JPH07225373A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPH07225373A JPH07225373A JP1685494A JP1685494A JPH07225373A JP H07225373 A JPH07225373 A JP H07225373A JP 1685494 A JP1685494 A JP 1685494A JP 1685494 A JP1685494 A JP 1685494A JP H07225373 A JPH07225373 A JP H07225373A
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- JP
- Japan
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- substrate
- liquid crystal
- display panel
- crystal display
- light
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】コントラスト、輝度に優れた液晶表示パネルを
供給すること。 【構成】液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の遮光パタ
ーンと、赤、緑、青の画素パターン３−ａ，３−ｂ，３
−ｃとの重なり７−ａ，８−ａ，９−ａが４μｍ以上と
する事により、ＣＦ基板の有する配向規制力を向上し、
トランジスターオン時に現れる光抜け領域の発生を押
え、また光抜け領域の減衰速度を速くし、輝度、コント
ラスト等の表示品質にすぐれた液晶表示パネルを得る。
供給すること。 【構成】液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の遮光パタ
ーンと、赤、緑、青の画素パターン３−ａ，３−ｂ，３
−ｃとの重なり７−ａ，８−ａ，９−ａが４μｍ以上と
する事により、ＣＦ基板の有する配向規制力を向上し、
トランジスターオン時に現れる光抜け領域の発生を押
え、また光抜け領域の減衰速度を速くし、輝度、コント
ラスト等の表示品質にすぐれた液晶表示パネルを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶を用いた表示パネ
ル関するものである。
ル関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的液晶表示パネルの製造方法
は、ガラス基板上にトランジスター素子がマトリクス状
に配置されたＴＦＴガラス基板（以下ＡＲ基板）と、
赤、緑、青（以下ＲＧＢ）に着色された画素がマトリク
ス状に配置されたカラーフィルター基板（以下ＣＦ基
板）に、ポリイミドよりなる配向剤をフレキソ印刷法等
により形成した後、ラビング処理等により配向処理を施
す。
は、ガラス基板上にトランジスター素子がマトリクス状
に配置されたＴＦＴガラス基板（以下ＡＲ基板）と、
赤、緑、青（以下ＲＧＢ）に着色された画素がマトリク
ス状に配置されたカラーフィルター基板（以下ＣＦ基
板）に、ポリイミドよりなる配向剤をフレキソ印刷法等
により形成した後、ラビング処理等により配向処理を施
す。
【０００３】つぎにＡＲ基板または、ＣＦ基板の一方に
エポキシ樹脂等よりなるシール剤をスクリーン印刷法に
より、リング状に設けた後、球状のスペーサーを均一に
複数個配置する。
エポキシ樹脂等よりなるシール剤をスクリーン印刷法に
より、リング状に設けた後、球状のスペーサーを均一に
複数個配置する。
【０００４】このＡＲ基板、ＣＦ基板を互いに対向する
ように位置合わせ装置上に配置し、上下基板の位置合わ
せを行った後加圧、貼合わせを行う。
ように位置合わせ装置上に配置し、上下基板の位置合わ
せを行った後加圧、貼合わせを行う。
【０００５】ついで、位置合わせ装置から取り出し、真
空パック等の方法により、均一に加圧、加熱しつつ、シ
ール剤の硬化及び所定ギャップを形成した後液晶を注入
し、注入口を封止し液晶表示パネルを得ていた。
空パック等の方法により、均一に加圧、加熱しつつ、シ
ール剤の硬化及び所定ギャップを形成した後液晶を注入
し、注入口を封止し液晶表示パネルを得ていた。
【０００６】上記方法にて製造された液晶表示パネル
は、ゲートラインよりの走査信号及びソースラインから
のデータ信号をうけ、一画素ごとにトランジスター素子
のオン、オフを行い液晶素子の透過光を制御し、表示パ
ネルとしての性能を得ることができる。
は、ゲートラインよりの走査信号及びソースラインから
のデータ信号をうけ、一画素ごとにトランジスター素子
のオン、オフを行い液晶素子の透過光を制御し、表示パ
ネルとしての性能を得ることができる。
【０００７】液晶材料をＡＲ基板とＣＦ基板間で９０゜
ねじるＴＮ型の液晶とした液晶表示パネルにおいて、偏
光素子を平行ニコル状態に貼付けるノーマリーホワイト
型の液晶表示パネルでは、トランジスターがオン時液晶
材料が垂直配向し、画素は黒表示となるのであるが、こ
の時液晶材料には、ＡＲ基板とＣＦ基板間に垂直な電界
と、ソース、ゲート間にＡＲ基板とＣＦ基板に平行な電
界が印加される。
ねじるＴＮ型の液晶とした液晶表示パネルにおいて、偏
光素子を平行ニコル状態に貼付けるノーマリーホワイト
型の液晶表示パネルでは、トランジスターがオン時液晶
材料が垂直配向し、画素は黒表示となるのであるが、こ
の時液晶材料には、ＡＲ基板とＣＦ基板間に垂直な電界
と、ソース、ゲート間にＡＲ基板とＣＦ基板に平行な電
界が印加される。
【０００８】この時ＡＲ基板とＣＦ基板に平行に印加さ
れる電界は（以下横電界）、液晶材料の垂直配向を阻害
し、光抜け領域を発生させ液晶表示パネルのコントラス
ト、輝度の低下を引き起こす。
れる電界は（以下横電界）、液晶材料の垂直配向を阻害
し、光抜け領域を発生させ液晶表示パネルのコントラス
ト、輝度の低下を引き起こす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この様な問題を解決す
る方法として、光抜け領域をカラーフィルターに設ける
遮光パターンで隠ぺいする方法があるが、これは、パネ
ルの開口率を低下させ、パネル輝度が低下し充分なコン
トラストが得られないという問題を有するものであっ
た。
る方法として、光抜け領域をカラーフィルターに設ける
遮光パターンで隠ぺいする方法があるが、これは、パネ
ルの開口率を低下させ、パネル輝度が低下し充分なコン
トラストが得られないという問題を有するものであっ
た。
【００１０】以上のような問題点を鑑み、本発明は横電
界によって発生する光抜け領域を低減し、輝度の高い、
コントラストに優れた液晶表示パネルを供給することを
目的とする。
界によって発生する光抜け領域を低減し、輝度の高い、
コントラストに優れた液晶表示パネルを供給することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にトラ
ンジスター素子がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板
と、赤、緑、青に着色された画素がマトリクス状に配置
されたカラーフィルター基板とを、スペーサーを介して
貼合わせた後、その間に液晶材料を注入して製造される
液晶表示パネルにおいて、前記カラーフィルター基板の
遮光パターンと、赤、緑、青の画素パターンの少なくと
も一つの画素パターンとの重なりが、４μｍ以上である
事を特徴とする液晶表示パネルである。
ンジスター素子がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板
と、赤、緑、青に着色された画素がマトリクス状に配置
されたカラーフィルター基板とを、スペーサーを介して
貼合わせた後、その間に液晶材料を注入して製造される
液晶表示パネルにおいて、前記カラーフィルター基板の
遮光パターンと、赤、緑、青の画素パターンの少なくと
も一つの画素パターンとの重なりが、４μｍ以上である
事を特徴とする液晶表示パネルである。
【００１２】
【作用】トランジスターのオン時に発生する横電界によ
って発生する、リバースチルトドメインは、光抜けを引
き起こし、光抜け領域の大きさは、横電界の強度及びＡ
Ｒ基板、ＣＦ基板の有する配向規制力の大小に比例す
る。
って発生する、リバースチルトドメインは、光抜けを引
き起こし、光抜け領域の大きさは、横電界の強度及びＡ
Ｒ基板、ＣＦ基板の有する配向規制力の大小に比例す
る。
【００１３】また、リバースチルトドメインは、時間と
ともに正チルト領域に包含され暫時、減少するが、リバ
ースチルトから正チルトへの転換速度は、ＡＲ基板の有
する配向規制力、ＣＦ基板の有する配向規制力に左右さ
れる。
ともに正チルト領域に包含され暫時、減少するが、リバ
ースチルトから正チルトへの転換速度は、ＡＲ基板の有
する配向規制力、ＣＦ基板の有する配向規制力に左右さ
れる。
【００１４】即ち、ＡＲ基板の有する配向規制力、ＣＦ
基板の有する配向規制力がともに弱ければ、リバースチ
ルトの発生領域は広く、またリバースチルトから正チル
トへの転換速度も遅く、光抜け領域が長時間残存する。
基板の有する配向規制力がともに弱ければ、リバースチ
ルトの発生領域は広く、またリバースチルトから正チル
トへの転換速度も遅く、光抜け領域が長時間残存する。
【００１５】逆にＡＲ基板の有する配向規制力、ＣＦ基
板の有する配向規制力がともに強ければリバースチルト
の発生領域は狭く、またリバースチルトから正チルトへ
の転換速度は速く、光抜け領域が短時間で解消される。
板の有する配向規制力がともに強ければリバースチルト
の発生領域は狭く、またリバースチルトから正チルトへ
の転換速度は速く、光抜け領域が短時間で解消される。
【００１６】本発明によれば、ＣＦ基板における遮光パ
ターンと、赤、緑、青のパターンの少なくとも一つの画
素との重なりが、４μｍ以上であることにより、トラン
ジスターオン時に現れる光抜け領域の減少及び光抜け領
域の瞬時の消失を可能にし、輝度、コントラスト等の表
示状態にすぐれた液晶表示パネルが得られる。
ターンと、赤、緑、青のパターンの少なくとも一つの画
素との重なりが、４μｍ以上であることにより、トラン
ジスターオン時に現れる光抜け領域の減少及び光抜け領
域の瞬時の消失を可能にし、輝度、コントラスト等の表
示状態にすぐれた液晶表示パネルが得られる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１は、本発明の一実施例に用いるＣＦ基
板の断面図である。このＣＦ基板は、ガラス基板１上に
遮光パターン（ＢＭ）２を形成した後ＲＧＢ画素３ー
ａ、３−ｂ、３−ｃを各々フォトリソ法や印刷法におい
て形成している。その際の重なり合の特徴については後
述する。その後、ＩＴＯ膜５、配向膜６が形成された
後、ラビング処理を施しＣＦ基板に配向規制力を与え
る。その際、隣合う画素と画素の間は、画素の高さによ
る段差４が形成される。
板の断面図である。このＣＦ基板は、ガラス基板１上に
遮光パターン（ＢＭ）２を形成した後ＲＧＢ画素３ー
ａ、３−ｂ、３−ｃを各々フォトリソ法や印刷法におい
て形成している。その際の重なり合の特徴については後
述する。その後、ＩＴＯ膜５、配向膜６が形成された
後、ラビング処理を施しＣＦ基板に配向規制力を与え
る。その際、隣合う画素と画素の間は、画素の高さによ
る段差４が形成される。
【００１９】隣合う画素と画素の間に形成される段差４
の近辺は、ラビング布による擦りを受けにくいため配向
規制力を有さない、または、配向規制力の非常に弱い非
配向領域となる。
の近辺は、ラビング布による擦りを受けにくいため配向
規制力を有さない、または、配向規制力の非常に弱い非
配向領域となる。
【００２０】この非配向領域と横電界によるリバースチ
ルトドメイン発生領域の重なりにより、光抜け領域の広
さ及び光抜け領域の減衰速度は決定される。即ち、ＣＦ
基板上に形成される非配向領域とＡＲ基板上に形成され
るリバースチルトドメイン領域の重なりが大きければ、
光抜け領域は大きくまた光抜け減衰時間も長く、ＣＦ基
板上に形成される非配向領域とＡＲ基板上に形成される
リバースチルトドメイン発生領域の重なりが小さけれ
ば、光抜け領域は小さくまた光抜け減衰時間も短い。
ルトドメイン発生領域の重なりにより、光抜け領域の広
さ及び光抜け領域の減衰速度は決定される。即ち、ＣＦ
基板上に形成される非配向領域とＡＲ基板上に形成され
るリバースチルトドメイン領域の重なりが大きければ、
光抜け領域は大きくまた光抜け減衰時間も長く、ＣＦ基
板上に形成される非配向領域とＡＲ基板上に形成される
リバースチルトドメイン発生領域の重なりが小さけれ
ば、光抜け領域は小さくまた光抜け減衰時間も短い。
【００２１】図２に、本発明の一実施例に用いるＣＦ基
板の平面図を示す。
板の平面図を示す。
【００２２】上述のように、光抜け領域及び減衰速度
は、リバースチルトドメインの発生領域と非配向領域の
重なりの大きさに規制されるため、開口部〜画素端面ま
での距離７−ａ、８−ａ、９−ａ、の距離を４μｍ以上
とし、ＣＦ基板上の非配向領域が最小となるようにし
た。
は、リバースチルトドメインの発生領域と非配向領域の
重なりの大きさに規制されるため、開口部〜画素端面ま
での距離７−ａ、８−ａ、９−ａ、の距離を４μｍ以上
とし、ＣＦ基板上の非配向領域が最小となるようにし
た。
【００２３】以上の結果、横電界がトランジスターのオ
ン時に発生しても、ＣＦ側の配向規制力によって、光抜
け領域は小さくまた、リバースチルトから正チルトへの
転換速度が速くなり、光抜けを防止し、また開口率を落
とす事なくコントラスト、輝度に優れた液晶表示パネル
を得ることができる。
ン時に発生しても、ＣＦ側の配向規制力によって、光抜
け領域は小さくまた、リバースチルトから正チルトへの
転換速度が速くなり、光抜けを防止し、また開口率を落
とす事なくコントラスト、輝度に優れた液晶表示パネル
を得ることができる。
【００２４】以下、更に、具体的実施例を示す。
【００２５】（実施例１）ＣＦ基板として、遮光パター
ンと、赤、緑、青のパターンの重なり量（以下オーバー
ラップ量）が７μｍ、ＡＲ基板上に設けるソースライン
とＢＭとの間隔（以下合わせマージン）の設計値７μｍ
となるようなＣＦ基板を使用し、ＡＲ基板とともにポリ
メリック酸のＮ−メチル２ピロリドン溶液を厚さ８００
オングストロームになるようにフレキソ印刷法より形成
した。この基板を１９０℃９０分加熱しポリイミドの皮
膜を得た後、レーヨン製の布にて配向処理を行った。Ｃ
Ｆ基板にエポキシ樹脂よりなるシール剤をシルク印刷法
により形成し、平均粒子径５μｍのガラススペーサーを
１００個／mm2の密度で分散した。
ンと、赤、緑、青のパターンの重なり量（以下オーバー
ラップ量）が７μｍ、ＡＲ基板上に設けるソースライン
とＢＭとの間隔（以下合わせマージン）の設計値７μｍ
となるようなＣＦ基板を使用し、ＡＲ基板とともにポリ
メリック酸のＮ−メチル２ピロリドン溶液を厚さ８００
オングストロームになるようにフレキソ印刷法より形成
した。この基板を１９０℃９０分加熱しポリイミドの皮
膜を得た後、レーヨン製の布にて配向処理を行った。Ｃ
Ｆ基板にエポキシ樹脂よりなるシール剤をシルク印刷法
により形成し、平均粒子径５μｍのガラススペーサーを
１００個／mm2の密度で分散した。
【００２６】しかる後、ＡＲ基板とＣＦ基板を位置合わ
せ装置に取付、正確に位置合わせした後、このパネルを
真空パック法により均一に加圧しつつ１５０℃６０分加
熱しシール剤の硬化及び最終ギャップの形成をおこなっ
た。
せ装置に取付、正確に位置合わせした後、このパネルを
真空パック法により均一に加圧しつつ１５０℃６０分加
熱しシール剤の硬化及び最終ギャップの形成をおこなっ
た。
【００２７】この得られたパネルに通電画像検査を実施
した所リバースチルトドメインによる光抜け領域は、画
素ＢＭ端部に現れず、また光抜け減衰時間も０．２秒と
非常に短い、画質に優れた液晶表示パネルであった。
した所リバースチルトドメインによる光抜け領域は、画
素ＢＭ端部に現れず、また光抜け減衰時間も０．２秒と
非常に短い、画質に優れた液晶表示パネルであった。
【００２８】（実施例２）ＣＦ基板として、Ｇ画素とＢ
Ｍとのオーバーラップ量が７μｍ、ＲＢ画素とＢＭとの
オーバーラップ量が２μｍ、合わせマージン７μｍとな
るようなＣＦ基板を使用し、実施例１と同様にして、液
晶表示パネルを得た。
Ｍとのオーバーラップ量が７μｍ、ＲＢ画素とＢＭとの
オーバーラップ量が２μｍ、合わせマージン７μｍとな
るようなＣＦ基板を使用し、実施例１と同様にして、液
晶表示パネルを得た。
【００２９】この得られたパネルに通電画像検査を実施
した所リバースチルトドメインによる光抜け領域は、Ｇ
画素ＢＭ端部に現れず、また光抜け減衰時間も０．２秒
と非常に短いものであった。また、Ｒ、Ｂ画素について
は、ＢＭ端部より４μｍの光抜け領域が発生し、また光
抜け減衰時間も３秒と長いものであったが、Ｒ、Ｂの視
感度の低さによりパネル表示品質としは、問題無いもの
であった。
した所リバースチルトドメインによる光抜け領域は、Ｇ
画素ＢＭ端部に現れず、また光抜け減衰時間も０．２秒
と非常に短いものであった。また、Ｒ、Ｂ画素について
は、ＢＭ端部より４μｍの光抜け領域が発生し、また光
抜け減衰時間も３秒と長いものであったが、Ｒ、Ｂの視
感度の低さによりパネル表示品質としは、問題無いもの
であった。
【００３０】（比較例１）ＣＦ基板として、ＲＧＢ各画
素とＢＭとのオーバーラップ量が２μｍ、合わせマージ
ン７μｍとなるようなＣＦ基板を使用し、実施例１と同
様にして、パネルを得た。
素とＢＭとのオーバーラップ量が２μｍ、合わせマージ
ン７μｍとなるようなＣＦ基板を使用し、実施例１と同
様にして、パネルを得た。
【００３１】この得られたパネルに通電画像検査を実施
したところリバースチルトドメインによる光抜け領域
は、ＲＧＢ各画素とも、ＢＭ端部より４μｍの光抜け領
域が発生し、また光抜け減衰時間も３秒と長いものであ
り、トランジスターのオンオフ切替時残像としてのこ
り、輝度、コントラストの低い、パネル表示品質に劣る
ものであった。
したところリバースチルトドメインによる光抜け領域
は、ＲＧＢ各画素とも、ＢＭ端部より４μｍの光抜け領
域が発生し、また光抜け減衰時間も３秒と長いものであ
り、トランジスターのオンオフ切替時残像としてのこ
り、輝度、コントラストの低い、パネル表示品質に劣る
ものであった。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明によれば、液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の
遮光パターンと、赤、緑、青のパターンの少なくとも一
つの画素との重なりを４μｍ以上とすることにより、Ｃ
Ｆ基板の配向規制力を向上させ、トランジスターオン時
に現れる光抜け領域の発生を押え、また光抜け領域の減
衰速度を速くし、輝度、コントラスト等の表示品質にす
ぐれた液晶表示パネルが得られる。
本発明によれば、液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の
遮光パターンと、赤、緑、青のパターンの少なくとも一
つの画素との重なりを４μｍ以上とすることにより、Ｃ
Ｆ基板の配向規制力を向上させ、トランジスターオン時
に現れる光抜け領域の発生を押え、また光抜け領域の減
衰速度を速くし、輝度、コントラスト等の表示品質にす
ぐれた液晶表示パネルが得られる。
【図１】本発明の一実施例のパネルの断面図を示す。
【図２】本発明の一実施例のパネルの平面図を示す。
１ ガラス基板 ２ ＢＭ ３−ａ Ｒ画素 ３−ｂ Ｇ画素 ３−ｃ Ｂ画素 ４ 画素段差 ５ 配向膜 ６ ＩＴＯ膜 ７−ａ Ｒ画素オーバーラップ量 ８−ａ Ｇ画素オーバーラップ量 ９−ａ Ｂ画素オーバーラップ量 １０ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にトランジスター素子がマトリク
ス状に配置されたＴＦＴ基板と、赤、緑、青に着色され
た画素がマトリクス状に配置されたカラーフィルター基
板とを、スペーサーを介して貼合わせた後、その間に液
晶材料を注入して製造される液晶表示パネルにおいて、
前記カラーフィルター基板の遮光パターンと、赤、緑、
青の画素パターンの少なくとも一つの画素パターンとの
重なりが、４μｍ以上である事を特徴とする液晶表示パ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685494A JPH07225373A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685494A JPH07225373A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07225373A true JPH07225373A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11927810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1685494A Pending JPH07225373A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07225373A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01266512A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JPH0534680A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | アクテイブマトリクスカラー液晶デイスプレイ |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP1685494A patent/JPH07225373A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01266512A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-24 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JPH0534680A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | アクテイブマトリクスカラー液晶デイスプレイ |
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