JP2012252031A - 電気光学装置用基板の製造方法および電気光学装置用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。
【選択図】図４

Description

本発明は、反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜が積層された電気光学装置用基板の製造方法および電気光学装置用基板に関するものである。

反射型の液晶装置やトップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では、基板の一方面側に反射層が設けられている。例えば、反射型の液晶装置の場合、画素電極が反射層として構成されている場合が多い。

一方、反射性の画素電極（反射層）の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層して誘電体多層膜からなる増反射膜を形成するとともに、誘電体多層膜の上層側に形成された透光膜の表面を研磨して平坦化した構造が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１０−１３９９２０号公報

電気光学装置において、透光膜を研磨する場合、あるいは透光膜にエッチングを行う場合、ビームプロファイル反射率測定法（BPR：Beam Profile Reflectometry）等により、透光膜の膜厚を測定し、かかる測定結果に基づいて研磨量やエッチング量を予め設定しておくことが好ましい。

しかしながら、ビームプロファイル反射率測定法等では、透光膜を形成した後、反射層や、反射層とは別に設けたモニター用反射パターンに光を照射し、反射光の検出結果に基づいて膜厚を測定するため、特許文献１に記載の構成のように増反射膜を形成した場合、増反射膜の影響で膜厚を正確に測定することができない。このため、従来は、膜厚の測定結果に基づいて研磨量やエッチング量を適正に設定することが困難であるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、膜厚の測定結果に基づいて、研磨量やエッチング量等の除去量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法では、基板の一方面側のうち、画像表示領域に反射層を形成し、前記基板の端部と前記画像表示領域との間には前記反射層と同一の層あるいは当該反射層より下層側にモニター用反射パターンを形成しておき、前記反射層および前記モニター用反射パターンの上層側に第１屈折率を有する第１透光膜を形成する第１透光膜形成工程と、前記第１透光膜上に前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２透光膜を形成する第２透光膜形成工程と、前記第２透光膜の前記モニター用反射パターンに重なる部分を除去する第２透光膜除去工程と、前記反射層および前記モニター用反射パターンの上層側に前記第１屈折率を有する第３透光膜を形成する第３透光膜形成工程と、前記モニター用反射パターンに光を照射した際の反射光に基づいて当該モニター用反射パターンの上層側に重なる透光膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、前記膜厚測定工程で測定した膜厚測定結果から設定した除去量に基づいて前記第３透光膜の表面側から膜の除去を行う膜除去工程と、を有することを特徴とする。

本発明では、反射層およびモニター用反射パターンの上層に、第１屈折率を有する第１透光膜、第２屈折率を有する第２透光膜、および第１屈折率を有する第３透光膜を形成するとともに、モニター用反射パターンの上層からは第２透光膜を除去する。このため、第３透光膜を形成した後、モニター用反射パターンに光を照射し、反射光の検出結果に基づいて膜厚を測定する際、モニター用反射パターンの上層には、屈折率が等しい第１透光膜および第３透光膜が重なっており、屈折率が異なる第２透光膜が存在しない。従って、膜厚の測定結果に第２透光膜の影響、すなわち、誘電体多層膜の影響が及ばない。それ故、透光膜等の膜厚を正確に測定することができるので、膜厚の測定結果に基づいて研磨量やエッチング量を適正に設定することができる。

本発明において、前記第１透光膜、前記第２透光膜および前記第３透光膜は、増反射膜を構成している構成を採用することができる。かかる構成の場合は特に、研磨後の第３透光膜の膜厚を正確に制御する必要があり、本発明によれば、第３透光膜等の膜厚を正確に測定することができるので、研磨量を適正に設定でき、研磨後の第３透光膜の膜厚を正確に制御することができる。

本発明において、前記第２透光膜除去工程では、前記第１透光膜の少なくとも一部も除去することが好ましい。かかる構成によれば、第３透光膜の膜厚を測定する際、第２透光膜の影響を確実に排除することができる。

本発明において、前記反射層は、反射性の画素電極であり、前記第１透光膜形成工程より前に前記基板の一方面側に導電層を形成しておき、前記膜除去工程として、前記第３透光膜を研磨して当該第３透光膜の表面を平坦化する研磨工程と、該研磨工程の後、前記第３透光膜の表面側から前記導電層に到達するコンタクトホールを形成するエッチング工程と、を行い、前記エッチング工程の後、前記第３透光膜上に前記コンタクトホールを介して前記導電層に導通する端子電極を形成する構成を採用することができる。かかる構成によれば、第３透光膜に対する研摩量、および第３透光膜から導電層までのエッチング量を適正に設定することができる。

本発明において、前記反射層は、反射性の画素電極であり、前記膜除去工程では、前記第３透光膜を研磨して当該第３透光膜の表面を平坦化する研摩工程を行う構成を採用することができる。

この場合、前記モニター用反射パターンを前記画素電極と同一の層に形成することが好ましい。かかる構成によれば、第３透光膜の膜厚を正確に測定することができる。

また、前記モニター用反射パターンを前記画素電極より下層側に形成し、前記モニター用反射パターンと前記画素電極との間には前記第１屈折率を有する層間絶縁膜を設ける構成を採用してもよい。かかる構成によれば、モニター用反射パターンの上層には第１屈折率を有する層間絶縁膜のみが存在するため、第３透光膜の膜厚を正確に測定することができる。

本発明において、前記第１透光膜形成工程より前に前記基板の一方面側に導電層を形成しておき、前記膜除去工程では、前記第３透光膜の表面側から前記導電層に到達するコンタクトホールを形成するエッチングを行い、前記膜除去工程の後、前記第３透光膜上に前記コンタクトホールを介して前記導電層に導通する端子電極を形成する構成を採用することができる。

この場合、前記モニター用反射パターンを前記導電層と同一の層に形成することが好ましい。かかる構成によれば、第３透光膜の膜厚を正確に測定することができる。

また、前記モニター用反射パターンを前記導電層より下層側に形成し、前記モニター用反射パターンと前記導電層との間には前記第１屈折率を有する層間絶縁膜を設ける構成を採用してもよい。かかる構成によれば、モニター用反射パターンの上層には第１屈折率を有する層間絶縁膜のみが存在するため、第３透光膜の膜厚を正確に測定することができる。

本発明は、電気光学装置用基板として、以下のように規定することもできる。すなわち、本発明に係る電気光学装置用基板は、基板の一方面側のうち、画像表示領域に形成された反射層と、前記基板の一方面側のうち、当該基板の端部と前記画像表示領域との間に前記反射層と同一の層あるいは当該反射層より前記基板側に設けられたモニター用反射パターンと、前記反射層および前記モニター用反射パターンに前記基板と反対側で重なるように設けられ、第１屈折率を有する第１透光膜と、前記第１透光膜の前記基板と反対側で前記反射層と重なり、前記モニター用反射パターンとは重ならないように設けられ、前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２透光膜と、前記第２透光膜の前記基板と反対側で前記反射層および前記モニター用反射パターンとは重なるように設けられ、前記第１屈折率を有する第３透光膜と、を有することを特徴とする。

かかる電気光学装置用基板によれば、各膜を形成した後、モニター用反射パターンに対して、基板と反対側で重なる透光膜の膜厚を測定することができる。

本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の端子電極等の構成を画素の構成と比較して模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の製造に用いられる大型基板の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程のうち、素子基板の製造方法を示す工程断面である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程のうち、素子基板の製造方法を示す工程断面である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の端子電極等の構成を画素の構成と比較して模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。

本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置の素子基板（電気光学装置用基板）およびその製造方法に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。

素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｒに導通している。

（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。

また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｒに導通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。

本形態において、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成されている。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる反射型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。

（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。

図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。

図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。

素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ₄）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ₂Ｈ₂）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。

画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。

ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。

ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。

容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。

遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の反射性金属膜を備えた画素電極９ａ（反射層）が形成されている。本形態において、画素電極９ａは、下層側のチタン窒化膜と、上層側のアルミニウム膜との２層構造になっている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。

画素電極９ａの表面側には、第１屈折率を有する第１透光膜１８１と、第２屈折率を有する第２透光膜１８２と、第１屈折率を有する第３透光膜１７とが形成されている。ここで、第１透光膜１８１および第３透光膜１７は、シリコン酸化膜であり、屈折率（第１屈折率）は約１．５である。第１透光膜１８１および第３透光膜１７は、画素電極９ａと重なる部分の厚さが７５ｎｍ程度である。第２透光膜１８２は、厚さが６５ｎｍ程度のシリコン窒化膜であり、屈折率（第２屈折率）は約１．９である。従って、第１透光膜１８１、第２透光膜１８２および第３透光膜１７は、屈折率が異なる誘電体膜が交互に積層された誘電体多層膜を構成しており、本形態において、第１透光膜１８１、第２透光膜１８２および第３透光膜１７（誘電体多層膜）は、画素電極９ａの表面での反射率を高める増反射膜１８を構成している。

ここで、第１透光膜１８１は概ね一定の厚さで形成されている。これに対して、第３透光膜１７は、例えば、３５０ｎｍの膜厚で成膜されたシリコン酸化膜の表面を研磨により平坦化した平坦化膜として形成されている。このため、第３透光膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に発生している凹部を埋めており、第３透光膜１７の表面は、画素電極９ａに重なる領域と、画素電極９ａの間に重なる領域とにおいて連続した平坦面（平面）を構成している。

第３透光膜１７の上面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。

（端子電極１０２の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の端子電極１０２等の構成を画素１００ａの構成と比較して模式的に示す説明図である。図４において、図４（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図４（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＰ−Ｐ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図４（ｃ１）、（ｃ２）は、モニター用反射パターンの平面図、およびＭ−Ｍ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、図４では、画素１００ａ、端子電極１０２の形成領域、およびモニター用反射パターンの形成領域が同一の高さとして表してあるが、端子電極１０２の形成領域、およびモニター用反射パターンの形成領域が画素１００ａより低く形成されていることもある。

図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、端子電極１０２は、例えば、遮光層７ａや中継電極７ｂと同一の導電膜からなる配線７ｓ（導電層）に重なるように形成されている。かかる端子電極１０２の形成領域は、画素１００ａと略同様な断面構成となっている。より具体的には、端子電極１０２の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、端子電極１０２の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａの各々を構成する導電膜と同一の導電膜８ｓ、３ｓ、５ｓ、６ｓがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一の導電膜からなる配線７ｓが形成されている。

本形態では、配線７ｓに導通する端子電極１０２を形成するにあたって、層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１、第２透光膜１８２、第３透光膜１７を貫通して配線７ｓに到達するコンタクトホール１７ｓが形成されており、端子電極１０２は、コンタクトホール１７ｓを介して配線７ｓに導通している。本形態において、端子電極１０２はＩＴＯ膜等からなる。なお、図２に示す基板間導通用電極１９（端子電極）も、端子電極１０２と同様な構造を有しているので、説明を省略する。

（モニター用反射パターンの具体的構成）
図４（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、本形態では、素子基板１０（電気光学装置用基板）の画像表示領域１０ａの外側（画像表示領域１０ａと素子基板１０の端部との間）に以下に説明するモニター用反射パターン７ｚ、９ｚが形成されている。また、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚは、素子基板１０の製造に用いた大型基板１０ｘ（電気光学装置用基板）において素子基板１０が切り出される領域の外側（画像表示領域１０ａと素子基板１０の端部との間）に形成されていることもある。いずれの場合も、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚの形成領域は、素子基板１０の各構成要素を製造し終えた段階では、図４（ｃ１）、（ｃ２）に示す構造になっている。

より具体的には、まず、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚの形成領域は、画素１００ａおよび端子電極１０２の形成領域と略同様な断面構成となっており、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、基板間導通用電極１９の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａの各々を構成する導電膜と同一の導電膜８ｔ、３ｔ、５ｔ、６ｔがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一の導電膜７ｔが形成されている。

ここで、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、配線７ｓや中継電極７ｂを構成する導電膜と同一の導電膜によってモニター用反射パターン７ｚが形成されており、かかるモニター用反射パターン７ｚの上層には配線や電極は形成されていない。また、層間絶縁膜４５上には、画素電極９ａを構成する導電膜と同一の導電膜によってモニター用反射パターン９ｚが形成されている。

ここで、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側には、第１透光膜１８１および第３透光膜１７は形成されているが、第２透光膜１８２は形成されていない。このため、モニター用反射パターン７ｚには、上層側で層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１および第３透光膜１７が重なっており、これらの絶縁膜はいずれもシリコン酸化膜からなる。また、モニター用反射パターン９ｚには、上層側で第１透光膜１８１および第３透光膜１７が重なっており、これらの絶縁膜はいずれもシリコン酸化膜からなる。

（電気光学装置１００の製造方法）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の製造に用いられる大型基板１０ｘの説明図である。図６および図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造方法を示す工程断面である。なお、図６および図７では、図６（ａ）以外、中継電極６ｂより上層側のみを図示してある。

本形態の電気光学装置１００の素子基板１０を製造するにあたっては、図５に示すように、素子基板１０を多数取りできる大型基板１０ｘの状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。図５に示す大型基板１０ｘのうち、図５（ａ）に示す形態では、大型基板１０ｘにおいて単品サイズの素子基板１０として切り出される領域１０ｙの外側（除材領域１０ｚ／画像表示領域１０ａと大型基板１０ｘの端部との間）にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚが形成されている。これに対して、図５（ｂ）に示す形態では、大型基板１０ｘにおいて単品サイズの素子基板１０として切り出される領域１０ｙのうち、画像表示領域１０ａと素子基板１０の端部との間にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚが形成されている。

かかる大型基板１０ｘを用いて素子基板１０を形成するにあたっては、図６（ａ）に示すように、周知の方法で、層間絶縁膜４４までを形成する。次に、層間絶縁膜４４上に反射性金属膜を成膜した後、パターニングし、層間絶縁膜４４上に中継電極７ｂ、導電膜７ｔおよびモニター用反射パターン７ｚを形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁膜４５を形成した後、後述する化学機械研磨等の方法により表面を平坦化し、次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜４５にコンタクトホール４５ａを形成する。

次に、層間絶縁膜４５上に画素電極用金属膜を成膜した後、パターニングし、図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４５上に画素電極９ａ（反射層）およびモニター用反射パターン９ｚを形成する。本形態では、画素電極用金属膜として、下層側のチタン窒化膜と、上層側のアルミニウム膜との２層構造を有する金属膜を形成する。

次に、図６（ｄ）に示す第１透光膜形成工程において、ＣＶＤ法等により、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に画素電極９ａに接するように、厚さが７５ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる第１透光膜１８１を形成する。

次に、図６（ｅ）に示す第２透光膜形成工程において、ＣＶＤ法等により、第１透光膜１８１上に、厚さが６５ｎｍ程度のシリコン窒化膜からなる第２透光膜１８２を形成する。

次に、図７（ａ）に示す第２透光膜除去工程において、画像表示領域１０ａ等にレジストマスクを形成してエッチングを行い、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去する。その際、第１透光膜１８１の表面の一部あるいは全体を除去してもよい。

次に、図７（ｂ）に示す第３透光膜形成工程において、ＣＶＤ法等により、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に、厚さが３５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる第３透光膜１７を形成する。

次に、図７（ｃ）に示す膜厚測定工程において、ビームプロファイル反射率測定法により、モニター用反射パターン９ｚに上層側で重なっている透光膜の膜厚を測定する。より具体的には、矢印Ｌ１で示すように、モニター用反射パターン９ｚに光を照射した際の反射光に基づいて、モニター用反射パターン９ｚに上層側で重なっている透光膜（第１透光膜１８１および第３透光膜１７）の膜厚を測定する。かかるビームプロファイル反射率測定法では、直線偏光のレーザ光を用い、ｐ偏光成分とｓ偏光成分の反射率プロファイルを求め、膜厚を求める。なお、第１透光膜１８１の膜厚は薄いので、成膜時の設定膜厚をそのまま第１透光膜１８１として見做しても誤差が小さい。従って、ビームプロファイル反射率測定法により測定した結果から、第３透光膜１７の膜厚を測定することができる。

次に、図７（ｄ）に示す膜除去工程では、膜厚測定工程で測定した膜厚測定結果から設定した除去量（研磨量）に基づいて第３透光膜１７に研磨を行い、第３透光膜１７を薄膜化するとともに、第３透光膜１７の表面を連続した平坦面（平面）とする（研磨工程）。その結果、第３透光膜１７の画素電極９ａと重なる部分の厚さは、第１透光膜１８１と同様、７５ｎｍ程度となる。かかる研磨には化学機械研磨を採用することができる。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と大型基板１０ｘとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、大型基板１０ｘを保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と大型基板１０ｘとの間に供給する。

次に、図７（ｅ）に示す膜厚測定工程において、ビームプロファイル反射率測定法により、モニター用反射パターン７ｚに上層側で重なっている透光膜の膜厚を測定する。より具体的には、矢印Ｌ２で示すように、モニター用反射パターン７ｚに光を照射した際の反射光に基づいて、モニター用反射パターン７ｚに上層側で重なっている透光膜（層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１および第３透光膜１７）の膜厚を測定する。

次に、図７（ｆ）に示す膜除去工程では、膜厚測定工程で測定した膜厚測定結果から設定した除去量（エッチング量）に基づいて、層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１、第２透光膜１８２および第３透光膜１７にエッチングを行い、配線７ｓに到達するコンタクトホール１７ｓを形成する（エッチング工程）。

次に、スパッタ法等により、第３透光膜１７上にＩＴＯ膜を成膜した後、パターニングし、図４に示すように、第３透光膜１７上に端子電極１０２を形成する。

しかる後に、マスク蒸着等を利用して画像表示領域１０ａのみに配向膜１６を形成する。その結果、大型基板１０ｘが完成する。しかる後には、図２等を参照して説明したように、大型基板１０ｘと対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせた後、減圧雰囲気中でシール材１０７の液晶注入口１０７ｃから液晶を注入し、しかる後に、シール材１０７の液晶注入口１０７ｃを封止材１０８で封止する。そして、大型基板１０ｘを単品サイズの素子基板１０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００および素子基板１０（大型基板１０ｘ）の製造方法では、大型基板１０ｘの一方面に、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。このため、モニター用反射パターン９ｚに光を照射し、反射光の検出結果に基づいて膜厚を測定する際、モニター用反射パターン９ｚの上層には、屈折率が等しい第１透光膜１８１および第３透光膜１７が重なっており、屈折率が異なる第２透光膜１８２が存在しない。また、モニター用反射パターン７ｚに光を照射し、反射光の検出結果に基づいて膜厚を測定する際、モニター用反射パターン７ｚの上層には、屈折率が等しい層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１および第３透光膜１７が重なっており、屈折率が異なる第２透光膜１８２が存在しない。このため、膜厚の測定結果に誘電体多層膜（増反射膜１８）の影響が及ばない。従って、第３透光膜１７等の膜厚を正確に測定することができるので、膜厚の測定結果に基づいて研磨量やエッチング量を適正に設定することができる。

特に、本形態において、第１透光膜１８１、第２透光膜１８２および第３透光膜１７は、増反射膜１８を構成しているため、第３透光膜１７の膜厚を正確に測定して研磨後の第３透光膜１７の膜厚を正確に制御する必要がある。ここで、第１透光膜１８１の膜厚と第３透光膜１７の膜厚との和は正確に測定でき、しかも、第１透光膜１８１の膜厚は薄い。従って、第３透光膜１７の膜厚を正確に把握することができるので、第３透光膜１７に対する研摩量を適正に設定することができる。それ故、研磨後の第３透光膜１７の膜厚を正確に制御することができる。

また、画素電極９ａの上層側での研磨量（除去量）を求めるための膜厚を測定する際に用いたモニター用反射パターン９ｚは、画素電極９ａと同一の層であり、第３透光膜１７以外でモニター用反射パターン９ｚに上層側で重なっているのは第１透光膜１８１のみである。このため、第３透光膜１７の膜厚を正確に把握することができるので、画素電極９ａの上層側での研磨量（除去量）を正確に設定することができる。

また、配線７ｓの上層側でのエッチング量（除去量）を求めるための膜厚を測定する際に用いたモニター用反射パターン７ｚは、配線７ｓと同一の層であり、第２透光膜１８２以外でモニター用反射パターン７ｚに上層側で重なっているのは、エッチング対象となる透光膜（層間絶縁膜４５、第１透光膜１８１および第３透光膜１７）のみである。このため、エッチング対象となる透光膜の膜厚を正確に把握することができるので、配線７ｓの上層側でのエッチング量（除去量）を正確に設定することができる。

なお、第２透光膜除去工程では、第１透光膜１８１の少なくとも一部も除去することが好ましく、かかる構成によれば、第２透光膜を確実に除去することができる。従って、第３透光膜１７等の膜厚を測定する際、第２透光膜１８２の影響を確実に排除することができる。

［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の端子電極１０２等の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図８において、図８（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図８（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＰ−Ｐ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図８（ｃ１）、（ｃ２）は、モニター用反射パターンの平面図、およびＭ−Ｍ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

実施の形態１では、画素電極９ａ（反射層）と同一の層にモニター用反射パターン９ｚが形成され、配線７ｓと同一の層にモニター用反射パターン７ｚが形成されていたが、図８に示すように、画素電極９ａ（反射層）より下層側にモニター用反射パターン９ｚが形成され、配線７ｓより下層側にモニター用反射パターン７ｚが形成されていてもよい。例えば、図８に示す構成例では、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚは、中継電極６ｂと同一の層に形成されている。かかる構成の場合でも、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚと画素電極９ａ（反射層）との間に介在するのは、第１透光膜１８１および第３透光膜１７と同様、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４４、４５である。このため、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに上層側で重なる透光膜は、全てがシリコン酸化膜からなる。従って、ビームプロファイル反射率測定法により、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに上層側で重なっている透光膜の膜厚を正確に測定することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、増反射膜１８を構成するにあたって、低屈折率層としてシリコン酸化膜を用い、高屈折率層としてシリコン窒化膜を用いた。但し、屈折率が１．７未満のものを低屈折率層とし、屈折率が１．７以上のものを高屈折率層と定義すれば、低屈折率層および高屈折率層としては、以下の材料
低屈折率層
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）／屈折率＝１．３８
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）／屈折率＝１．６２
高屈折率層
チタン酸化膜（ＴｉＯ₂）／屈折率＝２．１０
タンタル酸化膜（Ｔａ₂Ｏ₅）／屈折率＝２．１０
を用いてもよい。

上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を中心に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置、電気泳動型表示装置等の電気光学装置において画素電極９ａ等の反射層の上層側に誘電体多層膜を形成する場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図９は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図である。図９に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。

かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。

色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。

また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。

これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。

このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

７ｓ・・配線（導電層）、７ｚ、９ｚ・・モニター用反射パターン、９ａ・・画素電極（反射層）、１０・・素子基板（電気光学装置用基板）、１０ａ・・画像表示領域、１０ｘ・・大型基板（電気光学装置用基板）、１６・・配向膜、１７・・第３透光膜、１８・・増反射膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、４５ｓ・・コンタクトホール、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１０２・・端子電極、１８１・・第１透光膜、１８２・・第２透光膜

Claims (11)

1. 基板の一方面側のうち、画像表示領域に反射層を形成し、前記基板の端部と前記画像表示領域との間には前記反射層と同一の層あるいは当該反射層より下層側にモニター用反射パターンを形成しておき、
   前記反射層および前記モニター用反射パターンの上層側に第１屈折率を有する第１透光膜を形成する第１透光膜形成工程と、
   前記第１透光膜上に前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２透光膜を形成する第２透光膜形成工程と、
   前記第２透光膜の前記モニター用反射パターンに重なる部分を除去する第２透光膜除去工程と、
   前記反射層および前記モニター用反射パターンの上層側に前記第１屈折率を有する第３透光膜を形成する第３透光膜形成工程と、
   前記モニター用反射パターンに光を照射した際の反射光に基づいて、当該モニター用反射パターンの上層側に重なる透光膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、
   前記膜厚測定工程で測定した膜厚測定結果から設定した除去量に基づいて前記第３透光膜の表面側から膜の除去を行う膜除去工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
2. 前記第１透光膜、前記第２透光膜および前記第３透光膜は、増反射膜を構成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
3. 前記第２透光膜除去工程では、前記第１透光膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
4. 前記反射層は、反射性の画素電極であり、
   前記第１透光膜形成工程より前に前記基板の一方面側に導電層を形成しておき、
   前記膜除去工程として、前記第３透光膜を研磨して当該第３透光膜の表面を平坦化する研磨工程と、該研磨工程の後、前記第３透光膜の表面側から前記導電層に到達するコンタクトホールを形成するエッチング工程と、を行い、
   前記エッチング工程の後、前記第３透光膜上に前記コンタクトホールを介して前記導電層に導通する端子電極を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
5. 前記反射層は、反射性の画素電極であり、
   前記膜除去工程では、前記第３透光膜を研磨して当該第３透光膜の表面を平坦化する研摩工程を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
6. 前記モニター用反射パターンを前記画素電極と同一の層に形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
7. 前記モニター用反射パターンを前記画素電極より下層側に形成し、
   前記モニター用反射パターンと前記画素電極との間には前記第１屈折率を有する層間絶縁膜を設けることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
8. 前記第１透光膜形成工程より前に前記基板の一方面側に導電層を形成しておき、
   前記膜除去工程では、前記第３透光膜の表面側から前記導電層に到達するコンタクトホールを形成するエッチング工程を行い、
   前記エッチング工程の後、前記第３透光膜上に前記コンタクトホールを介して前記導電層に導通する端子電極を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
9. 前記モニター用反射パターンを前記導電層と同一の層に形成することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
10. 前記モニター用反射パターンを前記導電層より下層側に形成し、
    前記モニター用反射パターンと前記導電層との間には前記第１屈折率を有する層間絶縁膜を設けることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
11. 基板の一方面側のうち、画像表示領域に形成された反射層と、
    前記基板の一方面側のうち、当該基板の端部と前記画像表示領域との間に前記反射層と同一の層あるいは当該反射層より前記基板側に設けられたモニター用反射パターンと、
    前記反射層および前記モニター用反射パターンに前記基板と反対側で重なるように設けられ、第１屈折率を有する第１透光膜と、
    前記第１透光膜の前記基板と反対側で前記反射層と重なり、前記モニター用反射パターンとは重ならないように設けられ、前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２透光膜と、
    前記第２透光膜の前記基板と反対側で前記反射層および前記モニター用反射パターンとは重なるように設けられ、前記第１屈折率を有する第３透光膜と、
    を有することを特徴とする電気光学装置用基板。