CN102576175A - 有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机 - Google Patents

有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机 Download PDF

Info

Publication number
CN102576175A
CN102576175A CN201080046989XA CN201080046989A CN102576175A CN 102576175 A CN102576175 A CN 102576175A CN 201080046989X A CN201080046989X A CN 201080046989XA CN 201080046989 A CN201080046989 A CN 201080046989A CN 102576175 A CN102576175 A CN 102576175A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
signal line
pixel electrode
transistor
capacitance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201080046989XA
Other languages
English (en)
Inventor
吉田秀史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN102576175A publication Critical patent/CN102576175A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G02F1/134354—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy the sub-pixels being capacitively coupled
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

本有源矩阵基板具备：扫描信号线(Gn)；数据信号线(15x)；第1晶体管及第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线(Gm)连接，在1个像素区域中设有：第1像素电极(17a)，其与第1晶体管连接；第2像素电极(17b)，其与第2晶体管连接；第1电容电极(37a)，其与第1像素电极连接；第2电容电极(37b)，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极(7ab)，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。这样的话，可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)。

Description

有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机
技术领域
本发明涉及像素分割方式的有源矩阵基板、液晶面板。
背景技术
作为用于提高液晶显示装置的视野角特性的技术，已知在液晶面板的1个像素中设置2个像素电极(与亮副像素对应的亮像素电极和与暗副像素对应的暗像素电极)的像素分割方式。在像素分割方式中，存在以下电容耦合型：1晶体管电容耦合型，其使亮像素电极经由与本级的扫描信号线相连的晶体管而与数据信号线连接，使暗像素电极经由耦合电容与亮像素电极连接；3晶体管电容耦合型(例如，参照专利文献1)，其使亮、暗像素电极各自经由与本级的扫描信号线相连的不同的晶体管而与数据信号线连接，并且使与亮像素电极形成耦合电容的电容电极经由与下级相连的晶体管而与暗像素电极连接。在1晶体管电容耦合型中，暗像素电极是电悬浮的，成为像素残影的原因，而在3晶体管电容耦合型中，明、暗像素电极各自不是电悬浮的，难以产生像素残影。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2008-33218号公报(公开日：2008年2月14日)”
发明内容
发明要解决的问题
但是，在现有的1晶体管或3晶体管电容耦合型液晶面板中，例如，如图22所示，使暗像素电极与和数据信号线形成在同一层的电容电极169a(源极金属)连接，使该电容电极169a与亮像素电极181隔着沟道保护膜(层间绝缘膜)17重叠，由此形成耦合电容。因此，为了确保耦合电容的值，需要使沟道保护膜按某程度变薄，存在无法采用增厚沟道保护膜(例如，使用有机绝缘膜)来使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构的问题。另外，还存在以下问题：无法增厚沟道保护膜，因此，无法减小像素电极和数据信号线或扫描信号线之间的寄生电容，像素电极和数据信号线易于发生短路，无法提高像素电极(例如，ITO)形成面的平坦度。
在本发明中，提出了可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。
用于解决问题的方案
本有源矩阵基板的特征在于，具备：扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
根据上述构成，可以通过中继电极和第1电容电极之间的电容与中继电极及第2电容电极之间的电容的合成电容(串联连接各电容的电容)来形成3晶体管电容耦合型的亮、暗像素电极的耦合电容。因此，可以增厚晶体管的沟道保护膜(层间绝缘膜)，可以采用使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备：第1保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，具备：第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
也可以采用以下构成：在本有源矩阵基板中，第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。
本有源矩阵基板的特征在于，具备：扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
本有源矩阵基板的特征在于，具备：扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。
本液晶面板的特征在于，具备上述有源矩阵基板和液晶层。
也可以采用以下构成：在本液晶面板中，上述液晶层由紫外线规定取向。
本电视接收机的特征在于，具备包含上述液晶面板的液晶显示装置和接收电视广播的调谐部。
发明效果
如上所示，根据本发明，可以实现能够增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。
附图说明
图1是示出实施方式1的液晶面板的构成的平面图。
图2是示出实施方式1的液晶面板的构成的电路图。
图3是示出图2的液晶面板的驱动方法的时序图。
图4是图1的向视截面图。
图5是在图1的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。
图6是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。
图7是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。
图8是示出实施方式2的液晶面板的构成的电路图。
图9是示出图8的液晶面板的驱动方法的时序图。
图10是示出实施方式2的液晶面板的构成的平面图。
图11是在图10的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。
图12是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。
图13是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。
图14是示出图12、13的液晶面板的构成的平面图。
图15是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。
图16是示出图15的液晶面板的向错(取向混乱)区域的平面图。
图17是示出实施方式3的液晶面板的构成的电路图。
图18是示出图17的液晶面板的驱动方法的时序图。
图19是示出实施方式3的液晶面板的构成的平面图。
图20是图19的向视截面图。
图21是示出在图19的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。
图22是示出现有的液晶面板的构成的示意图。
具体实施方式
如下所示，使用图1～21来说明本发明的实施方式的例子。此外，为了便于说明，下面将数据信号线的延伸方向设为纵(列)向，将扫描信号线的延伸方向设为横(行)向。但是，在本液晶显示装置(或其所用的液晶面板、有源矩阵基板)的利用(视听)状态下，当然其扫描信号线可以横向延伸也可以纵向延伸。另外，有源矩阵基板的1个像素区域与液晶面板、液晶显示装置的1个像素对应。
[实施方式1]
图2是示出本液晶面板5a的一部分的等价电路图。在液晶面板5a中，具备：本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；以及第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有：第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。
例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x，与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线Gn和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm、Gk沿着扫描方向按照该顺序排列。
在此，在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gn连接的晶体管12a、12b各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12a、12b各自的漏极电极与像素电极17a、17b连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb。
另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12c、12d各自的漏极电极与像素电极17c、17d连接，且与扫描信号线Gk连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Cc。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线18mr之间形成保持电容csd。
另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17A、17B沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gn连接的晶体管12A、12B各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B各自的漏极电极与像素电极17A、17B连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClA，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClB，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线18nr之间形成保持电容csB。
另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，2个像素电极17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D各自的漏极电极与像素电极17C、17D连接，且与扫描信号线Gk连接的晶体管82CD的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82CD的漏极电极分别与中继电极7CD和保持电容配线18mr形成电容CD和电容CM，像素电极17C与中继电极7CD形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClC，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClD，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线18mr之间形成保持电容csD。
图3是示出在液晶面板5a的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图(2帧的量)，图3的15x、15X示出向图2的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图3的Gn、Gm、Gk示出向图2的扫描信号线Gn、Gm、Gk提供的扫描信号(激活高电平)，图3的17a～17d示出图1的像素电极17a～17d的电位。
在图3所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(1H)反转。
例如，在连续的3个水平扫描期间H1～H3的H1中，选择扫描信号线Gn(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17a、17b写入相同的正的数据信号。
接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17c、17d写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图2)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb(合成电容＝Ca×Cb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线18nr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。
接着，在H3中，选择扫描信号线Gk(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图2)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Cc、Cd(合成电容＝Cc×Cd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(-)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素(-)。
图1是示出图2所示液晶面板5a的1个像素的构成例的平面图。如图1所示，在液晶面板5a中，在由扫描信号线Gn和数据信号线15x划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18np，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。
在扫描信号线Gn与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b。晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a形成在像素电极17a的纵中央线下，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔11a连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部18npw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图2)。
另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔11b连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部18nrw，上述鼓出部67b与大宽度部18nrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb(参照图2)。
另外，与扫描信号线Gn的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线Gm以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线Gm作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27n连接。引出电极27n在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27n在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87n，该鼓出部87n与上述大宽度部18nrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn(参照图2)。
在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图2)。
此外，数据信号线15x蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15Xk和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。
图4是图1的向视截面图。如该图所示，液晶面板5a具备：有源矩阵基板3；与其相对的彩色滤光片基板30；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。
在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(com)28。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式(4分割)的液晶。
另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线Gn、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npw)、18nq、18nr(18nrw)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和n+层)、与n+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a(鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n(鼓出部87n)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚(2微米左右)的有机层间绝缘膜26，在有机层间绝缘膜26上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔11a处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。
并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部18npw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图2)。
在此，在与扫描信号线Gn形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca(参照图2)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图2)。另外，在(引出电极27n的)鼓出部87n与(保持电容配线18nr的)大宽度部18nrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图2)。
这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜26，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线Gn、Gm重叠的高开口率的结构。
另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图5)。
另外，液晶面板5a是3晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优点。
此外，也可以使图2的液晶面板5a如图6所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图7所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接。根据图6、图7的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。
[实施方式2]
图8是示出本液晶面板5b的一部分的等价电路图。在液晶面板5b中，具备：本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接；以及第4晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有：第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第3像素电极，其与第4晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。
例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x，与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有2根扫描信号线Gn、gn和5根保持电容配线18np、18nq、18nr、18ns、18nt，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有2根扫描信号线Gm、gm和5根保持电容配线18mp、18mq、18mr、18ms、18mt。此外，扫描信号线Gn、gn、Gm、gm沿着扫描方向按照该顺序排列。
在此，在像素101中，3个像素电极17n、17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gn连接的晶体管12a、12b、12n各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12a、12b、12n各自的漏极电极与像素电极17a、17b、17n连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，且在像素电极17n和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cln，另外，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb，且在像素电极17n和保持电容配线18ns之间形成保持电容csn。
另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17m、17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d、12m各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12c、12d、12m各自的漏极电极与像素电极17c、17d、17m连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Cc。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，且在像素电极17m和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clm，另外，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线18mr之间形成保持电容csd，且在像素电极17m和保持电容配线18ms之间形成保持电容csm。
另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17N、17A、17B沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gn连接的晶体管12A、12B、12N各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B、12N各自的漏极电极与像素电极17A、17B、17N连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClA，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClB，且在像素电极17N和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClN，另外，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线18nr之间形成保持电容csB，且在像素电极17N和保持电容配线18ns之间形成保持电容csN。
另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，3个像素电极17M、17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D、12M各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D、12M各自的漏极电极与像素电极17C、17D、17M连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82CD的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82CD的漏极电极分别与中继电极7CD和保持电容配线18mr形成电容CD和电容CM，像素电极17C与中继电极7CD形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClC，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClD，且在像素电极17M和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClM，另外，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线18mr之间形成保持电容csD，且在像素电极17M和保持电容配线18ms之间形成保持电容csM。
图9是示出在液晶面板5b的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图(2帧的量)，图9的15x、15X示出向图8的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图9的Gn、gn、Gm、gm示出向图8的扫描信号线Gn、gn、Gm、gm提供的扫描信号(激活高电平)，图9的17a～17d示出图8的像素电极17a～17d的电位。
在图9所示的驱动方法中，每次2根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(1H)反转。
例如，在连续的3个水平扫描期间H1～H3的H1中，选择扫描信号线Gn及其上游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17a、17b、17n写入相同的正的数据信号。
接着，在H2中，选择扫描信号线gn和扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17c、17d、17m写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图8)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb(合成电容＝Ca×Cb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线18nr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17n保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)，与像素电极17n对应的副像素成为比亮副像素暗、比暗副像素亮的副像素(中副像素)。
接着，在H3中，选择扫描信号线gm及其下游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图8)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Cc、Cd(合成电容＝Cc×Cd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17m保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(-)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素(-)，与像素电极17m对应的副像素成为中副像素(-)。
图10是示出图8所示液晶面板5b的1个像素的构成例的平面图。如图10所示，在液晶面板5b中，在由扫描信号线Gn和数据信号线15x划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，而且，在像素电极17a的扫描方向上游侧配置像素电极17n。另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18np，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq，以横穿像素电极17n的中央的方式设有保持电容配线18ns，以与像素电极17n的扫描方向上游侧的边缘重叠的方式设有保持电容配线18nt。
扫描信号线Gn以与像素电极17n和像素电极17a的间隙重叠的方式配置，在扫描信号线Gn与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b、12n。
晶体管12n的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12n的漏极电极与引出电极27N连接。引出电极27N在像素电极17n的中央部下具有鼓出部67n，该鼓出部67n与像素电极17n经由2个接触孔11n连接。另外，保持电容配线18ns也在像素电极17n下具有大宽度部18nsw，上述鼓出部67n与大宽度部18nsw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csn(参照图8)。
晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔11a连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部18npw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图8)。
另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔11b连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部18nrw，上述鼓出部67b与大宽度部18nrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb(参照图8)。
另外，与扫描信号线Gn的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线gn以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线gn作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27n连接。引出电极27n在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27n在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87n，该鼓出部87n与上述大宽度部18nrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn(参照图8)。此外，引出电极27n和电容电极37b构成耦合电极。
在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图8)。
此外，数据信号线15x蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu以及15xv各自与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部以及像素电极17n的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15Xk和15Xu以及15XV分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部以及像素电极17n的图中右上边缘部重叠。
图10的截面图如图4所示。即，液晶面板5b具备：有源矩阵基板3；与其相对的彩色滤光片基板30；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。
在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(com)28。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式(4分割)的液晶。
另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线Gn、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npw)、18nq、18nr(18nrw)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和n+层)、与n+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a(鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n(鼓出部87n)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚(2微米左右)的有机层间绝缘膜26，在有机层间绝缘膜26上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔11a处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。
并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部18npw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图8)。
在此，在与扫描信号线Gn形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca(参照图8)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图8)。另外，在(引出电极27n的)鼓出部87n与(保持电容配线18nr的)大宽度部18nrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图8)。
这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜26，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线Gn、gm重叠的高开口率的结构。
另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图11)。
另外，液晶面板5b可以用具有亮、暗、中3种亮度(3种VT曲线)的副像素显示中间灰度级，因此，可以进一步提高视野角特性。另外，与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优点。
此外，也可以使图8的液晶面板5b如图12所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图13所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接。根据图12、图13的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。此外，在图14中示出在图12、13的液晶面板的行方向相邻的2个像素的构成。
在图10的液晶面板中，也可以使各像素电极采用鱼骨形状(PSA模式)。在图15中示出该构成。即使是该图15的构成，在各像素电极下保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，因此，也可以隐藏在PSA模式中可见的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图16)。
[实施方式3]
图17是示出本液晶面板5c的一部分的等价电路图。在液晶面板5c中，具备：本级的扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有：第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容。
例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x，与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线Gn和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm沿着扫描方向按照该顺序排列。
在此，例如在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gn连接的晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12a的漏极电极与像素电极17a连接，中继电极7ab分别与像素电极17a和像素电极17b形成电容Ca、Cb。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb。像素102～104也是相同的构成。
图18是示出在液晶面板5c的一部分(包括图17的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图(2帧的量)，图18的15x、15X示出向图17的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图18的Gn、Gm示出向图17的扫描信号线Gn、Gm提供的扫描信号(激活高电平)，图18的17a～17d示出图17的像素电极17a～17d的电位。
在图18所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(1H)反转。
例如，在连续的3个水平扫描期间H1～H3的H1中，选择扫描信号线Gn(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17a写入正的数据信号。在此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb(合成电容＝Ca×Cb/Ca+Cb)与像素电极17a连接。因此，像素电极17b的电位比像素电极17a的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。
接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17c写入负的数据信号。在此，像素电极17d经由串联连接的电容Cc、Cd(合成电容＝Cc×Cd/Cc+Cd)与像素电极17c连接。因此，像素电极17d的电位比像素电极17c的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(-)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素(-)。
图19是示出图17所示液晶面板5c的1个像素的构成例的平面图。如图19所示，在液晶面板5c中，在由扫描信号线Gn和数据信号线15x划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18np，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。
在扫描信号线Gn与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a。晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔11a连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部18npw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图17)。
另外，在像素电极17b的纵中央线下形成引出电极27n，引出电极27n与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27n在像素电极17b的中央部下具有鼓出部67n，该鼓出部67n与像素电极17b经由2个接触孔11b连接。另外，保持电容配线18nr也在像素电极17b下具有大宽度部18nrw，上述鼓出部67n与该大宽度部18nrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb(参照图17)。
在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图17)。
此外，数据信号线15x蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15Xk和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。
图20是图19的向视截面图。如该图所示，液晶面板5c具备：有源矩阵基板3；与其相对的彩色滤光片基板30；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。
在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(com)28。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式(4分割)的液晶。
另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线Gn、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npw)、18nq、18nr(18nrw)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和n+层)、与n+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a(鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n(鼓出部67n)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚(2微米左右)的有机层间绝缘膜26，在有机层间绝缘膜26上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔11a处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。另外，在接触孔11b处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17b与(引出电极27n的)鼓出部67n连接。
并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部18npw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图17)。另外，在鼓出部67n与(保持电容配线18nr的)大宽度部18nrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csb(参照图17)。
在此，在与扫描信号线Gn形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca(参照图17)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图17)。
这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜26，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线Gn、Gm重叠的高开口率的结构。
另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图21)。
另外，液晶面板5c是1晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与3晶体管电容耦合型相比，具有构成简单的优点。
本发明不限于上述实施方式，根据技术常识适当改变上述实施方式的内容、将它们组合后得到的内容也包括在本发明的实施方式中。
工业上的可利用性
本发明的有源矩阵基板、液晶面板适用于例如液晶电视。
附图标记说明
5a～5c液晶面板
12a～12d、12A～12D晶体管
12i、12j、12I、12J晶体管
15x、15X数据信号线
Gm、Gn、Gk扫描信号线
18ip、18iq、18ir、18is、18it保持电容配线
22栅极绝缘膜
25无机绝缘膜
26有机绝缘膜
101～104像素
601电视接收机
800液晶显示装置

Claims (19)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，
在1个像素区域中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，
上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，
从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备：第1保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。
10.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，
第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
11.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
12.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
具备：第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
14.根据权利要求1～13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。
15.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，
在1个像素区域中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，
上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
16.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，
在1个像素区域中设有：第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，
该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。
17.一种液晶面板，其特征在于，
具备权利要求1～16中的任1项所述的有源矩阵基板和液晶层。
18.根据权利要求17所述的液晶面板，其特征在于，
上述液晶层由紫外线规定取向。
19.一种电视接收机，其特征在于，
具备：
包含权利要求17或18所述的液晶面板的液晶显示装置；以及
接收电视广播的调谐部。
CN201080046989XA 2009-10-23 2010-10-21 有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机 Pending CN102576175A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009244475 2009-10-23
JP2009-244475 2009-10-23
PCT/JP2010/068627 WO2011049182A1 (ja) 2009-10-23 2010-10-21 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、テレビジョン受像機

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102576175A true CN102576175A (zh) 2012-07-11

Family

ID=43900405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080046989XA Pending CN102576175A (zh) 2009-10-23 2010-10-21 有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120206658A1 (zh)
CN (1) CN102576175A (zh)
WO (1) WO2011049182A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110501849A (zh) * 2018-05-17 2019-11-26 三星显示有限公司 显示装置
DE112012006820B4 (de) 2012-09-19 2021-09-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array-Substrat und Flüssigkristallanzeigepaneel

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9601557B2 (en) * 2012-11-16 2017-03-21 Apple Inc. Flexible display
KR102102155B1 (ko) * 2013-12-23 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN103941442B (zh) * 2014-04-10 2016-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其驱动方法
US9600112B2 (en) 2014-10-10 2017-03-21 Apple Inc. Signal trace patterns for flexible substrates
KR20180075733A (ko) 2016-12-26 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20210149960A (ko) * 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289432A (zh) * 1998-11-26 2001-03-28 精工爱普生株式会社 电光装置及其制造方法和电子装置
KR20040007287A (ko) * 2002-07-11 2004-01-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 전자 기기
CN101236343A (zh) * 2008-03-03 2008-08-06 上海广电光电子有限公司 液晶显示装置、像素结构及其驱动方法
WO2008146512A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置およびテレビジョン受像機
CN101566771A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 三星电子株式会社 含连接至子像素电极的晶体管的显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002281505A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Toshiba Corp 動画像圧縮装置、同装置のカット検出用データ作成方法およびカット位置データ作成方法ならびにカット検出装置および同装置のカット検出方法
JP2003280032A (ja) * 2002-03-20 2003-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
US7206048B2 (en) * 2003-08-13 2007-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
JP4108078B2 (ja) * 2004-01-28 2008-06-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP4361844B2 (ja) * 2004-07-28 2009-11-11 富士通株式会社 液晶表示装置
JP4571855B2 (ja) * 2004-12-28 2010-10-27 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
JP4438665B2 (ja) * 2005-03-29 2010-03-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4731206B2 (ja) * 2005-05-30 2011-07-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4744518B2 (ja) * 2005-06-09 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101319595B1 (ko) * 2007-03-13 2013-10-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20090051484A (ko) * 2007-11-19 2009-05-22 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 그의 제조 방법
KR20090072208A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성전자주식회사 액정표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289432A (zh) * 1998-11-26 2001-03-28 精工爱普生株式会社 电光装置及其制造方法和电子装置
KR20040007287A (ko) * 2002-07-11 2004-01-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 전자 기기
WO2008146512A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置およびテレビジョン受像機
CN101236343A (zh) * 2008-03-03 2008-08-06 上海广电光电子有限公司 液晶显示装置、像素结构及其驱动方法
CN101566771A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 三星电子株式会社 含连接至子像素电极的晶体管的显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112012006820B4 (de) 2012-09-19 2021-09-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array-Substrat und Flüssigkristallanzeigepaneel
CN110501849A (zh) * 2018-05-17 2019-11-26 三星显示有限公司 显示装置
CN110501849B (zh) * 2018-05-17 2024-04-02 三星显示有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120206658A1 (en) 2012-08-16
WO2011049182A1 (ja) 2011-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102576175A (zh) 有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机
US7688393B2 (en) Liquid crystal display device with a buffer capacitor electrode disposed in a non-pixel electrode region
US9349330B2 (en) Pixel structure, liquid crystal display panel and driving method thereof
US8253903B2 (en) Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and television device
JP4571855B2 (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
US20140036192A1 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display device
CN101581864B (zh) 液晶显示面板及其像素驱动方法
US10403648B2 (en) Array substrates with adjacent sub-pixels having opposite polarities
JPWO2007102382A1 (ja) アクティブマトリクス基板、表示装置及びテレビジョン受像機
US20150055038A1 (en) Liquid Crystal Display Device
US20110310075A1 (en) Liquid crystal display and driving method thereof
CN102598104B (zh) 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
CN101978315A (zh) 液晶显示装置、电视接收机
JP4767588B2 (ja) 液晶表示装置
CN102388415A (zh) 显示装置、液晶显示装置、显示装置的驱动方法、电视接收机
JP2012242497A (ja) 液晶表示装置
CN113391491B (zh) 液晶显示面板及显示装置
US11314132B2 (en) Array substrate and display panel
CN102648437A (zh) 液晶显示装置
CN102197336A (zh) 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机
CN100590504C (zh) 液晶显示装置阵列基板
CN101685227A (zh) 电晶体基板、液晶显示面板及其像素驱动装置
US20120025198A1 (en) Thin film transistor array substrate
CN101000439A (zh) 液晶显示器及其驱动方法和电极配置方法
CN101162334A (zh) 电光装置及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120711