JP2001242482A

JP2001242482A - アクティブマトリクス型液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001242482A
Application number: JP2000049891A
Authority: JP
Inventors: Kohei Nagayama; 耕平永山; Yasuyuki Hanazawa; 康行花澤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-02-25
Filing date: 2000-02-25
Publication date: 2001-09-07
Anticipated expiration: 2020-02-25
Also published as: JP4585071B2

Abstract

(57)【要約】【課題】スルーホールの形成不良を防止し、開口率が低
下することなく高品位の表示が可能なアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】各画素電極５１は、少なくとも一部が信号
線と重畳しているとともに、ＴＦＴ１８を介して信号線
および走査線に接続されている。信号線と直交して延び
る補助容量線５２からは、静電遮蔽性を有する複数のシ
ールド電極５３が延在し、それぞれ信号線に沿って延び
ている。各シールド電極は、相反する方向に延出した第
１および第２電極部５３ａ、５３ｂを有し、隣り合う２
つの画素電極の内、一方の画素電極の側縁部、および信
号線の側縁部の内、一方の画素電極側の側縁部のみと重
畳して設けられている。一方の画素電極が上記信号線の
第１側縁部と重畳する幅と、上記他方の画素電極が上記
信号線の第２側縁部およびシールド電極と重畳する幅と
が互いに相違している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タをスイッチング素子として表示画素電極を構成したア
クティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度かつ大容量でありながら、
高機能、高精細な表示が得られる液晶表示装置の実用化
が進められている。この液晶表示装置には、種々の方式
があるが、中でも隣接画素間のクロストークが小さく、
高コントラストな画像表示が得られるとともに、透過型
表示が可能で大面積化も容易等の理由から、アクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が多く用いられている。

【０００３】一般に、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置はアレイ基板を備え、このアレイ基板は、互いに
交差する方向に設けられた複数本の走査線および複数本
の信号線によって区画された複数の領域にマトリクス状
に設けられた画素電極を有し、各画素電極はスイッチン
グ素子として機能する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
称する）を介して走査線および信号線に接続されてい
る。

【０００４】また、この種の液晶表示装置は、アレイ基
板の背面側に設けられたバックライトを備えている。そ
して、バックライトの消費電力を抑えるため、画素は開
口率の高い構造であることが望ましい。高い開口率が得
られる構造として、信号線と画素電極を重ねて配置する
ことにより信号線と画素電極との間の隙間を遮蔽する配
線ＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する構造が知ら
れている。この配線ＢＭ構造の場合、信号線と画素電極
との間の寄生容量が大きい。

【０００５】ＴＦＴ液晶表示装置の表示品位は、信号線
と画素電極との寄生容量によって左右され、この寄生容
量の影響は、補助容量線を形成したり、あるいは、一定
電位に固定されたシールド電極を層間絶縁膜を介して画
素電極および信号線と重なるように配置することによっ
て抑制することができる。

【０００６】また、配線ＢＭ構造では、ラビング方向の
下流側の信号線の端部付近に、液晶の配向不良領域が発
生し、コントラスト低下といった表示不良の原因となる
ことが知られている。そのため、液晶の配向不良領域を
配線で遮光しなければならず、信号線と画素電極との重
ね幅を大きくする必要がある。しかしながら、この場
合、信号線と画素電極との間の寄生容量が増加するとい
った問題が発生する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、液晶の配向不
良領域が発生する側だけ信号線と画素電極との重ね幅を
大きくし、信号線の一側縁に沿ってシールド電極を配置
した、いわゆる片側シールド構造が提案されている。こ
の構造では、シールド電極の長さを調節することによ
り、画素電極の１側に位置した信号線と画素電極との容
量と、画素電極の他側に位置した信号線と画素電極との
容量と、のバランスをとることができ、クロストークな
どの表示不良の発生を抑えることができる。

【０００８】一方、画素上置き構造の液晶表示装置で
は、画素電極とＴＦＴのソース電極とを直接接続するこ
とはできない。そのため、有機絶縁膜にスルーホールを
形成し、信号線と同時に形成された画素接続用電極およ
びスルーホールを介して、画素電極とＴＦＴのソース電
極とを接続している。

【０００９】この場合、画素接続用電極は、スルーホー
ルの形成精度を見込んで、スルーホールよりも寸法を大
きくする必要があるが、信号線と同時に形成されるた
め、画素接続用電極の最大寸法は、ドットピッチ、最小
加工寸法、および信号線幅で決まる。ドットヒッチが小
さい場合、画素接続用電極の寸法は必然的に小さくな
り、有機絶像膜のスルーホール径も小さくなる。

【００１０】通常、有機絶縁膜の膜厚は２〜４μｍと厚
いため、スルーホールの加工性は悪く、スルーホール径
が小さい場合には、スルーホール形成不良による点欠陥
不良が発生しやすい。これを防止するため、有機絶縁膜
のスルーホール径を信号線に沿った方向に大きくすると
いう方法が考えられるが、この場合、開口率が低下して
しまう。

【００１１】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、画像不良を低減し表示品位の向上した
アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することに
ある。また、この発明の他の目的は、画像不良を低減し
表示品位の向上するとともに、画素電極と画素接続用電
極とを電気的に接続する際に、スルーホールの形成不良
を防止し、開口率が低下することなく高品位の表示を行
うことが可能なアクティブマトリクス型の液晶表示装置
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟んで互
いに対向配置された第１および第２基板を備え、上記第
１基板は、絶縁基板上にほぼ並列に設けられた複数の走
査線と、上記走査線と交差するように、絶縁膜を介して
走査線上に設けられた複数の信号線と、上記信号線に対
してほぼ直交する方向に形成されているとともに、それ
ぞれ隣り合う上記走査線間に設けられた複数の補助容量
線と、上記各補助容量線から延在し上記信号線に沿って
形成された静電遮蔽性を有する複数のシールド電極と、
上記信号線および補助容量線で囲まれる各領域にそれぞ
れ設けられ、少なくとも一部が上記信号線および補助容
量線と重畳しているとともに、スイッチング素子を介し
て、上記信号線と走査線との交差部に接続された複数の
画素電極と、を備え、上記各シールド電極は、上記信号
線に沿って上記補助容量線から互いに相反する方向に延
出した第１および第２電極部を有し、隣合う２つの画素
電極間に位置した上記信号線は、一方の画素電極と重畳
して設けられた第１側縁部と、他方の画素電極と重畳し
て設けられた第２側縁部と、を有し、上記シールド電極
の第１および第２電極部は、上記他方の画素電極および
上記信号線の第２側縁部のみと重畳して設けられ、上記
一方の画素電極が上記信号線の第１側縁部と重畳する幅
と、上記他方の画素電極が上記信号線の第２側縁部およ
びシールド電極と重畳する幅とが互いに相違しているこ
とを特徴としている。

【００１３】また、この発明に係る他のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向配
置された第１および第２基板を備え、上記第１基板は、
絶縁基板上にほぼ並列に設けられた複数の走査線と、上
記走査線と交差するように、絶縁膜を介して走査線上に
設けられた複数の信号線と、上記各走査線から延在し上
記信号線に沿って形成された静電遮蔽性を有する複数の
シールド電極と、上記信号線および走査線で囲まれる各
領域にそれぞれ設けられ、少なくとも一部が上記信号線
および走査線と重畳しているとともに、スイッチング素
子を介して、上記信号線と走査線との交差部に接続され
た複数の画素電極と、を備え、上記各シールド電極は、
上記信号線に沿って上記走査線から互いに相反する方向
に延出した第１および第２電極部を有し、隣合う２つの
画素電極間に位置した上記信号線は、一方の画素電極と
重畳して設けられた第１側縁部と、他方の画素電極と重
畳して設けられた第２側縁部と、を有し、上記シールド
電極の第１および第２電極部は、上記他方の画素電極お
よび上記信号線の第２側縁部のみと重畳して設けられ、
上記一方の画素電極が上記信号線の第１側縁部と重畳す
る幅と、上記他方の画素電極が上記信号線の第２側縁部
およびシールド電極と重畳する幅とが互いに相違してい
ることを特徴としている。

【００１４】上記構成の液晶表示装置によれば、補助容
量線あるいは走査線から互いに相反する方向に静電遮蔽
性を有するシールド電極を信号線に沿って延在させると
ともに、信号線の一側縁部のみと重畳するように配置す
ることにより、従来必要であったシールド電極間の間隔
が不要となり、更に、信号線とシールド電極とは片側の
み重ねて設ければよいため、信号線を最小加工線幅で形
成することが可能となる。これにより、静電遮蔽効果を
維持しながら、高い開口率を実現することができ、クロ
ストークや輝度むらといった画質不良を低減し表示品位
の向上した表示が可能となる。

【００１５】また、各信号線の内、補助容量線あるいは
信号線、およびシールド電極と重なる部分は、切り欠か
れて他の部分よりも幅が狭くなっているため、その分だ
け、画素接続用電極の補助容量線あるいは走査線側端
部、および有機絶縁膜のスルーホールの寸法を拡大する
ことができる。これにより、スルーホールの形成不良を
防止し、点欠陥不良が少なく表示品位の高いアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置を実現することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型の液晶
表示装置について詳細に説明する。図１および図３に示
すように、アクティブマトリクス型の液晶表示装置１０
は、矩形状の表示領域１５を有する光透過型の液晶表示
装置として構成され、それぞれ矩形状のアレイ基板１２
および対向基板１４を備えている。これら基板１２、１
４は、周縁部を図示しないシール剤によって貼り合わせ
ることにより、所定のギャップをおいて対向配置されて
いる。そして、アレイ基板１２と対向基板１４との間に
は、それぞれ配向膜８８、８９を介して、液晶層９０が
封入されている。

【００１７】図１ないし図３に示すように、アレイ基板
１２は絶縁性基板としてのガラス基板６０を有し、この
ガラス基板上には、配線として多数の信号線５０と多数
の走査線６２とがほぼ直交するようにマトリクス状に設
けられている。信号線５０は、層間絶縁膜７５を介して
走査線６２上に形成されている。また、ガラス基板６０
上には、隣合う２本の走査線６２間を、これら走査線と
平行に延びた補助容量線５２が設けられている。補助容
量線５２は、走査線６２と同一層をパターニングして形
成されている。

【００１８】２本の信号線５０と２本の補助容量線５２
とで囲まれる領域には、それぞれＩＴＯからなる画素電
極５１が設けられ、各画素電極は、スイッチング素子と
してのＴＦＴ１８を介して、信号線５０と走査線６２と
の交差部に接続されている。各画素電極５１はほぼ矩形
状に形成され、１画素を構成している。ＴＦＴ１８のソ
ース電極６７は画素接続用電極７８に接続され、この画
素接続用電極は、有機絶縁層８１に形成されたスルーホ
ール８２を介して画素電極５１に接続されている。

【００１９】また、アレイ基板１２の長辺側の端部に
は、信号線駆動回路部２０が形成され、短辺側の端部に
は、走査線駆動回路部２２が形成されている。複数の信
号線５０はアレイ基板１２の長辺側に引き出され、信号
線駆動回路部２０に接続されている。また、複数の走査
線６２はアレイ基板１２の短辺側に引き出され、走査線
駆動回路部２２に接続されている。

【００２０】更に詳細に説明すると、図２ないし図４に
示すように、各信号線５０は、直線状に形成されている
とともに、後述するように、各補助容量線５２の近傍部
分では、１側縁側、例えば、右側縁側が切り欠かれ、他
の部分よりも細い幅に形成されている。また、アレイ基
板１２は、各補助容量線５２の一部を各信号線５０に沿
って延在させて形成された静電遮蔽性を有するシールド
電極５３を備えている。各シールド電極５３は、補助容
量線５２から相反する方向に延出した第１および第２電
極部５３ａ、５３ｂを有している。

【００２１】第１電極部５３ａおよび第２電極部５３ｂ
は、図２において、信号線５０に対し右側に偏心して設
けられている。そして、信号線５０は、補助容量線５
２、シールド電極５３の第１および第２電極部５３ａ、
５３ｂと重なる部分５０ａが切り欠かれ、他の部分より
も幅が狭くなっているとともに、第１および第２電極部
５３ａ、５３ｂの側縁部と僅かに重なって設けられてい
る。

【００２２】また、各画素電極５１は、一対の短辺側の
側縁部が両側の補助容量線５２と所定幅重なって設けら
れている。また、各画素電極５１の右側の長辺側縁部は
直線状に形成され、信号線５０の左側縁部（第１側縁
部）と所定幅Ｗ１だけ重なって設けられ、左側の長辺側
縁部はステップ状に形成され、シールド電極５３の第１
および第２電極部５３ａ、５３ｂの側縁部、および信号
線５０の右側縁部（第２側縁部）と所定幅Ｗ２だけ重な
って設けられている。

【００２３】このように画素電極５１と一部が重複して
設けられた信号線５０およびシールド電極５３は画素電
極との隙間を遮光する遮光体を兼ねている。そして、図
２に矢印Ｄで示す方向は配向膜８８の配向ベクトルであ
り、各信号線５０の右側縁部分で液晶層９０の配向不良
領域ＮＡが発生しやすい。そのため、画素電極５１とシ
ールド電極５３との重なり幅Ｗ２は、画素電極５１と信
号線５０との重なり幅Ｗ１よりも大きく形成されてい
る。

【００２４】なお、シールド電極５３の第１電極部５３
ａの電極長Ｌ１、および第２電極部５３ｂの電極長Ｌ２
は、互いに等しく設定されているとともに、画素電極５
１を挟んで隣り合う２つの信号線の影響が等しくなるよ
うに調整されている。これにより、画素電極５１に対し
て、ＴＦＴ１８が接続されている信号線５０、すなわ
ち、画素電極の左側の信号線の影響と、ＴＦＴが接続さ
れていない信号線５０、すなわち、画素電極の右側の信
号線の影響と、がほぼ同程度となり、２本の信号線と画
素電極５１との間の寄生容量の影響を最小限に抑えるこ
とができる。

【００２５】また、上述したように、各信号線５０の補
助容量線５２およびシールド電極５３と重なっている部
分は、スルーホール８２側の一部分５０ａが切り欠か
れ、他の部分よりも幅が狭くなっているため、その分だ
け、画素接続用電極７８の補助容量線５２側端部、およ
び有機絶縁膜５２のスルーホール８２の寸法を拡大する
ことができる。これにより、スルーホール８２の形成不
良を防止し、点欠陥不良が少なく表示品位の高いアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置を実現することができ
る。

【００２６】次に、液晶表示装置１０の構成をその製造
方法と合わせて詳細に説明する。まず、高歪点ガラス基
板や石英基板などの透光性を有する絶縁性基板６０上に
ＣＶＤ法などによりａ−Ｓｉ膜を５０ｎｍ厚程度被着す
る。このａ−Ｓｉ膜を４５０℃で１時間炉アニールを行
った後、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射し、ａ−Ｓｉを
多結晶化する。その後に、多結晶Ｓｉをフォトエッチン
グ法によりパターンニングして、表示領域１５内の画素
部を構成するＴＦＴ（以下、画素ＴＦＴと称する）１８
のチャネル層となるポリシリコン膜１９を形成する。

【００２７】次に、ＣＶＤ法により基板６０の全面にＳ
ｉＯｘ膜からなるゲート絶縁膜６１を１００ｎｍ厚程度
被着する。続いて、ゲート絶縁膜６１の全面に、Ｔａ、
Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕなどの単体又はその積層膜
あるいは合金膜を２００〜４００ｎｍ厚程度被着し、フ
ォトエッチング法により所定の形状にパターニングし
て、ゲート電極６３を一体に有した走査線６２、補助容
量線５２を形成する。この際、補助容量線５２と同時に
シールド電極５３を所定位置に所定の形状で形成する。

【００２８】その後、ゲート電極６２をマスクとしてイ
オン注入やイオンドーピング法によりポリシリコン膜１
９に不純物の注入を行い、画素ＴＦＴ１８のドレイン電
極６６、ソース電極６７を形成する。不純物の注入は、
例えば、加速電圧８０ｋｅＶで５ｘ１０¹⁵atmos ／cm^２
のドーズ量で、ＰＨ_３／Ｈ_２によりリンを高濃度注入す
る。その後、基板６０をアニールすることにより不純物
を活性化する。

【００２９】続いて、画素ＴＦＴ１８に、Ｎチャンネル
型ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）
７４ａ、７４ｂを形成するための不純物注入を行い、ア
レイ基板をアニールすることにより不純物を活性化す
る。

【００３０】更に、例えば、ＰＥＣＶＤ法を用いて、絶
縁性基板６０の全面にＳｉＯ_２からなる層間絶縁膜７５
を５００〜７００ｎｍ厚程度被着する。そして、フォト
エッチング法により、画素ＴＦＴ１８のドレイン電極６
６に至るコンタクトホール７６と、ソース電極６７に至
るコンタクトホール７７とを形成する。

【００３１】次に、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ
などの単体又はその積層膜あるいは合金膜を５００〜７
００ｎｍ程度被着し、フォトエッチング法により所定の
形状にパターニングして、信号線５０、画素接続用電極
７８、画素ＴＦＴ１８のドレイン電極６６と信号線５０
との接続、ソース電極６７と画素接続用電極との接続の
各種配線等を行う。

【００３２】更に、ＰＥＣＶＤ法によリ絶縁性基板６０
の全面にＳｉＮｘからなる保護絶縁膜７９を成膜し、フ
ォトエッチング法により画素接続用電極７８に至るスル
ーホール８０を形成する。次に、有機絶縁膜８１を基板
の全面に２〜４μｍ厚ほど塗布した後、画素接続用電極
７８に至るスルーホール８２を形成する。

【００３３】次に、有機絶縁膜８１上にｌＴＯをスパッ
タ法により１００ｎｍ厚程度成膜し、フォトエッチング
法により所定の形状にパターニングして画素電極５１を
形成するとともに、スルーホール８０、８２を介して画
素電極５１と画素接続用電極７８とを接続する。以上の
工程により、液晶表示装置１０のアレイ基板１２が得ら
れる。

【００３４】一方、対向基板１４は、透明性を有する絶
縁基板として、例えば、ガラス基板８４上に、顔料など
を分散させた着色層８５を形成し、更に、スパッタ法に
より例えば、ｌＴＯからなる透明電極である対向電極８
６を形成することにより得られる。

【００３５】上記のようにして形成されたアレイ基板１
２の画素電極５１側全面と対向基板１４の対向電極８６
側全面とに低音キュア型のポリイミドからなる配向膜８
８、８９をそれぞれ印刷塗布し、これらの基板を対向配
置した時に、配向軸が９０度相違するようにラビング処
理する。その後、アレイ基板１２および対向基板１４を
対向配置して組み立ててセル化し、その間隙にネマティ
ック液晶９０を注入し封止する。そして、両基板１２、
１４の絶縁性基板６０、８４の外面側に偏向板９２、９
４をそれぞれ貼り付けることにより、液晶表示装置１０
が得られる。

【００３６】上記のように構成された液晶表示装置にお
いて、アレイ基板１２に一画素ごとに形成されているシ
ールド電極５３は、信号線５０に対して片側にのみ形成
されている。従って、従来必要であったシールド電極間
の間隔が必要でなくなり、更に、信号線５０とシールド
電極５３とは片側のみ重ねて設ければよいため、信号線
５０を最小加工線幅で形成することが可能となる。

【００３７】これにより、従来と同等の静電遮蔽効果を
維持しながら、高い開口率を実現することができ、クロ
ストークや輝度むらといった画質不良を低減し表示品位
の向上した表示が可能となる。

【００３８】また、各信号線５０の補助容量線５２およ
びシールド電極５３と重なっている部分は、スルーホー
ル８２側の一部分５０ａが切り欠かれ、他の部分よりも
幅が狭くなっているため、その分だけ、画素接続用電極
７８の補助容量線５２側端部、および有機絶縁膜５２の
スルーホール８２の寸法を拡大することができる。これ
により、スルーホール８２の形成不良を防止し、点欠陥
不良が少なく表示品位の高いアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を実現することができる。

【００３９】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、図５に示す第２の実施の形態によれば、
シールド電極５３の第１電極部５３ａの電極長Ｌ１、お
よび第２電極部５３ｂの電極長Ｌ２は、第１電極部５３
ａと走査線６２との最小間隔と、第２電極部５３ｂと走
査線６２との最小間隔とが互いに等しくなるように調整
されているとともに、画素電極５１を挟んで隣り合う２
つの信号線の影響が等しくなるように調整されている。

【００４０】このような構成でも、上述した第１の実施
の形態と同様の作用効果が得られる。また、走査線６２
と第１および第２電極部５３ａ、５３ｂとの間隔が最も
広くなるように調整されているため、走査線６２とシー
ルド電極５３、つまり、補助容量線５２、とがショート
する確立を低減でき、アレイ基板１０の歩留りを一層向
上させることができる。

【００４１】更に、図６に示す第３の実施の形態によれ
ば、補助容量線５２を省略し、第１および第２の実施の
形態における補助容量線の位置にそれぞれ走査線６２が
設けられている。そして、各走査線６２の一部を各信号
線上５０に沿って延在させ静電遮蔽性を有するシールド
電極５３を形成している。各シールド電極５３は、走査
線６２から相反する方向に延出した第１および第２電極
部５３ａ、５３ｂを有している。第２電極部５３ｂは、
第１電極部５３ａよりも長く形成され、その延出端は、
ゲート電極１８を形成している。また、画素接続用電極
７８と画素電極５１とを接続したスルーホール８０、８
２は、走査線６２に重ねて設けられている。

【００４２】他の構成は第１の実施の形態を同一であ
り、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な
説明を省略する。そして、上記第３の実施の形態におい
ても、前述した実施の形態と同様の作用効果を得ること
ができるとともに、補助容量線が不要になり、更に高い
開口率を得ることができる。

【００４３】その他、上述した実施の形態では、半導体
層としてポリシリコン層を用いたアクティブマトリクス
型の液晶表示装置に関して説明したが、本発明は半導体
層として、例えばアモルファスシリコン層等の他の半導
体層を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に
ついても適用可能である。

【００４４】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、補助容量線又は走査線の一部を互いに相反する方向
へ延在して形成した静電遮蔽性を有するシールド電極を
信号線の一側縁部のみと重なるように、ほぼ信号線に沿
って設け、各信号線の内、補助容量線又は走査線上に位
置した部分の一側縁部を切り欠いて幅を狭くすることに
より、開口率を低下させることなく、画素接続用電極お
よび有機絶縁膜のスルーホールの寸法を拡大することが
できる。これにより、スルーホールの形成不良を防止
し、点欠陥不良が少なく表示品位の高いアクティブマト
リクス型の液晶表示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態に係るアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置を示す斜視図。

【図２】上記液晶表示装置のアレイ基板の一部を示す平
面図。

【図３】図２の線Ａ−Ａに沿った上記液晶表示装置の断
面図。

【図４】図２の線Ｂ−Ｂに沿った上記液晶表示装置の断
面図。

【図５】この発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装
置のアレイ基板を示す平面図。

【図６】この発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装
置のアレイ基板を示す平面図。

【符号の説明】

１２…アレイ基板１４…対向基板１８…ＴＦＴ５０…信号線５１…画素電極５２…補助容量線５３…シールド電極５３ａ…第１電極部５３ｂ…第２電極部６０、８５…ガラス基板７５…層間絶縁膜７８…画素接続用電極８０、８２…スルーホール

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ｆターム(参考） 2H092 GA59 GA64 JA25 JA33 JA35 JA39 JA43 JA46 JB24 JB27 JB33 JB36 JB69 KA05 KA10 KA12 KA18 KB24 KB25 MA07 MA17 MA27 MA30 NA04 NA07 NA13 PA06 5C058 AA06 AB01 BA32 5C094 AA03 AA09 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 EA02 EA04 EB02 ED15 FB01 FB15 5F110 AA30 BB02 DD02 DD03 EE02 EE03 EE04 EE06 EE14 FF02 FF29 GG02 GG13 GG15 GG25 GG44 HJ01 HJ04 HJ12 HJ13 HJ23 HL02 HL03 HL04 HL06 HL11 HM15 NN04 NN23 NN24 NN27 NN35 NN72 NN73 PP03 QQ08 QQ11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を挟んで互いに対向配置された第１
および第２基板を備え、上記第１基板は、絶縁基板上にほぼ並列に設けられた複
数の走査線と、上記走査線と交差するように、絶縁膜を
介して走査線上に設けられた複数の信号線と、上記信号
線に対してほぼ直交する方向に形成されているととも
に、それぞれ隣り合う上記走査線間に設けられた複数の
補助容量線と、上記各補助容量線から延在し上記信号線
に沿って形成された静電遮蔽性を有する複数のシールド
電極と、上記信号線および補助容量線で囲まれる各領域
にそれぞれ設けられ、少なくとも一部が上記信号線およ
び補助容量線と重畳しているとともに、スイッチング素
子を介して、上記信号線と走査線との交差部に接続され
た複数の画素電極と、を備え、上記各シールド電極は、上記信号線に沿って上記補助容
量線から互いに相反する方向に延出した第１および第２
電極部を有し、隣合う２つの画素電極間に位置した上記信号線は、一方
の画素電極と重畳して設けられた第１側縁部と、他方の
画素電極と重畳して設けられた第２側縁部と、を有し、上記シールド電極の第１および第２電極部は、上記他方
の画素電極および上記信号線の第２側縁部のみと重畳し
て設けられ、上記一方の画素電極が上記信号線の第１側縁部と重畳す
る幅と、上記他方の画素電極が上記信号線の第２側縁部
およびシールド電極と重畳する幅とが互いに相違してい
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項２】上記各シールド電極と上記他方の画素電極
との重なり幅は、上記信号線と上記一方の画素電極との
重なり幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】上記信号線と同一の層をパターニングして
形成された接続用電極を備え、上記接続用電極は、上記
スイッチング素子のソース電極に接続された一端部と、
上記補助容量線と重なって位置した他端部と、を有し、
上記他端部は、上記補助容量線上に位置したスルーホー
ルを介して上記画素電極に接続され、上記信号線の内、上記補助容量線およびシールド電極に
重なって位置した部分の上記スルーホール側の側縁部は
切欠かれ他の部分よりも細く形成されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
【請求項４】前記シールド電極の第１電極部および第２
電極部の延出長さは、互いにほぼ等しく形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】上記シールド電極の第１電極部と上記走査
線との間隔は、上記第２電極部と上記走査線との間隔と
ほぼ等しく形成されていることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
【請求項６】液晶層を挟んで互いに対向配置された第１
および第２基板を備え、上記第１基板は、絶縁基板上にほぼ並列に設けられた複
数の走査線と、上記走査線と交差するように、絶縁膜を
介して走査線上に設けられた複数の信号線と、上記各走
査線から延在し上記信号線に沿って形成された静電遮蔽
性を有する複数のシールド電極と、上記信号線および走
査線で囲まれる各領域にそれぞれ設けられ、少なくとも
一部が上記信号線および走査線と重畳しているととも
に、スイッチング素子を介して、上記信号線と走査線と
の交差部に接続された複数の画素電極と、を備え、上記各シールド電極は、上記信号線に沿って上記走査線
から互いに相反する方向に延出した第１および第２電極
部を有し、隣合う２つの画素電極間に位置した上記信号線は、一方
の画素電極と重畳して設けられた第１側縁部と、他方の
画素電極と重畳して設けられた第２側縁部と、を有し、上記シールド電極の第１および第２電極部は、上記他方
の画素電極および上記信号線の第２側縁部のみと重畳し
て設けられ、上記一方の画素電極が上記信号線の第１側縁部と重畳す
る幅と、上記他方の画素電極が上記信号線の第２側縁部
およびシールド電極と重畳する幅とが互いに相違してい
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項７】上記各シールド電極の第１および第２電極
部と上記他方の画素電極との重なり幅は、上記信号線と
上記一方の画素電極との重なり幅よりも大きいことを特
徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
【請求項８】上記信号線と同一の層をパターニングして
形成された接続用電極を備え、上記接続用電極は、上記
スイッチング素子のソース電極に接続された一端部と、
上記走査線と重なって位置した他端部と、を有し、上記
他端部は、上記走査線上に位置したスルーホールを介し
て上記画素電極に接続され、上記信号線の内、上記走査線およびシールド電極に重な
って位置した部分の上記スルーホール側の側縁部は切欠
かれ他の部分よりも細く形成されていることを特徴とす
る請求項６又は７に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。