DE3200953A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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Description

Henkel, Kern, Feuer &HänzeI Patentanwälte
Registered Representatives before the _ European Patent Office
MöhlstraBe 37 D-8000 München 80
Tel.: 089/982085-87 Telex: 0529802 hnkld Telegramme: ellipsoid
EIW-56P952-3
1 h. J->. PG2
TOKYO SHIBAUEA DENKI KABUSHIKI KAISHA,
Kawasaki, Japan
Halbleitervorrichtung
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Halbleitervorrichtung
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, insbesondere mit verbesserten relativen bzw. aneinander angepaßten Kennwerten des Widerstandsverhältnisses zwischen auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Wider-· Standselementen.
Eine bisherige Halbleitervorrichtung besteht üblicherweise aus einem Halbleitersubstrat mit einer Anzahl von Elementen, wie Transistoren» Dioden, Diffusions-Widerständen und dgl. sowie einer (auch als Schaltungs-Verdrahtungsschicht bezeichneten) Leiter schicht für die elektrische Verdrahtung der Elemente, wobei diese Schicht auf dem Substrat mit einem vorgegebenen Muster einer Isolierschicht ausgebildet ist,, die an vorgegebenen Stellen mit Kontaktlöchern versehen ist. Unter einer Anzahl von auf dem Substrat ausgebildeten Widerstandselementen befinden eich zwei oder mehr Widerstandselemente, die relative (aneinander angepaßte) Kennwerte besitzen müssen, die ein bestimmtes Widerstandsverhältnis zwischen den Widerständen liefern oder gewährleisten. Zur Erzielung dieser relativen Kennwerte werden derartige Widerstandselemente im allgemeinen dicht nebeneinander, mit gleicher Größe und gleicher Verlaufsrichtung ausgebildet.
Wenn bei einer solchen Widerstandselementausbildung solche Wideretandselemente vorhanden Bind, die von Schaltungs-Verdrahtungsschichten auf der Isolierschicht auf dem Substrat gekreuzt werden, ändern sich die auf das betreffende WiderstandBelement einwirkenden Belastungen oder mechanischen Spannungen. Infolgedessen können die
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relativen Kennwerte solcher Widerstandselemente nicht eingehalten werden.
Eine bisherige Halbleitervorrichtung mit einem solchen Aufbau ist im folgenden anhand der Pig. 1 bis 3 erläutert. Dabei sind in einem Substrat 12 des n-Xeitungstype zwei.den p-Leitungstyp besitzende Widerstandszonen 14 und 16 zur Bildung von Widerstandselementen ausgebildet. Die Widerstandselemente 14 und 16 sind dicht nebeneinander» parallel zueinander und mit derselben Größe ausgebildet» um zwischen ihnen relative Kennwerte entsprechend einem Widerstandsverhältnis von 1:1 zu erreichen. Das Widerstandselement 14 ist dabei an beiden Enden mit Schaltungs-Verdrahtungsschichten 18 und 20 verbunden, während die beiden Enden des Widerstandselements 16 ebenfalls mit Verdrahtungsschichten 22 und 24 verbunden ist. Mit Ausnahme der Kontaktbereiche zwischen den Verdrahtungsschichten und den Widerstandselementen ist auf dem Substrat 12 eine Isolierschicht 26 ausgebildet» auf welcher eine andere Verdrahtungsschicht 28 für den Anschluß anderer» nicht dargestellter Elemente vorgesehen ist. Die Verdrahtungsschicht 28 verläuft nur über das Widerstandselement 14» nicht aber über das Widerstandselement 16.
Da bei der Halbleitervorrichtung mit dem beschriebenen Aufbau die Verdrahtungsschicht 28 sich teilweise in einer dem Widerstandselement 14 entsprechenden Position auf der Isolierschicht 26 befindet, übt sie auf das Widerstandselement 14 eine Belastung (stress) unter . Änderung seines Widerstands aus. Die erforderlichen relativen Kennwerte der Widerstandselemente 14 und 16 können daher nicht realisiert werden, auch wenn die Wideretandselemente 14 und 16» wie erwähnt, parallel dicht nebeneinander und mit gleicher Größe ausgebildet
-"3 2 Ü ö
-ΙΟΙ sind. Die Erscheinung, unter welcher eich der Widerstandswert des im Halbleiter-Substrat ausgebildeten Widerstandselements beim Einwirken einer Belastung oder Beanspruchung ändert, wird als piezoelektrischer Widerstandseffekt bezeichnet. Als Polge dieses Effekts verringert sich beispielsweise der Widerstandswert eines auf der (111)-Pläche des Siliziumsubstrats ausgebildeten p-Typ-Widerstandselements. Der Widerstandswert des auf der (100)-Pläche ausgebildeten Widerstandselements zeigt eine kristallachsenabhängige ' Charakteristik und ändert sich je nach der Kristallachse.
Pur die Verdrahtungsschicht wurde früher reines AIuminium verwendet, während in jüngster Zeit in zunehmendem Maße korrosionsfeste Legierungen, wie Al-Si-Cu-, Al-Si- und Al-Ti-Legierung, Polysilizium (polykristallines Silizium) oder Metallsilizid zum Einsati gelangen. Eine Yerdrahtungsschicht aus einem solchen Werkstoff übt auf das Substrat eine größere Belastui.g auB als eine Verdrahtungsschicht aus reinem Aluminium. Wenn daher bei der bisherigen Halbleitervorrichtung gemäß den Pig. 1 bis 3 die Verdrahtungsschicht aus einem der genannten Werkstoffe gebildet wird, verstärkt sich der im Widerstandselement 14 auftretende piezoelektrische Widerstandseffekt noch weiter, no daß die relativen Kennwerte der Widerstandselemente 14 und 16 voneinander verschieden werden.
Aufgabe der Erfindung ist damit insbesondere die Schaffung einer höchst zuverlässigen Halbleitervorrichtung mit mehreren relative (bzw. aneinander angepaßte) Kennwerte besitzenden Widerstandselementen, bei welcher diese relativen Kennwerte (relative characteristics) nicht beeinträchtigt werden, wenn die Wider-
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Standselemente durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht selektiv ausgeübten Belastungen ausgesetzt werden.
Diese Aufgabe wird bei einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat» das mindestens zwei Widerstandselemente aufweist, die relative (bzw. aneinander angepaßte) Kennwerte zur Gewährleistung eines vorger schriebenen Widerstandsverhältnisses aufweisen müssen, mit einer auf der einen. Hauptfläche des Halbleitersubstrats ausgebildeten Isolierschicht und mit einer auf letzterer ausgebildeten Schaltungs-Verdrahtungsschicht, die sich über eine Position entsprechend mindestens einem der Widerstandselemente erstreckt, erfindungsgemäß dadurch gelöst» daß auf der Isolierschicht zusätzlich eine Blindverdrahtungsschlcht ausgebildet ist, die sich auf der Isolierschicht über eine Position entsprechend dem (einen) Widerstandselement erstreckt, auf das durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht eine bezüglich des Widerstandsverhältnisses schwächere Belastung bzw. mechanische Spannung ausgeübt wird.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Pig. 1 eine Teilaufsicht auf eine bisherige Halbleitervorrichtung mit einem Paar Halbleiter-Widerstandselemente, die relative bzw. aneinander angepaßte Kennwerte besitzen sollen,
Pig. 2 einen Schnitt längs der Linie II-II in Pig. 1, Pig. 3 einen Schnitt längs der Linie III-III in Pig. 1,
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Pig. 4 eine Teilaufsicht auf eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung mit zwei Widerstandselementen, die relative Kennwerte besitzen sollen,
Pig. 5 einen Schnitt längs der linie V-V in Pig. 4»
Pig. 6 einen Schnitt längs der Linie VI-VI in Pig. 4,
Pig- 7» 8 und 9 Teilaufsichten auf andere Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung und
Pig.10 eine Teilschnittansicht noch einer anderen Aueführungsform der erfindungsgemäßen Halblei
tervorrichtung .
Die Pig. 1 bis 3 sind eingangs bereits erläutert worden.
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Im folgenden ist zunächst eine erste Ausführungsfonn der Erfindung anhand der Pig. 4 bis 6 beschrieben.
Bei der in den Pig. 4 bis 6 dargestellten Halbleitervorrichtung sind zwei beispielsweise durch Premdatom-Diffusionstechnik hergestellte Zonen 44 und 46 des p-Leitungstyps in einem Substrat 42 des n-Leitungstyps ausgebildet. Die p-Zonen 44 und 46 bilden jeweils Widerstandselemente. Zur Gewährleistung vorgeschriebenen relativer Kennwerte unter Festlegung eines Widerstandsverhältnisses von 1:1 zwischen den Widerstandselementen 44 und 46 sind diese mit engem Abstand.parallel zueinander und mit gleicher Größe und Konfiguration ausgebildet. Auf der Hauptfläche des Substrats 42 ist
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eine beispielsweise aus einer Siliziumoxidschicht bestehende Isolierschicht 48 vorgesehen, die ein vorbestimmtes Muster besitzt und Kontaktlöcher für verschiedene Arten von Halbleiterelementen» einschließlieh der Widerstandselemente 44 und 46 aufweist (in den Figuren sind der Einfachheit halber nur die Kontaktlöcher für die WiderstandBelemente 44 und 46 dargestellt) . Das Widerstandselement 44 steht an beiden. Enden über die Kontaktlöcher 50 und 52 in ohmscbam Kontakt mit auf der Isolierschicht 48 ausgebildeten Schaltungs-Verdrahtungsschichten 54 und 56. Das Viderstandselement 46 steht auf ähnliche Weise über die Kontaktlöcher 58 und 60 an beiden Enden in ohmschen Kontakt mit auf der Isolierschicht 48 vorgesehenen Verdrahtungsschichten 62 und 64. Auf der Isolierschicht 48 ist eine weitere Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 für den Anschluß anderer, nicht dargestellter Halbleiterelemente ausgebildet. Die Verdrahtungsschicht 66 verläuft auf der Isolierschicht 48 über eine Stelle entsprechend dem Halbleiterelement 44. Zusätzlich ist auf der Isolierschicht 48 eine weitere Verdrahtungsschicht 68 ausgebildet, die sich über eine Stelle entsprechend dem anderen Widerstandselement 46 erstreckt. Die Verdrahtungsschicht 68 dient nicht für die elektrisehe Verbindung von Halbleiterelementen, sondern lediglich dazu, die relativen (aneinander angepaßten) Kennwerte der Widerstandselemente 44 und 46 so einzuhalten, daß das angestrebte Widerstandsverhältnis von 1:1 gewährleistet wird. Die Verdrahtungsschicht 68 wird daher als Blindverdrahtungsschicht bezeichnet. Zur Einhaltung der relativen Kennwerte entsprechend einem Widerstandsverhältnis von 1:1 wird das jeweilige Oberlappungsflächenverhältnis zwischen der Blindverdrahtungs-. schicht 68 und dem Wideretandselement 46 einerseits bzw.
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zwischen der Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 und dem Widerstandselement 44 andererseits mit 1:1 gewählt. Um die durch die Verdrahtungsschicht pro Flächeneinheit ausgeübte Belastung oder mechanische Spannung zu vergleichmäßigenf bestehen die Schichten 68 und 66 jeweils aus demselben Werkstoff.
Bei der Halbleitervorrichtung mit dem beschriebenen Aufbau wird das Widerstandselement 44 durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 einer Beanspruchung unterworfen ι während das Widerstandselement 46 durch die Blindverdrahtungsschicht 68 ebenfalls einer Beanspruchung bzw. Belastung unterworfen wird. Da die beiden Überlappungsflächen jeweils gleich groß sind und die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 sowie die Blindverdrahtungsschicht 68 aus demselben Werkstoff bestehen, sind die auf die beiden Widerstandselemente 44 und 46 einwirkenden Belastungen im Verhältnis von 1:1 entsprechend dem Widerstandsverhältnis von 1:1 praktisch gleich groß. Infolgedessen bieten die beiden Widerstandselemente 44 und 46 im wesentlichen gleich große Widerstandswerte· Die relativen Kennwerte der Widerstandselemente 44 und 46 werden daher sicher im Verhältnis von 1:1, entsprechend dem Widerstandsverhältnis von 1:1 gehalten. Auf diese Weise wird eine zuverlässige, höchst wirksame Halbleitervorrichtung gewährleistet.
Im Vergleich zur bisherigen Halbleitervorrichtung gemaß den Fig. 1 bis 3 wird die Änderung oder Abweichung in den relativen Kennwerten auf die Hälfte verringert. Diese Tatsache konnte durch erfindungsgemäß durchgeführte Versuche bestätigt werden. Die Erfindung ist besonders dann vorteilhaft, wenn sie auf eine Konstruktion angewandt wird, bei welcher das Widerstands-
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element 44 einer großen Belastung bzw. mechanischen f
Spannung unterworfen ist» beispielsweise wenn die I
Überlappungsflächen von Widerstandselement 44 und ' ||
Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 groß sind oder die Il
.Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 aus einem Werkstoff |j
besteht» der eine große Belastung ausübt» etwa aus - >| einer korrosionsfesten Legierung» wie Al-Si-Cu-, Al-Ti-Leglerung u.dgl.» oder Metallsilizid.
Pig. 7 veranschaulicht eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung, bei welcher die Blindverdrahtungsschicht 68 als Verlängerung oder Portsatz einer Schaltungs-Verdrahtungsschicht 72, die dicht neben dem Widerstandselement 46 vorgesehen ist» ausgebildet ist und über eine dem Widerstandselement 46 entsprechende Stelle verläuft. Die Verdrahtungsschicht 72 ist dabei mit anderen, nicht dargestellten Elementen verbunden. Der Portsatz 68 dient nicht zur Verbindung irgendwelcher Halbleiterelemente, sondern lediglich als Blindverdrahtungsschicht für die Einstellung der relativen Kennwerte der beiden Widerstandselemente zur Erzielung eines Widerstandsverhältnisses von 1:1. Der restliche Aufbau der Ausführungsform gemäß Pig. 7 entspricht im wesentliehen der Ausführungsform gemäß Pig. 4 bis 6. Die den Teilen von Pig. 4 bis 6 entsprechenden Teile sind mit denselben Bezugsziffern wie vorher bezeichnet und daher nicht im einzelnen erläutert. i
Bei der in Pig. 8 dargestellten weiteren Ausführungs- j
form der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ist j
das Widerstandsverhältnis zwischen den Wideretande- ".1
elementen 44 und 46 auf 1:1,5 eingestellt, während i
dieses Verhältnis bei der Ausführungsform gemäß den "]
Pig. 4 bis 6 1:1 beträgt. Zur Eealisierung der relati- ;
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van Kennwerte der Widerstandselemente entsprechend einem Widerstandsverhältnis von 1:1,5 beträgt die Länge der Blindverdrahtungsschicht 68, in Erstreckungsrichtung des Widerstandselements 46 gesehen, das 1,5-fache der Breite der Schal tungs-Verdrahtungsschicht 66. Das Überlappungsflächenverhältnis zwischen dem Widerstandselement 44 und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 einerseits sowie dem Wid^rstandselement 46 und der
andereiselte Blindverdrahtungsschicht 68/beträgt daher 1i1»5» ent-
sprechend dem Widerstandsverhältnis von 1:1,5. Bei dieser Anordnung ist somit das Verhältnis zwischen der durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 auf das Widerstandselement 44 ausgeübten Belastung zu der durch die Slindverdrahtungsschicht 68 auf das Widerstandselement 46 ausgeübten Belastung gleich 1:1,5· Die relativen Kennwerte der Widerstandselemente gewährleisten damit das Widerstandsverhältnis von 1:1,5.
Bei der in Pig. 9 dargestellten weiteren Ausführungsform der Erfindung beträgt das Wlderetandsverhältnis der Widerstandselemente 44 und 46 1:1,5. Die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 erstreckt sich dabei nicht nur auf der Isolierschicht 4JL.ub.er das Widerstandselement
44, sondern auch auf der tschichtvüber das Widerstandselement 46. Um die überlappungsflachen zwischen Widerstandselement 44 und Schaltungs-Yerdrahtungsschicht 66 einerseits sowie zwischen Viderstandselement 46 und Verdrahtungsschicht 66 andererseits entsprechend dem Widerstandsverhältnis von 1:1,5 auszulegen, ist die Überlappungsfläche der Verdrahtungsschicht 66 am Widerstandselement 46 in der Weise erweitert bzw. verbreitert, daß zu beiden Seiten dieser Verdrahtungsschicht 66 Erweiterungsteile 68A und 68B vorgesehen aindf die als Blindverdrahtungsschichten dienen. Die Breite des diese
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Erweiterungsteile 68A und 68B aufweisenden Abschnitts der Verdrahtungsschicht beträgt das 1,5-fache der Breite des restlichen Teils der Verdrahtungsschicht 66. Mit dieser Konfiguration entspricht das Verhältnis der Überlappungsflächen zwischen Widerstandselement 44 und Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 einerseits sowie Widerstandselenient 46 und Verdrahtungeschieht 66» einschließlich der Blindverdrahtungsschichten 68A und 68B, erseit dem Widerstandsverhältnis von 1:1,5. Das Verhältnis der auf die Widerstandselemente 44 und 46 ausgeübten Belastungen beträgt somit ebenfalls 1:1»5» so daß relative Kennwerte entsprechend dem Widerstandsverhältnis von 1:1,5 gewährleistet werden.
Obgleich die Erfindung bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen auf eine Halbleitervorrichtung mit einer einzigen Verdrahtungsschicht angewandt 1st, ist sie auch auf mehrlagige Halbleitervorrichtungen bzw. Halbleitervorrichtungen mit mehreren Verdrahtungsschichten anwendbar.
Ein Beispiel für eine derartige Konstruktion ist in Pig. 10 veranschaulicht. Die Ausführungsform gemäß Pig. 10 entspricht im wesentlichen derjenigen nach Pig. 6, weshalb den Teilen von Pig. 6 entsprechende Teile mit denselben Bezugsziffern wie dort bezeichnet sind.
Bei der Ausführungsform gemäß Pig. 10 ist auf der Hauptfläche des die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 und die Blindverdrahtungsschicht 68 enthaltenen Gebildes eine Isolierschicht 82 vorgesehen. Eine Schaltungs-Verdrahtungsschicht 84 verläuft auf der Isolierschicht 82 über eine Stelle entsprechend dem Wider-Standselement 46 hinweg. Eine Blindverdrahtungsschicht
86, die aus demselben Werkstoff besteht wie die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 84i ist auf der Isolierschicht 82 lotrecht über der Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 ausgebildet. Die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 84 dient·zur Verbindung nicht dargestellter Halbleiterelemente. Wie im Pail der Ausführungsform gemäß Pig. 3 bis 6 ist zur Einstellung eines Widerstandsverhältnisses von 1:1 das Verhältnis der Oberlappungsflächen zwischen Schaltungs-Verdrahtungsschicht 84 und Widerstandselement 46 einerseits sowie zwischen Blindverdrahtungsschicht 86 und Widerstandselement andererseits auf 1:1 eingestellt.
Bei dieser mehrlagigen Halbleitervorrichtung entspricht außerdem die durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 84 auf das Widerstandselement 46 ausgeübte Belastung oder mechanische Spannung im wesentlichen der durch die Blindverdrahtungsschicht 86 auf das Widerstandselement 44 ausgeübten Belastung. Die in den Widerstandselementen 44 und 46 entstehenden piezoelektrischen Widerstandseffekte sind dabei jeweils einander im wesentlichen gleich. Die relativen Kennwerte der Widerstandselemente 44 und 46 können somit zur Gewähr?· leistung des Widerstandsverhältnisses von 1:1 eingehalten werden.
In den Patentansprüchen ist mit "leitfähige Verdrahtungsschicht " jeweils die Schaltungs-Verdrahtungsschicht 66 oder 84 bzw. die Blindverdrahtungsschicht 68 oder 86 bezeichnet.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen kann selbstverständlich das Halbleitermaterial des p-Ieitungstyps auch durch ein solches des n-Leitungstyps ersetzt werden. Wenn das Substrat den p-Ieitungstyp be-
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sitzt» muß ersichtlicherweise die die Widerstandselemente enthaltende bzw. bildende Zone den n-leitnngstyp besitzen.
Ersichtlicherweise sind dem Fachmann verschiedene weitere Änderungen und Abwandlungen möglich, ohne daß vom Eahmen der Erfindung abgewichen wird.
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Claims (20)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    r\j Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat," das mindestens zwei Widerßtandselemente aufweist» die relative (bzw. aneinander angepaßte) Kennwerte zur Gewährleistung eines vorgeschriebenen Widerstandsverhältnisses aufweisen müssen» mit einer auf der einen Hauptfläche des Halbleitersubstrats ausgebildeten Isolierschicht und mit einer auf letzterer ausgebildeten Schaltungs-Verdrahtungsschicht, die sich über eine Position entsprechend mindestens einem der Widerstandselemente erstreckt» dadurch gekennzeichnet, daß auf der Isolierschicht (68) zusätzlich eine Blindverdrahtungsschicht (68) ausgebildet ist, die sich auf der Isolierschicht (48) über eine Position entsprechend dem (einen) Widerstandselement (46) erstreckt, auf das durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) eine bezüglich des Widerstandsverhältnisses schwächere Belastung bzw. mechanische Spannung ausgeübt wird.
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet» daß sich die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) auf der Isolierschicht (48) über eine Stelle entsprechend einem der beiden Widerstandselemente (44f 46) erstreckt und daß sich die Blindverdrahtungsschicht (68) auf der Isolierschicht (48) über eine Stelle entsprechend dem einen der beiden Widerstandselemente (44 oder 46)» das von der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) nicht gekreuzt wird, erstreckt.
    -A-
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) auf der Isolierschicht (48) über die beiden Widerstandselemente (44, 46) erstreckt und daß die Blindverdrahtungsschicht (68) in einer Position über dem WiderBtandselement (46) angeordnet ist, auf das durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) eine, bezogen auf das Widerstandsverhältnis, schwächere Belastung (stress) ausgeübt wird.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Überlappungsflächen zwischen dem einen Widerstandselement (44) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) einerseits sowie zwischen dem anderen Widerstandselement (46) und der Blindverdrahtungsschicht (68) andererseits dem Widerstandswertverhältnis zwischen den beiden Widerstandselementen (44> 46) entspricht.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Überlappungsflächen zwischen dem weniger stark belasteten Widerstandselement (46), der Blindverdrahtungsschicht (68A, 68B) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) einerseits sowie zwischen dem anderen Widerstandselement (44) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) andererseits dem Widerstandswertverhältnis zwischen dem weniger stark belasteten Wider-Standselement (46) und dem anderen Widerstandselement (44) gleich ist.
  6. 6. Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungs-
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    Verdrahtungsschicht (66) und die Blindverdrahtungsschicht (68) aus dem gleichen Werkstoff hergestellt sind.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6» dadurch gekennzeichnet, daS der Werkstoff eine korrosionsfeste Legierung ist.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet» daß der Werkstoff polykristallines Silizium ist.
  9. 9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6» dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff Metallsilizid ist.
  10. 10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die korrosionsfeste legierung eine Al-Si-Cu-, Al-Si- oder Al-Ti-iegierung ist.
  11. 11. Mehrlagige Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat, das mindestens zwei Widerstandselemente aufweist, deren relative (aneinander angepaßte) Kennwerte ein vorgeschriebenes Widerstandsverhältnis gewährleisten müssen, und mit einer mehrlagigen An-Ordnung aus Isolierschicht(en) und leitfähiger (leitfähigen) Verdrahtungeschicht(en), bei welcher die Isolierschichten und die leitfähigenVerdrahtungsschicht (en) in dieser Eeihenfolge auf einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats einander abwechselnd übereinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der leitfähigen Verdrahtungsschichten (66, 68; 84t 86) eine Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66, 84) und eine Blindverdrahtungsschicht (68, 86) aufweist, daß sich die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66, 84) an der Unterseite der
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    Isolierschicht (48; 82) über eine Position entsprechend einem der beiden Widerstandselemente (44 bzw. 46) erstreckt und daß sich die Blindverdrahtungsschicht (68; 86) über eine Position entsprechend dem Widerstandselement erstreckt» das durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (6; 84), ausgedrückt als bzw. bezogen auf das Widerstandsverhältnis» einer geringe' Belastung bzw. mechanischen Spannung unterworfen ist.
    10
  12. 12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11» dadurch gekennzeichnet, daß sich die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) auf der Isolierschicht (48) über eine Stelle entsprechend einem der beiden Widerstandselemente (44» 46) erstreckt und daß sich die Blindverdrahtungsschicht (68) auf der Isolierschicht (48) über eine Stelle entsprechend dem einen der beiden Widerstandeelemente (44 oder 46), das von der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) nicht gekreuzt wird» erstreckt.
  13. 13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) auf der Isolierschicht (48) über die beiden Widerstandselemente (44» 46) erstreckt und daß die Blindverdrahtungsschicht (68) in einer Position über dem Widerstandselement (46) angeordnet iet» auf das durch die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) eine, bezogen auf das Widerstandsverhältnis» schwächere Belastung (stress) ausgeübt wird.
  14. 14· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12» dadurch gekennzeichnet» daß das Verhältnis der Überlappungsflächen zwischen dem einen Widerstandselement (44) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) einer-
    COPY
    - k-
    seits sowie zwischen dem anderen Widerstandselement (46) tmd der Blindverdrahtungsschicht (68) andererseits dem Widerstandswertverhältnis zwischen den beiden Widerstandselementen (44» 46) entspricht.
  15. 15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Überlappungsflächen zwischen dem weniger stark belasteten Widerstands element (46), der Blindverdrahtungsschicht (68A, 68B) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) einerseits sowie zwischen dem anderen Widerstandselement (44) und der Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) andererseits dem Widerstandswertverhältnis zwischen dem weniger stark belasteten Wider- Standselement (46) und dem anderen Widerstandselement (44) gleich ist.
  16. 16. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15» dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungs-Verdrahtungsschicht (66) und die Blindverdrahtungsschicht (68) aus dem gleichen Werkstoff hergestellt sind.
  17. 17. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff eine korrosionsfeste Legierung ist.
  18. 18. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff polykristallines Silizium ist.
  19. 19. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff Metallsilizid ist.
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  20. 20. Halbleitervorrich.1nmg nach Anspruch 17» dadurch ge kennzeichnet» daß die korrosionsfeste Legierung eine Al-Si-Cu-, Al-Si- oder Al-Ti-Legierung ist.
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