JP2014206704A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】データ線に付加容量を設けた場合でも、付加容量の静電破壊を抑制することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００では、複数のデータ線６ａのうち、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、および定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcomからの抵抗が大きい第１データ線６ａ1では、定電位線ＬＶcomとの間に付加容量５６が設けられている。これに対して、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、および定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcomからの抵抗が小さい第２データ線６ａ2および第３データ線６ａ3では、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７が設けられている。【選択図】図４

Description

本発明は、データ線に付加容量が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
液晶装置等の電気光学装置では、図１２に示すように、第１方向（Ｙ方向）に沿って延在する複数のデータ線６ａが設けられ、各データ線６ａの延在方向に沿って複数の画素１００ａが設けられている。データ線６ａには、サンプリング回路１０３のサンプリングスイッチ１０８を介して画像信号線ＬＶＩＤが電気的に接続されており、画像信号線ＬＶＩＤを介して供給された画像信号は、サンプリング回路１０３を介して所定のタイミングでデータ線６ａに供給される。かかる画像信号の供給方法としては、例えば、データ線６ａの１本１本に画像信号を逐次供給する方法や、画像信号をシリアル−パラレル変換して互いに隣接するデータ線６ａの何本かに対して、グループＧ１、Ｇ２、Ｇ３・・毎に同時に画像信号を供給する方法がある。
このように駆動される電気光学装置では、データ線６ａに書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示ムラが発生してしまうという技術的問題点がある。すなわち、グループＧ１、Ｇ２、Ｇ３・・毎に同時に画像信号を供給する方法が採られる場合、隣り合う二つのグループの境目では、データ線６ａに略沿った形で、画像上に表示ムラが現れるという不具合がある。そこで、データ線６ａと定電位線ＬＶcomとの間に付加容量５６を設け、画像信号電位のプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示ムラの発生を防止する技術が提案されている（特許文献１〜４参照）。
特開２００４−１２５８８７号公報 特開２００８−８９４２号公報 特開２００８−１１１９２４号公報 特開２０１１−２３７７７６号公報
電気光学装置の製造工程の途中では、静電気が画像信号線ＬＶＩＤの接続端子ＴＶＩＤから侵入する場合があり、この場合、接続端子ＴＶＩＤからデータ線６ａに静電気が侵入して、付加容量５６が静電破壊する可能性がある。また、静電気が定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcomから侵入する場合もあり、この場合、接続端子ＴＶcomから定電位線ＬＶcomを経てデータ線６ａに侵入しようとする静電気によって付加容量５６が静電破壊する可能性がある。特に、画素１００ａに保持容量を構成するのに用いた薄い誘電体膜を用いて付加容量５６の静電容量を大きくした場合、付加容量５６が静電破壊しやすい。その結果、付加容量５６が短絡し、それ以降、付加容量５６として機能しなくなる。また、複数のデータ線６ａのうち、例えば、グループＧ１に属するデータ線６ａが表示領域１０ａの外側に配置されている場合でも、グループＧ１に属するデータ線６ａに設けられている付加容量５６が短絡すると、以降、画像信号線ＬＶＩＤから定電位線ＬＶcomへの電流の漏れが発生し、消費電力が増大してしまう。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、データ線に付加容量を設けた場合でも、付加容量の静電破壊を抑制することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１方向に沿って延在する第１データ線と、前記第１方向に沿って延在する第２データ線と、前記第１データ線に接続された第１サンプリングスイッチと、該第１サンプリングスイッチを介して前記第１データ線に電気的に接続された画像信号線と、前記第１データ線に電気的に接続された第１容量電極、および該第１容量電極に誘電体膜を介して対向し、第１定電位線に電気的に接続された第２容量電極を備えた第１付加容量と、前記第２データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第２サンプリングスイッチと、前記第２データ線に一端が電気的に接続され、前記第２定電位線に他端が電気的に接続された第１静電保護素子と、前記画像信号線に電気的に接続された第１接続端子と、を有し、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第２サンプリングスイッチとの間の抵抗が、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第１サンプリングスイッチとの間の抵抗より小さいことを特徴とする。
本発明では、第１接続端子からの抵抗が大きい第１データ線は、第１接続端子から静電気が侵入しにくいので、定電位線との間に第１付加容量が設けられている一方、第１接続端子からの抵抗が小さい第２データ線は、第１接続端子から静電気が侵入しやすいので、定電位線との間に第１静電保護素子が設けられている。このため、第１付加容量が静電破壊によって短絡するという問題の発生を抑制することができる。
本発明では、前記第１方向に沿って延在する第３データ線と、前記第３データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第３サンプリングスイッチと、前記第３データ線に一端が電気的に接続され、第３定電位線に他端が電気的に接続された第２静電保護素子と、前記第１定電位線に電気的に接続された第２接続端子と、前記第３定電位線に電気的に接続された第３接続端子と、を有し、前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さいことが好ましい。かかる構成では、第２接続端子からの抵抗が大きい第１データ線は、第２接続端子から静電気が侵入しにくいので、第１定電位線との間に第１付加容量が設けられている一方、第３接続端子からの抵抗が小さい第３データ線は、第３接続端子から静電気が侵入しやすいので、第３定電位線との間に第２静電保護素子が設けられている。このため、第１付加容量が静電破壊によって短絡するという問題の発生を抑制することができる。
また、本発明の別の形態に係る電気光学装置は、第１方向に沿って延在する第１データ線と、前記第１方向に沿って延在する第３データ線と、前記第１データ線に接続された第１サンプリングスイッチと、該第１サンプリングスイッチを介して前記第１データ線に電気的に接続された画像信号線と、前記第１データ線に電気的に接続された第１容量電極、および該第１容量電極に誘電体膜を介して対向し、第１定電位線に電気的に接続された第２容量電極を備えた第１付加容量と、前記第３データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第３サンプリングスイッチと、前記第３データ線に一端が電気的に接続され、第３定電位線に他端が電気的に接続された第２静電保護素子と、前記第１定電位線に電気的に接続された第２接続端子と、前記第３定電位線に電気的に接続された第３接続端子と、を有し、前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さいことを特徴とする。
本発明では、第２接続端子からの抵抗が大きい第１データ線は、第２接続端子から静電気が侵入しにくいので、第１定電位線との間に第１付加容量が設けられている一方、第３接続端子からの抵抗が小さい第３データ線は、第３接続端子から静電気が侵入しやすいので、第３定電位線との間に静電保護素子が設けられている。このため、第１付加容量が静電破壊によって短絡するという問題の発生を抑制することができる。
本発明において、表示領域に形成された第１画素電極と、前記第１画素電極および前記第１データ線と電気的に接続された第１画素スイッチング素子と、前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に形成された第２画素電極と、前記第２画素電極および前記第２データ線と電気的に接続された第２画素スイッチング素子と、を含む構成を採用することができる。かかる構成によれば、表示領域に形成された第１画素電極に電気的に接続するデータ線が、第１付加容量が設けられた第１データ線として構成されている。従って、電位のプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示ムラが発生しにくい。
この場合、前記第２画素電極は、前記表示領域と前記第２方向で隣り合う構成を採用することができる。
本発明において、表示領域に形成された第１画素電極と、前記第１画素電極および前記第１データ線と電気的に接続された第１画素スイッチング素子と、前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に形成された第３画素電極と、前記第３画素電極および前記第３データ線と電気的に接続された第３画素スイッチング素子と、を含む構成を採用することができる。かかる構成によれば、表示領域に形成された第１画素電極に電気的に接続するデータ線が、第１付加容量が設けられた第１データ線として構成されている。従って、電位のプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示ムラが発生しにくい。
この場合、前記第３画素電極は、前記表示領域と前記第２方向で隣り合う構成を採用することができる。
本発明において、前記第２方向で前記表示領域と前記第２画素電極との間に形成された第４画素電極と、前記第１データ線と前記第２データ線との間で前記第１方向に沿って延在する第４データ線と、前記第４画素電極および前記第４データ線と電気的に接続された第４画素スイッチング素子と、前記第４データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第４サンプリングスイッチと、前記第４データ線に電気的に接続された第３容量電極、および該第３容量電極に第２誘電体膜を介して対向し、前記第１定電位線に電気的に接続された第４容量電極を備えた第２付加容量と、を含み、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第４サンプリングスイッチとの間の抵抗が、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第１サンプリングスイッチとの間の抵抗より小さく、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第２サンプリングスイッチとの間の抵抗より大きい構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第２方向では、表示領域と第２データ線との間で第１方向に沿って延在する第４データ線に第２付加容量が設けられた構成となる。
本発明において、前記第２方向で前記表示領域と前記第３画素電極との間に形成された第５画素電極と、前記第１データ線と前記第３データ線との間で前記第１方向に沿って延在する第５データ線と、前記第５画素電極および前記第５データ線と電気的に接続された第５画素スイッチング素子と、前記第５データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第５サンプリングスイッチと、前記第５データ線に電気的に接続された第５容量電極、および該第５容量電極に第３誘電体膜を介して対向し、前記第３定電位線に電気的に接続された第６容量電極を備えた第３付加容量と、を含み、前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第６容量電極との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さく、前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗より大きい構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第２方向では、表示領域と第３データ線との間で第１方向に沿って延在する第５データ線に第２付加容量が設けられた構成となる。
本発明において、前記第１定電位線と前記第２定電位線とは、同一の定電位線である構成を採用することができる。
本発明において、前記第１定電位線と前記第３定電位線とは、同一の定電位線であり、前記第２接続端子と前記第３接続端子とは、同一の接続端子である構成を採用することができる。
本発明において、前記第１静電保護素子は、抵抗素子である構成を採用することができる。抵抗素子であれば、静電気によって断線状態となるため、それ以降、電流の漏れ等が発生しない。
本発明において、前記第２静電保護素子は、抵抗素子である構成を採用することができる。抵抗素子であれば、静電気によって断線状態となるため、それ以降、電流の漏れ等が発生しない。
この場合、前記抵抗素子は、前記第１サンプリングスイッチの能動層と同層に形成された半導体層により構成されていることが好ましい。かかる構成であれば、抵抗素子用の膜を新たに追加する必要がない。
本発明において、前記定電位線として、第１定電位が供給される第１定電位供給線と、前記第１定電位より低い第２定電位が供給される第２定電位供給線と、前記第１定電位と前記第２定電位との間の第３電位が供給される第３定電位供給線と、が設けられ、前記第２容量電極は、前記第３定電位供給線に電気的に接続し、前記第１静電保護素子は、アノードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、カソードが前記他端として前記第１定電位供給線に電気的に接続された第１ダイオード素子と、カソードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、アノードが前記他端として前記第２定電位供給線に電気的に接続された第２ダイオード素子と、を有している構成を採用することができる。かかる構成によれば、静電保護素子を介して静電気を逃がすことができる。
本発明において、前記定電位線として、第１定電位が供給される第１定電位供給線と、前記第１定電位より低い第２定電位が供給される第２定電位供給線と、前記第１定電位と前記第２定電位との間の第３電位が供給される第３定電位供給線と、が設けられ、前記第２容量電極は、前記第３定電位供給線に電気的に接続し、前記第２静電保護素子は、アノードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、カソードが前記他端として前記第１定電位供給線に電気的に接続された第１ダイオード素子と、カソードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、アノードが前記他端として前記第２定電位供給線に電気的に接続された第２ダイオード素子と、を有している構成を採用することができる。かかる構成によれば、静電保護素子を介して静電気を逃がすことができる。
本発明において、前記第１ダイオード素子および前記第２ダイオード素子は、前記第１サンプリングスイッチの能動層と同層に形成された半導体層を備えたトランジスターをダイオード接続してなることが好ましい。かかる構成によれば、ダイオード素子用の膜を新たに追加する必要がない。
本発明において、前記第１定電位線および前記第２定電位線は、前記第１データ線および前記第２データ線との間に絶縁膜を介して前記第１データ線および前記第２データ線と交差しており、前記第１定電位線および前記第２定電位線は、前記第２データ線と平面視で重なる部分の幅が前記第１データ線と平面視で重なる部分の幅より狭いことが好ましい。かかる構成によれば、第２定電位線と第２データ線との間に静電容量が大きな容量が発生することを防止することができる。
本発明において、前記第１定電位線および前記第３定電位線は、前記第１データ線および前記第３データ線との間に絶縁膜を介して前記第１データ線および前記第２データ線と交差しており、前記第１定電位線および前記第３定電位線は、前記第３データ線と平面視で重なる部分の幅が前記第１データ線と平面視で重なる部分の幅より狭いことが好ましい。かかる構成によれば、第２定電位線と第２データ線との間に静電容量が大きな容量が発生することを防止することができる。
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の付加容量および静電気対策を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に構成した付加容量および静電保護素子（抵抗素子）の構成例１の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に構成した付加容量および静電保護素子（抵抗素子）の構成例２の説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の付加容量および静電気対策を示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の説明図である。 本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。 従来の電気光学装置の説明図である。
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。また、素子基板１０の面内方向で交差する２方向をＹ方向（第１方向）とＸ方向（第２方向）とし、Ｙ方向の一方側をＹ１側とし、Ｙ方向の他方側をＹ２とし、Ｘ方向の一方側をＸ１側とし、Ｘ方向の他方側をＸ２として説明する。
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１７によって貼り合わされており、シール材１７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１７によって囲まれた領域内には、電気光学層５０（液晶層）が設けられている。シール材１７には、液晶注入口１７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１７ｄによって封止されている。
液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの縁から素子基板１０の縁までは四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ方向の一方側Ｙ１に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の接続端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、接続端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素スイッチング素子３０等がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１７とに挟まれた四角枠状のダミー領域１０ｂ（周辺領域）にも画素電極９ａが形成されている。
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、定電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から定電位Ｖcomが印加されている。シール材１７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、図２では、表示領域１０ａに対してＹ方向に形成されたダミー領域１０ｂについては画素１００ａの図示を省略してある。また、以下の説明において、接続端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号や電位に対応する配線については、「Ｌ」の後に信号や電位を示すアルファベット記号を付与して説明する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対応する配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、接続端子１０２に関しては、「Ｔ」の後に信号や電位を示すアルファベット記号を付与して説明する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対応する接続端子１０２については「接続端子ＴＣＬＸ」とする。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられている。画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が表示領域１０ａであり、表示領域１０ａの外側がダミー領域１０ｂである。
素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｙ方向（第１方向）に沿って延在する複数本のデータ線６ａと、Ｘ方向（第２方向）に沿って延在する複数本の走査線３ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等のトランジスターからなる画素スイッチング素子３０、および画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、接続端子１０２等が構成されており、接続端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は、複数本のデータ線６ａにＹ方向の一方側Ｙ１で電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａにＸ方向で電気的に接続している。なお、画素電極配列領域１０ｐの外側のうち、Ｙ方向においてデータ線駆動回路１０１等が構成されている他方側Ｙ２とは反対側には検査回路１０７が形成されている。
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って容量線５ａが形成され、かかる容量線５ａには、共通電極２１に印加される共通電位と同一の定電位Ｖcomが印加されている。なお、容量線５ａは、走査線３ａに沿ってＸ方向に沿って延在している構成、およびデータ線６ａに沿ってＹ方向に沿って延在している構成のいずれを採用してもよい。
接続端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の接続端子群により構成されている。具体的には、複数の接続端子１０２は、定電位線ＬＶcom用として接続端子ＴＶcomを含み、走査線駆動回路１０４用として接続端子ＴＳＰＹ、接続端子ＴＶＳＳＹ、接続端子ＴＶＤＤＹ、接続端子ＴＣＬＹ、および接続端子ＴＣＬＹINVを含んでいる。また、複数の接続端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を含み、データ線駆動回路１０１用として、接続端子ＴＶＳＳＸ、接続端子ＴＳＰＸ、接続端子ＴＶＤＤＸ、接続端子ＴＣＬＸ、接続端子ＴＣＬＸINV、接続端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および接続端子ＴＶＳＳＸを含んでいる。
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスター回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスター回路１０１ｃは、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスター回路１０１ｃは、接続端子１０２（接続端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスター回路１０１ｃから出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスター回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスター回路１０１ｃより出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における電位の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。
サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのサンプリングスイッチ１０８を複数備えて構成されている。本形態において、サンプリングスイッチ１０８は、ＴＦＴ等のトランジスターからなる。サンプリングスイッチ１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、サンプリングスイッチ１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続され、サンプリングスイッチ１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１０９が接続されている。そして、接続端子１０２（接続端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１０９を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスター回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（配線ＬＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスター回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、接続端子１０２（接続端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（定電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、接続端子１０２（接続端子ＴＶcom）および配線１０５（定電位線ＬＶcom）を介して定電位Ｖcomが供給される。
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、素子基板１０に形成されている膜等を説明する際、上層側とは基板本体１０ｗとは反対側（電気光学層５０の側）を意味し、下層側とは基板本体１０ｗの側（電気光学層５０とは反対側）を意味する。また、対向基板２０に形成されている膜等を説明する際、上層側とは基板本体２０ｗとは反対側（電気光学層５０の側）を意味し、下層側とは基板本体２０ｗの側（電気光学層５０とは反対側）を意味する。
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に沿って延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に沿って延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには定電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの電気光学層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素スイッチング素子３０、および配向膜１６等が構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの電気光学層５０側の基板面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６等が構成されている。
より具体的には、素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする。
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に沿って延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４３の表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜４４を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４４の表面は平坦化されている。
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
なお、図１等に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に用いられているスイッチング素子や、図２に示すサンプリングスイッチ１０８は、画素スイッチング素子３０と略同様な構成を有している。
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の電気光学層５０側の面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
（第１データ線６ａ1の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の付加容量５６および静電気対策を示す説明図である。
以下に説明するように、本形態の電気光学装置１００では、複数のデータ線６ａが第１データ線６ａ1、第２データ線６ａ2または第３データ線６ａ3として形成されており、第１データ線６ａ1、第２データ線６ａ2または第３データ線６ａ3は、付加容量５６または静電保護素子５７を介して定電位線に接続されている。
また、第１データ線６ａ1に付加容量５６（第１付加容量５６ａ）を介して接続する定電位線が本発明における「第１定電位線」であり、第２データ線６ａ2に第１静電保護素子５７ａを介して接続する定電位線が本発明における「第２定電位線」であり、第３データ線６ａ3に第２静電保護素子５７ｂを介して接続する定電位線が本発明における「第３定電位線」である。
また、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６に接続する接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、本発明における「第１接続端子」である。第１データ線６ａ1に付加容量５６（第１付加容量５６ａ）を介して接続する定電位線（第１定電位線）に接続する接続端子が本発明における「第２接続端子」であり、第３データ線６ａ3に静電保護素子５７（第２静電保護素子５７ｂ）を介して接続する定電位線（第３定電位線）に接続する接続端子が本発明における「第３接続端子」である。
本形態では、第１定電位線、第２定電位線および第３定電位線は、共通の定電位線ＬＶcomとして構成されている。このため、第１定電位線に接続する第２接続端子、第３定電位線に接続する第３接続端子、および第２定電位線に接続する接続端子は、共通の接続端子ＴＶcomとして構成されている。
また、本形態では、第２データ線６ａ2に接続する第１静電保護素子５７ａ、および第３データ線６ａ3に接続する第２静電保護素子５７ｂは、同一構成の静電保護素子５７として構成されている。
また、サンプリングスイッチ１０８のうち、第１データ線６ａ1に接続するサンプリングスイッチ１０８が本発明における「第１サンプリングスイッチ」であり、第２データ線６ａ2に接続するサンプリングスイッチ１０８が本発明における「第２サンプリングスイッチ」であり、第３データ線６ａ3に接続するサンプリングスイッチ１０８が本発明における「第３サンプリングスイッチ」である。
図２および図４に示すように、本形態では、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６が計６本形成されており、画像信号用の接続端子１０２（接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子））が６つ形成されている。それ故、６本で１グループのデータ線６ａに対してグループＧ１、Ｇ２・・Ｇｍ毎に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給される。ここで、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６は、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から延在し、表示領域１０ａとデータ線駆動回路１０１との間でＸ方向の一方側Ｘ１から他方側Ｘ２に延在している。また、定電位線ＬＶcomは、接続端子ＴＶcom（第２接続端子および第３接続端子）から延在し、表示領域１０ａと検査回路１０７との間でＸ方向の他方側Ｘ２から一方側Ｘ１に延在している。
複数のデータ線６ａのうち、一部の複数のデータ線６ａは、第１データ線６ａ1として、表示領域１０ａに形成された画素電極９ａ（第１画素電極９ａ1）に画素スイッチング素子３０（第１画素スイッチング素子）を介して接続されている。他の一部の複数のデータ線６ａは、第２データ線６ａ2として、表示領域１０ａよりＸ方向の一方側Ｘ１に位置するダミー領域１０ｂに形成された画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2）に画素スイッチング素子３０（第２画素スイッチング素子）を介して接続されている。また、他の一部の複数のデータ線６ａは、第３データ線６ａ3として、表示領域１０ａよりＸ方向の他方側Ｘ２に位置するダミー領域１０ｂに形成された画素電極９ａ（第３画素電極９ａ3）に画素スイッチング素子３０（第３画素スイッチング素子）を介して接続されている。具体的には、グループＧ１、Ｇ２・・Ｇｍのうち、Ｘ方向の一方側Ｘ１に位置するグループＧ１の６本のデータ線６ａが第２データ線６ａ2として構成され、Ｘ方向の他方側Ｘ２に位置するグループＧｍの６本のデータ線６ａが第３データ線６ａ3として構成され、他のグループ（グループＧ２・・Ｇｍ−１）のデータ線６ａが第１データ線６ａ1として構成されている。
電気光学装置１００では、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎのプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示品位の低下を緩和する必要があるとともに、静電気破壊を抑制する必要がある。
そこで、本形態では、複数のデータ線６ａのうち、表示領域１０ａに位置する画素電極９ａ（第１画素電極９ａ1）に画像信号を供給するデータ線６ａ（第１データ線６ａ１）には、付加容量５６（第１付加容量５６ａ）が電気的に接続されている。付加容量５６は、平面視で、表示領域１０ａと検査回路１０７との間に配置され、電気的には、第１データ線６ａ１と定電位線ＬＶcomとの間に接続されている。
本形態では、第１データ線６ａ1に電気的に接続された第１容量電極５６１と、定電位線ＬＶcomに電気的に接続された第２容量電極５６２とが対向するように設けられ、第１容量電極５６１と第２容量電極５６２との間には誘電体膜５６３が設けられている。従って、第１容量電極５６１と第２容量電極５６２とが対向し、かつ、第１容量電極５６１と第２容量電極５６２との間に誘電体膜５６３が挟まれている領域が付加容量５６として機能する。
（静電気対策の第１構成）
また、本形態では、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から侵入する静電気対策として、以下の第１構成が採用されている。かかる第１構成では、図２および図４に示すように、表示領域１０ａに対してＸ方向の一方側Ｘ１のダミー領域１０ｂに形成されている画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2）に画像信号を供給するグループＧ１のデータ線６ａ（画像信号Ｓ１〜Ｓ６に対応するデータ線６ａ）は、付加容量５６が設けられておらず、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７（第１静電保護素子５７ａ）が設けられた第２データ線６ａ2として構成されている。かかる静電保護素子５７は、第２データ線６ａ2に一端５７１が電気的に接続し、定電位線ＬＶcomに他端５７２が電気的に接続されている。本形態では、静電保護素子５７として抵抗素子５８が用いられている。
従って、複数の画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうち、同一の画像信号線に対応するデータ線６ａ同士を比較すると、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）からの抵抗が大きいデータ線６ａは第１データ線６ａ1として構成され、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）からの抵抗が小さいデータ線６ａは第２データ線６ａ2として構成されている。本形態では、複数の画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６は、導電材料および配線幅が同一であるため、同一の画像信号線に対応するデータ６ａ同士を比較すると、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から第２データ線６ａ2に接続されたサンプリングスイッチまでの画像信号線の配線長さは、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から第１データ線６ａ1への配線距離よりも短くなっている。
それ故、同一の画像信号線に対応するデータ６ａ同士を比較すると、第２データ線６ａ2と画像信号線とを電気的に接続するサンプリングスイッチ１０８（第２サンプリングスイッチ１０８ｂ）と接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６との間の画像信号線の抵抗は、第１データ線６ａ1と画像信号線とを電気的に接続するサンプリングスイッチ１０８（第１サンプリングスイッチ１０８ａ）と接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６との間の画像信号線の抵抗よりも小さくなっている。
例えば、画像信号線ＬＶＩＤ１に対応する第２データ線６ａ2（画像信号Ｓ１に対応するデータ線６ａ）と、同じく画像信号線ＬＶＩＤ１に対応する第１データ線６ａ2（画像信号Ｓ７、Ｓ１３・・に対応するデータ線６ａ）とを比較すると、第２データ線６ａ2に対応する第２サンプリングスイッチ１０８ｂと接続端子ＴＶＩＤ１との間の抵抗は、第１データ線６ａ1に対応する第１サンプリングスイッチ１０８ａと接続端子ＴＶＩＤ１との間の抵抗より小さい。また、画像信号線ＬＶ２Ｄ１に対応する第２データ線６ａ2（画像信号Ｓ２に対応するデータ線６ａ）と、同じく画像信号線ＬＶＩＤ２に対応する第１データ線６ａ2（画像信号Ｓ８、Ｓ１４・・に対応するデータ線６ａ）とを比較すると、第２データ線６ａ2に対応する第２サンプリングスイッチ１０８ｂと接続端子ＴＶＩＤ１との間の抵抗は、第１データ線６ａ1に対応する第１サンプリングスイッチ１０８ａと接続端子ＴＶＩＤ１との間の抵抗より小さい。その他の画像信号線ＬＶＩＤ３〜ＬＶＩＤ６に対応する第１データ線６ａ1や第２データ線６ａ2でも同様な関係になっている。
本形態では、表示領域１０ａに対してＸ方向の一方側Ｘ１に位置する画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2）に画像信号を供給するデータ線６ａの全部が第２データ線６ａ2になっている。このため、第２データ線６ａ2から画像信号が供給される画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2）は、表示領域１０ａとＸ方向で隣り合っている。
（静電気対策の第２構成）
また、本形態では、定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcomから侵入する静電気対策として、以下の第２構成が採用されている。かかる第２構成では、図２に示すように、表示領域１０ａに対してＸ方向の他方側Ｘ２のダミー領域１０ｂに形成されている画素電極９ａ（第３画素電極９ａ3）に画像信号を供給するグループＧｍのデータ線６ａ（画像信号Ｓｎ−１〜Ｓｎに対応するデータ線６ａ）は、付加容量５６が設けられておらず、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７（第２静電保護素子５７ｂ）が設けられた第３データ線６ａ3として構成されている。かかる静電保護素子５７は、第２データ線６ａ2に一端５７１が電気的に接続し、定電位線ＬＶcomに他端５７２が電気的に接続されている。本形態では、静電保護素子５７として抵抗素子５８が用いられている。
従って、複数の画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうち、同一の画像信号線に対応するデータ線６ａ同士を比較すると、接続端子ＴＶcom（第２接続端子）からの抵抗が大きいデータ線６ａは第１データ線６ａ1として構成され、接続端子ＴＶcomからの抵抗が小さいデータ線６ａは第３データ線６ａ3として構成されている。換言すれば、同一の画像信号線に対応するデータ６ａ同士を比較すると、接続端子ＴＶcomから第３データ線６ａ3への配線距離は、接続端子ＴＶcomから第１データ線６ａ1への配線距離よりも短くなっている。
それ故、複数の画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうち、同一の画像信号線に対応するデータ６ａ同士を比較すると、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと静電保護素子５７の他端５７２との間の抵抗は、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第２容量電極５６２との間の抵抗より小さくなっている。
例えば、画像信号線ＬＶＩＤ１に対応する第３データ線６ａ3（画像信号Ｓｎ−５に対応するデータ線６ａ）と、同じく画像信号線ＬＶＩＤ１に対応する第１データ線６ａ1（画像信号Ｓ７、Ｓ１３・・に対応するデータ線６ａ）とを比較すると、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと静電保護素子５７の他端５７２との間の抵抗は、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第２容量電極５６２との間の抵抗より小さい。また、画像信号線ＬＶＩＤ２に対応する第３データ線６ａ3（画像信号Ｓｎ−４に対応するデータ線６ａ）と、同じく画像信号線ＬＶＩＤ１に対応する第１データ線６ａ1（画像信号Ｓ８、Ｓ１４・・に対応するデータ線６ａ）とを比較すると、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと静電保護素子５７の他端５７２との間の抵抗は、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第２容量電極５６２との間の抵抗より小さい。その他の画像信号線ＬＶＩＤ３〜ＬＶＩＤ６に対応する第１データ線６ａ1や第２データ線６ａ2でも同様な関係になっている。
本形態では、表示領域１０ａに対してＸ方向の他方側Ｘ２に位置する画素電極９ａ（第３画素電極９ａ3）に画像信号を供給するデータ線６ａの全部が第３データ線６ａ3になっている。このため、第３データ線６ａ3から画像信号が供給される画素電極９ａ（第３画素電極９ａ3）は、表示領域１０ａとＸ方向で隣り合っている。
（付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）の構成例１）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に構成した付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）の構成例１の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、付加容量５６等の平面図、Ａ１−Ａ１′断面図、およびＡ２−Ａ２′断面図である。以下、図３（ｂ）を参照して説明した膜との対応を説明しながら、付加容量５６および静電保護素子５７等を説明する。なお、第１静電保護素子５７ａと第２静電保護素子５７ｂとは同一構成の静電保護素子５７として構成されているため、以下の説明では、第１静電保護素子５７ａを中心に説明し、第２静電保護素子５７ｂの説明を省略する。
図４を参照して説明した付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）を構成するにあたって、本例では、まず、図５に示すように、層間絶縁膜４３の上層には、図３（ｂ）に示す遮光膜８ａと同層の導電膜によって定電位線ＬＶcomが形成されており、定電位線ＬＶcomは、Ｘ方向に沿って延在して第１データ線６ａ1および第２データ線６ａ2と交差している。本形態において、定電位線ＬＶcomは、第２データ線６ａ2と重なる領域では、第１データ線６ａ1と重なる領域より幅が狭くなっている。なお、図示を省略するが、定電位線ＬＶcomは、第３データ線６ａ3と重なる領域では、第１データ線６ａ1と重なる領域より幅が狭くなっている。
また、第１データ線６ａ1は、定電位線ＬＶcomと平面視で重なる領域において、図３（ｂ）に示す半導体層１ａと同層の導電性ポリシリコン膜１ｓを経由している。具体的には、第１データ線６ａ1は、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ｄ、４２ｅを介して導電性ポリシリコン膜１ｓの両端部に電気的に接続している。また、導電性ポリシリコン膜１ｓと平面視で重なる領域には、層間絶縁膜４１の上層側に、ドレイン電極４ａと同層の導電膜４ｄからなる第１容量電極５６１と、誘電体膜４０と同層の誘電体膜５６３と、容量線５ａと同層の導電膜５ｄからなる第２容量電極５６２とが順に積層されている。第１容量電極５６１は、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｄを介して導電性ポリシリコン膜１ｓに電気的に接続し、定電位線ＬＶcomは、層間絶縁膜４２、４３を貫通するコンタクトホール４３ｄを介して第２容量電極５６２に電気的に接続している。このようにして、第１データ線６ａ1に電気的に接続された第１容量電極５６１と、定電位線ＬＶcomに電気的に接続された第２容量電極５６２とが対向し、かつ、第１容量電極５６１と第２容量電極５６２との間に誘電体膜５６３が形成されている部分によって付加容量５６が構成されている。
これに対して、第２データ線６ａ2は、他の導電膜を経由せずに層間絶縁膜４２の上層で延在している。但し、第２データ線６ａ2には、切り欠き６ｗが形成されている。また、第２データ線６ａ2と平面視で重なる領域には、途中で半導体層１ａと同層の導電性ポリシリコン膜１ｔが形成されており、かかる導電性ポリシリコン膜１ｔは、抵抗素子５８（静電保護素子５７）を構成している。ここで、第２データ線６ａ2は、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して導電性ポリシリコン膜１ｔ（抵抗素子５８）の一端５７１に電気的に接続し、定電位線ＬＶcomは、層間絶縁膜４２、４３、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４３ｇを介して導電性ポリシリコン膜１ｔ（抵抗素子５８）の他端５７２に電気的に接続している。このようにして、画素スイッチング素子３０に用いた能動層と同層の半導体膜を利用して抵抗素子５８が構成されている。
本形態において、導電性ポリシリコン膜１ｔは、幅がＷ１の幅狭部分１ｔａと、幅がＷ２の幅広部分１ｔｂとを備えており、幅狭部分１ｔａの幅Ｗ１を幅広部分１ｔｂの幅Ｗ２より狭くすることにより、導電性ポリシリコン膜１ｔによって所定の抵抗値を有する抵抗素子５８が構成されている。従って、導電性ポリシリコン膜１ｔの長さを変えなくても、幅狭部分１ｔａの幅や幅狭部分１ｔａの長さによって、抵抗素子５８の抵抗値を任意に設定することができる。なお、導電性ポリシリコン膜１ｔの一端に形成された幅広部分１ｔｂ上にはコンタクトホール４２ｆが形成され、他端に形成された幅広部分１ｔｂ上にはコンタクトホール４３ｇが形成されている。また、コンタクトホール４３ｇは、平面視で第２データ線６ａ2の切り欠き６ｗの内側に形成されている。
（付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）の構成例２）
図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に構成した付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）の構成例２の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、付加容量５６等の平面図、Ｂ１−Ｂ１′断面図、およびＢ２−Ｂ２′断面図である。以下、図３（ｂ）を参照して説明した膜との対応を説明しながら、付加容量５６および静電保護素子５７等を説明する。なお、第１静電保護素子５７ａと第２静電保護素子５７ｂとは同一構成の静電保護素子５７として構成されているため、以下の説明では、第１静電保護素子５７ａを中心に説明し、第２静電保護素子５７ｂの説明を省略する。
図４を参照して説明した付加容量５６および静電保護素子５７（抵抗素子５８）を構成するにあたって、本例では、まず、図６に示すように、層間絶縁膜４３の上層には、図３（ｂ）に示す遮光膜８ａと同層の導電膜によって定電位線ＬＶcomが形成されており、定電位線ＬＶcomは、Ｘ方向に沿って延在して第１データ線６ａ1および第２データ線６ａ2と交差している。本形態において、定電位線ＬＶcomは、第２データ線６ａ2と重なる領域では、第１データ線６ａ1と重なる領域より幅が狭くなっている。なお、図示を省略するが、定電位線ＬＶcomは、第３データ線６ａ3と重なる領域では、第１データ線６ａ1と重なる領域より幅が狭くなっている。
本例において、第１データ線６ａ1は、他の導電膜を経由せずに層間絶縁膜４２の上層で延在している。但し、第１データ線６ａ1には、切り欠き６ｕが形成されている。また、第１データ線６ａ1と平面視で重なる領域には、層間絶縁膜４１の上層側に、ドレイン電極４ａと同層の導電膜４ｅからなる第１容量電極５６１と、誘電体膜４０と同層の誘電体膜５６３と、容量線５ａと同層の導電膜５ｄからなる第２容量電極５６２とが順に積層されている。第１データ線６ａ1は、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｈを介して第１容量電極５６１に電気的に接続し、定電位線ＬＶcomは、層間絶縁膜４２、４３を貫通するコンタクトホール４３ｄを介して第２容量電極５６２に電気的に接続している。このようにして、第１データ線６ａ1に電気的に接続された第１容量電極５６１と、定電位線ＬＶcomに電気的に接続された第２容量電極５６２と、第１容量電極５６１と第２容量電極５６２との間に挟まれた誘電体膜５６３とを備えた付加容量５６が構成されている。なお、コンタクトホール４３ｄは、平面視で第１データ線６ａ1の切り欠き６ｕの内側に形成されている。
これに対して、第２データ線６ａ2は、図５を参照して説明した構成と同様、他の導電膜を経由せずに層間絶縁膜４２の上層で延在しており、切り欠き６ｗが形成されている。また、第２データ線６ａ2と平面視で重なる領域には、途中で半導体層１ａと同層の導電性ポリシリコン膜１ｔが形成されており、かかる導電性ポリシリコン膜１ｔは、細幅に形成されて抵抗素子５８（静電保護素子５７）を構成している。ここで、第２データ線６ａ2は、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して導電性ポリシリコン膜１ｔ（抵抗素子５８）の一端５７１に電気的に接続し、定電位線ＬＶcomは、層間絶縁膜４２、４３、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４３ｇを介して導電性ポリシリコン膜１ｔ（抵抗素子５８）の他端５７２に電気的に接続している。このようにして、画素スイッチング素子３０に用いた能動層と同層の半導体膜を利用して抵抗素子５８が構成されている。
本形態において、導電性ポリシリコン膜１ｔは、幅がＷ１の幅狭部分１ｔａと、幅がＷ２の幅広部分１ｔｂとを備えており、幅狭部分１ｔａの幅Ｗ１を幅広部分１ｔｂの幅Ｗ２より狭くすることにより、導電性ポリシリコン膜１ｔによって所定の抵抗値を有する抵抗素子５８が構成されている。従って、導電性ポリシリコン膜１ｔの長さを変えなくても、幅狭部分１ｔａの幅や幅狭部分１ｔａの長さによって、抵抗素子５８の抵抗値を任意に設定することができる。なお、導電性ポリシリコン膜１ｔの一端に形成された幅広部分１ｔｂ上にはコンタクトホール４２ｆが形成され、他端に形成された幅広部分１ｔｂ上にはコンタクトホール４３ｇが形成されている。また、コンタクトホール４３ｇは、平面視で第２データ線６ａ2の切り欠き６ｗの内側に形成されている。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、複数のデータ線６ａのうち、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）、および定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcom（第２接続端子）からの抵抗が大きい第１データ線６ａ1では、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６および接続端子ＴＶcomから静電気が侵入しにくいので、定電位線ＬＶcomとの間に付加容量５６（第１付加容量５６ａ）が設けられている。これに対して、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）、からの抵抗が小さい第２データ線６ａ2では、接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から静電気が侵入しやすいので、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７（第１静電保護素子５７ａ）が設けられている。また、定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcom（第２接続端子）からの抵抗が小さい第３データ線６ａ3では、接続端子ＴＶcomから静電気が侵入しやすいので、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７（第２静電保護素子５７ｂ）が設けられている。このため、付加容量５６が静電破壊によって短絡するという問題の発生を抑制することができる。
また、本形態では、静電保護素子５７として抵抗素子５８が用いられており、かかる抵抗素子５８であれば、静電気によって断線状態となる。このため、それ以降、電流の漏れ等が発生しない。
また、抵抗素子５８は、画素スイッチング素子３０やサンプリングスイッチ１０８（第１サンプリングスイッチ１０８ａおよび第２サンプリングスイッチ１０８ｂ）の能動層と同層に形成された半導体層（導電性ポリシリコン膜１ｔ）により構成されているため、抵抗素子５８を形成する場合でも、抵抗用の膜を新たに追加する必要がない。
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図である。図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の付加容量５６および静電気対策を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
実施の形態１では、表示領域１０ａと検査回路１０７との間（表示領域１０ａに対してＹ方向の他方側Ｙ２）に付加容量５６や静電保護素子５７（抵抗素子５８）が設けられていたが、本形態では、図７および図８に示すように、表示領域１０ａとサンプリング回路１０３との間（表示領域１０ａに対してＹ方向の一方側Ｙ１）に付加容量５６や静電保護素子５７（抵抗素子５８）が設けられている。
その他の構成は実施の形態１と同様である。このため、本形態でも、実施の形態１と同様、複数のデータ線６ａのうち、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）、および定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcom（第２接続端子）からの抵抗が大きい第１データ線６ａ1では、定電位線ＬＶcomとの間に付加容量５６（第１付加容量）が設けられている。これに対して、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６（第１接続端子）、および定電位線ＬＶcomの接続端子ＴＶcom（第２接続端子）からの抵抗が小さい第２データ線６ａ2および第３データ線６ａ3では、定電位線ＬＶcomとの間に静電保護素子５７（第１静電保護素子５７ａおよび第２静電保護素子５７ｂ）素子が設けられている。このため、付加容量５６が静電破壊によって短絡するという問題の発生を抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）は、付加容量５６および静電気対策を示す説明図、および静電保護素子５７の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。また、第１静電保護素子５７ａと第２静電保護素子５７ｂとは同一構成の静電保護素子５７として構成されているため、以下の説明では、第１静電保護素子５７ａを中心に説明し、第２静電保護素子５７ｂの説明を省略する
実施の形態１、２では、静電保護素子５７（第１静電保護素子５７ａ）として抵抗素子５８を用いたが、図９に示すように、本形態では、２つのダイオード素子（第１ダイオード素子５９ａおよび第２ダイオード素子５９ｂ）が用いられている。また、本形態では、定電位線として、第１定電位ＶＤＤが供給される第１定電位供給線ＬＶＤＤと、第１定電位ＶＤＤより低い第２定電位ＶＳＳが供給される第２定電位供給線ＬＶＳＳと、第１定電位ＶＤＤと第２定電位ＶＳＳとの間の第３定電位（定電位Ｖcom）が供給される第３電位供給線（定電位線ＬＶcom）とが設けられている。ここで、第１定電位ＶＤＤとしては、正電源ＶＤＤＸ、正電源ＶＤＤＹあるいは別の正電源を用いることができ、第２定電位ＶＳＳとしては、負電源ＶＳＳＸ、負電源ＶＳＳＹあるいは別の負電源を用いることができる。
このように構成した電気光学装置１００においても、第１データ線６ａ1と定電位線ＬＶcomとの間に付加容量５６が設けられており、付加容量５６の第２容量電極５６２は、定電位線ＬＶcomに電気的に接続されている。
また、第１定電位供給線ＬＶＤＤと第２データ線６ａ2との間には、第１ダイオード素子５９ａが接続され、第２定電位供給線ＬＶＳＳと第２データ線６ａ2との間には、第２ダイオード素子５９ｂが接続されている。第１ダイオード素子５９ａは、アノードが静電保護素子５７の一端５７１として第２データ線６ａ2に電気的に接続し、カソードが静電保護素子５７の他端５７２ａとして第１定電位供給線ＬＶＤＤに電気的に接続している。第２ダイオード素子５９ｂは、カソードが静電保護素子５７の一端５７１として第２データ線６ａ2に電気的に接続し、アノードが静電保護素子５７の他端５７２ｂとして第２定電位供給線ＬＶＳＳに電気的に接続している。
ここで、第１ダイオード素子５９ａおよび第２ダイオード素子５９ｂは、画素スイッチング素子３０、サンプリングスイッチ１０８（第１サンプリングスイッチ１０８ａおよび第２サンプリングスイッチ１０８ｂ）、データ線駆動回路１０１に形成されたトランジスター、および走査線駆動回路１０４に形成されたトランジスターの能動層と同層に形成された半導体層を備えたトランジスターをダイオード接続してなる。より具体的には、第１ダイオード素子５９ａは、Ｐ型トランジスターであり、ドレインは、第１定電位供給線ＬＶＤＤに電気的に接続され、ゲートおよびソースは互いに電気的に短絡されて、第１定電位供給線ＬＶＤＤに電気的に接続されている。第２ダイオード素子５９ｂは、Ｎ型トランジスターであり、ソースは、第２データ線６ａ2に電気的に接続され、ゲートおよびドレインは互いに電気的に短絡されて、第２定電位供給線ＬＶＳＳに電気的に接続されている。
このような構成によれば、通常時、第１ダイオード素子５９ａおよび第２ダイオード素子５９ｂは逆バイアスされた状態にあるので、第２データ線６ａ2から電流の漏れが発生しない。また、製造工程において、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６から静電気が侵入した際、第１定電位供給線ＬＶＤＤや第２定電位供給線ＬＶＳＳに逃がすことができる。また、第１定電位供給線ＬＶＤＤの接続端子ＴＶＤＤや第２定電位供給線ＬＶＳＳの接続端子ＴＶＳＳから静電気が侵入した際、第２データ線６ａ2に逃がすことができる。
また、第２静電保護素子５７ｂについても、同様な構成とすれば、静電気を逃がすことができる。
［実施の形態４］
上記実施の形態では、表示領域１０ａに対してＸ方向に位置する画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2および第３画素電極９ａ3）に画像信号を供給するデータ線６ａの全部を第２データ線６ａ2または第３データ線６ａ3としたが、表示領域１０ａに対してＸ方向に位置する画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2および第３画素電極９ａ3）に画像信号を供給するデータ線６ａの一部を第１データ線６ａ1としてもよい。例えば、表示領域１０ａから遠い側に設けられたデータ線６ａを第２データ線６ａ2または第３データ線６ａ3とし、他のデータ線６ａを第１データ線６ａ1とする。
かかる構成によれば、静電気が侵入しにくいデータ線６ａには付加容量５６を設けることになるため、ダミー領域１０ｂと表示領域１０ａとの境界でも、画像信号電位のプッシュダウンやプッシュアップに起因する表示ムラの発生を防止することができる。
図１０を参照して、かかる形態の一例を説明する。図１０は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の説明図であり、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、素子基板１０の電気的構成を示す説明図、第２付加容量の説明図、および第３付加容量の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図１０に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、表示領域１０ａの画素電極９ａ（第１画素電極９ａ1）に画像信号を供給するデータ線６ａの全部が第１データ線６ａ1として構成されている。
本形態では、第１データ線６ａ1と第２データ線６ａ2との間にはＹ方向に沿って延在する第４データ線６ａ4が形成されており、第４データ線６ａ4は、サンプリングスイッチ１０８（第４サンプリングスイッチ）を介して画像信号線ＬＶＩＤ６に電気的に接続している。また、第２データ線６ａ2から画像信号が供給される画素電極９ａ（第２画素電極９ａ2）と表示領域１０ａとの間には、第４データ線６ａ4から画像信号が供給される画素電極９ａ（第４画素電極９ａ4）が形成されており、画素スイッチング素子３０（第４画素スイッチング素子）は、第４データ線６ａ4および第４画素電極９ａ4に電気的に接続している。
ここで、第４データ線６ａ4と定電位線ＬＶcomとの間には付加容量５６（第２付加容量５６ｂ）が設けられている。第２付加容量５６ｂは、第４データ線６ａ4に電気的に接続された第３容量電極５６４、および第３容量電極５６４に第２誘電体膜５６６を介して対向し、定電位線ＬＶcomに電気的に接続された第４容量電極５６５を備えている。第２付加容量５６ｂは、図５および図６を参照して説明した第１付加容量５６ａと同一の構成を有している。
かかる構成では、画像信号線ＬＶＩＤ６における接続端子ＴＬＶＩＤ６（第１端子）と、第４データ線６ａ4に接続するサンプリングスイッチ１０８（第４サンプリングスイッチ）との間の抵抗が、画像信号線ＬＶＩＤ６における接続端子ＴＬＶＩＤ６（第１端子）と第１データ線６ａ1に接続するサンプリングスイッチ１０８（第１サンプリングスイッチ）との間の抵抗より小さい。但し、画像信号線ＬＶＩＤ６における接続端子ＴＬＶＩＤ６（第１端子）と、第４データ線６ａ4に接続するサンプリングスイッチ１０８（第４サンプリングスイッチ）との間の抵抗は、画像信号線ＬＶＩＤ６における接続端子ＴＬＶＩＤ６（第１端子）と第２データ線６ａ2に接続するサンプリングスイッチ１０８（第２サンプリングスイッチ）との間の抵抗より大きい。このため、接続端子ＴＬＶＩＤ６から静電気が侵入しても、第２付加容量５６ｂは、静電破壊されにくい。
また、本形態では、第１データ線６ａ1と第３データ線６ａ3との間にはＹ方向に沿って延在する第５データ線６ａ5が形成されており、第５データ線６ａ5は、サンプリングスイッチ１０８（第５サンプリングスイッチ）を介して画像信号線ＬＶＩＤ１に電気的に接続している。また、第３データ線６ａ3から画像信号が供給される画素電極９ａ（第３画素電極９ａ3）と表示領域１０ａとの間には、第５データ線６ａ5から画像信号が供給される画素電極９ａ（第５画素電極９ａ5）が形成されており、画素スイッチング素子３０（第５画素スイッチング素子）は、第５データ線６ａ5および第５画素電極９ａ5に電気的に接続している。
ここで、第５データ線６ａ5と定電位線ＬＶcomとの間には付加容量５６（第３付加容量５６ｃ）が設けられている。第３付加容量５６ｃは、第５データ線６ａ5に電気的に接続された第５容量電極５６７、および第５容量電極５６７に第２誘電体膜５６９を介して対向し、定電位線ＬＶcomに電気的に接続された第６容量電極５６８を備えている。第３付加容量５６ｃは、図５および図６を参照して説明した第１付加容量５６ａと同一の構成を有している。
かかる構成では、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第６容量電極５６８との間の抵抗が、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第２容量電極５６２との間の抵抗より小さい。但し、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと第６容量電極５６８との間の抵抗は、定電位線ＬＶcomにおける接続端子ＴＶcomと、第３データ線６ａ3に接続する静電保護素子５７（第２静電保護素子５７ｂ）の他端５７２との間の抵抗より大きい。このため、接続端子ＴＶcomから静電気が侵入しても、第３付加容量５６ｃは、静電破壊されにくい。
［実施の形態５］
本形態では、表示領域１０ａの外側で延在している複数のデータ線６ａの一部を第２データ線６ａ2とするにあたって、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６において幅方向の端で延在している画像信号線ＬＶＩＤ１および画像信号線ＬＶＩＤ６に対応するデータ線６ａの一方、あるいは双方を第２データ線６ａ2とする。画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６が複数並列して延在している場合、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６に電気的に接続する接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、複数配置されることになる。この場合、複数の接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６のうち、端に位置する接続端子には静電気が侵入しやすいので、かかる接続端子に対応するデータ線６ａを第２データ線６ａ2とすれば、静電気に起因する付加容量の破損を抑制することができる。
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１定電位線、第２定電位線および第３定電位線が共通の定電位線ＬＶcomとして構成され、第１定電位線に接続する第２接続端子、第３定電位線に接続する第３接続端子、および第２定電位線に接続する接続端子が共通の接続端子ＴＶcomとして構成されていたが、第１定電位線、第２定電位線および第３定電位線が別の配線である場合に本発明を適用してもよい。
この場合、定電位線の接続端子から侵入する静電気対策としては、第３定電位線における第３接続端子と第２静電保護素子５７ｂの他端５７２との間の抵抗が、第１定電位線における第２接続端子と第２容量電極５６２との間の抵抗より小さく設定されることになる。
上記実施の形態では、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４の双方が素子基板１０に構成されていたが、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４の一方あるいは双方が素子基板１０に接続されたフレキシブル配線基板に実装された半導体集積回路として構成されている電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、本形態では、素子基板１０の基板本体１０ｗとしてガラス基板や石英基板を用いたが、シリコン単結晶基板を基板本体１０ｗとして用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図１１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
図１１に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
（他の投射型表示装置）
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
１ａ・・半導体層、１ｓ・・導電性ポリシリコン膜、１ｔ・・導電性ポリシリコン膜、１ｔａ・・幅狭部分、１ｔｂ・・幅広部分、５ａ・・容量線、６ａ・・データ線、６ａ1・・第１データ線、６ａ2・・第２データ線、６ａ3・・第３データ線、６ａ4・・第４データ線、６ａ5・・第５データ線、９ａ・・画素電極、９ａ1・・第１画素電極、９ａ2・・第２画素電極、９ａ3・・第３画素電極、９ａ4・・第４画素電極、９ａ5・・第５画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・表示領域、１０ｂ・・ダミー領域、３０・・画素スイッチング素子、５０・・電気光学層、５５・・保持容量、５６・・付加容量、５６ａ・・第１付加容量、５６ｂ・・第２付加容量、５６ｃ・・第３付加容量、５７・・静電保護素子、５７ａ・・静電保護素子、５７ｂ・・静電保護素子、５８・・抵抗素子、５９ａ・・第１ダイオード素子、５９ｂ・・第２ダイオード素子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｐ・・液晶パネル、１０１・・データ線駆動回路、１０４・・走査線駆動回路、１０８・・サンプリングスイッチ、１０８ａ・・第１サンプリングスイッチ、１０８ｂ・・第２サンプリングスイッチ、５６１・・第１容量電極、５６２・・第２容量電極、５６３・・第１誘電体膜、５６４・・第３容量電極、５６５・・第４容量電極、５６６・・第２誘電体膜、５６７・・第５容量電極、５６８・・第６容量電極、５６９・・第３誘電体膜、５７１・・一端、５７２、５７２ａ、５７２ｂ・・他端、Ｇ１〜Ｇｍ・・グループ、ＬＶcom・・電位線、ＬＶＤＤ・・第１定電位供給線、ＬＶＩＤ、ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６・・画像信号線、ＬＶＳＳ・・第２定電位供給線、Ｓ１〜Ｓｎ・・画像信号、ＴＶcom・・接続端子（第２接続端子、第３接続端子）、ＴＶＤＤ・・接続端子、ＴＶＩＤ、ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６・・接続端子（第１接続端子）、ＴＶＳＳ・・接続端子、ＶＤＤ・・第１定電位、ＶＳＳ・・第２定電位

Claims (20)

  1. 第１方向に沿って延在する第１データ線と、
    前記第１方向に沿って延在する第２データ線と、
    前記第１データ線に接続された第１サンプリングスイッチと、
    該第１サンプリングスイッチを介して前記第１データ線に電気的に接続された画像信号線と、
    前記第１データ線に電気的に接続された第１容量電極、および該第１容量電極に誘電体膜を介して対向し、第１定電位線に電気的に接続された第２容量電極を備えた第１付加容量と、
    前記第２データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第２サンプリングスイッチと、
    前記第２データ線に一端が電気的に接続され、前記第２定電位線に他端が電気的に接続された第１静電保護素子と、
    前記画像信号線に電気的に接続された第１接続端子と、
    を有し、
    前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第２サンプリングスイッチとの間の抵抗が、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第１サンプリングスイッチとの間の抵抗より小さいことを特徴とする電気光学装置。
  2. 第１方向に沿って延在する第１データ線と、
    前記第１方向に沿って延在する第３データ線と、
    前記第１データ線に接続された第１サンプリングスイッチと、
    該第１サンプリングスイッチを介して前記第１データ線に電気的に接続された画像信号線と、
    前記第１データ線に電気的に接続された第１容量電極、および該第１容量電極に誘電体膜を介して対向し、第１定電位線に電気的に接続された第２容量電極を備えた第１付加容量と、
    前記第３データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第３サンプリングスイッチと、
    前記第３データ線に一端が電気的に接続され、第３定電位線に他端が電気的に接続された第２静電保護素子と、
    前記第１定電位線に電気的に接続された第２接続端子と、
    前記第３定電位線に電気的に接続された第３接続端子と、
    を有し、
    前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さいことを特徴とする電気光学装置。
  3. 前記第１方向に沿って延在する第３データ線と、
    前記第３データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第３サンプリングスイッチと、
    前記第３データ線に一端が電気的に接続され、第３定電位線に他端が電気的に接続された第２静電保護素子と、
    前記第１定電位線に電気的に接続された第２接続端子と、
    前記第３定電位線に電気的に接続された第３接続端子と、
    を有し、
    前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  4. 表示領域に形成された第１画素電極と、
    前記第１画素電極および前記第１データ線と電気的に接続された第１画素スイッチング素子と、
    前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に形成された第２画素電極と、
    前記第２画素電極および前記第２データ線と電気的に接続された第２画素スイッチング素子と、
    を含むことを特徴とする請求項１または３に記載の電気光学装置。
  5. 前記第２画素電極は、前記表示領域と前記第２方向で隣り合うことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
  6. 表示領域に形成された第１画素電極と、
    前記第１画素電極および前記第１データ線と電気的に接続された第１画素スイッチング素子と、
    前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に形成された第３画素電極と、
    前記第３画素電極および前記第３データ線と電気的に接続された第３画素スイッチング素子と、
    を含むことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
  7. 前記第３画素電極は、前記表示領域と前記第２方向で隣り合うことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
  8. 前記第２方向で前記表示領域と前記第２画素電極との間に形成された第４画素電極と、
    前記第１データ線と前記第２データ線との間で前記第１方向に沿って延在する第４データ線と、
    前記第４画素電極および前記第４データ線と電気的に接続された第４画素スイッチング素子と、
    前記第４データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第４サンプリングスイッチと、
    前記第４データ線に電気的に接続された第３容量電極、および該第３容量電極に第２誘電体膜を介して対向し、前記第１定電位線に電気的に接続された第４容量電極を備えた第２付加容量と、
    を含み、
    前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第４サンプリングスイッチとの間の抵抗が、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第１サンプリングスイッチとの間の抵抗より小さく、前記画像信号線における前記第１接続端子と前記第２サンプリングスイッチとの間の抵抗より大きいことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
  9. 前記第２方向で前記表示領域と前記第３画素電極との間に形成された第５画素電極と、
    前記第１データ線と前記第３データ線との間で前記第１方向に沿って延在する第５データ線と、
    前記第５画素電極および前記第５データ線と電気的に接続された第５画素スイッチング素子と、
    前記第５データ線と前記画像信号線との間に電気的に接続された第５サンプリングスイッチと、
    前記第５データ線に電気的に接続された第５容量電極、および該第５容量電極に第３誘電体膜を介して対向し、前記第３定電位線に電気的に接続された第６容量電極を備えた第３付加容量と、
    を含み、
    前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第６容量電極との間の抵抗が、前記第１定電位線における前記第２接続端子と前記第２容量電極との間の抵抗より小さく、前記第３定電位線における前記第３接続端子と前記第２静電保護素子の前記他端との間の抵抗より大きいことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
  10. 前記第１定電位線と前記第２定電位線とは、同一の定電位線であることを特徴とする請求項１、３、４、５または８に記載の電気光学装置。
  11. 前記第１定電位線と前記第３定電位線とは、同一の定電位線であり、
    前記第２接続端子と前記第３接続端子とは、同一の接続端子であることを特徴とする請求項２、３、６、７または９に記載の電気光学装置。
  12. 前記第１静電保護素子は、抵抗素子であることを特徴とする請求項１、３、４、５、８または１０に記載の電気光学装置。
  13. 前記第２静電保護素子は、抵抗素子であることを特徴とする請求項２、３、６、７、９または１１に記載の電気光学装置。
  14. 前記抵抗素子は、前記第１サンプリングスイッチの能動層と同層に形成された半導体層により構成されていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の電気光学装置。
  15. 前記定電位線として、第１定電位が供給される第１定電位供給線と、前記第１定電位より低い第２定電位が供給される第２定電位供給線と、前記第１定電位と前記第２定電位との間の第３電位が供給される第３定電位供給線と、が設けられ、
    前記第２容量電極は、前記第３定電位供給線に電気的に接続し、
    前記第１静電保護素子は、
    アノードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、カソードが前記他端として前記第１定電位供給線に電気的に接続された第１ダイオード素子と、
    カソードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、アノードが前記他端として前記第２定電位供給線に電気的に接続された第２ダイオード素子と、
    を有していることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
  16. 前記定電位線として、第１定電位が供給される第１定電位供給線と、前記第１定電位より低い第２定電位が供給される第２定電位供給線と、前記第１定電位と前記第２定電位との間の第３電位が供給される第３定電位供給線と、が設けられ、
    前記第２容量電極は、前記第３定電位供給線に電気的に接続し、
    前記第２静電保護素子は、
    アノードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、カソードが前記他端として前記第１定電位供給線に電気的に接続された第１ダイオード素子と、
    カソードが前記一端として前記第２データ線に電気的に接続し、アノードが前記他端として前記第２定電位供給線に電気的に接続された第２ダイオード素子と、
    を有していることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
  17. 前記第１ダイオード素子および前記第２ダイオード素子は、前記第１サンプリングスイッチの能動層と同層に形成された半導体層を備えたトランジスターをダイオード接続してなることを特徴とする請求項１５または１６に記載の電気光学装置。
  18. 前記第１定電位線および前記第２定電位線は、前記第１データ線および前記第２データ線との間に絶縁膜を介して前記第１データ線および前記第２データ線と交差しており、
    前記第１定電位線および前記第２定電位線は、前記第２データ線と平面視で重なる部分の幅が前記第１データ線と平面視で重なる部分の幅より狭いことを特徴とする請求項１、３、４、５、８、１０または１２に記載の電気光学装置。
  19. 前記第１定電位線および前記第３定電位線は、前記第１データ線および前記第３データ線との間に絶縁膜を介して前記第１データ線および前記第２データ線と交差しており、
    前記第１定電位線および前記第３定電位線は、前記第３データ線と平面視で重なる部分の幅が前記第１データ線と平面視で重なる部分の幅より狭いことを特徴とする請求項２、３、６、７、９、１１または１３に記載の電気光学装置。
  20. 請求項１乃至１９の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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