DE1801882A1 - Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp - Google Patents
Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-TransistortypInfo
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Description
FHILCO-FORD CORPORATION, Philadelphia /Penns. (V.St.A.)
"Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp"
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp
und im besonderen einen Mefcall-Oxyd-Halbleiter-Transistor
("MOST" « "metal oxyde semiconductor transistor").
Derartige Halbleiteranordnungen vom MOST-Typ haben neuerdings
wegen ihrer zahlreichen Vorteile starke Verbreitung gefunden; au diesen Vorteilen gehören die Einfachheit der Herstellung,
ihre hohe Betriebszuverlässigkeit, der mit ihnen in integrierten Schaltanordnungen erzielbare hohe Dichtegrad, ihr
außerordentlich hoher Eingangswiderstand sowie die mit ihnen erzielbare hohe Isolation zwischen Eingangs- und Ausgangskrelsen»
Jedoch haben die MOST-Halbleiteranordnungen nach dem Stande
der Technik eine verhältnismäßig scharfe Sperr-Kennlinie, d.h., daß sie nur bei ainer Vorspannung ihrer Steuerelektrode (Tor)
innerhalb eines verhältnismäßig schmalen Spannungsbereichs mit Verstlirkungs,gewinn betrieben werden können. Versucht man,
die Verstärkung eines MOS-Transistors zu verändern, indem man.
seine Torspannung über d©n erwähnten schmalen Spannungsbereich hinaus verändert, so g^htj die Halbleiteranordnung in ihren
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Sperrzustand Über. Außerdem besteht der Nachteil, daß Eingangssignale
mit einem hohen Pegel durch einen MOST-Verstärker beschnitten werdenj und diese (unerwünschte) Besohneidung
läßt sich aus dem erwähnten Orund auoh nicht nur durch Verringerung der an den MOS-Transistor in Durchlaßrichtung
angelegten Vorspannung beseitigen.
Die Erfindung trifft somit eine Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp, insbesondere Oberflächen-Feldeffekttranslator,
bei welchem in einem eine ebene Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper von gegebenen Leitfähigkeitstyp
zwei von der Oberfläche sich in den Körper hinein erstreckende, mit Abstand voneinander angeordnete Bereiche von entgegengesetztem.
Leitfähigkeitstyp als Quelle und Senke sowie wenigstens/einem Teil der Oberfläche zwischen den in Abstand
voneinander angeordneten Quelle- und Senkebereichen eine elektrisch gegenüber der Oberfläche des Halbleiterkörpers
»isolierte Torelektrode vorgesehen sind. Durch die Erfindung soll ein Feldeffekttransistor der genannten Art geschaffen
werden, bei welchem die Nachteile der bekannten Anordnungen vermieden werden; insbesondere s.oli durch die Erfindung ein
Feldeffekttransistor mit weit hinausgeschobener Sperrung (na field effect transistor having a remote cutoff character-
lstio") und mehrere Steuerelektroden geschaffen werden,/
" art, daß der mit dem Transistor erzielbare Verstärkungsgrad
steuerbar veränderlich 1st.
Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die
Torelektrode aus einem Widerstandsmaterial besteht. Zweckmäßig kann dabei vorgesehen sein, daß zwischen der Ober-,
fläche des Halbleiterkörpers und der als.Torelektrode dienenden
Widerstandsmaterialschicht eine Schloht aus isolierendem Material vorgesehen ist. Zur äußeren Kontaktierung 1st dabei
zweckmäßig vorgesehen, daß getrennte metallische Kontakte zur Kontaktierung der Quelle- und Senkebereiche sowie zur
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Kontaktierung von in Abstand voneinander befindlichen Bereichen der als Torelektrode dienenden Widerstandsschicht vorgesehen
sind. Nach einer zweckmäßigen Ausgestaltung kann vorgesehen sein, daß die Quelle- und Senkebereiche in Abstand voneinander
und parallel zueinander angeordnete längliche Bereiche sind und daß die als Torelektrode dienende Widerstandsschicht längliche
Form besitzt und parallel zu den Quelle- und Senkebereichen angeordnet ist und in ihrer Breite mit dem Abstand
zwischen den Quelle- und Senkeberelchen übereinstimmt.
Durch diese Ausbildung gemäß der Erfindung wird ein MOS-FeIdeffekttransistor
geschaffen, der neben den oben erwähnten vorteilhaften Eigenschaften der bekannten MOS-Transistoren außerdem
eine Kennlinie mit weit hinausgeschobenem Sperrzustand ("remote cutoff characteristic") besitzt. Eine derartige Halbleiteranordnung
gemäß der Erfindung weist einen innerhalb
einfcää weiten Bereichs steuerbar veränderlichen Verstärkungsfaktor
auf, derart, daß sich die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung zur Anwendung in Fällen, wo eine steuerbare
Veränderlichkeit der Verstärkung benötigt wird, beispielsweise
in einer automatischen Verstärkungs- bzw. Schwundregelung
in einer Empfängerschaltung,, signet. Durch die Kennlinie mit
weit hinausgeschobener Sperrung erhält man auch eine Anordnung mit einem stark vergrößerten Bereich zulässiger Tor-Vorspannungen,
unter der Voraussetzung, daß der jeweilige Verstärkungsfaktor
als solcher nicht wesentlich ist. Die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung hat zusätzlich zu den
üblichen Quelle-, Senke- und Torelektroden bekannter Feldeffekttransistoren
noch eine oder mehrere zusätzliche Steuerelektroden.
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Im folgenden werden AusfUhrungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 in perspektivischer Schnittansloht einen Transistor
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung?
Fig. 2 das Schaltscheraa einer typischen Schaltung mit Verwendung
des Transistors gemäß Fig« I.
Im folgenden wird zunächst der Aufbau des in Fig. 1 gezeigten
Ausfuhrungebeispiels eines MOST-Transistors gemäß der Erfindung
beschrieben.
Der in (der nicht maßstabsgetreuen) Fig» I gezeigte MOST-Transistor
gemäß der Erfindung weist einen n-Siliziuirisubstratkörper 10 mit
Quelle- und Senkebereichen 12 bzw* 14 aus P+ Material in Form
zweier länglicher, paralleler Bereiche Innerhalb des Substratkörpers
10 und von entgegfcngüfastztem Leitfähigkeitstyp wie dieser,
auf. Auf der Oberfläche des Substratplättchens ist eine
Siliziumoxydschicht 16 erzeugt. Die Schient 16 weist öffnungen
18f und 20' über den CJueilö« bzw. Senkebereichen 12 und l4 auf, ^
durch welche Quelle- ua:l ^enke-Metallkontaktfilm® 18 b^w. 20
die betreffenden Bereiche 12 und 14 kontaktleren.
Im Hinblick auf die (weiter unten erläuterte) Herstellungsart
dieser Vorrichtung ist es besonders vorteilhaft, die Quellebsw.
Senkekontakte 18 bzw* 20 in der in der Zeichnung gezeigten
Weise aus Zweischichtfilmen herzustellen, welche aus einer
Aluminiumschicht über einer Tantalschicht bestehen. In der Zeichnung 1st nur ein Φ©11 des Quelleicont&kts Ic. dargestellt:
Jedoch kann dieser die ©leiche Form und Konfiguration wie der zur Gänze gezeigte Senkekontakt 20 besitzen.
über der Oxydschicht 16 ist oberhalb des zwischen den Quelle-
und Senkebereichen 12 und 14 sich erstreckenden Teils des Substratkörpers eine Torelektrode 22 vorgesehen. Die Breite des
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BADORiGlNAL
Tors 22 ist solcher Art, daß es In der gezeigten Weise geringfügig
mit den Quelle- und Senkebereichen 12 und 14 überlappt.
Gemäß der Erfindung besteht nun das Tor 22 aus einem Widerstandsmaterial,
vorzugsweise Tantal, derart, daß das Tor 22 einen den Bereich des Substrats zwischen den Quelle- und Senkebereichen
12 und 14 überdeckenden Widerstand darstellt. An
gegenüberliegenden Enden des Widerstands-Tors 22 sind in der
gezeigten Weise Kontakte 24 und 26, vorzugsweise aus Aluminium,
vorgesehen. Der Torkontakt 26 ist nur teilweise gez.eigt· er
ist von gleicher Art, wie der Türkontakt 24, der fast vollständig
in der Zeichnung dargestellt ist.
Das gesamte Substratplättchen ist in der gezeigten Weise mit
einem Metallsockel 28 verlötet. Bei J>0 ist der Substratkörper
mittels des Metallsockels 28 kontaktiert. Der Substratkörper ist teilweise weggebrochen gezeigt, um anzudeuten, daß zusätzliche
Schaltungselemente einschließlich weiterer Transistoren des gezeigten Typs in anderen Bereichen ces Substratkörpers
nach herkömmlichen Verfahren der Technologie der integrierten Schaltungen vorgesehen sein können» Alternativ kann in dem
auch
Substratkörper/nur ein einziger darin erzeugter Transistor vorgesehen
sein.
Im folgenden wird nun die Herste1lung des in Fig. 1 gezeigten
Ausführungsbeispiels eines MOST-Transistors gemäß der Erfindung
beschrieben.
Eine bevorzugte Herstellungsart des Transistors gemäß Fig. 1
ist wie folgt; Ausgehend von einem (mit Fhosphor dotierten) N-Substratkörper 10 mit einem spezifischen Widerstand von etwa
2 bis 3 Ohm-cm, wird Bor etwa 3 Mikron tief In unmaskierte
Bereiche der Substratoberfläche eindiffundiert, um parallele, längliche rechteckige Quelle- und Senkebereiche 12 und 14 zu
erzeugen, die einen Folien- oder Flächenwiderstand von etwa
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300 Ohm pro Flächeneinheit besitzen. Die Abmessungen der Senke- und Quellebereiche betragen Jeweils etwa 1/1000 Zoll χ 12/l000
Zoll, mit einem Trennabstand von 0,6/1000 Zoll zwischen ihnen. Während oder nach der Erzeugung der Quelle- und Senkebereiche
überdeckt eine Siliziumoxydschicht 16 die gesamte Oberfläche des Plättchens.
Als nächstes werden das Tor 22 und die Kontakte 18, 20, 24 sowie 26 zu dem Tor 22 und den Quelle- und SenVÄbereichen 12 und 14
in der folgenden Weise hergestellt: Die Oscyddlcke über der gesamten
Fläche einschließlich der Quelle- und Senkebereiche und dem Substratmaterial-Kanal zwischen ihnen wird auf einen Wert
von etwa 1500 ft verringert, und zwar entweder durch Wegätzen
der zuvor erzeugten Oxydschicht bis auf die gewünschteJDicke,
oder in der Welse, daß man das gesamte in diesem Bereich vorhandene
Oxyd entfernt und es sodann bis zu der gewünschten Dicke neu aufwächst» Sodann werden bei Iof und 20' längliche
öffnungen in der Oxydschicht erzeugt, um leitende Anschlüsse
zu den Quelle- und Senkebereichen herstellen zu können. Als nächstes wird eine Tantalschicht auf dem gesamten Plättchen
mit einer Dicke von etwa 1000 J? kathodisch aufgesprüht. Diese Tantalschicht wird in den öffnungen bei 18' und 20' abgeschieden
und erzeugt auch das Widerstands»Tor 22» Als nächstes,
und vorzugsweise ohne die Anordnung der Atmosphäre auszusetzen, wird eine Alumirdurnschicht von etwa 6000 bis 10000 Ä Dicke auf
der Tantalschicht abgeschieden. Sodann wird die Aluminiumschicht (die in der Zeichnung wesentlich dünner dargestellt ist,
als ihrer relativen Dick« bei maßstabsgetreuer Darstellung entsprachen würde) zur Erzeugung des Quell'e^kontakts 18, des
Senkekontakts 20 und der "beiden Torkonbakte 24 und 26 weggeätzt.
Danach wird das Tantal zur Formbegreri&ung des Widerstands-Tors
und auoh zur Isolierung der Aluminiunikontakte voneinander weggeätzt.
Die Höheschwankungen der Tantal- und Aluminiumschichten entsprechen grob etwa denen der Oxydschicht 16, wie gezeigt.
Die so erhaltene Vorrichtung kann sodann in herkömmlicher Weise
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gekapselt und mit Zuleitungen versehen werden»
In der vorstehenden Beschreibung und der zugehörigen Zeichnung sind spezielle Merkmale der verschiedenen Teile der Anordnung
in Pig. 1 zugrundegelegt;■ es ist festzuhalten, daß diese nur
Beispielscharakter haben und in keiner Weise den Schutzumfang der Erfindung einschränken sollen. Die Quelle- und Senkeberelche
können von der gezeigten Formgebung abweichende verschiedene Konfigurationen erhalten, und auch das Widerstandstor kann
verschiedene Konfigurationen bekommen. Der Widerstandswert des Widerstandstors zwischen den Eingangskontakten für die
Verstärkungssteuerung und den Signaleingangskontakten kann auf Jeden gewünschten praktischen Wert eingestellt werden, indem
man die Dicke, die Länge und die Breite des Tors kontrolliert,
oder durch Wärmebehandlung des Tors nach dem Fachmann bekannten
Verfahren,. Bei einem typischen Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung besaß das Tantal-Tor einen
Widerstand 10000 0hm zwischen den Kontakten 24 und 26.
Im folgenden wird nun die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 beschrieben. Da bei einem MOST-Traneistor nach dem
Stande der Technik das Tor aus einem leitenden Material hergestellt ist, ist die Spannungsdifferenz zwischen sämtlichen
Punkten auf dem Tor und der Quelle gleich. Da die Leitfähigkeit jedes Bereichs desfSubstrafckörpers unter dem Tor durch das
Potential des anliegen ' t Teils des darüber befindlichen Tors
bestimmt wird, ist die Uxtfähigkeit in allen Bereichen des
Substrats unterhalt* awt Tor die gleiche.
Demgegenüber isc bei dem MOST-Transistor gemäß der Erfindung
das Tor aus einem Widerstandsmaterial hergestellt, derart, daß seine gegenübßrliegenden Enden auf verschiedenen Potentialen
liegen und die Spannung an dem Tor in Abhängigkeit von der Jeweiligen
Stelle entlang dem Tor veränderlich ist. Somit ist auch die Leitfähigkeit des darunterliegenden Kanals gemäß einer
Funktion des Abstands in Längsrichtung veränderlich. Auf diese
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Weise kann die Größe des leitenden Teils des Substratkörpers
zwischen den Quelle- und Senkebereichen gesteuert werden. Dies ermöglicht eine sehr wirksame Steuerung der Stromleitung zwischen,
den Quelle- und Senkeelektroden und damit der Verstärkung der Schaltungsanordnung.
Beispielswelse sei angenommen, daß die über dem Widerstandstor
22 liegende Spannung so eingestellt ist, daß nur ein kleiner Teil des Substratkörpers zwischen der Quelle 12 und der Senke
leitend Ist. Falls das Schaltbauteil in einer Verstärkeranordnung eingeschaltet ist» wird ein kleiner Ruhestrom durch
diesen leitenden Teil von der Quelle zur Senke fließen. Wird an die Signaleingangselektrode, beispielsweise den Torkontakt
24, ein Eingangssignal angelegt, so wird der kleine Quelle-Senke -Ruhestrom durch dieses Eingangssignal moduliert; jedoch
wird der Verstärkungsgrad des Schaltbauteils niedrig sein, da das Eingangssignal nur einen sehr kleinen Strom zu modulieren vermag. Wird sodann die Spannung über dem Widerstandstor 22 so eingestellt, daß der gesamte Bereich des Substratkörpera zwischen der Quelle und der Senke leitend ist. so
ergibt sich ein hoher Wert des Quelle-Senke-Ruhestroms; ein nun an die Torelektrode beispielsweise mittels des Torkontakts
24 angelegtes Eingangssignal wird einen verhältnismäßig starken
Strom zu modulieren vermögen und der Verstärkungsgrad der Anordnung wird groß.
Im folgenden wird nun anhand von Fig. 2 die Verwendung des
Sohaltbauteils gemäß der Erfindung In einer typischen Schaltanordnung beschrieben. Bei 32 ist ein (hier vorgeschlagenes)
eehematisches Schaltsymbol für das neuartige Sohaltbauteil
gemäß der Erfindung angedeutet, mit den Torkontakten 24 und 26, din Senke-, Substrat- und QuelieanetfhlUsaen jeweils wie angegeben, zwischen den Senke- und Queüeelektrodif! liegen In ReiHe
miteinander eine VorspannungsqUelIe 34 und eine Yerbrauoherirapedanz 36 in Öestalt eines Widerstands; die Auegangegröße wird
an der Senkeelektrode abgenommen. Der Torkontakt 26 liegt an
'■' ' *■··"· . " ■ · - ./.
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Hasse. Bin Eingangssignal "wird aus eimer slngangssignalciuelie
38 zugeführt, die mit Masse und über sine.? Glsiehspaanungsbloekkondensator
36 mit dem Torkontakt 2- verbunden ist. Die
Signalquelle 3& kann beispielsweise äi* Sekundärwicklung eines
iransforraators, der Ausgang einer Vers iäricarstuf e, ein Signal-WaEIdIeE1
usw. sein. Bes weiteren liegt 2ϊ>1 sahen Masse und dem
Itorkontalct 24 auch eine Sigaalqueli-s %0 ".'Js* ein Signal zur
Verstärkiingssteuerung» Als Tarstäp;-aiagast'2aerung3-Signalquelle
kommt Jede beliebige Quelle isiner· veräRder-liohsa Gleichspannung
in Frage, beispielsweise eins EndklsKEs uni eine Mittelanzapf^ing
an einem strcwäuz'Qhflossenen Potentiometer, eine automatische Schwundregelung iß einer Empfäng^raahaltung usw.
Alternativ kann auch ein Weaifaseistrommoiiu t?.ti©nssigisal anstelle
eiaer Steuerglelabspannung rerwecdefc v/erd^ri,. falls die veränderliche
TerstärkungsciBrakterlsfelk des Schaltelements gemäß der
Erfindung zur ÄtsplitudeoasGdulation äss Eiosangsaignals verwendet
werden soll.
Selbstverständlich könnten die Eingangs- und Steuersignalquellen 38 bzw. #0 mit den iüorkontakten 2% und 26 auah auf verschiedene
andere Weisen verbunden sein, wie für den Fachmann ohne weiteres ersichtlich. Beispielsweise kann die Signalquelle
38 zwischen dem Kontakt 26 und Masse und die Signalquelle 40
zwischen dem Kontakt 24 und Masse liegen. Des weiteren könnte
auch der Äusgangskreis gegenüber der gezeigten speziellen Ausbildung
in verschiedener, dem Fachmann geläufiger Weise abgehandelt
werden.
Wie weiter oben bereits für die Anordnung gemSß Fig. 1 beschrieben,
Lst3 wenn das Verstärkungs-Steuersignal seinen negativsten Wert besitzt 3 der gesamte Teil des Substratkörpers
zwischen de:« Quelle- und der Senkeelektrode leitend, derart, daß sich ein hoher QuelXe-Senke-Strom ergibt. Bas von der Signalquells
38 gelieferte Eingangssignal wird daher an den Ausgangsklemmen
stark verstärkt auftreten.
•A 909822/0877 0Ri®
Wird di© Spannung von der Yerstärlomgssteuensiielle 4© weniger
negativ gemacht* so nimmt hierdurch der Qaelle-Senke-Buhestroai
und damit die Yerstlrkung der Schaltungsanordnung entsprechend
ab. In den MaSex als die Spannung voa dei· Qualle %0 mein· positiv
wird, nimut der Ruhestrom weiter ab, bis die ¥er3tSrkung auf
Null zurückgeht. Mit Schaltungsanordnung gsslß der Erfindung
wurden IFerstärkuogssteuerbereiehe von durchschnittlich etwa
34 Dezibel beobachtet, und die Sdia.ltungserioröoyrigen konnten
so vorgespannt werden, daS starke Eingangssignal« nieist; beschnitten
wurden»
In dem Patent ....···*..·»·· (Patentanmeldung F 16 14 335.4 P
41 898 ¥IIIe/21g - dar gleichen Asmeldsrin vom 14. April 1967
mit Prioritätsbeanspruehting vom 15* April I966 aus der US-Patent*
anmeldung Ser.Mo. 542 94?) sind verschiedene Arten von M0S'a
Transistoren mit melireF®Ei Steuerelektroöea beschriefeeß, Die
vorliegende Erfindung eignet sieh zur Anwendung bei derartigen
MOST-Üiransistoren zur Erzielung von Schelfcusgaanordnuiigen mit
steuerbar veränderlicher Verstärkung und weit hinausgeschobener
Sperrung ("remote outcff gain controllable device™)- Hierzu
können eine oder mehrere der Steuerelektä'oden bei der Schaltungsanordnung
gemäß des; vorstehend erwähnten Patent ..............
(Patentanmeldung P 16 14 335.4} nach der Lahra derWrliegenden
Erfindung aus Widerstasiäsmatarial hergestellt und entsprechend
der vorliegenden Brfladung vorgespannt werdsii. Auf dieas
Weise lasss-n sich MOS-Translatorpentoöen^ S?stoG3ß usw. gemäß
der Erfindung mit st@u@ri3ar©r Verstärkung und weit hinausgeschobenen
Sperrzustand erzielen.
Dia Erfindung wurde vorstehend anhand eisias bevorzugten Ausführungsbeispiels
beschrieben, das Jedoch In Mannigfachen Einzelheiten abwandelbar 1st, wie für den Faafeaaan ohne
Kai181*38 ersichtlich iac«. Ben Besonderheiten des beschriebenen
Ausführungsbeispiels soll keine einschränkende Bedeutung zukommen.
- Patentansprüche 909822/0877
Claims (7)
1. Halbleiteranordnung τοβ Feldeffekt-Transistortyp, insbesondere
Oberfläehenfeldeffekttransistor, bei welchem in einem eine ebene Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper von gegebenen
LeitfShigiceitstyp zwei von der Oberfläche sich in den Körper
hinein erstreckende, alt Abstand voneinander angeordnete Bereiche τοη entgegengesetztem Leitfähigfceltstyp als Quelle
und Senke sowie wenigstens über einernTeil der Oberfläche
zwischen den in Abstand voneinander angeordneten Quelle- und Senkebereichen eine elektrisch gegenüber der Oberfläche des
Halbleiterkörpers isolierte Torelektrode vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Torelektrode
(22) aus einem Widerstandsmaterial besteht.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, dafi zwischen der Oberfläche des Ha'lbleiterkörpers (10) und der als Torelektrode dienenden Widerstandsmaterialschlcht (22) eine Schicht (16) aus isolierendem Material
vorgesehen 1st.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daS der Kalbleiterkörper (10) au3 Silizium,
die Isolierschicht (16) aus einem Siliziumoxyd und die als
Torelektrode dienende Widerstandsmaterialschicht (22) aus
Tantal bestehen.
4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß getrennte netallische Kontakte (18, 20, 24, 26) zur Kontaktierung
der Quelle- und Senkeberelche (12 bzw* 14) sowie zur Kontaktierung von in Abstand voneinander befindlichen Bereichen
der ale Torelektrode dienenden Widerstandeschicht (22) vorgesehen sind.
•A 909822/0877
5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Quelle« und Senkebereiche (12 bzw. 14) in Abstand voneinander und parallel zueinander angeordnete längliche Bereiche sind
und daß die als Torelektrode dienende Wldersfcandsschioht
(22) längliche Form besitzt und parallel zn den Quelle- und · Senkebereichen angeordnet ist und in ihrer Bereite niit dem
Abstand zwischen den Quell®- und Senkeberoichen (12, 14)
überelnstimnit,
6» Halbleiteranordnung nach Anspruch 5* dadurch g e k e η η fc
zeichnet, daß die Kontakte (24, 26). zu dem aus
Widerstandsmaterial bestehenden Tor (22) an in Abstand entlang
der Längsrichtung voneinander gelegenen Stellen und
vorzugsweise an den in Längsrichtung gegenüberliegenden Enden der Widerstands-Torelektrod® vorgesehen sind.
7. Schaltungsanordnung unter Verwendung einer Halbleiteranordnung nach einem oder ii®hrer©n der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet'* daß zwischen der
Quelle- und der Senkealektrode in Reih® eine Vorspannquelle
(34, Fig. 2) und ©in© Lastimpedanz (36) vorgesehen sind, daß Schaltmittel (40) zum Anlegen einer ale Verstärkungssteuerung
dienenden Potentialdiffarenz zwischen d®n gegenüberliegenden
) Enden (24, 26) der als Torelektrode dienenden Wlderstandssohicht
(22) vorgesehen sind* und daß Schaltssittel (38) zum
Anlegan eines Eingangssignals zwischen einem Ende (24) der
als Torelektrode dienenden Widerstandsschlcht und einem
Bezugspunkt (Massa) des die Vorspannquells (34) und die Lastimpedanz
.(36) aufweisenden Ausgangskroises vorgesehen sind.
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-s/3-
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE19681801882 Pending DE1801882A1 (de) | 1967-10-09 | 1968-10-08 | Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1801882A1 (de) |
| FR (1) | FR1572934A (de) |
| GB (1) | GB1225399A (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2263149A1 (de) * | 1971-12-24 | 1973-07-19 | Nippon Electric Co | Oberflaechen-feldeffekt-transistor mit niedriger und stabiler tor-schwellwertspannung |
| FR2203173A1 (de) * | 1972-10-16 | 1974-05-10 | Itt | |
| FR2355378A1 (fr) * | 1976-06-16 | 1978-01-13 | Philips Nv | Dispositif pour melanger des signaux |
| FR2527867A1 (fr) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Mingam Herve | Circuit analogique inverseur a transistor a effet de champ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IE33320B1 (en) * | 1968-10-10 | 1974-05-15 | Gen Electric | Voltage- controllable capacitor |
| FI103617B1 (fi) * | 1997-09-01 | 1999-07-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kanavatransistorit |
-
1968
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- 1968-10-08 DE DE19681801882 patent/DE1801882A1/de active Pending
- 1968-10-09 GB GB1225399D patent/GB1225399A/en not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2263149A1 (de) * | 1971-12-24 | 1973-07-19 | Nippon Electric Co | Oberflaechen-feldeffekt-transistor mit niedriger und stabiler tor-schwellwertspannung |
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| FR2355378A1 (fr) * | 1976-06-16 | 1978-01-13 | Philips Nv | Dispositif pour melanger des signaux |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1572934A (de) | 1969-06-27 |
| GB1225399A (de) | 1971-03-17 |
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