DE1801882A1

DE1801882A1 - Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp

Info

Publication number: DE1801882A1
Application number: DE19681801882
Authority: DE
Inventors: Schlegel Earl S
Original assignee: Philco Ford Corp
Current assignee: Maxar Space LLC
Priority date: 1967-10-09
Filing date: 1968-10-08
Publication date: 1969-05-29
Also published as: GB1225399A; FR1572934A

Description

FHILCO-FORD CORPORATION, Philadelphia /Penns. (V.St.A.)

"Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp"

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp und im besonderen einen Mefcall-Oxyd-Halbleiter-Transistor ("MOST" « "metal oxyde semiconductor transistor").

Derartige Halbleiteranordnungen vom MOST-Typ haben neuerdings wegen ihrer zahlreichen Vorteile starke Verbreitung gefunden; au diesen Vorteilen gehören die Einfachheit der Herstellung, ihre hohe Betriebszuverlässigkeit, der mit ihnen in integrierten Schaltanordnungen erzielbare hohe Dichtegrad, ihr außerordentlich hoher Eingangswiderstand sowie die mit ihnen erzielbare hohe Isolation zwischen Eingangs- und Ausgangskrelsen»

Jedoch haben die MOST-Halbleiteranordnungen nach dem Stande der Technik eine verhältnismäßig scharfe Sperr-Kennlinie, d.h., daß sie nur bei ainer Vorspannung ihrer Steuerelektrode (Tor) innerhalb eines verhältnismäßig schmalen Spannungsbereichs mit Verstlirkungs,gewinn betrieben werden können. Versucht man, die Verstärkung eines MOS-Transistors zu verändern, indem man. seine Torspannung über d©n erwähnten schmalen Spannungsbereich hinaus verändert, so g^htj die Halbleiteranordnung in ihren

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Sperrzustand Über. Außerdem besteht der Nachteil, daß Eingangssignale mit einem hohen Pegel durch einen MOST-Verstärker beschnitten werdenj und diese (unerwünschte) Besohneidung läßt sich aus dem erwähnten Orund auoh nicht nur durch Verringerung der an den MOS-Transistor in Durchlaßrichtung angelegten Vorspannung beseitigen.

Die Erfindung trifft somit eine Halbleiteranordnung vom Feldeffekt-Transistortyp, insbesondere Oberflächen-Feldeffekttranslator, bei welchem in einem eine ebene Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper von gegebenen Leitfähigkeitstyp zwei von der Oberfläche sich in den Körper hinein erstreckende, mit Abstand voneinander angeordnete Bereiche von entgegengesetztem. Leitfähigkeitstyp als Quelle und Senke sowie wenigstens/einem Teil der Oberfläche zwischen den in Abstand voneinander angeordneten Quelle- und Senkebereichen eine elektrisch gegenüber der Oberfläche des Halbleiterkörpers »isolierte Torelektrode vorgesehen sind. Durch die Erfindung soll ein Feldeffekttransistor der genannten Art geschaffen werden, bei welchem die Nachteile der bekannten Anordnungen vermieden werden; insbesondere s.oli durch die Erfindung ein Feldeffekttransistor mit weit hinausgeschobener Sperrung (ⁿa field effect transistor having a remote cutoff character-

lstio") und mehrere Steuerelektroden geschaffen werden,/ " art, daß der mit dem Transistor erzielbare Verstärkungsgrad steuerbar veränderlich 1st.

Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die Torelektrode aus einem Widerstandsmaterial besteht. Zweckmäßig kann dabei vorgesehen sein, daß zwischen der Ober-, fläche des Halbleiterkörpers und der als.Torelektrode dienenden Widerstandsmaterialschicht eine Schloht aus isolierendem Material vorgesehen ist. Zur äußeren Kontaktierung 1st dabei zweckmäßig vorgesehen, daß getrennte metallische Kontakte zur Kontaktierung der Quelle- und Senkebereiche sowie zur

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Kontaktierung von in Abstand voneinander befindlichen Bereichen der als Torelektrode dienenden Widerstandsschicht vorgesehen sind. Nach einer zweckmäßigen Ausgestaltung kann vorgesehen sein, daß die Quelle- und Senkebereiche in Abstand voneinander und parallel zueinander angeordnete längliche Bereiche sind und daß die als Torelektrode dienende Widerstandsschicht längliche Form besitzt und parallel zu den Quelle- und Senkebereichen angeordnet ist und in ihrer Breite mit dem Abstand zwischen den Quelle- und Senkeberelchen übereinstimmt.

Durch diese Ausbildung gemäß der Erfindung wird ein MOS-FeIdeffekttransistor geschaffen, der neben den oben erwähnten vorteilhaften Eigenschaften der bekannten MOS-Transistoren außerdem eine Kennlinie mit weit hinausgeschobenem Sperrzustand ("remote cutoff characteristic") besitzt. Eine derartige Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung weist einen innerhalb einfcää weiten Bereichs steuerbar veränderlichen Verstärkungsfaktor auf, derart, daß sich die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung zur Anwendung in Fällen, wo eine steuerbare Veränderlichkeit der Verstärkung benötigt wird, beispielsweise in einer automatischen Verstärkungs- bzw. Schwundregelung in einer Empfängerschaltung,, signet. Durch die Kennlinie mit weit hinausgeschobener Sperrung erhält man auch eine Anordnung mit einem stark vergrößerten Bereich zulässiger Tor-Vorspannungen, unter der Voraussetzung, daß der jeweilige Verstärkungsfaktor als solcher nicht wesentlich ist. Die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung hat zusätzlich zu den üblichen Quelle-, Senke- und Torelektroden bekannter Feldeffekttransistoren noch eine oder mehrere zusätzliche Steuerelektroden.

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Im folgenden werden AusfUhrungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:

Fig. 1 in perspektivischer Schnittansloht einen Transistor gemäß einer Ausführungsform der Erfindung?

Fig. 2 das Schaltscheraa einer typischen Schaltung mit Verwendung des Transistors gemäß Fig« I.

Im folgenden wird zunächst der Aufbau des in Fig. 1 gezeigten Ausfuhrungebeispiels eines MOST-Transistors gemäß der Erfindung beschrieben.

Der in (der nicht maßstabsgetreuen) Fig» I gezeigte MOST-Transistor gemäß der Erfindung weist einen n-Siliziuirisubstratkörper 10 mit Quelle- und Senkebereichen 12 bzw* 14 aus P+ Material in Form zweier länglicher, paralleler Bereiche Innerhalb des Substratkörpers 10 und von entgegfcngüfastztem Leitfähigkeitstyp wie dieser, auf. Auf der Oberfläche des Substratplättchens ist eine Siliziumoxydschicht 16 erzeugt. Die Schient 16 weist öffnungen 18^f und 20' über den CJueilö« bzw. Senkebereichen 12 und l4 auf, ^ durch welche Quelle- ua:l ^enke-Metallkontaktfilm® 18 b^w. 20 die betreffenden Bereiche 12 und 14 kontaktleren.

Im Hinblick auf die (weiter unten erläuterte) Herstellungsart dieser Vorrichtung ist es besonders vorteilhaft, die Quellebsw. Senkekontakte 18 bzw* 20 in der in der Zeichnung gezeigten Weise aus Zweischichtfilmen herzustellen, welche aus einer Aluminiumschicht über einer Tantalschicht bestehen. In der Zeichnung 1st nur ein Φ©11 des Quelleicont&kts Ic. dargestellt: Jedoch kann dieser die ©leiche Form und Konfiguration wie der zur Gänze gezeigte Senkekontakt 20 besitzen.

über der Oxydschicht 16 ist oberhalb des zwischen den Quelle- und Senkebereichen 12 und 14 sich erstreckenden Teils des Substratkörpers eine Torelektrode 22 vorgesehen. Die Breite des

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BADORiGlNAL

Tors 22 ist solcher Art, daß es In der gezeigten Weise geringfügig mit den Quelle- und Senkebereichen 12 und 14 überlappt.

Gemäß der Erfindung besteht nun das Tor 22 aus einem Widerstandsmaterial, vorzugsweise Tantal, derart, daß das Tor 22 einen den Bereich des Substrats zwischen den Quelle- und Senkebereichen 12 und 14 überdeckenden Widerstand darstellt. An gegenüberliegenden Enden des Widerstands-Tors 22 sind in der gezeigten Weise Kontakte 24 und 26, vorzugsweise aus Aluminium, vorgesehen. Der Torkontakt 26 ist nur teilweise gez.eigt· er ist von gleicher Art, wie der Türkontakt 24, der fast vollständig in der Zeichnung dargestellt ist.

Das gesamte Substratplättchen ist in der gezeigten Weise mit einem Metallsockel 28 verlötet. Bei J>0 ist der Substratkörper mittels des Metallsockels 28 kontaktiert. Der Substratkörper ist teilweise weggebrochen gezeigt, um anzudeuten, daß zusätzliche Schaltungselemente einschließlich weiterer Transistoren des gezeigten Typs in anderen Bereichen ces Substratkörpers nach herkömmlichen Verfahren der Technologie der integrierten Schaltungen vorgesehen sein können» Alternativ kann in dem

auch

Substratkörper/nur ein einziger darin erzeugter Transistor vorgesehen sein.

Im folgenden wird nun die Herste¹lung des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels eines MOST-Transistors gemäß der Erfindung beschrieben.

Eine bevorzugte Herstellungsart des Transistors gemäß Fig. 1 ist wie folgt; Ausgehend von einem (mit Fhosphor dotierten) N-Substratkörper 10 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 2 bis 3 Ohm-cm, wird Bor etwa 3 Mikron tief In unmaskierte Bereiche der Substratoberfläche eindiffundiert, um parallele, längliche rechteckige Quelle- und Senkebereiche 12 und 14 zu erzeugen, die einen Folien- oder Flächenwiderstand von etwa

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300 Ohm pro Flächeneinheit besitzen. Die Abmessungen der Senke- und Quellebereiche betragen Jeweils etwa 1/1000 Zoll χ 12/l000 Zoll, mit einem Trennabstand von 0,6/1000 Zoll zwischen ihnen. Während oder nach der Erzeugung der Quelle- und Senkebereiche überdeckt eine Siliziumoxydschicht 16 die gesamte Oberfläche des Plättchens.

Als nächstes werden das Tor 22 und die Kontakte 18, 20, 24 sowie 26 zu dem Tor 22 und den Quelle- und SenVÄbereichen 12 und 14 in der folgenden Weise hergestellt: Die Oscyddlcke über der gesamten Fläche einschließlich der Quelle- und Senkebereiche und dem Substratmaterial-Kanal zwischen ihnen wird auf einen Wert von etwa 1500 ft verringert, und zwar entweder durch Wegätzen der zuvor erzeugten Oxydschicht bis auf die gewünschteJDicke, oder in der Welse, daß man das gesamte in diesem Bereich vorhandene Oxyd entfernt und es sodann bis zu der gewünschten Dicke neu aufwächst» Sodann werden bei Io^f und 20' längliche öffnungen in der Oxydschicht erzeugt, um leitende Anschlüsse zu den Quelle- und Senkebereichen herstellen zu können. Als nächstes wird eine Tantalschicht auf dem gesamten Plättchen mit einer Dicke von etwa 1000 J? kathodisch aufgesprüht. Diese Tantalschicht wird in den öffnungen bei 18' und 20' abgeschieden und erzeugt auch das Widerstands»Tor 22» Als nächstes, und vorzugsweise ohne die Anordnung der Atmosphäre auszusetzen, wird eine Alumirdurnschicht von etwa 6000 bis 10000 Ä Dicke auf der Tantalschicht abgeschieden. Sodann wird die Aluminiumschicht (die in der Zeichnung wesentlich dünner dargestellt ist, als ihrer relativen Dick« bei maßstabsgetreuer Darstellung entsprachen würde) zur Erzeugung des Quell'e^kontakts 18, des Senkekontakts 20 und der "beiden Torkonbakte 24 und 26 weggeätzt. Danach wird das Tantal zur Formbegreri&ung des Widerstands-Tors

und auoh zur Isolierung der Aluminiunikontakte voneinander weggeätzt. Die Höheschwankungen der Tantal- und Aluminiumschichten entsprechen grob etwa denen der Oxydschicht 16, wie gezeigt. Die so erhaltene Vorrichtung kann sodann in herkömmlicher Weise

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gekapselt und mit Zuleitungen versehen werden»

In der vorstehenden Beschreibung und der zugehörigen Zeichnung sind spezielle Merkmale der verschiedenen Teile der Anordnung in Pig. 1 zugrundegelegt;■ es ist festzuhalten, daß diese nur Beispielscharakter haben und in keiner Weise den Schutzumfang der Erfindung einschränken sollen. Die Quelle- und Senkeberelche können von der gezeigten Formgebung abweichende verschiedene Konfigurationen erhalten, und auch das Widerstandstor kann verschiedene Konfigurationen bekommen. Der Widerstandswert des Widerstandstors zwischen den Eingangskontakten für die Verstärkungssteuerung und den Signaleingangskontakten kann auf Jeden gewünschten praktischen Wert eingestellt werden, indem man die Dicke, die Länge und die Breite des Tors kontrolliert, oder durch Wärmebehandlung des Tors nach dem Fachmann bekannten Verfahren,. Bei einem typischen Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung besaß das Tantal-Tor einen Widerstand 10000 0hm zwischen den Kontakten 24 und 26.

Im folgenden wird nun die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 beschrieben. Da bei einem MOST-Traneistor nach dem Stande der Technik das Tor aus einem leitenden Material hergestellt ist, ist die Spannungsdifferenz zwischen sämtlichen Punkten auf dem Tor und der Quelle gleich. Da die Leitfähigkeit jedes Bereichs desfSubstrafckörpers unter dem Tor durch das Potential des anliegen ' t Teils des darüber befindlichen Tors bestimmt wird, ist die Uxtfähigkeit in allen Bereichen des Substrats unterhalt* awt Tor die gleiche.

Demgegenüber isc bei dem MOST-Transistor gemäß der Erfindung das Tor aus einem Widerstandsmaterial hergestellt, derart, daß seine gegenübßrliegenden Enden auf verschiedenen Potentialen liegen und die Spannung an dem Tor in Abhängigkeit von der Jeweiligen Stelle entlang dem Tor veränderlich ist. Somit ist auch die Leitfähigkeit des darunterliegenden Kanals gemäß einer Funktion des Abstands in Längsrichtung veränderlich. Auf diese

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Weise kann die Größe des leitenden Teils des Substratkörpers zwischen den Quelle- und Senkebereichen gesteuert werden. Dies ermöglicht eine sehr wirksame Steuerung der Stromleitung zwischen, den Quelle- und Senkeelektroden und damit der Verstärkung der Schaltungsanordnung.

Beispielswelse sei angenommen, daß die über dem Widerstandstor 22 liegende Spannung so eingestellt ist, daß nur ein kleiner Teil des Substratkörpers zwischen der Quelle 12 und der Senke leitend Ist. Falls das Schaltbauteil in einer Verstärkeranordnung eingeschaltet ist» wird ein kleiner Ruhestrom durch diesen leitenden Teil von der Quelle zur Senke fließen. Wird an die Signaleingangselektrode, beispielsweise den Torkontakt 24, ein Eingangssignal angelegt, so wird der kleine Quelle-Senke -Ruhestrom durch dieses Eingangssignal moduliert; jedoch wird der Verstärkungsgrad des Schaltbauteils niedrig sein, da das Eingangssignal nur einen sehr kleinen Strom zu modulieren vermag. Wird sodann die Spannung über dem Widerstandstor 22 so eingestellt, daß der gesamte Bereich des Substratkörpera zwischen der Quelle und der Senke leitend ist. so ergibt sich ein hoher Wert des Quelle-Senke-Ruhestroms; ein nun an die Torelektrode beispielsweise mittels des Torkontakts 24 angelegtes Eingangssignal wird einen verhältnismäßig starken Strom zu modulieren vermögen und der Verstärkungsgrad der Anordnung wird groß.

Im folgenden wird nun anhand von Fig. 2 die Verwendung des Sohaltbauteils gemäß der Erfindung In einer typischen Schaltanordnung beschrieben. Bei 32 ist ein (hier vorgeschlagenes) eehematisches Schaltsymbol für das neuartige Sohaltbauteil gemäß der Erfindung angedeutet, mit den Torkontakten 24 und 26, din Senke-, Substrat- und QuelieanetfhlUsaen jeweils wie angegeben, zwischen den Senke- und Queüeelektrodif! liegen In ReiHe miteinander eine VorspannungsqUelIe 34 und eine Yerbrauoherirapedanz 36 in Öestalt eines Widerstands; die Auegangegröße wird an der Senkeelektrode abgenommen. Der Torkontakt 26 liegt an '■' ' *■··"· . " ■ · - ./.

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Hasse. Bin Eingangssignal "wird aus eimer slngangssignalciuelie 38 zugeführt, die mit Masse und über sine.? Glsiehspaanungsbloekkondensator 36 mit dem Torkontakt 2- verbunden ist. Die Signalquelle 3& kann beispielsweise äi* Sekundärwicklung eines iransforraators, der Ausgang einer Vers iäricarstuf e, ein Signal-WaEIdIeE¹ usw. sein. Bes weiteren liegt 2ϊ>1 sahen Masse und dem Itorkontalct 24 auch eine Sigaalqueli-s %0 ".'Js* ein Signal zur Verstärkiingssteuerung» Als Tarstäp;-aiagast'2aerung3-Signalquelle kommt Jede beliebige Quelle isiner· veräRder-liohsa Gleichspannung in Frage, beispielsweise eins EndklsKEs uni eine Mittelanzapf^ing an einem strcwäuz'Qhflossenen Potentiometer, eine automatische Schwundregelung iß einer Empfäng^raahaltung usw. Alternativ kann auch ein Weaifaseistrommoiiu t?.ti©nssigisal anstelle eiaer Steuerglelabspannung rerwecdefc v/erd^ri,. falls die veränderliche TerstärkungsciBrakterlsfelk des Schaltelements gemäß der Erfindung zur ÄtsplitudeoasGdulation äss Eiosangsaignals verwendet werden soll.

Selbstverständlich könnten die Eingangs- und Steuersignalquellen 38 bzw. #0 mit den iüorkontakten 2% und 26 auah auf verschiedene andere Weisen verbunden sein, wie für den Fachmann ohne weiteres ersichtlich. Beispielsweise kann die Signalquelle 38 zwischen dem Kontakt 26 und Masse und die Signalquelle 40 zwischen dem Kontakt 24 und Masse liegen. Des weiteren könnte auch der Äusgangskreis gegenüber der gezeigten speziellen Ausbildung in verschiedener, dem Fachmann geläufiger Weise abgehandelt werden.

Wie weiter oben bereits für die Anordnung gemSß Fig. 1 beschrieben, Lst₃ wenn das Verstärkungs-Steuersignal seinen negativsten Wert besitzt ₃ der gesamte Teil des Substratkörpers zwischen de:« Quelle- und der Senkeelektrode leitend, derart, daß sich ein hoher QuelXe-Senke-Strom ergibt. Bas von der Signalquells 38 gelieferte Eingangssignal wird daher an den Ausgangsklemmen stark verstärkt auftreten.

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Wird di© Spannung von der Yerstärlomgssteuensiielle 4© weniger negativ gemacht* so nimmt hierdurch der Qaelle-Senke-Buhestroai und damit die Yerstlrkung der Schaltungsanordnung entsprechend ab. In den MaSe_x als die Spannung voa dei· Qualle %0 mein· positiv wird, nimut der Ruhestrom weiter ab, bis die ¥er3tSrkung auf Null zurückgeht. Mit Schaltungsanordnung gsslß der Erfindung wurden IFerstärkuogssteuerbereiehe von durchschnittlich etwa 34 Dezibel beobachtet, und die Sdia.ltungserioröoyrigen konnten so vorgespannt werden, daS starke Eingangssignal« nieist; beschnitten wurden»

In dem Patent ....···*..·»·· (Patentanmeldung F 16 14 335.4 P 41 898 ¥IIIe/21g - dar gleichen Asmeldsrin vom 14. April 1967 mit Prioritätsbeanspruehting vom 15* April I966 aus der US-Patent* anmeldung Ser.Mo. 542 94?) sind verschiedene Arten von M0S'^a Transistoren mit melireF®Ei Steuerelektroöea beschriefeeß, Die vorliegende Erfindung eignet sieh zur Anwendung bei derartigen MOST-Üiransistoren zur Erzielung von Schelfcusgaanordnuiigen mit steuerbar veränderlicher Verstärkung und weit hinausgeschobener Sperrung ("remote outcff gain controllable device™)- Hierzu können eine oder mehrere der Steuerelektä'oden bei der Schaltungsanordnung gemäß des; vorstehend erwähnten Patent .............. (Patentanmeldung P 16 14 335.4} nach der Lahra derWrliegenden Erfindung aus Widerstasiäsmatarial hergestellt und entsprechend der vorliegenden Brfladung vorgespannt werdsii. Auf dieas Weise lasss-n sich MOS-Translatorpentoöen^ S?stoG3ß usw. gemäß der Erfindung mit st@u@ri3ar©r Verstärkung und weit hinausgeschobenen Sperrzustand erzielen.

Dia Erfindung wurde vorstehend anhand eisias bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben, das Jedoch In Mannigfachen Einzelheiten abwandelbar 1st, wie für den Faafeaaan ohne Kai181*38 ersichtlich iac«. Ben Besonderheiten des beschriebenen Ausführungsbeispiels soll keine einschränkende Bedeutung zukommen.

- Patentansprüche 909822/0877

Claims

Patentansprüche

1. Halbleiteranordnung τοβ Feldeffekt-Transistortyp, insbesondere Oberfläehenfeldeffekttransistor, bei welchem in einem eine ebene Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper von gegebenen LeitfShigiceitstyp zwei von der Oberfläche sich in den Körper hinein erstreckende, alt Abstand voneinander angeordnete Bereiche τοη entgegengesetztem Leitfähigfceltstyp als Quelle und Senke sowie wenigstens über einernTeil der Oberfläche zwischen den in Abstand voneinander angeordneten Quelle- und Senkebereichen eine elektrisch gegenüber der Oberfläche des Halbleiterkörpers isolierte Torelektrode vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Torelektrode (22) aus einem Widerstandsmaterial besteht.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, dafi zwischen der Oberfläche des Ha'lbleiterkörpers (10) und der als Torelektrode dienenden Widerstandsmaterialschlcht (22) eine Schicht (16) aus isolierendem Material vorgesehen 1st.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daS der Kalbleiterkörper (10) au3 Silizium, die Isolierschicht (16) aus einem Siliziumoxyd und die als Torelektrode dienende Widerstandsmaterialschicht (22) aus Tantal bestehen.

4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß getrennte netallische Kontakte (18, 20, 24, 26) zur Kontaktierung der Quelle- und Senkeberelche (12 bzw* 14) sowie zur Kontaktierung von in Abstand voneinander befindlichen Bereichen der ale Torelektrode dienenden Widerstandeschicht (22) vorgesehen sind.

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5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle« und Senkebereiche (12 bzw. 14) in Abstand voneinander und parallel zueinander angeordnete längliche Bereiche sind und daß die als Torelektrode dienende Wldersfcandsschioht (22) längliche Form besitzt und parallel zn den Quelle- und · Senkebereichen angeordnet ist und in ihrer Bereite niit dem Abstand zwischen den Quell®- und Senkeberoichen (12, 14) überelnstimnit,

6» Halbleiteranordnung nach Anspruch 5* dadurch g e k e η η fc zeichnet, daß die Kontakte (24, 26). zu dem aus Widerstandsmaterial bestehenden Tor (22) an in Abstand entlang der Längsrichtung voneinander gelegenen Stellen und vorzugsweise an den in Längsrichtung gegenüberliegenden Enden der Widerstands-Torelektrod® vorgesehen sind.

7. Schaltungsanordnung unter Verwendung einer Halbleiteranordnung nach einem oder ii®hrer©n der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet'* daß zwischen der Quelle- und der Senkealektrode in Reih® eine Vorspannquelle (34, Fig. 2) und ©in© Lastimpedanz (36) vorgesehen sind, daß Schaltmittel (40) zum Anlegen einer ale Verstärkungssteuerung dienenden Potentialdiffarenz zwischen d®n gegenüberliegenden ) Enden (24, 26) der als Torelektrode dienenden Wlderstandssohicht (22) vorgesehen sind* und daß Schaltssittel (38) zum Anlegan eines Eingangssignals zwischen einem Ende (24) der als Torelektrode dienenden Widerstandsschlcht und einem Bezugspunkt (Massa) des die Vorspannquells (34) und die Lastimpedanz .(36) aufweisenden Ausgangskroises vorgesehen sind.

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