JP2002365663A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2002365663A JP2002365663A JP2001169998A JP2001169998A JP2002365663A JP 2002365663 A JP2002365663 A JP 2002365663A JP 2001169998 A JP2001169998 A JP 2001169998A JP 2001169998 A JP2001169998 A JP 2001169998A JP 2002365663 A JP2002365663 A JP 2002365663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- electrode
- reflection type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光照射により発生するフリッカーを抑制して
画像品質の良好な反射型液晶表示装置を製造することが
可能な反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線２および走査配線７と、これら両配線の各交差部に配
置されたＴＦＴ３と、ＴＦＴ３を介して信号配線２およ
び走査配線７に接続された反射画素電極１４とが設けら
れた薄膜トランジスタアレイ基板と、前記薄膜トランジ
スタアレイ基板に対向して配置された、対向透明電極２
３を有する対向基板とを具備する反射型液晶表示装置に
おいて、対向透明電極２３および反射画素電極１４上に
無機物の絶縁膜である対向絶縁膜２４および第３絶縁膜
１５を設ける。
画像品質の良好な反射型液晶表示装置を製造することが
可能な反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線２および走査配線７と、これら両配線の各交差部に配
置されたＴＦＴ３と、ＴＦＴ３を介して信号配線２およ
び走査配線７に接続された反射画素電極１４とが設けら
れた薄膜トランジスタアレイ基板と、前記薄膜トランジ
スタアレイ基板に対向して配置された、対向透明電極２
３を有する対向基板とを具備する反射型液晶表示装置に
おいて、対向透明電極２３および反射画素電極１４上に
無機物の絶縁膜である対向絶縁膜２４および第３絶縁膜
１５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ＰＤＡ
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタアレイ基板における一画素部分の構成を図４
（ａ）に示す。図４（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表
示装置を図２（ａ）に示すＤ−Ｄの一点鎖線で切断した
場合の断面構成を示す概略断面図である。
ジスタアレイ基板における一画素部分の構成を図４
（ａ）に示す。図４（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表
示装置を図２（ａ）に示すＤ−Ｄの一点鎖線で切断した
場合の断面構成を示す概略断面図である。
【０００３】図４（ａ）に示すように、従来の反射型液
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
【０００４】次に、図４（ｂ）を参照しながら、前記従
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【０００５】まず、ガラス基板１の上にアルミニウム
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
【０００６】次に、走査配線２上に、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
【０００７】次に、第１絶縁体層４上に、ＴＦＴ３のス
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
【０００８】その後、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
【０００９】次に、絶縁保護膜として機能する第２絶縁
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
【００１０】次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜１２
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
【００１１】最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
【００１２】以上のような方法により、薄膜トランジス
タアレイ基板が完成する。
タアレイ基板が完成する。
【００１３】次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
【００１４】その後、検査工程において、走査配線２、
信号配線７、対向透明電極２３に駆動電位を供給して画
面を表示させ、対向透明電極２３の平均電位もしくは反
射画素電極１４の平均電位を、画像がちらつく現象（フ
リッカー）が最小になるように調整する。
信号配線７、対向透明電極２３に駆動電位を供給して画
面を表示させ、対向透明電極２３の平均電位もしくは反
射画素電極１４の平均電位を、画像がちらつく現象（フ
リッカー）が最小になるように調整する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、電極などの金
属と配向膜などの有機膜とが接触すると、接触界面で電
子の授受が起こり、界面分極が発生する。この界面分極
の大きさは、同じ有機膜の場合、接している金属の仕事
関数に依存する。さらに、この界面分極には、光照射を
行うと分極量が経時的に変化していくという現象がみら
れる。前記従来の反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタアレイ基板側にアルミニウム、銀などの反射画素電
極１４、対向基板側にＩＴＯなどの対向透明電極２３が
配置されている非対称電極構成である。従って、液晶セ
ル内部に、アルミニウムあるいは銀と配向膜とが接触す
る系と、ＩＴＯと配向膜とが接触する系との、２種類の
系が存在することになる。アルミニウムとＩＴＯとは仕
事関数が異なるため、アルミニウム側界面とＩＴＯ側界
面とで配向膜の分極量が異なり、セル内部にＤＣ成分が
重畳する（暗状態）。また、光照射を行うことにより界
面分極量が変化するが、アルミニウム側界面とＩＴＯ側
界面とで分極変化量が異なるため、セル内部のＤＣ成分
量も変化していく。
属と配向膜などの有機膜とが接触すると、接触界面で電
子の授受が起こり、界面分極が発生する。この界面分極
の大きさは、同じ有機膜の場合、接している金属の仕事
関数に依存する。さらに、この界面分極には、光照射を
行うと分極量が経時的に変化していくという現象がみら
れる。前記従来の反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタアレイ基板側にアルミニウム、銀などの反射画素電
極１４、対向基板側にＩＴＯなどの対向透明電極２３が
配置されている非対称電極構成である。従って、液晶セ
ル内部に、アルミニウムあるいは銀と配向膜とが接触す
る系と、ＩＴＯと配向膜とが接触する系との、２種類の
系が存在することになる。アルミニウムとＩＴＯとは仕
事関数が異なるため、アルミニウム側界面とＩＴＯ側界
面とで配向膜の分極量が異なり、セル内部にＤＣ成分が
重畳する（暗状態）。また、光照射を行うことにより界
面分極量が変化するが、アルミニウム側界面とＩＴＯ側
界面とで分極変化量が異なるため、セル内部のＤＣ成分
量も変化していく。
【００１６】セル内部にＤＣ成分が重畳した場合の液晶
表示装置の駆動波形を図５（ａ）に示す。交流駆動のた
め、対向透明電極２３の電位（対向電極電位）と反射画
素電極１４の電位（画素電極電位）との間に印加される
液晶印加電圧（Ｖｌｃ）には正側（Ｖｌｃ＋）と負側
（Ｖｌｃ−）とがあるが、セル内部にＤＣ成分が重畳し
た場合、Ｖｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさが異なってしま
い、画像がちらつく現象（フリッカー）が発生する。セ
ル内部のＤＣ成分が一定ならば、対向電極電位もしくは
画素電極電位を調整することにより、図５（ｂ）に示す
ようにＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさを等しくすることも
可能である、しかしながら、上述したように、光照射を
行うとＤＣ成分量が変化してＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大き
さが異なってしまいフリッカーが発生するので、その都
度電位を調整しなければならないという不具合が発生す
る。
表示装置の駆動波形を図５（ａ）に示す。交流駆動のた
め、対向透明電極２３の電位（対向電極電位）と反射画
素電極１４の電位（画素電極電位）との間に印加される
液晶印加電圧（Ｖｌｃ）には正側（Ｖｌｃ＋）と負側
（Ｖｌｃ−）とがあるが、セル内部にＤＣ成分が重畳し
た場合、Ｖｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさが異なってしま
い、画像がちらつく現象（フリッカー）が発生する。セ
ル内部のＤＣ成分が一定ならば、対向電極電位もしくは
画素電極電位を調整することにより、図５（ｂ）に示す
ようにＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさを等しくすることも
可能である、しかしながら、上述したように、光照射を
行うとＤＣ成分量が変化してＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大き
さが異なってしまいフリッカーが発生するので、その都
度電位を調整しなければならないという不具合が発生す
る。
【００１７】本発明はこれらの問題を解決するために、
光照射により発生するフリッカーを抑制して画像品質の
良好な反射型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
光照射により発生するフリッカーを抑制して画像品質の
良好な反射型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に
配置された複数の信号配線および走査配線、前記両配線
の各交差部に配置されて前記両配線に接続されたスイッ
チング素子、および前記スイッチング素子を介して前記
両配線に接続された反射画素電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された、対向透明電
極を有する対向基板とを備えた反射型液晶表示装置にお
いて、対向透明電極および反射画素電極の少なくとも何
れか一方上に絶縁膜が配置されていることを特徴とす
る。
めに、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に
配置された複数の信号配線および走査配線、前記両配線
の各交差部に配置されて前記両配線に接続されたスイッ
チング素子、および前記スイッチング素子を介して前記
両配線に接続された反射画素電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された、対向透明電
極を有する対向基板とを備えた反射型液晶表示装置にお
いて、対向透明電極および反射画素電極の少なくとも何
れか一方上に絶縁膜が配置されていることを特徴とす
る。
【００１９】この構成によれば、少なくとも対向透明電
極および反射画素電極の何れか一方と配向膜との間に絶
縁膜が配置されることになり、絶縁膜が配置された界面
においては、電極と配向膜との接触界面における電子の
授受が絶縁膜によって抑制される。このため、この接触
面では界面分極が発生しない。従って、光照射によるセ
ル内部の分極変化が抑制されることにより、セル内部の
ＤＣ成分変化が抑制される。これにより、光照射による
フリッカーの発生が抑制されるので、画像品位を向上さ
せることができる。
極および反射画素電極の何れか一方と配向膜との間に絶
縁膜が配置されることになり、絶縁膜が配置された界面
においては、電極と配向膜との接触界面における電子の
授受が絶縁膜によって抑制される。このため、この接触
面では界面分極が発生しない。従って、光照射によるセ
ル内部の分極変化が抑制されることにより、セル内部の
ＤＣ成分変化が抑制される。これにより、光照射による
フリッカーの発生が抑制されるので、画像品位を向上さ
せることができる。
【００２０】また、前記対向透明電極上および前記反射
画素電極上の両方に、前記絶縁膜が配置されていること
が好ましい。
画素電極上の両方に、前記絶縁膜が配置されていること
が好ましい。
【００２１】この構成によれば、対向透明電極と配向膜
との間、および反射画素電極と配向膜との間の両方に絶
縁膜が設けられるため、光照射によるセル内部の分極変
化がより確実に抑制されることにより、セル内部のＤＣ
成分変化がより確実に抑制できる。これにより、光照射
によるフリッカーの発生をより確実に抑制して、画像品
位をさらに向上させることができる。
との間、および反射画素電極と配向膜との間の両方に絶
縁膜が設けられるため、光照射によるセル内部の分極変
化がより確実に抑制されることにより、セル内部のＤＣ
成分変化がより確実に抑制できる。これにより、光照射
によるフリッカーの発生をより確実に抑制して、画像品
位をさらに向上させることができる。
【００２２】また、前記絶縁膜は無機物であることが好
ましい。
ましい。
【００２３】また、本発明の携帯端末機器は、前記本発
明の反射型液晶表示装置を備えたことを特徴としてい
る。この構成によれば、画像品位の良好な表示部を備え
た携帯端末機器を提供することが可能となる。
明の反射型液晶表示装置を備えたことを特徴としてい
る。この構成によれば、画像品位の良好な表示部を備え
た携帯端末機器を提供することが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１について、図１を参照しながら説明する。
実施の形態１について、図１を参照しながら説明する。
【００２５】図１（ａ）は、反射型液晶表示装置の薄膜
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図１（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図１（ａ）に示すＡ−Ａの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図１（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図１（ａ）に示すＡ−Ａの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
【００２６】図１（ａ）に示すように、従来の反射型液
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
【００２７】次に、図１（ｂ）を参照しながら、前記従
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【００２８】まず、ガラス基板１の上にアルミニウム
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
【００２９】次に、走査配線２上に、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
【００３０】次に、第１絶縁体層４上に、ＴＦＴ３のス
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
【００３１】その後、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
【００３２】次に、絶縁保護膜として機能する第２絶縁
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
【００３３】次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜１２
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
【００３４】最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
【００３５】以上のような方法により、薄膜トランジス
タアレイ基板が完成する。
タアレイ基板が完成する。
【００３６】次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備され、さ
らに対向透明電極２３上に対向絶縁膜２４として無機物
の絶縁膜が積層された構成である。前記薄膜トランジス
タアレイ基板および対向基板に配向膜（図示せず）を塗
布してラビング処理を行った後、４μｍのギャップを形
成して貼り合わせる。その後、両基板間に誘電率異方性
が正の液晶を注入し、さらに対向基板の外側の面（光の
入射面）に偏光位相差板を配置して、反射型液晶表示装
置を作製する。
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備され、さ
らに対向透明電極２３上に対向絶縁膜２４として無機物
の絶縁膜が積層された構成である。前記薄膜トランジス
タアレイ基板および対向基板に配向膜（図示せず）を塗
布してラビング処理を行った後、４μｍのギャップを形
成して貼り合わせる。その後、両基板間に誘電率異方性
が正の液晶を注入し、さらに対向基板の外側の面（光の
入射面）に偏光位相差板を配置して、反射型液晶表示装
置を作製する。
【００３７】その後、前記反射型液晶表示装置の対向透
明電極２３の電位を最適調整してフリッカーを最小（発
生しない状態）にする。
明電極２３の電位を最適調整してフリッカーを最小（発
生しない状態）にする。
【００３８】以上のような構成の本実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリ
ッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整が
不要であった。これは、対向透明電極２３と配向膜との
間に対向絶縁膜２４が配置されたため、対向透明電極２
３と配向膜との接触界面における電子の授受が対向絶縁
膜２４によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに
光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることによ
り、セル内部のＤＣ成分変化が抑制されるためである。
このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によ
るフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させる
ことができる。
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリ
ッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整が
不要であった。これは、対向透明電極２３と配向膜との
間に対向絶縁膜２４が配置されたため、対向透明電極２
３と配向膜との接触界面における電子の授受が対向絶縁
膜２４によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに
光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることによ
り、セル内部のＤＣ成分変化が抑制されるためである。
このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によ
るフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させる
ことができる。
【００３９】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
ついて、図２を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１または２で説明した構成と同一の構成につい
ては同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
ついて、図２を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１または２で説明した構成と同一の構成につい
ては同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
【００４０】図２（ａ）は、反射型液晶表示装置の薄膜
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図２（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図２（ａ）に示すＢ−Ｂの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図２（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図２（ａ）に示すＢ−Ｂの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
【００４１】本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において対向透
明電極２３上に積層されていた対向絶縁膜２４がなく、
反射画素電極１４上に第３絶縁膜１５として無機物の絶
縁膜が積層された構成となっている。なお、薄膜トラン
ジスタアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、およ
び対向透明電極２３の電位の調整については、実施の形
態１の場合と同じである。
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において対向透
明電極２３上に積層されていた対向絶縁膜２４がなく、
反射画素電極１４上に第３絶縁膜１５として無機物の絶
縁膜が積層された構成となっている。なお、薄膜トラン
ジスタアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、およ
び対向透明電極２３の電位の調整については、実施の形
態１の場合と同じである。
【００４２】以上のような構成の本実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリ
ッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整が
不要であった。これは、反射画素電極１４と配向膜との
間に第３絶縁膜１５が配置されたため、反射画素電極１
４と配向膜との接触界面における電子の授受が第３絶縁
膜１５によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに
光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることによ
り、セル内部のＤＣ成分変化が抑制されるためである。
このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によ
るフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させる
ことができる。
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリ
ッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整が
不要であった。これは、反射画素電極１４と配向膜との
間に第３絶縁膜１５が配置されたため、反射画素電極１
４と配向膜との接触界面における電子の授受が第３絶縁
膜１５によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに
光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることによ
り、セル内部のＤＣ成分変化が抑制されるためである。
このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によ
るフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させる
ことができる。
【００４３】なお、本実施の形態においては、第３絶縁
膜１５を反射画素電極１４よりも広く表示領域全体に形
成したが、反射画素電極１４上にのみ形成しても同様の
効果が得られる。また、第３絶縁膜１５を必ずしも反射
画素電極１４上の全面（１００％）に形成する必要もな
く、反射画素電極１４に対する第３絶縁膜１５の面積比
は、光照射によるセル内のＤＣ成分変化が抑制される程
度に設定されていればよい。
膜１５を反射画素電極１４よりも広く表示領域全体に形
成したが、反射画素電極１４上にのみ形成しても同様の
効果が得られる。また、第３絶縁膜１５を必ずしも反射
画素電極１４上の全面（１００％）に形成する必要もな
く、反射画素電極１４に対する第３絶縁膜１５の面積比
は、光照射によるセル内のＤＣ成分変化が抑制される程
度に設定されていればよい。
【００４４】（実施の形態３）本発明の実施の形態３に
ついて、図３を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１または２で説明した構成と同一の構成につい
ては同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
ついて、図３を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１または２で説明した構成と同一の構成につい
ては同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
【００４５】図３（ａ）は、反射型液晶表示装置の薄膜
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図３（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図３（ａ）に示すＣ−Ｃの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図３（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図３（ａ）に示すＣ−Ｃの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
【００４６】本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において設けら
れた対向絶縁膜２４と、実施の形態２の反射型液晶表示
装置において設けられた第３絶縁膜１５との両方が設け
られた構成である。実施の形態１，２にかかる反射型液
晶表示装置は、対向透明電極２３および反射画素電極１
４の何れか一方の電極上にのみ絶縁膜を形成する構成で
ある。しかしながら、このような構成では、他方の電極
は配向膜と接触しているため、この接触面で界面分極が
起こってしまう。従って、完全に光照射による分極変化
をなくしてセル内のＤＣ成分変化を抑制することは困難
である。
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において設けら
れた対向絶縁膜２４と、実施の形態２の反射型液晶表示
装置において設けられた第３絶縁膜１５との両方が設け
られた構成である。実施の形態１，２にかかる反射型液
晶表示装置は、対向透明電極２３および反射画素電極１
４の何れか一方の電極上にのみ絶縁膜を形成する構成で
ある。しかしながら、このような構成では、他方の電極
は配向膜と接触しているため、この接触面で界面分極が
起こってしまう。従って、完全に光照射による分極変化
をなくしてセル内のＤＣ成分変化を抑制することは困難
である。
【００４７】そこで、本実施の形態においては、対向透
明電極２３上に対向絶縁膜２４として無機物の絶縁膜
を、反射画素電極１４上に第３絶縁膜１５として無機物
の絶縁膜を積層する構成とした。なお、薄膜トランジス
タアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、および対
向透明電極２３の電位の調整については、実施の形態１
の場合と同じである。
明電極２３上に対向絶縁膜２４として無機物の絶縁膜
を、反射画素電極１４上に第３絶縁膜１５として無機物
の絶縁膜を積層する構成とした。なお、薄膜トランジス
タアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、および対
向透明電極２３の電位の調整については、実施の形態１
の場合と同じである。
【００４８】以上のような構成の本実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところ、実
施の形態１および２の反射型液晶表示装置と比較してフ
リッカーの発生をより確実に抑制でき、対向透明電極２
３の電位の再調整が不要であった。これは、反射画素電
極１４および対向透明電極２３と配向膜との間に絶縁膜
が配置されることにより、電極金属と配向膜との接触界
面で電子の授受が絶縁膜によって抑制されて界面分極が
発生せず、セル内部のＤＣ成分が重畳しないためであ
り、さらに、光照射を行った場合のセル内部におけるＤ
Ｃ成分変化も生じないためである。
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところ、実
施の形態１および２の反射型液晶表示装置と比較してフ
リッカーの発生をより確実に抑制でき、対向透明電極２
３の電位の再調整が不要であった。これは、反射画素電
極１４および対向透明電極２３と配向膜との間に絶縁膜
が配置されることにより、電極金属と配向膜との接触界
面で電子の授受が絶縁膜によって抑制されて界面分極が
発生せず、セル内部のＤＣ成分が重畳しないためであ
り、さらに、光照射を行った場合のセル内部におけるＤ
Ｃ成分変化も生じないためである。
【００４９】また、本実施の形態１〜３で説明した反射
型液晶表示装置を携帯端末機器に対して用いることによ
り、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を実
現することができる。
型液晶表示装置を携帯端末機器に対して用いることによ
り、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を実
現することができる。
【００５０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の反射型
液晶表示装置によれば、光照射によるフリッカーの発生
が抑制された画像品質の良好な反射型液晶表示装置を提
供することができる。
液晶表示装置によれば、光照射によるフリッカーの発生
が抑制された画像品質の良好な反射型液晶表示装置を提
供することができる。
【図１】 （ａ）は実施の形態１の反射型液晶表示装置
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
【図２】 （ａ）は実施の形態２の反射型液晶表示装置
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
【図３】 （ａ）は実施の形態３の反射型液晶表示装置
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
【図４】 （ａ）は従来の反射型液晶表示装置を構成す
る薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図で
あり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの
断面図である。
る薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図で
あり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの
断面図である。
【図５】 （ａ）および（ｂ）は液晶表示装置に印加さ
れる駆動電圧の波形図である。
れる駆動電圧の波形図である。
１ ガラス基板 ２ 信号配線 ３ ＴＦＴ ４ 第１絶縁体層 ５ 半導体層 ６ ｎ+半導体層 ７ 信号配線（ソース電極） ８ ドレイン電極 ９ 付加容量電極 １０ 第２絶縁体層 １１ コンタクトホール １２ 平坦化膜 １３ コンタクトホール １４ 反射画素電極 １５ 第３絶縁膜 ２１ ガラス基板 ２２ カラーフィルタ ２３ 対向透明電極 ２４ 対向絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB08 GA03 GA07 GA13 GA16 LA16 2H092 JA24 JA46 JB56 JB57 JB58 KA18 KB13 KB25 MA13 NA01 NA21
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線および走査配線、前記両配線の各交差部に配置されて
前記両配線に接続されたスイッチング素子、および前記
スイッチング素子を介して前記両配線に接続された反射
画素電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向
して配置された、対向透明電極を有する対向基板とを備
えた反射型液晶表示装置において、 対向透明電極および反射画素電極の少なくとも何れか一
方上に絶縁膜が配置されていることを特徴とする反射型
液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記対向透明電極上および前記反射画素
電極上の両方に、前記絶縁膜が配置されていることを特
徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記絶縁膜が無機物であることを特徴と
する請求項１または２に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れか一項に記載の反射
型液晶表示装置を備えたことを特徴とする携帯端末機
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169998A JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169998A JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002365663A true JP2002365663A (ja) | 2002-12-18 |
| JP3830774B2 JP3830774B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=19011995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001169998A Expired - Fee Related JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3830774B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011133603A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169998A patent/JP3830774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011133603A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
| US8848143B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-09-30 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3830774B2 (ja) | 2006-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7061565B2 (en) | Array substrate having double-layered metal patterns and method of fabricating the same | |
| WO2017166341A1 (zh) | Tft基板的制作方法及制得的tft基板 | |
| JP2001013520A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| US20060289867A1 (en) | Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof | |
| KR100287666B1 (ko) | 액티브매트릭스기판 | |
| WO2013155830A1 (zh) | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置 | |
| US20060273316A1 (en) | Array substrate having enhanced aperture ratio, method of manufacturing the same and display apparatus having the same | |
| JP3053848B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| US9564459B2 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing liquid crystal display panel | |
| JP3454340B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2002365664A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JP2000214481A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3145931B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| TW200407643A (en) | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same | |
| TW594160B (en) | Reflective electrooptic device and electronic apparatus | |
| JP4361707B2 (ja) | 薄膜トランジスタの液晶表示装置 | |
| JPH028821A (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
| US20030122977A1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
| JP4154880B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 | |
| US20020168788A1 (en) | Method of fabricating a thin film transistor liquid crystal display | |
| JP3830774B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 | |
| JP4427842B2 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
| US6838699B2 (en) | Electro-optical device with undercut-reducing thin film pattern and reticle | |
| US10558102B2 (en) | Method for forming liquid crystal display panel and liquid crystal display panel | |
| JPH10268346A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040218 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040227 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040416 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060612 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060712 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |