1实施方式的电光装置，如图2的A-A’线断面图的图3所示，具备透明的TFT阵列基板10，和与其相对配置的透明的相对基板20。TFT阵列基板10，例如，由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，相对基板20，例如由玻璃基板、石英基板等构成。
如图3所示，在TFT阵列基板10上，设置有像素电极9a，在其上侧，设置有实施了摩擦处理等的规定的定向处理的定向膜16。像素电极9a，例如由ITO(Indium Tin Oxide)膜等的透明导电性膜构成。另一方面，在相对基板20上，跨越其整个面设置有相对电极21，在其下侧，设置有实施了摩擦处理等的规定的定向处理的定向膜22。其中相对电极21也和上述的像素电极9a一样，例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。进而，上述的定向膜16以及22，例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成。
另一方面，在图2中，上述像素电极9a，在TFT阵列基板10上，设置成多个矩阵形状(由虚线部9a’表示轮廓)，分别沿着像素电极9a的纵横的边界设置有数据线6a以及扫描线3a。数据线6a，沿着与图2中x方向相邻接的像素电极9a之间的间隙，即在同一图中y方向穿过延伸的间隙(相当于本发明中的“第2间隙”。)形成，其材质，例如由铝膜等的金属膜或者合金膜构成。另一方面，扫描线3a，沿着图2中y方向相邻接的像素电极9a之间的间隙，即在同一图中x方向穿过延伸的间隙(相当于本发明的“第1间隙”)形成。其中扫描线3a，被配置成在半导体层1a中与在图中右上的斜线区域示出的沟道区域1a’相对，扫描线3a的一部分作为栅极电极起作用。即，在扫描线3a和数据线6a交叉的位置上(相当于本发明中的“交点区域”。)分别设置有在沟道区域1a’上扫描线3a的本线部被作为栅极电极相对配置的像素开关用的TFT30。
TFT30如图3所示，具有LDD(Lightly Doped Drain)构造，作为其构成要素，具备如上所述作为栅极电极起作用的扫描线3a，例如由多晶膜构成通过来自扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’，包含将扫描线3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2，在半导体层1a中的低浓度源极区域1b以及低浓度漏极区域1c以及高浓度源极区域1d以及高浓度漏极区域1e。
而后，在实施方式1中，特别是扫描线3a，如图2所示，包含与TFT30的沟道区域1a’相对的作为栅极电极的窄幅部3aa，和不相对的宽幅部3ab。这些窄幅部3aa和宽幅部3ab，成为相互延伸设置的关系。由此，包含窄幅部3aa以及宽幅部3ab的扫描线3a，通过使用光刻法等，可以一次一体地形成。
更具体地说，如图2所示，窄幅部3aa的宽度Wa，被确定为与在由TFT30的漏极区域1c以及1e和源极区域1b以及1d夹着的方向上的沟道区域1a’的长度一致，即与沟道长一致，宽幅部3ab的宽度Wb，被形成为满足Wb＞Wa的关系，并且从窄幅部3aa的两边缘部看突出(即，在图2中+y方向以及-y方向上都突出)。
另外，该扫描线3a，从图2可知，被形成为，其宽幅部3ab，具有平面地看和数据线6a重合的区域，更具体地说，在扫描线3a中的窄幅部3aa以及宽幅部3ab之间的边界区域，平面地看和数据线6a的边缘部重合。在图2中，该重合的区域，表示具有宽度Wp。
包含这样的窄幅部3aa以及宽幅部3ab的扫描线3a，在实施方式1中由遮光性材料构成。在此，作为遮光性材料，例如，可以列举包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的至少一种的金属单体，合金、金属硅化物、聚硅化物、层积它们的物质等。
进而，在上述中，虽然假设TFT30具有LDD构造(参照图3)，但本发明并不限定于这种方式，例如，可以具有在低浓度源极区域1b以及低浓度漏极区域1c中不进行杂质掺入的补偿(オフセツト)构造，也可以是把由扫描线3a的一部分构成的栅极电极(即，窄幅部3aa)作为掩膜以高浓度掺入杂质，自调整地形成高浓度源极区域以及高浓度漏极区域的自调整型TFT。
另外，构成TFT30的半导体层1a可以是非单结晶层也可以是单结晶层。在单结晶层的形成中，可以使用贴合法等公知的方法。
通过把半导体层1a设置成单结晶层，尤其可以实现外围电路的高性能化。
另一方面，在图3中，存储电容70，可以通过隔着电介质膜75相对配置与TFT30的高浓度漏极区域1e以及像素电极9a连接的作为像素电位一侧电容电极的中继层71、和作为固定电位一侧电容电极的电容线300的一部分来形成。如果采用该存储电容70，则可以显著提高像素电极9a中的电位保持特性。
中继层71，例如由导电性的多晶硅膜构成具有作为像素电位一侧电容电极的功能。但是，中继层71，和后述的电容线300一样，也可以由包含金属或者合金的单一层膜或者多层膜构成。中继层71，除了作为像素电位侧电容电极的功能外，还具有经由连接孔83以及85，中继连接像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e的功能。
电容线300，例如由包含金属或者合金的导电膜构成具有作为固定电位侧电容电极的功能。该电容线300，如果平面地看，则如图2所示，与扫描线3a的形成区域重叠地形成。更具体地说，电容线300，具备沿着扫描线3a延伸的本线部300a；图中，从和数据线6a交叉的各位置沿着数据线6a向上方分别突出的突出部300b；仅仅与连接孔85对应的位置中间细的中间细部300c。
其中突出部300b，利用扫描线3a上的区域以及数据线6a下的区域(参照图3)，对存储电容70的形成区域的增大做贡献。这样的电容线300，优选地，由包含高熔点金属的导电性遮光膜构成，除了作为存储电容70的固定电位一侧电容电极的功能外，具有在TFT30的上侧遮挡TFT30避免入射光照射的遮光层的功能。另外，电容线300，优选地，从配置有像素电极9a的像素显示区域10a向其周围延伸，和恒定电位源电气连接，被设置成固定电位。作为这样的恒定电位源，可以是向数据线驱动电路101提供的正电源、负电源等的恒定电位电源，也可以是向相对基板20的相对电极21提供的恒定电位。
电介质膜75，如图3所示，例如由膜厚度5～200nm左右的比较薄的HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等的氧化硅膜，或者氮化硅膜等构成。从增大存储电容70的观点看，在尽可能充分地得到膜的可靠性中，电介质膜75越薄越好。
在图2以及图3中，除了上述以外，在TFT30的下侧，设置下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a，被格子状地形成图案，由此规定各像素的开口区域。进而，开口区域的规定，也可以由图2中的数据线6a，和与之交叉形成的电容线300确定。另外，即使对于下侧遮光膜11a，也和上述的电容线300的情况一样，为了避免该电位变动对TFT30的不良影响，可以从图像显示区域向其周边延伸设置与恒定电位源连接。
另外，在TFT30下，设置有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了从下侧遮光膜11a层间绝缘TFT30的功能外，由于被形成在TFT阵列基板10的整个面上，因而，具有防止因在TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙、清洗后残留的污物等，像素开关用TFT30的特性变化的功能。
此外，在扫描线3a上，形成有分别开有通向高浓度源极区域1d的连接孔81以及通向高浓度漏极区域1e的连接孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上，形成有中继层71以及电容线300，在它们之上形成有分别开有通向高浓度源极区域1d的连接孔81以及通向中继层71的连接孔85的第2层间绝缘膜42。
进而，在实施方式1中，通过对于第1层间绝缘膜41，进行约1000℃的烧制，也可以实现注入到构成半导体层1a和扫描线3a等的多晶硅膜中的离子的活性化。另一方面，通过对于第2层间绝缘膜42，不进行这样的烧制，可以实现缓和在电容线300的边界附近产生的应力。
在第2层间绝缘膜42上，形成有数据线6a，在它们上形成形成有通向中继层71的连接孔85的第3层间绝缘膜43。
该第3层间绝缘膜43的表面，通过CMP(Chemical MechanicalPolishing)处理等被平坦化，降低由在其下方存在的各种配线、元件等的段差引起的液晶层50的定向不良。但是，代替这样在第3层间绝缘膜43上实施平坦化处理，或者追加，通过在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41以及第2层间绝缘膜42中的至少一个上挖沟，埋入数据线6a等的配线、TFT30等，也可以进行平坦化处理。
在成为这种构成的实施方式1的电光装置中，由于存在包含上述的窄幅部3aa以及宽幅部3ab的扫描线3a，起到如下的作用效果。以下，参照图4以及图5说明该作用效果。在此，图4展示包含实施方式1的窄幅部3aa以及宽幅部3ab的扫描线3a，以及上述的半导体层1a、数据线6a、电容线300和中继层71，以及连接孔81和85的立体配置状态的斜视图，图5是与不包含这样的扫描线3a的以往的电光装置有关的同一宗旨的斜视图。进而，图4以及图5，不是图示图2以及图3中所示的全部的构成，例如，对于构成存储电容70的电介质膜75等几个要素，适宜地省略其图示。
首先，如果看图5的以往例子，则扫描线3a’，因为沿着其延伸方向具有相同的宽度，所以例如在斜射光L如图所示进入的情况下，该光L，可知比较容易地达到沟道区域1a’。这种情况下，在沟道区域1a’中，由于该光L的进入引起的激励，产生光泄露电流，由此尽管TFT30是OFF，但仍产生一定的电流(光泄露电流)流过的现象。因而，在图像上产生闪烁等，显示高品质的图像变得比较困难。
于是，如果采用实施方式1的扫描线3a，则如图4所示，即使和图5一样的斜射的光L进入，由宽幅部3ab遮挡其行进，该光L达不到沟道区域1a’。因而，如果采用实施方式1，则可以降低引起上述的问题的可能性。
另外，在实施方式1中，如图2以及图4所示，宽幅部3ab和数据线6a，因为由于具有以宽度Wp相互重合的区域，光达到沟道区域1a’的进入路径进一步受到限制，所以可以更可靠地起到光泄露电流发生抑制，高品质图像显示的作用效果。具体地说，例如，在图4中，从数据线6a的上面进入的光中的一部分，由数据线6a的上面反射乃至被吸收，即使其残余部分达到数据线6a的下面一侧，也由宽幅部3ab遮挡其行进。
进而，如果采用实施方式1，则除了上述以外，因为具备下侧遮光膜11a，所以对TFT30的光入射，在上侧以及下侧的两方被遮挡，可以进一步发挥可靠的光遮挡功能。
进而，在上述实施方式1中，窄幅部3aa以及宽幅部3ab，虽然假设具有延伸设置的关系，但本发明，并不限定于这种方式。例如，在只把窄幅部3ab作为具有导电性的多晶硅膜形成后，也可以设置成如实现和该多晶硅膜电气导通那样，形成由遮光性材料构成的宽幅部3ab这样的方式，即窄幅部3aa以及宽幅部3ab之间电气连接的方式。在这种情况下，因为可以用和半导体层1a相性好的材料形成作为栅极电极的窄幅部3aa，所以在可以提供工作稳定的电光装置的同时，因为具备由遮光性材料构成的宽幅部3ab，所以可以提供还一并具备高遮光性能的电光装置。
与此相关联，根据情况，也可以把扫描线3a，设置成其下层由多晶硅膜构成，上层由遮光性材料构成的，具有二层构造的方式。如果采用这种形态，则要求隔着绝缘膜2与半导体层1a相对的，作为栅极电极的功能的部分，因为和上述同样地成为相性好的多晶硅膜，所以可以得到和上述大致同样的作用效果。
另外，在上述实施方式1中，宽幅部3ab，虽然从窄幅部3aa的边缘部看，形成为在沟道区域1a’的延伸方向的两方上延伸，但根据情况，也可以设置成从该边缘部只向一方延伸那样地形成宽幅部3ab那样的方式。
实施方式2
以下，参照图6以及图7说明本发明的实施方式2。在此，图6以及图7是分别和图2以及图4相同宗旨的图，所谓同一图是表示扫描线等的方式不同的平面图以及斜视图。进而，本实施方式2的电光装置的构成，在以后的说明中没有特别说明，因为和上述的实施方式1全部相同，所以对于图面上相同的符号表示的部分，省略了其说明。
在实施方式2中，和在实施方式1中具备包含窄幅部3aa以及宽幅部3ab的扫描线3a这一点不同，如图6以及图7所示，具备包含窄幅部301a以及宽幅部301b的电极部301。电极部301，如图6所示，根据TFT30的形成区域，在TFT阵列基板10上形成为岛形状，其各自，包含与沟道区域1a’相对的窄幅部301a，和不与该沟道区域1a’相对的宽幅部301b。进而，如果只着眼于这些窄幅部301a以及宽幅部301b，则其大致的构造可知和上述实施方式1大致相同。即，窄幅部301a的宽度，被确定为与沟道长一致，宽幅部301b，被形成为从窄幅部301a的两边缘部看突出(即，在图6中在+y方向以及-y方向的任意方上都突出)等。另一方面，电极部301，隔着连接孔88和在TFT30下夹着层间绝缘膜形成的扫描线3电气连接。
即使是这样的方式，可知宽幅部301b的遮光效果，可以和上述的宽幅部3ab大致相同地实现。
另外，如果采用这样的方式，则除了包含电极部301以及扫描线3，与之紧密关联的TFT30等的配置状态的布局自由度提高外，还可以分别用不同的材料构成两者等。
电光装置的全体构成
以下，参照图8以及图9说明在上述那样构成的各种实施方式中的电光装置的整体构成。进而，图8是从相对基板20一侧看TFT阵列基板和被形成在其上的各构成要素的平面图，图9是图8的H-H’线断面图。
在图8以及图9中，在本实施方式的电光装置中，TFT阵列基板10和相对基板20被相对配置。在TFT阵列基板10和相对基板20之间，封入液晶层50，TFT阵列基板10和相对基板20，通过被设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域上的密封材料52相互粘接。
密封材料52，是为了贴合两基板，例如由紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，通过紫外线、加热等硬化的材料。另外，在该密封材料52中，如果把本实施方式中的电光装置，适用在如投影机用途那样以小型进行放大显示的液晶装置中，则散布有用于把两基板间的距离(基板间间隔)设置为规定值的玻璃纤维，或者玻璃小球等的间隔材料(撑挡，スペ一サ)。或者，如果把该电光装置如液晶显示器、液晶电视等那样以大型进行等倍显示的液晶装置中，则可以在液晶层50中包含这样的间隔材料。
在密封材料52的外侧区域，沿着TFT阵列基板10的一边设置有通过以规定的定时向数据线6a提供图像信号驱动该数据线6a的数据线驱动电路101以及外部电路连接端子102，沿着与该一边相邻的二边设置有通过以规定的定时向扫描线3a提供扫描信号、驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。
进而，如果向扫描线3a提供的扫描信号延迟不成为问题，则扫描线驱动电路104只在一侧即可。另外，把数据线驱动电路101沿着图像显示区域10a的边排列在两侧也可以。
在TFT阵列基板10剩下的一边上，设置有为了连接被设置在图像显示区域10a两侧的扫描线驱动电路104之间的多条配线105。
另外，在相对基板20的角部的至少一个位置上，设置有在TFT阵列基板10和相对基板20之间取得电气导通的导通材料106。
在图9中，在TFT阵列基板10上，在形成像素开关用的TFT和扫描线、数据线等的配线后的像素电极9a上，形成有定向膜。另一方面，在相对基板20上，除了相对电极21外，在最上层部分上形成有定向膜。另外，液晶层50，例如由混合了一种或者多种的向列(ネマテツイク)液晶的液晶构成，在这一对的定向膜间，采取规定的定向状态。
进而，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等外，还可以形成以规定的定时向多条数据线6a施加图像信号的采样电路，把规定电压水平的预充电信号在图像信号之前分别提供给多条数据线6a的预充电电路，用于检查制造过程中、出厂时等的该电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。
另外，代替把数据线驱动电路101以及扫描驱动电路104设置在TFT阵列基板10上，例如也可以在被安装在TAB(Tape Automated Bonding)基板上的驱动用LSI上，经由被设置在TFT阵列基板10的周边部上的各向异性导电薄膜电气地和机械地连接。另外，在相对基板20的投射光入射一侧以及TFT阵列基板10的出射光射出一侧上，分别根据，例如TN(Twisted Nematic)模式、VA(Vertically Aligned)模式、PDLC(PolymerDispersed Liquid Crystal)模式等的工作模式，和常白模式、常黑模式的不同，以规定的方向配置偏振光薄膜、相位差薄膜、偏振光板等。
电子设备
以下，对于把以上详细说明的电光装置作为光阀使用的电子设备一例的投影型彩色显示装置的实施方式，说明其全部构成，特别是光学构成。在此，图10是投影型彩色显示装置的图示的断面图。
在图10中，本实施方式的投影型彩色显示装置的一例的液晶投影机1100，构成为准备3个包含将驱动电路安装在TFT基板上的液晶装置的液晶模块，分别作为RGB用的光阀100R、100G以及100B使用的投影机。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等的白色光源等的灯单元1102发出投影光，则由3枚反射镜1106以及2枚分色镜1108，被分成与RGB三原色对应的光成分R、G以及B，并分别被导入与各颜色对应的光阀100R、100G以及100B。这时特别是B光，为了防止由于长光路引起的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123以及射出透镜1124组成的中继透镜系统1121被导入。而后，与由光阀100R、100G以及100B分别调制的三原色对应的光成分，在由分色棱镜1112再次被合成后，经由投影透镜1114作为彩色图像投影到屏幕1120。
本发明并不限于上述的实施方式，在根据权利要求范围以及说明书整体读出的发明主旨，或者与本想法不抵触的范围中可以适宜的改变，伴随这种改变的电光装置以及电子设备也包含在本发明的技术范围中。

Claims (23)

1.一种电光装置，其特征在于，具备：
被设置在基板上的像素电极；
通过开关动作向该像素电极提供图像信号的、具有沟道区域的薄膜晶体管；
向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；以及
向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；
其中，上述第2配线，包含与上述薄膜晶体管的上述沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部，和比该窄幅部宽度宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部。
2.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部的至少一部分，平面地看，具有和上述第1配线重合的区域。
3.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，包含从上述窄幅部延伸设置构成的部分。
4.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，包含从上述窄幅部连接构成的部分。
5.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，由遮光性材料构成。
6.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第2配线具有多层构造。
7.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，从上述窄幅部的边缘部看，在上述沟道区域的延伸的方向的一方或者两方上延伸。
8.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述像素电极被排列成矩阵形状；
上述沟道区域，被形成在平面地看穿过夹着上述第2配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第1间隙，和穿过夹着上述第1配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第2间隙相交的交点区域内。
9.权利要求8所述的电光装置，其特征在于，上述沟道区域以及源极区域和漏极区域，沿着上述第2间隙延伸那样地形成；
上述窄幅部的宽度，与上述沟道区域的沿着第2间隙的长度一致的同时，上述宽幅部的宽度，具有比上述长度大的值。
10.权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在上述薄膜晶体管的下侧，进一步具备下侧遮光膜。
11.一种电子设备，其特征在于，具备：
具有，被设置在基板上的像素电极；通过开关动作向该像素电极提供图像信号的、具有沟道区域的薄膜晶体管；向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；其中，上述第2配线，包含与上述薄膜晶体管的上述沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部，和比该窄幅部宽度宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部的电光装置。
12.一种电光装置，其特征在于，具备：
被设置在基板上的像素电极；
通过开关动作向该像素电极提供图像信号的薄膜晶体管；
向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；
向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；以及
与上述第2配线电连接的电极部，该电极部包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及比该窄幅部宽度宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部。
13.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述电极部和上述第2配线的电气连接，经由连接孔进行。
14.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部的至少一部分，平面地看，具有和上述第1配线重合的区域。
15.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，包含从上述窄幅部延伸设置构成的部分。
16.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，包含从上述窄幅部连接构成的部分。
17.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，由遮光性材料构成。
18.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述第2配线或者上述电极部，具有多层构造。
19.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述宽幅部，从上述窄幅部的边缘看，在上述沟道区域的延伸方向的一方或者两方上延伸。
20.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，上述像素电极被排列成矩阵形状；
上述沟道区域，被形成在平面地看穿过夹着上述第2配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第1间隙，和穿过夹着上述第1配线而相邻接的像素电极间进行延伸的长方形的第2间隙相交的交点区域内。
21.权利要求20所述的电光装置，其特征在于，上述沟道区域以及源极区域和漏极区域，沿着上述第2间隙延伸那样地形成；
上述窄幅部的宽度，和上述沟道区域的沿着第2间隙的长度一致的同时，上述宽幅部的宽度，具有比上述长度还大的值。
22.权利要求12所述的电光装置，其特征在于，在上述薄膜晶体管的下侧，进一步具备下侧遮光膜。
23.一种电子设备，其特征在于，具备：
电光装置，其包含：被设置在基板上的像素电极；通过开关动作向该像素电极提供图像信号的薄膜晶体管；向该薄膜晶体管提供上述图像信号的第1配线；向上述薄膜晶体管提供用于控制上述开关动作的扫描信号的第2配线；与上述第2配线电气连接的电极部，该电极部包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及比该窄幅部宽度宽并且不与上述沟道区域相对的宽幅部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3925555B2 (ja) * 2002-04-25 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4581408B2 (ja) * 2004-01-19 2010-11-17 ソニー株式会社 表示装置
JP3841096B2 (ja) * 2004-09-28 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 配線パターンの形成方法、多層配線基板の製造方法、電子機器
JP4297106B2 (ja) * 2005-02-23 2009-07-15 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP4655943B2 (ja) * 2006-01-18 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに導電層の接続構造
JP5055828B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP5186728B2 (ja) * 2006-05-11 2013-04-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP4197016B2 (ja) 2006-07-24 2008-12-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP4349406B2 (ja) 2006-08-24 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP5034529B2 (ja) 2007-02-01 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
US7616275B2 (en) 2007-02-07 2009-11-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4935404B2 (ja) 2007-02-16 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器
JP5425372B2 (ja) * 2007-04-27 2014-02-26 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機ｅｌ素子、およびｅｌ表示装置
JP5157319B2 (ja) 2007-08-28 2013-03-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5003366B2 (ja) 2007-09-10 2012-08-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2009122250A (ja) 2007-11-13 2009-06-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP5157783B2 (ja) 2008-09-25 2013-03-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR102556162B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-19 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판
KR102421629B1 (ko) * 2017-07-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11624953B2 (en) 2017-07-05 2023-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus comprising a color conversion pattern and a light blocking pattern disposed on a data pattern of a thin film transistor
US20230238390A1 (en) * 2022-01-27 2023-07-27 Innolux Corporation Modulation device
CN114594639A (zh) * 2022-03-09 2022-06-07 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5367179A (en) * 1990-04-25 1994-11-22 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having electrodes made of aluminum, and an active matrix panel using same
KR940004322B1 (ko) * 1991-09-05 1994-05-19 삼성전자 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TW226044B (zh) * 1992-04-15 1994-07-01 Toshiba Co Ltd
JPH05341315A (ja) * 1992-06-08 1993-12-24 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
US5668649A (en) * 1994-03-07 1997-09-16 Hitachi, Ltd. Structure of liquid crystal display device for antireflection
JP3458382B2 (ja) * 1998-11-26 2003-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6576926B1 (en) * 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP3796072B2 (ja) * 1999-08-04 2006-07-12 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP3419374B2 (ja) * 2000-01-26 2003-06-23 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR100481593B1 (ko) * 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치

Also Published As

Publication number Publication date
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