DE1589455A1 - Steuerbare Halbleiteranordnung - Google Patents
Steuerbare HalbleiteranordnungInfo
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Description
Steuerbare Halbleiteranordnung Die Erfindung "betrifft eine steuerbare Halbleiteranordnung.
Bei steuerbaren Halbleiteranordnungen, z.B. Thyristoren, ist
es oft von grosser Bedeutung, dass das Verhältnis zwischen der von der Halbleiteranordnung gesteuerten leistung und der der
Halbleiteranordnung zugeführten Steuerleistung so gross wie möglich ist. Bei einem Thyristor verlangt man ein gewisses
Minimumniveau des Steuerstromes, um eine sichere Zündung zu erreichen und die Einschaltzeit des Thyristors auf einem
niedrigen Wert zu halten, so dass ein schnelles Anwachsen des Stromes durch den Thyristor erreichbar ist. Ein Hochleistungsthyristor verbraucht eine nicht unwesentliche Steuerleistung,
und bei grösseren Stromrichteranlagen mit mehreren reihen-
und parallelgeschalteten Thyristoren wird die gesamte erforderliche Steuerleistung recht gross. Die Steuerleistung muss
hierbei in der Regel !zwischen Punkten übertragen werden, zwischen
denen oft hohe Potentialunterschiede bestehen, was kostspielige und viel Platz beanspruchende Anordnungen erfordert. Durch
Vermindern der erforderlichen Steuerleistung kann daher viel
gewonnen werden.
-2-
9823/0343
Besonders "bei reihengeschalteten Thyristoren ist gewöhnlich
ein aus einem Kondensator in Reihe mit einem Widerstand "bestehender
Kreis parallel zu jedem Thyristor angeschlossen. Bei Zündung eines Thyristors entlädt sich die im entsprechenden
Kondensator gelagerte Energie durch den Thyristor. Aus verschiedenen Gründen .will man die Zeitkonstante dieser RC-Kreise
so niedrig wie möglich halten, so dass es wichtig ist, dass die Thyristoren eine gute Zündfestigkeit haben, d.h.
das Vermögen, während des Intervalls unmittelbar nach dein
Anfang des Zündvorganges einen hohen Strom leiten zu können,
ohne zerstört zu werden.
Die Erfindung ergibt eine in dieser Hinsicht besonders vorteilhafte
Anordnung. Eine erfindungsgemässe Halbleiteranordnung ist dadurch gekennzeichnet? dass sie einen Hauptthyristor
und wenigstens einen Hilfsthyristor enthält, wobei diese Thyristoren derart auf einem gemeinsamen Halbleiterkörper ausgebildet sind, dass der Hilfsthyristor eine erste
EmittersGhicht, eine an dieser angeschlossene erste Hauptelektrode,
die Basisschichten und eine Steuerelektrode gemeinsam mit dem Hauptthyristor hat, dass aber die Thyristoren
getrennte zweite'Emitterschichten haben, wobei diese zweite
Schicht bei dem Hilfathyristor eine "beträchtlich kleinere Fläche als beim Hauptthyristor nat, und dass die zweite
Emittersohicht des Hilfsthyristors über eine äussere Ver- .
bindung elektrisch mit der an sie grenzenden für die Thyri-
stören gemeinsamen BaslssoMcht verbunden ist.
■ . ■ -3-009823/0343
Die Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnung besehrie-"ben,
in-dieser zeigen i
Ii1Ig. "1 einen Schnitt durch eine erfindungsgeaiasse Halbleiteranordnung,
jig. 2 dieselbe Anordnung von der Kathodenseite aus gesehen,
Fig. 5 und 4 entsprechende Ansichten einer mit zwei kaskadengeschalteten.-Hilfsthyristören
versehenen Halbleiteranordnung,
Fig. 5 eine alternative Ausbildung der Verbindung zwischen
dem N-Emitter und der P-Basis eines Hilfstransfor
tors und
Fig. 6 die Halbleiteranordnung nach der Erfindung, eingeschaltet in "einen elektrischen Kreis für die Steuerung des Stromes durch eine Belastung.
Der in Fig. 1 und 2 gezeigte Halbleiterkörper 1 z.B. aus Silizium
ruht auf einer Grundplatte 2 z.B. aus Molybdän. Der Halbleiterkörper hat durch Dotieren in bekannter Weise eine P-leitende
Schicht 3> der P-Emitter, eine N-Ieitende Schicht 4, die
N-Basis, und eine P-leitende Schicht 5, die P-Basis. Oberhalb
der letzten Schi,cht ist auf dem zentralen Teil der oberen
Fläche des Körpers eine IT-leitende Schicht 6, der N-Emitter,
auf.welchem ein Metallkontakt 8 angebracht ist. Diese Schicht
Ist am Rande mit einer im wesentlichen halbkreisförmigen Ausnehmung
versehen. Es hat sich in gewissen Fällen als zweckmässigerwiesen, den Rand der Ausnehmung als Kreislinie anzuordnen,
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deren Zentrum ausserhalb des Randes liegt.
Anschlussleitungen 7 und 9 sind an der Grundplatte 2 und am
Kontakt 8 befestigt. Eine Steuerelektrode 10 ist auf dem Rande des Halbleiterkörpers auf der Schicht 5 (P-Basis) angebracht.
Die genannten Elemente bilden zusammen einen an und für sich bekannten Thyristor, den Hauptthyristor, wobei die Grundplatte
die Anode und der Kontakt 8 die Kathode ist.
Auf der P-Basis schicht 5 ist, getrennt von der IT-Emitter schicht
6 und in deren am Eande liegenden Ausnehmung, eine zusätzliche U-leitende Schicht 11 angeordnet. Die obere Fläche dieser Schicht
ist mit einem Metallbelag 12 versehen, der auf dem dem Hauptthyristor zugekehrten Teil auch mit der P-Basisschicht 5 Kontakt
hat. Eine Kathodenzuleitung 13 ist am Metallbelag 12 angeschlossen.
Die Schicht 11, der Belag 12 und die Kathodenzuleitung 13 bilden
zusammen mit den Schichten" 3, 4 und 5 und der Grundplatte 2 und Anoden-zuleitung 7 einen an und für sich bekannten Thyristor.
Dieser Thyristor wirkt als Hilfsthyristor bei der Zündung des
Hauptthyristors.
Wenn der Hauptthyristor gezündet werden soll, wird eine im
Verhältnis zur Kathode 13 positive Spannung auf die Steuerelektrode
10 gelegt. Dabei zündet erst der an der Steuerelektrode gelegene Hilfsthyristor, und ein im Verhältnis zum
Steuerstrom starker Strom fliesst zwischen der Anode (2, 7.
009823/0343 bad■ o^oinal ■
des Thyristors und dessen Kathode (12, 13). Dieser Strom dringt
über den Belag 12 in die P-Basisschicht 5 ein und fliesst in
seitlicher Richtung bis zur N-Emitterschicht 6 und Kathode \8, 9]
des Hauptthyristors, er dient also als Steuerstrom für den Hauptthyristor. ■
Es ist sehr wichtig, dass der gezündete Teil des Thyristors
so schnell wie möglich an Grosse zunimmt, weil man eine möglichst
grösse Geschwindigkeit der Zunahme des Stromes durch den Thyristor zulassen will, ohne dass die Stromdichte im
gezündeten Teil so gross wird, dass der Thyristor zerstört
werden kann. Dieses kann u.a. dadurch erreicht werden, dass
die Zündfront, d.h. die Begrenzungslinie des gezündeten Teils,
winkelrecht zu der sich die Zündung ausbreitet j schon zu Beginn
des Zündvorganges so lang wie möglich gemacht wird* Die Halbleiteranordnung nach Fig. 1 und 2 ist in dieser Hinsicht vorteilhaft,
da schon am Anfang des Zündverlaufs dee Hauptthyristors
die Zündfront eine länge gleich der Peripherie der halbkreisförmigen
Ausnehmung in der ET-Emitt er schicht 6 des Hauptthyristors
hat. Zu der guten Zündfestigkeit trägt auch die Tatsache bei, dass es schon zu Beginn des Zündvorganges zwei Bereiche des
thyristors gibt, die gezündet sind, teils den Hilfsthyristor, teils den zuerst gezündeten Teil des Hauptthyristors.
Bai einer typischen Ausführung der in Fig. 1 und 2 gezeigten
ist der vom Hilfsthyristor verursachte gtinästrom
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Mal grosser als der Zündstrom, der der Steuerelektrode 10 zugeführt wird. Verglichen mit einem Thyristor, der direkt von dem
der Steuerelektrode zugeführten Steuerstrom gezündet wird, kann also wenigstens eine ca zehnfache-Verminderung des erforderlichen
Steuerstromes erhalten werden. Dieses ergibt eine entsprechende Verminderung der Zündenergie, die zugeführt werden muss, was ein
erheblicher Vorteil in den Fällen ist, wo die Zündenergie über grosse Potentialunterschiede zugeführt werden muss. Der überwiegende
Teil der Zündenergie wird nämlich dem an Anode und Kathode des Hauptthyristors angeschlossenen Kreis entnommen, da
ja der Hauptthyristor mit Hilfe eines Stromes gezündet wird, der
von dem genannten Kreis gespeist wird.
Die Fig. 3 und 4 zeigen eine Ausführungsform der Erfindung,
bei der zwei Hilfsthyristoren in Reihe geschaltet sind. Zwischen
dem an der.Steuerelektrode liegenden ersten Hilfsthyristor
11, 12, 13 und dem Hauptthyristor 6, 8, 9 ist ein zweiter .
Hilfsthyristor 14, 15 in entsprechender Weise wie der erste angeordnet. Die N-Emitterschicht 14 dieses zweiten Hilfsthyristors
ist als mit dem ersten Hilfsthyristor konzentrischer und ausserhalb desselben liegender Kreisring ausgebildet. Die
Wirkungsweise ist so, dass der erste Hilfsthyristor von einem
Steuerstrom gezündet wird, der der Steuerelektrode zugeführt wirdj wonach er den zweiten Hilfethyristor zündet, der wiederum
den Hauptthyristor sün&et. Im Prinzip kann auf diese
Weis© eine Steuerrferomferatär&ung erhalten werden, die das
Oft ö ä *i ^ / h, <s i <ä
ü 9 U i ώ / ö 4 4 4
Produkt der Verstärkungen der "beiden Hilfsthyristoren ist,
d.h. von der G-rössenordnung 100 Mal. Bs ist natürlich möglich,
die Halbleiteranordnung so auszubilden, dass sie mehr als zwei
Hilfsthyristoren in Kaskadenschaltung enthält.
li-g. 5 ist ein Schnitt durch einen Teil der erfindungsgemässen
HaIToIe it er anordnung, in der der Hilf sthyristor in einer etwas
anderen Weise als der früher gezeigte ausgeführt ist. Die Pläehe seiner If-Emitterschicht 11 liegt dort in derselben
Ebene wie der an der dem Hauptthyristor zugekehrten Seite dieser Schicht liegende Teil der P-Basisschieht 5. Hierdurch
wird es möglich, den Belag 12 flach auszuführen, was ein einfacheres
Herstellungsverfahren ergibt« Der unter dem Belag 12
liegende Teil der P-Basisschieht, in der Figur mit P+ bezeichnet,
wird zweekmässig stärker dotiert ausgeführt als der Rest der Schicht. ; .
Ig. 6 zeigt eine Halbleiteranordnung nach Mg. 1 und 2, die
in einen elektrischen Kreis für die Steuerung des Stromes durch
ein !Belastungsobjekt 25 eingeschaltet ist. Die Kathode 9 des Hauptthyristors ist an einer Klemme der Wechselspannungsquelle
24 und seine Anode 7 in Seihe mit der Belastung 25 an der anderen
Klemme angeschlossen. Zwischen der Kathode 13 des Hilfsthyristors
und der Steuerelektrode 10 ist eine Spannungsquelle 17 in Eeihe
mit einem Kontakt 26 angeschlossen. Die beiden letzteren Elemente
zeigen in "vereinfachter Form die Punktion eines an und für
sich bekannten Steuerimpulsgerätes, um zu gewünschten Zeit-
.■■■■'.■'.■■"■■./ -8- ' ■■.
0OS823/O343 bao^
punkten Steuerstrom durch die Steuerelektrode zuzuführen, wodurch
erst der Hilfsthyristor und danach der Hauptthyristor gezündet
wird. Die Kathode 13 ist über einen Widerstand 19 mit einem auf der P-Basisschicht angebrachten Kontakt 19 verbunden. Durch
Anpassen des Widerstandes 18 kann die Zündgeschwindigkeit des Hauptthyristors dazu gebracht werden, einen zweckmässigen Wert
anzunehmen. Eine Spannungsquelle 20 gibt eine negative Vorspannung
der Kathode 13 des Hilfsthyristors, dem Kontakt 19
und einem oder mehreren auf der P-Basisschicht angebrachten Vorspannungskontakten 27» Diese negative Vorspannung trägt
in bekannter Weise dazu bei, die Tendenz des Hauptthyristors
zu Durchzündung zu vermeiden, Eventuell kann auch der Steuerelektrode
10 während der Zeit, in der der Thyristor nicht stromführend
ist, eine negative Vorspannung erteilt werden» Parallel zu dem Thyristor sind der Kondensator 22 und der Widerstand 23
angeschlossen.
In Fig. 6 ist die Kathode 13 des Hilfsthyristors mit der Kathode
des Hauptthyristors ü"ber einen Widerstand 21 verbunden. Dies begrenzt
den Belastungsstrom durch den Hilfsthyristor, dei* sonst '
überbelastet werden könnte, ehe der Hauptthyristor Zeit hatte zu zünden* Diese Punktion kann auch dadurch erhalten werden, dass
man den Widerstand 21 durch eine kleine Drossel ersetzt, die die Zuwachsgeschwindigkeit des Belastungsstromes durch den Hilfsthyristor vermindert, Eine andere Möglichkeit ist, einen Kondensator anzuschliessen, eventuell in Keine mit einem Widerstand,
Zwischen den Kathoden der beiden Thyristoren. Dieser Kreis toe- *
'."'■■ '■.■■■■■ - - ' ' -9-
009823/0343
grenzt danin, die gesamte Energiemenge, die während des Zündvorganges
dem Hilf s thyristor zugeführt wird.
Das Steuergerät 17, 26 ist in der Figur 6 zwischen der Kathode
13 des Hilfsthyristors und der Steuerelektrode 10 angeschlossen.
Stattdessen kann es zwischen der Steuerelektrode und der Kathode (9) des Hauptthyristors angeschlossen werden, was u.a. 'den Vorteil
hat, dass die Kathodenzuleitung des Hilfsthyristors dann nicht
durch die Thyristorkapsel hinausgeführt zu werden "braucht.
Es ist "bekannt, einen thyristor mit mehreren Steuerelektroden.
an verschiedenen Stellen längs des Halbleiterscheibenrandes
zu versehen. Die Erfindung kann auch bei solchen Thyristoren
angewendet werden, indem jeder Steuerelektrode ein oder mehrere
Hilfsthyristoren zugeordnet werden. Hierdurch kann die Zilnäaeit
des Thyristors noch mehr gesenkt' werden. .
Wenn der Hauptthyriator allzu schnell zündet, riskiert man,
dass nicht der ganze dem Hilfsthyristor zugekehrte Teil der
I-Emi'tterschicht auf einmal, sondern punktweise zündet. Wenn
er anderseits allzug langsam zündet, kann die Energieentwicklung
im Hilfjpthyristor zu hoch werden. Die Zündgeschwindigkeit ist
U>a» von der Stromdichte des Zundstromes und von dem lateralen
Widerstand vor allem auf der B-Basiaschicht abhängig. Durch
isweokmässige Wahl der Länge des? Ausnehmung in der I-Smitteriöhicht
des Hauptthyristors kann die Stromdichte beeinflusst
sf wnd durch zweGkmässigQ Wahl des Abständea (in radiaier
Q.Q38 23/Q.3 43. . BAD simal ""1o"
- ίο -
Richtung der Ausnehmung) zwischen der N-Emitterschicht des Hilfsthyristors
und des Hauptthyristors kann der laterale Widerstand "beeinflusst werden, so dass die gewünschte Zündgeschwindigkeit
erhalten wird. Besonders "bei einer Halbleiteranordnung, die mehrere Hilfsthyristoren in Kaskadenschaltung enthält, kann mit
Hilfe der genannten variablen Intervalle zwischen der Zündung der Thyristoren die Zündung am zweckmässigsten in, Hinblick auf die
Zündfestigkeit abgepasst werden.
Der in den Fig. 1 bis 4 gezeigte Belag 12, der die Verbindung
zwischen der N-Emitterschicht 11 und P-Basisschicht 5 bildet,
kann wie in fig.6 gezeigt durch zwei miteinander verbundene Kontakte
ersetzt werden, einem auf der Schicht 11 und einem auf der Schicht 5. (Das.Entsprechende gilt auch bei dem Belag 15 in Pig.
3 bis 4)· Die Verbindung kann mit einer oder mehreren längs der
Peripherie des Halbleiterkörpers auf der P-Basisschicht 5 am Sande der N-Emitterschicht 6 angebrachter und mit der N-Emitterschicht·
11 des HilfSthyristors verbundener Elektroden ergänzt
werden oder nur aus diesen bestehen.
Die Ausnehmung Inder N-Emitterschicht kann als Kreissegment ausgebildet
se in* welche Form dann auch, der am nächsten vom Rande liegende
Hilf£thyristor annimmt. Die H-Emittersehicht des Hauptthyristors
wird also bei dieser Ausführungsform von der N-Emitterschicht
der Hilfethyristoren und diese voneinander durch gerade,
parallele Rinnen getrennt»' -
- - . _ ■ . BAD ORiG
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Die oben gezeigten Ausführungsformen und die angegebenen Ziffernwerte
sind nur Beispiele,.und viele andere Ausführungsformen Bind
im nahmen der Erfindung denkbar.
Wie oben nachgewiesen, hat eine Halbleiteranordnung nach der Drfinung
wesentliche Vorteile verglichen mit entsprechenden bekannten Anordnungen, indem die Zündfestigkeit grosser ist und
gleichzeitig der Bedarf an Steuerleistung stark gesenkt werden kann.
BAD OBiGiNAL
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Claims (18)
1. Steuerbare Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet,
dass sie einen Hauptthyristor und wenigstens einen Hilfsthyristor
enthält, wobei diese Thyristoren derart auf einem gemeinsamen Halbleiterkörper ausgebildet sind, dass der Hilfsthyristor eine
erste Emitterschicht, eine an diese angeschlossene .erste Hauptelektrode, die Basisschichten und eine Steuerelektrode gemeinsam
mit dem Hauptthyristor hat, dass aber die Thyristoren getrennte zweite Emitterschichten haben, wobei diese zweite Schicht beim
Hilfsthyristor eine beträchtlich kleinere Fläche als beim Hauptthyristor
hat, und dass die zweite Emitterschicht des Hilfsthyristors
über eine äussere Verbindung elektrisch mit der an sie grenzenden fiir die Thyristoren gemeinsamen Basisschicht
verbunden ist.
2. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass ein Hilfsthyristor in unmittelbarer Nähe
der gemeinsamen Steuerelektrode angeordnet ist.
3. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die zweite Emitterschicht des Hilfgthyristors
im'wesentlichen als Kreisabschnitt ausgebildet ist, dessen Zentrum
der gemeinsamen Steuerelektrode zugekehrt ist.
4» S-teuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper
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_ 13 ■-
als Scheibe ausgebildet" ist, wobei die gemeinsame Steuerelektrode
und ein Hilfsthyristo.r am Rande der Scheibe angebracht sind.
5. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 4, daduroh
gekennzeichnet, dass die zweite Emitterschioht des Hauptthyristors
am Scheibenrand mit einer Ausnehmung versehen ist, in der die
zweite Emitterschicht wenigstens eines Hilfsthyristors angeordnet ist.
6. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Ausnehmung im wesentlichen halbkreisförmig
ist.
7» Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie mehrere Hilfsthyristoren
umfasst, deren getrennte zweite Emitterschienten zwischen der
gemeinsamen Steuerelektrode und dem Hauptthyristor liegen.
8. Steuerbare Halbleiteranordnung naoh Anspruch 7» daduroh
gekennzeichnet, dass die getrennten zweiten Emitterschichten der Hilfsthyristoren als im wesentlichen konzentrisoae Kreisringe ausgebildet sind, deren Zentrum in unaiirbelfterer Nfthe
der gemeinsamen Steuerelektrode liegte♦ .
9. Steuerbare Halbleiteranordnung nach tinem der vorhergehtHÄen
Ansprllohe, daduroh gekennzeichnet, dass dlt iXektrliöhe Verbindung zwiaeheη der getrennten Emitterfohioht einte Hilfithyriitors
und der gemeinsamen Baaisaohioht eine Metnlliohioht ist» bad-ORiGSNA
.009823/0343 '
10. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Verbindung
zwischen der zweiten Emitterschicht eines Hilfsthyristors
und der gemeinsamen Basisschicht als wenigstens ein auf der genannten
Basisschicht angeordneter Kontakt ausgebildet ist, der über eine äussere Verbindung an der zweiten Emittersehicht des
Hilfsthyristors angeschlossen ist.
11. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontakt in einem Punkt auf der Basisschicht
angeordnet ist, der zwischen den zweiten Smitterschichten des Hilfsthyristors und des Hauptthyristors liegt.
12. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche
10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass- die äussere Verbindung
ein .Impedanzelement, enthält.
13. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung einen Widerstand enthält.
14· Steuerbare Halbleiteranordnung neon einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Spannungsquelle an der gemeinsamen Steuerelektrode und an der Emittersohioht
eines Hilfethyristors angeschlossen ist und wenigstens
am Anfang des Leitintervalle dos Thyristors eine im Verhältnis j
Uu der Bmitteriohioht des Hilfsthyristors" positive Spannung an [
die Steuerelektrode 'abgibt· BAD ORIGINAL
l :Λ:- 003623/0343
15« -Steuerbare Halbleiteranordnung nach. Anspruch 14, dadurcli
gekennzeichnet, dass die Steuerspannungsquelle an der Emitterschicht
des am nächsten der Steuerelektrode gelegenen Hilfsthyristors
angeschlossen ist.
16. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass eine Spannungsquelle
während der Zeit,, in der die Thyristoren keinen Strom führen»
eine im Verhältnis zur zweiten Hauptelektrode des Hauptthyristors und/oder eines Hilfsthyristors negative Vorspannung an die gemeinsame
Steuerelektrode liefert.
17. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die getrennten Emitterschichten
des Hilfsthyristors und des Hauptthyristors über ein Impedanzelement verbunden sind.
18. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 17, dadurch
gekennzeichnet, dass das Impedanzelement einen Widerstand enthält.
19· Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 17 oder 18,
dadurch gekennzeichnet, dass das Impedanzelement ein induktives
Element enthält.
2.0. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 17 oder 18,
dadurch gekennzeichnet» dass das Impedais^element einen Kondea-.
sat or enthält. BAD ORIGINAL ■-■
009 823/034 3
A^
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2436408A1 (de) * | 1973-08-01 | 1975-03-06 | Hitachi Ltd | Gesteuerter halbleitergleichrichter |
| DE2625009A1 (de) * | 1975-06-04 | 1976-12-23 | Hitachi Ltd | Thyristor |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577046A (en) * | 1969-03-21 | 1971-05-04 | Gen Electric | Monolithic compound thyristor with a pilot portion having a metallic electrode with finger portions formed thereon |
| US3611066A (en) * | 1969-12-12 | 1971-10-05 | Gen Electric | Thyristor with integrated ballasted gate auxiliary thyristor portion |
| JPS541437B2 (de) * | 1973-04-18 | 1979-01-24 | ||
| DE2458401C2 (de) * | 1974-12-10 | 1982-06-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit Licht steuerbarer Thyristor |
| US4012761A (en) * | 1976-04-19 | 1977-03-15 | General Electric Company | Self-protected semiconductor device |
| JPS5410837B1 (de) * | 1976-10-29 | 1979-05-10 | ||
| JPS53110483A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-27 | Hitachi Ltd | Thyristor |
| JPS5942991B2 (ja) * | 1977-05-23 | 1984-10-18 | 株式会社日立製作所 | サイリスタ |
| JPS546787A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Luminous element |
| DE2730612C2 (de) * | 1977-07-07 | 1982-02-04 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Betriebsschaltung für einen Thyristor |
| DE2801722A1 (de) * | 1978-01-16 | 1979-07-19 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum herabsetzen der freiwerdezeit eines thyristors |
| US4812892A (en) * | 1978-03-30 | 1989-03-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Light controllable thyristors |
| DE3112941A1 (de) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb |
| JP3299374B2 (ja) * | 1994-02-24 | 2002-07-08 | 三菱電機株式会社 | サイリスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3201596A (en) * | 1959-12-17 | 1965-08-17 | Westinghouse Electric Corp | Sequential trip semiconductor device |
| US3124703A (en) * | 1960-06-13 | 1964-03-10 | Figure | |
| US3210620A (en) * | 1961-10-04 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor device providing diode functions |
| BE624012A (de) * | 1961-10-27 | |||
| US3123750A (en) * | 1961-10-31 | 1964-03-03 | Multiple junction semiconductor device | |
| NL294340A (de) * | 1962-07-27 | 1900-01-01 | ||
| GB1112301A (en) * | 1964-07-27 | 1968-05-01 | Gen Electric | Controlled rectifier with improved turn-on and turn-off characteristics |
| CH472119A (de) * | 1964-11-28 | 1969-04-30 | Licentia Gmbh | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
-
1966
- 1966-07-07 SE SE9292/66A patent/SE311701B/xx unknown
-
1967
- 1967-06-27 NL NL6708955A patent/NL6708955A/xx unknown
- 1967-07-04 CH CH961267A patent/CH489912A/de not_active IP Right Cessation
- 1967-07-05 DE DE19671589455 patent/DE1589455A1/de active Pending
- 1967-07-06 GB GB31187/67A patent/GB1185734A/en not_active Expired
- 1967-07-07 US US651764A patent/US3526815A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2436408A1 (de) * | 1973-08-01 | 1975-03-06 | Hitachi Ltd | Gesteuerter halbleitergleichrichter |
| DE2625009A1 (de) * | 1975-06-04 | 1976-12-23 | Hitachi Ltd | Thyristor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE311701B (de) | 1969-06-23 |
| NL6708955A (de) | 1968-01-08 |
| US3526815A (en) | 1970-09-01 |
| GB1185734A (en) | 1970-03-25 |
| CH489912A (de) | 1970-04-30 |
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