JP2742163B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2742163B2 JP2742163B2 JP28283591A JP28283591A JP2742163B2 JP 2742163 B2 JP2742163 B2 JP 2742163B2 JP 28283591 A JP28283591 A JP 28283591A JP 28283591 A JP28283591 A JP 28283591A JP 2742163 B2 JP2742163 B2 JP 2742163B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマ
トリクス駆動方式とポリマ分散型液晶層による散乱モー
ドとを組み合せたアクティブマトリクス駆動方式散乱型
の液晶表示装置に関する。
特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマ
トリクス駆動方式とポリマ分散型液晶層による散乱モー
ドとを組み合せたアクティブマトリクス駆動方式散乱型
の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のポリマ分散型液晶を用いたＴＦＴ
液晶表示装置の構成について説明する。
液晶表示装置の構成について説明する。
【０００３】図１５は従来のポリマ分散型液晶を用いた
液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
図１６は図１５のＡ−Ａ線断面図である。尚、図１５の
平面図ではパッシベーション膜56を省略している。
液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
図１６は図１５のＡ−Ａ線断面図である。尚、図１５の
平面図ではパッシベーション膜56を省略している。
【０００４】これらの図に示すように、このＴＦＴ基板
は、ガラス基板51上にＴＦＴ52及び画素電極53をマトリ
クス状に複数設け、更にＴＦＴ52を駆動する走査電極線
54及び信号電極線55を設け、これらの上にパッシベーシ
ョン膜56を設けることにより形成されている。
は、ガラス基板51上にＴＦＴ52及び画素電極53をマトリ
クス状に複数設け、更にＴＦＴ52を駆動する走査電極線
54及び信号電極線55を設け、これらの上にパッシベーシ
ョン膜56を設けることにより形成されている。
【０００５】ＴＦＴ52は、非ドープのアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）膜58、ｎ+ ａ−Ｓｉ膜59、ソース電極
60及びドレイン電極61から構成されており、ゲート絶縁
膜57によって走査電極線54と絶縁されている。
コン（ａ−Ｓｉ）膜58、ｎ+ ａ−Ｓｉ膜59、ソース電極
60及びドレイン電極61から構成されており、ゲート絶縁
膜57によって走査電極線54と絶縁されている。
【０００６】走査電極線54及び信号電極線55は、画面外
のパネル周辺部においてドライバＩＣを接続するための
電極端子である島状パターンに接続されている。
のパネル周辺部においてドライバＩＣを接続するための
電極端子である島状パターンに接続されている。
【０００７】図１７はこの従来の液晶表示装置のＴＦＴ
基板の全体を示す平面図である。
基板の全体を示す平面図である。
【０００８】即ち、同図に示すように、走査電極線54及
び信号電極線55は、破線で示す画面領域の外側に設けら
れている走査電極線端子65及び信号電極線端子66にそれ
ぞれ接続されている。
び信号電極線55は、破線で示す画面領域の外側に設けら
れている走査電極線端子65及び信号電極線端子66にそれ
ぞれ接続されている。
【０００９】画面領域の外側の四隅には、後述する対向
電極用端子67がそれぞれ設けられている。
電極用端子67がそれぞれ設けられている。
【００１０】次に、従来のポリマ分散型液晶を用いたＴ
ＦＴ液晶表示装置の対向基板について説明する。
ＦＴ液晶表示装置の対向基板について説明する。
【００１１】図１８は従来のポリマ分散型液晶を用いた
液晶表示装置の対向基板の構成を示す平面図である。図
１９は図１８のＢ−Ｂ線断面図である。
液晶表示装置の対向基板の構成を示す平面図である。図
１９は図１８のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１２】これらの図に示すように、この対向基板
は、ガラス基板71上にクロム膜をスパッタリングで成膜
した後、パターン72にパターニングすることにより、Ｔ
ＦＴ基板からの漏れ光を遮断する作用を有する。
は、ガラス基板71上にクロム膜をスパッタリングで成膜
した後、パターン72にパターニングすることにより、Ｔ
ＦＴ基板からの漏れ光を遮断する作用を有する。
【００１３】図１５に示すＴＦＴ基板の画素電極53に対
応する位置に開口部73が設けられており、その部分が有
効表示部となる。更に、ガラス基板71及びパターン72の
上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜74を画面全体に形
成することにより、対向電極とする。
応する位置に開口部73が設けられており、その部分が有
効表示部となる。更に、ガラス基板71及びパターン72の
上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜74を画面全体に形
成することにより、対向電極とする。
【００１４】図２０は図１７のＴＦＴ基板と図１８の対
向基板との貼り合わせを説明する斜視図である。
向基板との貼り合わせを説明する斜視図である。
【００１５】同図に示すように、図１８の対向基板に対
応する対向基板81の周囲に、直径10μｍのプラスティッ
クビーズを混入した熱硬化性のシール樹脂82がスクリー
ン印刷の手法により設けられ、又、画面内にもプラステ
ィックビーズを配置した後、図１７のＴＦＴ基板に対応
するＴＦＴ基板85と真空中で貼り合わされる。
応する対向基板81の周囲に、直径10μｍのプラスティッ
クビーズを混入した熱硬化性のシール樹脂82がスクリー
ン印刷の手法により設けられ、又、画面内にもプラステ
ィックビーズを配置した後、図１７のＴＦＴ基板に対応
するＴＦＴ基板85と真空中で貼り合わされる。
【００１６】対向基板81の四隅には、導電性樹脂83がそ
れぞれ設けられており、対向基板81のＩＴＯ膜74とＴＦ
Ｔ基板85の対向電極用端子67とが接続される。
れぞれ設けられており、対向基板81のＩＴＯ膜74とＴＦ
Ｔ基板85の対向電極用端子67とが接続される。
【００１７】対向基板81とＴＦＴ基板85とを貼り合わせ
た後、加熱処理を行い、シール樹脂82を硬化させる。
た後、加熱処理を行い、シール樹脂82を硬化させる。
【００１８】図２１はこの従来の液晶表示装置の要部断
面図である。図２２は従来の液晶表示装置に用いるポリ
マのモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物における
重合を説明するための模式図である。尚、図２１におい
て、図１５、図１６、図１８及び図１９に示す参照番号
と同一の参照番号が付されている構成要素は、これらの
図における構成要素と同一である。
面図である。図２２は従来の液晶表示装置に用いるポリ
マのモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物における
重合を説明するための模式図である。尚、図２１におい
て、図１５、図１６、図１８及び図１９に示す参照番号
と同一の参照番号が付されている構成要素は、これらの
図における構成要素と同一である。
【００１９】図２１に示すように、対向基板81及びＴＦ
Ｔ基板85の両基板の間に、スペーサとしてプラスティッ
クビーズ86を配設することにより、一定の厚さの空隙が
両基板間に形成されている。この空隙に光重合性を有す
るポリマのモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物87
を注入し、シール樹脂88によって封止する。
Ｔ基板85の両基板の間に、スペーサとしてプラスティッ
クビーズ86を配設することにより、一定の厚さの空隙が
両基板間に形成されている。この空隙に光重合性を有す
るポリマのモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物87
を注入し、シール樹脂88によって封止する。
【００２０】その後、注入された混合物87に紫外線を照
射することにより、ポリマのモノマ又はオリゴマが重合
する。この重合により、ポリマと液晶とが相分離を起こ
す。
射することにより、ポリマのモノマ又はオリゴマが重合
する。この重合により、ポリマと液晶とが相分離を起こ
す。
【００２１】図２２に示すように、透明電極95間でポリ
マと液晶とが相分離を起こす際には、液晶相91を構成し
ている液晶分子92は、網目構造を成すポリマ化合物93中
に分散し界面94に沿って配向する。この配向の方向はこ
の状態では規制されないため、液晶パネル内における液
晶分子92の配向はランダムとなり、液晶パネルに入射す
る光101 は散乱光102 として散乱される。
マと液晶とが相分離を起こす際には、液晶相91を構成し
ている液晶分子92は、網目構造を成すポリマ化合物93中
に分散し界面94に沿って配向する。この配向の方向はこ
の状態では規制されないため、液晶パネル内における液
晶分子92の配向はランダムとなり、液晶パネルに入射す
る光101 は散乱光102 として散乱される。
【００２２】以上のように構成された液晶表示装置を駆
動する場合には、先ず、走査電極線、信号電極線及び対
向電極にそれぞれ対応する電極端子にドライバＩＣを実
装し、駆動回路に接続する。そして、走査電極線に最上
段から順次、パルス信号を入力し、各走査電極線上に形
成されているＴＦＴを動作させる。このＴＦＴの動作タ
イミングに合わせて信号電極線から映像信号を入力する
と、各ＴＦＴに接続された画素電極とそれらに対向する
対向電極との間に電圧が印加される。
動する場合には、先ず、走査電極線、信号電極線及び対
向電極にそれぞれ対応する電極端子にドライバＩＣを実
装し、駆動回路に接続する。そして、走査電極線に最上
段から順次、パルス信号を入力し、各走査電極線上に形
成されているＴＦＴを動作させる。このＴＦＴの動作タ
イミングに合わせて信号電極線から映像信号を入力する
と、各ＴＦＴに接続された画素電極とそれらに対向する
対向電極との間に電圧が印加される。
【００２３】図２３は従来の液晶表示装置において電圧
を印加した場合の液晶分子の配向を説明するための模式
図である。
を印加した場合の液晶分子の配向を説明するための模式
図である。
【００２４】同図に示すように、液晶相91に電圧が印加
されると、液晶分子92が電界方向に配向するため、入射
光103 に対する散乱作用が弱まり、液晶相91は透明とな
って出射光104 が得られる。この透明状態と、電圧が印
加されていないときの散乱状態とを印加電圧によって制
御することにより、画像が表示される。
されると、液晶分子92が電界方向に配向するため、入射
光103 に対する散乱作用が弱まり、液晶相91は透明とな
って出射光104 が得られる。この透明状態と、電圧が印
加されていないときの散乱状態とを印加電圧によって制
御することにより、画像が表示される。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の液晶
表示装置では、上述したようにモノマ又はオリゴマを重
合させるために、モノマ又はオリゴマと液晶化合物との
混合物に紫外線を照射する必要がある。これに関連し
て、次のような問題点がある。
表示装置では、上述したようにモノマ又はオリゴマを重
合させるために、モノマ又はオリゴマと液晶化合物との
混合物に紫外線を照射する必要がある。これに関連し
て、次のような問題点がある。
【００２６】紫外線をＴＦＴ基板側から照射する場合、
図１５及び図１６に示すように、紫外線は走査電極線54
又は信号電極線55によって遮られる。一方、対向基板側
から紫外線を照射する場合には、図１９に示すように、
紫外線はパターン72によって遮られる。
図１５及び図１６に示すように、紫外線は走査電極線54
又は信号電極線55によって遮られる。一方、対向基板側
から紫外線を照射する場合には、図１９に示すように、
紫外線はパターン72によって遮られる。
【００２７】このため、従来のアクティブマトリクス駆
動方式によるポリマ分散型液晶表示装置では、パネル内
部に重合用の紫外線が照射されない部分が存在し、未重
合のモノマ或いはオリゴマが残存してしまう。これら未
重合の残存物は液晶表示装置の非表示部に存在するが、
液晶表示装置の使用時間が経過するのに伴い、残存物は
表示部に拡散する。そのため、表示部の電気光学特性が
時間経過と共に変化し、表示品位が低下してしまう。
動方式によるポリマ分散型液晶表示装置では、パネル内
部に重合用の紫外線が照射されない部分が存在し、未重
合のモノマ或いはオリゴマが残存してしまう。これら未
重合の残存物は液晶表示装置の非表示部に存在するが、
液晶表示装置の使用時間が経過するのに伴い、残存物は
表示部に拡散する。そのため、表示部の電気光学特性が
時間経過と共に変化し、表示品位が低下してしまう。
【００２８】このように従来の液晶表示装置では、表示
品位に関して必ずしも十分な信頼性が得られないという
問題点がある。
品位に関して必ずしも十分な信頼性が得られないという
問題点がある。
【００２９】従って、本発明は、未重合の残存物を極め
て少なくすることにより、表示品位に関して信頼性の高
いアクティブマトリクス駆動方式散乱型の液晶表示装置
を提供するものである。
て少なくすることにより、表示品位に関して信頼性の高
いアクティブマトリクス駆動方式散乱型の液晶表示装置
を提供するものである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、そ
れぞれが電極を有する２つの基板間に設けたポリマ分散
型液晶層を含む液晶表示装置であって、一方の基板がマ
トリクス状に配列された複数の画素電極と、複数の画素
電極の各々に接続された複数の薄膜トランジスタと、複
数の薄膜トランジスタを動作させる走査電極線と、薄膜
トランジスタを介して画素電極に電圧を印加する複数の
信号電極線と、薄膜トランジスタを遮光する遮光部とを
備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の少なく
とも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆されてお
り、２つの基板間に紫外線による重合性を有するモノマ
又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他方の基
板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを重合さ
せてポリマ分散型液晶層を形成している。
れぞれが電極を有する２つの基板間に設けたポリマ分散
型液晶層を含む液晶表示装置であって、一方の基板がマ
トリクス状に配列された複数の画素電極と、複数の画素
電極の各々に接続された複数の薄膜トランジスタと、複
数の薄膜トランジスタを動作させる走査電極線と、薄膜
トランジスタを介して画素電極に電圧を印加する複数の
信号電極線と、薄膜トランジスタを遮光する遮光部とを
備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の少なく
とも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆されてお
り、２つの基板間に紫外線による重合性を有するモノマ
又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他方の基
板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを重合さ
せてポリマ分散型液晶層を形成している。
【００３１】本願の第２の発明は、それぞれが電極を有
する２つの基板間に設けたポリマ分散型液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板がマトリクス状に配列
された複数の画素電極と、複数の画素電極の各々に接続
された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジ
スタを動作させる走査電極線と、薄膜トランジスタを介
して画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線とを備
えており、他方の基板が薄膜トランジスタを遮光する遮
光部を備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の
少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆さ
れており、２つの基板間に紫外線による重合性を有する
モノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他
方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを
重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。
する２つの基板間に設けたポリマ分散型液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板がマトリクス状に配列
された複数の画素電極と、複数の画素電極の各々に接続
された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジ
スタを動作させる走査電極線と、薄膜トランジスタを介
して画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線とを備
えており、他方の基板が薄膜トランジスタを遮光する遮
光部を備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の
少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆さ
れており、２つの基板間に紫外線による重合性を有する
モノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他
方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを
重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。
【００３２】
【作用】本願の第１の発明による液晶表示装置では、走
査電極線及び信号電極線の各々の少なくとも端部が画素
電極により絶縁層を介して被覆されているので、画素電
極と走査電極線との間隙及び画素電極と信号電極線との
間隙の非表示部分が無く、画素電極間の間隙部を遮光す
る必要がない。又、薄膜トランジスタは遮光部によって
遮光される。このため、対向基板に従来のように遮光膜
を設ける必要がなく、対向基板側から紫外線を照射する
ことにより、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶
層に漏れなく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極め
て少なくすることができる。従って、表示品位に関して
高い信頼性を得ることができる。
査電極線及び信号電極線の各々の少なくとも端部が画素
電極により絶縁層を介して被覆されているので、画素電
極と走査電極線との間隙及び画素電極と信号電極線との
間隙の非表示部分が無く、画素電極間の間隙部を遮光す
る必要がない。又、薄膜トランジスタは遮光部によって
遮光される。このため、対向基板に従来のように遮光膜
を設ける必要がなく、対向基板側から紫外線を照射する
ことにより、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶
層に漏れなく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極め
て少なくすることができる。従って、表示品位に関して
高い信頼性を得ることができる。
【００３３】本願の第２の発明による液晶表示装置で
は、走査電極線及び信号電極線の各々の少なくとも端部
が画素電極により絶縁層を介して被覆されているので、
画素電極と走査電極線との間隙及び画素電極と信号電極
線との間隙の非表示部分が無く、画素電極間の間隙部を
遮光する必要がない。一方、薄膜トランジスタは対向基
板に設けられた遮光部によって遮光されるが、その部分
は微小である。このため、対向基板側から紫外線を照射
することにより、紫外線による重合性を有するモノマ又
はオリゴマと液晶材料との混合物から成るポリマ分散型
液晶層に漏れなく紫外線を照射でき、未重合の残存物を
極めて少なくすることができる。従って、表示品位に関
して高い信頼性を得ることができる。
は、走査電極線及び信号電極線の各々の少なくとも端部
が画素電極により絶縁層を介して被覆されているので、
画素電極と走査電極線との間隙及び画素電極と信号電極
線との間隙の非表示部分が無く、画素電極間の間隙部を
遮光する必要がない。一方、薄膜トランジスタは対向基
板に設けられた遮光部によって遮光されるが、その部分
は微小である。このため、対向基板側から紫外線を照射
することにより、紫外線による重合性を有するモノマ又
はオリゴマと液晶材料との混合物から成るポリマ分散型
液晶層に漏れなく紫外線を照射でき、未重合の残存物を
極めて少なくすることができる。従って、表示品位に関
して高い信頼性を得ることができる。
【００３４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００３５】本願の第１の発明に係るアクティブマトリ
クス駆動方式散乱型の液晶表示装置の一実施例につい
て、ＴＦＴ基板の製造工程を説明する。
クス駆動方式散乱型の液晶表示装置の一実施例につい
て、ＴＦＴ基板の製造工程を説明する。
【００３６】図２は本願の第１の発明に係る液晶表示装
置の一実施例を構成するＴＦＴ基板の製作工程における
ＴＦＴ基板の平面図、図３は図２に示す工程に続く工程
におけるＴＦＴ基板の平面図、図４は図３に示す工程に
続く工程におけるＴＦＴ基板の平面図、図５は図４に示
す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板の平面図、及び図
６は図５に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板の平
面図である。
置の一実施例を構成するＴＦＴ基板の製作工程における
ＴＦＴ基板の平面図、図３は図２に示す工程に続く工程
におけるＴＦＴ基板の平面図、図４は図３に示す工程に
続く工程におけるＴＦＴ基板の平面図、図５は図４に示
す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板の平面図、及び図
６は図５に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板の平
面図である。
【００３７】図７は図２のＣ−Ｃ線断面図、図８は図３
のＣ−Ｃ線断面図、図９は図４のＣ−Ｃ線断面図、図１
０は図５のＣ−Ｃ線断面図、及び図１１は図６のＣ−Ｃ
線断面図である。
のＣ−Ｃ線断面図、図９は図４のＣ−Ｃ線断面図、図１
０は図５のＣ−Ｃ線断面図、及び図１１は図６のＣ−Ｃ
線断面図である。
【００３８】尚、これらの図において、補助容量や補助
容量電極線等、本発明に直接関係のない部分は簡単のた
め省略した。
容量電極線等、本発明に直接関係のない部分は簡単のた
め省略した。
【００３９】図２及び図７に示すように、先ず、ガラス
基板11上にタンタルの薄膜をスパッタリング法により形
成し、ホトリソグラフの手法を用いて走査電極線12を形
成する。
基板11上にタンタルの薄膜をスパッタリング法により形
成し、ホトリソグラフの手法を用いて走査電極線12を形
成する。
【００４０】次に、図３及び図８に示すように、ゲート
絶縁膜である窒化シリコン膜13、非ドープアモルファス
シリコン（非ドープａ−Ｓｉ）膜14及びｎ+ アモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）膜15を順次プラズマＣＶＤ法
（プラズマ化学蒸着法）により形成し、非ドープａ−Ｓ
ｉ膜14及びｎ+ アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜15
を島状にパターニングする。
絶縁膜である窒化シリコン膜13、非ドープアモルファス
シリコン（非ドープａ−Ｓｉ）膜14及びｎ+ アモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）膜15を順次プラズマＣＶＤ法
（プラズマ化学蒸着法）により形成し、非ドープａ−Ｓ
ｉ膜14及びｎ+ アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜15
を島状にパターニングする。
【００４１】次いで、図４及び図９に示すように、窒化
シリコン膜13、非ドープａ−Ｓｉ膜14及びｎ+ ａ−Ｓｉ
膜15の上に、ソースバスラインの材料であるチタン膜か
ら成る信号電極線16をスパッタリング法により形成し、
ｎ+ ａ−Ｓｉ膜15と共にパターン化する。
シリコン膜13、非ドープａ−Ｓｉ膜14及びｎ+ ａ−Ｓｉ
膜15の上に、ソースバスラインの材料であるチタン膜か
ら成る信号電極線16をスパッタリング法により形成し、
ｎ+ ａ−Ｓｉ膜15と共にパターン化する。
【００４２】次いで、図５及び図１０に示すように、画
面全面にポリマ樹脂膜を形成して層間絶縁層17とし、そ
してＴＦＴ25のドレイン電極上に貫通孔18を設ける。
面全面にポリマ樹脂膜を形成して層間絶縁層17とし、そ
してＴＦＴ25のドレイン電極上に貫通孔18を設ける。
【００４３】尚、図５の平面図では層間絶縁膜17を省略
している。
している。
【００４４】次いで、図６及び図１１に示すように、Ｉ
ＴＯ膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極19と
してパターン化する。このとき、画素電極19は信号電極
線16及び走査電極線12上にオーバラップするように形成
する。即ち、走査電極線12及び信号電極線16の各々の少
なくとも端部が、画素電極19によって層間絶縁層17を介
して被覆されるように画素電極19を形成する。その後、
窒化シリコン膜を画面全体に形成し、パッシベーション
膜20とする。
ＴＯ膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極19と
してパターン化する。このとき、画素電極19は信号電極
線16及び走査電極線12上にオーバラップするように形成
する。即ち、走査電極線12及び信号電極線16の各々の少
なくとも端部が、画素電極19によって層間絶縁層17を介
して被覆されるように画素電極19を形成する。その後、
窒化シリコン膜を画面全体に形成し、パッシベーション
膜20とする。
【００４５】尚、図６の平面図ではパッシベーション膜
20を省略している。
20を省略している。
【００４６】図１は本願の第１の発明に係る液晶表示装
置の一実施例を構成するＴＦＴ基板の断面図、及び図１
２は図１の液晶表示装置の一実施例を構成するＴＦＴ基
板の平面図である。ここで、図１は図１２のＣ−Ｃ線断
面図である。
置の一実施例を構成するＴＦＴ基板の断面図、及び図１
２は図１の液晶表示装置の一実施例を構成するＴＦＴ基
板の平面図である。ここで、図１は図１２のＣ−Ｃ線断
面図である。
【００４７】次いで、これらの図に示すように、パッシ
ベーション膜20の上に、クロム膜をスパッタリング法に
て成膜し、ＴＦＴ25上にＴＦＴ25を遮光することが可能
な大きさの遮光膜21としてパターニングする。
ベーション膜20の上に、クロム膜をスパッタリング法に
て成膜し、ＴＦＴ25上にＴＦＴ25を遮光することが可能
な大きさの遮光膜21としてパターニングする。
【００４８】尚、この実施例では遮光膜21の材料として
クロムを用いたが、その他にもアルミニウム、チタン、
モリブデン及びタンタル等の金属、又は黒色樹脂を用い
てもよい。
クロムを用いたが、その他にもアルミニウム、チタン、
モリブデン及びタンタル等の金属、又は黒色樹脂を用い
てもよい。
【００４９】従って、この実施例の液晶表示装置のＴＦ
Ｔ基板は、ガラス基板11、走査電極線12、窒化シリコン
膜13、非ドープａ−Ｓｉ膜14、ｎ+ ａ−Ｓｉ膜15、信号
電極線16、層間絶縁層17、貫通孔18、画素電極19、パッ
シベーション膜20及び遮光膜21を備えている。
Ｔ基板は、ガラス基板11、走査電極線12、窒化シリコン
膜13、非ドープａ−Ｓｉ膜14、ｎ+ ａ−Ｓｉ膜15、信号
電極線16、層間絶縁層17、貫通孔18、画素電極19、パッ
シベーション膜20及び遮光膜21を備えている。
【００５０】画素電極19及びＴＦＴ25はガラス基板11上
に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極19は
層間絶縁層17に設けられている貫通孔18を介して、ＴＦ
Ｔ25のドレイン電極に接続されている。
に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極19は
層間絶縁層17に設けられている貫通孔18を介して、ＴＦ
Ｔ25のドレイン電極に接続されている。
【００５１】走査電極線12はＴＦＴ25を動作させ、信号
電極線16はＴＦＴ25を介して画素電極19に電圧を印加す
るように構成されている。
電極線16はＴＦＴ25を介して画素電極19に電圧を印加す
るように構成されている。
【００５２】ＴＦＴ25は、非ドープａ−Ｓｉ膜14、ｎ+
ａ−Ｓｉ膜15、並びに信号電極線16から成るソース電極
及びドレイン電極から構成されており、ゲート絶縁膜で
ある窒化シリコン膜13によって走査電極線12と絶縁され
ている。
ａ−Ｓｉ膜15、並びに信号電極線16から成るソース電極
及びドレイン電極から構成されており、ゲート絶縁膜で
ある窒化シリコン膜13によって走査電極線12と絶縁され
ている。
【００５３】画素電極19は信号電極線16及び走査電極線
12上に、層間絶縁層17を介してオーバラップするように
形成されている。
12上に、層間絶縁層17を介してオーバラップするように
形成されている。
【００５４】遮光膜21はＴＦＴ25のみを遮光することが
可能な大きさに形成されている。
可能な大きさに形成されている。
【００５５】一方、対向基板側には、先ずガラス基板上
にＩＴＯをスパッタリング法で成膜し、対向電極を形成
する。この対向基板側には、ＴＦＴ基板側に形成されて
いるような遮光膜、即ちＴＦＴ25を遮光するための遮光
膜は形成しない。
にＩＴＯをスパッタリング法で成膜し、対向電極を形成
する。この対向基板側には、ＴＦＴ基板側に形成されて
いるような遮光膜、即ちＴＦＴ25を遮光するための遮光
膜は形成しない。
【００５６】このようにして形成したＴＦＴ基板と対向
基板とを、直径10ミクロンのプラスティックビーズを両
基板の間に挟み、シール樹脂を用いて貼り合わせる。そ
の後、予めシール樹脂パターンの一部を開口して設けた
注入口から、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料との混合物を注入し、注入後、注入口
を樹脂により封止する。
基板とを、直径10ミクロンのプラスティックビーズを両
基板の間に挟み、シール樹脂を用いて貼り合わせる。そ
の後、予めシール樹脂パターンの一部を開口して設けた
注入口から、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料との混合物を注入し、注入後、注入口
を樹脂により封止する。
【００５７】そして、紫外線を対向基板側から照射し、
モノマ又はオリゴマを重合させ、ポリマ分散型液晶層を
形成する。
モノマ又はオリゴマを重合させ、ポリマ分散型液晶層を
形成する。
【００５８】以上の工程の後、従来と同様にして駆動用
ＩＣと駆動回路とによって、液晶表示装置に画像を表示
させることができる。
ＩＣと駆動回路とによって、液晶表示装置に画像を表示
させることができる。
【００５９】尚、上述の実施例のＴＦＴ基板のガラス基
板11及び対向基板のガラス基板として、石英から成る基
板を用いてもよい。
板11及び対向基板のガラス基板として、石英から成る基
板を用いてもよい。
【００６０】ガラス基板11は本願の第１の発明の一方の
基板の一実施例である。走査電極線12は本願の第１の発
明の走査電極線の一実施例である。窒化シリコン膜13及
び層間絶縁層17は本願の第１の発明の絶縁層の一実施例
である。信号電極線16は本願の第１の発明の複数の信号
電極線の一実施例である。画素電極19は本願の第１の発
明の複数の画素電極の一実施例である。遮光膜21は本願
の第１の発明の遮光部の一実施例である。ＴＦＴ25は本
願の第１の発明の複数の薄膜トランジスタの一実施例で
ある。
基板の一実施例である。走査電極線12は本願の第１の発
明の走査電極線の一実施例である。窒化シリコン膜13及
び層間絶縁層17は本願の第１の発明の絶縁層の一実施例
である。信号電極線16は本願の第１の発明の複数の信号
電極線の一実施例である。画素電極19は本願の第１の発
明の複数の画素電極の一実施例である。遮光膜21は本願
の第１の発明の遮光部の一実施例である。ＴＦＴ25は本
願の第１の発明の複数の薄膜トランジスタの一実施例で
ある。
【００６１】上述の実施例によれば、走査電極線及び信
号電極線の各々の少なくとも端部が画素電極によって、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜及び層間絶縁層を介
して被覆されているので、画素電極と走査電極線との間
隙及び画素電極と信号電極線との間隙の非表示部分が無
く、画素電極間の間隙部を遮光する必要がない。又、Ｔ
ＦＴは遮光膜によって遮光される。このため、対向基板
に従来のように遮光膜を設ける必要がなく、対向基板側
から光を照射することにより、ポリマ樹脂と液晶材料と
の混合物に漏れなく光を照射でき、未重合の残存物を極
めて少なくすることができる。従って、表示品位に関し
て高い信頼性を得ることができる。
号電極線の各々の少なくとも端部が画素電極によって、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜及び層間絶縁層を介
して被覆されているので、画素電極と走査電極線との間
隙及び画素電極と信号電極線との間隙の非表示部分が無
く、画素電極間の間隙部を遮光する必要がない。又、Ｔ
ＦＴは遮光膜によって遮光される。このため、対向基板
に従来のように遮光膜を設ける必要がなく、対向基板側
から光を照射することにより、ポリマ樹脂と液晶材料と
の混合物に漏れなく光を照射でき、未重合の残存物を極
めて少なくすることができる。従って、表示品位に関し
て高い信頼性を得ることができる。
【００６２】次に、本願の第２の発明に係るアクティブ
マトリクス駆動方式散乱型の液晶表示装置の一実施例に
ついて、ＴＦＴ基板の製造工程を説明する。
マトリクス駆動方式散乱型の液晶表示装置の一実施例に
ついて、ＴＦＴ基板の製造工程を説明する。
【００６３】この実施例の液晶表示装置のＴＦＴ基板
は、上述した本願の第１の発明の実施例のＴＦＴ基板の
製造工程にうち、図２〜図５及び図７〜図１０の工程を
実行することにより完成する。
は、上述した本願の第１の発明の実施例のＴＦＴ基板の
製造工程にうち、図２〜図５及び図７〜図１０の工程を
実行することにより完成する。
【００６４】図１３は本願の第２の発明に係る液晶表示
装置の一実施例を構成する対向基板を示す平面図、及び
図１４は図１３のＤ−Ｄ線断面図である。尚、図１３で
は後述する対向電極は省略されている。
装置の一実施例を構成する対向基板を示す平面図、及び
図１４は図１３のＤ−Ｄ線断面図である。尚、図１３で
は後述する対向電極は省略されている。
【００６５】これらの図に示すように、先ず、この対向
基板と図２〜図５及び図７〜図１０の工程で完成したＴ
ＦＴ基板とを貼り合わせたときに、ＴＦＴ基板側のＴＦ
Ｔ25を遮光すべく、ＴＦＴ25に対向する位置にクロム膜
による遮光膜パターン31をガラス基板30上に形成する。
基板と図２〜図５及び図７〜図１０の工程で完成したＴ
ＦＴ基板とを貼り合わせたときに、ＴＦＴ基板側のＴＦ
Ｔ25を遮光すべく、ＴＦＴ25に対向する位置にクロム膜
による遮光膜パターン31をガラス基板30上に形成する。
【００６６】次に、ガラス基板30及び遮光膜パターン31
の上に、ＩＴＯをスパッタリング法により成膜し、対向
電極32を形成する。
の上に、ＩＴＯをスパッタリング法により成膜し、対向
電極32を形成する。
【００６７】尚、この実施例では遮光膜パターン31の材
料としてクロムを用いたが、その他にもアルミニウム、
チタン、モリブデン及びタンタル等の金属、又は黒色樹
脂を用いてもよい。
料としてクロムを用いたが、その他にもアルミニウム、
チタン、モリブデン及びタンタル等の金属、又は黒色樹
脂を用いてもよい。
【００６８】このようにして製造したＴＦＴ基板と対向
基板とを、直径10ミクロンのプラスティックビーズを両
基板の間に挟み、シール樹脂を用いて貼り合わせる。そ
の後、予めシール樹脂パターンの一部を開口して設けた
注入口から、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料の混合物を注入し、注入後、注入口を
樹脂により封止する。
基板とを、直径10ミクロンのプラスティックビーズを両
基板の間に挟み、シール樹脂を用いて貼り合わせる。そ
の後、予めシール樹脂パターンの一部を開口して設けた
注入口から、紫外線による重合性を有するモノマ又はオ
リゴマと液晶材料の混合物を注入し、注入後、注入口を
樹脂により封止する。
【００６９】そして、紫外線は対向基板側から照射し、
モノマ又はオリゴマを重合させ、ポリマ分散型液晶層を
形成する。
モノマ又はオリゴマを重合させ、ポリマ分散型液晶層を
形成する。
【００７０】以上の工程の後、従来と同様にして駆動用
ＩＣと駆動回路とによって、液晶表示装置に画像を表示
させることができる。
ＩＣと駆動回路とによって、液晶表示装置に画像を表示
させることができる。
【００７１】尚、上述の実施例のＴＦＴ基板のガラス基
板及び対向基板のガラス基板30として、石英から成る基
板を用いてもよい。
板及び対向基板のガラス基板30として、石英から成る基
板を用いてもよい。
【００７２】ガラス基板30は本願の第２の発明の他方の
基板の一実施例である。走査電極線12は本願の第２の発
明の走査電極線の一実施例である。窒化シリコン膜13及
び層間絶縁層17は本願の第２の発明の絶縁層の一実施例
である。信号電極線16は本願の第２の発明の複数の信号
電極線の一実施例である。画素電極19は本願の第２の発
明の複数の画素電極の一実施例である。遮光膜パターン
31は本願の第２の発明の遮光部の一実施例である。ＴＦ
Ｔ25は本願の第２の発明の複数の薄膜トランジスタの一
実施例である。
基板の一実施例である。走査電極線12は本願の第２の発
明の走査電極線の一実施例である。窒化シリコン膜13及
び層間絶縁層17は本願の第２の発明の絶縁層の一実施例
である。信号電極線16は本願の第２の発明の複数の信号
電極線の一実施例である。画素電極19は本願の第２の発
明の複数の画素電極の一実施例である。遮光膜パターン
31は本願の第２の発明の遮光部の一実施例である。ＴＦ
Ｔ25は本願の第２の発明の複数の薄膜トランジスタの一
実施例である。
【００７３】上述の実施例によれば、走査電極線及び信
号電極線の各々の少なくとも端部が画素電極によって、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜及び層間絶縁層を介
して被覆されているので、画素電極と走査電極線との間
隙及び画素電極と信号電極線との間隙の非表示部分が無
く、画素電極間の間隙部を遮光する必要がない。一方、
ＴＦＴは対向基板に設けられた遮光膜パターンによって
遮光されるが、その部分は微小であるため、対向基板側
から光を照射することにより、ポリマ樹脂と液晶材料と
の混合物に漏れなく光を照射でき、未重合の残存物を極
めて少なくすることができる。従って、表示品位に関し
て高い信頼性を得ることができる。
号電極線の各々の少なくとも端部が画素電極によって、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜及び層間絶縁層を介
して被覆されているので、画素電極と走査電極線との間
隙及び画素電極と信号電極線との間隙の非表示部分が無
く、画素電極間の間隙部を遮光する必要がない。一方、
ＴＦＴは対向基板に設けられた遮光膜パターンによって
遮光されるが、その部分は微小であるため、対向基板側
から光を照射することにより、ポリマ樹脂と液晶材料と
の混合物に漏れなく光を照射でき、未重合の残存物を極
めて少なくすることができる。従って、表示品位に関し
て高い信頼性を得ることができる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本願の第１の発明
は、それぞれが電極を有する２つの基板間に設けたポリ
マ分散型液晶層を含む液晶表示装置であって、一方の基
板がマトリクス状に配列された複数の画素電極と、複数
の画素電極の各々に接続された複数の薄膜トランジスタ
と、複数の薄膜トランジスタを動作させる走査電極線
と、薄膜トランジスタを介して画素電極に電圧を印加す
る複数の信号電極線と、薄膜トランジスタを遮光する遮
光部とを備えており、走査電極線及び信号電極線の各々
の少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆
されており、２つの基板間に紫外線による重合性を有す
るモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、
他方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマ
を重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。従っ
て、紫外線による重合性を有するモノマ又はオリゴマと
液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶層に漏れ
なく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極めて少なく
することができる。このため、表示品位に関して高い信
頼性を得ることができる。
は、それぞれが電極を有する２つの基板間に設けたポリ
マ分散型液晶層を含む液晶表示装置であって、一方の基
板がマトリクス状に配列された複数の画素電極と、複数
の画素電極の各々に接続された複数の薄膜トランジスタ
と、複数の薄膜トランジスタを動作させる走査電極線
と、薄膜トランジスタを介して画素電極に電圧を印加す
る複数の信号電極線と、薄膜トランジスタを遮光する遮
光部とを備えており、走査電極線及び信号電極線の各々
の少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆
されており、２つの基板間に紫外線による重合性を有す
るモノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、
他方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマ
を重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。従っ
て、紫外線による重合性を有するモノマ又はオリゴマと
液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶層に漏れ
なく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極めて少なく
することができる。このため、表示品位に関して高い信
頼性を得ることができる。
【００７５】本願の第２の発明は、それぞれが電極を有
する２つの基板間に設けたポリマ分散型液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板がマトリクス状に配列
された複数の画素電極と、複数の画素電極の各々に接続
された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジ
スタを動作させる走査電極線と、薄膜トランジスタを介
して画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線とを備
えており、他方の基板が薄膜トランジスタを遮光する遮
光部を備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の
少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆さ
れており、２つの基板間に紫外線による重合性を有する
モノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他
方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを
重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。従っ
て、紫外線による重合性を有するモノマ又はオリゴマと
液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶層に漏れ
なく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極めて少なく
することができる。このため、表示品位に関して高い信
頼性を得ることができる。
する２つの基板間に設けたポリマ分散型液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板がマトリクス状に配列
された複数の画素電極と、複数の画素電極の各々に接続
された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジ
スタを動作させる走査電極線と、薄膜トランジスタを介
して画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線とを備
えており、他方の基板が薄膜トランジスタを遮光する遮
光部を備えており、走査電極線及び信号電極線の各々の
少なくとも端部が画素電極により絶縁層を介して被覆さ
れており、２つの基板間に紫外線による重合性を有する
モノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他
方の基板側から紫外線を照射してモノマ又はオリゴマを
重合させてポリマ分散型液晶層を形成している。従っ
て、紫外線による重合性を有するモノマ又はオリゴマと
液晶材料との混合物から成るポリマ分散型液晶層に漏れ
なく紫外線を照射でき、未重合の残存物を極めて少なく
することができる。このため、表示品位に関して高い信
頼性を得ることができる。
【図１】本願の第１の発明に係る液晶表示装置の一実施
例を構成するＴＦＴ基板の断面図である。
例を構成するＴＦＴ基板の断面図である。
【図２】本願の第１の発明に係る液晶表示装置の一実施
例を構成するＴＦＴ基板の製作工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
例を構成するＴＦＴ基板の製作工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
【図３】図２に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
の平面図である。
【図４】図３に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
の平面図である。
【図５】図４に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
の平面図である。
【図６】図５に示す工程に続く工程におけるＴＦＴ基板
の平面図である。
の平面図である。
【図７】図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図８】図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】図４のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１０】図５のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１１】図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１２】図１の液晶表示装置の一実施例を構成するＴ
ＦＴ基板の平面図である。
ＦＴ基板の平面図である。
【図１３】本願の第２の発明に係る液晶表示装置の一実
施例を構成する対向基板を示す平面図である。
施例を構成する対向基板を示す平面図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１５】従来のポリマ分散型液晶を用いた液晶表示装
置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線断面図である。
【図１７】従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の全体を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１８】従来のポリマ分散型液晶を用いた液晶表示装
置の対向基板の構成を示す平面図である。
置の対向基板の構成を示す平面図である。
【図１９】図１８のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２０】図１７のＴＦＴ基板と図１８の対向基板との
貼り合わせを説明する斜視図である。
貼り合わせを説明する斜視図である。
【図２１】従来の液晶表示装置の要部断面図である。
【図２２】従来の液晶表示装置に用いるポリマのモノマ
又はオリゴマと液晶材料との混合物における重合を説明
するための模式図である。
又はオリゴマと液晶材料との混合物における重合を説明
するための模式図である。
【図２３】従来の液晶表示装置において電圧を印加した
場合の液晶分子の配向を説明するための模式図である。
場合の液晶分子の配向を説明するための模式図である。
11、30 ガラス基板 12 走査電極線 13 窒化シリコン膜 14 非ドープａ−Ｓｉ膜 15 ｎ+ ａ−Ｓｉ膜 16 信号電極線 17 層間絶縁層 18 貫通孔 19 画素電極 20 パッシベーション膜 21 遮光膜 25 ＴＦＴ 31 遮光膜パターン 32 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−223727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−271233（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−166515（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−145218（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−220626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02F 1/1343
Claims (4)
- 【請求項１】 それぞれが電極を有する２つの基板間に
設けたポリマ分散型液晶層を含む液晶表示装置であっ
て、一方の該基板がマトリクス状に配列された複数の画
素電極と、該複数の画素電極の各々に接続された複数の
薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタを動作
させる走査電極線と、前記薄膜トランジスタを介して前
記画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線と、前記
薄膜トランジスタを遮光する遮光部とを備えており、前
記走査電極線及び前記信号電極線の各々の少なくとも端
部が前記画素電極により絶縁層を介して被覆されてお
り、前記２つの基板間に紫外線による重合性を有するモ
ノマ又はオリゴマと液晶材料との混合物を注入し、他方
の前記基板側から紫外線を照射して前記モノマ又はオリ
ゴマを重合させて前記ポリマ分散型液晶層を形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光部は前記薄膜トランジスタの上
方に設けられており、クロム、アルミニウム、チタン、
モリブデン及びタンタルのうちの少なくとも一つを含ん
でいる金属膜又は黒色樹脂により形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 それぞれが電極を有する２つの基板間に
設けたポリマ分散型液晶層を含む液晶表示装置であっ
て、一方の該基板がマトリクス状に配列された複数の画
素電極と、該複数の画素電極の各々に接続された複数の
薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタを動作
させる走査電極線と、前記薄膜トランジスタを介して前
記画素電極に電圧を印加する複数の信号電極線とを備え
ており、他方の前記基板が前記薄膜トランジスタを遮光
する遮光部を備えており、前記走査電極線及び前記信号
電極線の各々の少なくとも端部が前記画素電極により絶
縁層を介して被覆されており、前記２つの基板間に紫外
線による重合性を有するモノマ又はオリゴマと液晶材料
との混合物を注入し、他方の前記基板側から紫外線を照
射して前記モノマ又はオリゴマを重合させて前記ポリマ
分散型液晶層を形成することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項４】 前記遮光部は前記薄膜トランジスタに対
向する位置に設けられており、クロム、アルミニウム、
チタン、モリブデン及びタンタルのうちの少なくとも一
つを含んでいる金属膜又は黒色樹脂により形成されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283591A JP2742163B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283591A JP2742163B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119350A JPH05119350A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2742163B2 true JP2742163B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17657696
Family Applications (1)
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-
1991
- 1991-10-29 JP JP28283591A patent/JP2742163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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