KR20010089222A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

TFT가 종래의 액정 표시 장치에서 적어도 5개의 포토마스크들을 사용하여 제조되며, 그러므로 제조 비용이 높아진다.
3개의 포토리소그라피 단계들에서 3개의 포토마스크들을 사용하여 화소 전극(127), 소스 영역(123) 및 드레인 영역(124)의 형성을 수행함으로써, 역 스태거형 n채널 TFT 및 저장 커패시터를 갖는 화소 TFT 부분으로 준비된 액정 표시 장치가 실현될 수 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법{Semiconductor device and manufacturing method thereof}
(발명이 속하는 기술분야)
본 발명은 박막 트랜지스터(이후 TFT로 언급됨)를 포함하는 회로를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 예를 들어, 본 발명은 전기 광학 장치, 통상적으로 이러한 유형의 전기 광학 장치가 일부분으로 적재된 전자 장치에 관한 것이다.
본 명세서 전체를 통해, 반도체 장치는 반도체 특성들을 이용함으로써 기능할 수 있는 일반적인 장치를 표시하고, 그 반도체 장치들의 카테고리는 전기 광학 장치들, 반도체 회로들, 및 전자 장치를 구비함을 명심하라.
최근 몇 년 동안, 절연 표면을 갖는 기판 상에 형성된 반도체 박막(수㎚ 내지 수백㎚의 종류의 두께를 갖는)을 사용함으로써 박막 트랜지스터를 구성하는 기술들이 주목받아 왔다. 박막 트랜지스터는 IC 또는 전기 광학 장치와 같은 전자 장치에 광범위하게 적용되며, 특히, 화상 표시 장치의 스위칭 요소로서의 개발이 급속하게 진전되고 있다.
종래에는, 액정 표시 장치가 화상 표시 장치로서 알려졌다. 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 수동 액정 표시 장치들과 비교하여, 보다 높은 정밀 화상이 얻어진다는 사실에 기인하여 널리 퍼지게 되었다. 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 매트릭스 상태로 배치된 화소 전극들을 구동함으로써, 표시 패턴이 액티브 액정 표시 장치에서 스크린 상에 형성된다. 더 상세하게는, 선택된 화소 전극과 그 화소 전극들에 대응하여 대향 전극들 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 화소 전극과 대향 전극들 사이에 배치된 액정층의 광변조가 수행되며, 상기 광변조는 관찰자에 의해 표시 패턴으로서 인식된다.
이러한 유형의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 사용이 알려지고 있으며, 더 큰 스크린 크기를 제조함에 따라, 보다 높은 정밀도, 보다 높은 구경비 및 보다 높은 신뢰성의 수요들이 증가하고 있다. 또한, 동시에 생산성을 향상시키고 비용을 절감하기 위해 수요들이 증가하고 있다.
종래에는, 저온에서 큰 표면 영역 기판 상에 비정질 반도체막을 형성하는 능력이 300℃ 이하이기 때문에, 비정질 반도체막이 비정질 반도체막으로서 이상적으로 사용되었다. 또한 비정질 반도체막에 의해 형성된 채널 형성 영역을 갖는 역 스태거형(또는 바닥 게이트형) TFT가 종종 사용된다.
종래에는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치를 위한 적어도 5개의 포토마스크들을 사용하여 포토리소그라피 기술로 기판 상에 TFT를 제조하기 위해 생산 비용이 고가였다. 생산성 및 양품률을 개선하기 위해서, 다수의 단계들을 감소시키는 것이 효과적인 수단으로 고려된다.
특히, TFT를 제조하기 위해 필요되는 다수의 포토마스크들을 감소시키는 것이 필요하다. 포토마스크는 포토 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 포토리소그라피 기술에 사용되며, 기판 상에서 에칭 공정 마스크가 된다.
하나의 포토마스크를 사용함으로써, 레지스트, 프리베이킹, 노광, 현상 및 포스트베이킹을 적용시키는 것과 같은 단계들로 적용되며, 부가하여 막 침착 및 에칭, 레지스트 박리(resist peeling), 세정 및 건조 단계들이 이 단계들의 전과 후에 부가된다. 그러므로, 전체 공정이 복잡해지고, 문제점들을 유도한다.
또한, 기판이 절연체이기 때문에, 제조 단계들 동안, 마찰과 같은 원인들에 의해 정전기가 발생된다. 짧은 회로들이 정전기가 발생할 경우에 기판 상에 형성된 배선들의 교차부에서 나타나며, 이어서 정전기에 기인한 TFT의 악화 또는 파손이 액정 표시 장치에서 화질의 결점들 또는 파손을 유도한다. 특히, 정전기가 제조 단계들에서 수행되는 액정 정렬 공정에서 러빙하는 동안 나타나고, 이것이 문제가 된다.
본 발명은 그러한 문제들을 해결하기 위항 것이고, 본 발명의 목적은 TFT를 제조하기 위한 다수의 단계들을 감소시키고, 생산 비용의 절감 및 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 의해 대표되는 반도체 장치를 위한 양품률의 개선을 실현시키기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 정전기에 기인한 TFT에 대한 손상 및 TFT 특징들의 파손의 문제점들을 해결하기 위한 구성 및 구성을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 상면도를 도시하는 도면.
도 2는 AM-LCD의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3은 AM-LCD의 상기 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 4는 AM-LCD의 제조 공정을 도시하는 상면도.
도 5는 AM-LCD의 상기 제조 공정을 도시하는 상면도.
도 6은 액정 표시 장치의 화소부 및 입력 단자부의 배치를 설명하는 상면도.
도 7은 액정 표시 장치의 장착 구조를 도시하는 단면도.
도 8은 AM-LCD의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 9는 입력 단자부의 상면도 및 단면도.
도 10은 제조 장치의 상면도.
도 11은 제조 장치의 상면도.
도 12는 액정 표시 장치의 장착을 도시하는 도면.
도 13은 액정 표시 장치의 장착 구조를 도시하는 단면도.
도 14는 액티브 매트릭스 기판의 구조적 단면도.
도 15는 전자 응용 제품의 예를 도시하는 도면.
도 16은 전자 응용 제품의 예를 도시하는 도면.
도 17은 전자 응용 제품의 예를 도시하는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
102 : 게이트 배선 라인 103 : 커패시턴스 배선 라인
122 : 비정질 반도체막 125 : 소스 배선 라인
127 : 화소 전극 501 : 게이트 배선 단자부
502 : 소스 배선 단자부 10, 15 : 로드-락 체임버
11 : 제 1 체임버 12 : 제 2 체임버
13 : 제 3 체임버 14 : 제 4 체임버
20 : 공통 체임버 21 : 로봇 암
29 : 카세트 30 : 처리 기판
901 : 제 1 기판 902 : 화소 부분
903 : 제 2 기판 904 : 밀봉 재료
905 : 액정층 906 : 리드 와이어
907 : 접속 배선 및 입력-출력 단자 908 : IC 칩
909 : 입력-출력 단자 910 : 도전 입자
911, 915, 918 : 수지 912 : FPC
913 : 접속 배선 914 : 도전 입자
916 : 접착 재료 917 : Au 와이어
2001 : 본체 2002 : 화상 입력부
2003 : 표시부 2004 : 키보드
2101 : 본체 2102 : 표시부
2103 : 오디오 입력부 2104 : 조작 스위치들
2105 : 배터리 2106 : 화상 수신부
2202 : 카메라부 2303 : 암부
2403 : 스피커부 2404 : 기록 매체
2503 : 접안 렌즈부 2601 : 투사계
2602 : 스크린 2703 : 미러
2801 : 광학 광원계 2803 : 다이크로익 미러
2807 : 빔 스프리터 2808 : 액정 표시 장치
2809 : 상 미분판 2810 : 투사 광학계
2811 : 반사기 2812 : 광원
2813 : 렌즈 어레이 2815 : 편광 변환 소자
2816 : 콘덴서 렌즈 2902 : 오디오 출력부
2903 : 오디오 입력부 2906 : 안테나
3102 : 지지 스탠드
(문제점을 해결하기 위한 수단)
상기 문제들을 해결하기 위해, 본 발명에서 첫째, 게이트 배선 라인이 제 1 포토마스크에 의해 형성된다.
다음으로, 게이트 절연막, 논-도핑된 비정질 반도체막(이후, a-Si 막으로 언급됨), n형 도전성을 부여하기 위해 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(이후, n+a-Si 막으로 언급됨), 및 도전막이 계속적으로 형성된다.
다음으로, 게이트 절연막, a-Si 막을 포함하는 액티브층, 소스 배선 라인(소스 전극을 포함하는), 및 드레인 전극이 제 2 포토마스크에 의한 패터닝을 통해 형성된다.
그 후, 투명 도전막이 형성된 후, 투명 도전막으로 구성된 화소 전극이 제 3 포토마스크에 의해 형성되며, 또한 n+a-Si 막을 포함하는 소스 영역 및 드레인 영역이 형성되는 동시에, a-Si 막의 일부가 제거된다.
그러한 구조를 채택함으로써, 포토리소그라피 기술에 사용된 다수의 포토마스크들은 3개로 제조될 수 있다.
또한, 소스 배선은 화소 전극으로서 동일 재료를 포함하는 투명 도전막에 의해 덮여지고, 영구적인 정전기 등으로부터의 전체 기판을 보호하는 구조가 사용된다. 게다가 보호 회로가 토명 도전막을 사용하여 형성되는 구조가 또한 사용될 수 있다. 생산 장비와 절연 기판 사이의 마찰에 기인한 정전기의 발생은 이러한 유형의 구조를 사용함으로써 제조 공정 동안, 보호될 수 있다. 특히, TFT들은 제조 단계들 동안 수행되는 러빙의 액정 배열 공정 동안 발생되는 정전기로부터 보호될 수 있다.
본 명세서에 기재된 본 발명의 구조는
게이트 배선, 소스 배선 및 화소 전극을 갖는 반도체 장치로서,
절연 표면 상에 형성된 게이트 배선(102)과,
상기 게이트 배선 상에 형성된 절연 막(110)과,
상기 절연막 상에 형성된 비정질 반도체막(122)과,
상기 비정질 반도체막 상에 형성된 소스 영역(123) 및 드레인 영역(124)과,
상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역 상에 형성된 소스 배선(125) 또는 전극(126), 및
상기 전극 상에 형성된 화소 전극(127)을 포함하는, 상기 반도체 장치에 있어서,
리버스된 상기 드레인 영역(124) 또는 상기 소스 영역(123)의 하나의 단면은 상기 절연막(110)의 단면, 상기 비정질 반도체막(122)의 단면 및 상기 전극(126)의 단면과 대응하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 또 다른 구조는
게이트 배선, 소스 배선, 및 화소 전극을 갖는 반도체 장치로서,
절연 표면 상에 형성된 게이트 배선(102)과,
상기 게이트 배선 상에 형성된 절연막(110)과,
상기 절연막 상에 형성된 비정질 반도체막(122)과,
상기 비정질 반도체막 상에 형성된 소스 영역(123) 및 드레인 영역(124)과,
상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역 상에 형성된 소스 배선(125) 또는 전극(126), 및
상기 전극 상에 형성된 화소 전극(127)을 포함하는, 상기 반도체 장치에 있어서,
리버스된 상기 드레인 영역(124) 또는 상기 소스 영역(123)의 하나의 단면은 상기 절연막(110)의 단면, 상기 비정질 반도체막(122)의 단면 및 상기 전극(126)의단면과 대응하며,
리버스된 상기 드레인 영역(124) 또는 상기 소스 영역(123)의 나머지 단면은 상기 화소 전극(127)의 단면 및 상기 전극(126)의 나머지 단면과 대응하는 것을 특징으로 한다.
또한, 각각의 상기 구조들은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 각각의 상기 구조들은 상기 절연막, 상기 비정질 반도체막, 상기 소스 영역, 및 상기 드레인 영역이 상기 분위기에 노출되지 않고 연속하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
게다가, 각각의 상기 구조들은 상기 절연막, 상기 비정질 반도체막, 상기 소스 영역, 또는 상기 드레인 영역은 스퍼터링 방법에 의해서 형성되는 것을 특징으로 한다.
부가적으로, 각각의 상기 구조들은 도 2d에 도시되는 것과 같이, 상기 소스 영역(123) 및 상기 드레인 영역(124)이 상기 비정질 반도체막(122) 및 상기 전극(126)의 그것과 동일한 마스크를 사용함으로써 형성되는 것을 특징으로한다. 게다가, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 소스 배선(125)의 그것과 동일한 마스크를 사용함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 각각의 상기 구조들은 도 2d에 도시된 것과 같이, 상기 소스 영역(123) 및 상기 드레인 영역(124)가 상기 소스 배선(125) 및 상기 화소전극(127)의 그것과 동일한 마스크를 사용함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.
게다가, 각각의 상기 구조들에서, 도 2d에 도시된 공정을 에칭함으로써, 상기 비정질 반도체막에서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하는 영역에서의 상기 막 두께는 상기 소스 영역에 접촉하는 영역과 상기 드레인 영역에 접촉하는 영역 사이의 영역에서의 상기 막 두께보다 더 두껍게 형성되는 구조, 즉 채널 에칭형 바닥 게이트 구조가 제공된다.
게다가, 상기 구조를 실현하기 위한 본 발명의 구조는 반도체 장치를 제조하는 방법으로서,
제 1 마스크를 사용함으로써 게이트 배선 라인(102)을 형성하는 제 1 단계와,
상기 게이트 배선 라인을 덮는 절연막(104)을 형성하는 제 2 단계와,
상기 절연막 상에 제 1 비정질 반도체막(105)을 형성하는 제 3 단계와,
상기 제 1 비정질 반도체막 상에 n형 도전성을 부여하기 위해 불순물 원소를 포함하는 제 2 비정질 반도체막(106)을 형성하는 제 4 단계와,
상기 제 2 비정질 반도체막 상에 제 1 도전막(107)을 형성하는 제 5 단계와,
제 2 마스크를 사용함으로써 상기 절연막(104), 상기 제 1 비정질 반도체막(105), 상기 제 2 비정질 반도체막(106), 및 상기 제 1 도전막(107)을 선택적으로 제거함으로써 배선 라인(116)(소스 배선 라인 및 전극)을 형성하는 제 6 단계와,
상기 배선 라인(116)(상기 소스 배선 라인 및 상기 전극)과 접촉하고 겹치는제 2 도전막(118)을 형성하는 제 7 단계, 및
제 3 마스크를 사용함으로써 상기 제 2 비정질 반도체막, 및 상기 제 1 비정질 반도체막(112), 상기 제 2 비정질 반도체막(114), 상기 제 1 도전막(116), 및 상기 제 2 도전막(118)의 일부를 선택적으로 제거함으로써 상기 제 2 도전막으로 제조되는 화소 전극(127)을 포함하는 소스 영역(123) 및 드레인 영역(124)을 형성하는 제 8 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 구조에서, 형성이 상기 제 2 단계에서 상기 제 5 단계까지 대기에 노광되지 않고 계속적으로 제조되는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 각각의 구조들에서, 형성이 상기 제 2 단계에서 상기 제 5 단계까지 동일 체임버에서 게속적으로 제조되는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 각각의 구조들에서, 상기 절연막은 스퍼터링 방법 또는 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성될 수 있다.
게다가, 상기 각각의 구조들에서, 상기 제 1 비정질 반도체막은 스퍼터링 방법 또는 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성될 수 있다.
게다가, 상기 각각의 구조들에서, 상기 제 2 비정질 반도체막은 스퍼터링 방법 또는 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성될 수 있다.
게다가, 상기 각각의 구조들에서, 상기 제 2 도전막은 반사성을 갖는 투명 도전막 또는 도전막인 것을 특징으로 한다.
(본 발명의 실시예)
본 발명을 수행하는 모드가 이하 기재될 것이다.
도 1은 본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 예시적 평면도이며, 여기서 명료성을 위해, 매트릭스형으로 배치된 다수의 화소들 중 하나의 화소 구조가 도시된다. 도 2 및 도 3은 제조 공정을 도시하는 도면들이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 이러한 액티브 매트릭스 기판은 서로서로 평행하게 배치된 다수의 게이트 배선 라인들 및 각각의 게이트 배선 라인들에 수직한 다수의 소스 배선 라인들을 구비한다.
투명 도전막을 포함하는 화소 전극(127)이 게이트 배선 라인들 및 소스 배선 라인들에 의해 둘러싸여진 영역에 배치된다. 게다가, 투명 도전막(128)이 화소 전극(127)과 겹치지 않기 위해서 소스 배선 라인들과 겹친다.
또한, 커패시턴스 배선 라인(103)이 화소 전극들 아래에, 인접한 두개의 게이트 배선 라인들 사이에 그리고, 게이트 배선 라인(102)과 평행하게 배치된다. 이러한 커패시턴스 배선 라인(103)은 모든 화소들을 위해 제공되고, 유전체로서 도 2b에 도시된 절연막(111)과 저장 커패시터를 형성한다.
게다가, 스위칭 요소로서 TFT가 게이트 배선 라인(102) 및 소스 배선 라인(125)의 교차점 부근에 제공된다. 이 TFT는 비정질 구조(이후 비정질 반도체막으로 언급됨)를 갖는 반도체막을 포함하는 채널 형성 영역을 구비하는 역 스태거형(또는 바닥 게이트형) TFT이다.
게다가, 이러한 TFT에서, 게이트 전극(게이트 배선 라인(102)으로 완전하게 형성된), 게이트 절연막, a-Si 막, n+a-Si 막을 포함하는 소스 영역 및 드레인 영역 및 소스 전극(126)(이후 또한 드레인 전극으로서 언급됨)은 순차적으로 절연 기판상에 적층되도록 형성된다.
게다가, 게이트 절연막은 게이트 배선 라인이 a-Si 막과 겹쳐지지 않는 영역에서 게이트 배선 라인 상에 존재하지 않는다.
그러므로, 전극(126)과 겹쳐진 화소 전극(127)은 게이트 배선 라인과 겹쳐지지 않도록 형성된다.
게다가, 게이트 배선 라인 및 소스 배선 라인의 교차점에서, 소스 배선 라인의 단부에서의 투명 도전막은 쇼팅(shorting)을 보호하기 위해 제거된다. 게다가, 전극(117)의 단부는 커패시턴스 배선 라인과 화소 전극 사이의 쇼팅을 보호하기 위해서 제거된다.
게다가, 소스 배선 라인(소스 전극을 구비하는)과 드레인 전극(126) 하에서, 게이트 절연막, a-Si 막 및 n+a-Si 막은 순차적으로 절연 기판 상에 적층되도록 형성된다.
게다가, 소스 영역에 접촉하는 영역과 드레인 영역에 접촉하는 영역 사이의 영역에서의 a-Si 막은 다른 영역들에서의 a-Si 막과 비교할 때, 얇다. 그 막은 n+a-Si 막이 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하기 위해 에칭함으로써 분리될 경우, a-Si 막의 부분이 제거되기 때문에 얇다. 게다가, 이러한 에칭에 의해, 화소 전극의 단면, 드레인 전극의 단면 및 드레인 영역의 단면이 서로서로 대응한다.
게다가, 유사하게, 소스 전극을 덮는 투명 도전막의 단면, 소스 영역의 단면 및 소스 배선 라인의 단면이 서로서로 대응한다.
앞서 말한 구조로 제조된 본 발명은 하기에 도시된 실시예들로 더 상세하게 기재될 것이다.
(실시예)
[실시예 1]
본 발명의 실시예가 도 1 내지 도 6 및 도 9를 사용하여 설명된다. 본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 도시하며, 역 스태거형 TFT에 의해 기판 상에 화소부의 TFT를 형성하는 방법및 TFT에 접속된 저장 커패시터를 제조하는 방법의 상세한 설명이 사용되는 공정들에 따라서 제조된다. 또한, 상기 기판의 에지 부분에 형성되고 다른 기판들 상에 형성된 회로들의 배선들에 전기적으로 접속하기 위한 입력 단자부에 대한 제조 공정이 및 제조 공정이 상기 동일 도면들에 동시에 도시된다.
도 2a에서, 바륨 붕규산 유리(barium borosilicate glass) 또는 알루미늄 붕규산 유리, 통상적으로 Corning Corp. #7059 또는 #1737과 같은 것을 포함하는 유리 기판이 반투명성을 갖는 기판(100)으로서 사용될 수 있다. 또한, 석영 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 반투명 기판이 또한 사용될 수 있다.
다음으로, 기판의 전체 표면 상에 도전층을 형성한 후, 제 1 포토리소그라피 공정이 수행되고, 레지스트 마스크가 형성되고, 불필요한 부분들이 에칭에 의해 제거되며, 배선들 및 전극들(게이트 전극, 커패시터 배선(103) 및 단자(101)을 구비하는 게이트 배선(102))이 형성된다. 에칭은 이때 게이트 전극(102)의 적어도 에지 부분에 뾰족한 부분을 형성하기 위해 수행된다.
게이트 전극, 커패시터 배선(103), 및 알루미늄(Al) 등과 같은 저고유저항 도전 재료로부터 단자부의 단자(101)을 형성하는 것이 바람직하지만, 순수 Al이 열등 열저항과 같은 문제들을 가지며 부식되기 쉬우므로, 열저항성 도전 재료과 접속된다. 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 또는 상기 원소들을 포함하는 합금 또는 상기 원소들의 조합의 합금막 또는 상기 원소를 포함하는 질산화 혼합물이 열저항 도전 재료로서 형성된다. 더구나, Ti, Si, Cr, 또는 Nd와 같은 열저항 도전 재료과 조합하여 형성하는 것이 개선된 평탄(flatness) 때문에 바람직하다. 더구나, 단지 그러한 열저항 도전막은 또한 예를 들어, Mo 및 W와 조합하여 형성될 수 있다.
액정 표시 장치를 실현하는데 있어서, 열저항 도전 재료 및 낮은 저항성 도전 재료의 조합에 의해서 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 경우의 적절한 조합이 설명된다.
스크린 사이즈가 대각선 타입으로 5인치 정도 또는 그 이하라고 가정하면, 열저항 재료의 질산화 혼합물을 포함하는 도전층(A) 및 열저항 도전 재료를 포함하는 도전층(B)을 적층하는 두개의 층 구조가 사용된다. 도전층(B)은 Al, Ta, Ti, W, Nd 및 Cr로 이루어진 족으로부터, 또는 상기 원소들의 합금으로부터, 또는 상기 원소들의 조합의 합금막으로부터 선택된 원소를 포함할 수 있고, 상기 도전층(A)은 탄탈륨 질화물(TaN)막, 텅스텐 질화물(WN)막, 또는 티타늄 질화물(TiN)막과 같은 막을 포함한다. 예를 들어, 도전층(A)으로서 Cr을 그리고 도전층(B)으로서 Nd를 포함한 Al을 적층하는 이중 층 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 도전층(A)은 10 내지 100㎚(바람직하게는 20㎚와 50㎚ 사이)의 두께로 주어지고, 도전층(B)은 200 내지 400㎚(바람직하게는 250㎚와 350㎚ 사이)의 두께로 제조된다.
한편, 대형 스크린에 적용되도록 하기 위해, 열저항 도전 재료를 포함하는 도전층(A), 저저항성 도전 재료를 포함하는 도전층(B) 및 열저항 도전 재료를 포함하는 도전층(C)을 적층하는 3개의 층 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 저저항성 도전 재료를 포함하는 도전층(B)은 알루미늄(Al)을 포함하는 재료를 포함하고, 순수 Al에 추가하여, 스칸듐(Sc), Ti, Nd 또는 실리콘(Si) 등과 같은 0.01과 5 원자% 사이의 원소를 포함하는 Al이 사용된다. 도전층(C)은 도전층(B)의 Al에 힐럭(hillock)들의 발생을 방지하는데 효과적이다. 도전층(A)은 10 내지 100㎚(바람직하게는 20㎚와 50㎚ 사이)의 두께로 주어지고, 도전층(B)은 200 내지 400㎚ 두께(바람직하게는 20㎚와 50㎚ 사이)를 가지며, 도전층(C)은 10에서 100㎚의 두께(바람직하게는 20㎚와 50㎚ 사이)이다. 본 실시예에서, 도전층(A)은 Ti 타겟으로 스퍼터링함으로써 제조되는 Ti막을 포함하고, 도전층(B)은 Al 타겟으로 스퍼터링함으로써 제조되는 200㎚의 두께를 갖는 Al막을 포함하며, 도전층(C)은 Ti 타겟으로 스퍼터링함으로써 제조되는 50㎚ 두께의 Ti막이다.
다음으로 절연막(104)이 전체 표면 상에 형성된다. 절연막(104)은 스퍼터링을 사용하여 형성되고, 50 내지 200㎚의 막 두께를 갖는다.
예를 들어, 실리콘 질화막이 절연막(104)으로 사용되고, 150㎚의 두께로 형성된다. 물론, 게이트 절연막은 이러한 유형의 실리콘 산화물 막에 제한되는 것이 아니며, 실리콘 산화물 막, 실리콘 질산화물 막 또는 탄탈륨 산화물 막과 같은 또다른 절연막이 또한 사용될 수 있고, 게이트 절연막은 단일층 또는 이러한 재료들을 포함하는 적층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하층으로서 실리콘 질화막 및 상층으로서 실리콘 산화물 막을 갖는 적층 구조가 사용될 수 있다.
다음으로, 비정질 반도체막(105)이 플라즈마 CVD와 같은 공지된 방법을 사용하거나 스퍼터링(도에서는 도시되지 않음)함으로써 전체 표면 상의 절연막(104) 상에 50 내지 200㎚의 두께(바람직하게는 100㎚와 150㎚ 사이)로 형성된다. 통상적으로, 비정질 실리콘(a-Si)막이 실리콘 타겟을 사용하여 스퍼터링함으로써 100㎚의 두께로 형성된다. 또한, 미세결정 반도체막 또는 비정질 실리콘 게르마늄막과 같은 비정질 구조를 갖는 혼합물 반도체막을 적용하는 것이 또한 바람직하다.
다음으로, n형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(106)이 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(106)과 같은 20 내지 80㎚의 두께로 형성된다. n형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(106)은 플라즈마 CVD 또는 스퍼터링과 같은 공지된 방법에 의해 전체 표면 상에 형성된다. 통상적으로, n+a-Si:H 막을 형성하는 것이 적절하고, 인(P)이 첨가된 실리콘 타겟을 사용하여 침착된다. 대안으로, 막 침착이 인을 포함하는 분위기에서 실리콘 타겟을 사용하여 스퍼터링함으로써 수행될 수 있다. 또한, n형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(106)은 또한 수소화된 미세결정 실리콘막(μc-Si:H)을 포함할 수 있다.
다음으로, 도전 금속막(107)이 스퍼터링 또는 기상 증착에 의해 형성된다.n+a-Si 막(106)의 저항 접촉이 제조될 수 있음이 제공되면, 도전율 금속막(107)의 재료 상에 어떠한 특정의 적층도 없으며, Al, Cr, Ta 및 Ti로 이루어지는 족으로부터 선택된 원소 또는 상기 원소들을 포함하는 합금 및 상기 원소들 등을 조합한 합금막이 주어진다. 그러나, 최근의 에칭 공정에서 단자 및 게이트 배선에 관해 충분한 선태비를 갖는 도전율 금속막(107)용 재료를 선택하는 것이 필요함을 주목하라. 본 실시예에서, 스퍼터링이 사용되고 300 내지 600㎚의 두께를 갖는 Cr막이 금속막(107)로서 형성된다(도 2a).
절연막(104), 비정질 반도체막(105), 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(106) 및 도전율 금속막(107)은 공지된 방법에 의해 모두 제조되고, 플라즈마 CVD 또는 스퍼터링에 의해 제조될 수 있다. 막들은 본 실시예에서 스퍼터링하고 타겟 또는 스퍼터링 가스를 적절히 변화시킴으로써 연속적으로 실행된다. 스퍼터링 장치에서의 동일 반응 체임버 또는 다수의 반응 체임버들이 이때 사용되고, 그 분위기에 노광되지 않고 연속적으로 이러한 막들을 적층하는 것이 바람직하다. 그러므로, 그 분위기에 막들을 노광시키지 않음으로써, 불순물들의 혼합이 방지될 수 있다.
다음으로, 제 2 포토리소그라피 공정이 수행되고, 레지스트 마스크들(108, 109)이 형성되며, 에칭에 의해 불필요 부분들을 제거함으로써, 절연막들(110, 111), 배선 및 전극(소스 배선)이 형성된다. 수분 에칭 또는 드라이 에칭이 이때 에칭 공정으로 사용된다. 절연막(104), 비정질 반도체막(105), 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(106) 및 도전율 금속막(107)은 제 2 포토리소그라피 공정에서 에칭되고, 절연막(110), 비정질 반도체막(112), 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(114) 및 도전율 금속막(116)이 화소 TFT 부분에 형성된다. 따라서, 막들의 에지 표면이 대략적으로 대응한다. 또한, 커패시터부에서 절연막(111), 비정질 반도체막(113), 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(115) 및 도전율 금속막(117)이 형성된다. 유사하게, 이러한 막들의 에지 표면이 대응한다.
또한, 상기 제 2 포토리소그라피 공정에서, 막들은 단자부에서 단지 단자(101)을 벗어나서 에칭된다. 게이트 배선 상의 절연막은 또한 단지 다른 배선들과의 교차부를 벗어남으로써 제거된다. 따라서, 단자(101) 및 절연막의 게이트 배선에 관해 충분한 선택비를 갖는 게이트 배선을 선택하는 것이 필요하고, 또 도전율 금속막의 단자에 관해 단자의 재료들을 위한 충분한 선택비를 갖는 재료를 선택하는 것이 필요하다. 즉, 단자 및 도전율 금속막의 단자로부터의 게이트 배선에 대해 다른 재료들을 선택하는 것이 필요하다. 본 실시예에서, 금속막(107)은 Cl2및 O2의혼합 가스를 사용하여 드라이 에칭함으로써 에칭되고 이어서 하나의 도전형을 부여한 불순물 원소를 포함하는 반도체막(106), 비정질 반도체막(105) 및 절연막(104)이 반응 가스를 CF4및 O2의 혼합 가스로 변화시킴으로써 선택적으로 제거된다.(도 2b)
다음으로, 레지스트 마스크(108)를 제거한 후, 투명 도전막(118)이 전체 표면 상에 침착된다.(도 2c) 이 상태에서의 상면도가 도 5에 도시된다. 그러나, 명료성을 위해, 전체 표면 상에 침착된 투명 도전막(118)은 도 5에 도시되지 않았음을 명심하라.
투명 도전막(118)은 스퍼터링 또는 기상 증착과 같은 방법을 사용한 인듐 산화물(In2O3) 또는 인듐 산화물 주석 산화물의 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약칭됨)과 같은 재료를 포함한다. 이러한 유형의 재료에 대한 에칭 공정은 염화수소산(hydrochloric acid) 유형의 용액을 사용하여 수행된다. 그러나 특히 ITO 에칭 공정에서, 찌꺼기가 쉽게 발생되며, 그러므로 인듐 산화물 아연 산화물 합금(In2O3-ZnO)이 뛰어난 표면 평탄 특성들을 가지며, ITO와 비교하여 뛰어난 단자 안정성을 가지며, 그러므로 비록 전극(116)이 Al막을 포함할지라도, 부식 반응이 방지될 수 있다. 유사하게, 아연 산화물(ZnO)이 또한 적절한 재료이고, 또한, 가시광의 투과율을 증가시키고 도전율을 증가시키기 위해서, 갈륨(Ga)이 추가된 아연 산화물(ZnO:Ga)과 같은 재료가 사용될 수 있다.
다음으로, 레지스트 마스크들(119, 120, 121)이 제 3 포토리소그라피 공정에 의해 형성된다. 이어서 불필요한 부분들이 비정질 반도체막(122), 소스 영역(123), 드레인 영역(124), 소스 전극(125), 드레인 전극(126), 및 화소 전극(127)을 형성하여 에칭함으로써 제거된다.(도 2(d))
제 3 포토리소그라피 공정은 투명 도전막(118)을 패터닝하고, 동시에 개구를 형성하여 에칭함으로써 도전성 금속막(116), n+a-Si 막(114) 및 비정질 반도체막(112)의 부분을 제거한다. 본 실시예에서, ITO를 포함하는 화소 전극은 우선 질소산 및 염화질소산의 혼합 용액 또는 염화 제2철(ferric chloride) 용액을 사용하여 수분 에칭함으로써 선택적으로 제거되고, 수분 에칭에 의해 도전성 금속막(116)을 제거한 후, n+a-Si 막(114)의 부분 및 비정질 반도체막(112)은 드라이 에칭에 의해 에칭된다. 수분 에칭 및 드라이 에칭이 본 발명에 사용되지만, 관찰자는 반응 가스를 적절하게 선택함으로써 단지 드라이 에칭을 수행할 수 있고, 관찰자는 반응 용액을 적절하게 선택함으로써 단지 수분 에칭을 수행할 수 있다.
또한, 개구의 하부는 비정질 반도체막에 도달하고, 비정질 반도체막(114)은 오목 부분을 가지고 형성된다. 도전성 금속막(116)은 개구에 의해서 소스 배선(125) 및 드레인 전극(126)으로 분리되고, n+a-Si:H 막(114)은 소스 영역(123) 및 드레인 영역(124)로 분리된다. 게다가, 소스 전극(125)를 접촉시키는 투명 도전막(128)은 소스 배선을 덮고, 다음 제조 공정 동안, 특히 러빙 처리 동안, 정전기가 발생되는 것을 방지하는 역할을 충족시킨다. 소스 배선 상에 투명 도전막(128)을 형성하는 일례가 본 실시예에 도시되지만, 투명 도전막(128)은 또한 ITO 막의 상기 에칭 동안, 제거될 수 있다. 또한, 정전기로부터 보호하기 위한 회로가 ITO 막의 에칭에서 상기 ITO 막을 이용함으로써 형성될 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 게이트 배선 상에 형성된 투명 도전막이 상기 제 3 포토리소그라피 공정에 의해 선택적으로 제거되기 때문에, 게이트 배선이 비정질 반도체막 및 금속막(116)의 선택비를 갖는 것이 필요하다. 그러나, 투명 도전막이 게이트 배선 단자부에 부분적으로 남겨짐을 명심하라.
다음으로, 레지스트 마스크들(119 내지 121)이 제거된다. 이 상태의 횡단면도는 도 3a에 도시된다. 도 1은 하나의 화소의 상면도이며, A-A' 라인 및 B-B' 라인을 따른 횡단면들은 도 3a에 각각 대응한다.
또한, 도 9a는 이러한 상태에서 게이트 배선 단자부(501) 및 소스 배선 단자부(502)의 상면도들을 도시한다. 동일 기호들이 도 1 내지 도 3의 기호들에 대응하는 영역으로 사용된다. 또한, 도 9b는 도 9a에서 E-E' 및 F-F'를 따라 얻어진 횡단면도에 대응한다. 투명 도전막을 포함하는 도 9a에서의 참조번호 503는 입력 단자로 기능하는 접속 전극을 표시한다. 또한, 도 9b에서 참조번호 504는 절연막을 표시하고(110으로부터 연장됨), 참조번호 505는 비정질 반도체막(122로부터 연장됨)을 표시하며, 참조번호 506는 n+a-Si 막(123으로부터 연장됨)을 표시한다.
저장 커패시터가 유전체로서 절연막(111)을 갖는 커패시터 배선(103) 및 금속막(117)(또는 n+a-Si 막(115) 또는 반도체막) 사이의 커패시터부에서 형성됨을 주목하라.
그러므로 3개의 포토마스크들을 사용하고, 3개의 포토리소그라피 공정들을 수행함으로써, 역 스태거형 n-채널형 TFT(201) 및 저장 커패시터(202)를 갖는 화소 TFT 부분이 완료될 수 있다. 각각의 화소에 대응하는 매트릭스형으로 이들을 위치시키고 그리하여 화소부를 구성함으로써, 하나의 기판이 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하기 위해서 구성될 수 있다. 편의를 위해, 기판의 이러한 유형은 본 명세서를 통한 액티브 매트릭스 기판으로 언급된다.
다음으로, 정렬막(130)이 단지 액티브 매트릭스 기판의 화소부에서 선택적으로 형성된다. 스크린 프린팅이 정렬막(130)을 선택적으로 형성하는 방법으로 사용될 수 있고, 정렬막의 적용 후에 레지스트 마스크가 섀도우 마스크를 사용하여 형성되는 제거 방법이 또한 사용될 수 있다. 일반적으로, 폴리이미드 수지가 액정 표시 요소의 정렬막에 종종 사용된다.
다음으로, 러빙 공정이 정렬막(130) 상에서 형성되고, 임의의 고정 프리-틸트 각(pre-tilt angle)을 갖기 위해서 액정 표시 요소들을 적응시킨다.
액티브 매트릭스 기판 및 대향 전극(132) 상의 대향 기판(133) 및 형성된 정렬막(131)이 액정 재료(134)가 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판 사이의 공간으로 주입된 후에, 스페이서들을 사용한 기판들 사이에 갭을 유지하는 동안 실런트(sealant)에 의해서 함께 접속될 수 있다. 공지된 재료가 액정 재료(134)에 적용될 수 있으며, TN 액정이 통상적으로 사용된다. 액정 재료를 주입한 후, 주입 입구는 수지 재료에 의해서 밀봉된다.
다음으로, 유연성 인쇄 회로(FPC)가 단자부의 단자(101)에 접속된다. FPC는 폴리이미드와 같은 유기 수지막(organic resin film)(138) 상에 구리 배선(137)을 포함하고, 이방성 도전 접착제(conductive adhesive)에 의해서 투명 도전막(도 9의 참조번호 503에 대응함)을 포함하는 입력 단자(129)에 접속된다. 이방성 도전 접착제는 여기서 혼합된 접착제(135)와 수십 내지 수백 ㎛의 직경을 가지고 금과 같은 재료로 도금된 도전성 표면을 갖는 입자 (particle)(136)를 포함한다. 입자들(136)은 입력 단자(129) 및 구리 배선(137)을 접속함으로써 이 부분에서 전기 접속을 형성한다. 또한, 이러한 영역의 기계적 강도를 증가시키기 위해서, 수지 층(139)가 형성된다.(도 3b)
도 6은 화소부 및 액티브 매트릭스 기판의 단자부의 위치를 설명하는 도면이다. 화소부(211)는 기판(210) 상에서 형성되고, 게이트 배선들(208) 및 소스 배선들(207)은 화소 상에서 교차하여 형성되며, 이것에 접속된 n-채널 TFT(201)은 각각의 화소에 대응하여 형성된다. 화소 전극(127) 및 저장 커패시터(202)는 n-채널 TFT(201)의 드레인측에 접속되고, 저장 커패시터(202)의 나머지 단자는 커패시터 배선(209)에 접속된다. n-채널 TFT(201) 및 저장 커패시터(202)의 구조는 도 3a에 도시된 n-채널 TFT(201) 및 저장 커패시터(202)의 구조와 동일하다.
스캐닝 신호를 입력하기 위한 입력 단자부(205)가 기판의 하나의 에지 부분에서 형성되며, 접속 배선(206)에 의해 게이트 배선(208)에 접속된다. 또한, 화상 신호를 입력하기 위한 입력 단자부(203)가 나머지 에지 부분에서 형성되며, 접속 배선(204)에 의해 소스 배선(207)에 접속된다. 다수의 게이트 배선(208), 소스 배선(207) 및 커패시터 배선(209)이 화소 밀도에 따라서 형성된다. 다수의 배선들은 상기에 기재된 것과 같다. 더구나, 화상 신호 및 접속 배선(213)을 입력하기 위한 입력 단자부(212)가 형성되고, 대안으로 입력 단자부(203)를 갖는 소스 배선에 접속될 수 있다. 입력 단자부들(203, 205, 212)의 임의의 수가 형성되며, 그것은 관찰자에 의해 적절하게 결정될 수 있다.
[실시예 2]
도 7은 액정 표시 장치를 장착하는 방법의 일예이다. 액정 표시 장치는 TFT들이 형성되는 기판(301)의 에지 부분에 형성된 입력 단자부(302)를 가지며, 실시예 1로 나타낸 것과 같이, 이것은 게이트 배선과 동일한 재료를 포함하는 단자(303)로 형성된다. 대향 기판(304)은 스페이서들(306)을 인캡슐화하는 실런트(305)에 의해 기판(301)에 연결되고, 또한, 편광판들(307, 308)이 형성된다. 이것은 이후 스페이서들(322)에 의해 케이싱(321)에 고정된다.
비정질 반도체막으로 형성되는 활성층을 가진 실시예 1에서 얻어진 TFT는 낮은 전계 효과 이동도를 가지며, 단지 대략 1㎝2/Vsec가 얻어진다. 그러므로, 화상 표시를 행하는 구동기 회로가 LSI 칩에 의해 형성되고, TAB(tape automated bonding)법 또는 COG(chip on glass)법에 의해 장착된다. 본 실시예에 있어서는, 일 예로서 LSI 칩(313)에 구동기 회로를 형성하고, TAB법을 사용하여 장착하는 것이 도시되어 있다. 가요성 인쇄 회로(FPC)가 사용되고, FPC는 폴리이미드 등의 유기 수지막 상에 구리 배선(310)에 의해 형성되고, 입력 단자(302)에 이방성 도전 접착제에 의해 입력 단자(302)에 접속된다. 입력 단자는 배선(303) 위에 형성되어 접촉하는 투명 도전막이다. 이방성 도전 접착제는 접착제(311)와 입자들(312)로 구성되고, 이들 입자는 수십 내지 수백 마이크로미터(㎛)의 직경을 가지며 내부에 혼합되는 금 등의 재료로 도금되는 도전면을 갖는다. 입자들(312)은 입력 단자(302)와 구리 배선(310)을 접속함으로써 이러한 부분에 전기 접속을 형성한다. 또한, 이러한 영역의 기계적 강도를 증가시키기 위해, 수지층(318)이 형성된다.
LSI 칩(313)은 범프(314)에 의해 구리 배선(310)에 접속되고, 수지 재료(315)에 의해 밀봉된다. 구리 배선(310)은 이후 신호 처리 회로, 증폭 회로 및전원 회로 등의 다른 회로들이 형성되는 인쇄 기판(317)에 접속 단자(316)를 통해 접속된다. 광원(319)과 광 도전체(320)는 대향 기판(304) 위에 형성되고 백 라이트로서 투과형 액정 표시 장치에 사용된다.
[실시예 3]
본 실시예에 있어서는, 보호막을 형성하는 예가 도 6에 도시되어 있다. 본 실시예는 도 2d의 상태까지 실시예 1과 동일하므로, 상이점만을 설명한다. 더욱이, 동일 부호들은 도 2d의 부호들에 대응하는 위치들에 사용된다.
실시예 1에 따라 도 2d의 상태를 거쳐 먼저 형성한 후, 얇은 무기 절연막이 전면에 형성된다. 실리콘 산화물막을 사용하여 무기 절연막으로서 형성된 무기 절연막, 실리콘 질화물막, 실리콘 옥시니트라이드 막, 또는 탄탈 산화물 막 및 이들 재료를 포함하는 단층 또는 적층 구조가 사용된다.
제 4 포토리소그라피 공정은 이후 레지스트 마스크를 형성하고, 불필요한 부분들이 에칭에 의해 제거되고, 화소 TFT 부분에 절연막(402)을 형성하고, 단자부에 무기 절연막(401)을 형성하여 행해진다. 이들 무기 절연막들(401, 402)은 패시베이션 막들로서 기능한다. 더욱이, 얇은 무기 절연막(401)은 제 4 포토리소그라피 공정에 의해, 단자부의 단자(101)를 노광하여 단자부에서 제거된다.
무기 절연막에 의해 보호되는 역 스태거형 n채널형 TFT와 저장 커패시터는 이렇게 전체적으로 4배인 4개의 포토마스크들을 사용하여 포토리소그라피 공정을 행함으로써 본 실시예에서 완성될 수 있다. 따라서 화소부는 이들을 각 화소에 대응하는 매트릭스 상태로 배열함으로써 구성되고, 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하기 위한 하나의 기판이 만들어질 수 있다.
본 실시예의 구성을 실시예 1 또는 실시예 2의 구성과 자유롭게 조합하는 것이 가능하다.
[실시예 4]
실시예 1은 절연막, 비정질 반도체막, n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막 및 금속막을 스퍼터링에 의해 적층하는 예를 나타내지만, 본 실시예는 플라즈마 CVD를 사용하여 막들을 형성하는 예를 나타낸다.
절연막, 비정질 반도체막 및 n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막은 본 실시예에서 플라즈마 CVD로 형성된다.
본 실시예에 있어서, 실리콘 옥시니트라이드 막은 절연막으로서 사용되며, 플라즈마 CVD에 의해 150㎚의 두께로 형성된다. 플라즈마 CVD는 이 때 13 내지 70MHz, 바람직하게는 27 내지 60MHz의 전원 주파수로 행해질 수 있다. 27 내지 60MHz의 전원 주파수를 사용함으로써, 밀한 절연막이 형성될 수 있고, 전압 레지스턴스는 절연막과 같이 증가될 수 있다. 더욱이, O2를 SiH4와 N2O에 첨가함으로써 제조되는 실리콘 옥시니트라이드 막은 막에서 고정 전하 밀도의 감소를 가지므로, 이러한 용도에 바람직한 재료이다. 물론, 게이트 절연막은 이러한 형태의 실리콘 옥시니트라이드 막에 한정되지 않고, 실리콘 산화물 막, 실리콘 질화물 막 또는 탄탈 산화물 막 등의 다른 절연막들을 사용하는 단층 또는 적층 구조가 형성되어도 된다. 더욱이, 하층에 실리콘 질화물 막, 상층에 실리콘 산화물 막의 적층 구조가 사용되어도 된다.
예를 들면, 실리콘 산화물 막을 사용할 경우, 그것은 40Pa로 설정된 반응압력, 250 내지 350℃의 기판 온도로, 테트라에틸 오르소실리케이트(TEOS)와 O2의 혼합물을 사용하고, 0.5 내지 0.8 W/㎝2의 고주파(13.56 MHz)로 방전하는 플라즈마 CVD에 의해 형성될 수 있다. 게이트 절연막과 같은 양호한 특성들이 300 내지 400℃에서의 후속 열어닐링에 의해 이렇게 형성된 실리콘 산화물 막에 대해 얻어질 수 있다.
통상적으로, 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 막이 비정질 반도체막으로서 플라즈마 CVD에 의해 100㎚의 두께로 형성된다. 이 때, 플라즈마 CVD는 플라즈마 CVD 장치에서 13 내지 70MHz, 바람직하게는 27과 60MHz 사이의 전원 주파수로 행해질 수 있다. 27 내지 60MHz의 전원 주파수를 사용함으로써, 막 증착 속도를 증가시키는 것이 가능하고, 증착된 막이 낮은 결함 밀도를 갖는 a-Si 막으로 되기 때문에 증착된 막은 바람직하다. 또한, 비정질 반도체막으로서 비정질 실리콘 게르마늄 막 등의 비정질 구조를 갖는 복합 반도체막 및 미세결정 반도체막을 부가하는 것도 가능하다.
더욱이, 100Hz 내지 100kHz 펄스 변조 방전이 절연막과 비정질 반도체막의 플라즈마 CVD 막 증착에서 행해지면, 이 때 플라즈마 CVD 기상 반응으로 인한 입자 발생이 방지될 수 있고 형성된 막에서의 핀홀 발생도 방지될 수 있으므로 바람직하다.
더욱이, 본 실시예에 있어서, n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막은 단일 도전형 불순물 원소를 포함하는 반도체막으로서 20 내지 80㎚의 두께로 형성된다. 예를 들면, n형인 a-Si:H 막이 형성되고, 그렇게 하기 위해, 포스핀(PH3)이 0.1 내지 5%이 농도로 실란(SiH4)에 첨가된다. 다른 방법으로서는, 수소화된 미세결정 실리콘 막(μc-Si:H)도 n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는, 비정질 반도체막(106)에 대한 치환체로서 사용될 수 있다.
이들 막들은 연속해서 반응 가스를 적절하게 변경함으로써 형성될 수 있다. 더욱이, 이들 막들은 이 때에 플라즈마 CVD 장치들에서 동일한 반응 체임버 또는 복수의 반응 체임버들을 사용함으로써 분위기에 노광시키지 않고 연속적으로 적층될 수 있다. 분위기에 막들을 노광시키지 않고 이들 막들을 연속적으로 이와 같이 증착함으로써, 제 1 비정질 막으로의 불순물들의 혼합이 방지될 수 있다.
본 발명은 실시예 2와 조합하는 것이 가능하다.
[실시예 5]
절연막, 비정질 반도체막, n+a-Si 막 및 금속막을 이 순서로 연속해서 적층하는 예들이 실시예 1 및 실시예 4에 도시되어 있다. 복수의 체임버들을 가지며 이러한 형태의 연속 막 증착을 행하는 경우들에 사용되는 장치의 일 예가 도 10에 도시되어 있다.
본 실시예로 나타낸 장치들(연속 막 증착 시스템)의 개요가 위에서 알 수 있는 것과 같이 도 10에 도시되어 있다. 도 10의 참조번호 10 내지 15는 기밀 특성들을 가진 체임버를 나타낸다. 진공 배기 펌프 및 불활성 가스 도입 시스템이 체임버들의 각각에 배열된다.
참조번호 10 및 15로 나타낸 체임버들은 시료(처리 기판)(30)를 시스템으로 가져오기 위한 로드-락 체임버(load-lock chamber)들이다. 참조번호 11로 나타낸 체임버는 절연막(104)의 증착을 위한 제 1 체임버이다. 참조번호 12로 나타낸 체임버는 비정질 반도체막(105)의 증착을 위한 제 2 체임버이다. 참조번호 13으로 나타낸 체임버는 n형 도전성을 부여하는 비정질 반도체막(106)의 증착을 위한 제 3 체임버이다. 참조번호 14로 나타낸 체임버는 금속막(107)의 증착을 위한 제 4 체임버이다. 더욱이, 참조번호 20은 각 체임버에 대해 공통으로 배열된, 시료를 위한 공통 체임버를 나타낸다.
이하에 동작 예를 나타낸다.
먼저 모든 체임버들을 초기 고진공 상태로 만든 후, 정화 상태(정상 압력)가 불활성 가스, 여기서는 질소를 사용함으로써 만들어진다. 또한, 모든 게이트 밸브들(22 내지 27)은 폐쇄된다.
첫째로, 다수의 처리 기판이 적재되는 카세트(28)가 로드-락 체임버(10)에 놓인다. 카세트가 내측에 놓인 후, 로드-락 체임버(도면에 도시하지 않음)의 도어(door)가 폐쇄된다. 이 상태에서, 게이트 밸브(22)는 개방되고 처리 기판(30) 중 하나가 카세트로부터 제거되어, 로봇 암(21)에 의해 공통 체임버(20) 밖으로 꺼내진다. 이 때 위치 정렬은 공통 체임버에서 행해진다. 실시예 1에 따라 배선들(101, 102, 103)이 형성되는 기판은 기판(30)을 위해 사용된다.
이 후 게이트 밸브(22)는 폐쇄되고, 다음에 게이트 밸브(23)가 개방된다. 이후 처리 기판(30)은 체 1 체임버(11)로 이동된다. 막 증착 처리는 제 1 체임버 내에서 150 내지 300℃의 온도에서 행해지고, 절연막(104)이 얻어진다. 실리콘 질화물 막, 실리콘 산화물 막, 실리콘 옥시니트라이드 막 등의 막 또는 이들 막들의 적층막은 절연막으로서 사용될 수 있다. 단층 실리콘 질화물 막이 본 실시예에서 채용되지만, 2층, 3층 또는 그보다 많은 층의 적층 구조 막도 사용될 수 있다. 플라즈마 CVD를 할 수 있는 체임버가 여기에서 사용되지만, 타깃을 이용하여 스퍼터링할 수 있는 체임버도 사용될 수 있다.
절연막의 증착을 완료한 후, 처리 기판은 로봇 암에 의해 공통 체임버로 끌려가고, 이후 제 2 체임버(12)로 이송된다. 막 증착은 제 1 체임버에서와 유사하게, 150 내지 300℃의 온도에서 제 2 체임버 내에서 행해지며, 비정질 반도체막(105)은 플라즈마 CVD에 의해 얻어진다. 미세결정 반도체막, 비정질 게르마늄 막, 비정질 실리콘 게르마늄 막 등의 막 또는 이들 막들의 적층막 등은 비정질 반도체막으로서 사용될 수 있다. 더욱이, 수소의 농도를 감소시키기 위한 열처리 공정은 비정질 반도체막에 대해 350 내지 500℃의 형성 온도로 생략될 수 있다. 플라즈마 CVD를 할 수 있는 체임버가 여기에 사용되지만, 타깃을 사용하여 스퍼터링할 수 있는 체임버도 사용될 수 있다.
n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막의 증착을 완성한 후, 처리 기판은 공통 체임버 밖으로 나가고, 이후 제 4 체임버(14)로 이송된다. 금속막(107)은 금속성 타깃을 사용하는 스퍼터링에 의해 제 4 체임버 내에서 얻어진다.
따라서 4개의 층들이 연속해서 형성되는 처리된 기판은 이후 로봇 암에 의해 로드-락 체임버(15)로 이송되고, 카세트(29)로 들어간다.
도 10에 도시된 장치들은 단지 하나의 예이다. 더욱이, 본 실시예는 실시예 1 내지 4 중 어느 하나와 자유롭게 조합하는 것이 가능하다.
[실시예 6]
실시예 5에 있어서, 복수의 체임버들을 사용하여 연속 적층하는 예가 도시되었지만, 본 실시예에 있어서는, 도 11에 도시된 장치들을 사용하여 고진공으로 유지된 하나의 체임버 내에서의 연속 적층 방법이 채용된다.
도 11에 도시된 장치 시스템은 본 실시예에 사용된다. 도 11에 있어서, 참조번호 40은 처리 기판을 나타내고, 참조번호 50은 공통 체임버를 나타내고, 44와 46은 로드-락 체임버들을 나타내고, 45는 체임버를 나타내고, 그리고 참조번호 42와 43은 카세트들을 나타낸다. 기판의 이송 중 생기는 오염을 방지하기 위해, 적층이 본 실시예에서와 동일한 체임버에서 행해진다.
본 실시예는 실시예 1 내지 4 중 어느 하나와 자유롭게 조합하는 것이 가능하다.
실시예 1에 적용될 경우, 복수의 타깃들이 체임버(45)에서 준비되고, 이 후 절연막(104), 비정질 반도체막(105), n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(106) 및 금속막(107)은 반응 가스를 변경함으로써 이 순서로 적층될 수 있다.
더욱이, 실시예 3에 적용될 경우, 절연막(104), 비정질 반도체막(105) 및 n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막(106)은 반응 가스를 변경함으로써 이 순서로 적층될 수 있다.
[실시예 7]
실시예 1에 있어서는, 스퍼터링을 이용하여 n+a-Si막을 형성하는 예가 도시되어 있지만, 본 실시예에 있어서는 플라즈마 CVD를 이용하여 n+a-Si막을 형성하는 예가 도시되어 있다. n+a-Si막을 형성하는 방법을 제외하고는, 본 실시예는 실시예 1과 동일하므로, 상이점만을 이하에 설명한다.
포스핀(PH3)이 플라즈마 CVD를 이용하여 반응 가스로서 실란(SiH4)에 대해 0.1 내지 5%의 농도로 첨가되면, 이 후 n+a-Si막이 얻어질 수 있다.
[실시예 8]
실시예 7에 있어서는 플라즈마 CVD을 이용하여 n+a-Si막을 형성하는 예가 도시되어 있고, 본 실시예에 있어서는, n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 미세결정 반도체막을 사용하는 예가 도시되어 있다.
80 내지 300℃, 바람직하게는 140과 200℃ 사이의 증착 온도를 설정하고, 반응 가스로서 수소로 희석된 실란(SiH4:H2=1:10 내지 100)과 포스핀(PH3)의 가스 혼합물을 취하고, 10 내지 300mW/㎝2의 방전 전력을 설정함으로써, 미세결정 실리콘 막이 얻어질 수 있다. 포스포러스가 이러한 미세결정 실리콘 막의 막 증착 후 플라즈마 도핑에 의해 첨가되어도 된다.
[실시예 9]
도 12는 COG법을 이용하여 액정 표시 장치를 구성하는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다. 화소 영역(803), 외부 입력-출력 단자(804) 및 접속 배선(805)은 제 1 기판 위에 형성된다. 파선들로 둘러싸인 영역들은 주사선 측 IC 칩을 부착하기 위한 영역(801) 및 데이터선 측 IC 칩을 부착하기 위한 영역(802)을 나타낸다. 대향 전극(809)은 제 2 기판(808) 위에 형성되고, 이것은 밀봉 재료(810)를 사용하여 제 1 기판(800)에 연결된다. 액정층(811)은 액정을 주입함으로써 밀봉 재료(810)의 내측에 형성된다. 제 1 기판 및 제 2 기판은 소정 간극을 가지고 연결되며, 이것은 네마틱 액정에 대해서는 3 내지 8㎛, 그리고 스메틱 액정에 대해서는 1 내지 4㎛로 설정된다.
IC 칩들(806, 807)은 데이터 선 측과 주사선 측 사이에서 상이한 회로 구조들을 가진다. IC 칩들은 제 1 기판 위에 장착된다. FPC(flexible printed circuit)(812)는 외부로부터의 제어 신호들 및 전원을 입력하기 위해 외부 입력-출력 단자(804)에 부착된다. FPC(812)의 접합 강도를 증가시키기 위해, 보강재(813)가 형성되어도 된다. 이렇게 해서 액정 표시 장치가 완성될 수 있다. IC 칩을 제 1 기판 위에 장착하기 전에 전기적 검사가 행해지면, 이 후 액정 표시 장치의 최종 공정 수율이 개선될 수 있고 신뢰성이 증가될 수 있다.
더욱이, 이방성 도전 재료 또는 와이어 본딩법을 이용하는 접속 방법 등의 방법이 IC 칩을 제 1 기판 위에 장착하기 위한 방법으로서 채용될 수 있다. 도 13은 이와 같은 예들을 나타낸다. 도 13a는 IC 칩이 이방성 도전 재료를 사용하여 제 1 기판(901) 상에 장착되는 예를 나타낸다. 화소 영역(902), 리드 와이어(906), 접속 배선 및 입력-출력 단자(907)가 제 1 기판(901) 상에 형성된다. 제 2 기판은 밀봉 재료(904)를 사용하여 제 1 기판(901)에 접합되고 액정층(905)은 이들 사이에 형성된다.
더욱이, FPC(912)는 이방성 도전 재료를 사용하여 접속배선의 하나의 에지와 입력-출력 단자(907)에 접합된다. 이방성 도전 재료는 수지(915)와 수 십 내지 수백 마이크로미터의 입경을 가지며 Au 등의 재료로 도금되는 도전성 입자들(914) 및 FPC(912)로 형성되는 접속 배선(913)을 포함하고, 입력-출력 단자(907)는 도전성 입자들(914)에 의해 전기 접속된다. IC 칩(908)은 또한 이방성 도전 재료에 의해 제 1 기판에 유사하게 접합된다. IC 칩(908)과 리드 와이어(906) 또는 접속 배선과 입력-출력 단자(907)가 제공된 입력-출력 단자(909)는 수지(911)에 혼합된 도전 입자들(910)에 의해 전기적으로 접속된다.
더욱이, 도 13b에 도시된 것과 같이, IC 칩은 제 1 기판에 접착 재료(916)에 의해 고정되어도 되고 스틱 드라이버의 입력-출력 단자 및 리드 와이어 또는 접속 배선은 Au 와이어(917)에 의해 접속되어도 된다. 이 후 이것은 수지(918)에 의해 모두 밀봉된다.
IC 칩을 장착하는 방법은 도 12 및 도 13에 기초한 방법에 한정되는 것은 아니며, COG법, 와이어 본딩법 또는 TAB법 등의 공지의 방법을 사용하는 것도 가능하다.
본 실시예는 실시예 1과 자유롭게 조합하는 것이 가능하다.
[실시예 10]
실시예 1에 있어서는, 투과형 액정 표시 장치에 대응하는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법이 도시되어 있지만, 본 실시예에서는 반사형 액정 표시 장치로의 적용예가 도 14를 이용하여 도시되어 있다.
첫째로, 실시예 1과 같은 방법으로, 도 2b에 도시된 단계까지의 단계들이 수행된다. 이 후, 무기 수시 막을 포함하는 층간 절연막이 형성된다. 다음에, 층간 절연막의 러프닝 공정이 수행되어 거친 부분을 가진 층간 절연막(601)을 형성한다. 러프닝 공정으로서는, 파이버들 또는 스페이서들을 포함하는 무기 수지 막을 도포하는 방법, 마스크를 사용하여 무기 수지 막을 부분적으로 에칭하여 형성하는 방법이 사용될 수 있으며, 또는 원통형을 만들기 위해 마스크를 사용하여 감광성 수지를 에칭한 후 리플로를 행할 수 있도록 가열에 의해 형성하는 방법이 사용될 수 있다.
다음에, 소스 배선 라인 및 드레인 전극에 도달하는 컨택트 홀들이 포토리소그라피 단계에 의해 층간 절연막(601)에 형성된다. 한편, 동일 단계로 저장 커패시터를 형성하기 위해, 전극에 도달하는 컨택트 홀이 형성될 때, 단자부 상의 층간 절연막을 제거한다.
다음에, 반사율을 가진 도전성 막(Al, Ag 등)이 형성된다.
이후, 레지스트 마스크 패턴은 제 4 포토리소그라피 단계에 의해 형성되고, 반사율을 가진 도전성 막으로 만들어진 화소 전극(602)이 에칭에 의해 형성된다.이러한 방식으로 형성된 화소 전극(602)은 거친 부분을 가지며, 광을 분산시킬 수 있고, 경면(mirror surface)의 형성을 방지할 수 있다. 동시에, 소스 전극에 도달하는 리드 배선(603)이 형성된다.
후속 단계들은 실시예 1과 동일하므로, 이들에 대한 설명은 생략한다. 이러한 방식으로, 반사형 액정 표시 장치에 대응하는 액티브 기판이 포토마스크들을 사용하는 포토리소그라피 단계들을 거쳐 제조될 수 있다.
한편, 본 실시예는 실시예 2 또는 실시예 3과 조합될 수 있다.
[실시예 11]
본 발명을 구현함으로써 형성되는 ㎝OS 회로들 및 화소부는 여러 가지 전기-광학 장치들(예를 들면 액티브 매트릭스 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 EC 표시 장치)에 사용될 수 있다. 즉, 본 발명은 이들 전기-광학 장치가 표시부에 내장되는 모든 전자 응용 제품에서 구현될 수 있다.
이와 같은 전자 응용 제품으로서는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 프로젝터(리어 형 또는 프론트 형), 헤드 장착 표시 장치(고글형 표시), 차량 항법 장치, 카 스테레오, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대형 정보 단말기(예를 들면 모바일 컴퓨터, 휴대 전화 또는 전자 책)를 들 수 있다. 이들 예는 도 15, 15, 17에 도시되어 있다.
도 15a는 퍼스널 컴퓨터이고, 이 퍼스널 컴퓨터는 본체(2001), 화상 입력부(2002), 표시부(2003) 및 키보드(2004) 등을 구비한다. 본 발명은 화상 입력부(2002), 표시부(2003) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 15b는 비디오 카메라이며, 이 비디오 카메라는 본체(2101),표시부(2102), 오디오 입력부(2103), 조작 스위치들(2104), 배터리(2105) 및 화상 수신부(2106) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부(2102) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 15c는 모바일 컴퓨터이며, 이 모바일 컴퓨터는 본체(2201), 카메라부(2202), 화상 수신부(2203), 조작 스위치들(2204), 및 표시부(2205) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부(2205) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 15d는 고글형 디스플레이이며, 이 고글형 디스플레이는 본체(2301), 표시부(2302), 암부(2303) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부(2302) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 15e는 프로그램이 기록되는 기록 매체(이하 기록 매체라 함)를 사용하는 플레이어이며, 이 플레이어는 본체(2401), 표시부(2402), 스피커부(2403), 기록 매체(2404), 및 조작 스위치들(2405) 등을 구비한다. 이러한 플레이어는 DVD(digital versatile disk) 또는 CD 등의 기록 매체를 사용하며, 음악 감상, 영화 감상, 게임플레잉 및 인터넷이 수행될 수 있다. 본 발명은 표시부(2402) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 15f는 디지털 카메라이며, 이 디지털 카메라는 본체(2501), 표시부(2502), 접안렌즈부(2503), 조작 스위치들(2504) 및 화상 수신부(도면에는 도시하지 않음) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부(2502) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 16a는 프론트 프로젝터이며, 이 프론트 프로젝터는 투사계(2601), 스크린(2602) 등을 구비한다. 본 발명은 투사계(2601)의 일부 또는 다른 신호 구동기 회로들을 구성하는 액정 표시장치(2808)에 적용될 수 있다.
도 16b는 리어 프로젝터이며, 이 리어 프로젝터는 본체(2701), 투사계(2702), 미러(2703), 스크린(2704) 등을 구비한다. 본 발명은 투사계(2702)의 일부 또는 다른 신호 구동기 회로들을 구성하는 액정 표시 장치(2808)에 적용될 수 있다.
도 16c는 도 16a 및 도 16b의 투사계들(2601, 2701)의 구조의 일 예를 나타내는 도면이다. 투사계들(2601, 2702)은 광학 광원계(2801), 미러들(2802, 2804 내지 2806), 다이크로익 미러(2803), 프리즘(2807), 액정 표시 장치(2808), 상 미분 판(phase differentiation plate)(2809) 및 투사 광학계(2810)를 포함한다. 투사 광학계(2810)는 투사 렌즈들을 구비하는 광학계를 포함한다. 본 실시예는 3판형으로 도시되었지만, 본 발명은 이러한 구조에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 예를 들면 단판형이어도 된다. 더욱이, 조작자는 광학 렌즈들 등의 광학계, 편광 기능을 가진 막, 위상차를 조정하는 막 및 IR 막을 도 16c의 화살표로 나타낸 광로에 적절하게 배치해도 된다.
도 16d는 도 16c의 광학 광원계(2801)의 구조의 일 예를 나타낸 도면이다. 본 실시예에 있어서, 광학 광원계(2801)는 반사기(2811), 광원(2812), 렌즈 어레이들(2813, 2814), 편광 변환 소자(2815) 및 콘덴서 렌즈(2816)를 포함한다. 도 16d에 도시된 광학 광원계는 단지 일 예에 지나지 않으며 본원을 특별히 한정하지 않는다. 예를 들면, 조작자는 광학 렌즈 등의 광학계, 편광 기능을 가진 막, 위상차를 조정하기 위한 막 및 IR 막 등을 광학 광원계에 적절하게 배치해도 된다.
그러나, 도 16에 도시된 프로젝터들이 투과형 전기-광학 장치를 사용하는 경우를 나타내는 것이며 반사형 전기-광학 장치의 응용예는 도면에 도시되어 있지 않다.
도 17는 휴대 전화이며, 이 휴대 전화는 본체(2901), 오디오 출력부(2902), 오디오 입력부(2903), 표시부(2904), 조작 스위치들(2905) 및 안테나(2906) 등을 구비한다. 본 발명은 오디오 출력부(2902), 오디오 입력부(2903), 표시부(2904) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 17b는 휴대용 책(전자 책)이며, 이 휴대용 책은 본체(3001), 표시부들(3002, 3003), 기록 매체(3004), 조작 스위치들(3005), 안테나(3006) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부들(3002, 3003) 또는 다른 신호 구동기 회로들에 적용될 수 있다.
도 17c는 디스플레이이며, 이 디스플레이는 본체(3101), 지지 스탠드(3102) 및 표시부(3103) 등을 구비한다. 본 발명은 표시부(3103)에 적용될 수 있다. 본 발명의 디스플레이는 특히 대형 스크린에 유리하며, 대각선이 10 인치 이상(특히 30 인치 이상)인 디스플레이에 유리하다.
따라서, 본 발명의 응용 범위는 매우 넓으며, 본 발명은 모든 분야의 전자 응용 제품에 적용하는 것이 가능하다. 더욱이, 본 실시예의 전자 응용 제품은 실시예 1 내지 10의 임의의 조합의 구성을 사용하여 실현될 수 있다.
본 발명에 대하여, 역 스태거형 n-채널 TFT를 갖는 화소 TFT 부분이 준비된 액정 표시 장치 및 저장 커패시터가 3개의 포토마스크들을 사용하여 3개의 포토리소그라피 단계들을 통해 실현될 수 있다.
또한, 보호막을 형성할 경우, 무기 절연막(inorganic insulating film)에 의해 보호되는 역 스태거형 n-채널 TFT를 갖는 화소 TFT 부분이 준비된 액정 표시 장치는 4개의 포토마스크들을 사용하여 4개의 포토리소그라피 단계들을 통해 실현될 수 있다.

Claims (25)

  1. 게이트 배선, 소스 배선, 및 화소 전극을 갖는 반도체 장치로서,
    절연 표면 상에 형성된 게이트 배선과,
    상기 게이트 배선 상에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성된 비정질 반도체막과,
    상기 비정질 반도체막 상에 형성된 소스 영역 및 드레인 영역과,
    상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역 상에 형성된 소스 배선 또는 전극, 및
    상기 전극 상에 형성된 화소 전극을 포함하는, 상기 반도체 장치에 있어서,
    리버스된 상기 드레인 영역 또는 상기 소스 영역의 하나의 단면은 상기 절연막의 단면, 상기 비정질 반도체막의 단면 및 상기 전극의 단면에 대응하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
  2. 게이트 배선, 소스 배선, 및 화소 전극을 갖는 반도체 장치로서,
    절연 표면 상에 형성된 게이트 배선과,
    상기 게이트 배선 상에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성된 비정질 반도체막과,
    상기 비정질 반도체막 상에 형성된 소스 영역 및 드레인 영역과,
    상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역 상에 형성된 소스 배선 또는 전극,및
    상기 전극 상에 형성된 화소 전극을 포함하는, 상기 반도체 장치에 있어서,
    리버스된 상기 드레인 영역 또는 상기 소스 영역의 하나의 단면은 상기 절연막의 단면, 상기 비정질 반도체막의 단면 및 상기 전극의 단면에 대응하며,
    리버스된 상기 드레인 영역 또는 상기 소스 영역의 다른 단면은 상기 화소 전극의 단면 및 상기 전극의 다른 단면에 대응하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 n형 도전성을 부여하는 불순물 원소를 포함하는 비정질 반도체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막, 상기 비정질 반도체막, 상기 소스 영역, 및 상기 드레인 영역은 상기 분위기에 노출되지 않고 연속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막, 상기 비정질 반도체막, 상기 소스 영역, 또는 상기 드레인 영역은 스퍼터링 방법에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막, 상기 비정질 반도체막, 상기 소스 영역, 또는 상기 드레인 영역은 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 배선은 Al, Ti, Mo, W, Ta, Nd 및 Cr로 구성되는 군으로부터 선택된 원소의 막, 상기 원소들의 합금 막, 또는 상기 원소들의 적층 막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 절연막, 상기 비정질 반도체막 및 상기 전극과 동일한 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 소스 배선과 동일한 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 소스 배선 및 상기 화소 전극과동일한 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비정질 반도체막에서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하는 영역에서의 상기 막 두께는 상기 소스 영역과 접촉하는 상기 영역과 상기 드레인 영역과 접촉하는 상기 영역 사이의 영역에서 상기 막 두께보다 더 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 장치는 상기 화소 전극이 투명 도전막을 포함하는 투과형 액정 표시 장치인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 장치는 상기 화소 전극이 그 주성분으로서 Al 또는 Ag를 함유하는 막 또는 그들의 적층된 막을 포함하는 반사형 액정 표시 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 장치는 퍼스널 컴퓨터, 비디오 카메라, 휴대용 정보 단말기, 디지털 카메라, 디지털 비디오 디스크 플레이어, 또는 전자 오락기인 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  15. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    제 1 마스크를 사용함으로써 게이트 배선 라인을 형성하는 제 1 단계와,
    상기 게이트 배선 라인을 덮는 절연막을 형성하는 제 2 단계와,
    상기 절연막 상에 제 1 비정질 반도체막을 형성하는 제 3 단계와,
    상기 제 1 비정질 반도체막 상에 n형 도전성을 부여하기 위해 불순물 원소를 포함하는 제 2 비정질 반도체막을 형성하는 제 4 단계와,
    상기 제 2 비정질 반도체막 상에 제 1 도전막을 형성하는 제 5 단계와,
    제 2 마스크를 사용하여 상기 절연막, 상기 제 1 비정질 반도체막, 상기 제 2 비정질 반도체막, 및 상기 제 1 도전막을 선택적으로 제거함으로써 소스 배선 라인 및 전극을 형성하는 제 6 단계와,
    상기 소스 배선 라인 및 상기 전극과 접촉하고 겹치는 제 2 도전막을 형성하는 제 7 단계, 및
    제 3 마스크를 사용하여 상기 제 1 비정질 반도체막, 상기 제 2 비정질 반도체막, 상기 제 1 도전막, 및 상기 제 2 도전막의 일부를 선택적으로 제거함으로써 상기 제 2 비정질 반도체막을 포함하는 드레인 영역 및 소스 영역과, 상기 제 2 도전막으로 제조되는 화소 전극을 형성하는 제 8 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 단계 내지 상기 제 5 단계는 상기 분위기에 노출되지 않고 연속하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 절연막은 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 비정질 반도체막은 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 비정질 반도체막은 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  20. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 단계 내지 상기 제 5 단계는 상기 동일 체임버(chamber) 내에서 연속하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 절연막은 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  22. 제 15 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 비정질 반도체막은 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  23. 제 15 항, 제 21 항, 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 제 2 비정질 반도체막은 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  24. 제 15 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 도전막은 투명 도전막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  25. 제 15 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 도전막은 반사 특성들을 갖는 도전막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045400A (ko) * 2001-12-04 2003-06-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법
KR20210134841A (ko) * 2010-01-20 2021-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 휴대 전화기

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6218219B1 (en) * 1997-09-29 2001-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US7411211B1 (en) * 1999-07-22 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure and semiconductor device
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
TW478014B (en) 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP4118484B2 (ja) * 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4700160B2 (ja) * 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) * 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TW480725B (en) * 2000-04-04 2002-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film semiconductor device and method of producing same
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI220029B (en) * 2000-10-12 2004-08-01 Au Optronics Corp Thin film transistor liquid crystal display and its manufacturing method
US6724150B2 (en) * 2001-02-01 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100799463B1 (ko) * 2001-03-21 2008-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030016051A (ko) * 2001-08-20 2003-02-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100436181B1 (ko) * 2002-04-16 2004-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
TW535296B (en) * 2002-05-31 2003-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for producing thin film transistor
JP2004212933A (ja) 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法
JP4526771B2 (ja) 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7374981B2 (en) * 2003-04-11 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, electronic device having the same, and method for manufacturing the same
TWI336921B (en) * 2003-07-18 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7592207B2 (en) 2003-11-14 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN100451797C (zh) * 2003-11-14 2009-01-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造法
WO2005047966A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
CN1890698B (zh) * 2003-12-02 2011-07-13 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法和电视装置
US7868957B2 (en) 2003-12-02 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2007525829A (ja) * 2003-12-22 2007-09-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 不揮発性強誘電体メモリ装置の製造方法及びその方法によって得られるメモリ装置
US7172913B2 (en) * 2004-03-19 2007-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7183147B2 (en) 2004-03-25 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance
US7291522B2 (en) * 2004-10-28 2007-11-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor devices and methods of making
KR101078360B1 (ko) * 2004-11-12 2011-10-31 엘지디스플레이 주식회사 폴리형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101086487B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100654569B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20060081470A (ko) * 2005-01-07 2006-07-13 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법
KR20060089526A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
US7737442B2 (en) * 2005-06-28 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1995787A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101158896B1 (ko) * 2005-10-28 2012-06-25 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조방법과,박막트랜지스터를 갖는 액정표시패널 및 전계발광 표시패널
US7615495B2 (en) * 2005-11-17 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
KR20070071012A (ko) * 2005-12-29 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 이의 제조 방법
TWI675243B (zh) 2006-05-16 2019-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TW200814325A (en) * 2006-09-05 2008-03-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thim film transistor array substrate and manufacturing process therefor
KR100785037B1 (ko) * 2006-12-13 2007-12-12 삼성전자주식회사 ＧａＩｎＺｎＯ 다이오드
KR101319301B1 (ko) * 2006-12-15 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8207010B2 (en) * 2007-06-05 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing photoelectric conversion device
JP5064124B2 (ja) * 2007-06-14 2012-10-31 出光興産株式会社 表示装置用基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置及びその製造方法
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5527966B2 (ja) * 2007-12-28 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
TWI525773B (zh) * 2008-07-03 2016-03-11 Kobe Steel Ltd Wiring structure, thin film transistor substrate, manufacturing method thereof, and display device
KR101273143B1 (ko) * 2008-08-29 2013-06-17 가부시키가이샤 아루박 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8202769B2 (en) 2009-03-11 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2010103935A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI485781B (zh) * 2009-03-13 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
TW201039034A (en) * 2009-04-27 2010-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and the method of forming the same
DE102009038709B4 (de) * 2009-08-25 2017-05-11 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement mit dielektrischem Schichtstapel
CN102667597B (zh) * 2009-12-08 2015-01-21 夏普株式会社 有源矩阵基板和显示装置
TWI535028B (zh) * 2009-12-21 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
KR101836067B1 (ko) * 2009-12-21 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
US8476744B2 (en) 2009-12-28 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with channel including microcrystalline and amorphous semiconductor regions
JP2011164196A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
KR20110092545A (ko) * 2010-02-09 2011-08-18 삼성전자주식회사 촬상 장치
JP5638833B2 (ja) * 2010-04-22 2014-12-10 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置及びその製造方法
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20120021537A (ko) * 2010-08-06 2012-03-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US8704230B2 (en) 2010-08-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9230826B2 (en) 2010-08-26 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device
CN102254917B (zh) * 2011-07-07 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制法
TW201308616A (zh) * 2011-08-03 2013-02-16 Motech Ind Inc 於基板上形成導電性圖案之方法
TWI485846B (zh) * 2011-11-16 2015-05-21 Au Optronics Corp 具可撓性基板之顯示裝置及其製造方法
KR20130066247A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2014240942A (ja) * 2012-09-13 2014-12-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP6124577B2 (ja) 2012-12-12 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
TWI527505B (zh) 2013-01-10 2016-03-21 元太科技工業股份有限公司 電路基板結構及其製造方法
TWI612689B (zh) 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
JP5732552B2 (ja) * 2014-01-27 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6307022B2 (ja) * 2014-03-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JP2015200753A (ja) * 2014-04-07 2015-11-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6674764B2 (ja) * 2014-12-01 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
CN104375347B (zh) * 2014-12-04 2017-06-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、修补片、显示面板和修复阵列基板的方法
CN104637949B (zh) * 2015-01-24 2017-11-17 复旦大学 非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法
JP6543727B2 (ja) * 2015-01-24 2019-07-10 ▲復▼旦大学Ｆｕｎｄａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 非破壊読み出し強誘電体メモリ及びその製造方法並びに操作方法
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
CN105974704A (zh) * 2016-07-22 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其驱动方法、显示基板和显示面板
CN106909006A (zh) * 2017-04-25 2017-06-30 昆山龙腾光电有限公司 黏贴结构及采用该黏贴结构的导电构造和液晶显示装置
CN111179780B (zh) * 2020-03-13 2021-08-10 江西慧勤光电科技有限公司 一种高度防水的液晶显示屏组件

Family Cites Families (290)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3967981A (en) 1971-01-14 1976-07-06 Shumpei Yamazaki Method for manufacturing a semiconductor field effort transistor
JPS5724917A (en) 1980-07-23 1982-02-09 Hitachi Ltd Multilayer liquid crystal panel
JPS58188684A (ja) 1982-04-30 1983-11-04 Canon Inc 記録装置
JPS58188684U (ja) 1982-06-10 1983-12-15 セイコーエプソン株式会社 電子表示装置
JPS6097386A (ja) 1983-11-01 1985-05-31 セイコーインスツルメンツ株式会社 液晶表示装置
JPH0682839B2 (ja) 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
US4730903A (en) * 1985-01-23 1988-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ferroelectric crystal display panel and manufacturing method thereof
JPH0797639B2 (ja) 1985-02-15 1995-10-18 シャープ株式会社 表示パネル基板
JPH0618215B2 (ja) 1985-12-03 1994-03-09 セイコー電子工業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
EP0236629B1 (en) 1986-03-06 1994-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Driving circuit of a liquid crystal display device
JPS62265756A (ja) 1986-05-14 1987-11-18 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタマトリクス
JPS6344742A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6382405A (ja) 1986-09-27 1988-04-13 Canon Inc 強誘電性液晶素子
US4960719A (en) 1988-02-04 1990-10-02 Seikosha Co., Ltd. Method for producing amorphous silicon thin film transistor array substrate
JPH01210989A (ja) * 1988-02-19 1989-08-24 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US5231039A (en) 1988-02-25 1993-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Method of fabricating a liquid crystal display device
JPH01217423A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板
JPH0242761A (ja) * 1988-04-20 1990-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス基板の製造方法
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0268524A (ja) 1988-09-05 1990-03-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH0277019A (ja) 1988-09-13 1990-03-16 Optrex Corp 電気光学装置及び導電接続方法
US5130833A (en) * 1989-09-01 1992-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and manufacturing method therefor
KR970009491B1 (ko) * 1989-11-30 1997-06-13 가부시끼가이샤 도시바 배선재료와 이를 이용한 전자장치 및 액정표시장치
JP2657429B2 (ja) * 1990-04-09 1997-09-24 株式会社ミクロ技術研究所 基板の回路実装方法及びその方法に使用する回路基板
US5151806A (en) 1990-04-27 1992-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors
DE69121782T2 (de) 1990-05-31 1997-01-30 Canon Kk Flüssigkristall-Farbanzeige und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2875363B2 (ja) 1990-08-08 1999-03-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5198694A (en) 1990-10-05 1993-03-30 General Electric Company Thin film transistor structure with improved source/drain contacts
US5849601A (en) 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
US5261156A (en) 1991-02-28 1993-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of electrically connecting an integrated circuit to an electric device
JP3260770B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-25 京セラ株式会社 液晶表示装置
JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
US5391920A (en) * 1991-07-09 1995-02-21 Yamaha Corporation Semiconductor device having peripheral metal wiring
JPH0534717A (ja) 1991-07-26 1993-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2866516B2 (ja) 1991-10-30 1999-03-08 京セラ株式会社 アクティブマトリックス基板およびその製造方法
US5739882A (en) * 1991-11-18 1998-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. LCD polymerized column spacer formed on a modified substrate, from an acrylic resin, on a surface having hydrophilic and hydrophobic portions, or at regular spacings
JPH05142558A (ja) * 1991-11-26 1993-06-11 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
JPH05175500A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Kyocera Corp アクティブマトリックス基板の製造方法
GB9200839D0 (en) 1992-01-15 1992-03-11 Emi Plc Thorn Optical modulation device
TW540747U (en) 1992-02-19 2003-07-01 Sharp Kk A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same
JP3125411B2 (ja) 1992-02-21 2001-01-15 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH05265020A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Hitachi Ltd テープキャリアパッケージ
GB9206086D0 (en) 1992-03-20 1992-05-06 Philips Electronics Uk Ltd Manufacturing electronic devices comprising,e.g.tfts and mims
JP2793076B2 (ja) 1992-05-20 1998-09-03 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH0682754A (ja) 1992-07-16 1994-03-25 Toshiba Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP3120200B2 (ja) 1992-10-12 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 光弁装置、立体画像表示装置および画像プロジェクタ
US5418835A (en) * 1992-10-26 1995-05-23 Motorola Inc. Method of delivering paging messages using voice mail
JP2988159B2 (ja) * 1992-11-13 1999-12-06 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH06194615A (ja) 1992-12-24 1994-07-15 Casio Comput Co Ltd 強誘電性液晶素子の製造方法
JP2902534B2 (ja) 1993-02-18 1999-06-07 ローム株式会社 液晶表示装置
JPH06250210A (ja) 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US5821622A (en) 1993-03-12 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH06268222A (ja) 1993-03-16 1994-09-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
FR2702882B1 (fr) 1993-03-16 1995-07-28 Thomson Lcd Procédé de fabrication de transistors à couches minces étagés directs.
JP3512849B2 (ja) 1993-04-23 2004-03-31 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US5346833A (en) 1993-04-05 1994-09-13 Industrial Technology Research Institute Simplified method of making active matrix liquid crystal display
JPH07152024A (ja) 1993-05-17 1995-06-16 Sharp Corp 液晶表示素子
GB9311129D0 (en) 1993-05-28 1993-07-14 Philips Electronics Uk Ltd Electronic devices with-film circuit elements forming a sampling circuit
JPH0713196A (ja) 1993-06-21 1995-01-17 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示装置
US6190933B1 (en) * 1993-06-30 2001-02-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-high resolution liquid crystal display on silicon-on-sapphire
EP0843194B1 (en) 1993-07-27 2005-03-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JPH07335904A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜半導体集積回路
JPH07120789A (ja) 1993-10-28 1995-05-12 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07131030A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
US7081938B1 (en) * 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JPH07159776A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Casio Comput Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP3060806B2 (ja) 1993-12-16 2000-07-10 松下電器産業株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07191348A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Rohm Co Ltd 液晶表示装置の製法
JP2738289B2 (ja) 1993-12-30 1998-04-08 日本電気株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5822026A (en) 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
KR0139346B1 (ko) 1994-03-03 1998-06-15 김광호 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
JPH07263698A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US5668651A (en) 1994-03-18 1997-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Polymer-wall LCD having liquid crystal molecules having a plane-symmetrical bend orientation
US5729312A (en) * 1994-03-18 1998-03-17 Sharp Kabushiki Kaisha LCD and method for producing the same in which a larger number of substrate gap control materials is larger in the polymer walls than in the liquid crystal regions
US5561074A (en) 1994-04-22 1996-10-01 Nec Corporation Method for fabricating reverse-staggered thin-film transistor
JP3402400B2 (ja) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
TW269743B (ko) * 1994-04-26 1996-02-01 Toshiba Eng Co
JPH07318975A (ja) 1994-05-25 1995-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
KR960000262A (ko) 1994-06-16 1996-01-25 차유성 실내구기 연습장
JP3253808B2 (ja) 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW321731B (ko) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JPH0864829A (ja) 1994-08-24 1996-03-08 Hitachi Ltd 半導体装置とこれを用いた液晶表示装置
JPH0864828A (ja) 1994-08-24 1996-03-08 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3122003B2 (ja) * 1994-08-24 2001-01-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3238020B2 (ja) * 1994-09-16 2001-12-10 株式会社東芝 アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JPH0887030A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Hitachi Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP3097945B2 (ja) 1994-10-03 2000-10-10 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP3517458B2 (ja) * 1994-10-21 2004-04-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TW344043B (en) 1994-10-21 1998-11-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device with reduced frame portion surrounding display area
KR100336554B1 (ko) 1994-11-23 2002-11-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의배선층형성방법
JPH08201853A (ja) 1994-11-24 1996-08-09 Toshiba Electron Eng Corp 電極基板および平面表示装置
JPH08228011A (ja) * 1994-12-14 1996-09-03 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH08220562A (ja) 1994-12-14 1996-08-30 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板およびその製造方法
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH08227283A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Seiko Epson Corp 液晶表示装置、その駆動方法及び表示システム
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP3499327B2 (ja) * 1995-03-27 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US5706064A (en) 1995-03-31 1998-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer
KR100303134B1 (ko) 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
US5539219A (en) * 1995-05-19 1996-07-23 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Thin film transistor with reduced channel length for liquid crystal displays
US5532180A (en) 1995-06-02 1996-07-02 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of fabricating a TFT with reduced channel length
US5994721A (en) 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
US6124606A (en) 1995-06-06 2000-09-26 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with improved signal-to-noise ratio
JPH095767A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 液晶パネルの入力端構造
JPH0915621A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP3744980B2 (ja) 1995-07-27 2006-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2990046B2 (ja) 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
KR100338480B1 (ko) 1995-08-19 2003-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JPH0964366A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
KR100204071B1 (ko) * 1995-08-29 1999-06-15 구자홍 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
JPH0974257A (ja) 1995-09-01 1997-03-18 Dainippon Printing Co Ltd 厚膜配線およびその製造方法
JP3474975B2 (ja) 1995-09-06 2003-12-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置およびその製造方法
WO1997010530A1 (fr) 1995-09-14 1997-03-20 Hitachi, Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides et a matrice active
JP3199215B2 (ja) 1995-09-14 2001-08-13 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JPH0990397A (ja) 1995-09-28 1997-04-04 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
JPH09127551A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5959599A (en) 1995-11-07 1999-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JPH09146108A (ja) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
KR0175409B1 (ko) * 1995-11-20 1999-02-18 김광호 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
DE69635239T2 (de) 1995-11-21 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
KR0175410B1 (ko) 1995-11-21 1999-02-01 김광호 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100219118B1 (ko) 1996-08-30 1999-09-01 구자홍 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법
KR0161466B1 (ko) 1995-11-29 1999-01-15 김광호 액정표시장치의 제조방법
JPH09152626A (ja) 1995-11-29 1997-06-10 Kyocera Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JPH09153618A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
US5739880A (en) 1995-12-01 1998-04-14 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source
US6097458A (en) 1995-12-11 2000-08-01 Sharp Kabushiki Kaisha Reflector, reflective liquid crystal display incorporating the same and method for fabricating the same
JPH09160071A (ja) 1995-12-12 1997-06-20 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
KR100190041B1 (ko) 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JPH09203890A (ja) 1996-01-25 1997-08-05 Sharp Corp 入力機能付き液晶表示素子および反射型入力機能付き液晶表示素子、並びにそれらの製造方法
JP3133248B2 (ja) * 1996-01-27 2001-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
US6697129B1 (en) * 1996-02-14 2004-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Guest-host mode liquid crystal display device of lateral electric field driving type
US6055028A (en) * 1996-02-14 2000-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal electro-optical device
US5793072A (en) 1996-02-28 1998-08-11 International Business Machines Corporation Non-photosensitive, vertically redundant 2-channel α-Si:H thin film transistor
JP3708620B2 (ja) 1996-03-01 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型液晶電気光学装置
US5986724A (en) 1996-03-01 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display with liquid crystal layer and ferroelectric layer connected to drain of TFT
JP3597305B2 (ja) 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
JPH09304757A (ja) 1996-03-11 1997-11-28 Sharp Corp 液晶表示素子及びその製造方法
KR100213969B1 (ko) * 1996-03-15 1999-08-02 구자홍 액티브 매트릭스의 제조방법 및 구조
US5847687A (en) 1996-03-26 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of active matrix display device
US6911962B1 (en) 1996-03-26 2005-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of active matrix display device
JPH09265113A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法
JPH09274444A (ja) 1996-04-04 1997-10-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH1010583A (ja) * 1996-04-22 1998-01-16 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法、およびそのアクティブマトリクス基板
KR100223158B1 (ko) * 1996-06-07 1999-10-15 구자홍 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법
US6188452B1 (en) 1996-07-09 2001-02-13 Lg Electronics, Inc Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same
JPH1170610A (ja) 1996-07-26 1999-03-16 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜、および透明電極の形成方法
WO1998004406A1 (fr) * 1996-07-26 1998-02-05 Asahi Glass Company Ltd. Pellicule conductrice transparente et procede pour former une electrode transparente
KR100196336B1 (en) * 1996-07-27 1999-06-15 Lg Electronics Inc Method of manufacturing thin film transistor
JP3622934B2 (ja) 1996-07-31 2005-02-23 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
KR100240818B1 (ko) * 1996-08-01 2000-01-15 나시모토 류조 테이프캐리어패키지를 구비한 액정표시장치
JP2798066B2 (ja) 1996-08-05 1998-09-17 日本電気株式会社 薄膜トランジスター、その製造方法および表示装置
JP3657702B2 (ja) 1996-08-06 2005-06-08 株式会社東芝 液晶表示装置
JPH1068931A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6437844B1 (en) 1996-09-04 2002-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and associated fabrication method
JP3042417B2 (ja) 1996-09-13 2000-05-15 日本電気株式会社 耐腐食性配線およびこれを用いる能動素子並びに表示装置
JPH1096944A (ja) 1996-09-25 1998-04-14 Toshiba Electron Eng Corp 電気的接続構造および液晶表示装置
JPH10104663A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
KR100268103B1 (ko) 1996-10-11 2000-10-16 윤종용 질화크롬을사용한배선및그제조방법,이를이용한액정표시장치및그제조방법
TW451284B (en) * 1996-10-15 2001-08-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH10123574A (ja) 1996-10-17 1998-05-15 Hitachi Ltd アクティブマトリクス基板
EP1382992B1 (en) * 1996-10-22 2012-11-14 Seiko Epson Corporation Reflective liquid crystal panel substrate
JP3043638B2 (ja) 1996-11-05 2000-05-22 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH10144928A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100212284B1 (ko) * 1996-11-13 1999-08-02 윤종용 채널 보호형 박막 트랜지스터 기판
JP3788649B2 (ja) 1996-11-22 2006-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
DE69627393T2 (de) * 1996-11-27 2004-02-05 Hitachi, Ltd. Flüssigkristallanzeige mit aktivmatrix
US6266121B1 (en) 1996-11-28 2001-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display element and method of manufacturing same
KR100244182B1 (ko) * 1996-11-29 2000-02-01 구본준 액정표시장치
JPH10170959A (ja) 1996-12-16 1998-06-26 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
US6075257A (en) 1996-12-23 2000-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate for a liquid crystal display having a silicide prevention insulating layer in the electrode structure
JPH10241464A (ja) 1996-12-26 1998-09-11 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜付き基体とその製造方法
JPH10198292A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3883244B2 (ja) 1997-01-23 2007-02-21 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
US5831710A (en) 1997-02-06 1998-11-03 International Business Machines Corporation Liquid crystal display
JPH10221704A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR100537020B1 (ko) 1997-03-03 2006-03-03 삼성전자주식회사 Ips모드박막트랜지스터용액정표시소자제조방법
KR100307385B1 (ko) * 1997-03-05 2001-12-15 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의구조및그제조방법
JPH10307288A (ja) 1997-05-09 1998-11-17 Minolta Co Ltd 液晶素子及びその製造方法
KR100257370B1 (ko) * 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
KR100268006B1 (ko) 1997-05-22 2000-10-16 구본준 액정표시소자용반사판의제조방법
KR100262953B1 (ko) * 1997-06-11 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
TWI269250B (en) 1997-06-12 2006-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display device
JP3297372B2 (ja) 1997-06-17 2002-07-02 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
US5943559A (en) 1997-06-23 1999-08-24 Nec Corporation Method for manufacturing liquid crystal display apparatus with drain/source silicide electrodes made by sputtering process
JP3847419B2 (ja) 1997-07-02 2006-11-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPH1124063A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Instr Inc 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR100257976B1 (ko) 1997-07-22 2000-06-01 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
KR100510439B1 (ko) 1997-08-20 2005-10-21 삼성전자주식회사 더미돌출패드를 구비한 액정구동칩의 칩온글라스 패키지 구조 및 패키징 방법
US6177968B1 (en) * 1997-09-01 2001-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Optical modulation device with pixels each having series connected electrode structure
US6218219B1 (en) * 1997-09-29 2001-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JPH11109372A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Toshiba Electronic Engineering Corp 液晶表示素子用基板の製造方法、液晶表示素子の製造方法、液晶表示素子用基板及び液晶表示素子
US6265889B1 (en) 1997-09-30 2001-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor test circuit and a method for testing a semiconductor liquid crystal display circuit
JPH11109390A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3907804B2 (ja) * 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR100476622B1 (ko) 1997-10-13 2005-08-23 삼성전자주식회사 몰리브덴-텅스턴합금을사용한배선을이용한액정표시장치및그제조방법
US6359672B2 (en) * 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
JP3111944B2 (ja) 1997-10-20 2000-11-27 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
US6133977A (en) 1997-10-21 2000-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays having common electrode overlap with one or more data lines
JP4131297B2 (ja) * 1997-10-24 2008-08-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置の製造方法
US5907380A (en) * 1997-10-30 1999-05-25 International Business Machines Corporation Liquid crystal cell employing thin wall for pre-tilt control
AU9652098A (en) 1997-11-18 1999-06-07 Mitsubishi Chemical Corporation Chemical conversion fluid for forming metal oxide film
US6215541B1 (en) * 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3608958B2 (ja) 1997-11-27 2005-01-12 三菱化学株式会社 金属酸化物皮膜形成用化成液
JPH11160734A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
JP4217287B2 (ja) 1997-11-28 2009-01-28 三菱電機株式会社 Ｔｆｔアレイ基板およびこれを用いた液晶表示装置
JP4014710B2 (ja) * 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH11183915A (ja) 1997-12-22 1999-07-09 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3481843B2 (ja) * 1997-12-26 2003-12-22 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3361278B2 (ja) 1997-12-26 2003-01-07 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法
KR100269518B1 (ko) 1997-12-29 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터 제조방법
JPH11264991A (ja) * 1998-01-13 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
TWI226470B (en) 1998-01-19 2005-01-11 Hitachi Ltd LCD device
JP3765194B2 (ja) 1998-01-19 2006-04-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100612984B1 (ko) 1998-01-30 2006-10-31 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법
JPH11307756A (ja) * 1998-02-20 1999-11-05 Canon Inc 光電変換装置および放射線読取装置
US6617648B1 (en) 1998-02-25 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Projection TV
JP3019831B2 (ja) 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH11258625A (ja) 1998-03-12 1999-09-24 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
KR100502805B1 (ko) 1998-03-12 2005-11-21 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TW565719B (en) * 1998-03-13 2003-12-11 Toshiba Corp Manufacturing method of array substrate for display device
JP3050199B2 (ja) 1998-03-18 2000-06-12 日本電気株式会社 配線端子およびその形成方法
JP3396620B2 (ja) 1998-03-20 2003-04-14 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその検査方法
KR19990075407A (ko) 1998-03-20 1999-10-15 윤종용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JPH11271718A (ja) 1998-03-25 1999-10-08 Sharp Corp 液晶表示装置、プラズマアドレス型液晶表示装置及びその製造方法
JPH11337976A (ja) 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JPH11352322A (ja) 1998-04-07 1999-12-24 Toray Ind Inc カラ―フィルタ及びそれを用いたカラ―液晶表示装置
KR100320661B1 (ko) 1998-04-17 2002-01-17 니시무로 타이죠 액정표시장치, 매트릭스 어레이기판 및 그 제조방법
JP2000002892A (ja) 1998-04-17 2000-01-07 Toshiba Corp 液晶表示装置、マトリクスアレイ基板およびその製造方法
US6300926B1 (en) 1998-04-27 2001-10-09 Hitachi, Ltd. Active matrix type liquid crystal display
JPH11337961A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3726495B2 (ja) 1998-05-27 2005-12-14 セイコーエプソン株式会社 ２端子型非線形素子、その非線形素子を用いた液晶表示パネルおよび電子機器
US6317185B1 (en) 1998-05-29 2001-11-13 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display apparatus
KR100301803B1 (ko) * 1998-06-05 2001-09-22 김영환 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
JP2000002886A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置の製造方法
JP4190089B2 (ja) * 1998-06-30 2008-12-03 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
KR100333180B1 (ko) * 1998-06-30 2003-06-19 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Tft-lcd제조방법
JP3335578B2 (ja) 1998-06-30 2002-10-21 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3565547B2 (ja) * 1998-07-31 2004-09-15 シャープ株式会社 カラー液晶表示装置およびその製造方法
KR200201138Y1 (ko) 1998-08-06 2000-11-01 김경환 방진필심대가 구비된 필기구
JP3526532B2 (ja) 1998-08-26 2004-05-17 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3104687B2 (ja) 1998-08-28 2000-10-30 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6297519B1 (en) 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
JP3955156B2 (ja) 1998-08-31 2007-08-08 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 電子機器用構成基板と電子機器
CN1139837C (zh) 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP3775071B2 (ja) 1998-10-08 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、ならびに電気光学装置を用いた電子機器
JP3406242B2 (ja) * 1998-10-15 2003-05-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
US5998230A (en) 1998-10-22 1999-12-07 Frontec Incorporated Method for making liquid crystal display device with reduced mask steps
EP2309482A3 (en) * 1998-10-30 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Field sequantial liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
US6519018B1 (en) * 1998-11-03 2003-02-11 International Business Machines Corporation Vertically aligned liquid crystal displays and methods for their production
JP4583529B2 (ja) 1998-11-09 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100556345B1 (ko) 1998-11-24 2006-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
JP4531175B2 (ja) 1998-12-03 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7235810B1 (en) 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2000180891A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP2000193984A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Sony Corp 液晶ライトバルブ装置
US6287899B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP4215905B2 (ja) 1999-02-15 2009-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100723599B1 (ko) 1999-02-25 2007-06-04 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법과 반사형액정표시장치의 제조용 마스크
JP3763381B2 (ja) 1999-03-10 2006-04-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
TWI255957B (en) 1999-03-26 2006-06-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2000349301A (ja) 1999-04-01 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6861670B1 (en) 1999-04-01 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having multi-layer wiring
US6630977B1 (en) 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
US6218221B1 (en) 1999-05-27 2001-04-17 Chi Mei Optoelectronics Corp. Thin film transistor with a multi-metal structure and a method of manufacturing the same
JP3787041B2 (ja) 1999-06-01 2006-06-21 日本放送協会 回り込みキャンセラ
US6583065B1 (en) 1999-08-03 2003-06-24 Applied Materials Inc. Sidewall polymer forming gas additives for etching processes
JP2001085698A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6493050B1 (en) 1999-10-26 2002-12-10 International Business Machines Corporation Wide viewing angle liquid crystal with ridge/slit pretilt, post spacer and dam structures and method for fabricating same
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) * 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7115913B2 (en) 2002-03-27 2006-10-03 Tfpd Corporation Array substrate used for a display device and a method of making the same
JP4488688B2 (ja) 2002-03-27 2010-06-23 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置用配線基板及びその製造方法
JP4558752B2 (ja) 2007-02-22 2010-10-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4850168B2 (ja) 2007-12-06 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045400A (ko) * 2001-12-04 2003-06-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법
KR20210134841A (ko) * 2010-01-20 2021-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 휴대 전화기
US11462186B2 (en) 2010-01-20 2022-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11790866B1 (en) 2010-01-20 2023-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

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