JP2011133603A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学装置100では、第1基板10の第1面10x側に複数の画素100aの各々に反射膜からなる画素電極9aを形成した後、画素電極9aの上層側に複数の画素100aに跨る誘電体多層膜18を増反射膜として形成する。その後、誘電体多層膜18の上層側に平坦化用絶縁膜19を形成し、平坦化用絶縁膜19を表面側から研磨する。このため、平坦化用絶縁膜19の平坦な表面上に第1基板側配向膜16を形成することができる。また、段差15を平坦化用絶縁膜19で埋める場合でも、画素電極9aの上層側に平坦化用絶縁膜19等が存在しない状態で誘電体多層膜18を形成することができる。
【選択図】図3
Description
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の具体的構成を示す説明図であり、図2(a)、(b)は各々、電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図3は、本発明の実施の形態1に係る反射型の電気光学装置100の画素構成を示す説明図であり、図3(a)、(b)は各々、反射型の電気光学装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA−A′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。なお、図3(a)において、データ線6aは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは細い点線で示し、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。
図3(b)に示すように、本形態では、画素電極9aの上層側には複数の画素100aに跨って誘電体多層膜18が形成されており、かかる誘電体多層膜18の上層側には、境界領域9sと画素電極9aの形成領域とによって生じた段差15を埋める平坦化用絶縁膜19が形成されている。
以下、図4および図5を参照して、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を説明しながら、電気光学装置100の構成を詳述する。図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の製造方法において、画素電極9a(反射層)を形成した後、平坦化用絶縁膜19を形成するまでの工程を示す断面図であり、図5は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の製造方法において、平坦化用絶縁膜19を薄手化する工程を示す工程断面図である。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、第1基板10に複数の画素100aの各々に反射膜からなる画素電極9aを形成した後、画素電極9aの上層側に複数の画素100aに跨る誘電体多層膜18を形成する。その後、誘電体多層膜18の上層側に平坦化用絶縁膜19を形成し、しかる後に、平坦化用絶縁膜19を表面側から薄手化する。すなわち、画素電極9aの上層側に平坦化用絶縁膜19等が存在しない状態で誘電体多層膜18を形成し、その後、平坦化用絶縁膜19で段差を埋める。このため、平坦化用絶縁膜19で段差15を埋めて平坦面とする場合でも、画素電極9a上に直接、誘電体多層膜18を形成し、誘電体多層膜18を構成する誘電体層(第1誘電体層181および第2誘電体層182)に対しては研磨等を行なわない。それ故、誘電体多層膜18を構成する誘電体層(第1誘電体層181および第2誘電体層182)の膜厚は、成膜条件で高い精度で制御される。それ故、平坦化用絶縁膜19で段差15を埋めて平坦面上に第1基板側配向膜16を形成した構成を採用した場合でも、増反射膜として適正な膜構成を有する誘電体多層膜18を形成することができる。
(電気光学装置100の構成)
図6は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の断面構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
以下、図4および図7を参照して、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を説明しながら、電気光学装置100の構成を詳述する。図7は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の製造方法において、平坦化用絶縁膜19を薄手化する工程および第1基板側下地膜160の形成工程を示す工程断面図である。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100でも、実施の形態1と同様、第1基板10に複数の画素100aの各々に反射膜からなる画素電極9aを形成した後、画素電極9aの上層側に複数の画素100aに跨る誘電体多層膜18を形成する。その後、誘電体多層膜18の上層側に平坦化用絶縁膜19を形成し、しかる後に、平坦化用絶縁膜19を表面側から薄手化する。すなわち、画素電極9aの上層側に平坦化用絶縁膜19等が存在しない状態で誘電体多層膜18を形成し、その後、平坦化用絶縁膜19で段差15を埋める。このため、平坦化用絶縁膜19で段差15を埋めて平坦面とする場合でも、画素電極9a上に直接、誘電体多層膜18を形成し、誘電体多層膜18を構成する誘電体層(第1誘電体層181および第2誘電体層182)に対しては研磨等を行なわない。それ故、誘電体多層膜18を構成する誘電体層(第1誘電体層181および第2誘電体層182)の膜厚は、成膜条件で高い精度で制御される。それ故、平坦化用絶縁膜19で段差15を埋めて平坦面上に第1基板側配向膜16を形成した構成を採用した場合でも、増反射膜として適正な膜構成を有する誘電体多層膜18を形成することができる。
上記実施の形態では、誘電体多層膜18として、厚さが60〜80nmの二酸化シリコン膜からなる下層側の第1誘電体層181と、厚さが50〜70nmの窒化シリコン膜からなる上層側の第2誘電体層182との2層構造を採用したが、屈折率が低い誘電体膜からなる低屈折率層と、この低屈折率層より屈折率が高い誘電体膜からなる高屈折率層とが交互に積層された構成であれば、上記の誘電体膜以外の誘電膜を利用できる。また、低屈折率層と高屈折率層とが交互に1層ずつ、計2層形成された構成以外にも、低屈折率層と高屈折率層とを1組にして複数組(例えば、2組)が積層された構成を採用してもよい。ここで、低屈折率層と高屈折率層とは、屈折率の相対的な高低に定義されるものであり、その高低に絶対的な数値が存在するものではない。従って、例えば、屈折率が1.7未満のものを低屈折率層とし、屈折率が1.7以上のものを高屈折率層と定義すれば、低屈折率層および高屈折率層としては、以下の材料
低屈折率層
フッ化マグネシウム(MgF2)/屈折率=1.38
二酸化シリコン(SiO2)/屈折率=1.46
フッ化ランタン(LaF3)/屈折率=1.59
酸化アルミニウム(Al2O3)/屈折率=1.62
フッ化セリウム(CeF3)/屈折率=1.63
高屈折率層
酸化インジウム(In2O3)/屈折率=2.00
窒化シリコン(Si3N4)/屈折率=2.05
酸化チタン(TiO2)/屈折率=2.10
酸化ジルコニウム(ZrOF2)/屈折率=2.10
酸化タンタル(Ta2O5)/屈折率=2.10
酸化タングステン(WO3)/屈折率=2.35
硫化亜鉛(ZnS)/屈折率=2.35
酸化セリウム(CeO2)/屈折率=2.42
の単一系や混合系が用いることができる。
本発明に係る反射型の電気光学装置100は、図8(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクター/電子機器)や、図8(b)、(c)に示す携帯用の電子機器に用いることができる。
Claims (11)
- 第1基板と第2基板との間に液晶層が保持された電気光学装置であって、
前記第1基板において前記第2基板と対向する面側に、
複数の画素の各々に設けられた反射膜と、
該反射膜の上層側で複数の画素に跨って設けられた誘電体多層膜と、
該誘電体多層膜の上層側に設けられ、隣り合う前記反射膜で挟まれた境界領域と前記反射膜が形成された反射膜形成領域とによって生じた段差を埋める平坦化用絶縁膜と、
該平坦化用絶縁膜の上層側に形成された第1基板側配向膜と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。 - 前記反射膜は、画素電極であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記平坦化用絶縁膜は、前記反射膜形成領域に比して前記境界領域で厚い膜厚をもって前記境界領域および前記反射膜形成領域の双方に設けられ、
前記平坦化用絶縁膜の表面は、連続した平坦面になっていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記平坦化用絶縁膜は、前記誘電体多層膜において最上層を構成する誘電体層に比して屈折率が低いことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
- 前記第2基板において前記第1基板と対向する面側に、第2基板側下地膜と、該第2基板側下地膜の表面上に設けられた第2基板側配向膜と、を有し、
前記第2基板側下地膜と前記平坦化用絶縁膜とは同一の絶縁膜からなることを特徴とする請求項3または4に記載の電気光学装置。 - 前記平坦化用絶縁膜は、前記境界領域および前記反射膜形成領域のうちの前記境界領域のみに設けられ、
前記平坦化用絶縁膜の表面と、前記反射膜上に位置する前記誘電体多層膜の表面とは連続した平坦面になっていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記平坦面上には、前記誘電体多層膜の最上層を構成する誘電体層に比して屈折率が低い第1基板側下地膜が設けられ、
当該第1基板側下地膜の上層に前記第1基板側配向膜が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。 - 前記第2基板において前記第1基板と対向する面側に、第2基板側下地膜と、該第2基板側下地膜の表面上に設けられた第2基板側配向膜と、を有し、
前記第2基板側下地膜と前記第1基板側下地膜とは同一の絶縁膜からなることを特徴とする請求項6または7に記載の電気光学装置。 - 第1基板と第2基板との間に液晶層が保持された電気光学装置の製造方法であって、
前記第1基板において前記第2基板と対向する面側に複数の画素の各々に反射膜を形成した後、
反射膜の上層側に複数の画素に跨る誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程と、
該誘電体多層膜の上層側に平坦化用絶縁膜を形成する平坦化用絶縁膜形成工程と、
前記平坦化用絶縁膜を表面側から薄手化する平坦化工程と、
を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至9の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
- 前記電気光学装置に光を供給する光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする請求項10に記載の電子機器。
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