DE102009038709B4 - Halbleiterbauelement mit dielektrischem Schichtstapel - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauelement aufweisend:
– eine Halbleiterkörperzone (10), wobei die Halbleiterkörperzone eine Kanalzone ist,
– eine erste elektrisch leitfähige Schicht (20) benachbart zu der Halbleiterkörperzone (10), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht eine Kanalsteuerelektrode ist,
– eine erste dielektrische Schicht (30), bestehend aus SiO2 mit ersten dielektrischen Eigenschaften,
– eine zweite dielektrische Schicht (40), bestehend aus einem zu SiO2 verschiedenen dielektrischen Material mit zweiten dielektrischen Eigenschaften,
wobei sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften unterscheiden und sich die erste dielektrische Schicht (30) und die zweite dielektrische Schicht (40) zwischen der Halbleiterkörperzone (10) und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (20) befindet,
– eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (50), die zwischen der ersten dielektrischen Schicht (30) und der zweiten dielektrischen Schicht (40) angeordnet ist,
– einen Spannungsteiler (60), der zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die Halbleiterkörperzone (10) geschaltet ist,
wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) nur mit dem Spannungsteiler (60) elektrisch leitend verbunden ist.

Description

  • Halbleiterbauelemente, die einen dielektrischen Schichtstapel zwischen einem Halbleiterkörper und einer darüber befindlichen elektrisch leitfähigen Schicht aufweisen, haben das Problem, dass sich die Grenzfläche zwischen den dielektrischen Schichten aufladen kann. Dies kann soweit führen, dass sich unerwünschte Inversions- bzw. Akkumulationsschichten in dem Halbleiterkörper selbst im ausgeschalteten Zustand ausbilden, die erhöhte Leckströme, Kurzschlüsse, oder eine Reduzierung der Durchbruchspannung hervorrufen können.
  • Aus der DE 10 2005 041 358 A1 , der DE 10 2005 041 256 B4 , der US 2004/0084721 A1 , der DE 102 97 349 T5 , der DE 103 61 697 A1 und der US 2009/0 185 426 A1 sind Halbleiterbauelemente mit dielektrischen Schichten bekannt.
  • Aus der US 4 638 346 A ist ein Feuchtigkeitssensor bekannt, aufweisend eine Halbleiterkörperzone, wobei die Halbleiterkörperzone eine Kanalzone ist, eine erste elektrisch leitfähige Schicht benachbart zu der Halbleiterkörperzone, wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht eine Kanalsteuerelektrode ist, eine erste dielektrische Schicht bestehend aus einem Schichtstapel von einer SiO2-Schicht und einer Si3N4-Schicht mit ersten dielektrischen Eigenschaften, eine zweite dielektrische Schicht mit zweiten dielektrischen Eigenschaften, wobei sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften unterscheiden und sich die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht zwischen der Halbleiterkörperzone und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht befindet, eine zweite elektrisch leitfähige Schicht, die zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet ist und einem Spannungsteiler, der zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht und die Halbleiterkörperzone geschaltet ist,
    wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht nur mit dem Spannungsteiler elektrisch leitend verbunden ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit einer Kanalzone und einem dielektrischen Schichtstapel bestehend aus einer SiO2-Schicht und einer weiteren dielektrischen Schicht benachbart zu der Kanalzone bereit zu stellen, der keine Grenzflächenladungen an der Grenzfläche zwischen der SiO2-Schicht und der weiteren dielektrischen Schicht aufweist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1. Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Patentansprüchen wieder.
  • Eine Ausführungsform des Halbleiterbauelements weist eine Halbleiterkörperzone als Kanalzone auf. Über der Halbleiterkörperzone ist eine erste elektrisch leitfähige Schicht als Kanalsteuerelektrode angeordnet. Zwischen der Halbleiterkörperzone und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht ist eine erste dielektrische Schicht, bestehend aus SiO2 mit ersten dielektrischen Eigenschaften und eine zweite dielektrische Schicht, bestehend aus einem zu SiO2 verschiedenen dielektrischen Material mit zweiten dielektrischen Eigenschaften, angeordnet, wobei sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften unterscheiden. Zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht ist eine zweite elektrisch leitfähige Schicht angeordnet. Das Halbleiterbauelement weist ferner einen Spannungsteiler auf, der zwischen die erste leitfähige Schicht und die Halbleiterkörperzone geschaltet ist. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht ist nur mit diesem Spannungsteiler elektrisch leitend verbunden.
  • Durch die zweite elektrisch leitfähige Schicht zwischen den unterschiedlichen Dielektrikas wird verhindert, dass sich Ladungen an der Grenzfläche zwischen den Dielektrika sammeln.
  • Die durch diese Dielektrika hindurch dringenden Ladungen werden über die zweite elektrisch leitfähige Schicht und dem Spannungsteiler abgeführt. Somit können sich keine Ladungen in der dielektrischen Zone zwischen der Halbleiterkörperzone und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht sammeln. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht bleibt immer auf dem gleichen Potential.
  • Eine Weiterbildung ist es, wenn die erste dielektrische Schicht eine Dicke von 100 nm bis 2 μm aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform sieht vor, dass die erste dielektrische Schicht an die Halbleiterkörperzone angrenzt.
  • Bevorzugt weist die zweite dielektrische Schicht eine Dicke von 100 nm bis 2 μm auf.
  • Eine Fortbildung ist es, wenn die zweite dielektrische Schicht an die erste elektrisch leitfähige Schicht angrenzt.
  • Ein Ausführungsbeispiel weist unterschiedliche elektrische Leitfähigkeiten der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht auf.
  • Eine bevorzugte Weiterbildung ist es, wenn zumindest eine der dielektrischen Schichten einen negativen Temperaturkoeffizienten der relativen Dielektrizitätskonstanten aufweist.
  • Weiterhin kann der Spannungsteiler aus mindestens einem elektrischen Widerstand und mindestens einer Diode aufgebaut sein. Dabei kann mindestens ein elektrischer Widerstand zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht und die zweite elektrisch leitfähige Schicht und mindestens eine Diode zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht und die Halbleiterkörperzone geschaltet sein.
  • Alternativ kann der Spannungsteiler aus mindestens zwei elektrischen Widerständen aufgebaut sein. Hierzu kann mindestens ein elektrischer Widerstand zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht und mindestens ein anderer elektrischer Widerstand zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht und die Halbleiterkörperzone geschaltet sein. Außerdem kann mindestens ein elektrischer Widerstand zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht und die zweite elektrisch leitfähige Schicht und mindestens ein anderer elektrisch leitfähiger Widerstand zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht und eine dritte leitfähige Schicht geschaltet sein, wobei die dritte leitfähige Schicht mit der Halbleiterkörperzone elektrisch verbunden ist.
  • Eine weitere Ausführungsform sieht vor, dass mindestens ein elektrischer Widerstand Teil der ersten dielektrischen Schicht oder der zweiten dielektrischen Schicht ist.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel ist es, wenn der Spannungsteiler aus mindestens zwei Dioden ausgebildet ist. Dabei kann mindestens eine Diode zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht und die zweite elektrisch leitfähige Schicht geschaltet sein und mindestens eine andere Diode zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht und die Halbleiterkörperzone geschaltet sein.
  • Eine Ausführungsform ist es, wenn die Halbleiterkörperzone eine Kanalzone eines MOS-Transistors ist.
  • Vorteilhafter Weise weist die zweite elektrisch leitfähige Schicht eine Dicke von 10 nm bis 100 nm auf.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • 1 zeigt einen schematischen Aufbau eines Halbleiterbauelements mit einer elektrisch leitfähigen Schicht zwischen zwei dielektrischen Schichten, die mit einem Spannungsteiler verbunden ist.
  • 2 zeigt ein Ersatzschaltbild für eine Ausführungsform eines Spannungsteilers.
  • 3 zeigt ein Ersatzschaltbild für eine alternative Ausführungsform eines Spannungsteilers.
  • 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements mit einer elektrisch leitfähigen Schicht zwischen zwei dielektrischen Schichten und einem integrierten Spannungsteiler.
  • 5 zeigt ein Ersatzschaltbild für eine alternative Ausführungsform eines Spannungsteilers.
  • 6 zeigt in einer schematischen Querschnittsansicht eine Ausführungsform eines in einem Halbleiterkörper integrierten Spannungsteilers.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend, bezugnehmend auf die beiliegenden Figuren, näher erläutert.
  • Bevor im Folgenden die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der Figuren näher erläutert werden, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente in den Figuren mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind, und dass eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird. Ferner sind die Figuren nicht notwendiger Weise maßstabsgerecht. Der Schwerpunkt liegt vielmehr auf der Erläuterung des Grundprinzips.
  • In 1 ist in schematischer Weise ein Ausschnitt eines Querschnitts eines Halbleiterbauelements dargestellt. Das Halbleiterbauelement weist eine Halbleiterkörperzone 10 auf, die Teil eines Halbleiterkörpers ist. Die Halbleiterkörperzone 10 kann beispielsweise ein dotierter Bereich in einem Halbleitersubstrat sein. Insbesondere kann die Halbleiterkörperzone 10 eine Kanalzone in einem MOS-Feldeffekttransistor oder in einem IGBT sein.
  • Benachbart zu der Halbleiterkörperzone 10 ist eine erste elektrisch leitfähige Schicht 20 angeordnet. Die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 kann beispielsweise eine Kanalsteuerelektrode (Gateelektrode) eines MOS-Halbleiterfeldeffekttransistors oder eines IGBTs sein. In einem anderen Beispiel kann die elektrisch leitfähige Schicht 20 aber auch eine Leitbahn zur Führung eines Stroms sein. Üblicher Weise befindet sich diese erste elektrische leitfähige Schicht 20 im Betriebsfall des Halbleiterbauelements auf einem zur Halbleiterkörper 10 erhöhten Potential. Im Falle, dass die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 als Kanalsteuerelektrode verwendet wird, kann somit ein Kanal in der Halbleiterkörperzone 10 (Kanalzone) zwischen zwei anderen dotierten Bereichen in dem Halbleiterkörper ausgebildet werden.
  • Zwischen der Halbleiterkörperzone 10 und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 20 befindet sich eine erste dielektrische Schicht 30 mit ersten dielektrischen Eigenschaften und eine zweite dielektrische Schicht 40 mit zweiten dielektrischen Eigenschaften. Dabei unterscheiden sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften. Zum Beispiel kann die erste dielektrische Schicht 30 eine zur zweiten dielektrischen Schicht 40 unterschiedliche elektrische Leitfähigkeit aufweisen.
  • Die erste dielektrische Schicht 30 kann beispielsweise eine Dicke von 100 nm bis 2 μm aufweisen. Im gezeigten Ausführungsbeispiel grenzt die erste dielektrische Schicht 30 an die Halbleiterkörperzone 10 an. Beispielsweise besteht die erste dielektrische Schicht aus SiO2.
  • Die zweite dielektrische Schicht 40 weist beispielsweise eine Dicke von 100 nm bis 2 μm auf. Im gezeigten Ausführungsbeispiel grenzt die zweite dielektrische Schicht 40 an die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 an. Im Falle, dass die erste dielektrische Schicht 30 aus SiO2 besteht, ist die zweite dielektrische Schicht 40 bevorzugt aus einem zu SiO2 verschiedenen dielektrischen Material aufgebaut. Dies bringt z. B. Vorteile zur Defektdichte Reduzierung und damit zur Verbesserung der Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements.
  • Eine andere Ausführungsform kann sein, dass die erste dielektrische Schicht 30 ein thermisch gewachsenes SiO2 und die zweite dielektrische Schicht 40 eine aus der Gasphase abgeschiedene Oxidschicht oder Oxidnitridschicht ist. In einer weiteren Ausführungsform kann zumindest eine der dielektrischen Schichten 30 oder 40 einen negativen Temperaturkoeffizienten der relativen Dielektrizitätskonstanten aufweisen. Diese zumindest eine dielektrische Schicht kann dabei aus einem paraelektrischen Material aufgebaut sein, wie zum Beispiel aus einem Stoff aus der Gruppe BaxSr1-xTiO3 und/oder KTaO3. Oder die zumindest eine dielektrische Schicht weist dabei einen ferroelektrischen Stoff mit zum Beispiel einer Curietemperatur TC < 220 K auf, wobei gilt: εr ~ C/(T – TC).
  • 2 zeigt in einem schematischen Ersatzschaltbild ein Ausführungsbeispiel eines solchen Spannungsteilers 60. Der Spannungsteiler 60 ist dabei aus mindestens einem elektrischen Widerstand 70 und mindestens einer Diode 80 aufgebaut. Mindestens ein elektrischer Widerstand 70 ist dabei beispielsweise zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 50 geschaltet. Mindestens eine Diode ist außerdem zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht 50 und die Halbleiterkörperzone 10 geschaltet.
  • Eine alternative Ausführungsform eines Spannungsteilers 60 ist in 3 in einem schematischen Ersatzschaltbild gezeigt. In diesem Beispiel ist der Spannungsteiler 60 aus mindestens zwei elektrischen Widerständen 90 und 100 aufgebaut, wobei mindestens ein elektrischer Widerstand 90 zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 50 und mindestens ein anderer elektrischer Widerstand 100 zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht 50 und die Halbleiterkörperzone 10 geschaltet ist.
  • In 4 ist ein Beispiel gezeigt, wie ein Spannungsteiler in einem Halbleiterbauelement integriert werden kann. Der Aufbau des Halbleiterbauelements in diesem Beispiel entspricht im Wesentlichen dem Aufbau des Halbleiterbauelements wie zu 1 beschrieben. Im Unterschied zu 1 ist in diesem Ausführungsbeispiel von 3 allerdings noch eine dritte leitfähige Schicht 110 angrenzend an die zweite dielektrische Schicht 40 vorhanden. Die dritte leitfähige Schicht 110 ist dabei durch die zweite dielektrische Schicht 40 von der zweiten leitfähigen Schicht 50 getrennt. Die dritte elektrisch leitfähige Schicht 110 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit der Halbleiterkörperzone 10 elektrisch verbunden, bzw. liegt zumindest auf dem gleichen elektrischen Potential wie die Halbleiterkörperzone 10. Dies ist in 4 durch die gestrichelte Linie angedeutet bzw. wird durch das gemeinsame Massepotentialsymbol verdeutlicht.
  • Der Spannungsteiler 60 ist in dieser Ausführungsform durch die zwei elektrischen Widerstände 90 und 100 realisiert, wobei die beiden elektrischen Widerstände durch die ohmschen Widerstände der zweiten dielektrischen Schicht gebildet werden. Der erste elektrische Widerstand 90 wird dabei durch die Strecke in der zweiten dielektrischen Schicht 40 zwischen erster leitfähiger Schicht 20 und zweiter leitfähiger Schicht 50 gebildet. Der zweite elektrische Widerstand wird durch die Strecke in der zweiten dielektrischen Schicht 40 zwischen zweiter elektrischer leitfähiger Schicht und dritter elektrisch leitfähiger Schicht 110 gebildet. Das Teilungsverhältnis der Spannung kann dabei durch die Flächenverhältnisse der jeweiligen Flächen unter der ersten bzw. dritten leitfähigen Schicht eingestellt werden.
  • Eine weitere Ausführungsform eines Spannungsteilers 60 ist in 5 in einem schematischen Ersatzschaltbild gezeigt. In dieser Ausführungsform wird der Spannungsteiler 60 aus mindestens zwei Dioden 120 und 130 ausgebildet. Mindestens eine Diode 120 ist zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht 20 und die zweite leitfähige Schicht 50 und mindestens eine andere Diode 130 ist zwischen die zweite leitfähige Schicht 50 und die Halbleiterkörperzone 10 geschaltet. Ein Ausführungsbeispiel für die integrierte Realisierung solch eines Spannungsteilers 60 mit mindestens zwei Dioden ist in 6 in schematischer Weise dargestellt. In einem Halbleiterkörper 200, beispielsweise ein n-dotierter Halbleiterkörper 200, ist eine dotierte Wanne 140, beispielsweise eine p-dotierte Wanne, ausgebildet, die mit dem Halbleiterkörper 200 die erste Diode 120 ausbildet. Eine weitere beispielhafte p-dotierte Wanne 150 in dem Halbleiterkörper 200 bildet zusammen mit einer in dieser weiteren p-dotierten Wanne 150 erzeugten n-dotierten Wanne 160 die zweite Diode 130 aus. Der Halbleiterkörper 200 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 20 elektrisch verbunden. Die weitere p-dotierte Wanne 150 ist mit der Halbleiterkörperzone 10 und die n-dotierte Wanne 160 ist mit der p-dotierten Wanne 140 und mit der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 50 elektrisch verbunden.
  • Somit ist die erste Diode 120 zwischen die erste leitfähige Schicht 20 und die zweite leitfähige 50 und die zweite Diode 130 zwischen die zweite leitfähige Schicht 50 und die Halbleiterkörperzone 10 geschaltet. Die Halbleiterkörperzone 10 kann dabei auch in dem Halbleiterkörper 200 ausgebildet sein. Die elektrische Verbindung zwischen den einzelnen Halbleiterwannen kann über Metallisierungsebenen erfolgen.
  • Im Falle einer an der ersten leitfähigen Schicht anliegenden Spannung von 0 Volt hat die erste Diode 120 in diesem Beispiel die Aufgabe die zweite elektrisch leitfähige Schicht 50 zu entladen. Während die zweite Diode 130 die Aufgabe hat mit der ersten Diode 120 einen Spannungsteiler zu bilden.
  • All die gezeigten Ausführungsbeispiele können sowohl in Planartechnologie auf einem Halbleiterkörper oder in einem Graben in einem Halbleiterkörper realisiert werden.

Claims (15)

  1. Halbleiterbauelement aufweisend: – eine Halbleiterkörperzone (10), wobei die Halbleiterkörperzone eine Kanalzone ist, – eine erste elektrisch leitfähige Schicht (20) benachbart zu der Halbleiterkörperzone (10), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht eine Kanalsteuerelektrode ist, – eine erste dielektrische Schicht (30), bestehend aus SiO2 mit ersten dielektrischen Eigenschaften, – eine zweite dielektrische Schicht (40), bestehend aus einem zu SiO2 verschiedenen dielektrischen Material mit zweiten dielektrischen Eigenschaften, wobei sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften unterscheiden und sich die erste dielektrische Schicht (30) und die zweite dielektrische Schicht (40) zwischen der Halbleiterkörperzone (10) und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (20) befindet, – eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (50), die zwischen der ersten dielektrischen Schicht (30) und der zweiten dielektrischen Schicht (40) angeordnet ist, – einen Spannungsteiler (60), der zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die Halbleiterkörperzone (10) geschaltet ist, wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) nur mit dem Spannungsteiler (60) elektrisch leitend verbunden ist.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die erste dielektrische Schicht (30) eine Dicke von 10 nm bis 2 μm aufweist.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die erste dielektrische Schicht (30) an die Halbleiterkörperzone (10) angrenzt.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite dielektrische Schicht (40) eine Dicke von 10 nm bis 2 μm aufweist.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite dielektrische Schicht (40) an die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) angrenzt.
  6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine der dielektrischen Schichten (30), (40) einen negativen Temperaturkoeffizienten der relativen Dielektrizitätskonstanten εr aufweist.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Spannungsteiler (60) aus mindestens einem elektrischen Widerstand (70) und mindestens einer Diode (80) aufgebaut ist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem mindestens ein elektrischer Widerstand (70) zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und mindestens eine Diode zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und die Halbleiterkörperzone (10) geschaltet ist.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Spannungsteiler (60) aus mindestens zwei elektrischen Widerständen (90), (100) aufgebaut ist.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, bei dem mindestens ein elektrischer Widerstand (90) zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die zweite leitfähige Schicht (50) und mindestens ein anderer elektrischer Widerstand zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und die Halbleiterkörperzone (10) geschaltet ist.
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9 oder 10, bei dem mindestens ein elektrischer Widerstand (90) zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und mindestens ein anderer elektrischer Widerstand (100) zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und einer dritten elektrisch leitfähigen Schicht (110) geschaltet ist, wobei die dritte leitfähige Schicht (110) mit der Halbleiterkörperzone (10) elektrisch verbunden ist.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 12, bei dem mindestens ein elektrischer Widerstand (70), (90), (100) Teil der ersten dielektrischen Schicht (30) oder der zweiten dielektrischen Schicht (40) ist.
  13. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Spannungsteiler (60) aus mindestens zwei Dioden (120), (130) ausgebildet ist.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, bei dem mindestens eine Diode (120) zwischen die erste elektrisch leitfähige Schicht (20) und die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) geschaltet ist und mindestens eine andere Diode (130) zwischen die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) und die Halbleiterkörperzone (10) geschaltet ist.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite elektrisch leitfähige Schicht (50) eine Dicke von 10 nm bis 100 nm aufweist.
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