DE2050289B2 - Steuerbarer Halbleitergleichrichter - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleitergleichrichter
aus vier übereinander angeordneten Halbleiterschichten abwechselnd entgegengesetzten
Leitungstyps, wobei Teile der zweiten, inneren Schicht durch die erste, äußere Schicht hindurchführen und an -to
der Oberfläche des Gleichrichters freiliegen, wobei die der ersten, äußeren Schicht gegenüberliegende äußere
Schicht eine erste Hauptelektrode aufweist, die erste Schicht aus einem Haupt- und einem Hilfsbereich
besteht, die sich direkt aneinander anschließen, auf der ■»
> dem Hilfsbereich abgewandten Seite des Hauptbereiches eine Elektrode der zweiten Schicht mit einem
freiliegenden Teil der zweiten Schicht in Kontakt steht, eine zweite Hauptelektrode am Hauptbereich der
ersten Schicht angeordnet und gegenüber dem freilie- w genden Teil der zweiten Schicht und der Elektrode der
zweiten Schicht isoliert ist, der Hilfsbereich der ersten Schicht mit einer Hilfselektrode versehen ist, die mit der
Elektrode der zweiten Schicht elektrisch verbunden ist, und wobei eine Hauptsteuerelektrode neben dem ■»■>
Hilfsbereich der ersten Schicht auf der dem Hauptbereich abgewandten Seite in Kontakt mit der zweiten
Schicht vorgesehen ist.
Ein derartiger steuerbarer Halbleitergleichrichter is!
aus der DEOS 19 06 816 bekannt. m>
Aus der US-PS 34 76 989 ist ein weiterer steuerbarer Halbleitergleichrichter bekannt, der aus vier übereinander
angeordneten Halbleitcrschichtcn abwechselnd entgegengesetzten I.eitungstyps aufgebaut ist, von
denen eine aus einem Haupt- und einem Hilfsbereich hl
besteht, (.»er I lauptbcreich steht mit einer Hauptelektrode
in Kontakt, während der Hilfsbereich einen Slromwcg über einen Teil der benachbarten Schicht
entgegengesetzten Leitungstyps zum Hauptbereicn liefern kann, um den Halbleitergleichrichter dadurch zu
zünden, daß ein Durchbruch zwischen dem Hilfsbereich und der Hauptelektrode erzeugt wird.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht demgegenüber darin, bei dem bekannten Halbleitergleichrichter
der eingangs genannten Art die Stromanstiegsgeschwindigkeit, d.h. das Verhältnis di/dt in
Durchlaßrichtung zu erhöhen, so daß nach dem Zünden des Hilfsbereiches auch der Hauptbereich innerhalb
kurzer Zeit durchgeschaltet wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die erste Schicht im Grenzbereich zwischen Haupt-
und Hilfsbereich zwischen den Elektroden dieser Bereiche dünner als an den übrigen Bereichen der
ersten Schicht ausgebildet ist
Wenn bei dem erfindungsgemäßen Halbleitergleichrichter an der Hauptsteuerelektrode ein positiver
Impuls liegt, so fließt ein Strom über die Hauptsteuerelektrode, die zweite Schicht und die erste Schicht zur
zweiten Hauptelektrode am Hauptbereich der ersten Schicht, so daß der Hüfsbereich durchschallet Dann
fließt ein Strom durch die erste Hauptelektrode, die der ersten äußeren Schicht gegenüberliegende äußere
Schicht, die dritte innere Schicht, die zweite innere Schicht und den Hilfs- und Hauptbereich der ersten
Schicht zur zweiten Hauptelektrode, während ein weiterer Strom durch die erste Hauptelektrode, die der
ersten Schicht gegenüberliegende äußere Schicht, die dritte innere Schicht, die zweite innere Schicht und die
erste Schicht zur Hilfselektrode des Hilfsbereiches der ersten Schicht und durch die Elektrode der zweiten
Schicht, durch die zweite Schicht und die erste Schicht neben dieser Elektrode zur zweiten Hauptelektrode
fließt
Da gemäß der Erfindung die erste Schicht im Grenzbereich zwischen Haupt- und Hilfsbereich zwischen
den Elektroden dieser Bereiche dünner als an den übrigen Bereichen der ersten Schicht ausgebildet ist, hat
die erste Schicht in diesem Grenzbereich einen größeren Widerstand. Im Vergleich zu dem oben
genannten ersten Strom durch die erste Schicht zur zweiten Hauptelektrode tritt daher eine Zunahme
desjenigen Stromes auf, der durch die Hilfselektrode und die Elektrode der zweiten Schicht fließt. Der Strom,
der durch die Elektrode der zweiten Schicht und durch die zweite und die erste Schicht zur zweiten
Hauptelektrode fließt, wird dadurch verstärkt und fließt im wesentlichen von der Gesamtfläche des Hauptbereiches
der ersten Schicht zur zweiten Hauptelektrode, was zur Folge hat, daß der Hauptbereich unmittelbar
gezündet wird.
Dadurch wird die Zeitdauer, die nach dem Zünden des Hilfsbereiches zum Zünden des Hauptbereiches erforderlich
ist, wesentlich herabgesetzt, was eine Erhöhung des d/7di-Verhältnisses bedeutet.
Im folgenden wird anhand der Zeichnung ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung näher
erläutert:
Fi g. 1 zeigt eine Draufsicht auf das Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Halbleitergleichrichters;
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht des in Fig. I
dargestellten Gleichrichters längs der Linie M-Il.
Wie es in F i g. I und 2 dargestellt ist, ist das Ausführungsbcispicl des erfindungsgemäßen HaIblcitcrgleichrichtcrs
aus einem Halbleitersubstrat 1 mit vier Schichten /V1, P1, N2 und /'2 aufgebaut, wobei die
erste Schicht aus einem Haupt- und einem Hilfsbereich
b und a besteht, die sich direkt aneinander anschließen
und durch die strichpunktierte Linie ti in Fig,2
voneinander getrennt sind. Elektroden 5 sind auf den
ι, freiliegenden Teilen der Schicht P\ im Hauptbereich b
ausgebildet, während eine den Elektroden 5 gemeinsa-
* me Hilfselektrode 6 mit der Schicht Wi im Hilfsberejch a
< in Kontakt steht Pie Elektroden5 sind in der in Fig, 1
', dargestellten Weise in Farm von Streifen in einer
! gemeinsamen Ebene ausgebildet. Die Stärke der Schicht
Wi ist im Grenzbereich zwischen dem Haupit- und dem
Hüfsbereich b und a geringer als an den übrigen
Bereichen. Im Hauptbereich b sind die freiliegenden
Bereiche der zweiten Schicht Ρχ und die Elektroden 5
durch Isolierschichten 8 abgedeckt, während eine
Hauptelektrode 7 in ohmschen Kontakt mit der ersten Schicht N\ im Hauptbereich b steht und somit die
freiliegenden Bereiche und die Elektroden 5 überdeckt ' Eine Hanptsteuerelektrode 10 ist in Kontakt mit der
Schicht P\ auf der Seite des Hilfsbereiches a vorgesehen.
Eine auch als Wärmeausgleichsplatte dienende Hauptelektrode 3 aus Wolfram oder Molybdän ist an die
Unterseite der der ersten Schicht gegenüberliegenden äußeren Schicht Pt über eine dünne Schicht 2 aus
Aluminium oder einem ähnlichen Material legiert. Es kann vorteilhaft sein, die Stärke der ersten äußeren
Schicht N\ herabzusetzen, so daß ihre Bereiche, die unter der Hauptelektrode 7 liegen, einen geringen
Widerstandswert von einigen Ohm bis einigen kOhm haben.
Im Betrieb wird an die Hauptelektrode 3 und die Hauptelektrode 7 in Durchlaßrichtung eine Spannung
angelegt, so daß die Elektrode 3 positiv und die Elektrode 7 negativ wird. An die Hauptsteuerelektrode
10 und die Hauptelektrode 7 wird eine Steuerspannungsquelle angeschlossen, durch die die Hauptsteuerelektrode
Ϊ0 gegenüber der Hauptelektrode 7 positiv vorgespannt wird. Von der Hauptsteuerelektrode 10
fließt daher ein Strom durch die Bereiche P\ und Ni, die
durch die strichpunktierte Linie U unterteilt sind, zur Hauptelektrode 7. Daher werden zunächst in die
einander gegenüberliegenden Bereiche der vier Schichten N], P\, Nj, Pj auf der Seite des Hilfsbereiches a
Ladungsträger injiziert, so daß diese Bereiche gezündet werden. Ein Teil des Zündstromes fließt direkt durch
den in der Nähe der gezündeten Bereiche liegenden Bereich der Schicht ΛΛ zur Hauptelektrode 7, während
der Rest des Zündstromes durch die streifenförmigen Elektroden 5 zur Hauptelektrode 7, und zwar über den
Bereich P\ und N\ oder den Hauptbereich b fließt, so daß
der gesamte, dem Hauptbereich b gegenüberliegende Bereich in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Somit
werden unmittelbar nach der Zündung der vier Schichten auf der Seite des Hilfsbereiches a die vier
Schichten auf der Seite des Hauptbr;. dches b gezündet.
Wird der Widerstand der Schicht /V, zwischen der Hilfselektrode 6 und der Hauptelektrode 7 in geeigneter
Weise gewählt, so kann die Zeitdauer zwischen den Zündungen des Hilfsbereiches a und des Hauptbereiches
h stark verringert werden. Dadurch wird die Anstiegsgeschwindigkeit des Anodenstroms, d. h. das
d;/di-Verhältnis des Halbleitergleichrichters auch bei
geringem Steuerstrom erhöht. Liegt der Widerstand der Schicht Λ/ι zwischen der Elektrode 5 und der
Hauptelektrode 7 bei einigen Ohm bis einigen hundert kOhm, so ergibt sich ein d//d'-Verhältnis zwischen 800
und 1000 Α/μ5.
Claims (1)
- Patentanspruch;Steuerbarer Halbleitergleichrichter aus vier übereinander angeordneten Halbleiterschichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, wobei Teile der zweiten, inneren Schicht durch die erste, äußere Schicht hindurchführen und an der Oberfläche des Gleichrichters frejliegen, wobei die der ersten, äußeren Schicht gegenüberliegende äußere Schicht eine erste Hauptelektrode aufweist, dje erste Schicht aus einem Haupt- und einem Hilfsbereich besteht, die sich direkt aneinander anschließen, auf der dem Hilfsbereich abgewandten Seite des Hauptbereiches eine Elektrode der zweiten Schicht mit einem freiliegenden Teil der zweiten Schicht in Kontakt steht, eine zweite Hauptelektrode am Hauptbereich der ersten Schicht angeordnet und gegenüber dem freiliegenden Teil der zweiten Schicht und der Elektrode der zweiten Schicht isoliert ist, der Hilfsbereite der ersten Schicht mit einer Hilfselektrode versehen ist, die mit der Elektrode der zweiten Schicht elektrisch verbunden ist, und wobei eine Hauptsteuerelektrode neben dem Hilfsbereich der ersten Schicht auf der dem Hauptbereich abgewandten Seite in Kontakt mit der zweiten Schicht vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (N1) im Grenzbereich zwischen Haupt- (b) und Hilfsbereich (a) zwischen den Elektroden (6, 7) dieser Bereiche dünner als an den w übrigen Bereichen der ersten Schicht ausgebildet ist.
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