DE1614250B2 - Halbleiteranordnung mit gruppen von sich kreuzenden verbindungen - Google Patents

Halbleiteranordnung mit gruppen von sich kreuzenden verbindungen

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DE1614250B2 DE1967N0030518 DEN0030518A DE1614250B2 DE 1614250 B2 DE1614250 B2 DE 1614250B2 DE 1967N0030518 DE1967N0030518 DE 1967N0030518 DE N0030518 A DEN0030518 A DE N0030518A DE 1614250 B2 DE1614250 B2 DE 1614250B2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der wenigstens einseitig mit einer Isolierschicht versehen ist, auf welcher Seite zwei sich kreuzende Gruppen von Verbindungen angebracht sind, die je aus einer Vielzahl zueinander praktisch paralleler, streifenförmiger, elektrisch leitender Verbindungen bestehen, wobei eine Gruppe aus auf der Isolierschicht angebrachten ununterbrochenen Metallschichten besteht und wobei eine zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung eine Metallschicht enthält, die an der Stelle der Kreuzungen unterbrochen ist und sich dort an eine unter der Isolierschicht liegende, unter der kreuzenden Verbindung der ersten Gruppe hindurchgehende, leitende Oberflächenzone des einen Leitungstyps anschließt, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben ist, und wobei eine Anzahl von Schaltungselementen im Körper angebracht ist, die an wenigstens einigen Kreuzungen mit beiden sich kreuzenden Verbindungen verbunden sind.
Solche Halbleiteranordnungen sind als integrierte Schaltungen in der Halbleitertechnik allgemein bekannt, siehe z. B. »Transactions of the Metallurgical Society of AIME«, Bd.233 (1965), It. 3, 578-587, und bilden u.a. feste Speicher oder Kreuzschienensysteme.
Unter einem Schaltungselement werden hier und im nachstehenden nicht nur einzelne Elemente wie Transistoren, Dioden usw. verstanden, sondern auch
z. B. bistabile Elemente, die an sich wieder aus einer Anzahl einzelner Elemente aufgebaut sind, wie Flip-Flopschaltungen usw.
In der Praxis war man bisher bestrebt, beide sich kreuzenden Verbindungen in Form von Metallschichten auszubilden, die als Vorteil einen äußerst geringen elektrischen Widerstand zwischen den Kreuzungen haben. Man hat bereits versucht, diese sich kreuzenden Metallschichten mittels Isolierschichten an den Kreuzungen voneinander zu trennen, um Kurzschluß zu vermeiden; es zeigte sich jedoch in der Praxis, daß diese Möglichkeit viele Schwierigkeiten mit sich bringt.
Darum hat man bisher in der Praxis die Kreuzungen immer derart ausgebildet, daß eine Gruppe aus auf der Isolierschicht angebrachten, ununterbrochenen Metallschichten besteht. Eine zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung besteht dann ebenfalls aus einer Metallschicht, die jedoch an der Stelle einer Kreuzung unterbrochen ist und sich an eine unter der Isolierschicht liegende eindiffundierte Oberflächenzone an-
schließt, die mittels eines oder mehrerer pn-Übergänge vom übrigen Teil des Halbleiterkörpers isoliert ist Die zweite Gruppe von Verbindungen wird also im wesentlichen ebenfalls durch Metallschichten gebildet, allein mit dem Unterschied, daß sie nur in der Nähe der Kreuzungen unterbrochen sind und durch nur an diesen Stellen angebrachte eindiffundierte Zonen im Halbleiterkörper verlaufen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, die eine hohe Zuverlässigkeit im Hinblick auf die sich kreuzenden Verbindungen aufweist, bei der der Oberflächenleckstrom stark herabgesetzt ist und Kurzschlüsse zwischen den sich kreuzenden Leitungen
vermieden ist, und die einfacher herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die leitenden Oberflächenzonen der einen Gruppe der Verbindungen zwischen den Kreuzungen, auch unter der unterbrochenen Metallschicht weiterlaufen und dadurch eine einzige durchgehende Zone bilden, wobei die unterbrochene Metallschicht über den größten Teil der Länge einer leitenden Zone zwischen zwei Kreuzungen und über den größten Teil der Breite dieser Zone mit dieser Zone in Kontakt ist.
Obwohl diese Maßnahme wegen des Vorhandenseins der besser leitenden Metallschicht überflüssig scheint, gehen die vorzugsweise eindiffundierten Oberflächenzonen bei den Kreuzungen auch unter der unterbrochenen Metallschicht hindurch, wobei die unterbrochene Metallschicht zum größten Teil der Länge einer leitenden Zone zwischen zwei Kreuzungen und zum größten Teil der Breite dieser Zone mit ihr in Kontakt ist.
Dadurch erhält man nämlich fertigungstechnisch den Vorteil, daß sich die Maske, mit deren Hilfe die eindiffundierten Oberflächenzonen erhalten werden, einfacher herstellen läßt, da nun an Stelle von Inseln eine durchgehende Zone eindiffundiert wird, und daß zugleich das Anbringen der zur betreffenden Verbindung gehörenden Metallschicht, die mit der kreuzenden Verbindung keinen Kurzschluß bilden darf, weniger kritisch wird.
Weiter wird in denjenigen Fällen, in denen die Gruppen leitender Verbindungen und die Schaltungselemente mit Hilfe gesonderter Masken angebracht werden, der Vorteil erhalten, daß für die Auftragung der betreffenden Maske in Richtung der eindiffundierten Streifen eine größere Toleranz erlaubt ist.
Die Erfindung ist von besonderer Bedeutung in jenen Fällen, in denen der Abstand zwischen Nachbarverbindungen der ersten Gruppe nicht zu groß ist. In diesen Fällen läßt sich durch Anwendung der Erfindung gegenüber bekannten Konstruktionen eine beträchtliche Herabsetzung des Gesamtumfangs der Oberflächenzonen erreichen. Da der Oberflächenleckstrom durch die PN-Übergänge, die durch die Oberflächenzonen mit dem unter ihnen liegenden Halbleiterkörper gebildet werden, dem Gesamtumfang praktisch proportional ist, läßt sich auf diese Weise eine erhebliche Herabsetzung dieses Sperrstroms erzielen. Dies wird umso wichtiger, je größer die Anzahl der Kreuzungen ist.
Bei bekannten Konstruktionen erstrecken sich die üblichen eindiffundierten Inseln im allgemeinen über einen Abstand von ungefähr ein- bis zweimal ihrer Breite außerhalb des auf der Isolierschicht angebrachten kreuzenden Leiters. Dies ist in der Praxis erwünscht, um Kurzschluß zwischen den sich kreuzenden Verbindungen zu vermeiden und um genügend Platz für die Kontaktierung der auf der Isolierschicht liegenden anschließenden Metallschicht zu schaffen.
Deswegen ist eine Weiterbildung der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen zwei benachbarten Verbindungen der ersten Gruppe höchstens das Fünffache der Breite der zur zweiten Gruppe gehörenden leitenden Oberflächenzone beträgt. In diesem Fall wird in der Praxis eine effektive Herabsetzung des Gesamtumfangs der eindiffundierten Zonen und damit des Oberflächenleckstroms erhalten.
Wie bereits bemerkt wurde, ist die eindiffundierte Oberflächenzone im Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben, wobei im Betrieb der auf diese Weise gebildete PN-Übergang zur Erhaltung einer guten Isolierung in Sperrichtung vorgespannt wird. In der Praxis ist es jedoch, damit die Oberflächenzonen unter allen Umständen vom unter ihnen liegenden Halbleiterkörper isoliert sind, oft vorteilhaft, daß die Oberflächenzone im Halbleiterkörper von einer zweiten, vorzugsweise eindiffundierten Zone des anderen Leitungstyps umgeben ist, die in einem Teil des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper angebracht ist. In diesem Fall bilden die Oberflächenzone, die zweite Zone und der darunterliegende Halbleiterkörper eine PNP- oder NPN-Struktur, wobei im Betrieb immer einer der beiden in Reihe geschalteten PN-Übergänge gegenüber etwaigen Leckströmen in Sperrichtung steht.
Die zur zweiten Gruppe von Verbindungen gehörenden eindiffundierten Oberflächenzonen lassen sich durch eine gesonderte Diffusion anbringen. Die Konzentration der diffundierenden Verunreinigung wird in der Praxis so hoch wie möglich gewählt, damit eine möglichst gut leitende Verbindung erhalten wird. Wenn die Halbleiteranordnung Schaltungselemente mit einer Transistorstruktur enthält, kann die Oberflächenzone mit Vorteil gleichzeitig mit der Emitterzone einer Transistorstruktur, die im allgemeinen eine hohe Konzentration an Donatoren und Akzeptoren enthält, angebracht werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung ist somit dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung Schaltelemente mit einer Transistorstruktur enthält und daß die Oberflächenzone hinsichtlich der Dicke, des Leitungstyps und der Leitfähigkeit mit der Emitterzone mindestens einer der Transistorstrukturen übereinstimmt.
Von besonderer Bedeutung ist in diesem Zusammenhang der oben beschriebene Fall, bei dem die eindiffundierte Oberflächenzone im Körper von einer zweiten eindiffundierten Zone des anderen Leitungstyps umgeben wird. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung stimmen deswegen die Oberflächenzone und auch die zweite Zone hinsichtlich der Dicke, des Leitungstyps und der Leitfähigkeit mit der Emitter- bzw. Basiszone mindestens einer der Transistorstrukturen überein.
Wenn, bei Ausführungsformen der Halbleiteranordnung, bei denen die Oberflächenzone von einer zweiten eindiffundierten Zone umgeben ist, im Betrieb der Schaltung einer der beiden durch die Oberflächenzone, die zweite Zone und den Halbleiterkörper gebildeten
PN-Übergänge ständig in Sperrichtung vorgespannt ist, ist es erwünscht, den anderen PN-Übergang kurzzuschließen, um Leckströme, die durch Transistorwirkung der durch die Oberflächenzone, die zweite Zone und den Halbleiterkörper gebildeten Struktur verstärkt werden können, zu vermeiden.
Deswegen ist nach einer Weiterbildung der Erfindung bei mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der zweiten Gruppe und dem der darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers vorhande-
ne PN-Übergang praktisch kurzgeschlossen und nach einer anderen Weiterbildung der Erfindung bei mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der Oberflächenzone und der zweiten Zone vorhandene PN-Übergang praktisch kurzgeschlossen.
Weiter ist es klar, daß in Strukturen, bei denen an der Oberfläche bereits örtlich nicht durch Diffusion erhaltene, gut leitende Zonen vorhanden sind, z. B. in Form einer epitaxial angebrachten Schicht, diese
Schicht ebenfalls als Oberflächenzone im Sinne der Erfindung verwendbar ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 das Schaltbild einer integrierten Speicherschaltung,
F i g. 2 eine Transistorstruktur an einer Kreuzung der Schaltung nach F i g. 1,
Fig.3, 4 und 5 Querschnitte durch die Transistorstruktur nach F i g. 2 gemäß den Linien I-I, H-II bzw. IH-III.
F i g. 1 zeigt das Schaltbild einer Speichermatrix mit zwei Gruppen von Leitern Vj — V4 und H\ — //4. Dabei sind an bestimmten Kreuzungen zu verschiedenen Gruppen gehörende Leiter durch Transistoren Tn, Ti2 usw. miteinander gekoppelt, wobei die Basiselektroden mit den Leitern Vi bis Vt und die Emitter mit den Leitern H\ bis Ha, verbunden sind, während die Kollektoren miteinander und mit einer Spannungsquelle + V verbunden sind. So ist z. B. der Leiter Vi mit den Leitern H\, H2 und //3 über die Transistoren Tw, Tu und Γ31; der Leiter V2 mit den Leitern H\, H3 und Hi, über die Transistoren Ti2,//32 und 7« usw. gekoppelt.
Die Wirkungsweise dieser Matrix ist wie folgt. Wenn ein positiver Impuls einem der Leiter V\ bis Va, die als Eingangsleiter wirksam sind, z. B. V2, zugeführt wird, werden die mit diesen Leitern verbundenen Transistoren leitend, in diesem Fall T\ 2, T32 und Tn, wobei ein Impuls an die Ausgangsleiter H\, H3 und //4 weitergege- jo ben wird. Infolge der in den Transistoren auftretenden Stromverstärkung sind die Kollektorströme, die den Leitern H\ — Hi, zugeführt werden, größer als die Basisströme, so daß eine relativ kleine Steuerenergie an den Leitern Vi — Vi ausreicht.
Abhängig vom gewählten Koppelmuster entstehen also bestimmte Kodekombinationen von Ausgangsimpulsen, wenn einem Eingangsleiter ein Impuls zugeführt wird.
In der Praxis wird die Leiterzahl beider Gruppen größer sein, z. B. je 10, während es selbstverständlich nicht notwendig ist, daß die Eingangsleiterzahl der Ausgangsleiterzahl gleich ist.
Die F i g. 2 bis 5 zeigen, wie eine derartige Schaltung unter Anwendung der Erfindung integriert werden kann. Dabei ist nur derjenige Teil, der den Transistor T2\ und die Verbindungen H\, H2, Vi und V2 enthält, angegeben. Die Grenzen der eindiffundierten Gebiete und der Fenster in der Isolierschicht sind dabei durch ausgezogene Linien dargestellt, während die Begrenzung der auf ihnen angebrachten Metallschichten durch gestrichelte Linien dargestellt ist.
F i g. 2 zeigt einen Teil eines Halbleiterkörpers, der aus einer N-leitenden Siliziumplatte 1 (siehe F i g. 3) besteht, deren Oberseite mit einer Isolierschicht 2 aus Siliziumoxid versehen ist. Zugleich sind auf der Oberseite der Platte zwei sich kreuzende Gruppen H\, H2 usw. und Vi, V2 usw. angebracht, die je aus einer Vielzahl zueinander praktisch paralleler, streifenförmiger, elektrisch leitender Verbindungen bestehen. Von jeder dieser Gruppen sind hier nur zwei Verbindungen dargestellt Dabei besteht die eine Gruppe (H\, H2 usw.) aus auf der Isolierschicht angebrachten ununterbrochenen Metallschichten 3 (siehe F i g. 3 bis 5), während an der Stelle einer Kreuzung (z. B. H2, Vi) die zur zweiten μ Gruppe gehörende Verbindung Vi durch eine (siehe Fig.5) unter der Isolierschicht 2 liegende, eindiffundierte N-leirende Oberflächenzone 4 gebildet wird, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet 5 des anderen (P) Leitungstyps umgeben ist. Die Verbindungen Vi, V2 usw. enthalten auch eine Metallschicht 11, die an der Stelle der Kreuzungen unterbrochen ist und zum größten Teil der Länge einer eindiffundierten Zone 4 zwischen zwei Kreuzungen und zum größten Teil der Breite dieser Zone auf der Zone 4 liegt.
Auf derselben Seite der Halbleiterplatte ist weiter durch Diffusion eine Anzahl Transistoren wie T2 1 im Körper angebracht. An der dargestellten Kreuzung ist (siehe F i g. 2) der Basiskontakt 9 des Transistors T2\ (siehe Fig.4) mit der Verbindung Vl verbunden, während der Emitterkontakt 10 mit der Verbindung H2 verbunden ist. Die zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung Vl enthält dabei auch zwischen den Kreuzungen H\ — Vi und H2- V\ eine ununterbrochene eindiffundierte, von einem p-leitenden Gebiet 5 umgebene, N-leitende Oberflächenzone 4.
Zum Anbringen der eindiffundierten Verbindungen V und der Transistoren wendet man die in der Halbleitertechnik üblichen Maskierungs- und Diffusionstechniken an. Dabei wird auf der Halbleiterplatte 1 zunächst durch Oxydation eine Siliziumoxidschicht angebracht, in der danach unter Anwendung an sich bekannter Photoresistverfahren öffnungen angebracht werden. Wenn die Platte danach einer P-Diffusion, z. B. von Bor, unterworfen wird, wird örtlich, wie in F i g. 2 bis 5 dargestellt ist, eine P-leitende Schicht 5 in einer Tiefe von ca. 3 μπι und mit einem Flächenwiderstand von ca. 180 0hm pro Quadratfläche eindiffundiert. Diese Schicht bildet außer den zu den Verbindungen V gehörenden Gebieten 5 auch die Basiszone des Transistors T2\.
In der während dieser P-Diffusion wieder geschlossenen Oxidschicht werden danach aufs neue Fenster geätzt, dort, wo die N-leitende Schicht 4 angebracht werden muß. Dies erfolgt durch Diffusion, z. B. von Phosphor, wobei ebenso wie bei der vorher durchgeführten Diffusion der Schicht 5 das Siliziumoxid als Maske wirksam ist. Diese Schicht 4 hat einen Flächenwiderstand von ca. 1,5 Ohm pro Quadratfläche und eine Tiefe von z. B. 2 μπι und bildet sowohl die zu den Verbindungen V gehörenden Oberflächenzonen 4 als auch den Emitter des Transistors T%\.
Zum Schluß werden in der Oxidschicht noch die Fenster 6,7 und 8 geätzt.
Aus der auf diese Weise erhaltenen Struktur wird nun eine Metallschicht 3 angebracht, z. B. durch Aufdampfen einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von 5000 Ä. Diese bildet in den Fenstern 6, 7 und 8 einen ohmschen Kontakt mit den unterliegenden Halbleitergebieten. Die Schicht 3 wird danach durch Ätzen örtlich entfernt, so daß nur die Leiter H, die Basiskontakte 9 und die Emitterkontakte 10 sowie die Streifen 11 übrigbleiben.
Die Masken oder Maskenteile, die bei dieser Technik zum Anbringen der eindiffundierten Zonen Vi, V2 usw. verwendet werden, lassen sich einfach herstellen und enthalten nur streifenförmige Gebiete, im Gegensatz zur üblichen Technik, bei der, wie bereits früher beschrieben wurde, von eindiffundierten Inseln ausgegangen wird. Weiter ist das Auftragen der Metallschicht 11 (Fig.2 und 5), die mit dem Basiskontakt 9 zusammenhängt und mit der dieser Basiskontakt an den Leiter Vi angeschlossen ist, weniger kritisch, als wenn diese Metallschicht zwischen Inseln mit begrenzten Abmessungen in Richtung von Vi angeschlossen werden müßte.
Im vorliegenden Beispiel beträgt der Abstand
zwischen den benachbarten Verbindungen H\ und H2 der ersten Gruppe ungefähr das Vierfache der Breite der zu den Leitern V\ und V2 der zweiten Gruppe gehörenden leitenden Oberflächenzonen 4. Dabei wird, wie gesagt, gegenüber der bekannten Inselstruktur eine Herabsetzung des Umfangs der Oberflächenzonen erhalten. Bei Schaltungen, bei denen der Abstand zwischen den Leitern H noch kleiner ist, vorzugsweise kleiner als das Dreifache der Breite der Oberflächenzonen, wird dieser Effekt in noch stärkerem Maße erreicht.
Wie aus der Fig. 3 hervorgeht, ist bei den Kreuzungen der zwischen der leitenden Oberflächenzone 4 und der zweiten Zone 5 vorhandene PN-Übergang praktisch zur Verringerung von Leckströmen kurzgeschlossen, wie im vorstehenden erwähnt wurde. Bei anderen Schaltungen könnte es vorteilhaft sein, den PN-Übergang zwischen der Schicht 5 und dem darunterliegenden Körper 1 an dieser Stelle kurzzuschließen, abhängig von der Richtung und der Größe der an diesen PN-Übergängen auftretenden Betriebsspannungen.
Obwohl in diesem Beispiel die eindiffundierten Zonen, welche die Verbindungen Vt, V2 usw. bilden, zugleich mit der Basis- und Emitterzone der Transistoren angebracht sind, können diese Zonen unter Umständen auch durch gesonderte Diffusionen angebracht werden. Dabei kann gegebenenfalls beim Anbringen der Leiter V die Schicht 4 weggelassen werden, in welchem Falle jedoch die P-leitende Schicht 5 bedeutend stärker dotiert werden muß als die Basis des Transistors, damit eine ausreichende Leitfähigkeit gewährleistet wird.
Die obenerwähnten Halbleitermaterialien, Isolierschichten und Metalle können innerhalb weiter Grenzen variiert werden. Weiter sind als Schaltungselemente, außer Transistoren, auch Dioden, Widerstände und Elemente, die an sich aus einer Anzahl einzelner Transistorstrukturen, Dioden, Widerstände usw. aufgebaut sind, verwendbar. An Stelle von eindiffundierten Zonen können unter Umständen auch andere, z. B.
epitaktisch aufgebrachte, gut leitende Zonen des Halbleiterkörpers wirksam sein.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
709 547/16

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der wenigstens einseitig mit einer Isolierschicht versehen ist, auf welcher Seite zwei sich kreuzende Gruppen von Verbindungen angebracht sind, die je aus einer Vielzahl zueinander praktisch paralleler, streifenförmiger, elektrisch leitender Verbindungen bestehen, wobei eine Gruppe aus auf der Isolierschicht angebrachten ununterbrochenen Metallschichten besteht und wobei eine zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung eine Metallschicht enthält, die an der Stelle der Kreuzungen unterbrochen ist und sich dort an eine unter der Isolierschicht liegende, unter der kreuzenden Verbindung der ersten Gruppe hindurchgehende, leitende Oberflächenzone des einen Leitungstyps anschließt, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben ist, und wobei eine Anzahl von Schaltungselementen im Körper angebracht ist, die an wenigstens einigen Kreuzungen mit beiden sich kreuzenden Verbindungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Oberflächenzonen (4) der einen Gruppe der Verbindungen f Inzwischen den Kreuzungen, (H, V) auch unter der unterbrochenen Metallschicht (11) weiterlaufen und dadurch eine einzige durchgehende Zone (4) bilden, wobei die unterbrochene Metallschicht (11) über den größten Teil der Länge einer leitenden Zone (4) zwischen zwei Kreuzungen (HyVi; H2Vi) und über den größten Teil der Breite dieser Zone (4) mit dieser Zone (4) in Kontakt ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen zwei benachbarten Verbindungen (Hi, //2) der ersten Gruppe gehörenden leitenden Oberflächenzone (4) beträgt.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenzone
(4) im Halbleiterkörper von einer zweiten Zone (5) des anderen Leitungstyps umgeben ist, die in einem Teil (1) des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper angebracht ist, so daß die Oberflächenzone (4), die zweite Zone (5) und der Körperteil (1) eine NPN- bzw. PNP-Struktur bilden.
4. Halbleiteranordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung Schaltungselemente (Tu — T44) mit einer Transistorstruktur enthält und daß die Oberflächenzone (4) hinsichtlich ihrer Dicke, ihres Leitungstyps und ihrer Leitfähigkeit mit der Emitterzone mindestens einer der Transistorstrukturen übereinstimmt.
5. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone
(5) hinsichtlich ihrer Dicke, ihres Leitungstyps und ihrer Leitfähigkeit mit der Basiszone mindestens einer der Transistorstrukturen übereinstimmt.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der zweiten Zone (5) und dem darunterliegenden Teil (1) des Halbleiterkörpers vorhandene PN-Übergang praktisch kurzgeschlossen ist.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der Oberflächenzone (4) und der zweiten Zone (5)
vorhandene PN-Übergang praktisch kurzgeschlos
sen ist.
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