TW503444B - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW503444B
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film
amorphous semiconductor
semiconductor device
semiconductor film
electrode
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TW090105330A
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Yasuyuki Arai
Hideaki Kuwabara
Shunpei Yamazaki
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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Description

503444 A7 _B7_ 五、發明説明（彳） 發明領域 本發明有關一種具有包含薄膜電晶體（下文稱爲 T F T )之電路的半導體裝置，以及有關一種該半導體裝 置之製造方法，例如本發明有關一種電光裝置，典型地液 晶顯示器面板，及有關裝載有此型電光裝置當作部件之電 子設備。 須注意的是，在此規格中，半導體裝置表示一種一般 的裝置，其可藉使用半導體特徵而作用且該等半導體裝置 之範疇包含電光裝置，半導體電路，以及電子設備。 近年來，藉使用形成在具有絕緣表面之基板上的半導 體薄膜（具有厚度在數奈米至數百奈米之大小）來建構薄 膜電晶體（T F T )之技術已引起社會大眾之注目，該薄 膜電晶體正廣泛地應用於諸如I C或電光裝置之電子裝置 中，且特別地，其當作影像顯示器裝置之開關元件的發展 已迅速地進行著。 習知地，液晶顯示器裝置係熟知爲影像顯示器裝置， 由於相較於被動液晶顯示器裝置，主動矩陣液晶顯示器裝 , 置可獲得更高的精確度，故主動矩陣液晶顯示器裝置已呈 ；： 廣泛地普及。藉驅動以矩陣狀態設置在該主動矩陣液晶顯 f 示器裝置中的像素電極，顯示圖案會形成於主動矩陣液晶 I 顯示器裝置中的屏幕之上。更詳細地，藉施加電壓於所選 1 擇之像素電極與相對應於該像素電極之相對電極間，將執^ 7 ' 行設置在該像素電極與該相對電極間之液晶層的光學調變 ，而該光學調變則由觀視者辨識爲顯不圖案。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -線 -4 - 503444 A7 _B7_ 五、發明説明（2 ) 此形式之主動矩陣液晶顯示器裝置的使用正蔓延著且 伴隨使屏幕大小更大，而對於更高精確度，更高孔徑比例 ，及更高可靠性之要求亦漸增著。同時進一步地對於改善 生產率及降低成本之要求也正漸增著。 習知地，非晶矽膜係理想地使用作非晶半導體膜，因 爲在等於或小於3 0 0 °C之低溫處形成其在大表面面積基 板上之能力。進一步地，常使用具有由非晶半導體膜所形 成之通道形成區之反向參差型（或底部閘極型）TFT。 本發明欲解決之問題 習知地，用於主動矩陣型液晶顯示器裝置之製造成本 高係爲了以利用至少5個光罩之微影技術來製造T F T於 基板之上，爲改善生產率及產能，減少過程步驟之數目將 視爲有效措施。 特定地，必須減少製造T F T所需之光罩數目，光罩 係使用於微影技術中以爲了形成光阻圖案於基板上，該光 阻圖案將成爲蝕刻過程之罩幕。 2 藉使用一光罩，應用有諸如施加光阻，預烘焙，曝光 ! ，顯影，及後烘焙之步驟，以及此外，膜沈積及鈾刻之步 ] f ? 驟，光阻剝離，淸洗，及烘乾係添加於該等步驟之前及之 i 後。因此，整個過程變得複雜而產生問題。 1 進一步地，靜電藉諸如製造步驟期間之摩擦之原因而 ' 產生，因爲基板係絕緣體。當靜電產生時，短路會出現在 ； 板上所形成之配線的交叉部分，且由於靜電之TFT的 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 一線 -5- 503444 A7 _ B7 五、發明説明（3) 劣化及破裂會造成液晶顯示器裝置中之顯示故障或影像品 質之劣化。尤其，靜電會出現在製造步驟中所執行之液晶 配向過程中之擦拭法期間，而此將成爲問題。 本發明係用於解決該等問題，且本發明之目的在於減 少製造T F T的步驟數目以及在於實現生產成本中之降低 及產能之改善以用於由主動矩陣型液晶顯示器裝置所代表 之半導體裝置。 進一步地，本發明之目的在於提供一種用於解決由於 靜電而損壞T F T及劣化T F T特徵之問題的結構以及該 結構之製造方法。 用於解決該問題之手段 爲了解決上述問題，在本發明中首先藉第一光罩形成 閘極配線。 接著，持續地形成閘極絕緣膜，非摻雜之非晶矽膜（ 下文中稱爲a - S 1膜），含雜質元素以給定η型導電率 之非晶矽膜（下文中稱爲n + a - S i膜），以及導電膜。 然後，透過藉第二光罩之圖案製作法形成閘極絕緣膜 ，含a - S 1膜之主動層，源極配線（含源極電極），以 及汲極電極。 之後，在形成透明導電膜後，由該透明導電膜所構成 之像素電極藉第三光罩形成，且同時，進一步地形成含有 n’a-S 1膜之源極區及汲極區，去除一部分之a-S i 膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 -6 - 503444 A7 B7 五、發明説明（4) 藉採用此結構，可使光微影技術中所使用之光罩數目 爲3個。 進一步地，源極配線藉含有相同於該像素電極之材料 的透明導電膜所覆蓋，使用保護整個基板以免遭受外部靜 電之結構，此外，亦可使用其中利用透明導電膜來形成保 護電路之結構，藉使用此形式之結構可防止在製造處理期 間由於生產設備與絕緣基板間之摩擦而產生之靜電，尤其 可防止T F T s免於遭受製造步驟期間所執行之摩擦的液 晶配向過程期間所產生之靜電。 此規格中所揭示之本發明的一結構爲： 一種半導體裝置，含有閘極配線，源極配線，及像素 電極，具有： 閘極配線1 0 2，形成於絕緣表面上； 絕緣膜1 1 0，形成於該閘極配線上； 非晶半導體膜1 2 2，形成於該絕緣膜上； 源極區1 2 3及汲極區1 2 4，形成於該非晶半導體 膜上； , 源極配線1 2 5或電極1 2 6，形成於該源極區域或 ! 該汲極區之上；以及 ] ί 像素電極1 2 7，形成於該電極上； ( 其特徵爲： I 該汲極區124或反向之該源極區123之一端袠面 ^ 相對應於該絕緣膜110之一端表面，該非晶半導體膜 丨 122之一端表面，及該電極126之一端表面。 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、11 -線 503444 A7 B7 五、發明説明（5 ) 進一步地，本發明之另一結構爲： 一種半導體裝置，含有閘極配線，源極配線，及像素 電極，具有： 閘極配線1 0 2，形成於絕緣表面上； 絕緣膜1 1 0，形成於該閘極配線上； 非晶半導體膜1 2 2，形成於該絕緣膜上； 源極區1 2 3及汲極區1 2 4，形成於該非晶半導體 膜上； 源極配線1 2 5或電極1 2 6，形成於該源極區域或 該汲極區之上；以及 像素電極127，形成於該電極上； 其特徵爲= 該汲極區1 2 4或反向之該源極區1 2 3之一端表面 相對應於該絕緣膜1 1 0之一端表面，該非晶半導體膜 1 2 2之一端表面，及該電極1 2 6之一端表面；以及 該汲極區1 2 4或反向之該源極區1 2 3之另一端表 面相對應於該像素電極1 2 7之一端表面及該電極1 2 6 & 之另一端表面。 1 進一步地，各上述結構之特徵爲，其中該源極區與該 t 汲極區包含非晶半導體膜，該非晶半導體膜含給予n型導 J 電性之雜質元素。 j 仍進一步地，各上述結構之特徵爲，其中該絕緣膜， - 該非晶半導體膜，該源極區，及該汲極區係接連地形成而 ： 未暴露於大氣。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 -8- 303444 A7 _____ 五、發明説明（6) 此外，各上述結構之特徵爲，其中該絕緣膜，該非晶 半導體膜，該源極區，或該汲極區係藉噴鑛法（sputtering method )予以形成。 此外，如第2 (D)圖中所不’各上述結構之知*徵爲 ，其中該源極區1 2 3及該汲極區1 2 4係藉使用相同於 該非晶半導體膜1 2 2及該電極1 2 6之罩幕予以形成。 再者，其特徵爲，其中該源極區及該汲極區係藉使用相同 於該源極配線1 2 5之罩幕而形成。 進一步地，如第2 ( D )圖中所示，各上述結構之特 徵爲，其中該源極區1 2 3及汲極區1 2 4係藉使用相同 於該源極配線1 2 5及該像素電極1 2 7之罩幕而形成。 此外，在各上述結構中，藉第2 ( D )圖中所示之蝕 刻過程，提供有一種結構，其中在該非晶半導體膜之中， 在接觸於該源極區與該汲極區的地區中之膜厚度係形成比 接觸於該源極區之區與接觸於該汲極區之區間的地區中之 膜厚度更厚，亦即，提供有一種通道蝕刻型底部閘極結構 〇 ί 此外，用於實現上述結構之本發明構成係一種半導體 Γ 裝置之製造方法，包含下列步驟： ί 第一步驟，藉使用第一罩幕形成閘極配線1 0 2 ; ? 第二步驟，形成絕緣膜1 0 4覆蓋該閘極配線； > 第三步驟，形成第一非晶半導體膜105於該絕緣膜 ^ 之上； 第四步驟，形成含雜質元素而給定η型導電性之第二 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -線 -9 - 503444 A7 B7 五、發明説明（7 ) 非晶半導體膜i 〇 6於該第一非晶半導體膜之上； 第五步驟，形成第一導電膜1 0 7於該第二非晶半導 體膜之上； 第六步驟，藉使用第二罩幕選擇性地去除該絕緣膜 1 0 4，該第一非晶半導體膜1 0 5，該第二非晶半導體 膜1 0 6 ,及該第一導電膜1 〇 7而形成配線1 1 6 (源 極配線及電極）； 第七步驟，形成第二導電膜1 1 8，接觸及重疊於該 配線1 1 6 (該源極配線及電極）；以及 第八步驟，形成包含該第二非晶半導體膜之源極區 1 2 3及汲極區1 2 6，以及由該第二導電膜所構成之像 素電極1 2 7，該第二導電膜係藉第三罩幕選擇性地去除 一部分該第一非晶半導體膜1 1 2，該第二非晶半導體膜 1 1 4,該第一導電膜1 1 6，及該第二導電膜1 1 8所 形成。 此外，在上述構成中，其中該形成係持續地從該第二 步驟到該第五步驟予以完成而未暴露於空氣。 此外，在上述個別構成中，其中該形成係持續地完成 於該第二步驟到該第五步驟的相同室之中。 此外，在上述個別構成中，該絕緣膜可藉噴鍍法或電 漿C V D法予以形成。 此外，在上述個別構成中，該第一非晶半導體膜可藉 噴鍍法或電漿C V D法予以形成。 此外，在上述個別構成中，該第二非晶半導體膜可藉 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 一線 -10- 503444 A7 _______B7五、發明説明（8 ) 噴鍍法或電漿C V D法予以形成。 此外，在上述個別構成中，其中; 導電膜或具有反射性之導電膜。 簡單說明 第1圖係顯示本發明之頂部視圖； 導電膜係透明 顯示AM — L C D之製造過程； 顯示該A Μ - L C D之製造過程； 顯不該AM — L C D之製造過程； 顯示該AM - L CD之製造過程； 用於解說液晶顯示器裝置之像素部 分及輸入終端部分的設置； 第7圖係剖視圖，顯示液晶顯示器裝置之安裝結構； 第8圖係剖視圖，顯示A Μ - L C D之製造過程； 第9圖#%入終端部分之頂視及剖視圖； 第1 (ff 製造設備之頂視圖； f'.'l 第1 1 製造設備之頂視圖； 第係顯示液晶顯示器裝置之安裝的視圖； 第1 剖視圖，顯示液晶顯示器裝置之安裝結構 第2 視圖 第剖視圖 第視圖 第5圖係頂視圖 第6圖係頂視圖 第1 第1 第1 第1
係主動矩陣基板之結構性剖視圖； 係顯示電子設備之實例的視圖；
i顯示電子設備之實例的視圖；以及 薩3顯示電子設備之實例的視圖。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 、11 線 -11 - 503444 A7 B7 五、發明説明（9) 主要 1〇 11 12 12 12 12 1 2 12 10 1〇 元 2 〇 2 3 4 5 6 7 5 6 7 8
泉--|不 p:J:i:1 -π-1，ΓΓ, L 1 2 8 1〇3 3〇， 件對照表 ,208 閘極配線,104,111,504 絕緣膜 ,1 1 3,5 0 5 非晶半導體膜 源極區 汲極區 ,207 源極配線 電極 ,602 像素電極 ,112 第一非晶半導體膜 ,114 第二非晶半導體膜 第一導電膜 第二導電膜 配線 ，503 透明導電膜 電容配線40, 100, 210, 301 基板 1 〇 1 終 端 1 1 7 導 電 金 屬 膜 1 1 5 半 導 體 膜 1 1 9 - -1 2 1 光 阻 罩 幕 5 〇 1 閘 極 配 線 終 端 部 分 5 〇 2 源 極 配 線 終 丄山 部 分 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 -12- 503444 A7 B7 五、發明説明（1〇) 2 0 1 反向參差型η通道型T F T 202 儲存電容器 1〔 3 0 , 13 1 配向膜 1〔 3 3, 3 0 4 相對基板 13 2 相對電極 13 4 液晶材料 137， 310 銅配線 138 有機樹脂膜 1 2 9 輸入終端 135, 311 黏著劑 136, 312 顆粒 211 像素部分 209 電容器配線 203, 205, 212, 302 輸入終端部分 2 1 3, 8 0 5, 9 1 3 連接配線 3 0 3 終端 3 0 5 密封劑 〇 6， 3 2 2 間 隔 物 0 7， 3 0 8 偏 光 板 2 1 外 殼 1 3 L S I 晶 片 1 4 凸 塊 1 5 樹 脂 材 料 1 6 連 接 終 端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 503444 Α7 Β7 一 ? 五、 發明説明 ( η ) 1 1 3 1 8 樹 脂 層 1 1 3 1 7 印 刷 基 板 1 I 3 1 9 光 源 ，^、 請 1 1 先 1 3 2 0 光 導 體 閱 讀 1 I 4 〇 1 4 0 2 j \ \\ 機 絕緣 膜 背 1 I 冬 1 I 1 〇 j 1 5 9 4 4 4 6 裝 載 — 閉 鎖 室 注 意 1 | 事 1 1 1 第 — 室 項 再 1 填 1 1 2 第 二 室 寫 本 裝 頁 1 1 3 第 二 室 1 1 4 第 四 室 1 1 2 2 2 7 閘 式 活 門 1 1 2 8 4 2 4 3 匣 訂 I 2 〇 y 5 〇 共 用 室 1 I 2 1 機 器 人 手 臂 1 1 | 4 5 室 1 線 1 8 〇 3 9 〇 2 像 素 8 〇 4 j 9 〇 7 外 部 輸入 — 輸 出 終 七山 m 1 I 8 〇 1 1 8 0 2 地 區 1 I 8 〇 〇 ’ 9 〇 1 第 — 基板 1 1 I 8 〇 8 第 二 基 板 1 1 8 1 〇 y 9 〇 4 密 封 材料 1 1 8 1 1 9 〇 5 液 晶 層 1 | 8 1 2 y 9 1 2 F P C ( 可 撓 印 刷 電 路） 1 I 8 1 3 加 強 板 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） -14- 503444 A7 B7 五、發明説明（12) 9 0 8 I C晶片 906,603 引線 911， 915， 918 樹脂 914 導電性顆粒 916 黏著性材料 9 17 A u配線 6 0 1 層間絕緣膜 2 0 0 1, 2 1 0 1, 2 2 0 1, 2 7 0 1, 2301， 2 4 0 1, 2 5 0 1, 2 6 0 1 2 9 0 1, 3 0 0 1, 3 10 1 主體 2002 影像輸入部分 2 0 0 3, 2 1 0 2, 2205， 2 3 0 2, 2 4 0 2 2 5 0 2, 2 9 0 4, 3 0 0 2, 3 0 0 3, 3 1 0 3 顯示部分 2004 鍵盤 2103 聲音輸入部分 2 1 0 4, 2 2 0 4, 2 4 0 5, 2 5 0 4, 2 9 0 5 3 0 0 5 操作開關 2105 電池 2106, 2203 影像接收部分 2202 攝影機部分 2303 臂部分 2403 揚聲器部分 2404, 3004 記錄媒體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 -15- 503444 A7 -^_ 五、發明説明（13) 2 5 0 3 目鏡部分 26〇2，2704 屏幕 2 6 0 1 , 2 7 0 2 投影系統 2 8 0 8 液晶顯示器裝置 2^〇3, 2802, 2804 反射鏡 2 8 〇 1 光源光學系統. ^ 8 〇 3 分光鏡 2 8 〇 7 稜鏡 28〇g 相差板 2 8 1〇 投影光學系統 2811 反射器 2812 光源 2813, 2814 透鏡陣列 2 8 15 偏光轉換元件 2816 會聚透鏡 2902 聲音輸出部分 2903 聲音輸入部分 ^ 2906,3006 天線 'i 3 10 2 支架 r ί ( 發明之實施例模式 ΐ 執行本發明之模式將描述如下。
V c 第1圖係本發明主動矩陣基板之平面視圖的實例，且 ) 在此處爲簡明起見，顯示矩陣形式中所設置的複數個像素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-16- 503444 A7 B7 五、發明説明（14) 中之一像素結構。第2及3圖則爲顯示製造過程之視圖。 如第1圖中所示，此主動矩陣基板包含：複數個閘極 配線，以相互平行而設置；及複數個源極配線，垂直於該 等個別之閘極配線。 包含透明導電膜之像素電極1 2 7配置於該等閘極配 線及該等源極配線所包圍之地區。此外，透明導電膜 1 2 8重疊於源極配線以爲了不與像素電極1 2 7重疊。 進一步地，電容配線1 0 3配置於像素電極1 2 7下 方，在毗鄰兩個閘極配線之間，且與閘極配線1 0 2平行 。此電容配線1 0 3配置以用於每個像素且與第2 ( B ) 圖中所示之當作介電質之絕緣膜1 1 1形成儲存電容器。 此外，當作開關元件之T F T配置於閘極配線1 0 2 與源極配線1 2 5之交叉的附近處，此T F T爲反向參差 型（或底部閘極型）TFT，包含通道形成區，該通道形 成區含具有非晶結構之半導體膜（下文中稱爲非晶半導體 膜）。 此外，在此T F T中，閘極電極（積體地與閘極配線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 Ψ i rt i 〇2形成），閘極絕緣膜， S 1膜，含
S 膜之源極區與汲極區，源極電極（積體地與源極配線 125形成），電極126 (下文中亦稱爲汲極電極）依 序地疊層於絕緣基板上而形成。 此外，該閘極絕緣膜並不會存在於其中閘極配線並未 與a - S i膜重疊之地區中之閘極配線上。 所以，與該電極1 2 6重疊之像素電極1 2 7係形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 503444 A7 _B7_ 五、發明説明（15) 以便不會與閘極配線重疊。 此外，在閘極配線與源極配線之交叉處，源極配線之 末端部分之透明導電膜係去除以爲了防止短路。此外，電 極1 1 7之末端係去除以防止電容配線與像素電極間之短 路。 此外，在源極配線（含源極電極）及汲極電極1 2 6 下方，閘極絕緣膜，a - S :膜，及n + a - S i膜依序地 疊層在絕緣基板上而形成。 此外，在接觸於源極區之地區與接觸汲極區之地區間 之地區中的a - S i膜相較於其他地區中之膜係較薄，該 膜較薄係因爲當藉蝕刻法分離該n + a - S i膜而形成源極 區及汲極區時，一部分該a - S 1膜去除之故。此外，藉 此餓刻法，像素電極之末端表面，汲極電極之末端表面， 及汲極區之末端表面會相互一致。 此外，同樣地，覆蓋源極電極之透明導電膜的末端表 面，源極區之末端表面，及源極配線之末端表面會相互一 致。 由上述結構所完成之本發明將以下文所示之實施例予 以更詳細地描述。 實施例 實施例1 本發明之實施例係利用第1至6圖及第9圖予以解說 ，本實施例顯示一種液晶顯示器裝置之製造方法，而藉反 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 線 -18- 503444 A7 _____ B7 五、發明説明（16» 向參差型T F T形成像素部分之T F T於基板上及製造連 接於該T F T之儲存電容器之方法的詳細解說係根據所使 用之過程予以作成。進一步地，用於該基板之邊緣部分中 所形成之輸入終端部及用於電性地連接於形成在其他基板 上之電路配線的製造過程將同時地顯示於相同之圖中。 在第2 (A)圖中，包含諸如典型地康寧公司（ Cormng Corp.) #7059或# 1 7 3 7之鋇硼矽酸玻璃或鋁硼矽酸 玻璃的玻璃基板可使用爲具有半透明性之基板1 0 0。此 外，亦可使用諸如石英基板或塑膠基板之半透明基板。 接著，在形成導電層於基板的整個表面上之後，執行 第一光微影術過程，形成光阻罩幕，藉蝕刻法去除不必要 的部分，以及形成配線及電極（含閘極電極之閘極配線 1〇2，電容器配線1 0 3及終端1 0 1 )。同時，執行 蝕刻法以形成錐形部分於至少該閘極電極1 0 2之邊緣部 分中，此階段之頂視圖顯示於第4圖中。 較佳地形成含閘極電極之閘極配線1 0 2，電容器配 線1 0 3，及終端部分之終端1 0 1自低電阻率導電材料 , ，諸如鋁（A 1 )或類似物，但單純之鋁會具有諸如劣等 ^ 之熱電阻及易於腐蝕之問題，且因此結合有熱阻性導電材 }' 料。選擇自含鈦（T 1 )，鉅（T a )，鎢（W )，銀（ \ Mo)，鉻（Cr)，鈮（Nd)之群的一元素，或包含 上述元素之合金，或上述元素組成物之合金膜，或包含上 t 述元素之硝化混合物形成爲熱阻性導電材料。此外，形成
L ； 具有諸如T i， s 1，C r，或N d之熱阻性導電材料之 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 線 -19- 503444 A7 _B7_五、發明説明（17) 組成物係較佳的，因爲可改善平坦性。進一步地，亦可僅 形成例如結合Μ 〇及W之此熱阻性導電膜。 在實現該液晶顯示器裝置中，較佳地藉結合熱阻性導 電材料及低電阻率導電材料來形成閘極電極及閘極配線。 將解說此例中之合適組成物。 若屏幕大小爲等於或小於5吋對角線型之時，係使用 包含熱阻性導電材料之氮化物混合物的導電層（A )及包 含熱阻性導電材料的導電層（B )之疊層雙層結構，導電 材料（B)可包含選擇自Al，Ta，Ti，W，Nd， 及C r所組成之群的元素，或上述元素之合金，或上述元 素組合之合金膜，以及導電層（A )包含諸如氮化鉅（ T a N )膜，氮化鎢（W N )膜，或氮化鈦（T i N )膜 之膜，例如較佳地使用C r疊層之雙層結構爲導電層（A )以及含有Nd之A1爲導電層（B)。導電層（A)給 定1 0至1 0 0奈米之厚度（較佳地在2 0與5 0奈米之 間），以及導電層（B)製成具有200至400奈米之 厚度（較佳地在250與350奈米之間）° 另一方面，爲了應用於大的屏幕，較佳地使用包含熱 阻性導電材料之導電層（A )，包含低電阻率導電材料之 導電層（B )，及包含熱阻性導電材料之導電層（C ) / 三層結構的疊層。含該低電阻率導電材料之導電層（B ) 包含具有鋁（A 1 )之材料，且除了純化A 1之外，可使 用含0 · 0 1與5原子百分比之間的諸如銃（s c )， Ti，Nd，或矽（Si)等之元素的A1 ;該導電層（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装· 訂 -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20- 503444 A7 B7 五、發明説明（18> C )係有效於防止導電層（B )之A 1中之小凸起的產生 ;導電層（A)給定1 0至1 0 0奈米之厚度（較佳地在 20與50奈米之間），導電層（B)具有200至 400奈米厚度（較佳地在250與350奈米之間）， 以及導電層（C)係1 0至1 00奈米厚（較佳地在20 與5 0奈米之間）。在本實施例中，導電層（A)包含具 有5 0奈米厚度之T i膜，藉具有丁 i靶之噴鍍法製成； 導電層（B)包含具有200奈米厚度之A 1膜，藉具有 A 1靶之噴鍍法製成；以及導電層（C)係5 0奈米厚 Ti膜，藉具有Ti靶之噴鍍法製成。 絕緣膜1 0 4係接著形成於整個表面上，該絕緣膜 1〇4係利用噴鍍法形成且具有5 0至2 0 0奈米之膜厚 度。 例如，使用氮化矽膜爲絕緣膜1 0 4且形成爲1 5 0 奈米之厚度。當然，該閘極絕緣膜並未受限於此形式之氮 化矽膜，而亦可使用諸如氧化矽膜，氮氧化矽膜，或氧化 鉅膜之另外的絕緣膜，且該閘極絕緣膜可包含該等材料之 單一層或疊層結構，例如可使用具有氮化矽膜爲下方層及 氧化矽膜爲上方層之疊層結構。 接著，藉使用諸如電漿C V D或噴鍍法之熟知方法形 成具有5 0至2 0 0奈米厚度（較佳地在1 0 0與1 5 0 奈米之間）之非晶半導體膜1 〇 5於整個表面之絕緣膜 1 04之上（未圖示）。典型地，非晶砂（a — S i )膜 係藉使用矽靶之噴鍍法形成具有1 0 0奈米之厚度。此外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 -21 - 503444 A7 ___B7 五、發明説明（d ，應用諸如非晶矽鍺膜之具有非晶結構之微晶半導體膜或 合成半導體膜亦係可行的。 接著，形成具有20至80奈米厚度之含有給予η型 之雜質元素的非晶半導體膜1 0 6當作導電膜1 0 6，該 導電膜1 0 6含有給予一導電型之雜質元素，含給予η型 之雜質元素的非晶半導體膜1 0 6係藉諸如電漿C V D或 噴鍍法之熟知方法形成於整個表面上，典型地適合形成 n + a — S 1 : Η膜而藉使用添加有磷（Ρ )之矽靶予以沈 積。替換性地，膜沈積可藉使用矽靶於含磷之氛圍中的噴 鍍法予以執行。此外，含有給予η型之雜質元素的非晶半 導體膜10 6亦可包含氫化微晶矽膜（//c 一 Si :Η) ο 接著，藉噴鍍法或真空蒸鍍法來形成導電性金屬膜 107,若可以以n+a-Si膜106來製成歐姆接觸時 ，則沒有特定之限制於該導電性金屬膜1 〇 7之材料上， 而可給定選擇自含Al， Cr， Ta及Ti之群的元素， 或包含上述元素之合金，及結合上述元素之合金膜或類似 物。然而，須注意的是，需選擇在稍後鈾刻過程中具有相 對於終端及閘極配線之充分選擇性比例之導電性金屬膜 1 0 7之材料。在本實施例中，係使用噴鍍法及形成具有 300至600奈米厚度之Cr膜當作金屬膜107 (第 2 ( A )圖）。 絕緣膜1 0 4，非晶半導體膜1 0 5，含給予一導電 型之雜質元素之半導體膜1 〇 6，及導電性金屬膜1 0 7 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2丨0><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 -線 -22- 503444 A7 _________ B7__ 五、發明説明（2() 均藉熟知之方法予以製造且可藉電漿C VD或噴鍍法製造 ，該等膜係藉噴鍍法及適用地改變靶或噴鍍氣體而連續地 形成於本實施例中，同時，可使用同一反應室或複數個反 應室於該噴鑛设備中，且較佳地連繪疊層該等膜而不暴露 於大氣。藉不暴露該等膜於大氣可防止雜質之混合。 接著，執行第二光微影過程，形成光阻罩幕1 〇 8及 1 0 9，且藉蝕刻去除不必要的部分形成絕緣膜1丨〇及 1 1 1，配線以及電極（源極配線），此時係使用溼蝕刻 法或乾蝕刻法當作蝕刻過程。絕緣膜1 0 4，非晶半導體 膜1 0 5，含給予一導電型之雜質元素的半導體膜1 〇 6 及導電性金屬膜蝕刻於該第二光微影過程中，而形成絕緣 膜1 1 0，非晶半導體膜1 1 2，含給予一導電型之雜質 元素的半導體膜1 1 4及導電性金屬膜1 1 6於像素 TFT部分，因此，該等膜之邊緣表面會槪略地一致；進 一步地，在電容器部分中，將形成絕緣膜1 1 0，非晶半 導體膜1 1 3，含給予一導電型之雜質元素的半導體膜 1 1 5及導電性金屬膜1 1 7。同樣地，該等膜的邊緣表 , 面將一致。 ! 進一步地，在上述第二光微影過程中，蝕刻掉該等膜 f 而僅留下終端部分中之終端1 0 1 ;在閘極配線上之絕緣 \ 膜亦去除而僅留下與其他配線之交叉部分。因此，必須選 ^ 擇具有相對於該絕緣膜之足夠的選擇性比例以用於該終端 f 1 0 1及閘極配線之材料，且進一步地必須選擇具有相對 ; 於該導電性金屬膜之足夠的選擇性比例以用於該終端之材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·
、1T 線 -23- 503444 A7 __ _B7 五、發明説明（2》 料，也就是說，必須選擇相異於導電性金屬膜之材料用於 終端及閘極配線。在本實施例中，金屬膜1 0 7係藉使用 C 1 2及0 2之混合氣體的乾蝕刻法予以蝕刻，且接著藉改 變該反應氣體爲C F 4及0 2之混合氣體而選擇性地去除含 給予一導電性之雜質元素的半導體膜1 0 6，非晶半導體 膜1 0 5及絕緣膜1 0 4。（第2 ( B )圖） 接著，在去除該光阻罩幕1 0 8之後，沈積透明之導 電膜1 1 8於整個表面上（第2 ( C )圖），此狀態之頂 視圖顯示於第5圖中，然而將注意的是，爲簡明起見，沈 積在整個表面上之透明導電膜118並未顯示於第5圖中 〇 該透明導電膜1 1 8包含諸如利用例如噴鍍法或真空 蒸鍍法之方法之氧化銦（I η 2〇3 )或銦錫氧化物合金（ 1112〇3—811〇2，簡寫爲1丁〇），用以此形式材料 之蝕刻過程係利用鹽酸形式溶液予以執行。然而，將易於 產生殘留物，尤其在I Τ〇蝕刻法之中，因而可使用銦鋅 氧化物合金（I η 2〇3 — Ζ η〇）以改善蝕刻之作業能力 。該銦鋅氧化物合金具有優異的表面平滑特徵，且相較於 I Τ 0具有優異的熱穩定性，因此，即使該電極1 1 6包 含A 1膜時，亦可防止腐蝕反應。類似地，氧化鋅（ Zn〇）亦爲適用之材料，且除此之外，爲了增加可見光 之透射率及增加導電性，可使用諸如其中添加鎵（G a ) 之氧化鋅之材料（Ζ η〇：G a )。 接著，藉第三光微影過程來形成光阻罩幕119, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 線 -24- 503444 A7 B7 五、發明説明（2i 1 2 〇及1 2 1，然後藉軸刻法去除不必要的部分而留下 非晶半導體膜1 2 2，源極區1 2 3，汲極區1 2 4，源 極電極12 5，汲極電極126，及像素電極127。（ 弟2 ( D )圖） 該第三光微影過程製作透明導電膜1 1 8圖案，且同 時藉蝕刻法去除該導電性金屬膜1 1 6，n f a - S i膜 1 1 4及非晶半導體fl吴1 1 2之一部分而形成開口。在本 實施例中，包含I T 0之像素電極係首先藉使用硝酸及鹽 酸之混合溶液或氯化鐵溶液之溼蝕刻法來選擇性地去除包 含I T〇之像素電極，且在藉溼蝕刻法去除該導電性金屬 膜 之後，藉乾蝕刻法來蝕刻一部分之該n + a 膜1 1 4及非晶半導體膜1 1 2。應注 及乾蝕刻法係使用於本實施例中，但操 選擇反應氣體而僅執行乾蝕刻法，且該 地選擇反應溶液而僅執行溼蝕刻法。 進一步地，該開口之下方部分將到 且該非晶半導體膜1 1 4係形成具有凹 屬膜1 1 6係藉該開口而分開爲源極配 極1 2 6，而該 —S 1 : Η 膜 1 1 1 2 3及汲極區1 2 4。此外，接觸該 透明導電膜1 2 8會覆蓋著該源極配線 程期間，尤其在擦拭過程期間完成防止 形成透明導電膜1 2 8於源極配線上之 施例中，但透明導電膜1 2 8亦可在上 意的是，溼 作人員可藉 操作人員可 達非晶半導 面部分，該 線1 2 5及 4則分開爲 源極電極1 且在接著之 靜電出現之 實例係顯示 述I Τ〇膜 -S i 鈾刻法 適用地 藉適用 體膜， 導電金 汲極電 源極區 2 5之 製造過 角色。 於本實 之蝕刻 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 503444 A7 __B7_ 五、發明説明（d 期間去除。此外，用於保護以免於靜電之電路亦可在該 I T〇膜之蝕刻中藉使用上述I T〇膜形成。 進一步地，雖未顯示於圖中，但因爲閘極配線上所形 成之透明導電膜係藉第三光微影過程予以選擇性地去除， 故具有非晶半導體膜及金屬膜1 1 6之選擇性比例之閘極 配線係必須的。然而應注意的是，該透明導電膜部分地留 在該閘極配線終端部分中。 接著，去除光罩1 1 9至1 2 1，此狀態之橫剖面視 圖顯示於第3 ( A )圖中，應注意的是，第1圖爲一像素 之頂視圖而沿著A - A /線及B - B >線之橫剖圖則分別 地相對應於第3 ( A )圖。 此外，第9 ( A )圖顯示此狀態中之閘極配線終端部 分5 0 1及源極配線終端部分5 0 2之頂視圖，注意的是 相同的符號使用於相對應第1至3圖之該等區域。進一步 地，第9 ( B )圖相對應於取第9 ( A )圖中線E — E > 及F — F /的橫剖視圖。包含透明導電膜之第9 ( A )圖 中之參考符號5 0 3指示作用爲輸入終端之連接電極。此 外，在弟9 (B)圖中，爹考符號5 04指示絕緣膜（延 伸自1 1 0 )，參考符號5 0 5指示非晶半導體膜（延伸 自122)，及參考符號506表示n + a — Si膜（延伸 自 1 2 3 )。 將注意的是，儲存電容器係形成於電容器配線1 〇 3 與金屬膜1 1 7 (或11^ — s i膜1 1 5或半導體膜）之 間的電容器部分中而具有絕緣膜1 1 1爲電介質。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210\ 297公廣） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 -26- 503444 A7 ____B7 五、發明説明（24) 所以，藉使用3個光罩及執行3個光微影過程，可完 成具有反向參差型η通道型T F T之像素T F T部分及儲 存電容器2 0 2，藉配置該等於相對應各像素之矩陣形式 中及藉此構成像素部分，可製成一基板以便製造主動矩陣 液晶顯不益裝置。爲便利起見，此形式之基板在整個此規 格稱爲主動矩陣基板。接著，僅選擇性地形成配向膜 1 3 0於該主動矩陣基板的像素部分中。網印法可使用爲 選擇性地形成該配向膜1 3 0之方法，而亦可使用其中光 阻罩幕係在配向膜施加之後利用遮蔽光罩形成的去除方法 。一般常使用聚亞醯胺樹脂於液晶顯示器元件的配向膜之 中〇 接著，執行擦拭法於配向膜1 3 0之上而定向該等液 晶元件以便擁有某一固定的預傾角。 主動矩陣基板及其上形成相對電極1 3 2及配向膜 1 3 1的相對基板1 3 3係接著藉密封劑來結合在一起而 利用間隔物來維持間隙於該等基板之間，之後，注入液晶 材料1 3 4於主動矩陣基板與相對基板間之空間內，熟知 , 之材料可應用於液晶材料1 3 4，且典型地係使用Τ Ν液 ^ 晶。在注入該液晶材料之後，則藉樹脂材料來密封注入口 ；〇 丨 接著，連接可撓印刷電路（F P C )於終端部分之終 i 端1 0 1，該F P C包含銅配線1 3 7於諸如聚亞醯胺之 、 有機樹脂膜1 3 8之上且藉由各向異性導電黏著劑連接於 : 包含透明導電膜（相對應於第9圖之參考符號5 0 3 )之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 -線 -27- 503444 A7 B7 五、發明説明（ 輸入終端1 2 9，該各向異性導電黏著劑包含黏著劑 1 3 5以及混合於其中之顆粒1 3 6，該等顆粒具有數十 至數百微米之直徑且具有藉諸如金之材料所電鍍之導電表 面，該等顆粒1 3 6藉連接輸入終端1 2 9與銅配線 1 3 7而形成電性連接於此部分中。此外，爲增加此地區 之機械強度，形成樹脂層139。（第3 (B)圖） 第6圖係解說主動矩陣基板之像素部分及終端部分之 配置的圖示。像素部分2 1 1形成於基板2 1 0之上，閘 極配線2 0 8及源極配線2 0 7係形成交叉於像素部分之 上，以及連接於此之η通道T F T 2 0 1則形成相對應於 各像素。像素電極1 2 7及儲存電容器2 0 2連接於η通 道T F Τ 2 0 1之汲極側，而儲存電容器2 0 2之另一終 端則連接於電容器配線2 0 9，η通道T F Τ 2 0 1與儲 存電容器2 0 2之結構係相同於第3 (Α)圖中所示之η 通道TFT2 0 1與儲存電容器2 0 2之結構。 用於輸入掃描信號之輸入終端部分2 0 5係形成於基 板之一邊緣部分且藉連接配線2 0 6連接於閘極配線 2 0 8。進一步地，用於輸入影像信號之輸入終端部分 2 0 3形成於另一邊緣部分中且藉連接配線2 0 4連接於 源極配線2 0 7。複數個閘極配線2 0 8，源極配線 2 0 7 ,及電容器配線2 0 9則根據像素密度予以形成， 該等配線之數目係如上文所述。此外，可形成用於輸入影 像信號之輸入終端部分2 1 2及連接配線2 1 3，且可替 換性地以輸入終端部分2 0 3連接於源極配線，隨意數目 "ik張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） ~ ^ -28- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 503444 A7 ---〜____ B7 五、發明説明（ 之輸入終端部分2〇3， 205及212可由操作員適當 地確定而形成。 實施應[2 第7圖係安裝液晶顯示器裝置之方法實例。該液晶顯 不器裝置具有輸入終端部分3 〇 2，形成於其上形成 T F T之基板3 0 1的邊緣部分中，且如實施例1所示地 ’此係藉包含相同於閘極配線之材料的終端3 0 3所形成 。相對基板3 0 4係藉密封劑3 0 5結合於基板3 0 1而 封囊間隔物3 0 6，此外，形成偏光板3 0 7及3 0 8， 此係接著藉間隔物3 2 2而固定於外殼3 2 1。 須注意的是，獲得於實施例1中之具有由非晶半導體 膜所形成之主動層的T F T具有低的電場效應遷移率，且 僅獲得大約1 c nf / V s e c，因此，用於執行影像顯示 之驅動器電路藉LSI晶片形成且藉TAB (卷帶自動接 合法）法或藉C〇G (晶片在玻璃上）法予以安裝。在本 實施例中，實例係顯示形成驅動器電路於L S I晶片 3 1 3中且藉使用TAB法安裝，使用可撓印刷電路（ F P C )，且該F P C藉銅配線3 1 0形成於諸如聚亞醯 胺之有機樹脂膜3 0 9之上，及藉各向異性導電黏著劑連 接於輸入終端3 0 2，該輸入終端係形成於及接觸於配線 3 0 3上之透明導電膜，各向異性導電黏著劑係藉黏著劑 3 1 1及混合於其內之顆粒3 1 2所建構，該等顆粒具有 數十至數百微米之直徑且具有藉諸如金之材料所電鍍之導 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 1· -29- 503444 A7 B7五、發明説明（2) 電表面，該等顆粒3 1 2藉連接輸入終端3 0 2與銅配線 3 1 〇而形成電性連接於此部分中。此外，爲增加此地區 之機械強度，將形成樹脂層3 1 8。 L S I晶片3 1 3係藉凸塊3 1 4而連接於銅配線 3 1 〇且藉樹脂材料3 1 5予以密封，接著該銅配線 3 1 0透過連接終端3 1 6連接於其上形成諸如信號處理 電路，放大電路，及電源供應電路之其他電路的印刷基板 3 1 7。光源3 1 9及光導體3 2 0形成於相對基板 3 0 4上且在透射型液晶顯示器裝置中使用爲背光。 實施例3 在本實施例中，形成保護膜之實例顯示於第6圖中。 須注意的是，本實施例相同於實施例1直到第2 ( D )圖 之狀態，且因此僅解說相異之點。進一步地，相同符號使 用於相對應於第2 ( D )圖中之位置。 在首先根據實施例1形成至第2 ( D )圖之狀態後， 形成薄的無機絕緣膜於整個表面上，可形成利用氧化矽膜 ，氮化矽膜，氮氧化矽膜，或氧化鉅膜所形成爲薄的無機 絕緣膜之無機絕緣膜，以及形成包含該等材料之單層或疊 層結構。 接著，執行第4光微影過程，形成光阻罩幕，及藉鈾 刻法去除不必要之部分，形成絕緣膜4 0 2於像素T F T 部分中，及形成無機絕緣膜4 0 1於終端部分中，該等無 機絕緣膜4 0 1及4 0 2作用爲鈍化膜。進一步地，薄的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -30- 503444 A7 B7 五、發明説明（ 無機絕緣膜4 0 1係藉第4光微影過程而去除於終端部分 中而暴露該終端部分之終端1 0 1。 藉該無機絕緣膜所保護之反向參差型η通道型T F T 及儲存電容器可因而藉使用4個光罩總計執行光微影過程 4次而完成於本實施例中。因此，像素部分將藉設置該等 爲相對應於各像素之矩陣狀態予以建構，而可製成用於製 造主動矩陣液晶顯示器裝置之一基板。 須注意的是，隨意地組合本實施例之構成與實施例1 或實施例2之構成係可行的。 實施例4 雖然實施例1顯示藉噴鍍法疊層絕緣膜，非晶半導體 膜，含有給予η型導電性之雜質元素的非晶半導體膜，及 金屬膜之實例，但本實施例顯示利用電漿C V D來形成該 等膜之實例。 在本實施例中，絕緣膜，非晶半導體膜，含有給予η 型導電性之雜質元素的非晶半導體膜係藉電漿C V D予以 形成。 在本實施例中，使用氮氧化矽膜爲絕緣膜且藉電漿 CVD形成具有1 5 0奈米之厚度，電漿CVD可以以 1 3至7 ΟΜΗ ζ之電源供應頻率（較佳地在2 7與6 〇 ΜΗ ζ之間）來執行於此時，藉使用2 7至6 ΟΜΗ ζ;^ 電源供應頻率，可形成濃度之絕緣膜，且電壓電阻可增加 以當作閘極絕緣膜。進一步地，藉添加〇2於S 1 Η 4及 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀北3面之注意事項再嗔寫本耳，} -裝- -訂_ 線 -31 - 503444 A7 ____B7_ 五、發明説明（ N 2〇所製造之氮氧化矽膜具有在膜中固定電荷密度之減少 ，且因此係此用途之較佳材料。當然，閘極絕緣膜並未受 限於此形式之氮氧化矽膜，而可形成利用諸如氧化矽膜， 氮化矽膜，或氧化鉅膜之其他絕緣膜的單層或疊層結構。 進一步地，可使用氮化矽膜於下方層中及氧化矽膜於上方 層中之疊層結構。 例如，當使用氧化矽膜時，其可藉電漿C V D，利用 四氧乙基矽（T E〇S )及〇2之混合物，以設定於4 0 P a之反應壓力，2 5 0至3 5 0 °C之基板溫度，及放電 於 0 · 5 至 0 · 8W/cni 之高頻（13 · 56MHz) 功率密度處予以形成。當作閘極絕緣膜之良好特徵可獲得 於藉隨後在3 0 0至4 0 0°C之熱退火所形成之氧化矽膜 〇 典型地，氯化非晶砂（a - S i · H)膜係藉電獎 CVD形成具有1 0 〇奈米之厚度而當作非晶半導體膜， 此等，可以在電漿CVD設備中以13至70MHz (較 佳地在2 7與6 0 Μ Η z之間）之電源供應頻率來執行® ·' 漿CVD，藉使用27至60MHz之電源頻率可增加膜 ； 沈積速度，而所沈積之膜係較佳的，因其呈具有低缺陷密 ί 度之a - S i膜。此外，應用單晶半導體膜及諸如非晶砍 / 鍺膜之具有非晶結構之混合半導體膜當作該非晶半導體膜 : 亦係可行的。 、 進一步地，若執行1 〇 〇至1 0 0 κ Η z脈波調變放 ) 電於絕緣膜及非晶半導體膜之電漿C V D膜沈積中，則可 _ ____________—------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 -32- 503444 A7 ____B7____ 五、發明説明（ 防止由於電漿C V D氣相反應所產生之顆粒，亦可防止針 孔產生於所形成之膜中，因而係較佳的。 進一步地，在本實施例中，含有給予η型導電性之雜 質元素的非晶半導體膜係形成具有2 0至8 0奈米之厚度 而當作含有單一導電型雜質元素之半導體膜，例如可形成 具有η型之a — S i : Η膜，且爲形成此，係添加0 · 1 至5 %之濃度的磷化氫（ρ Η 3 )於甲矽烷（S i Η 4 )。 替換性地，亦可使用氫化微晶矽膜（// c 一 S i : Η )爲 代替物以用於含給予η型導電性之雜質元素的非晶半導體 膜 1 0 6。 該等膜可藉適當地改變反應氣體而連續地形成。進一 步地，該等膜可同時地藉使用電漿CVD設備中之同一反 應室或複數個反應室而不暴露於大氣中予以連續地疊層， 藉連續地沈積該等膜而不暴露該等膜於大氣，可防止雜質 混合進入第一非晶半導體膜之內。 須注意的是，結合本實施例與實施例2係可行的。 實施例5 實例係以依序地及連續地疊層絕緣膜，非晶半導體膜 ，n ; a - S i膜，及金屬膜之實施例1及實施例4予以顯 示，具有複數個室及使用於執行此形式之連續膜沈積@ 備實例顯示於第1 0圖中。 如上文所述，由本實施例中所示之設備（連續的Μ沈： 積系統）的輪廓顯示於第1 〇圖中，在第1 0圖中之參# 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 -33- 503444 A7 __________ B7_ _ 五、發明説明（31) 符號1 0至1 5表示具有氣密特徵之室，真空抽氣泵及惰 性氣體導入系統則設置於各室中。 藉爹考符號1 0及1 5所表示之室爲用於使樣品（處 理基板）3 0進入該系統之裝載一閉鎖室；藉參考符號 1 1所表示之室爲用於絕緣膜1 〇 4沈積之第一室；藉參 考符號1 2所表示之室爲用於非晶半導體膜1 〇 5沈積之 第二室；藉參考符號1 3所表示之室爲用於給予η型導電 性之非晶半導體膜1 〇 6沈積之第三室；藉參考符號1 4 所表示之室爲用於金屬膜1 〇 7沈積之第四室；進一步地 ，參考符號2 0表示共用室，用於樣品，相對於各室所共 同設置的。 操作之實例顯示於下文。 在首先獲得初始之高真空狀態於所有該等室之後，淨 化狀態（正常壓力）係使用惰性氣體來完成，此處爲氮氣 ，而且關閉所有的閘式活門2 2至2 7。 首先，置放裝載有多數處理基板之匣28於裝載〜閉 鎖室1 0之內，在置放該匣於內部之後，關閉該裝載〜閉 士鎖室之門（未顯示於該圖中）。在此狀態中，閘式活門 r : 2 2開啓而處理基板3 〇之一藉機器人手臂2 1移出自該 ί 匣且取出至共用室2 0，位置對齊則在此時執行於共用室 S 之中，須注意的是，根據實施例1之其上形成配線1 〇工 ,' ，1 0 2，及1〇3之基板使用於基板3 0。 然後，關閉閘式活門2 2且接著，開啓閘式活門2 3 ; ，然後’移入處理基板3 0於第一室1 1之內，膜沈積處 本錄尺度適h國國家標準（cns7T^^2i〇x 297^ ^----- -34- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 線 503444 A7 _ B7 五、發明説明（33 理係在1 5 0至3 0 0 t執行於第一室內而獲得絕緣膜 1 0 4，須注意的是，諸如氮化矽膜，氧化矽膜，氮氧化 矽膜，或該等膜之疊層膜之膜可使用爲絕緣膜。在本實施 例中使用單層氮化矽膜，但亦可使用兩層，三層，或更多 之層的疊層結構膜。須注意地，此處係使用具有電漿 C V D能力之室，但亦可使用具有藉利用靶之噴鍍法之能 力的室。 在完成絕緣膜之沈積後，藉機器人手臂拉出處理基板 送入共用室內且接著傳送至第二室1 2，膜沈積係在 1 5 0至3 0 0°C溫度執行於第二室內而藉電漿CVD獲 得非晶半導體膜1 〇 5，須注意的是，諸如微晶半導體膜 ，非晶鍺膜，非晶矽鍺膜，或該等膜之疊層膜，等之膜可 使用爲非晶半導體膜。進一步地，用於降低氫濃度之熱處 理過程可以以用於非晶半導體膜之3 5 0至5 0 0 °C的形 成溫度而省略，須注意的是，此處係使用具有電漿C V D 能力之室，但亦可使用具有利用靶之噴鍍能力之室。 在完成非晶半導體膜之沈積後，拉出處理基板送入共 用室內且接著傳送至第三室1 3，相似於該第二室，膜沈 積係在1 5 0至3 0 0 °C溫度執行於第三室內而藉電漿 CVD獲得含有給予η型導電型（P或A s )之雜質元素 的非晶半導體膜1 〇 6，須注意的是，此處係使用具有β 漿C V D能力之室，但亦可使用具有利用靶之噴鍍能力之 室。 在完成含有給予η型導電性之雜質元素的非晶半導體 衣紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 -35- 503444 Α7 Β7 IT ri rjs Γ ^ 五、發明説明（3$ 膜之沈積之後，拉出處理基板送入共用室內且接著傳送至 第四室1 4，金屬膜1 0 7係藉使用金屬靶之噴鍍法獲得 於該第四室之內。 接著，其上已連續形成4層之所處理基板藉機械人手 臂傳送至裝載—閉鎖室1 5，且含於匣2 9中。 須注意的是，第1 0圖中所示之設備僅係一實例，進 一步地，可隨意地組合本實施例與實施例1至4之任一實 施例。 實施例6 在實施例5之中，顯示利用複數個室之連續疊層的實 例，但在本實施例中，採用一種利用第1 1圖中所示設備 之連續疊層於一維持在高真空之室內的方法。 第1 1圖中所示之設備系統係使用於本實施例之中。 在第1 1圖中，參考符號4 0表示處理基板，參考符號 50表示共用室，44及46表示裝載一閉鎖室，45表 示室，以及參考符號4 2及4 3表示匣。爲防止污染出現 在基板之傳送期間，在本實施例中之疊層係執行於同一室 lljll 〇 可隨意地組合本實施例與實施例1至4之任一實施例 〇 須注意的是，當應用於實施例1之時，複數個靶係準 備於室4 5中，而接著可藉依序地改變反應氣體來疊層絕 緣膜1 0 4，非晶半導體膜1 〇 5，含給予η型導電性之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 ΟΧ297公釐） -36 - 503444 Α7 Β7 五、發明説明（34) 雜質元素的非晶半導體膜1 〇 6，及金屬膜1 〇 7 ° 進一步地，當應用於實施例3之時，可藉依序地改變 反應氣體來疊層絕緣膜1 〇 4，非晶半導體膜1 〇 5，含 給予η型導電性之雜質元素的非晶半導體膜1 〇 6 ° 實施例7 在實施例1中，顯示利用噴鍍法形成n + a - S i膜之 一實例，但在本實施例中，則顯示使用電漿C V D來形成 其之實例。須注意的是，除了形成n + a - S 1膜之方法外 ，本實施例係相同於實施例1且因此僅陳述相異點於下文 中。 若添加相對於甲矽烷（S i Η 4 )之磷化氫（P Η 3 ) 於0 · 1至5 %濃度以當作使用電漿C V D之反應氣體時 ，則可獲得n f a - S 1膜。 實施例8 在實施例7中，顯示利用電漿C V D形成n + a — S i 膜之實例，而在本實施例中，則顯示使用含給予η型導電 性之雜質元素之單晶半導體膜的實例。 藉設定8 0至3 0 0°C之沈積溫度，較佳地在1 4 0 與2 0 0 °C之間，取藉氫所稀釋之甲矽烷（S i Η 4 ·· Η 2 =1 : 10至100)與磷化氫（ρη3)之氣體混合物當 作反應规體，设疋热體壓力自0 · 1至10托，及設定方女 電功率自1 0至3 0 0毫瓦/平方公分，可獲得微晶矽膜 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、1Τ -線 -37· 503444 A7 ____ B7 五、發明説明（ 。進一步地，在此微晶矽膜之膜沈積之後可藉電漿摻雜法 來添加磷。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例9 第1 2圖係圖示，其槪略地顯示使用C〇G法來建構 液晶顯示器裝置之狀態。像素區8 0 3，外部輸入-輸出 終$而8 0 4，及連接配線8 0 5形成於第一'基板上。由點 線所圍繞之地區表示用於配裝掃描線側I C晶片之地區 8 0 1及用於配裝資料線側I C晶片之地區8 0 2。相對 電極8 0 9形成於第二基板8 0 8上且藉使用密封材料 8 1 0結合於第一基板8 0 0，液晶層8 1 1藉注入液晶 於密封材料8 1 0內部而形成，該第一基板與第二基板以 預定間隙結合且設定3至8微米供向列液晶用，及1至4 微米供層列液晶用。 I C晶片8 0 6及8 0 7具有相異於資料線側與掃描 線側之間的電路結構，該等I C晶片安裝於第一基板上， F P C (可撓印刷電路）8 1 2配裝於外部輸入一輸出終 端8 0 4以輸入來自外部之電源供應及控制信號。爲了增 加F P C 8 1 2之黏著強度，可形成加強板8 1 3，因此 完成該液晶顯示器裝置。若執行電性檢查於安裝I C晶片 於第一基板之前，則可改善液晶顯示器裝置之最後過程的 產能，且可增加可靠性。 進一步地，可採用諸如利用各向異性之導電材料連接 的方法或線焊法之方法來當作安裝I C晶片於第一基板上 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 503444 Α7 Β7 五、發明説明（36) 之方法°第1 3圖㈣該等之實例，第1 3 ( A )圖顯斥 其中利用各向異ί生之導電材料來安裝z c晶片g Q 8於第 一基板9 0 1上之實例。像素區9 0 2，引線9 〇 6，連 接配線及輸入一輸出終端9 〇 7形成於第一基板9 〇丄之 上’第一基板利用岔封材料9 〇 4接合於第一基板9 〇 1 ，以及液晶層9 0 5形成於該處之間。 進一步地，利用各向異性之導電材料接合F p C 9 1 2於連接配線及輸入-輸出終端9 〇 7之一邊緣，該各向 異性之導電材料包含樹脂9 1 5及具有數十至數百 徑且藉諸如A u之材料電鍍之導電性顆粒9 1 4， 於F P C 9 1 2之連接配線9 1 3以及連接配線及 輸出終端9 0 7則藉導電性顆粒9 1 4予以電連接 地，I C晶片9 0 8亦藉各向異性之導電材料接合 基板，配置於I C晶片9 0 8之輸入一輸出終端9 引線9 0 6，或連接配線與輸入一輸出終端9 0 7 合於樹脂9 1 1內之導電性顆粒9 1 0予以電連接。 此外，如第1 3 (B)圖所不，I C晶片可藉 經濟部智慧財/$^7吕(工消費合作钍印製 微米直 而形成 輸入一 。類似 於第一 〇9與 則藉混 黏著劑 一輸出 連接， 1 3圖 ，線焊 材料9 1 6固定於第一基板，而棒形驅動器之輸入 終端與引線或連接配線則可藉A u配線9 1 7予以 然後，此均藉樹脂9 1 8予以密封。 安裝I c晶片之方法並未受限於根據弟1 2及 之方法，而亦可使用未解說於此處之諸如c〇G法 法或T A B法之熟知方法。 可隨意地結合本實施例與實施例1 ° λα - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2⑴X297公着 503444 經濟部智丛时—苟肖工消t合作ri印製 A7 B7 五、發明説明（37) 實施例1 0 在實施例1中，顯示相對應於透射型液晶顯示器裝置 之主動矩陣基板的製造方法，但在本實施例中，則利用第 1 4圖來顯示應用於反射型液晶顯示器裝置的實例。 首先，以相同於實施例1之方式執行步驟直到第2 ( B )圖中所示之步驟爲止，接著，形成包含有機樹脂膜之 層間絕緣膜，然後，執行該層間絕緣膜之粗糙化過程以形 成具有粗糙部分之層間絕緣膜6 0 1。例如粗糙化過程， 可使用施加含有纖維或間隔物之有機樹脂膜之方法，可使 用藉利用罩幕來部分地蝕刻有機樹脂膜之形成方法，或可 使用在利用罩幕鈾刻光敏樹脂之後藉加熱法執行再緩流而 製成圓柱形狀之形成方法。 接著，藉第三光微影步驟形成到達源極配線及汲極電 極之接觸孔於層間絕緣膜6 0 1中。此外，爲了藉相同步 驟形成儲存電容器，在形成到達電極之接觸孔的同時，去 除終端部分上之層間絕緣膜。 接著，形成具有反射率之導電膜（Al，Ag，等） 〇 然後，藉第4光微影步驟形成光阻罩幕圖案，以及藉 蝕刻法形成由具有反射率之導電膜所製成之像素電極 6 0 2，以此方式所形成之像素電極6 0 2具有粗糙部分 ，可色散光線，且可防止反射鏡面之形成。同時，形成到 達源極電極之引線6 0 3。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -------I 裝----：---訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40- 503444 Α7 Β7 五、發明説明（38) 因爲接著之步驟相同於實施例1，故省略它們。以此 方式，可利用4個光罩透過4個光微影步驟來製造相對應 於反射型液晶顯示器裝置之主動矩陣基板。 此外，本實施例可以與實施例2或實施例3相結合。 實施例1 1 藉實施本發明所形成之C Μ 0 S電路及像素部分可使 用於不同的電光裝置中（諸如主動矩陣液晶顯示器裝置及 主動矩陣E C顯示器裝置），亦即，本發明可實施於其中 該等電光裝置係內建於顯示器部分之所有電子器具中。 下文可獲得此等電子器具：視頻攝影機，數位照相機 ，投影機（後部型或正面型），頭戴式顯示器（眼鏡型顯 示器），汽車導航系統，汽車音響，個人電腦，及手提式 資訊終端機（諸如移動型電腦，手提式電話，或電子書籍 )。該等之實例顯示於第15， 16及17圖中。 第1 5 (Α)圖係個人電腦，且其包含主體2 〇 〇 1 ，影像輸入部分2 0 0 2，顯示部分2 0 0 3，及鍵盤 2004，等。本發明可應用於影像輸入部分2〇〇2, 顯示部分2 0 0 3，或其他信號驅動器電路。 第1 5 ( Β )圖係視頻攝影機，且其包含主體 210 1，顯示部分2102，聲音輸入部分21〇3， ί荣作開關2 1 0 4，電池2 1 0 5，及影像接收部分 2106，等。本發明可應用於顯示部分21〇2，或其 他信號驅動器電路。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 線 經濟部智慧財4-^7:¾工消費合itTi印製 -41 - 503444 A7 _______B7 五、發明説明（39) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 5 (C)圖係移動型電腦，且其包含主體 2 2 0 1，攝影機部分2 2 0 2，影像接收部分2 2 〇 3 ，操作開關2 2 0 4，及顯示部分2 2 0 5，等。本發明 可應用於顯示部分2 2 0 5，或其他信號驅動器電路。 第1 5 ( D )圖係眼鏡型顯示器，且其包含主體 2301，顯示部分2302，臂部分2303，等。本 發明可應用於顯示部分2 3 0 2，及其他信號驅動器電路 〇 第1 5 ( E )圖係遊樂器，使用其上記錄程式之記錄 媒體（下文中稱爲記錄媒體），且該遊樂器包含主體 240 1，顯示部分2402，揚聲器部分2403，記 錄媒體2 4 0 4，及操作開關2 4 0 5，等。須注意的是 ，此遊樂器使用諸如D V D (數位可揮發碟片）或^ D之 I己錄媒體，而可執行苜樂之欣賞，影片之欣賞，遊戲 及 網際網路。本發明可應用於顯示部分2 4 0 2，或其他信 號驅動器電路。 第1 5 ( F )圖係數位照相機，且其包含主體 經齊部^^1^<^:肖工4費^作吐印製 2501，顯示部分2502，目鏡部分2503，操作 開關2 5 0 4，及影像接收部分（未顯示於該圖中），等 。本發明可應用於顯示部分2 5 0 2，或其他信號驅動器 電路。 第1 6 ( A )圖係正面投影機，且其包含投影系統 2 6 0 1，屏幕2 6 0 2，等。本發明可應用於建構一部 分投影系統2 6 0 1之液晶顯示器裝置2 8 0 8，或其他
-42- 503444 A7 B7 五、發明説明（40) 信號驅動器電路。 第1 6 ( B )圖係後部投影機，且其包含主體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 2 7 〇 1，投影系統2 7 0 2，反射鏡2 7 0 3，屏幕 2 7 〇 4，等。本發明可應用於建構一部分投影系統 2 7 〇 2之液晶顯示器裝置2 8 0 8 ,或其他信號驅動器 電路。 須注意的是，第16 (C)圖係顯示第16 (A)及 1 6 ( B )圖之投影系統2 6 0 1及2 7 0 2之結構的實 例。該等投影系統2 6 0 1及2 7 0 2包含光源光學系統 2801，反射鏡28 0 2及2804至2806，分光 鏡2 8〇3，稜鏡2 8〇7，液晶顯示器裝置2 8 0 8， 相差板2 8 0 9，及投影光學系統2 8 1 0，該投影光學 系統2 8 1 0包含具有投影透鏡之光學系統。本實施例顯 示三板形式，但並未受限於此結構，而可例如爲單板形式 。進一步地，操作員可適當地配置諸如光學透鏡，具有偏 光功能之膜，用於調整相差之膜及I R膜之光學系統於第 16 (C)圖中藉箭頭所示之光學路徑中。 第16 (D)圖係圖示，顯示第16 (C)圖之光源 光學系統2 8 0 1之結構實例。在本實施例中，該光源光 學系統28 0 1包含反射器2811，光源2812，透 鏡陣列2813及2814，偏光轉換元件2815及會 聚透鏡2816。須注意的是，第16 (D)圖中所示之 光源光學系統僅爲實例而未特定地受限，例如操作員可適 當地配置諸如光學透鏡，具有偏光功能之膜，用於調整相 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43- 503444 五、發明説明（41) 差之膜及I R膜，等之光學系統於光源光學系統中。 然而，若第1 6圖中所示之投影機顯示使用透射型電 光裝置之例子，則反射型電光裝置之應用實例則未顯示於 該等圖之中。 第1 7 (A)圖係手提式電話，且其包含主體2 9〇 1，聲音輸出部分2902，聲音輸入部分2903，顯 示部分2 9 0 4，操作開關2 9 0 5，及天線2 9 0 6， 等。本發明可應用於聲音輸出部分2902，聲音輸入部 分2 9 0 3，顯示部分2 9 0 4，或其他信號驅動器電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 第1 7 ( B )圖係手提 含主體3 0 0 1，顯示部分 體3 0 0 4，操作開關3 0 本發明可應用於顯示部分3 號驅動器電路。 第1 7 ( C )圖係顯示 支架3102，及顯示部分 於顯示部分3 1 0 3，尤其 之屏幕且有利於等於或大於 3〇吋）對角線之顯示器。 因此，本發明之可應用 明於所有領域中之電子器具 器具可藉使用實施例1至1 式書籍（電子書籍），且其包 3〇〇2及3003，記錄媒 0 5，及天線3 0〇6，等。 002及3003，或其他信 器，且其包含主體3101， 3 103，等。本發明可應用 本發明之顯示器有利於大尺寸 L 0吋（特定地等於或大於 範圍極爲廣泛，且可應用本發 。進一步地，本實施例之電子 0之任何組成之構成予以完成 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -44- 503444 Α7 Β7 五、發明説明（42) 發明之功效 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有本發明，以具有反向參差型η通道TFT之像素 T F T部分及儲存電容器所製備之液晶顯示器裝置可利用 3個光罩透過三個光微影步驟予以完成。 進一步地，當形成保護膜時，以具有由無機絕緣膜所 保護之反向參差型η通道T F T之像素T F T部分及儲存 電容器所製備之液晶顯示部裝置可利用4個光罩透過四個 光微影步驟予以完成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -45-

Claims (1)

  1. 503444 經濟部智慧財/$局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置，具有閘極配線，源極配線，及 像素電極，包含： 閘極配線，形成於絕緣表面上； 絕緣膜，形成於該閘極配線上； 非晶半導體膜，形成於該絕緣膜上； 源極區及汲極區，形成於該非晶半導體膜之上； 源極配線或電極，形成於該源極區或該汲極區之上； 以及 像素電極，形成於該電極上； 其特徵爲： 該汲極區或反向之該源極區之一末端表面相對應於該 絕緣膜之端表面，該非晶半導體膜之端表面及該電極之端 表面。 2 · —種半導體裝置，具有閘極配線，源極配線，及 像素電極，包含： 閘極配線，形成於絕緣表面上； 絕緣膜，形成於該閘極配線上； 非晶半導體膜，形成於該絕緣膜上； 源極區及汲極區，形成於該非晶半導體膜之上； 源極配線或電極，形成於該源極區或該汲極區之上； 以及 像素電極，形成於該電極上； 其特徵爲： 該汲極區或反向之該源極區之一末端表面相對應於該 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事 •Ί 項再填· 裝-- :寫本頁) 訂 k -46- 503444 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 六、 申請專利托圍 1 1 絕緣膜 之 丄山 m 表面，該非晶半導體膜之端表面及 該 電 極 之 端 1 1 I 表面； 以 及 1 1 該 汲 極 區或反向之該源極區之另一末端表 面 相 對 m h\2s、 於 1 請 I 該像素 電 極 之端表面及該電極之另一端表面 〇 先 閲 1 I 申請專利範圍第1及2項中任- 讀 1 3 • 如 -項 之 半 導 體 裝 背 面 1 | 置， 其 中 該 源極區及該汲極區包含非晶半導體 膜 該 非 晶 之 注 意 I 1 I 半導體 膜 含 給予η型導電性之雜質元素。 事 項丨 1 再丨 W 4 • 如 申請專利範圍第1及2項中任- -項 之 半 導 體 裝 寫 本 1 裝 置， 其 中 該 絕緣膜，該非晶半導體膜，該源極 1¾ ， 及 該 汲 頁 1 I 極區連 續 地 形成而未暴露於大氣。 1 1 I 5 • 如 申請專利範圍第1及2項中任- -項 之 半 導 體 裝 1 1 1 置， 其 中 該 絕緣膜，該非晶半導體膜，該源極 區 J 或 該 汲 1 訂 極區藉 噴 鍍 法形成。 1 1 6 • 如 申請專利範圍第1及2項中任- -項 之 半 導 體 裝 1 I 置， 其 中， 該 絕緣膜，該非晶半導體膜，該源極 J 或 該 汲 1 m 極區藉 電 漿 C V D法形成。 1 線 7 • 如 申請專利範圍第1及2項中任一 -項 之 半 導 體 裝 1 1 置， 其 中 該 閘極配線包含選自A 1，T i， Μ 〇 ， W， 1 | T〔 立， N d ，及C r所組成之群的元素之膜， 該 等 元 素 之 1 I 合金膜 或 該等元素之疊層膜。 1 1 8 • 如 申請專利範圍第1及2項中任一 -項 之 半 導 體 裝 1 1 置， 其 中 該 源極區及該汲極區係藉相同於_糸色 緣 膜 該 非 1 1 晶半導 體 膜 及該電極之罩幕而形成。 1 I 9 • 如 申請專利範圍第1及2項中任一 -項 之 半 導 體 裝 ---- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 47- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503444 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置，其中該源極區及該汲極區係藉相同於該源極配線之罩 幕而形成。 1〇.如申請專利範圍第1及2項中任一項之半導體 裝置，其中該源極區及該汲極區係藉相同於該源極配線及 該像素電極之罩幕而形成。 1 1 .如申請專利範圍第1及2項中任一項之半導體 裝置，其中在該非晶半導體膜之中，接觸於該源極區及該 汲極區之地區中的膜厚度係形成比接觸於該源極區之地區 與接觸該汲極區之地區間之地區中的膜厚度更厚。 1 2 .如申請專利範圍第1及2項中任一項之半導體 裝置，其中該半導體裝置係透射型液晶顯示器裝置，其中 該像素電極包含透明導電膜。 1 3 .如申請專利範圍第1及2項中任一項之半導體 裝置，其中該半導體裝置係反射型液晶顯示器裝置，其中 該像素電極包含膜，該膜含A 1或A g當作其主要成分， 或包含A 1及Ag之疊層膜。 1 4 .如申請專利範圍第1及2項中任一項之半導體 裝置，其中該半導體裝置爲個人電腦，視頻攝影機，手提 式資訊終端機，數位照相機，數位影碟放影機，或電子遊 樂裝置。 1 5 . —種半導體裝置之製造方法，包含下列步驟： 第一步驟，藉使用第一罩幕形成閘極配線； 第二步驟，形成絕緣膜覆蓋該閘極配線； 第三步驟，形成第一非晶半導體膜於該絕緣膜之上； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -48- 503444 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第四步驟，形成含有給予η型導電性之雜質元素的第 二非晶半導體膜於該第一非晶半導體膜之上； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第五步驟，形成第一導電膜於該第二非晶半導體膜之 上； 第六步驟，藉使用第二罩幕選擇性地去除該絕緣膜， 該第一非晶半導體膜，該第二非晶半導體膜，及該第一導 電膜而形成源極配線及電極； 第七步驟，形成第二導電膜接觸於及重疊於該源極配 線及該電極；以及 第八步驟，形成包含該第二非晶半導體膜之源極區及 汲極區，及藉第三罩幕選擇性地去除部分之該第一非晶半 導體膜，該第二非晶半導體膜，該第一導電膜，及該第二 導電膜之由該第二導電膜所製成之像素電極。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該第二步驟至該第五步驟連續地執行而未暴露 於大氣。 經濟部智慧財/!.局員工消費合作社印製 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該絕緣膜係藉噴鍍法而形成。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 ，其中該非晶半導體膜係藉噴鍍法而形成。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 ，其中該第二非晶半導體膜係藉噴鍍法而形成。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 ，其中該第二步驟至該第五步驟連續地執行於同一室內。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -49- 503444 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該絕緣膜係藉電漿C V D法而形成。 2 2 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該第一非晶半導體膜係藉電漿C V D法而形成 〇 2 3 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該第二非晶半導體膜係藉電漿C V D法而形成 〇 2 4 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該第二導電膜係透明導電膜。 2 5 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造 方法，其中該第二導電膜係具有反射性特徵的導電膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50-
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