JPH09160071A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH09160071A
JPH09160071A JP32286095A JP32286095A JPH09160071A JP H09160071 A JPH09160071 A JP H09160071A JP 32286095 A JP32286095 A JP 32286095A JP 32286095 A JP32286095 A JP 32286095A JP H09160071 A JPH09160071 A JP H09160071A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
electrode
out wiring
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JP32286095A
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English (en)
Inventor
Yumi Kihara
原 由 美 木
Hiroyoshi Nakamura
村 弘 喜 中
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 光硬化性樹脂の重合反応を均一化し、高分子
相の編み目構造を均一として、表示品位を向上させると
共に、初期品位および耐久性を高め、更に信頼性の優れ
た高分子分散型液晶表示パネルを提供する。 【解決手段】 TFT17と画素電極19を2次元的に
配列したアレイ基板11と、アレイ基板11と対向し、
その上に少なくとも画素電極19に対向する透明電極2
9を配置した対向基板9と、液晶層25と、アレイ基板
11において少なくとも画素電極19に対応して配置さ
れる補助容量線14と、アレイ基板11において、TF
T17からの信号線引き出し配線部と、TFT17から
の走査線引き出し配線部と、対向基板9において、少な
くともTFT17に対向する部分に配置され、画素電極
19に対向する部分、信号線および走査線の引き出し配
線部6に対向する部分には配置されない遮光部とにより
液晶表示装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特に
高分子分散型の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、液晶表示装置は多数の種類が知ら
れているが、ツイステッドネマティック型液晶に代表さ
れるように、液晶層のねじれを制御して、その液晶層を
透過する光の旋光性を利用して、表示を行う液晶表示装
置が一般に多用されている。
【0003】このような液晶表示装置の動作原理は、液
晶層における光の複屈折性または旋光性と、偏光板の線
偏光性とを用いて、液晶表示パネルの観察面側への光の
出射を制御して、表示を行うというものである。
【0004】しかし、以上のように、液晶層における光
の複屈折性または旋光性と、偏光板の線偏光性とを用い
る方式では、原理的に、偏光板が、光源からの光の約2
分の1を透過させず、失われた光は表示に寄与できな
い。このため、光源光の利用効率が低くなり、表示画面
の輝度が低くなってしまうという問題点がある。これを
補うためには、強力な光源光を使用する必要があるが、
電力消費が多く、発熱を伴うという別の問題点を発生し
てしまう。
【0005】これに対して、出射光線の方向、あるいは
散乱または透過を制御する方式の液晶表示装置は、偏光
板が不要であるため、光源からの光の利用効率を上げる
ことが可能であり、近年注目されている方式である。
【0006】このような液晶表示装置の中の高分子分散
型液晶表示装置は、高分子樹脂と液晶とを、それぞれを
別の相として混在させた表示パネルを有するものであ
る。この表示パネルは、混合によって高分子樹脂と液晶
のうちのいずれか一方が他方に溶解されるのではなく、
いずれか一方の中に他方が分散的に保持された構造を有
するものである。例えば、高分子樹脂における連続編み
目状または多数のカプセル状の空隙中に、液晶相とし
て、例えばネマティック液晶のような液晶組成物が分散
保持されているという形態を有する。表示装置は、以上
のような高分子分散型液晶表示層を、間隙を介して対向
配置させた2枚の透明電極間に充填した表示パネルを有
する。このような液晶表示装置は、光源からの光の利用
効率の上昇を図ったものの中でも、特に有望視されてい
る。
【0007】このような高分子分散型液晶表示装置にお
いては、材料を挟む2つの透明電極間に電圧を印加しな
い状態では、高分子分散型液晶は入射する光を散乱させ
るので、画面は乳白色に観察される。一方、これらの電
極間に液晶駆動電圧を印加すると、その電圧に応じて高
分子分散型液晶が透明化して、光が散乱されなくなり、
画面には高い輝度が観察される。したがって、これに非
散乱光のみを取り出すような光学系を組み合わせること
によって、液晶層での光の散乱性の制御を光強度(画面
輝度)の制御に変換することができる。このような動作
原理により、偏光板が不要となり、光源光の利用効率も
高くなるので、高輝度の表示を実現することが可能とな
る。
【0008】次に、高分子分散型液晶を用いた液晶表示
パネルの構造について説明する。
【0009】まず、対向基板とアレイ基板とを、平行に
対向して配置し、これらをシール材とスペーサを介し
て、所定間隔の空隙を保持しながら貼り合わせる。次
に、この空隙に、光硬化性化合物と液晶材料との混合物
を注入し、これを封止材で封止してパネルを形成する。
その後、このパネルに紫外線を照射して、光硬化性化合
物のモノマーまたはオリゴマーの重合により、高分子相
の編み目構造を形成する。その結果、液晶材料は、高分
子樹脂マトリクス中にカプセル状に分散されるか、また
はセル厚方向に分子配列の連続性を分断された状態で保
持され、液晶相が高分子相の界面に沿って配向するよう
に配置される。
【0010】液晶層の液晶分子配向方向は、一般に電圧
無印加時にはランダムであるため、液晶層に入射する光
はこの液晶層で散乱する。これに対して、電圧を印加す
ると、液晶層における液晶分子が電界に沿って配列する
ので、この液晶層を光が透過して、明表示が実現され
る。
【0011】図15は、かかる従来の液晶表示装置の平
面的概略構成図を示すものであり、特にアクティブマト
リクス型の構成を例示するものである。図15に示すよ
うに、液晶表示器1は、液晶表示パネルに駆動用集積回
路を実装したものをケース2に入れることにより構成さ
れる。この表示器1においては、ケース2の中央の開口
部分が表示領域3となる。表示領域3は画素部5を有す
る画素領域4の一部である。そして、画素領域4の画素
部5を表示信号に応じて駆動するために、画素領域4の
周辺部には、走査線引き出し配線部6と信号線引き出し
配線部7が配置される。
【0012】図16は図15に示した画素領域4の部分
拡大上面図であり、図17は同断面図であり、(A)は
図16のA−A線断面図で、(B)はB−B線断面図で
あり、図18は走査線引き出し配線部6の部分拡大上面
図であり、図19は同断面図、図20は信号線引き出し
配線部7の部分拡大上面図であり、図21は同断面図で
ある。
【0013】これらの図のうちの特に図17に示すよう
に、液晶表示装置の画素領域4をみると、アレイ基板1
1と、これに対向して配置される対向基板9と、これら
の基板11、9の間に封入される液晶層25の三層構造
となっている。
【0014】この三層構造についてより詳しくみると、
図17からわかるように、アレイ基板11におけるガラ
ス基板12上に、層間絶縁膜12Aを介して、液晶層2
5にオン、オフ的に電界を与えるためのスイッチング素
子としてのTFT17の複数がマトリクス状に形成され
る。これらの図には示されていないが、配線や電極等の
各エレメントの電気的接続関係は次の通りである。即
ち、このTFT17のドレイン16には、ITOなどの
透明電極からなる画素電極19が接続され、更に、この
画素電極19には上記絶縁膜12A上の補助容量線14
が電気的に接続される。このTFT17はドレイン電極
16とソース電極15を有する。ドレイン電極16は、
図16からわかるように、信号線20の一部をなすもの
である。ソース電極15にはAlなどから構成される信
号線20が接続される。また、TFT17のゲートに
は、MoTaなどから構成される走査線13が電気的に
接続される。
【0015】一方、特に図17からわかるように、アレ
イ基板11に対向して配置される対向基板9において
は、ガラス基板30の上に、遮光層26と、カラーフィ
ルタ部材27が配置され、更に保護膜28を介して、透
明電極29が形成されている。
【0016】そして、信号線20、補助容量線14、走
査線13等の電気配線は、図示しない外部の駆動用集積
回路と電気的に接続される。なお、これらの電気配線
は、画素電極19や透明電極29と異なり、実際の画素
表示を行う部分ではないので、常に黒表示状態にするべ
く、それ自体をAlやMoTa等の遮光性の金属で構成
している。
【0017】遮光層26は、表示領域において、アレイ
基板11上のTFT17への光リークを防ぐためのもの
であり、実際に表示に関与しない領域において、表示品
質を向上させるべく、黒表示を良好にしてコントラスト
を向上させる働きをする。このために、各画素に対応さ
せて窓枠状形状になっており、更に各周辺部における電
気配線の引き出し部においては、各配線の透き間から光
が洩れるのを防ぐために、ベタ状に配置されている。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の液
晶表示装置においては、アレイ基板11にAlやMoT
a等の遮光性の強いパターンが形成されており、且つ対
向基板9には遮光層26のパターンが形成されている。
これらは、TFT17への光リーク防止、電気配線の透
き間からの光リーク防止、および表示品質の向上という
点からは非常に効果的である。しかしながら、製造工程
の途中でその遮光性が反対に災とすることも避けられな
い。
【0019】つまり、液晶表示装置は、アレイ基板11
と対向基板9の間に液晶を注入封止し、これを紫外線に
より光硬化させて液晶層25を形成する訳であるが、こ
の場合に、アレイ基板11または対向基板9側から紫外
線を照射しても、遮光層26や電気配線が邪魔して、液
晶層25にうまく紫外線を入射することができない。特
に、図15において、画素領域4の周辺にある走査線引
き出し配線部6や信号線引き出し配線部7では、液晶層
25を構成する光硬化性化合物に照射される紫外線の量
が、画素領域4に比べて、非常に少なくなる。このた
め、画素領域4における周辺部分では、硬化の際の相分
離のスピードが中央部分とは異なり、高分子相の編み目
構造も周辺部分と中央部分とは異なり、互いにコントラ
ストが異なってくる。その結果、実際に画像を表示させ
た場合に、画素領域4における表示むらとなって視認さ
れ、表示品質が著しく劣化するという問題点がある。ま
た、このような紫外線照射の不均一は、光硬化性化合物
の未重合残存物の発生を招くため、初期品位が悪く、耐
久性も低く、信頼性に欠けるという問題点も生じさせ
る。
【0020】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解消し、画素領域およびその周辺部にある引き出し配
線部において、光硬化性化合物に照射される紫外線を均
一化するような配線および遮光層構造を採ることによ
り、光硬化性樹脂の重合反応を均一化し、高分子相の編
み目構造を均一として、表示品位を向上させると共に、
初期品位および耐久性が高く、更に信頼性の優れた液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置は、ほぼ中央部分に配置され
る画素領域と、この画素領域の周囲にあってこの画素領
域に対して信号を与えるための引き出し配線部とを有す
る、アレイ基板と、このアレイ基板と所定間隔をあけて
挟持され、前記画素領域に対向する対向電極を有する、
対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配
置される光散乱性液晶層と、を有し、前記画素領域は、
それぞれ2次元状に形成された複数のスイッチング素子
及び画素電極と、前記各スイッチング素子を駆動する走
査信号を印加するための複数の走査線と、前記各スイッ
チング素子を介して前記各画素電極に映像信号を印加す
るための複数の信号線と、を有し、前記引き出し配線部
は、前記画素領域における前記各走査線を外部に引き出
すための、前記各走査線につながった、複数の走査線引
き出し配線部分と、前記画素領域から前記信号線を引き
出すための、前記各信号線につながった、複数の信号線
引き出し配線部分と、を有し、前記対向電極は、少なく
とも、前記表示領域の全体に対向するものとして形成さ
れ、さらに、前記対向基板は光を透過させない遮光部を
有し、この遮光部は、前記各スイッチング素子に対向す
る部分には形成されているが、前記各画素電極に対向す
る部分と、前記各走査線引き出し配線部分と、前記各信
号線引き出し配線部分とには形成されていないものとし
て構成される。
【0022】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、本発明
の実施の形態を、実施例として説明する。 実施例1.本実施例の液晶表示装置の基本構造は、図1
5に示した液晶表示装置と同様に構成される。なお、図
1は本発明の実施例1の液晶表示装置の画素領域4の部
分拡大上面図であり、図2は同断面図であり、(A)は
図1のA−A線断面図、(B)はB−B線断面図、図3
は走査線引き出し配線部6の部分拡大上面図であり、図
4は同断面図、図5は信号線引き出し配線部7の部分拡
大上面図であり、図6は同断面図である。
【0023】以下、上記各図にしたがって、本実施例の
液晶表示装置の構造を、その製造工程を含めて説明す
る。
【0024】これらの図のうち、特に図2からわかるよ
うに、アレイ基板11においては、ガラス基板12上に
MoTaをスパッタリングにより約300nm成膜し、
これをケミカルドライエッチングによりパターンニング
して、TFT17のゲート電極と一体である走査線13
と、画素電極19に接続される補助容量線14とを形成
する。
【0025】その上に、CVD法により酸化シリコン膜
(層間絶縁膜)12Aを約350nmと、その上に窒化
シリコン膜を約50nmと、アモルファスシリコン膜を
約50nmと、その上に窒化シリコン膜を300mmと
を同時に成膜する。次にこの窒化しシリコンをケミカル
エッチング法によりパターニングする。またその上にC
VD法により不純物としてPをドープして低抵抗化した
アモルファスシリコン膜(15、16、18)を約50
nm成膜する。このアモルファスシリコン膜をケミカル
ドライエッチングによりパターンニングして、ソース電
極15およびドレイン電極16を形成する。更に、アモ
ルファスシリコン膜をケミカルドライエッチングにより
パターンニングしてTFT17の半導体層18を形成す
る。
【0026】そして、スパッタリング法により、ITO
膜を約100nm成膜し、これを塩酸と硝酸の混合液に
よりエッチングして、図5、図6からわかるように、信
号線引き出し配線部7において、後に形成する、信号線
20,20間に配置される透明電極22を形成する。
【0027】しかる後に、ケミカルドライエッチングに
よりゲート電極としての走査線13と補助容量線14に
ついてのコンタクトホールを形成した後、スパッタリン
グ法によりAl膜を約350nm成膜し、これをウエッ
トエッチング法によりパターンニングして、信号線20
等の信号線が形成される。その上にCVD法により窒化
シリコン膜からなる保護膜21を200mm成膜し、そ
の後ケミカルエッチング法によりコンタクトホールを形
成する。
【0028】一方、図2からわかるように、対向基板9
には、ガラス基板30上にクロム膜と酸化クロム膜の多
層膜から成る遮光層26と、顔料を分散させた光重合型
フォトポリマーからなるカラーフィルタ部材27と、ア
クリル樹脂からなる平坦化された保護膜28と、ITO
膜から成る透明電極29が形成される。
【0029】そして、対向基板9にガラススペーサを有
するシール材が印刷され、その後、直径14ミクロンm
のプラスチックスペーサがその主面一面に散布され、ア
レイ基板11と所定の間隔を保ちつつ対向するように貼
り合わされ、空セルが形成される。
【0030】そして、この空セル状態のアレイ基板11
と対向基板9の間の空隙に、液晶層25の材料である、
光硬化性化合物と液晶組成物と重合開始剤の混合物が注
入され、注入口が封止材で封止される。
【0031】しかる後に、紫外線を照射して、モノマー
またはオリゴマーを重合することにより、高分子相と液
晶相の相分離を行って、高分子分散型の液晶層25を形
成する。
【0032】ここで、図3、図4に示した、走査線引き
出し配線部6においては、アレイ基板11におけるガラ
ス基板12上に、走査線13の一部としての走査線13
につながる走査線引き出し配線部分13Aと、補助容量
線14とが、ほぼ等間隔に形成されている。また、対向
基板9上には透明電極29は形成されているが、遮光層
26は形成されておらず、対向基板9側より液晶層25
に光が入射するように構成される。
【0033】一方、図5、図6に示した、信号線引き出
し配線部7においては、アレイ基板11におけるガラス
基板12上に、信号線20の一部としての信号線20に
つながる信号線引き出し配線部分20Aと、透明電極2
2とが、形成されている。なお、この透明電極22は、
更に外周部で、対向基板9の透明電極29と電気的に接
続される。
【0034】すなわち、この液晶表示装置では、その製
造工程において、対向基板9側から紫外線をほぼ均一に
照射することが可能な構造となっており、均質な材質の
液晶層25を形成することが可能である。その結果、液
晶表示装置の表示品質を大幅に向上することが可能にな
る。
【0035】実施例2.図7は、本発明の実施例2の液
晶表示装置における、信号線引き出し配線部7の部分拡
大上面図であり、図8は同断面図である。
【0036】図7、8に示すように、アレイ基板11に
おけるガラス基板12上に、信号線20とつながる信号
線引き出し配線部分20Aと、透明電極22とが、交互
に配置される点においては、図5、図6の構成と同様で
あるが、更に信号線引き出し配線部分20Aと透明電極
22の隙間を遮光するための遮光層23が、信号線20
の下側に配置される点が異なる。この遮光層23は、ア
レイ基板11において、層間絶縁膜を介して、走査線1
3、補助容量線14、TFT17の下に配置されること
になる。
【0037】ちなみに、この遮光層23としては、遮光
性の高いものが望ましい。図8においては、遮光層23
が絶縁性材料の場合を示している。ただし、遮光層23
は、走査線13もしくは補助容量線14と同一の部材で
形成するのが効果的である。この場合には、遮光層23
とその上の信号線20Aとの間に絶縁層を介在させる必
要があるのは当然である。
【0038】以上のような構成によれば、信号線引き出
し配線部分20Aと透明電極22の間に生じるわずかな
間隙からの光洩れを抑えることができるので、さらに表
示品位を向上することが可能になる。
【0039】実施例3.図9は、本発明の実施例3の液
晶表示装置における、走査線引き出し配線部6の部分拡
大上面図であり、図10は同断面図である。図9、10
に示すように、走査線引き出し配線部分13A、13A
間には透明電極24が設けられ、この透明電極24は外
周部で対向基板9の透明電極29と電気的に接続され
る。
【0040】通常、補助容量線14の電圧は、対向基板
9の透明電極29の電圧とほぼ等しくなるように駆動さ
せるが、補助容量線14に与える電圧と透明電極29に
与える電圧が異なるような駆動方法の場合は、本実施例
のように、透明電極29と電気的に接続しておく方がよ
い。
【0041】本実施例においても、実施例1、2と同様
に、その製造工程において、対向基板9側から紫外線を
ほぼ均一に照射することが可能な構造となっており、均
質な材質の液晶層25を形成することが可能である。そ
の結果、液晶表示装置の表示品質を大幅に向上すること
が可能になる。
【0042】実施例4.図11は、本発明の実施例4の
液晶表示装置における、走査線引き出し配線部6の部分
拡大上面図であり、図12は図11の12−12線断面
図である。
【0043】図11、12に示すように、走査線引き出
し配線部6についてみると、アレイ基板11のガラス基
板12上に、走査線引き出し配線部分13Aと、補助容
量線14とが、交互に配置され、これらの上には、層間
絶縁膜10を介して、Alからなる遮光層8が形成され
ている。
【0044】一方、対向基板9においては、ITOから
なる透明電極29が形成される。
【0045】本実施例においても、上記各実施例と同様
に、その製造工程において、対向基板9側から紫外線を
ほぼ均一に照射することが可能な構造となっており、均
質な材質の液晶層25を形成することが可能である。そ
の結果、液晶表示装置の表示品質を大幅に向上すること
が可能になる。
【0046】実施例5.図13は、本発明の実施例5の
液晶表示装置における、信号線引き出し配線部7の部分
拡大上面図であり、図14は図13の14−14線断面
図である。
【0047】図13、14に示すように、アレイ基板1
1において、信号線引き出し配線部分20Aの下(外側
方向)に、層間絶縁膜30を介して、MoTa薄膜から
なる遮光層31を形成している。
【0048】本実施例においても、上記各実施例と同様
に、その製造工程において、対向基板9側から紫外線を
ほぼ均一に照射することが可能な構造となっており、均
質な材質の液晶層24を形成することが可能である。
【0049】その結果、液晶表示装置の表示品質を大幅
に向上することが可能になる。
【0050】なお、上記各実施例では、アレイ基板11
上に形成する遮光層23、8、32として、アレイ基板
11で用いられている電極層と同じ材料のものを用いる
ことを例示したが、金属酸化膜または金属窒化膜や、無
機絶縁材料層もしくは顔料を分散させた光重合型ポリマ
ーなどの有機絶縁材料層であってもよい。要するに、ア
レイ基板11上に所望形状に遮光パターンニング可能な
膜であれば材料はどのような材料であっても構わない。
【0051】更に、上記各実施例では、TFT17とし
て、アモルファスシリコン薄膜を用いた構造を例示した
が、スイッチング素子としては、多結晶シリコン、結晶
シリコンを用いたトランジスタも適用可能であり、また
MIMを用いたものでもよいことは言うまでもない。
【0052】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
分子分散型液晶層を構成するための光硬化性化合物を紫
外線により硬化させる場合に、引き出し配線部において
も画素領域と同様に均一に紫外線照射が可能なため、光
硬化性樹脂の重合反応を均一化でき、光硬化性化合物の
未重合残存物の発生が解消できるので、液晶表示装置と
して初期品位および耐久性が高く、信頼性の高い高分子
分散型液晶表示装置を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の液晶表示装置の画素領域の
部分拡大上面図である。
【図2】図1に対応する断面図である。
【図3】本発明の実施例1の液晶表示装置の走査線引き
出し配線部の部分拡大上面図である。
【図4】図3に対応する断面図である。
【図5】本発明の実施例1の液晶表示装置の信号線引き
出し配線部の部分拡大上面図である。
【図6】図5に対応する断面図である。
【図7】本発明の実施例2の液晶表示装置の信号線引き
出し配線部の部分拡大上面図である。
【図8】図7に対応する断面図である。
【図9】本発明の実施例3の液晶表示装置の走査線引き
出し配線部の部分拡大上面図である。
【図10】図9に対応する断面図である。
【図11】本発明の実施例4の液晶表示装置の走査線引
き出し配線部の部分拡大上面図である。
【図12】図11に対応する断面図である。
【図13】本発明の実施例5の液晶表示装置の信号線引
き出し配線部の部分拡大上面図である。
【図14】図13に対応する断面図である。
【図15】従来の液晶表示装置の概略構成図である。
【図16】図15に示した画素領域の部分拡大上面図で
ある。
【図17】図16の断面図である。
【図18】図15に示した走査線引き出し配線部の部分
拡大上面図である。
【図19】図18に対応する断面図である。
【図20】図15に示した信号線引き出し配線部の部分
拡大上面図である。
【図21】図20に対応する断面図である。
【符号の説明】
1 液晶表示器 2 ケース 3 表示領域 4 画素領域 5 画素部 6 走査線引き出し配線部 7 信号線引き出し配線部 8、23、26、32 遮光層 9 対向基板 10 層間絶縁膜 11 アレイ基板 12 ガラス基板 13 走査線 14 補助容量線 15 ソース電極 16 ドレイン電極 17 TFT 18 半導体層 19 画素電極 20 信号線 21、28 保護膜 22、24、29 透明電極 25 液晶層 27 カラーフィルタ部材 30 ガラス基板 31 層間絶縁膜

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ほぼ中央部分に配置される画素領域と、こ
    の画素領域の周囲にあってこの画素領域に対して信号を
    与えるための引き出し配線部とを有する、アレイ基板
    と、 このアレイ基板と所定間隔をあけて挟持され、前記画素
    領域に対向する対向電極を有する、対向基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置される光散
    乱性液晶層と、を有し、 前記画素領域は、 それぞれ2次元状に形成された複数のスイッチング素子
    及び画素電極と、 前記各スイッチング素子を駆動する走査信号を印加する
    ための複数の走査線と、 前記各スイッチング素子を介して前記各画素電極に映像
    信号を印加するための複数の信号線と、を有し、 前記引き出し配線部は、 前記画素領域における前記各走査線を外部に引き出すた
    めの、前記各走査線につながった、複数の走査線引き出
    し配線部分と、 前記画素領域から前記信号線を引き出すための、前記各
    信号線につながった、複数の信号線引き出し配線部分
    と、を有し、 前記対向電極は、少なくとも、前記表示領域の全体に対
    向するものとして形成され、 さらに、前記対向基板は光を透過させない遮光部を有
    し、この遮光部は、前記各スイッチング素子に対向する
    部分には形成されているが、前記各画素電極に対向する
    部分と、前記各走査線引き出し配線部分と、前記各信号
    線引き出し配線部分とには形成されていない、液晶表示
    装置。
  2. 【請求項2】前記信号線引き出し配線部分間にそれぞ
    れ、前記対向電極と対向してその間の前記液晶層を制御
    可能な第1電極が形成されている、請求項1の液晶表示
    装置。
  3. 【請求項3】前記第1電極は透明電極である、請求項2
    の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】前記信号線引き出し配線部分と、これと隣
    り合う前記第1電極との間の遮光を行う遮光部材が、前
    記アレイ基板に形成されている、請求項2又は3の液晶
    表示装置。
  5. 【請求項5】前記遮光部材は、前記信号線引き出し配線
    部分の上方及び下方のいずれかに形成されている、請求
    項4の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】前記遮光部材は導電性を有する他の配線部
    材と同一の材料で構成されており、この遮光部材と前記
    信号線引き出し配線部分との間に層間絶縁層が形成され
    ている、請求項5の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】前記走査線引き出し配線部分間に、それぞ
    れ、前記対向電極と対向してその間の前記液晶層を制御
    可能な第2電極が形成されている、請求項1の液晶表示
    装置。
  8. 【請求項8】前記第2電極は透明電極である、請求項7
    の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】前記第2電極は、補助容量電極と同一の材
    料で構成されている、請求項7の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】前記アレイ基板における前記透明電極と
    しての前記第1電極と、前記対向基板における前記対向
    電極とが、電気的に接続されている、請求項3〜6の1
    つの液晶表示装置。
  11. 【請求項11】前記アレイ基板における前記透明電極と
    しての前記第1電極と、前記アレイ基板における前記補
    助電極とが、電気的に接続されている、請求項3〜6の
    1つの液晶表示装置。
  12. 【請求項12】前記アレイ基板における前記透明電極と
    しての前記第2電極と、前記対向基板における前記対向
    電極とが、電気的に接続されている、請求項8又は9の
    液晶表示装置。
  13. 【請求項13】前記アレイ基板における前記第2電極と
    前記補助電極とが電気的に接続されている、請求項8又
    は9の液晶表示装置。
  14. 【請求項14】前記アレイ基板における前記信号線引き
    出し配線部分を被う位置に、第1遮光層が形成されてい
    る、請求項1の液晶表示装置。
  15. 【請求項15】前記第1遮光層は、前記信号線引き出し
    配線部分の上方及び下方のうちのいずれかに形成されて
    いる、請求項14の液晶表示装置。
  16. 【請求項16】前記第1遮光層は他の配線部材と同一の
    材料で形成されている、請求項15の液晶表示装置。
  17. 【請求項17】前記アレイ基板における前記走査線引き
    出し配線部分を被う位置に、第2遮光層が形成されてい
    る、請求項1の液晶表示装置。
  18. 【請求項18】前記第2遮光層は、前記走査線引き出し
    配線部分の上方及び下方のうちのいずれかに形成されて
    いる、請求項17の液晶表示装置。
  19. 【請求項19】前記第2遮光層は他の配線部材と同一の
    材料で形成されている、請求項18の液晶表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048146B2 (en) 2000-05-09 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9059045B2 (en) 2000-03-08 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

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