DE2323971C2 - Bauelement mit Lumineszenzdiode - Google Patents

Bauelement mit Lumineszenzdiode

Info

Publication number
DE2323971C2
DE2323971C2 DE19732323971 DE2323971A DE2323971C2 DE 2323971 C2 DE2323971 C2 DE 2323971C2 DE 19732323971 DE19732323971 DE 19732323971 DE 2323971 A DE2323971 A DE 2323971A DE 2323971 C2 DE2323971 C2 DE 2323971C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
component
light emitting
resistance layer
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19732323971
Other languages
English (en)
Other versions
DE2323971A1 (de
Inventor
Hans-Eberhard Dr.-Ing. Bergt
Bernd Dipl.-Ing. 8000 München Heinz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19732323971 priority Critical patent/DE2323971C2/de
Priority to NL7400840A priority patent/NL7400840A/xx
Priority to GB825574A priority patent/GB1457777A/en
Priority to FR7415898A priority patent/FR2229184B1/fr
Priority to JP5136674A priority patent/JPS5017777A/ja
Publication of DE2323971A1 publication Critical patent/DE2323971A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2323971C2 publication Critical patent/DE2323971C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Bauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein derartiges Bauelement ist aus der GB-PS 12 98 979 bekannt
Lumineszenzdioden werden bekanntlich in Durchlaßrichtung betrieben, wobei die an der Lumineszenzdiode stehende Flußspannung die Schwellspannung nicht wesentlich übersteigen darf, da sonst eine Zerstörung des Bauelements wegen des zu großen Flußstroms unvermeidlich ist Für die heute in großem Umfang für derartige Lumineszenzdioden verwendete*! Halbleitermaterialien Galliumarsenid, Galliumarsenidphosphid und Galliumphosphid liegen die Schwellspannungen etwa bei 1,1 V, 1,6 V bzw. 2,1 V.
In vielen Fällen liegen nun aber die in einer Schaltung, in der eine Lumineszenzdiode zum Einsatz kommt, zur Verfügung stehende Spannungen über den vorgenannten Spannungswerten. So betragen beispielsweise in sogenannten TTL-Schaltungen die zur Verfügung stehenden Spannungen 5 V. Bei einem derartigen Spannungswert würden Lumineszenzdioden aus den vorgenannten Materialien zerstört werden. Um dies zu vermeiden, schaltet man in Reihe zur Lumineszenzdiode einen ohmschen Vorwiderstand, dessen Wert so bemessen ist, daß an der Lumineszenzdiode nur noch die zulässige Spannung abfällt.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ausgehend von der GB-PS 12 98 979, ein Bauelement zu schaffen, bei dem die Widerstandsschicht und die Lumineszenzdiode auf kleinem Raum untergebracht werden können, so daß eine hohe Integrationsdichte erzielt wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Bauelement nach dem 5 Oberbegriff des Patentanspruchs 1 erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnendem Teil angegebenen Merkmale gelöst
Durch die »versetzte« Anordnung der Fenster wird der Platzbedarf für das Bauelement äußerst gering,
ίο Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist im Patentanspruch 2 angegeben. Derartige Materialien für integrierte Schaltungen sind allerdings bereits bekannt; vgl. dazu »Elektro-Anzeiger«, 21. Band, 7. August 1968, Seiten 25 und 26.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung erläutert
Die Figur zeigt ein Bauelement mit einer in einem
Halbleiterkörper 1 ausgebildeten Lumineszenzdiode.
Auf eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers I ist eine erste Isolierschicht 2 in an sich bekannter Weise aufgebracht, die beispielsweise aus Aluminiumoxid (AI2O3) oder Siliciumdioxid (S1O2) besteht In diese Isolierschicht 2 ist in an sich bekannter Weise durch Fototechnik ein Fenster 3 vorgesehen, das einen Zugang zum Halbleiterkörper 1 schafft
Auf diese Isolierschicht 2 ist eine Widerstandsschicht 4 aus Widerstandsmaterial aufgebracht wobei es sich beispielsweise um Tantalnitrid (TaN), Tantaloxidnitrid oder Zinnoxid (SnO2) handelt Diese Widerstandsschicht 4 greift direkt durch das Fenster 3 in der ersten Isolierschicht 2 durch und steht damit in elektrischem Kontakt mit dem Halbleiterkörper 1. Sollte die direkte Kontaktgabe der Widerstandsschicht 4 mit dem Halbleiterkörper 1 Schwierigkeiten bereiten, so kann im Bereich des Fensters 3 auch eine Kontaktierung mit einem anderen Kontaktmaterial wie z. B. Gold-Germanium erfolgen.
Auf die Widerstandsschicht 3 ist nun eine weitere
Isolierschicht 5 (beispielsweise aus den oben genannten
■to Materialien) aufgebracht, welche gegen das Fenster 3 in der ersten Isolierschicht 2 versetzt ein Fenster 6 aufweist, das ebenfalls in der an sich bekannten Fototechnik hergestellt ist Schließlich ist auf die zweite Isolierschicht 5 eine Metallschicht 7, beispielsweise durch Aufdampfen, aufgebracht, die durch das Fenster 6 hindurchgreift und daher mit der Widerstandsschicht 4 in elektrisch leitendem Kontakt steht. Als Material für die Metallschicht 7 kommt ein auf Aluminiumoxid oder Siliciumdioxid haftendes Metall, wie beispielsweise Chrom oder Titan, in Frage.
Wie ohne weiteres ersichtlich, bildet nun der Teil der Widerstandsschicht 4 zwischen den Fenstern 3 und 6 den in Reihe zur Lumineszenzdiode im Halbleiterkörper 1 liegenden Vorwiderstand.
Die gesamte in der Figur dargestellte Anordnung kann nun in an sich bekannter Weise auf einem Gehäuseträger, beispielsweise durch Auflegieren, montiert werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Bauelement mit einer in einem Halbleiterkörper ausgebildeten Lumineszenzdiode, die über-eine als Vorwiderstand dienende Widerstandsschicht mit einer der Stromzufuhr dienenden Metallschicht in Verbindung steht, wobei ein Oberflächenteil des Halbleiterkörpers mit einer Isolierschicht bedeckt ist, die ein Fenster für den elektrischen Zugang zur Lumineszenzdiode aufweist, und wobei ferner die Widerstandsschicht von einer Isolierschicht bedeckt ist, die ihrerseits von der Metallschicht bedeckt ist und durch ein in ihr vorhandenes Fenster die elektrische Verbindung der Widerstandsschicht mit der Metallschicht erlaubt, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (4) auf der den Zugang zur Lumineszenzdiode aufweisenden Isolierschicht (2) derart angeordnet ist, daß die in den beiden Isolierschichten (2, 5) vorhandenen Fenster (3, 6) in Richtung der Oberflächennormale versetzt zueinander sind.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das Material für die Widerstandsschicht (4) Tantalnitrid, Tantaloxidnitrid oder Zinnoxid ist
DE19732323971 1973-05-11 1973-05-11 Bauelement mit Lumineszenzdiode Expired DE2323971C2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732323971 DE2323971C2 (de) 1973-05-11 1973-05-11 Bauelement mit Lumineszenzdiode
NL7400840A NL7400840A (de) 1973-05-11 1974-01-22
GB825574A GB1457777A (en) 1973-05-11 1974-02-22 Optoelectronic semiconductor devices
FR7415898A FR2229184B1 (de) 1973-05-11 1974-05-08
JP5136674A JPS5017777A (de) 1973-05-11 1974-05-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732323971 DE2323971C2 (de) 1973-05-11 1973-05-11 Bauelement mit Lumineszenzdiode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2323971A1 DE2323971A1 (de) 1974-11-28
DE2323971C2 true DE2323971C2 (de) 1982-05-27

Family

ID=5880710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732323971 Expired DE2323971C2 (de) 1973-05-11 1973-05-11 Bauelement mit Lumineszenzdiode

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5017777A (de)
DE (1) DE2323971C2 (de)
FR (1) FR2229184B1 (de)
GB (1) GB1457777A (de)
NL (1) NL7400840A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0035118B1 (de) * 1980-02-28 1985-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierendes Halbleiterelement der III-V-Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH0626642B2 (ja) * 1984-02-03 1994-04-13 住友化学工業株式会社 変異原性物質の処理法
JPS60201380A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 ロ−ム株式会社 発光表示装置
JPS6298783A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
US7332861B2 (en) * 2004-02-05 2008-02-19 Agilight, Inc. Light-emitting structures
DE102006046038A1 (de) 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1298979A (en) * 1969-09-22 1972-12-06 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor display device
JPS5132462B2 (de) * 1971-08-11 1976-09-13

Also Published As

Publication number Publication date
NL7400840A (de) 1974-11-13
GB1457777A (en) 1976-12-08
JPS5017777A (de) 1975-02-25
FR2229184A1 (de) 1974-12-06
DE2323971A1 (de) 1974-11-28
FR2229184B1 (de) 1977-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1965546C3 (de) Halbleiterbauelement
DE2050289B2 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE1639019C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE2342637A1 (de) Zenerdiode mit drei elektrischen anschlussbereichen
DE2354489A1 (de) Schottky-sperrschichtdioden
DE1639173C3 (de) Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung
DE2711460C2 (de) Elektroakustische Signalverarbeitungseinrichtung
DE2023219B2 (de) Programmierbarer Halbleiter-Festwertspeicher
DE2740203C2 (de) Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung
DE2323971C2 (de) Bauelement mit Lumineszenzdiode
DE3200953A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1764567A1 (de) Integrierte Schaltung mit Auflagen auf unbenutztem,aktiven Flaechenschaltelementen
DE2238564C3 (de) Thyristor
DE2401701B2 (de) Transistorleistungsschalter
DE3206060A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE2852200A1 (de) Integrierte logische schaltung
DE1212221B (de) Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und zwei sperrfreien Basiselektroden
EP0156022B1 (de) Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
DE1614248C3 (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Verwendung desselben in einer Schaltung zur Verstärkung elektrischer Signale und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1813551C3 (de) Hochfrequenz-Planartransistor
EP0755078B1 (de) Metall-Halbleiterkontakt
DE1801882A1 (de) Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp
DE1160551B (de) Anordnung der Schaltungselemente einer logischen Schaltung mit Halbleiterdioden in einem und als Teile eines einkristallinen Halbleiterkoerpers
EP0093818A1 (de) Monolithisch integrierte Schaltung mit integrierten Kondensatoren

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee