JPS62295445A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS62295445A JPS62295445A JP28832885A JP28832885A JPS62295445A JP S62295445 A JPS62295445 A JP S62295445A JP 28832885 A JP28832885 A JP 28832885A JP 28832885 A JP28832885 A JP 28832885A JP S62295445 A JPS62295445 A JP S62295445A
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- Japan
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- insulating film
- conductive path
- resistance region
- path
- integrated circuit
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
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- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（イ）産業上の利用分野
本発明はイオン注入法により形成した抵抗領域上に多層
配線を行った半導体集積回路装置に関する。
配線を行った半導体集積回路装置に関する。
（ロ）従来の技術
例えば実公昭５３−５２３９３号公報に記載されている
如く、ＩＣ上に組み込む抵抗素子としてインプラ抵抗を
用いれば、拡散抵抗では困難であった数十にΩ〜数ＭΩ
の高抵抗を構成することが可能である。
如く、ＩＣ上に組み込む抵抗素子としてインプラ抵抗を
用いれば、拡散抵抗では困難であった数十にΩ〜数ＭΩ
の高抵抗を構成することが可能である。
第４図及び第５図はこのようなインプラ抵抗の上に多層
配線を行った装置を示し、（１）は半導体基体、（２）
はイオン注入により形成した抵抗領域、（３）はあらか
じめ抵抗領域（２）の両端に設けたコンタクト領域、（
４〉は抵抗領域（２）ｌの他より薄い第１の絶縁膜、（
５）（６）は電極、（７）は第２の絶縁膜、（８）は抵
抗領域（２）上の第２の絶縁膜〈７〉の上に配設した第
２の導電路である。第１の絶縁膜（４）は最終工程で形
成するため厚きが８００〜３０００人程度の非常に薄い
絶縁膜となっており、そこに急峻な段差を有する溝を形
成してしまう。
配線を行った装置を示し、（１）は半導体基体、（２）
はイオン注入により形成した抵抗領域、（３）はあらか
じめ抵抗領域（２）の両端に設けたコンタクト領域、（
４〉は抵抗領域（２）ｌの他より薄い第１の絶縁膜、（
５）（６）は電極、（７）は第２の絶縁膜、（８）は抵
抗領域（２）上の第２の絶縁膜〈７〉の上に配設した第
２の導電路である。第１の絶縁膜（４）は最終工程で形
成するため厚きが８００〜３０００人程度の非常に薄い
絶縁膜となっており、そこに急峻な段差を有する溝を形
成してしまう。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前記溝内は狭く急峻であるので第２の絶
縁膜（７）にクラックや他より特に薄い部分が生じやす
く、そのため特に抵抗領域（２）との電位差が犬になる
ような第２の導電路（８）、例えば電源電位の配線等を
抵抗領域（２〉の上に配設すると、第１の絶縁膜（４〉
が非常に薄いことと相まって短絡事故が発生しゃずいと
いう欠点があった。
縁膜（７）にクラックや他より特に薄い部分が生じやす
く、そのため特に抵抗領域（２）との電位差が犬になる
ような第２の導電路（８）、例えば電源電位の配線等を
抵抗領域（２〉の上に配設すると、第１の絶縁膜（４〉
が非常に薄いことと相まって短絡事故が発生しゃずいと
いう欠点があった。
（二〉問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、前記溝内の第１
の絶縁膜（１４）を第１の導電路（１５）で保護し、そ
れから第２の絶縁膜（１８）をはさんで第２の導電路（
１９）を配設したことを特徴とする。
の絶縁膜（１４）を第１の導電路（１５）で保護し、そ
れから第２の絶縁膜（１８）をはさんで第２の導電路（
１９）を配設したことを特徴とする。
（ホ）作 用
本発明によれば、あらかじめ前記溝を第１の導電路（１
５）で埋没してから第２の絶縁膜（１８）を形成するの
で、抵抗領域（１２〉と第２の導電路（１９）との短絡
事故を貼止することができる。
５）で埋没してから第２の絶縁膜（１８）を形成するの
で、抵抗領域（１２〉と第２の導電路（１９）との短絡
事故を貼止することができる。
（へ）実施例
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第１乃至第３図は本発明による装置を示し、（１１）は
半導体基板、（１２）はイオン注入により形成した抵抗
領域、（１３）はあらかじめ抵抗領域（１２）の両端に
設けたコンタクト領域、（１４）は抵抗領域（１２）上
の他より薄いシリコン酸化膜より成る第１の絶縁膜、（
１５）はアルミニウムより成る第１の導電路、（１６）
（１７）は第１、第２の電極、（１８）はポリイミド系
樹脂より成る第２の絶縁膜、（１９）は第１の導電路（
１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで配設した
第２の導電路である。
半導体基板、（１２）はイオン注入により形成した抵抗
領域、（１３）はあらかじめ抵抗領域（１２）の両端に
設けたコンタクト領域、（１４）は抵抗領域（１２）上
の他より薄いシリコン酸化膜より成る第１の絶縁膜、（
１５）はアルミニウムより成る第１の導電路、（１６）
（１７）は第１、第２の電極、（１８）はポリイミド系
樹脂より成る第２の絶縁膜、（１９）は第１の導電路（
１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで配設した
第２の導電路である。
第１の絶縁膜（１４）はこれを最終工程で形成するため
厚さが８００〜３０００人程度のシリコン酸化膜となっ
ており、抵抗領域（１２）以外の半導体基体（１１）表
面のシリコン酸化膜より非常に薄くなっている。抵抗領
域（１２）はコンタクト領域（１３）を介して第１、第
２の電極（１６）（１７）により導出される。
厚さが８００〜３０００人程度のシリコン酸化膜となっ
ており、抵抗領域（１２）以外の半導体基体（１１）表
面のシリコン酸化膜より非常に薄くなっている。抵抗領
域（１２）はコンタクト領域（１３）を介して第１、第
２の電極（１６）（１７）により導出される。
第１、第２の電極（１６）（１７）及び第１の導電路（
１５）は共に１層目の配線工程で形成されており、第１
の導電路（１５）は第１の電極（１６）から延在するよ
うに形成して抵抗領域（１２）の一端の電位を印加して
いる。その後第２の絶縁膜（１８）を形成し、第１の導
電路（１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで第
２の導電路（１９）を形成している。
１５）は共に１層目の配線工程で形成されており、第１
の導電路（１５）は第１の電極（１６）から延在するよ
うに形成して抵抗領域（１２）の一端の電位を印加して
いる。その後第２の絶縁膜（１８）を形成し、第１の導
電路（１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで第
２の導電路（１９）を形成している。
本発明の最も特徴とする点は、第１の絶縁膜（１４）上
に第１の導電路（１５）を配設し、この第１の導電路（
１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで第２の導
電路（１９）を配設した点にある。そして第１の導電路
（１５）には抵抗領域（１２）のどちらか一端の電位を
印加して薄い第１の絶縁膜（１４）でも絶縁破壊が生じ
ないようにしである。
に第１の導電路（１５）を配設し、この第１の導電路（
１５）の上に第２の絶縁膜（１８）をはさんで第２の導
電路（１９）を配設した点にある。そして第１の導電路
（１５）には抵抗領域（１２）のどちらか一端の電位を
印加して薄い第１の絶縁膜（１４）でも絶縁破壊が生じ
ないようにしである。
この構造によれば、抵抗領域（１２）は第１の導電路（
１５）により保護されるので第２の導電路（１９）と抵
抗領域（１２）との短絡事故を未然に防ぐことができる
。また薄い第１の絶縁膜（１４）によって形成される溝
は第１の導電路で埋没させられるので、この上に形成し
た第２の絶縁膜（１８）は前記溝内を直接被覆したもの
より良好な絶縁性を有し、第１の導電路（１５）と第２
の導電路（１９）とが短絡することもない。従って本発
明によれば、抵抗領域（１２）との電位差が大になるよ
うな第２の導電路（１９）、例えば電源電圧用の配線等
であっても短絡することのない装置が実現できる。
１５）により保護されるので第２の導電路（１９）と抵
抗領域（１２）との短絡事故を未然に防ぐことができる
。また薄い第１の絶縁膜（１４）によって形成される溝
は第１の導電路で埋没させられるので、この上に形成し
た第２の絶縁膜（１８）は前記溝内を直接被覆したもの
より良好な絶縁性を有し、第１の導電路（１５）と第２
の導電路（１９）とが短絡することもない。従って本発
明によれば、抵抗領域（１２）との電位差が大になるよ
うな第２の導電路（１９）、例えば電源電圧用の配線等
であっても短絡することのない装置が実現できる。
（ト）発明の詳細
な説明した如く、本発明によれば抵抗領域（１２）と第
２の導電路（１９）との短絡事故を未然に防げるという
利点を有する。また電源電位等の配線でも抵抗領域（１
２）上に配設することが可能になるので、配線設計が非
常に容易になり、且つ余分な配線に要する面積が必要な
くなるので、チップ面積を縮小できるという利点をも有
する。そして本発明は何ら付加的工程を要せず即実施可
であるという利点をも有する。
２の導電路（１９）との短絡事故を未然に防げるという
利点を有する。また電源電位等の配線でも抵抗領域（１
２）上に配設することが可能になるので、配線設計が非
常に容易になり、且つ余分な配線に要する面積が必要な
くなるので、チップ面積を縮小できるという利点をも有
する。そして本発明は何ら付加的工程を要せず即実施可
であるという利点をも有する。
第１乃至第３図は各々本発明を説明するための断面図、
断面図、平面図、第４図及び第５は従来例を説明するた
めの断面図である。 （１１）はＰ型半導体基体、（１２）は抵抗領域、（１
４）は第１の絶縁膜、（１５）は第１の導電路、（１６
）（１７）は第１、第２の電極、（１８）は層間絶縁膜
、（１９）は第２の導電路である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 ＋１１４１１ 第３図 第４図 第５図 昭和１７７−年弓月２−９日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２８８３２８号 ２、発明の名称 半導体集積回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８Ｂ＞三洋電機株式会社 ４、代理人 連絡先：電話（東京）８３５−１１１１特許センター駐
在中川６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 ７、補正の内容 明細書第６頁第１１行目「第５は」を「第５図は」に補
正する。
断面図、平面図、第４図及び第５は従来例を説明するた
めの断面図である。 （１１）はＰ型半導体基体、（１２）は抵抗領域、（１
４）は第１の絶縁膜、（１５）は第１の導電路、（１６
）（１７）は第１、第２の電極、（１８）は層間絶縁膜
、（１９）は第２の導電路である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 ＋１１４１１ 第３図 第４図 第５図 昭和１７７−年弓月２−９日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２８８３２８号 ２、発明の名称 半導体集積回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８Ｂ＞三洋電機株式会社 ４、代理人 連絡先：電話（東京）８３５−１１１１特許センター駐
在中川６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 ７、補正の内容 明細書第６頁第１１行目「第５は」を「第５図は」に補
正する。
Claims (2)
- （１）半導体基体表面にイオン注入により形成した抵抗
領域と該抵抗領域上に形成した他より薄い第１の絶縁膜
と該薄い第１の絶縁膜上に延在される第１の導電路と該
第１の導電路上に形成した第２の絶縁膜と前記抵抗領域
上の第２の絶縁膜の上に配設した第２の導電路とを具備
することを特徴とする半導体集積回路装置。 - （２）前記第１の導電路には前記抵抗領域の一端の電位
が印加されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28832885A JPS62295445A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28832885A JPS62295445A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295445A true JPS62295445A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0514429B2 JPH0514429B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=17728758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28832885A Granted JPS62295445A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62295445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162255A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | High voltage resistance resistor element |
| JPS56133863A (en) * | 1980-03-22 | 1981-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28832885A patent/JPS62295445A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162255A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | High voltage resistance resistor element |
| JPS56133863A (en) * | 1980-03-22 | 1981-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0514429B2 (ja) | 1993-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |