CN104749845A - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决在位于显示面板周边区域的测试元件进行TFT特性测试，而导致测试结果无法真实反映像素单元内TFT特性的问题。所述阵列基板包括多个像素单元，像素单元内设置有TFT以及像素电极和公共电极，像素电极与TFT的漏极相连接，所述像素电极位于公共电极的下方；至少一个像素单元还设置有测试图案，测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，测试图案暴露于阵列基板的表面。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD主要由阵列基板和彩膜基板构成。在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过控制液晶的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板的滤光作用，实现彩色图像显示。
现有TFT-LCD的制作工艺主要包括四个阶段，分别为彩膜基板制备、Array(阵列基板制作)工艺、Cell(液晶盒制备)工艺以及Module(模块组装)工艺。作为TFT-LCD生产的一个重要环节，Array工艺通常是在一张玻璃基板上形成独立的TFT阵列电路，阵列电路的质量将直接影响产品的显示质量。然而，在实际生产过程中，阵列基板会因为其制作环境或者工艺水平等因素的影响，使其出现Mura(斑痕)、暗点、色差等不良现象，从而严重影响显示器件的显示效果。
因此，为了避免上述不良现象的产生，可以通过测试设备对TFT特性进行测试，例如测试TFT的开启电流Ion、关断电流Ioff以及TFT对温度或光照的敏感度等性能参数。现有技术中，可以对位于显示面板周边区域的测试元件进行测试。然而该测试元件得到的数据并不能直接、真实的反映出阵列基板上各个像素单元内实际的TFT特性，因此会降低测试结果的精确程度。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够解决在位于显示面板周边区域的测试元件进行TFT特性测试，而导致测试结果无法真实反映像素单元内TFT特性的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元内设置有TFT以及异层设置的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述TFT的漏极相连，所述像素电极位于所述公共电极的下方；其特征在于，
至少一个所述像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。
本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：
步骤一、在基板上通过Array工艺形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
步骤二、在至少一个像素电极上方，形成与至少覆盖所述像素电极的一部分的测试图案，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面；
步骤三、在形成有上述结构的基板表面，形成公共电极。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括多个像素单元，该像素单元内异层设置有TFT、以及像素电极和公共电极，像素电极与TFT的漏极相连接，所述像素电极位于公共电极的下方。其中，至少一个像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖像素电极的一部分，在测试过程中，该测试图案可以暴露于阵列基板的表面。这样一来，可以使得测试探针与测试图案直接接触，又因为测试图案覆盖像素电极的一部分，因此测试图案与像素电极电连接，从而使得测试探针可以直接对像素单元内的TFT的性能进行测试，而无需对外围区域的TFT测试，进而提高了测试数据的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为图1中的一种A-A’截面图；
图3为图1中的另一种B-B’截面图；
图4a为图1中的又一种B-B’截面图
图4b为图4a的俯视图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法流程图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制作方法流程图。
附图说明：
01-阵列基板；02-衬底基板；10-像素单元；101-像素电极；102-公共电极；103-测试图案；1031-第一连接层；1032-第二连接层；104-钝化层；105-第一过孔；108-第二过孔；106-第三过孔；107-间隙；20-栅线；21-公共电极线；22-数据线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板01，如图1所示，可以包括多个像素单元10，所述像素单元10内设置有TFT以及异层设置有像素电极101和公共电极102。像素电极101与TFT的漏极相连接，该像素电极101位于公共电极102的下方；其中，
至少一个像素单元10还设置有测试图案103，测试图案103至少覆盖像素电极101的一分部，在测试过程中，该测试图案103暴露于阵列基板01的表面，从而可以将测试探针与测试图案103直接接触，以对该像素单元10中TFT的特性进行测试。
需要说明的是，第一，本发明实施例中的上方、下方是阵列基板01中的各个薄膜层相对于衬底基板02的距离的远近而言的。具体的，例如像素电极101位于公共电极102的下方是指，像素电极101与衬底基板02之间的距离小于公共电极102与衬底基板02之间的距离。其中，所述衬底基板02可以是玻璃基板或其它材料构成的透明基板。
第二、当像素电极101位于公共电极102下方时，像素电极101可以为平面状结构，公共电极102可以为狭缝状结构。这样一来，可以构成AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型液晶显示装置。具体的AD-SDS技术通过平面状的像素电极101边缘所产生的平行电场以及像素电极101与公共电极102间产生的纵向电场形成多维电场，使得显示装置中的液晶盒上，对应狭缝状的公共电极102的狭缝之间的取向液晶分子，以及像素电极101上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了取向液晶分子的工作效率并增大了透光效率。因此，AD-SDS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。
本发明的以下实施例均是以构成AD-SDS模式显示装置的阵列基板为例进行的说明。
第三、为了避免测试图案对显示装置开口率的影响，因此可以将测试图案103设置在不透光的区域，例如，当阵列基板01上设置有栅线20，以及与该栅线紧邻且平行于栅线20的公共电极线21时，可以将测试图案103设置于栅线20或公共电极线21的正上方。
或者，如图1所示，测试图案103设置于栅线20与公共电极线21之间。这样一来，即可以通过测试图案103实现对像素电极101的测试，又可以避免测试图案103对显示装置开口率的影响。此外，由于测试图案103位于栅线20与公共电极线21之间，因此可以减小测试图案103与公共电极线21之间的重叠部分，从而可以减小测试图案103与公共电极线21之间的寄生电容。
第四、本发明对测试图案103的设置数目不做限定。为了提高测试精度，可以在阵列基板01上的每一个像素单元10内设置上述测试图案103。当然，为了提高测试效率，还可以在一部分像素单元10中设置上述测试图案103。例如，可以在位于阵列基板01的四个角的位置对应的像素单元10中分别设置测试图案103。其中，上述阵列基板01的四个角，具体是指，假设阵列基板为矩形，那么上述四个角可以是指该矩形的四个角。其中，阵列基板01的每个角所在区域对应至少一个像素单元10。这样一来，对于一些容易在边角位置出现缺陷的阵列基板01，可以只对上述容易出现缺陷的位置进行测试，而无需对整个阵列基板测试。从而能够减小测试的时间和工序，提高生产效率。
或者，可以在阵列基板01的中心区域处的像素单元10中设置上述测试图案103。其中当阵列基板为矩形时，该矩形对角线的交点处附近的至少一个像素单元10可以为上述中心区域。由于，采用上述阵列基板01构成的显示面板在显示的过程中，用户的视线大多情况下会停留于上述显示面板的中央位置。因此，中央位置的显示缺陷会大大降低显示效果。所以可以通过将测试图案103设置于阵列基板01的中心区域位置处的像素单元10中，以便对上述位置出现的缺陷进行检出。
当然上述仅仅是对多个测试图案103在阵列基板上的分布情况的举例说明，其它分布方式在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括多个像素单元，该像素单元内异层设置有TFT、以及异层设置的像素电极和公共电极，像素电极与TFT的漏极相连接，所述像素电极位于公共电极的下方。其中，至少一个像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖像素电极的一部分，在测试过程中，该测试图案可以暴露于阵列基板的表面。这样一来，可以使得测试探针与测试图案直接接触，又因为测试图案覆盖像素电极的一部分，因此测试图案与像素电极电连接，从而使得测试探针可以直接对像素单元内的TFT的性能进行测试，而无需对外围区域的TFT测试，进而提高了测试数据的准确性。
需要说明的是，上述在测试过程中，所述测试图案103暴露于阵列基板01的表面是指，在测试过程中，该测试图案103的表面无其他薄膜层对其进行覆盖。对于液晶显示装置而言，会在阵列基板上形成液晶取向层，而上述测试过程一般在液晶取向层制备过程之前进行。以下通过具体的实施例对上述方案进行详细的描述。
实施例一
如图1所示，阵列基板01上设置有横纵交叉的栅线20和数据线22，该栅线20和数据线22交叉界定出多个呈矩阵形式排列的像素单元10。该阵列基板01还包括异层设置的像素电极101和公共电极102。其中，所述像素电极101和公共电极102的具体特征参见之间的描述，此处不再赘述。
由图1中的虚线A-A’进行剖切，得到的阵列基板的局部剖视图如图2所示，可以看出像素电极101与公共电极102之间设置有钝化层104。
测试图案103位于钝化层104与像素电极101之间，测试图案103的下表面与像素电极101相接触。
钝化层104和公共电极102对应测试图案103的位置设置有第一过孔105，用于露出测试图案103的上表面。
这样一来，通过第一过孔105可以将测试图案103暴露于阵列基板01的表面，使得测试探针能够穿过第一过孔105与测试图案103直接接触，由于测试图案103与像素电极101相接触。因此，可以使得测试探针对像素单元10中的像素电极101进行测试。
并且，当位于阵列基板01最上层的公共电极102为狭缝状结构时，可以在通过构图工艺形成公共电极102图案的同时，完成第一过孔105的制作。
此外，上述测试图案103可以与TFT的源、漏极以及数据线22同层同材料制成，这样一来，通过一次构图工艺就可以形成TFT的源漏、漏极、数据线22的图案以及测试图案103的图案，从而能够简化制作工艺。
需要说明的是，在本发明中的构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，亦或还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本发明实施例中的一次构图工艺，可以是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
需要说明的是，本发明实施例中提供的阵列基板01在附图中，仅标示出与本申请有关的层级结构，除此之外还包括其它层级结构，例如位于栅线20上的栅极绝缘层，以及有源层等与现有技术相同的层级结构，在此不再一一赘述。
实施例二
实施例一中的测试图案103可以与数据线22同层同材料制成。而本实施例提供的方案中，构成该测试图案103的材料可以与构成公共电极102的材料相同，并同层设置。
具体的，由图1中的虚线B-B’进行剖切，得到的阵列基板的局部剖视图如图3所示，像素电极101与公共电极102之间设置有钝化层104。
钝化层104对应像素电极101的位置设置有第二过孔108。
测试图案103与公共电极102同材料设置，并通过第二过孔108与像素电极101的上表面相接触。
具体的，可以在形成有第二过孔108的基板上，涂覆一层透明导电材料，然后通过构图工艺同时形成测试图案103与公共电极102。
其中，测试图案103与公共电极102之间需要断开。具体可以在通过掩膜、曝光、刻蚀形成狭缝状的公共电极102的过程中，将该公共电极102与测试图案103断开。
由于构成公共电极102的材料为透明导电材料，因此同样可以将与测试图案103相接处的测试探针和像素电极101电连接，从而实现对像素电极101的测试。
综上所述，在实施例一中，测试图案103可以与数据线22同时形成，实施例二中，测试图案103可以与公共电极102同时形成。因此相对于制作过程而言，上述两个实施例提供的方案复杂程度相当。但是实施例一中，由于构成测试图案103的材料与构成数据线22的材料相同，可以为金属材料；实施例二中，构成测试图案103的材料与构成公共电极102的材料相同，为透明导电材料。而金属材料相对于透明导电材料而言，导电能力更强。因此实施例一提供的方案，更利于对像素电极101进行测试。
实施例三
相对于实施例一、实施例二而言测试图案103可以由两层薄膜层构成。
具体的，由图1中的虚线B-B’进行剖切，得到的阵列基板的局部剖视图如图4a所示，像素电极101与公共电极102之间设置有钝化层104。
测试图案103可以包括第一连接层1031和第二连接层1032。
其中，第一连接层1031位于钝化层104与像素电极101之间，第一连接层1031的下表面与像素电极101相接触。
钝化层104对应第一连接层1031的位置设置有第三过孔106。第二连接层1032与公共电极102同层同材料，并通过第三过孔106与第一连接层1031的上表面相接触。
第二连接层1032与公共电极102断开。具体的，可以在通过掩膜、曝光、刻蚀形成狭缝状的公共电极102的过程中，在第二连接层1032与公共电极102之间形成间隙107，以使得第二连接层1032与公共电极102断开，从而避免测试过程结束后，当公共电极102上施加有公共电压时，由于第二连接层1032与公共电极102未断开，而导致像素电极101与公共电极102之间发生短路。图4b为第二连接层1032与公共电极102同层同材料设置时的结构示意图。
由于第二连接层1032与公共电极102可以同层同材料设置，因此可以通过一次构图工艺在形成公共电极102图案的同时，可以形成第二连接层1032的图案，从而可以简化制作工艺。
这样一来，由于第二连接层1032与公共电极102同层设置，而公共电极102位于阵列基板01的最上端，因此第二连接层1032也位于阵列基板01的最上端，从而使得由相互接触的第二连接层1032和第一连接层1031构成的测试图案103能够暴露于阵列基板01的表面。在此情况下，测试探针可以与第二连接层1032直接接触，而测试图案103中的第一连接层1031与像素电极101相接触，从而使得测试探针可以直接对像素单元10内的像素电极101进行测试。其中，位于上述阵列基板01的最上端的薄膜层是指，该阵列基板01在测试过程中，该薄膜层的表面无其他薄膜层覆盖。例如，在测试过程中，与公共电极102同层设置的第二连接层1032的表面无其他薄膜层覆盖，因此第二连接层1032位于阵列基板01的最上端。
并且，为了简化制作工艺，上述第一连接层1031可以与TFT的源、漏极以及数据线22同层同材料制成，这样一来，通过一次构图工艺就可以形成TFT的源漏、极图、数据线22的图案以及第一连接层1031的图案。
本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示装置。具有与前述实施例提供的阵列基板相同的有益效果。由于在前述实施例中已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，可以包括：
步骤一、在基板上通过构图工艺形成像素电极层，该像素电极层包括多个像素电极101。其中，上述基板可以是已经在衬底基板02上形成有栅线20、公共电极线21、栅极、栅极绝缘层的基板。此外，上述多个可以是指至少两个。
步骤二、在至少一个像素电极101上方，形成与像素电极101电连接的测试图案103，在测试过程中，所述测试图案103可以暴露于阵列基板的表面。
步骤三、在形成有上述结构的基板表面，形成公共电极102。
本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：首先，在基板上通过构图工艺形成像素电极层，该像素电极层包括多个像素电极；然后，在至少一个像素电极上方，形成与像素电极电连接的测试图案，在测试过程中，所述测试图案103可以暴露于阵列基板的表面；最后，在形成有上述结构的基板表面，形成公共电极。这样一来，可以使得测试探针与测试图案直接接触，又因为测试图案覆盖像素电极的一部分，因此测试图案与像素电极电连接，从而使得测试探针可以直接对像素单元内的TFT的性能进行测试，而无需对外围区域的TFT测试，进而提高了测试数据的准确性。
需要说明的是，上述在测试过程中，所述测试图案103暴露于阵列基板01的表面是指，在测试过程中，该测试图案103的表面无其他薄膜层对其进行覆盖。对于液晶显示装置而言，会在阵列基板上形成液晶取向层，而上述测试过程一般在液晶取向层制备过程之前进行。以下通过具体的实施例对上述方案进行详细的描述。
实施例四
阵列基板01的制作方法，如图5所示，可以包括：
S101、在衬底基板02上，通过构图工艺依次形成栅线20、公共电极线21、栅极、栅极绝缘层的图案；
S102、在形成有上述结构的基板上，通过构图工艺形成像素电极层，该像素电极层包括多个像素电极101。具体的，可以在形成有上述结构的基板上，涂覆一层透明导电层，然后通过掩膜、曝光、刻蚀工艺，形成多个像素电极101。如图1所示，每个像素单元10对应一个像素电极101。
S103、在至少一个像素电极上方，通过构图工艺形成与至少覆盖像素电极101的一部分的测试图案103，在测试过程中，所述测试图案103暴露于所述阵列基板的表面。
具体的，在形成有像素电极101的基板表面，形成数据金属层，然后通过一次掩膜、曝光、刻蚀工艺，形成测试图案103、TFT的源、漏极以及数据线22。由于TFT的源漏、极图、数据线22的图案以及测试图案103通过一次构图工艺形成，因此可以简化制作工艺。
需要说明的是，上述数据金属层可以是金属铜Cu、铝Al、钼Mo、钛Ti、铬Cr或钨W中的任意一种金属单质，或由上述金属单质构成的合金。
S104、在形成有测试图案103的基板上，通过构图工艺形成钝化层104。
具体的，可以在测试图案103的表面涂覆一层钝化层104。钝化层104可以由氮化硅或二氧化硅构成。
S105、在形成有钝化层104的基板上，通过构图工艺形成公共电极102。
具体的，可以在钝化层104的表面涂覆一层透明导电层，该透明导电层可以由氧化铟锡或氧化铟锌构成。然后，通过一次掩膜、曝光、刻蚀工艺形成具有狭缝状结构的公共电极102的图案。
S106、在公共电极102和钝化层104对应测试图案103的位置，通过构图工艺形成第一过孔105，用于露出测试图案103的上表面，最终形成的阵列基板01如图2所示。
具体的，可以在形成有狭缝状结构的公共电极102的表面涂覆一层光刻胶，然后通过一次掩膜、曝光、刻蚀工艺形成上述第一过孔105。
或者，可以对上述步骤S105和步骤S106进行合并。
具体的，首先，在钝化层104的表面涂覆一层透明导电层后，在该透明导电层的表面形成一层光刻胶，并利用半透明掩膜板通过掩膜曝光工艺，形成对应第一过孔105位置的光刻胶完全去除区域，对应公共电极102的狭缝位置处的光刻胶半保留区域，以及对应透明导电层上其他位置的光刻胶完全保留区域。
接下来，通过刻蚀工艺，将光刻胶完全去除区域的透明导电层去除，然后将光刻胶半保留区域的剩余的光刻胶灰化掉。
接下来，将光刻胶完全去除区域的钝化层104进行刻蚀，并将光刻胶半保留区域的透明导电层去除。最后将光刻胶剥离，从而形成狭缝状的公共电极102以及第一过孔105。
实施例五
实施例四中的测试图案103可以与数据线22同层同材料制成。而本实施例提供的方案中，构成该测试图案103的材料可以与构成公共电极102的材料相同。
具体的，在形成有像素电极101之后，制作阵列基板01的方法如图6所示，可以包括：
S201、在像素电极101上形成钝化层104。
S202、在所述钝化层104对应所述像素电极101的位置，通过构图工艺形成第二过孔108。
S203、在形成有上述结构的表面，涂覆透明导电层，并通过一次构图工艺形成狭缝状的公共电极102和测试图案103；其中，测试图案103与公共电极102断开。最终形成的阵列基板如图3所示。
具体可以在通过掩膜、曝光、刻蚀形成狭缝状的公共电极102的过程中，将该公共电极102与测试图案103断开。
由于构成公共电极102的材料为透明导电材料，因此同样可以将与测试图案103相接处的测试探针和像素电极101电连接，从而实现对像素电极101的测试。
综上所述，在实施例四中，测试图案103可以与数据线22同时形成，实施例五中，测试图案103可以与公共电极102同时形成。因此相对于制作过程而言，上述两个实施例提供的方案复杂程度相当。但是实施例一中，由于构成测试图案103的材料与构成数据线22的材料相同，可以为金属材料；实施例二中，构成测试图案103的材料与构成公共电极102的材料相同，为透明导电材料。而金属材料相对于透明导电材料而言，导电能力更强。因此实施例四提供的方案，更利于对像素电极101进行测试。
实施例六
相对于实施例四、实施例五而言测试图案103可以由两层薄膜层构成。
具体的，在形成有像素电极101之后，当测试图案103如图4a所示，可以包括第一连接层1031和第二连接层1032时，制作阵列基板01的方法如图7所示，可以包括：
S301、在像素电极101上通过构图工艺形成第一连接层1031。第一连接层1031的下表面与像素电极101相接触。
其中，上述第一连接层1031可以与TFT的源、漏极以及数据线22同层同材料制成，这样一来，通过一次构图工艺就可以形成TFT的源漏、极图、数据线22的图案以及第一连接层1031的图案，从而能够简化制作工艺。
具体的，可以在像素电极101上沉积一层数据金属层，然后通过一次掩膜、曝光、刻蚀工艺同时形成TFT的源漏、极图、数据线22的图案以及第一连接层1031的图案。上述数据金属层可以是金属铜Cu、铝Al、钼Mo、钛Ti、铬Cr或钨W中的任意一种金属单质，或由上述金属单质构成的合金。
S302、在第一连接层1031的表面，通过构图工艺形成钝化层104。
具体的，可以在测试图案103的表面涂覆一层钝化层104。钝化层104可以由氮化硅或二氧化硅构成。
S303、钝化层104对应第一连接层1031的位置形成第三过孔106。
具体的，在钝化层104的表面涂覆一层光刻胶，然后通过掩膜、曝光、刻蚀工艺形成上述第三过孔106。
S304、在形成有上述结构的表面，涂覆透明导电层，并通过构图工艺形成狭缝状的公共电极102和第二连接层1032。
其中，第二连接层1032通过第三过孔106与第一连接层1031的上表面相接触。第二连接层1032与公共电极102断开，最终形成的阵列基板01如图4a所示。
具体的，首先，在上述透明导电层的表面涂覆光刻胶。
然后，通过掩膜、曝光工艺，在对应公共电极102狭缝处的位置，以及间隙107处形成光刻胶去除区域，在透明导电层表面的其它区域形成光刻胶保留区域。
接下来，通过刻蚀工艺将光刻胶去除区域的透明导电层去除。
最后，将光刻胶剥离，就可以形成狭缝状的公共电极102的图案，以及通过间隙107与公共电极102断开的第二连接层1032。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元内设置有TFT以及异层设置的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述TFT的漏极相连，所述像素电极位于所述公共电极的下方；其特征在于，
至少一个所述像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极与所述公共电极之间设置有钝化层；
所述测试图案位于所述钝化层与所述像素电极之间，所述测试图案的下表面与所述像素电极相接触；
所述钝化层和所述公共电极对应所述测试图案的位置设置有第一过孔，用于露出所述测试图案的上表面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述测试图案与所述TFT的源、漏极同层同材料。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极与所述公共电极之间设置有钝化层；
所述钝化层对应所述像素电极的位置设置有第二过孔；
所述测试图案与所述公共电极同层同材料设置，并通过第二过孔与所述像素电极的上表面相接触；
所述测试图案与所述公共电极断开。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极与所述公共电极之间设置有钝化层；
所述测试图案包括第一连接层和第二连接层；
其中，所述第一连接层位于所述钝化层与所述像素电极之间，所述第一连接层的下表面与所述像素电极相接触；
所述钝化层对应所述第一连接层的位置设置有第三过孔；所述第二连接层与所述公共电极同层同材料，并通过所述第三过孔与所述第一连接层的上表面相接触；
所述第二连接层与所述公共电极断开。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接层与所述TFT的源、漏极同层同材料。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述测试图案设置在不透光的区域。
8.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有栅线，以及平行且紧邻所述栅线的公共电极线，所述测试图案位于所述栅线与所述公共电极线之间。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为狭缝状结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一、在基板上通过构图工艺形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
步骤二、在至少一个像素电极上方，形成与至少覆盖所述像素电极的一部分的测试图案，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面；
步骤三、在形成有上述结构的基板表面，形成公共电极。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤二之后，所述步骤三之前所述方法包括：
在形成由所述测试图案的基板上，通过构图工艺形成钝化层；
在形成所述钝化层后，所述步骤三包括：
在形成有所述钝化层的基板上，通过构图工艺形成所述公共电极；
在所述公共电极和所述钝化层对应所述测试图案的位置，通过构图工艺形成第一过孔，用于露出所述测试图案的上表面。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述测试图案与所述TFT的源、漏极同层同材料形成。
14.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤一之后，所述步骤二之前，所述方法包括：
在像素电极上形成钝化层；
在形成所述钝化层后，所述步骤二、所述步骤三包括：
在所述钝化层对应所述像素电极的位置，通过构图工艺形成第二过孔；
在形成有上述结构的表面，涂覆透明导电层，并通过一次构图工艺形成狭缝状的所述公共电极和所述测试图案；其中，所述测试图案与所述公共电极断开。
15.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤一之后，当所述测试图案包括第一连接层和第二连接层时，所述步骤二包括：
在所述像素电极上通过构图工艺形成所述第一连接层，所述第一连接层的下表面与所述像素电极相接触；
在所述第一连接层上通过构图工艺形成钝化层；
所述钝化层对应所述第一连接层的位置形成第三过孔；
在形成所述第三过孔后，所述步骤二、所述步骤三包括：
在形成有上述结构的表面，涂覆透明导电层，并通过构图工艺形成狭缝状的公共电极和第二连接层；
其中，所述第二连接层通过所述第二过孔与所述第一连接层的上表面相接触；
所述第二连接层与所述公共电极断开。
16.根据权利要求15所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一连接层与所述TFT的源、漏极的同层同材料形成。
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