DE3021042A1 - Widerstandselement mit hoher durchbruchsspannung fuer integrierte schaltungen - Google Patents
Widerstandselement mit hoher durchbruchsspannung fuer integrierte schaltungenInfo
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Description
HITACHI, LTD., Tokyo, Japan
Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung für
integrierte Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung zur Verwendung in integrierten
Schaltungen für hohe Leistungen, dh mit hoher Durchbruchsspannung, und insbesondere auf ein Widerstandselement
mit hoher Durchbruchsspannung, das einen in einem Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers vorgesehenen
Verunreinigungsbereich aufweist.
Diffundierte Widerstände werden als Widerstandselemente
in integrierten Halbleiterschaltungen (ICs bzw. LSIs) allgemein angewandt. In Fig. IA ist eine schematische
Draufsicht und in Fig. IB ein schematischer Querschnitt durch eine Ausführungsform eines derartigen diffundierten
Widerstands in einer integrierten Halbleiterschaltung dargestellt. In den Fig. 1A und IB ist eine epitaxial aufge-
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wachsene Siliciumschicht (epitaxiale Kollektorschicht)
12 mit N-Leitfähigkeit auf einem Siliciumsubstrat JJ_
mit P-Leitfähigkeit ausgebildet. In der epitaxial aufgewachsenen N-leitenden Schicht X2. sind Diffusionsschichten J_3 und 13' vorgesehen, die eine P-leitende
Diffusionsschicht für eine Basis bzw eine N -leitende Diffusionsschicht für einen Emitter bilden, wodurch ein
Widerstandskörper vorliegt. Ferner sind ein isolierender Bereich J_4 mit P -Leitfähigkeit und eine Isolierschicht
15 aus einem elektrisch isolierenden Material wie SiO„
vorgesehen. Mit JJ[, 16' sind ferner Elektroden bezeichnet,
die durch Aufbringen eines Metalls wie Aluminium vorgesehen sind; J_7, 17' bezeichnen die entsprechenden
Kontaktlöcher.
Aus den Fig. 1A und 1B geht beispielhaft anhand des Stands der Technik hervor, daß zwei Widerstandselemente
JjO und 10' in einem einzigen isolierten Bereich J_2
vorgesehen sind.
Wenn eine Diffusionsschicht J_3 mit P-Leitfähigkeit
bzw eine Diffusionsschicht 13' mit N -Leitfähigkeit in
der Halbleiterschicht J_2 mit N-Leitfähigkeit zur Ausbildung
eines Widerstandskörpers wie in den Fig. 1A und 1B vorgesehen wire', besteht die Tendenz, daß hierbei durch
die beweglichen Ladungsträger an der Grenzfläche zwischen Oxid und Kunststoff oder der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht
V5_ und der Halbleiterschicht V2 parasitäte
MOS-Transistoren entstehen. In derartigen Fällen bildet sich ein leitender Kanal aus, der sich zwischen den Widerstandskörpern
J_3, 13' oder zwischen dem Widerstandskörper 13 und der zu Isolationszwecken vorgesehenen Diffusionsschicht T4 erstreckt, wie in Fig. 1A durch die gestrichel-
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ten Linien angedeutet ist, was zu einer unerwünschten Veränderung des Widerstandswerts oder zur unerwünschten
Entstehung parasitärer Widerstände führt.
Die Tendenz zur Erzeugung derartiger parasitärer MOS-Transistoren tritt besonders dann in ausgeprägtem
Maße auf, wenn am diffundierten Widerstand eine hohe Spannung anliegt. Für Anwendungsfälle, bei denen eine
hohe Spannung am diffundierten Widerstand angelegt wird, wurde daher herkömmlicherweise so verfahren, daß die
Elektroden JHj. und 16 ' zur Erzielung von Feldplatten 160
ausgedehnt wurden, die wesentliche Bereiche der Oberfläche der Diffusionsschichten J_3 und 13' mit P- bzw.
N -Leitfähigkeit überdecken.
Eine aus einer einzigen Schicht bestehende Elektrode kann allerdings nicht zum Abdecken sämtlicher Oberflächenbereiche
der Widerstandskörper J_3 und 13' herangezogen
werden, da für jedes Widerstandselement eine auf einem hohen Potential und eine auf einem niederen Potential
liegende Elektrode erforderlich sind. Aus diesem Grund bleiben die Widerstandsbereiche JJJ und 18' ohne Abdeckung
mit der Elektrodenschicht, wie aus den Fig. IA und 1B hervorgeht; diese Widerstandsbereiche JJJ und 18' wirken daher
noch als Source und Drain parasitärer MOS-Transistoren, für deren Ausbildung aufgrund der beweglichen Ladungsträger
an der Oxid-Kunststoff-Grenzfläche eine Tendenz besteht.
Die Wirkung derartiger parasitärer MOS-Transistoren führt zu einer unerwünschten Änderung des Widerstandswerts
oder zur unerwünschten Bildung von in erster Linie nicht erforderlichen parasitären Widerständen, wie aus dem Obigen
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hervorgeht; das Problem, daß sich mit derartigen Widerstandselementen
kein normaler Betrieb erzielen läßt, wie er für Widerstandselemente in integrierten Schaltungen
erforderlich ist, läßt sich d-ai 'lurch die oben
erläuterten herkömmlichen Anordnungen nicht lösen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Widerstandselement zur Verwendung in integrierten
Schaltungen anzugeben, bei dem die Wirkung parasitärer MOS-Transistoren, wie sie bei herkömmlichen Widerstandselementen
für hohe Durchbruchsspannungen unter Verwendung von Feldplatten auftritt, unterdrückt werden kann.
Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.
Das erfindungsgemäße Widerstandselement weist eine
in einem Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers vorgesehene Verunreinigungsschicht, Elektroden einer ersten
Schicht, die den Hauptteil des Verunreinigungsbereichs durch eine Isolierschicht abdecken, sowie eine zweite
Elektrodenschicht auf, die den nicht metallisierten Bereich der Verunreinigungsschicht zwischen den Elektroden
der ersten Schicht durch eine Isolierschicht abdeckt, wobei der Widerstandskörper der Verunreinigungsschicht
mit einer Kombination der Elektroden der ersten Schicht und der Elektrode (n) der zweiten Schicht überdeckt ist.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1A: Eine schematische Draufsicht auf ein herkömmliches Widerstandselement mit Feldplatten;
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Fig. 1B: eine schematische Querschnittsdarstellung des in Fig. 1A dargestellten herkömmlichen
Widerstandselements längs der Linie IB-IB
in Fig. 1A;
Fig. 2A: eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Widerstandselements
mit hoher Durchbruchsfestigkeit;
Fig. 2B: eine schematische Querschnittsdarstellung des Widerstandselements von Fig. 2A längs
der Linie IIB-IIB von Fig. 2A;
Fig. 3A: eine schematische Draufsicht auf eine andere
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Widerstandselements
mit hoher Durchbruchsfestigkeit
und
und
Fig. 3B: eine schematische Querschnittsansicht des Widerstandselements von Fig. 3A längs der
Linie IIIB-IIIB von Fig. 3A.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Fig. 2A bis 3B näher erläutert, die sich auf bevorzugte Ausführungsformen beziehen.
In den Fig. 2A und 2B, die eine schematische Draufsicht bzw Querschnittsansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Widerstandselements darstellen, sind die mit den Bezugs zahlen Y\_ bis JjJ bezeichneten Teile gleich wie entsprechende Teile in den Fig. IA und 1B bzw ihnen äquivalent;
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die auf hohem Potential liegende Elektrode ist mit 161 ,
die auf niederem Potential liegende Elektrode mit 162 bezeichnet. Die Bezugszahl Λ9_ bezeichnet eine zweite
Elektrodenschicht, deren Potential gleich dem der auf hohem Potential liegenden Elektrode 161 ist. Ferner ist
eine zusätzliche Isolierschicht J2O, die beispielsweise
ähnlich wie die Isolierschicht J_5 aus SiO2 besteht/ sowie
ein Kontaktloch 2_1_ vorgesehen, über das die Elektroden 161
und V2_ miteinander in elektrischem Kontakt stehen.
Bei den in Fig. 2A und 2B dargestellten Ausführungsformen erstreckt sich die auf hohem Potential liegende
Elektrode 161 zur auf niederem Potential liegenden Elektrode
162 in der Weise, daß sie sehr nahe am entsprechende Ende der auf niederem Potential liegenden Elektrode 162 endet; die
Elektrode 19 der zweiten Schicht,deren Potential gleich
dem der auf hohem Potential liegenden Elektrode 161 ist/
erstreckt sich ebenfalls in gleicher Richtung und liegt über dem entsprechenden Endbereich der auf niederem Potential
liegenden Elektrode 162, so daß sie den nicht metallisierten
Bereich J_8 des Widerstandselements vollständig überdeckt. Aufgrund dieser Anordnung entsteht kein parasitärer MOS-Transistor,
da das Potential der Elektrode 161 stets höher als das der Verunreinigungsschicht J_3 ist.
Im einzelnen sind die gesamte Oberfläche des durch die P-leitende oder N -leitende Verunreinigungsschicht J_3 gebildeten
Widerstandskörper J_3 sowie die an diese Oberfläche angrenzenden Flächen von den Elektroden 161, 162 der ersten
Schicht und der Elektrode Vi_ der zweiten Schicht in Doppelschichtanordnung
überdeckt, so daß die Entstehung unerwünschter parasitärer MOS-Transistoren vollständig verhindert werden
kann.
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In der Praxis ist es bevorzugt, wenn die Elektroden 161, 162 und J_9 so aufgebracht sind, daß sie die Fläche
innerhalb eines Bereichs von mindestens 10 ,um von den Rändern des Widerstandskörpers J_3 überdecken.
Aus den Fig. 2A und 2B geht beispielhaft hervor, daß lediglich ein Widerstand im isolierten Bereich J_2_ vorgesehen
ist. Es können jedoch auch mehrere derartige Widerstände vorgesehen sein, die jeweils mit ihrer gesamten Oberfläche
und den angrenzenden Flächen mit der Doppelschicht-Elektrodenanordnung überdeckt sein können.
Die Erhöhung der Potentialdifferenz am Widerstandselement
führt zu einer entsprechenden Erhöhung der Potentialdifferenz zwischen der auf hohem Potential liegenden Elektrode
161 und der Verunreinigungsschicht JK3 mit P-Leitfähigkeit.
Die Durchbruchsspannung zwischen der Verunreinigungsschicht
J_3 mit P-Leitfähigkeit und der Halbleiterschicht J_2
mit N-Leitfähigkeit ist durch diese Potentialdifferenz begrenzt. Wenn die Isolierschicht _1_5 beispielsweise eine Dicke
von 1 ,um aufweist, die Verunreinigungsschicht _^3 2,7 ,um tief
ist und einen riächenwiderstand von 200 A/Fläche aufweist
und eine Potentialdifferenz von 100 V am Widerstandselement anliegt, ist die Durchbruchsspannung zwischen der
P-leitenden Verunreinigungsschicht JJ3 und der N-leitenden
Halbleiterschicht J_2 auf etwa 100 V begrenzt.
Diese Begrenzung kann überschritten und ein Widerstandselement mit höherer Durchbruchsspannung erzielt werden, bei
dessen Betrieb keine parasitären MOS-Transistorwirkungen auftreten, wenn eine zwischen den Elektroden der ersten Schicht
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liegende Zwischenelektrode mit einem Zwischenbereich des Widerstandskörpers J_3 so verbunden wird, daß hierdurch
das Potential der Elektroden der er-;'en Schicht auf einen geeigneten Wert begrenzt wird.
In den Fig. 3A und 3B ist eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Widerstandselements, bei dem eine derartige
Zwischenelektrode vorgesehen ist, schematisch in der Draufsicht bzw in Querschnittsansicht dargestellt.
Bei der in den Fig. 3A und 3B dargestellten Ausführungsform ist der P-leitende Widerstandskörper _1_3 in einem Oberflächenbereich
eines N-leitenden Halbleiterkörpers _1_2 ausgebildet
und an seinen gegenüberliegenden Enden mit Endelektroden _3_1_ und j[4 verbunden, die beispielsweise aus
Aluminium bestehen. Zwischengeschaltete Elektroden 22_ und
33, die beispielsweise aus Aluminium bestehen, sind mit Bereichen des Widerstandskörpers J_3 verbunden, die zwischen
den gegenüberliegenden Enden liegen. Die Elektroden 3j_, _3_2
und 3_3. erstrecken sich zu den Elektroden ^2, _33_ und 3_4 in
der Weise, daß sie nahe bei den entsprechenden Enden der Elektroden 3i_2, _3_3 bzw. _3_4 enden. Zur Abdeckung der entsprechenden
nicht metallisierten Widerstandsbereiche sind Elektroden J35, _3_6 und J3J7 der zweiten Schicht vorgesehen.
In den Fig. 3A und 3B ist mit _1_5 eine Isolierschicht,
die beispielsweise aus SiO0 besteht,und mit 20 eine Isolierschicht
bezeichnet, die beispielsweise aus PII (Polyimid- -isoindrochinazolindion) oder S1O2 besteht.
Die Bezugszahlen A^, j[2, J_3 und J_4 bezeichnen Kontaktlöcher,
die zur elektrischen Kontaktierung der Elektroden 31, 32, 33 bzw. ^4 vorgesehen sind; die Bezugszahlen A5_,
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und 47_ bezeichnen Kontaktlöcher, die zur elektrischen Kontaktierung
der Elektroden _3J5, ^6 bzw _3_7 der zweiten Schicht
mit den Elektroden _3^, _3_2 bzw 33^ der ersten Schicht dienen.
Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel des in den
Fig. 3A und 3B dargestellten Widerstandselements, bei dem die epitaxiale Siliciumschicht J_2 mit N-Leitfähigkeit eine
14 -1 Verunreinigungskonzentration von 2,5 · 10 ml und
eine Dicke von 35 ,um besaß, wies der P-leitende Widerstandskörper
J_3 eine Breite von 10 ,um, eine Länge von 50 ,um und eine Tiefe von 2,7 ,um sowie einen Flächenwiderstand
von 2Q0J£/Fläche auf; die beiden zwischengeschalteten
Elektroden _3_2 und _33 waren durch Kontaktlöcher ^2
bzw J_3 mit zwei Zwischenbereichen des Widerstandskörpers J_3
verbunden. Wenn die Potentialdifferenz zwischen den Endelektroden 3_^ und J3£ 140 V betrug, betrug die Durchbruchsspannung
zwischen der P-leitenden Verunreinigungsschicht _1_3
und der N-leitenden Halbleiterschicht J_2 in diesem Falle
ebenfalls 140 V. Dieses Widerstandselement war ferner vollständig
frei von Wirkungen unerwünschter parasitärer MOS-Transistoren,
Die zwischengeschalteten Elektroden 22_ und JT3 können
üblicherweise an den Punkten A2_ bzw A3_ mit dem Widerstandskörper
J_3 verbunden sein, die jeweils bei einem Spannungsabfall
von 40 bis 50 V liegen.
Die Erfindung beruht auf der Grundidee, daß das Potential von jeder der Elektroden der zweiten Schicht höher ist
als das des darunter liegenden Bereichs des Widerstandskörpers und nicht notwendigerweise gleich dem der zugeordneten Elektrode
der ersten Schicht sein muß, die direkt damit verbunden ist, wenn von der in den Fig. 3A und 3B dargestellten Anord-
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nung abgesehen wird. Auf diese Weise können die Elektroden der zweiten Schicht irgendein anderes geeignetes Potential
aufweisen. Die Elektroden 3j5 und 3J. der zweiten Schicht
können beispielsweise mit der Elektrode _32 der ersten
Schicht verbunden sein. In diesem Fall können die Elektroden 3_5, _36^ und 31_ der zweiten Schicht durch eine einzige
ausgedehnte Elektrode ersetzt sein, die mit der auf hohem Potential liegenden Elektrode 2/\_ verbunden sein kann.
Die Verunreinigungsschicht J_3, die bei den oben erläuterten
Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Widerstandselements
den Widerstandskörper darstellte, umfaßt beliebige, durch thermische Diffusion erzeugte Diffusionsschichten,
ferner durch Ionenimplantation oder epitaxiales Aufwachsen erzeugte oder auch beliebige andere geeignete Verunreinigungsschichten.
Ferner ist festzustellen, daß die Erfindung nicht auf die angegebenen Lextfahigkextstypen der Schichten
1 1 bis J_4 beschränkt ist.
Die Erfindung gibt allgemein ein Widerstandselement mit einem Halbleiterkörper, einer in einem Oberflächenbereich
des Halbleiterkörpers zur Erzielung eines Widerstandskörpers vorgesehenen Verunreinigungsschicht und η Elektroden
einer ersten Schicht, die mit dem Widerstandskörper durch entsprechende Kontaktlöcher in einer ersten, auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers ausgebildeten Isolierschicht verbunden sind, wobei die η Elektroden der ersten Schicht so
zueinander angeordnet sind, daß die 1. Elektrode mit einem Ende des Widerstandskörpers, die 2. bis (n-1)-te Elektrode
mit Zwischenbereichen des Widerstandskörpers und die n-te Elektrode mit dem anderen. Ende des Widerstandskörpers verbunden
sind,an, das gekennzeichnet ist durch eine auf der 1. bis η-ten Elektrode ausgebildete zweite Isolierschicht,
m Elektroden der zweiten Schicht, die (n+1) Elektroden
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umfassen, die auf der zweiten Isolierschicht aufgebracht und mit den entsprechenden, unter der η Elektroden der
ersten Schicht ausgewählten Elektroden 1 bis n-1 verbunden sind, wobei die 1. bis (n+m)-te Elektrode einen Oberflächenbereich
überdecken, der die gesamte Oberfläche des Widerstandskörpers sowie daran angrenzende Bereiche
umfaßt und η eine positive ganze Zahl und m eine positive ganze Zahl < η darstellen.
Gemäß einer Weiterbildung ist das erfindungsgemäße
Widerstandselement dadurch gekennzeichnet, daß die (n+p)-te Elektrode der Elektroden der zweiten Schicht mit einer
unter den Elektroden 1 bis p-1 der Elektroden der ersten Schicht ausgewählten Elektrode verbunden ist, wobei ρ
eine ganze Zahl < m bedeutet.
Eine andere Weiterbildung des erfindungsgemäßen Widerstandselements ist dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden der zweiten Schicht die Elektroden n+1 bis 2n-1 und insgesamt n-1 Elektroden umfassen, wobei die Elektroden
n+1 bis 2n-1 mit den Elektroden 1 bis n-1 durch entsprechende Kontaktlöcher in der zweiten Isolierschicht
verbunden sind und die Elektroden 1 bis 2n-1 den Oberflächenbereich
überdecken, der die gesamte Oberfläche des Widerstandskörpers und daran angrenzende Bereiche
umfaßt.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform ist das erfindungsgemäße
Widerstandselement allgemein dadurch gekennzeichnet, daß die 1. Elektrode einen Teil des Oberflächenbereichs
der den einen Endbereich des Widerstandskörpers und einen daran angrenzenden Bereich umfaßt und
sich zur zweiten Elektrode hin erstreckt und nahe bei ihr
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endet und auch einen Teil des Oberflächenbereichs des Widerstandskörpers und einen daran angrenzenden
Bereich überdeckt, die Elektroden ' bis n-1 sich zu
den Elektroden 3 bis η hin erstr^ ι und nahe bei ihnen
enden und Teile des OberflächenLereichs überdecken, die
die Bereiche 2 bis n-1 des Widerstandskörpers und daran angrenzende Bereiche umfassen, die n-te Elektrode einen
Teil des Oberflächenbereichs überdeckt, der den anderen Endbereich des Widerstandskörpers und einen daran angrenzenden
Bereich umfaßt, und die Elektroden n+1 bis 2n-1 Teile des Oberflächenbereichs überdecken, der die
Bereiche n+1 bis 2n-1 des Widerstandskörpers, die nicht metallisiert sind und zwischen den 1. und 2. Elektroden,
bzw der (n-1)-ten und η-ten Elektrode verbleiben, umfaßt.
Vorzugsweise bildet die 1. Elektrode den auf hohem Potential liegenden Anschluß des Widerstandskörpers und
die n-te Elektrode den auf niederem Potential liegenden Anschluß des Widerstandskörpers.
Die Erfindung betrifft zusammengefaßt ein Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannungsfestigkeit, das einen
Halbleiterkörper eine in einem Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers zur Erzielung eines Widerstandskörpers vorgesehene
Verunreinigungsschicht, eine erste Elektrode, die mit einem Ende des Widerstandskörpers durch ein Kontaktloch
in einer ersten, auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildeten Isolierschicht verbunden ist, und einer
zweiten Elektrode, die mit dem anderen Ende des Widerstandskörpers durch ein anderes Kontaktloch in der Isolierschicht
verbunden ist. Auf den ersten und zweiten Elektroden ist eine zweite Isolierschicht vorgesehen, wobei eine dritte
Elektrode durch ein Kontaktloch in der zweiten Isolierschicht mit der ersten Elektrode verbunden ist, so daß die gesamte
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BAD ORK5WAL
Oberfläche des Widerstandskörpers und die angrenzenden Bereiche mit den ersten, zweiten und dritten Elektroden
überdeckt sind.
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Claims (2)
1. Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung mit
- einem Halbleiterkörper,
- einer in einem Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers zur Erzielung eines Widerstandskörpers vorgesehenen
Verunreinigungsschicht,
- einer mit einem Ende des Widerstandskörpers durch ein Kontaktloch in einer ersten, auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
ausgebildeten Isolierschicht verbundenen ersten Elektrode
und
- einer mit dem anderen Ende des Widerstandskörpers durch ein anderes Kontaktloch in der Isolierschicht verbundenen
zweiten Elektrode,
gekennzeichnet durch
- eine zweite, auf der ersten und zweiten Elektrode (161, 162) ausgebildete zweite Isolierschicht (20)
und
- eine mit der ersten Elektrode (161) durch ein Kontaktloch (21) in der zweiten Isolierschicht (20) verbundene dritte
Elektrode (19),
- wobei die erste, zweite und dritte Elektrode einen Oberflächenbereich
überdecken, der die gesamte Oberfläche des Widerstandskörpers (13) und daran angrenzende Bereiche
einschließt.
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ORIGINAL INSPECTED
2. Widerstandselement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß
dadurch gekennzeichnet,
daß
- die erste Elektrode (161) einen Teil des Oberflächenberexchs , der den einen Endbereich des Widerstandskörpers
(13) und einen daran angrenzenden Bereich einschließt und sich zur zweiten Elektrode (162) hin
erstreckt und nahe bei ihr endet/ und auch einen Teil des Oberflächenberexchs überdeckt, der den Hauptteil
des Widerstandskörpers (13) sowie einen daran angrenzenden Bereich einschließt,
- die zweite Elektrode (162) einen Teil des Oberflächenberexchs
überdeckt, der den anderen Endbereich des Widerstandskörpers (13) und einen daran angrenzenden
Bereich einschließt,
und
- die dritte Elektrode (19) einen Teil des Oberflächenberexchs überdeckt, der den nicht metallisierten Bereich
des Widerstandskörpers (13) zwischen der ersten Elektrode (161) und der zweiten Elektrode (162) und
einen daran angrenzenden Bereich einschließt.
3. Widerstandselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Elektrode (161) den auf hohem Potential liegenden Anschluß des Widerstandskörpers (13) und die zweite
Elektrode (162) den auf niederem Potential liegenden Anschluß des Widerstandskörpers (13) darstellen.
4. Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung
mit
- einem Halbleiterkörper,
- einem Halbleiterkörper,
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- einer in einem Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers zur Erzielung eines Widerstandskörpers vorgesehenen
Verunreinigungsschicht und
- η Elektroden einer ersten Schicht, die mit dem Widerstandskörper
durch entsprechende Kontaktlöcher in einer ersten, auf der Oberfläche des Halbleiterkö""pers ausgebildeten
Isolierschicht verbunden sind,
- wobei die η Elektroden der ersten Schicht so zueinander angeordnet sind, daß die 1. Elektrode mit einem Ende
des Widerstandskörpers, die 2. bis (n-1)-te Elektrode mit Zwischenbereichen des Widerstandskörpers und die n-te
Elektrode mit dem anderen Ende des Widerstandskörpers verbunden sind,
gekennzeichnet durch
- eine auf der 1. bis η-ten Elektrode ausgebildete zweite
Isolierschicht,
- m Elektroden der zweiten Schicht, die (n+1) Elektroden
umfassen, die auf der zweiten Isolierschicht aufgebracht und
mit den entsprechenden, unter den η Elektroden der ersten Schicht ausgewählten Elektroden 1 bis n-1 verbunden sind,
- wobei die 1 . bis (n+m)-te. Elektrode einen Oberflächenbereich
überdecken, der die gesamte Oberfläche des Widerstandskörpers sowie daran angrenzende Bereiche ufcrfraet
und
- η eine positive ganze Zahl und m eine positive ganze Zahl <η darstellen.
5. Widerstandselement nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
dadurch gekennzeichnet,
daß die (n+p)-te Elektrode der Elektroden der zweiten Schicht mit einer unter den Elektroden 1 bis p-1
der Elektroden der ersten Schicht ausgewählten Elektrode verbunden ist, wobei ρ eine ganze Zahl <m bedeutet.
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6. Widerstandselement nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet/
- daß die Elektroden der zweiten Schicht die Elektroden n+1 bis 2n-1 und insgesamt n-1 Elektroden umfassen,
- wobei die Elektroden n+1 bis 2n-l mit den Elektroden 1 bis n-1 durch entsprechende Kontaktlöcher in der zweiten
Isolierschicht verbunden sind und die Elektroden 1 bis 2n-1 den Oberflächenbereich überdecken, der die
gesamte Oberfläche des Widerstandskörpers und daran angrenzende Bereiche umfaßt.
Widerstandselement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß
daß
- die 1. Elektrode einen Teil des Oberflächenbereichs
der den einen Endbereich des Widerstandskörpers und einen daran angrenzenden Bereich umfaßt und sich
zur zweiten Elektrode hin erstreckt und nahe bei ihr endet und auch einen Teil des Oberflächenbereichs
des Widerstandskörpers und einen daran angrenzenden Bereich überdeckt,
- die Elektroden 2 bis n-1 sich zu den Elektroden 3 bis η
hin erstrecken und nahe bei ihnen enden und Teile des Oberflächenbereichs überdecken, die die Bereiche 2 bis
n-1 des Widerstandskörpers und daran angrenzende Bereiche umfassen,
- die n-te Elektrode einen Teil des Oberflächenbereichs überdeckt, der den anderen Endbereich des Widerstandskörpers
und einen daran angrenzenden Bereich umfaßt, und
- die Elektroden n+1 bis 2n-1 Teile des Oberflächenbereichs
überdecken, der die Bereiche n+1 bis 2n-1 des Widerstandskörpers, die nicht metallisiert sind und zwischen
den 1. und 2. Elektroden, ... bzw der (n-1)-ten und η-ten Elektrode verbleiben, umfaßt.
8. Widerstandselement nach einem der Ansprüche 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
- daß die 1» Elektrode den auf hohem Potential liegenden
Anschluß des Widerstandskörpers und die n-te Elektrode den auf niederem Potential liegenden Anschluß
des Widerstandskörpers darstellen.
030050/0900
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