CN101364018A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，提高相对于晶体管的遮光性，并使开口率提高。电光装置，在基板(10)上，具备：电连接于数据线(6a)的晶体管(30)，与晶体管对应设置的像素电极(9a)，以覆盖晶体管的半导体层的方式设置的遮光部(11)，以与遮光部重叠的方式设置、相比像素电极形成于下层侧且相比半导体层形成于上层侧的第1导电膜(71)，和隔着层间绝缘膜(42)相比第1导电膜形成于上层侧并通过接触孔(84)与第1导电膜电连接的第2导电膜(91)。进而，遮光部，具有伸出于与像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分(11t)；接触孔，从基板上俯视，与伸出部分至少局部重叠。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备该电光装置的例如液晶投影机等的电子设备。

背景技术

作为这种电光装置之一例的液晶装置，多用作例如投影型显示装置的光调制单元(光阀)。尤其在用于投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以为了使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)不会由于该光产生的泄漏电流的增大、误工作等，将作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内置于液晶光阀。更具体地，这样的遮光膜，由构成包括为了按每个像素对像素电极进行驱动而在显示区域中纵向横向交叉布线的数据线及扫描线、还有按每个像素电连接于扫描线及数据线的TFT的各种元件等的导电膜的至少一部分形成，或者除此之外或代替于此，有时也用于仅起到单纯作为遮挡入射光的遮光单元的作用，另行作为与数据线及扫描线的平面的图形形状相对应的栅格状或者条带状的图形而形成。

在这样的基板上形成有遮光膜的区域、即在基板上不使光透射的非开口区域，用于使TFT与像素电极进行电连接的接触孔，开孔于对像素电极、相比其形成于下层侧的各种布线、TFT等的电子元件进行层间绝缘的层间绝缘膜(例如参照专利文献1)。

【专利文献1】特开2004-198849号公报

可是，为了谋求应按照显示图像的高质量化的一般性要求的电光装置的高清晰化或者像素间距的微细化，为了谋求应显示更明亮的图像的像素的高开口率化，在使设置于相互相邻的像素间的遮光膜的宽度单纯变窄的情况下，存在光变得容易向TFT入射、即相对于TFT的遮光性有可能下降的技术问题。进而，在使这样的遮光膜的宽度单纯变窄的情况下，存在虽然在非开口区域中确保用于设置接触孔的空间，但是制造工序上或者设计上变得困难的技术问题。

发明内容

本发明是鉴于例如上述问题而作出的，其目的在于提供能够提高相对于晶体管的遮光性、并使开口率提高、能够显示明亮高质量的图像的电光装置，以及具备该电光装置的电子设备。

本发明的电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备：数据线；电连接于该数据线的晶体管；与该晶体管对应地设置的像素电极；覆盖所述晶体管的半导体层而设置的遮光部；与所述遮光部重叠地设置、相比所述像素电极形成于下层侧且相比所述半导体层形成于上层侧的第1导电膜；和隔着层间绝缘膜相比该第1导电膜形成于上层侧并且通过开孔于所述层间绝缘膜的接触孔与所述第1导电膜电连接的第2导电膜，所述遮光部，具有伸出于与所述像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分，从所述基板上俯视，所述接触孔与所述伸出部分至少局部重叠。

根据本发明的电光装置的电光装置，可以进行例如由控制从数据线向像素电极的图像信号的供给的、所谓有源矩阵方式产生的图像显示。

在此，本发明中的所谓“开口区域”，是实质上使显示光出射的像素内的区域，是形成由例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等的透明导电材料构成的像素电极、光透射的区域，是可以相应于透射率的改变而使逸出液晶等电光物质的出射光的灰度等级变化的区域。换言之，所谓“开口区域”，是指除了非开口区域之外的区域，该非开口区域是指聚光于像素的光由光不能透射、或者光透射率与透明电极相比相对较小的布线、遮光膜及各种元件等的遮光体遮挡的区域。在此，所谓“非开口区域”，是指有助于显示的光不透射的区域，例如在像素内配设有不透明的布线或者电极、或各种元件等的遮光体的区域。进而，所谓“开口率”，是指将开口区域及非开口区域相加的像素尺寸中的开口区域的比例。

在基板上在应成为显示区域的区域例如以矩阵状设置多个像素电极。并且，数据线、晶体管、第1及第2导电膜以及其他用于对像素电极进行驱动的各种构成要素，形成于非开口区域。

晶体管所具有的半导体层，形成于例如非开口区域之中的与数据线及扫描线的交叉处相对应的交叉区域。

第1导电膜相比像素电极形成于下层侧且相比半导体层形成于上层侧。第2导电膜隔着层间绝缘膜相比第1导电膜形成于上层侧。第1及第2导电膜，通过开孔于层间绝缘膜的接触孔互相电连接。还有，层间绝缘膜既可以作为由1层构成的单层膜，也可以作为具有2层以上的叠层结构的多层膜而形成。

遮光部，覆盖晶体管的半导体层而设置。即，遮光部，为了至少局部限定非开口区域，而形成于与半导体层互不相同的层(即，比半导体层靠上层侧或者下层侧)。进而，从基板上俯视，遮光部与半导体层的至少一部分重叠。换言之，遮光部，以从上层侧或者下层侧覆盖半导体层的至少一部分的方式形成。因而，通过遮光部能够基本遮挡相对于半导体层从其上层侧垂直地或者倾斜入射的光、或者从其下层侧入射的返回光。还有，在“返回光”中，包括例如在基板中的内面反射、复板式的投影机等从其他电光装置发出而穿过合成光学系统的光等。由此，能够提高相对于晶体管的遮光性，例如能够降低晶体管中的光泄漏电流。

还有，遮光部，作为包括遮光性材料的单层膜或者多层膜形成。遮光部，既可以作为数据线形成，也可以作为与晶体管电连接的电容元件形成，又可以作为扫描线形成。

在本发明中，尤其是遮光部，具有伸出于开口区域的角部的伸出部分。例如，在数据线及扫描线相交叉的交叉区域中，具有从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出的伸出部分。即，如果以四边形的开口区域为基准来考虑，则伸出部分以在开口区域的四个角部具有长方形状或者正方形状的方式，从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出。因而，通过遮光部中的伸出部分能够有效地对入射于设置于交叉区域的半导体层的光进行遮光。即，与不存在这样的伸出部分的情况相比，在例如假设伸出部分相比半导体层形成于上层侧的情况下，通过伸出部分能够更可靠地对相对于半导体层从其上层侧垂直地或者倾斜入射的入射光、基于此的漫反射光及杂散光等进行遮挡；在例如假设伸出部分相比半导体层形成于下层侧的情况下，通过伸出部分能够更可靠地对相对于半导体层从其下层侧垂直地或者倾斜入射的返回光、基于此的漫反射光及杂散光等进行遮挡。即，可以通过伸出部分提高或者强化相对于半导体层的遮光性。

进而在本发明中尤其是，从基板上俯视，接触孔与伸出部分至少局部重叠。即，从基板上俯视，在层间绝缘膜上，在与伸出部分至少局部重叠的位置上开孔接触孔。典型性的，在非开口区域之中的在形成遮光部中的伸出部分的区域(换言之，为用于提高相对于晶体管的遮光性的遮光区域)配置接触孔。从而，能够防止仅为了接触孔的配置而将非开口区域之中沿数据线的区域或者沿扫描线的区域的宽度不必要地扩大、不必另行将非开口区域的一部分扩大，可以确保各像素中的开口区域的尺寸更大。即，可以使开口率提高。

另外，由于接触孔与伸出部分至少局部重叠地配置，通过接触孔(即，通过形成于接触孔内的第2导电膜的一部分、或者在接触孔内作为由遮光性导电材料构成的插塞而形成的导电部)，能够减少入射于半导体层的光，即，通过接触孔能够对相对于半导体层从其上层侧倾斜地进行入射的光，进行遮光。

如上所述，根据本发明的电光装置，在各像素中能够提高相对于晶体管的遮光性并提高开口率，最终能够显示明亮、高质量的图像。

在本发明的电光装置的一方式中，所述伸出部分，形成于所述开口区域的四个角部中的各个角部。

根据该方式，伸出部分，在晶体管的半导体层的周围设置4个。因而，通过伸出部分能够更可靠地对入射于晶体管的半导体层的光进行遮光。进而，能够容易地对接触孔进行配置，至少局部重叠于伸出部分。

在本发明的电光装置的其他方式中，所述第2导电膜，包括金属膜，具有形成于所述接触孔内的部分。

根据该方式，通过在接触孔内作为包括金属膜的第2导电膜的一部分形成的部分，能够进一步减少入射于晶体管的半导体层的光。

在本发明的电光装置的其他方式中，所述遮光部，为具有在所述基板上从下层侧依次叠层的下部电容电极及上部电容电极并且所述下部电容电极及所述上部电容电极之中一方的电极电连接于所述像素电极的电容元件。

根据该方式，在各像素中，通过对电容元件所具有的上部及下部电容电极之中一方的电极供给供给至像素电极的图像信号，能够使电容元件作为暂时保持像素电极的电位的保持电容而起作用。由此，可以提高在各像素中将像素电极保持为相应于图像信号的电位的保持特性。

进而，在该方式中，可以将电容元件兼用作遮光部，这与另行设置遮光膜的情况相比，能够在各像素中使数据线及扫描线、晶体管等的各种构成要素的各自的配置的相关构成进一步简略化。

在上述的遮光部作为电容元件的方式中，也可以构成为：所述第1导电膜从所述一方的电极延伸而成并且与所述半导体层电连接；所述第2导电膜与所述像素电极电连接。

在该情况下，第1及第2导电膜，分别作为对晶体管的半导体层与像素电极进行电中继连接的中继层而起作用。因而，能够避免晶体管的半导体层与像素电极之间的层间距离远、以一个接触孔难以对两者间进行连接的情况。进而，因为第1导电膜，从电容元件的一方的电极延伸而成，所以基本不会导致叠层结构及制造工序的复杂化。

在上述的遮光部作为电容元件的方式中，也可以构成为：具备相比所述电容元件及所述第2导电膜形成于上层侧、电连接于所述下部电容电极及所述上部电容电极之中的与所述一方的电极不同的另一方的电极的电容线；所述第1导电膜，作为所述另一方的电极而形成；所述第2导电膜，与所述电容线电连接。

在该情况下，第2导电膜，作为对电容元件的其他电极(换言之，为第1导电膜)与电容线进行电中继的中继层而起作用。因而，能够避免电容元件的其他电极与电容线之间的层间距离远、以一个接触孔难以对两者间进行连接的情况。

在上述的遮光部作为电容元件的方式中，也可以构成为：所述第2导电膜，作为电连接于所述下部电容电极及所述上部电容电极之中的与所述一方电极不同的另一方的电极的电容线而形成；所述第1导电膜，与所述另一方的电极电连接。

在该情况下，第1导电膜，作为对电容线(换言之，为第2导电膜)与电容元件的其他电极进行电中继的中继层而起作用。因而，能够避免电容线与电容元件的其他电极之间的层间距离远、以一个接触孔难以对两者间进行连接的情况。

在上述的遮光部作为电容元件的方式中，也可以构成为：所述第1导电膜，与所述半导体层电连接；所述第2导电膜，从所述一方的电极延伸，与所述像素电极电连接。

在该情况下，第1及第2导电膜，分别作为对晶体管的半导体层与像素电极进行电中继连接的中继层而起作用。因而，能够避免晶体管的半导体层与像素电极之间的层间距离远、以一个接触孔难以对两者间进行连接的情况。进而，因为第2导电膜是从电容元件的一方的电极延伸而成的，所以基本不会导致叠层结构及制造工序的复杂化。

在上述的遮光部作为电容元件的方式中，所述上部电容电极及所述下部电容电极，也可以分别由金属膜形成。

在该情况下，电容元件，具有叠层金属膜—电介质膜(绝缘膜)—金属膜的所谓MIM(Metal-Insulator-Metal，金属绝缘体金属)结构。根据这样的电容元件，根据供给于一对上部及下部电容电极的各种信号，能够降低该一对电容电极所消耗的消耗电力。而且，与通过半导体膜形成一对电容电极的任一方的情况相比，可以提高该一方的电极的导电率，进一步提高电容元件的作为保持电容的性能。

本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明的电光装置(但是，也包括其各种方式)。

根据本发明的电子设备，因为具备上述的本发明的电光装置，所以能够实现可以进行明亮高质量的图像显示的投影型显示装置、电视机、便携电话机、电子笔记本、文字处理器、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、可视电话机、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。并且，作为本发明的电子设备，也可以实现例如电子纸等的电泳装置、电子发射装置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter Display，场致发射显示器及传导电子发射显示器)，采用了这些电泳装置、电子发射装置的显示装置。

本发明的作用及其他优点可根据以下进行说明的用于进行实施的最佳方式加以明确。

附图说明

图1是表示第1实施方式中的液晶装置的整体构成的俯视图。

图2是图1的H-H’线剖面图。

图3是第1实施方式中的液晶装置的多个像素部的等效电路图。

图4是第1实施方式中的多个像素部(下层部分)的俯视图。

图5是第1实施方式中的多个像素部(上层部分)的俯视图。

图6是使图4及图5相重叠的情况下的A-A’线剖面图。

图7是表示第1实施方式中的伸出部分的俯视图。

图8是第2实施方式中的多个像素部(下层部分)的俯视图。

图9是第2实施方式中的多个像素部(上层部分)的俯视图。

图10是使图8及图9相重叠的情况下的B-B’剖面图。

图11是第3实施方式中的多个像素部(下层部分)的俯视图。

图12是第3实施方式中的多个像素部(上层部分)的俯视图。

图13是使图11及图12相重叠的情况下的C-C’剖面图。

图14是表示作为应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的构成的俯视图。

符号说明

6a...数据线，9a...像素电极，10...TFT阵列基板，10a...图像显示区域，11...扫描线，11t...伸出部分，20...对向基板，21...对向电极，30...TFT，41、42、43、44...层间绝缘膜，50...液晶层，81、82、83、84、85、86...接触孔，101...数据线驱动电路，104...扫描线驱动电路

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下的实施方式中，取本发明的电光装置之一例即驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

第1实施方式

关于第1实施方式中的液晶装置，参照图1～图7进行说明。

首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体构成，参照图1及图2进行说明。在此，图1是表示本实施方式中的液晶装置的整体构成的俯视图；图2，是图1的H-H’线剖面图。

在图1及图2中，在本实施方式中的液晶装置中，相对配置有TFT阵列基板10与对向基板20。TFT阵列基板10是例如石英基板、玻璃基板、硅基板等的透明基板。对向基板20与TFT阵列基板10同样也是透明基板。在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入有液晶层50。TFT阵列基板10与对向基板20，通过设置于位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封件52相互粘接。

在图1中，在对向基板20侧，与配置有密封件52的密封区域的内侧并行，设置有对图像显示区域10a的框缘区域进行限定的遮光性的框缘遮光膜53。在周边区域之中的位于配置有密封件52的密封区域的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。相比沿该一边的密封区域在内侧，由框缘遮光膜53覆盖地设置有采样电路7。在沿与该一边相邻的2边的密封区域内侧，由框缘遮光膜53覆盖地设置有扫描线驱动电路104。并且，在TFT阵列基板10上，在相对于对向基板20的4个角部的区域，配置有用于以上下导通材料107对两基板间进行连接的上下导通端子106。由此，能够在TFT阵列基板10与对向基板20间取得电导通。

在TFT阵列基板10上，形成有用于对外部电路连接端子102，与数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等进行电连接的引绕布线90。

在图2中，在TFT阵列基板10上，形成有装入有像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的叠层结构。在图像显示区域10a中，在像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的上层，以矩阵状设置有由ITO等的透明材料构成的像素电极9a。在像素电极9a上，形成有实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。另一方面，在对向基板20中的与TFT阵列基板10的对向面上，形成有遮光膜23。遮光膜23，由例如遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内，图形化为例如栅格状等。在遮光膜23上，与多个像素电极9a相对地整面状地形成有由ITO等的透明材料构成的对向电极21。在对向电极21上，形成有实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。液晶层50，例如由一种或混合了多种类型的向列液晶的液晶构成，在这一对取向膜间，取预定的取向状态。

还有，在本实施方式中，以相对于图像显示区域10a中的液晶层50从对向基板20所入射的光，从TFT阵列基板10侧作为显示光出射为前提。

还有，虽然在此并未图示，但是在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，也可以形成用于对制造过程中、出厂时的该液晶装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路，检查用图形等。

接下来，关于本实施方式中的液晶装置的像素部的电构成，参照图3进行说明。在此，图3是构成本实施方式中的液晶装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。

在图3中，在构成图像显示区域10a的形成为矩阵状的多个像素的每一方中，形成有像素电极9a及作为本发明中的“晶体管”之一例的TFT30。TFT30，电连接于像素电极9a，当液晶装置工作时对像素电极9a进行开关控制。供给图像信号的数据线6a，电连接于TFT30的源。写入于数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn，既可以按该顺序线依次地进行供给，也可以相对于相邻的多条数据线6a彼此之间，按每组进行供给。

在TFT30的栅电连接有扫描线11，本实施方式中的液晶装置构成为，以预定的定时，将扫描信号G1、G2、...、Gm按该顺序以线依次脉冲性地对扫描线11进行施加。像素电极9a，电连接于TFT30的漏，通过使作为开关元件的TFT30仅闭合其开关一定期间，从而以预定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn。通过像素电极9a将写入于构成液晶层50(参照图2)的液晶的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在其与形成于对向基板20的对向电极之间保持一定期间。

构成液晶层50的液晶由于施加的电平分子集合的取向、秩序发生变化，从而对光进行调制，并可以进行灰度等级显示。如果是常白模式，则相应于以各像素的单位所施加的电压相对于入射光的透射率减小，如果是常黑模式，则相应于以各像素的单位所施加的电压相对于入射光的透射率增加，作为整体从液晶装置出射具有相应于图像信号的对比度的光。

在此，为了防止所保持的图像信号发生泄漏，与形成于像素电极9a与对向电极21(参照图2)之间的液晶保持电容并联地附加有存储电容70。存储电容70，是作为根据图像信号的供给暂时保持各像素电极9a的电位的保持电容而起作用的电容元件。存储电容70的一方的电极，与像素电极9a并联而电连接于TFT30的漏，另一方的电极，为了成为定电位而连接于电位固定的电容线300。根据存储电容70，提高像素电极9a中的电位保持特性，并可以提高对比度提高、闪烁减少这样的显示特性。还有，存储电容70，如后述地，也作为遮挡向TFT30入射的光的内置遮光膜而起作用。

接下来，关于实现上述的工作的像素部的具体的构成，参照图4～图7进行说明。在此，图4及图5是本实施方式中的多个像素部的俯视图。图4及图5，分别分开图示后述的叠层结构之中的下层部分(图4)与上层部分(图5)。图6是使图4及图5相重叠的情况下的A-A’剖面图。图7是表示从扫描线的一部分延伸设置的伸出部分的俯视图。

还有，在图6中，为了使各层、各构件在附图上成为可以辨认的程度的大小，按各层、各构件使比例尺不相同。并且，在图5及图6中，为了说明的方便，省略相比像素电极9a位于上侧的部分的图示。

在图5中，在TFT阵列基板10上，矩阵状地设置多个像素电极9a(通过虚线表示其轮廓)。

如图4及图5所示，分别沿像素电极9a的纵向横向的边界而设置有数据线6a(即，数据线6a1及6a2)及扫描线11。即，扫描线11，沿X方向延伸，数据线6a与扫描线11相交叉地沿Y方向延伸。在扫描线11及数据线6a的相交叉的交叉区域中，分别设置有TFT30(参照图4)。

在TFT阵列基板10上俯视可见，扫描线11、数据线6a、存储电容70、中继层91及92以及TFT30被配置于包围对应于像素电极9a的各像素的开口区域(即，在各像素中，实际有助于显示的光透射或被反射的区域)的非开口区域内。即，为了不妨碍显示，并不将这些扫描线11、存储电容70、数据线6a、中继层91及92以及TFT30，配置于各像素的开口区域，而将它们配置于非开口区域内。还有，扫描线11、存储电容70、及数据线6a，分别对非开口区域的一部分进行限定。

如图6所示，在TFT阵列基板10上，呈叠层结构而设置有扫描线11、TFT30、存储电容70、数据线6a1及6a2、像素电极9a等的各种构成要素。该叠层结构，从下起按顺序，包括：包括扫描线11的第1层、包括具有栅电极3的TFT30等的第2层、包括存储电容70的第3层、包括数据线6a1等的第4层、包括数据线6a2等的第5层、包括像素电极9a等的第6层(最上层)。并且，在第1层及第2层间、第2层及第3层间、第3层及第4层间、第4层及第5层间、第5层及第6层间，分别设置基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、第3层间绝缘膜43、第4层间绝缘膜44，以防止上述的各要素间发生短路。并且，在这些各种绝缘膜12、41、42、43及44上，形成有例如对TFT30的半导体层1a中的数据线侧源漏区域1d与数据线6a进行电连接的接触孔81等。以下，关于这些各要素，从下起按顺序进行说明。还有，上述的叠层结构之中从第1层到第1层间绝缘膜，作为下层部分由图4图示，从第3层到第6层作为上层部分由图5图示。

(第1层的构成—扫描线11等—)

在图6中，作为第1层，设置有扫描线11。扫描线11，例如由钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等的高熔点金属材料等的遮光性的导电材料构成。还有，扫描线11，构成本发明中的“遮光部”之一例。

如图4所示，扫描线11a，沿X方向图形化为条带状。

如图4还有图7所示，若进一步详细来看，扫描线11，具备：沿X方向延伸的主线部分11x，和从该主线部分11x沿Y方向重叠于数据线6a地延伸设置的延设部分11y。相邻的扫描线11的延设部分11y相互并不连接，从而，该扫描线11成为1条1条割裂的形状。扫描线11，作为对TFT30的半导体层1a(尤其是，沟道区域1a’及其周边)防止从TFT阵列基板10侧入射于装置的返回光进行遮光的下侧遮光膜而起作用。

在此，在本实施方式中尤其是，设置有伸出部分11t。伸出部分11t，从扫描线11的主线部分11x及延设部分11y延伸设置而成，在扫描线11及数据线6a互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出地形成。因而，与假设并不存在伸出部分11t的情况相比，能够通过作为下侧遮光膜的主线部分11x及延设部分11y还有伸出部分11t有效地对入射于TFT30的半导体层1a的返回光进行遮光。由此，能够提高相对于TFT30的遮光性，能够更可靠地降低例如TFT30中产生的光泄漏电流。

进而，在本实施方式中尤其是，伸出部分11t，形成于各像素的开口区域的四角的各个角部。换言之，在设置于交叉区域的每个半导体层1a上，在其周围设置4个伸出部分11t。因而，能够通过伸出部分11t更可靠地对入射于半导体层1a的返回光，进行遮光。

(第2层的构成—TFT30等—)

在图6中，作为第2层，设置TFT30。

如图4及图6所示，TFT30，包括半导体层1a及栅电极3。

半导体层1a，例如由多晶硅构成，包括：具有沿Y方向的沟道长的沟道区域1a’、数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c、以及数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e构成。即，TFT30具有LDD结构。

数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e，以沟道区域1a’为基准，沿Y方向基本镜面对称地形成。数据线侧LDD区域1b，形成于沟道区域1a’及数据线侧源漏区域1d间。像素电极侧LDD区域1c，形成于沟道区域1a’及像素电极侧源漏区域1e间。数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c、数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e，是通过例如离子注入法等的杂质注入在半导体层1a中注入杂质的杂质区域。数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c，分别作为杂质比数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e少的低浓度的杂质区域而形成。根据这样的杂质区域，当TFT30不工作时，能够减少流动于源区域及漏区域的截止电流，并且抑制在TFT30工作时流动的导通电流的降低及截止漏电流的升高。还有，TFT30，虽然优选具有LDD结构，但是既可以是不对数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c进行杂质注入的偏置结构，也可以是以栅电极为掩模高浓度地注入杂质而形成数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的自对准型。

扫描线11及半导体层1a间，通过基底绝缘膜12而绝缘。基底绝缘膜12，除了从扫描线11对半导体层1a进行绝缘的功能之外，还由于其形成于TFT阵列基板10的整个面，而具有防止因TFT阵列基板10的表面抛光时的粗糙、清洗后残留的污渍等而使像素开关用的TFT30的特性劣化的功能。

如图4及图6所示，栅电极3，相比半导体层1a隔着绝缘膜2a及2b配置于上层侧。即TFT30，作为顶栅型的TFT形成。栅电极3，由例如W、Ti、TiN等的高熔点金属材料等的遮光性的导电材料构成。还有，栅电极3，也可以由例如导电性多晶硅形成。

如图4所示，栅电极3，具有：与TFT30的沟道区域1a’重叠的主体部分3a，和从该主体部分3a沿Y方向延伸设置的延设部分31。栅电极3，通过贯通栅绝缘膜2b及基底绝缘膜12而开孔的接触孔82，与扫描线11互相电连接。

接触孔82，在半导体层1a的两侧每侧一个、作为沿Y方向的壁状的遮光体而形成。因而，能够对相对于半导体层1a从两侧倾斜入射的光进行遮光。从而，能够提高相对于TFT30的遮光性，例如能够更可靠地降低TFT30中的光泄漏电流。

还有，虽然在本实施方式中，分别分离形成各TFT30的栅电极3，但是也可以例如，互相连接地形成对应于同一扫描线11的TFT30(即，沿X方向互相相邻的TFT30)的栅电极3。换言之，也可以作为包括对应于同一扫描线11的TFT30的栅电极3的、相对于半导体层1a配置于与扫描线11相反侧的层的其他扫描线而形成。在该情况下，能够作为双重布线构成扫描线，能够对栅电极3更可靠地供给扫描信号。

(第3层的构成—存储电容70等—)

在图6中，作为第3层设置有存储电容70。存储电容70，隔着第1层间绝缘膜41相比TFT30设置于上层侧。

存储电容70，通过上部电容电极300a与下部电容电极71隔着电介质膜75相对配置而形成。下部电容电极71、电介质膜75及上部电容电极300a，从下层侧按该顺序叠层。还有，下部电容电极71，为本发明中的“第1导电膜”之一例，上部电容电极300a，为本发明中的“第2导电膜”之一例。

如图5及图6所示，上部电容电极300a，作为电容线300的一部分而形成。电容线300，从配置有像素电极9a的像素显示区域10a延伸设置于其周围。上部电容电极300a，是通过电容线300电连接于定电位电源、维持于固定电位的固定电位侧电容电极。上部电容电极300a，由包括例如Al(铝)、Ag(银)等的金属或合金的不透明的金属膜形成，也作为对TFT30进行遮光的上侧遮光膜(内置遮光膜)而起作用。还有，上部电容电极300a，也可以由包括例如Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(钯)等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们进行了叠层的材料等构成。

下部电容电极71，是电连接于TFT30的像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a的像素电位侧电容电极。更加具体而言，下部电容电极71，通过接触孔83(参照图4)与像素电极侧源漏区域1e电连接，并且通过开孔于第2层间绝缘膜42的接触孔84，电连接于与后述的数据线6a1同层(即，第4层)配置的中继层91。进而，中继层91，通过开孔于第3层间绝缘膜43的接触孔85电连接于与后述的数据线6a2同层(即，第5层)配置的中继层92。进而，中继层92，通过开孔于第4层间绝缘膜44的接触孔86电连接于像素电极9a。即，下部电容电极71，与中继层91及92一起对像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a间的电连接进行中继。下部电容电极71，由导电性的多晶硅形成。因而，存储电容70，具有所谓MIS结构。还有，下部电容电极71，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有作为配置于作为上侧遮光膜的上部电容电极300a与TFT30之间的光吸收层或者遮光膜的功能。

电介质膜75，具有由例如HTO(High Temperature Oxide，高温氧化物)膜、LTO(Low Temperature Oxide，低温氧化物)膜等的氧化硅膜或氮化硅膜或氧化铝、氧化铪等的具有绝缘性的金属氧化物等所构成的单层结构、或者多层结构。

还有，也可以与上部电容电极300a同样地由金属膜形成下部电容电极71。即，也可以以具有具有金属膜-电介质膜(绝缘膜)-金属膜的3层结构的、所谓MIM结构的方式形成存储电容70。

如图5所示，存储电容70，具有在扫描线11及数据线6a互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出的伸出部分70t。换言之，作为上侧遮光膜而起作用的上部电容电极300a及下部电容电极71，分别在扫描线11及数据线6a互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出地形成。伸出部分70t，基本重叠于参照图4及图7进行了说明的上述伸出部分11t并且对非开口区域的一部分进行限定地形成。因而，与假设并不存在伸出部分70t的情况相比，通过伸出部分70t能够有效地对从上层侧入射于TFT30的半导体层1a的光进行遮光。由此，能够提高相对于TFT30的遮光性，能够更可靠地减少TFT30中产生的光泄漏电流。

(第4层的构成—数据线6a1等—)

在图6中，作为第4层设置有数据线6a1。并且，在第4层中，中继层91，与数据线6a1由同一张膜形成。在此，所谓同一张膜，意味着使由同样的导电材料构成的薄膜同时图形化。

如图5及图6所示，数据线6a1，通过贯通第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、栅绝缘膜2a及2b的接触孔81(参照图4)电连接于半导体层1a的数据线侧源漏区域1d。数据线6a1及接触孔81内部，由例如Ai-Si-Cu、Ai-Cu等的含Al(铝)材料，或Al单质，或Al层与TiN层等的多层膜构成。数据线6a1，也具有对TFT30进行遮光的功能。

中继层91，在第2层间绝缘膜42上与数据线6a1形成于同层。数据线6a1及中继层91，以在第2层间绝缘膜42上采用薄膜形成法预先形成以例如金属膜等的导电材料所构成的薄膜，通过局部除掉该薄膜、即进行图形化而使这两者以相互离开的状态形成。从而，因为能够以同一工序形成数据线6a1及中继层91，所以能够使装置的制造工序简单。

在此，在本实施方式中尤其是，对下部电容电极71与中继层91进行电连接的接触孔84，以在TFT阵列基板10上俯视可见其与伸出部分11t及70t重叠的方式配置。即，在第2层间绝缘膜42上，在从TFT阵列基板10上俯视可见与伸出部分11t重叠的位置上开孔有接触孔84。因而，非开口区域之中、在作为用于提高相对于TFT30的遮光性的遮光区域而形成伸出部分11t的区域，配置有接触孔84。从而，能够防止仅为了接触孔84的配置而不必要地扩大非开口区域之中沿数据线6a延伸的区域的宽度d1或者沿扫描线11延伸的区域的宽度d2、不必要地另行扩大非开口区域的一部分，可以更大地确保各像素中的开口区域的尺寸。即，可以使开口率提高。

另外，由于与伸出部分11t重叠地配置接触孔84，能够通过接触孔84(即，通过中继层91中的形成于接触孔84内的部分)更可靠对相对于半导体层1a、从其上层侧倾斜地入射的光进行遮光。

(第5层的构成—数据线6a2等—)

在图6中，作为第5层设置有数据线6a2。并且，在第5层中，中继层92，与数据线6a2由同一张膜形成。

如图5所示，数据线6a2，沿数据线6a1(即沿Y方向)延伸而形成，通过开孔于第3层间绝缘膜43接触孔(图示省略)与数据线6a1电连接。即，数据线6a，作为由数据线6a1及6a2构成的双重布线构成。数据线6a2，由例如Ai-Si-Cu、Ai-Cu等的含Al(铝)材料，或Al单质，或Al层与TiN层等的多层膜构成。数据线6a2，也具有对TFT30进行遮光的功能。

中继层92，在第3层间绝缘膜43上与数据线6a2形成于同层。

还有，对中继层91与中继层92进行电连接的接触孔85与对下部电容电极71与中继层91进行电连接的接触孔84，也可以在TFT阵列基板10上俯视位置互相交替地配置。在该情况下，也能够防止仅为了接触孔84及85的配置而不必要地扩大非开口区域的情况。

还有，虽然在本实施方式中，第5层布线，作为第2层的数据线6a2而构成，但是也可以作为供给固定电位、数据线6a1与像素电极9a之间的屏蔽层而构成(换言之，也可以代替数据线6a2将供给固定电位的固定电位线形成于第5层，并使该固定电位线，作为降低或者防止数据线6a1与像素电极9a之间的电磁干扰的电磁屏蔽膜而起作用。并且，也可以如后述的第2实施方式那样，供给电容电位，与上部电容电极300a电连接。在该情况下，电容线作为双重布线而构成。

(第6层的构成—像素电极9a等—)

在图6中，作为第6层设置有像素电极9a。像素电极9a，隔着第4层间绝缘膜44相比数据线6a2形成于上层侧。

如图5及图6所示，像素电极9a，通过下部电容电极71、接触孔83、84、85及86、以及中继层91及92与半导体层1a的像素电极侧源漏区域1e电连接。在像素电极9a的上侧表面，设置有实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。

上述的像素部的构成，如图5及图6所示，在各像素部共通。在图像显示区域10a(参照图1)，周期性地形成该像素部。

如进行了以上说明地，根据本实施方式中的液晶装置，能够提高相对于TFT30的遮光性并使开口率提高，最终能够显示明亮、高质量的图像。

第2实施方式

接下来，关于第2实施方式中的液晶装置，参照图8～图10进行说明。在此，图8及图9是本实施方式中的多个像素部的俯视图。图8及图9，分别分开图示后述的叠层结构之中的下层部分(图8)与上层部分(图9)。图10是使图8及图9相重叠的情况下的B-B’剖面图。

还有，在图10中，为了使各层、各构件在附图上成为可以辨认的程度的大小，按每个该各层、各构件使比例尺不相同。并且，在图9及图10中，为了说明的方便，省略相比像素电极9a位于上侧的部分的图示。

还有，在图8～图10中，在与图1～图7所示的第1实施方式中的构成要素同样的构成要素附加相同的符号，适当省略对它们的说明。

在图8～图10中，第2实施方式中的液晶装置，在分别代替上述的第1实施方式中的数据线6a、存储电容70及电容线300而具备数据线6b、存储电容70b及电容线320这一点上，与上述的第1实施方式中的液晶装置不相同，有关其它各点，与上述的第1实施方式中的液晶装置基本同样地构成。

如图8及图9所示，分别沿像素电极9a的纵向横向的边界设置有数据线6b及扫描线11。在扫描线11及数据线6b互相交叉的各个交叉区域的设置有TFT30。

从TFT阵列基板10上俯视，扫描线11、数据线6b、存储电容70b、中继层91b、92b及93以及TFT30，配置于与像素电极9a相对应的各像素的包围开口区域的非开口区域内。还有，扫描线11、存储电容70b及数据线6b，分别对非开口区域的一部分进行限定。

如图10所示，在TFT阵列基板10上，呈现叠层结构设置有扫描线11、TFT30、存储电容70b、数据线6b、像素电极9a等的各种构成要素。该叠层结构，从下起按顺序，包括：包括扫描线11的第1层、包括具有栅电极3的TFT30等的第2层、包括存储电容70b的第3层、包括数据线6b等的第4层、包括电容线320等的第5层、包括像素电极9a等的第6层构成。以下，关于这些各要素，从下起按顺序进行说明。还有，上述的叠层结构之中从第1层到第1层间绝缘膜41，作为下层部分由图8图示，从第3层到第6层作为上层部分由图9图示。

(第1层的构成—扫描线11等—)

在图10中，作为第1层，设置有扫描线11。扫描线11，与上述的第1实施方式构成相同，具备：沿X方向地延伸的主线部分11x，和从该主线部分11x沿Y方向重叠于数据线6a地延伸设置的延设部分11y。

在本实施方式中，与上述的第1实施方式同样地，设置有伸出部分11t。因而，与假设并不存在伸出部分11t的情况相比，能够通过伸出部分11t有效地对入射于TFT30的半导体层1a的返回光进行遮光。

(第2层的构成—TFT30等—)

在图10中，作为第2层，设置有TFT30。TFT30，与上述的第1实施方式构成相同，包括半导体层1a及栅电极3。

(第3层的构成—存储电容70b等—)

在图10中，作为第3层设置有存储电容70b。存储电容70b，隔着第1层间绝缘膜41相比TFT30设置于上层侧。

存储电容70b，是由隔着电介质膜75相对配置上部电容电极300b与下部电容电极71b而形成的。下部电容电极71b、电介质膜75及上部电容电极300b，从下层侧起按该顺序叠层。

如图9及图10所示，上部电容电极300b，在每个TFT30中，以覆盖半导体层1a的沟道区域1a’及其周边的方式形成为岛状。作为电容线300的一部分所形成。上部电容电极300b，是通过后述的电容线300与定电位电源电连接、维持为固定电位的固定电位侧电容电极。更加具体而言，上部电容电极300b，通过开孔于第2层间绝缘膜42的接触孔87，电连接于与后述的数据线6b同层(即，第4层)配置的中继层93。进而，中继层93，通过开孔于第3层间绝缘膜43的接触孔88电连接于电容线320。即，中继层93，对上部电容电极300b及电容线320间的电连接进行中继。上部电容电极300b，由包括例如Al、Ag等的金属或合金的非透明的金属膜形成，也作为对TFT30进行遮光的上侧遮光膜而起作用。还有，上部电容电极300b及中继层93，分别构成本发明中的“第1导电膜”及“第2导电膜”之一例，并且中继层93及电容线320，分别构成本发明中的“第1导电膜”及“第2导电膜”之一例。

下部电容电极71b，是电连接于TFT30的像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a的像素电位侧电容电极。更加具体而言，下部电容电极71b，通过接触孔83b电连接于像素电极侧源漏区域1e，并且通过开孔于第2层间绝缘膜42的接触孔84b，电连接于与后述的数据线6b同层(即，第4层)配置的中继层91b。进而，中继层91b，通过开孔于第3层间绝缘膜43的接触孔85b电连接于与电容线320同层(即，第5层)配置的中继层92b。进而，中继层92b，通过开孔于第4层间绝缘膜44的接触孔86b电连接于像素电极9a。即，下部电容电极71b，与中继层91b及92b一起对像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a间的电连接进行中继。下部电容电极71，由导电性的多晶硅形成。因而，存储电容70b，具有所谓MIS结构。

如图9所示，在本实施方式中尤其是，存储电容70b，具有在扫描线11及数据线6b互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出的伸出部分70bt。换言之，作为上侧遮光膜而起作用的上部电容电极300b及下部电容电极71b，分别以在扫描线11及数据线6b互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出的方式形成。伸出部分70bt，以基本重叠于伸出部分11t(参照图8或者图7)并且对非开口区域的一部分进行限定的方式形成。因而，与假设并不存在伸出部分70bt的情况相比，能够通过伸出部分70bt有效地对从上层侧入射于TFT30的半导体层1a的光进行遮光。由此，能够提高相对于TFT30的遮光性，能够更可靠地减少例如TFT30中产生的光泄漏电流。

进而，在本实施方式中尤其是，伸出部分70bt，分别形成于各像素的开口区域的四角。换言之，在设置于交叉区域的每个半导体层1a中，在其周围设置4个伸出部分70bt。因而，能够通过伸出部分70bt更可靠地对从上层侧入射于半导体层1a的光进行遮光。

(第4层的构成—数据线6b等—)

在图10中，作为第4层设置有数据线6b。并且，在第4层中，中继层93及91b，分别与数据线6b由同样的膜形成。

如图9及图10所示，数据线6b，通过贯通第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、栅绝缘膜2a及2b的接触孔81b电连接于半导体层1a的数据线侧源漏区域1d。数据线6b及接触孔81b内部，由例如Ai-Si-Cu、Ai-Cu等的含Al材料，或Al单质，或Al层与TiN层等的多层膜构成。数据线6b，也具有对TFT30进行遮光的功能。

中继层91b及93，在第2层间绝缘膜42上分别与数据线6b形成于同层。

在此，在本实施方式中尤其是，从TFT阵列基板10上俯视，对上部电容电极300b与中继层93进行电连接的接触孔87，与伸出部分11t及70bt重叠地配置。即，在第2层间绝缘膜42上，在从TFT阵列基板10上俯视与伸出部分11t及70bt重叠的位置开孔有接触孔87。因而，在通过数据线6b、扫描线11及存储电容70b所限定的非开口区域之中的在作为用于更可靠地降低TFT30的光泄漏电流的遮光区域而形成伸出部分11t及70bt的区域，配置有接触孔87。从而，能够防止仅为了接触孔87的配置而不必要地扩大非开口区域之中沿数据线6b延伸的区域的宽度d1或者沿扫描线11延伸的区域的宽度d2、不必另行扩大非开口区域的一部分，可以确保各像素中的开口区域的尺寸更大。

另外，由于与伸出部分11t及70bt重叠地配置接触孔87，能够通过接触孔87(即，通过中继层93之中的形成于接触孔87内的部分)更可靠地对相对于半导体层1a、从其上层侧倾斜地入射的光进行遮光。

(第5层的构成—电容线320等—)

在图10中，作为第5层设置有电容线320。并且，在第5层中，中继层92b，与电容线320由同样的膜形成。

如图9所示，电容线320，具有沿数据线6b(即沿Y方向)延伸的主线部分与从该主线部分沿X方向延伸设置的延设部分320x。电容线320，在延设部分320x，通过接触孔88与中继层93电连接。即，数据线6a，作为由数据线6a1及6a2构成的双重布线所构成。电容线320，由例如Ai-Si-Cu、Ai-Cu等的含Al材料，或Al单质，或Al层与TiN层等的多层膜构成。电容线320，也具有对TFT30进行遮光的功能。

在此，在本实施方式中尤其是，以从TFT阵列基板10上俯视，其与伸出部分11t及70bt重叠的方式配置有对电容线320与中继层93进行电连接的接触孔88。即，在第3层间绝缘膜43上，在从TFT阵列基板10上俯视与伸出部分11t及70bt重叠的位置开孔有接触孔88。因而，通过数据线6b、扫描线11及存储电容70b所限定的非开口区域之中的作为用于更可靠地降低TFT30的光泄漏电流的遮光区域而形成伸出部分11t及70bt的区域中，配置有接触孔88。从而，能够防止仅为了接触孔88的配置而不必要地扩大非开口区域之中沿数据线6b延伸的区域的宽度d1或者沿扫描线11延伸的区域的宽度d2、不必另行扩大非开口区域的一部分，可以确保各像素中的开口区域的尺寸更大。

另外，由于与伸出部分11t及70bt重叠地配置接触孔88，能够通过接触孔88(即，通过电容线320之中的形成于接触孔88内的部分)更可靠地对相对于半导体层1a、从其上层侧倾斜地入射的光进行遮光。

中继层92b，在第3层间绝缘膜43上与电容线320形成于同层。

(第6层的构成—像素电极9a等—)

在图10中，作为第6层设置有像素电极9a。像素电极9a，隔着第4层间绝缘膜44相比电容线320形成于上层侧。

如图9及图10所示，像素电极9a，通过下部电容电极71b、接触孔83b、84b、85b及86b、以及中继层91b及92b电连接于半导体层1a的像素电极侧源漏区域1e。

如上所述，根据本实施方式中的液晶装置，能够提高相对于TFT30的遮光性并使开口率提高，最终能够显示明亮、高质量的图像。

第3实施方式

接下来，关于第3实施方式中的液晶装置，参照图11～图13进行说明。在此，图11及图12是本实施方式中的多个像素部的俯视图。图11及图12，分别分开图示在后述的叠层结构之中的下层部分(图11)与上层部分(图12)。图13，是使图11及图12相重叠的情况下的C-C’剖面图。

还有，在图13中，为了使各层、各构件在附图上成为可以辨认的程度的大小，按该各层、各构件使比例尺不相同。并且，在图12及图13中，为了说明的方便，省略相比像素电极9a位于上侧的部分的图示。

还有，在图11～图13中，对与图1～图7所示的第1实施方式中的构成要素同样的构成要素附加相同的符号，适当省略对它们的说明。

在图11～图13中，第3实施方式中的液晶装置，在分别代替上述的第1实施方式中的TFT30、数据线6a及存储电容70而具备TFT30c、数据线6c及存储电容70c这一点上，与上述的第1实施方式中的液晶装置不同，关于其他各点，与上述的第1实施方式中的液晶装置基本同样地构成。

如图11所示，分别沿像素电极9a的纵向横向的边界而设置有数据线6c及扫描线11。即，扫描线11沿X方向延伸，数据线6c，与扫描线11相交叉地沿Y方向延伸。在各个扫描线11及数据线6c互相交叉的交叉区域，分别设置有具有半导体层4a的TFT30c。

如图11及图12所示，从TFT阵列基板10上俯视，扫描线11、数据线6c、存储电容70c、中继层94以及TFT30c配置于与像素电极9a相对应的各像素的包围开口区域的非开口区域内。还有，扫描线11、存储电容70c及数据线6c，分别对非开口区域的一部分进行限定。

如示于图13地，在TFT阵列基板10上，呈现叠层结构设置有扫描线11、TFT30c、存储电容70c、数据线6c、像素电极9a等的各种构成要素。该叠层结构，从下起按顺序，包括：包括扫描线11的第1层、包括具有栅电极3的TFT30c等的第2层、包括数据线6c等的第3层、包括存储电容70c等的第4层、包括像素电极9a等的第5层(最上层)。并且，在第1层及第2层间、第2层及第3层间、第3层及第4层间、第4层及第5层间，分别设置有基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、第3层间绝缘膜43，防止上述的各要素间发生短路。并且，在这些各种绝缘膜12、41、42及43上，形成有例如对TFT30c的半导体层4a中的数据线侧源漏区域4d与数据线6c进行电连接的接触孔81c等。以下，关于这些各要素，从下起按顺序进行说明。还有，上述的叠层结构之中的从第1层到第3层，作为下层部分图示于图12，从第2层间绝缘膜42到第6层作为上层部分图示于图13。

(第1层的构成—扫描线11等—)

在图13中，作为第1层，设置有扫描线11。扫描线11，与上述的第1实施方式构成相同，具备：沿X方向地延伸的主线部分11x，和从该主线部分11x沿Y方向重叠于数据线6c地延伸设置的延设部分11y。

在本实施方式中，与上述的第1实施方式同样地，设置有伸出部分11t。因而，与假设并不存在伸出部分11t的情况相比，通过伸出部分11t能够有效地对入射于TFT30c的半导体层4a的返回光进行遮光。

(第2层的构成—TFT30c等—)

在图13中，作为第2层，设置有TFT30c。

如图11及图13所示，TFT30c，包括半导体层4a及栅电极3c。

半导体层4a，例如由多晶硅构成，包括：具有沿Y方向的沟道长的沟道区域4a’、数据线侧LDD区域4b及像素电极侧LDD区域4c、以及数据线侧源漏区域4d及像素电极侧源漏区域4e。即，TFT30c具有LDD结构。

数据线侧源漏区域4d及像素电极侧源漏区域4e，以沟道区域4a’为基准，沿X方向基本镜面对称地形成。数据线侧LDD区域4b，形成于沟道区域4a’及数据线侧源漏区域4d间。像素电极侧LDD区域4c，形成于沟道区域4a’及像素电极侧源漏区域4e间。数据线侧LDD区域4b、像素电极侧LDD区域4c、数据线侧源漏区域4d及像素电极侧源漏区域4e，是通过例如离子注入法等的杂质注入在半导体层4a中注入杂质而成的杂质区域。数据线侧LDD区域4b及像素电极侧LDD区域4c，分别作为杂质比数据线侧源漏区域4d及像素电极侧源漏区域4e少的低浓度的杂质区域而形成。根据这样的杂质区域，当TFT30c不工作时，能够减少流动于源区域及漏区域的截止电流，并当抑制TFT30c工作时流动的导通电流的降低及截止漏电流的升高。

扫描线11及半导体层4a间，通过基底绝缘膜12而绝缘。

如图11及图13所示，栅电极3c，隔着绝缘膜2a相比半导体层4a配置于上层侧。即TFT30c，作为顶栅型的TFT形成。栅电极3c，由例如W、Ti、TiN等的高熔点金属材料等的遮光性的导电材料构成。还有，栅电极3c，也可以由例如导电性多晶硅形成。

如图11所示，栅电极3c，具有：重叠于TFT30c的沟道区域4a’的主体部分3ca，和从该主体部分3ca沿X方向延伸设置的延设部分32。栅电极3c，通过开孔于基底绝缘膜12的接触孔82c，与扫描线11互相电连接。

接触孔82c，在半导体层4a的两侧每侧一个、作为沿X方向的壁状的遮光体形成。因而，能够对相对于半导体层4a从两侧倾斜地入射的光进行遮光。从而，能够更可靠地降低TFT30c中的光泄漏电流。

还有，虽然在本实施方式中，分别分离形成各TFT30c的栅电极3c，但是也可以例如，互相连接地形成对应于同一扫描线11的TFT30c的栅电极3c。换言之，也可以作为包括与同一扫描线11相对应的TFT30c的栅电极3c的、相对于半导体层4a配置于与扫描线11相反侧的层的其他扫描线而形成。在该情况下，能够作为双重布线构成扫描线，能够对栅电极3c更可靠地供给扫描信号。

(第3层的构成—数据线6c等—)

在图13中，作为第3层设置有数据线6c。并且，在第3层中，中继层94，与数据线6c由同样的膜形成。

如图11及图13所示，数据线6c，具有沿Y方向延伸的主线部分与从该主线部分沿X方向延伸设置的延设部分6cx。数据线6c，在延设部分6cx中，通过贯通第1层间绝缘膜41及栅绝缘膜2a开孔的接触孔81c而电连接于半导体层4a的数据线侧源漏区域4d。数据线6c及接触孔81c内部，由例如Ai-Si-Cu、Ai-Cu等的含Al材料，或Al单质，或Al层与TiN层等的多层膜构成。数据线6c，也具有对TFT30c进行遮光的功能。

中继层94，在第1层间绝缘膜41上与数据线6c形成于同层。中继层94，通过贯通第1层间绝缘膜41及栅绝缘膜2a开孔的接触孔83c而电连接于像素电极侧源漏区域4e，并且通过开孔于第2层间绝缘膜42的接触孔84c(参照图12)而电连接于后述的存储电容70c的下部电容电极71c。进而，下部电容电极71c，通过贯通后述的绝缘膜61及第3层间绝缘膜43开孔的接触孔85c(参照图12)而电连接于像素电极9a。即，中继层94与下部电容电极71b一起，对像素电极侧源漏区域4e及像素电极9a间的电连接进行中继。

还有，中继层94，为本发明中的“第1导电膜”之一例，下部电容电极71，为本发明中的“第2导电膜”之一例。

(第4层的构成—存储电容70c等—)

在图13中，作为第4层设置有存储电容70c。存储电容70c，隔着第2层间绝缘膜42相比数据线6c设置于上层侧。

存储电容70c，通过隔着电介质膜75c相对配置上部电容电极300c与下部电容电极71c而形成。下部电容电极71c、电介质膜75c及上部电容电极300c，从下层侧起按该顺序叠层。

在第2层间绝缘膜42及第3层间绝缘膜43间，设置有绝缘膜61，其局部介于下部电容电极71c及上部电容电极300c间。

如图12及图13所示，上部电容电极300c，作为电容线300的一部分而形成。从配置有像素电极9a的图像显示区域10a在其周围延伸设置有电容线300。上部电容电极300c，是通过电容线300与定电位电源电连接、维持为固定电位的固定电位侧电容电极。上部电容电极300c，由包括例如Al、Ag等的金属或合金的不透明的金属膜形成，也作为对TFT30c进行遮光的上侧遮光膜而起作用。还有，上部电容电极300c，也可以由包括例如Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们进行了叠层的物质等构成。

下部电容电极71c，是电连接于TFT30c的像素电极侧源漏区域4e及像素电极9a的像素电位侧电容电极。更加具体而言，下部电容电极71，通过接触孔84c、中继层94及接触孔83c而电连接于像素电极侧源漏区域4e，并且通过接触孔85c而电连接于像素电极9a。下部电容电极71c，由包括例如Al、Ag等的金属或合金的不透明的金属膜形成，也作为对TFT30c进行遮光的上侧遮光膜而起作用。还有，下部电容电极71c，也可以由包括例如Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们进行了叠层的物质等构成。

因而，存储电容70c，具有所谓MIM结构。从而，相应于供给于上部电容电极300c及下部电容电极71c的各种信号，能够降低上部电容电极300c及下部电容电极71c所消耗的消耗电力。另外，与通过半导体膜形成上部电容电极300c及下部电容电极71c的任一个的情况相比，能够提高该电极中的导电率，使存储电容70c的作为保持电容的性能进一步提高。

电介质膜75c，具有由例如HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜或氮化硅膜或氧化铝、氧化铪等的具有绝缘性的金属氧化物等所构成的单层结构、或者多层结构。

如示于图12地，在本实施方式中尤其是，下部电容电极71c，具有在扫描线11及数据线6a互相交叉的交叉区域中从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出的伸出部分71ct。伸出部分71ct，基本重叠于参照图4及图7进行了说明的伸出部分11t并且对非开口区域的一部分进行限定地形成。因而，与假设并不存在伸出部分71ct的情况相比，通过伸出部分71ct能够有效地对从上层侧入射于TFT30c的半导体层4a的光进行遮光。由此，能够提高相对于TFT30c的遮光性，能够更可靠地减少例如TFT30c中产生的光泄漏电流。

进而，在本实施方式中尤其是，伸出部分71ct，分别形成于各像素的开口区域的四角。换言之，在设置于交叉区域的每个半导体层4a上，在其周围设置有4个伸出部分71ct。因而，能够通过伸出部分71ct更可靠地对从上层侧入射于半导体层4a的光进行遮光。

此外，在本实施方式中尤其是，从TFT阵列基板10上俯视，对下部电容电极71c与中继层94进行电连接的接触孔84c，与伸出部分11t及71ct重叠地配置。即，在第2层间绝缘膜42上，在从TFT阵列基板10上俯视与伸出部分11t及71ct重叠的位置开孔有接触孔84c。因而，在通过数据线6c、扫描线11及存储电容70c所限定的非开口区域之中的作为用于提高相对于TFT30c的遮光性的遮光区域而形成伸出部分11t及71ct的区域中，配置由接触孔84c。从而，能够防止仅为了接触孔84c的配置而不必要地扩大非开口区域之中沿数据线6c延伸的区域的宽度d1或者沿扫描线11延伸的区域的宽度d2、不必另行扩大非开口区域的一部分，可以确保各像素中的开口区域的尺寸更大。即，可以使开口率提高。

另外，由于与伸出部分11t及71ct重叠地配置接触孔84c，通过接触孔84c(即，通过下部电容电极71c之中的形成于接触孔84c内的部分)能够更可靠地对相对于半导体层4a、从其上层侧倾斜地入射的光进行遮光。

(第5层的构成—像素电极9a等—)

在图13中，作为第5层设置有像素电极9a。像素电极9a，隔着第3层间绝缘膜43相比存储电容71c形成于上层侧。

如图12及图13所示，像素电极9a，通过下部电容电极71c、接触孔83c、84c及84c、以及中继层94而电连接于半导体层4a的像素电极侧源漏区域4e。

如上所述，根据本实施方式中的液晶装置，能够提高相对于TFT30c的遮光性并使开口率提高，最终能够显示明亮、高质量的图像。

电子设备

接下来，关于将上述的电光装置即液晶装置应用于各种电子设备的情况，参照图14进行说明。以下，对将该液晶装置用作光阀的投影机进行说明。在此，图14是表示投影机的构成例的俯视图。

如图14所示，在投影机1100内部，设置有由卤素灯等的白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102射出的投影光，通过配置于光导1104内的4片镜体1106及2片分色镜1108被分离成RGB的3原色，入射于作为对应于各原色的光阀的液晶面板1110R、1110B及1110G。

液晶面板1110R、1110B及1110G的构成，与上述的液晶装置相同，由从图像信号处理电路供给的R、G、B的原色信号分别驱动。然后，通过这些液晶面板所调制的光，从3个方向入射于分色棱镜1112。在该分色棱镜1112中，R及B光折射90度，另一方面G光则直线行进。因此，合成各色的图像的结果，通过投影透镜1114，变为投影在屏幕等上的彩色图像。

在此，如果着眼于由各液晶面板1110R、1110B及1110G所产生的显示像，则由液晶面板1110G所产生的显示像，需要相对于由液晶面板1110R、1110B所产生的显示像进行左右翻转。

还有，因为对应于R、G、B的各原色的光通过分色镜1108入射于液晶面板1110R、1110B及1110G，所以不必设置滤色器。

还有，除了参照图14进行了说明的电子设备之外，还可举出可移动型的个人计算机、便携电话机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、可视电话机、POS终端、具备有触摸面板的装置等。而且，不用说当然也可以应用于这些各种的电子设备中。

并且本发明，除了以上述的实施方式进行了说明的液晶装置之外，还可以应用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED，SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)、电泳装置等中。

本发明，并不限于上述的实施方式，在不违反从技术方案及专利说明书整体所获得的发明的要旨或思想的范围可以适当进行改变，伴随这样的改变的电光装置及具备该电光装置的电子设备也包括于本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种电光装置，其特征在于，

在基板上，具备：

数据线，

电连接于该数据线的晶体管，

与该晶体管对应地设置的像素电极，

以覆盖所述晶体管的半导体层的方式设置的遮光部，

以与所述遮光部重叠的方式设置、相比所述像素电极形成于下层侧且相比所述半导体层形成于上层侧的第1导电膜，和

隔着层间绝缘膜相比该第1导电膜形成于上层侧并且通过开孔于所述层间绝缘膜的接触孔与所述第1导电膜电连接的第2导电膜；

所述遮光部，具有伸出于与所述像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分；

所述接触孔，从所述基板上俯视，与所述伸出部分至少局部重叠。

2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

所述伸出部分，形成于所述开口区域的四个角部中的各个角部。

3.按照权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于：

所述第2导电膜，包括金属膜，具有形成于所述接触孔内的部分。

4.按照权利要求1～3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：

所述遮光部，为具有在所述基板上从下层侧依次叠层的下部电容电极及上部电容电极并且所述下部电容电极及所述上部电容电极之中的一方的电极电连接于所述像素电极的电容元件。

5.按照权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于：

所述第1导电膜，作为所述一方的电极而形成并且与所述半导体层电连接；

所述第2导电膜，与所述像素电极电连接。

6.按照权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于：

具备相比所述电容元件及所述第2导电膜形成于上层侧、电连接于所述下部电容电极及所述上部电容电极之中的与所述一方的电极不同的另一方的电极的电容线；

所述第1导电膜，作为所述另一方的电极而形成；

所述第2导电膜，与所述电容线电连接。

7.按照权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于：

所述第2导电膜，作为电连接于所述下部电容电极及所述上部电容电极之中的与所述一方电极不同的另一方的电极的电容线而形成；

所述第1导电膜，与所述另一方的电极电连接。

8.按照权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于：

所述第1导电膜，与所述半导体层电连接；

所述第2导电膜，作为所述一方的电极而形成并且与所述像素电极电连接。

9.按照权利要求3～8中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：

所述上部电容电极及所述下部电容电极，分别由金属膜形成。

10.一种电子设备，其特征在于：

具备如权利要求1～9中的任何一项所述的电光装置。

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