JPH04220626A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH04220626A JPH04220626A JP2404861A JP40486190A JPH04220626A JP H04220626 A JPH04220626 A JP H04220626A JP 2404861 A JP2404861 A JP 2404861A JP 40486190 A JP40486190 A JP 40486190A JP H04220626 A JPH04220626 A JP H04220626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- picture element
- light
- scanning line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 5
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，液晶表示装置に関する
ものである．
ものである．
【０００２】
【従来の技術】近年，液晶表示装置はＣＲＴに代わるデ
ィスプレイとして注目され，より高画質化に向けて改良
が進められている。
ィスプレイとして注目され，より高画質化に向けて改良
が進められている。
【０００３】以下図面を参照しながら，上述した従来の
液晶表示装置の一例について説明する。（図４）は，従
来の液晶表示装置の断面図を示すものである。（図４）
において，４０１は信号線，４０２は走査線，４０３は
絵素スイッチ素子，４０４は絵素電極，４０５は透明電
極，４０６は絶縁層，４０７は遮光膜，４０８は第１の
基板，４０９は液晶層，４１０は第２の基板である。 （たとえば，映像情報（Ｉ），１９８９年９月号２３〜
３１ペ−ジ）。この遮光膜は従来，例えばクロム等の金
属や黒色の樹脂が多用されている。
液晶表示装置の一例について説明する。（図４）は，従
来の液晶表示装置の断面図を示すものである。（図４）
において，４０１は信号線，４０２は走査線，４０３は
絵素スイッチ素子，４０４は絵素電極，４０５は透明電
極，４０６は絶縁層，４０７は遮光膜，４０８は第１の
基板，４０９は液晶層，４１０は第２の基板である。 （たとえば，映像情報（Ｉ），１９８９年９月号２３〜
３１ペ−ジ）。この遮光膜は従来，例えばクロム等の金
属や黒色の樹脂が多用されている。
【０００４】この遮光膜の主な役割は大きく分けて３つ
ある。１つは，４０８の第１の基板を透過して４０９の
第２の基板に到達する光が４０３の絵素スイッチ素子に
は当たらないように遮光する役目がある。絵素スイッチ
素子には，例えばアモルファスシリコン薄膜トランジス
タが多用されておりこの素子は光の影響を受け易い．そ
のため必ず遮光する必要があり遮光膜は必要である。２
つ目の役割は，４０１の信号線と４０８の第１の基板と
の間に生じる電界によって４１０の液晶層が変化するが
この影響を隠す役割である。３つ目の役割は，隣合う絵
素の境界をはっきりとさせる役割である。
ある。１つは，４０８の第１の基板を透過して４０９の
第２の基板に到達する光が４０３の絵素スイッチ素子に
は当たらないように遮光する役目がある。絵素スイッチ
素子には，例えばアモルファスシリコン薄膜トランジス
タが多用されておりこの素子は光の影響を受け易い．そ
のため必ず遮光する必要があり遮光膜は必要である。２
つ目の役割は，４０１の信号線と４０８の第１の基板と
の間に生じる電界によって４１０の液晶層が変化するが
この影響を隠す役割である。３つ目の役割は，隣合う絵
素の境界をはっきりとさせる役割である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では，第１の基板と第２の基板を精度よく張り
合わせる必要がありこのずれを考慮するとその分遮光膜
の線幅を太くする必要がありその分開口率が低下する。 またこの構造では第１の基板と第２の基板の間を光が直
進する場合は良いが２枚の基板間で光の散乱や反射が発
生する場合たとえば高分子分散型液晶を用いた液晶表示
装置の場合，高分子分散型液晶による光の散乱を利用す
るため従来の構造では遮光効果が不十分である。
うな構成では，第１の基板と第２の基板を精度よく張り
合わせる必要がありこのずれを考慮するとその分遮光膜
の線幅を太くする必要がありその分開口率が低下する。 またこの構造では第１の基板と第２の基板の間を光が直
進する場合は良いが２枚の基板間で光の散乱や反射が発
生する場合たとえば高分子分散型液晶を用いた液晶表示
装置の場合，高分子分散型液晶による光の散乱を利用す
るため従来の構造では遮光効果が不十分である。
【０００６】本発明は，上記課題に鑑み，高開口率を有
しかつ液晶層で光の反射や散乱があっても十分に遮光効
果の得られる液晶表示装置を提供するものである。
しかつ液晶層で光の反射や散乱があっても十分に遮光効
果の得られる液晶表示装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の液晶表示装置は，絵素スイッチ素子と隣会う
絵素電極の間隙とを走査線と信号線とであるいは走査線
と信号線と遮光膜とで光学的に遮光する構造であること
を特徴とするものである。
に本発明の液晶表示装置は，絵素スイッチ素子と隣会う
絵素電極の間隙とを走査線と信号線とであるいは走査線
と信号線と遮光膜とで光学的に遮光する構造であること
を特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構造によって第２の基板から
入射した光は，信号線および走査線により遮光したい絵
素スイッチ素子と隣会う絵素電極の間隙を光学的にマス
クできる。また信号線および走査線と絵素スイッチ素子
および隣会う絵素電極の間隙との位置合わせが第２の基
板内だけで行うので従来の２枚の基板の位置合わせより
精度よく行えひいては高開口率化につながる。
入射した光は，信号線および走査線により遮光したい絵
素スイッチ素子と隣会う絵素電極の間隙を光学的にマス
クできる。また信号線および走査線と絵素スイッチ素子
および隣会う絵素電極の間隙との位置合わせが第２の基
板内だけで行うので従来の２枚の基板の位置合わせより
精度よく行えひいては高開口率化につながる。
【０００９】最近注目を浴びている高分子分散型液晶を
用いた液晶表示装置の場合本構造は特に有効である。高
分子分散型液晶は高分子と液晶物質あるいは高分子と高
分子液晶と液晶物質が互いに分散した物質である。例え
ばスポンジ状の高分子フィルムの空隙に液晶物質が存在
するような物や高分子層中に液滴のように液晶物質が分
散するような物あるいは流動性のある高分子の中に液晶
物質がエマルジョン的に分散した物などである。なお高
分子と高分子液晶と液晶物質の存在割合はいくらであっ
てもよい。この高分子分散型液晶は通常白濁しておりこ
れに光が入射すると光は高分子分散型液晶層中で散乱を
おこす。ところがこの高分子分散型液晶層に電界を駆け
るとこの電界の強さに応じて高分子分散型液晶層中の液
晶物質が電界の方向に列び始める。電界を大きく駆けた
ときこの液晶物質がほとんどこの電界方向に規則的に列
ぶので高分子分散型液晶はほとんど透明になり入射した
光は高分子分散型液晶層をほとんど散乱することなく通
過する。すなわち高分子分散型液晶層に印加した電界の
強さによって光の散乱状態または光の透過量を制御する
ことができる。これは動作原理的に通常の液晶表示装置
と似た点もあるが，通常の液晶表示装置は偏光光を変調
するのに対して高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置
は光に偏光光という制限がない点が大きな特徴である。
用いた液晶表示装置の場合本構造は特に有効である。高
分子分散型液晶は高分子と液晶物質あるいは高分子と高
分子液晶と液晶物質が互いに分散した物質である。例え
ばスポンジ状の高分子フィルムの空隙に液晶物質が存在
するような物や高分子層中に液滴のように液晶物質が分
散するような物あるいは流動性のある高分子の中に液晶
物質がエマルジョン的に分散した物などである。なお高
分子と高分子液晶と液晶物質の存在割合はいくらであっ
てもよい。この高分子分散型液晶は通常白濁しておりこ
れに光が入射すると光は高分子分散型液晶層中で散乱を
おこす。ところがこの高分子分散型液晶層に電界を駆け
るとこの電界の強さに応じて高分子分散型液晶層中の液
晶物質が電界の方向に列び始める。電界を大きく駆けた
ときこの液晶物質がほとんどこの電界方向に規則的に列
ぶので高分子分散型液晶はほとんど透明になり入射した
光は高分子分散型液晶層をほとんど散乱することなく通
過する。すなわち高分子分散型液晶層に印加した電界の
強さによって光の散乱状態または光の透過量を制御する
ことができる。これは動作原理的に通常の液晶表示装置
と似た点もあるが，通常の液晶表示装置は偏光光を変調
するのに対して高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置
は光に偏光光という制限がない点が大きな特徴である。
【００１０】本発明の構造では高分子分散型液晶を用い
た液晶表示装置の場合でも液晶層に光が達する前に遮光
してしまうので散乱の影響を受ける事はない。
た液晶表示装置の場合でも液晶層に光が達する前に遮光
してしまうので散乱の影響を受ける事はない。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例の液晶表示装置につい
て，図面を参照しながら説明する。
て，図面を参照しながら説明する。
【００１２】（図１）（ａ）および（ｂ）は本発明に第
１の実施例における液晶表示装置の断面図を示すもので
ある。同図において，１０１は信号線，１０２は走査線
，１０３は絵素スイッチ素子，１０４は絵素電極，１０
５は透明電極，１０６は絶縁層，１０７は遮光膜，１０
８は第１の基板，１０９は液晶層，１１０は第２の基板
である。また（図１）（ａ）は第１の基板に遮光膜がな
い場合で，（図１）（ｂ）は第１の基板に遮光膜がある
場合である。
１の実施例における液晶表示装置の断面図を示すもので
ある。同図において，１０１は信号線，１０２は走査線
，１０３は絵素スイッチ素子，１０４は絵素電極，１０
５は透明電極，１０６は絶縁層，１０７は遮光膜，１０
８は第１の基板，１０９は液晶層，１１０は第２の基板
である。また（図１）（ａ）は第１の基板に遮光膜がな
い場合で，（図１）（ｂ）は第１の基板に遮光膜がある
場合である。
【００１３】また（図２）は第２の基板の絵素マトリク
スの１部の平面図である。同図において，２０１は信号
線，２０２は走査線，２０３は絵素スイッチ素子，２０
４は絵素電極である。（図１）において光は第２の基板
側から入射し液晶層を通過，第１の基板をぬける。第２
の基板で信号線と走査線は一般に金属で，できており光
を通さない。隣会う絵素電極の間隙をこの信号線と走査
線の下に配置することで第１の基板側から見たとき隣会
う絵素電極の間隙は隠されている。また絵素スイッチ素
子は走査線の陰になる様に配置する。一般に絵素スイッ
チ素子はアモルファスシリコンあるいはポリシリコンか
らなる薄膜トランジスタあるいは薄膜ダイオ−ドである
。また１０９の液晶層はＴＮモ−ドあるいは高分子分散
型液晶を用いる。
スの１部の平面図である。同図において，２０１は信号
線，２０２は走査線，２０３は絵素スイッチ素子，２０
４は絵素電極である。（図１）において光は第２の基板
側から入射し液晶層を通過，第１の基板をぬける。第２
の基板で信号線と走査線は一般に金属で，できており光
を通さない。隣会う絵素電極の間隙をこの信号線と走査
線の下に配置することで第１の基板側から見たとき隣会
う絵素電極の間隙は隠されている。また絵素スイッチ素
子は走査線の陰になる様に配置する。一般に絵素スイッ
チ素子はアモルファスシリコンあるいはポリシリコンか
らなる薄膜トランジスタあるいは薄膜ダイオ−ドである
。また１０９の液晶層はＴＮモ−ドあるいは高分子分散
型液晶を用いる。
【００１４】（図３）（ａ）および（ｂ）は本発明に第
２の実施例における液晶表示装置の断面図を示すもので
ある。同図において，３０１は信号線，３０２は走査線
，３０３は絵素スイッチ素子，３０４は絵素電極，３０
５は透明電極，３０６は絶縁層，３０７は遮光膜，３０
８は第１の基板，３０９は液晶層，３１０は第２の基板
である。また（図３）（ａ）は第１の基板に遮光膜がな
い場合で，（図３）（ｂ）は第１の基板に遮光膜がある
場合である。また第２の基板の絵素マトリクスの１部を
上から見た透過図は第１の実施例の場合と同じく（図２
）に示す通りである。
２の実施例における液晶表示装置の断面図を示すもので
ある。同図において，３０１は信号線，３０２は走査線
，３０３は絵素スイッチ素子，３０４は絵素電極，３０
５は透明電極，３０６は絶縁層，３０７は遮光膜，３０
８は第１の基板，３０９は液晶層，３１０は第２の基板
である。また（図３）（ａ）は第１の基板に遮光膜がな
い場合で，（図３）（ｂ）は第１の基板に遮光膜がある
場合である。また第２の基板の絵素マトリクスの１部を
上から見た透過図は第１の実施例の場合と同じく（図２
）に示す通りである。
【００１５】（図３）において光は第２の基板側から入
射し液晶層を通過，第１の基板をぬける。第２の基板で
信号線と走査線は一般に金属で，できており光を通さな
い。隣会う絵素電極の間隙をこの信号線と走査線の上に
配置することで隣会う絵素電極の間隙には信号線と走査
線によって遮光されている。一般に絵素スイッチ素子は
アモルファスシリコンあるいはポリシリコンからなる薄
膜トランジスタあるいは薄膜ダイオ−ドである。また３
０９の液晶層はＴＮモ−ドあるいは高分子分散型液晶を
用いる。
射し液晶層を通過，第１の基板をぬける。第２の基板で
信号線と走査線は一般に金属で，できており光を通さな
い。隣会う絵素電極の間隙をこの信号線と走査線の上に
配置することで隣会う絵素電極の間隙には信号線と走査
線によって遮光されている。一般に絵素スイッチ素子は
アモルファスシリコンあるいはポリシリコンからなる薄
膜トランジスタあるいは薄膜ダイオ−ドである。また３
０９の液晶層はＴＮモ−ドあるいは高分子分散型液晶を
用いる。
【００１６】第１の実施例および第２の実施例において
隣会う絵素電極の間隙と信号線と走査線の線幅との関係
を示すと，隣会う絵素電極の間隙は，信号線の線幅以上
，ゼロ未満あるいは走査線の線幅以上，ゼロ未満となる
。
隣会う絵素電極の間隙と信号線と走査線の線幅との関係
を示すと，隣会う絵素電極の間隙は，信号線の線幅以上
，ゼロ未満あるいは走査線の線幅以上，ゼロ未満となる
。
【００１７】また第１の実施例および第２の実施例にお
いて隣会う絵素電極の間隙はすべて信号線と走査線とで
光学的に遮光されているがかならずしもすべて遮光され
ている必要はない。また第１の基板に遮光膜を有する場
合，遮光膜が隣会う絵素電極の間隙をすべて光学的に遮
光されているのが望ましいがかならずしもすべて遮光さ
れている必要はない。
いて隣会う絵素電極の間隙はすべて信号線と走査線とで
光学的に遮光されているがかならずしもすべて遮光され
ている必要はない。また第１の基板に遮光膜を有する場
合，遮光膜が隣会う絵素電極の間隙をすべて光学的に遮
光されているのが望ましいがかならずしもすべて遮光さ
れている必要はない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明は隣会う絵素電極の
間隙を信号線と走査線の陰に配置することにより隣会う
絵素電極の間隙を遮光することができる。とくに高分子
分散型液晶を用いた液晶表示装置の場合，特に有効とな
る。
間隙を信号線と走査線の陰に配置することにより隣会う
絵素電極の間隙を遮光することができる。とくに高分子
分散型液晶を用いた液晶表示装置の場合，特に有効とな
る。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の断面図である。
１０１ 信号線
１０２ 走査線
１０３ 絵素スイッチ素子
１０４ 絵素電極
１０５ 透明電極
１０６ 絶縁層
１０７ 遮光膜
１０８ 第１の基板
１０９ 液晶層
１１０ 第２の基板
２０１ 信号線
２０２ 走査線
２０３ 絵素スイッチ素子
２０４ 絵素電極
３０１ 信号線
３０２ 走査線
３０３ 絵素スイッチ素子
３０４ 絵素電極
３０５ 透明電極
３０６ 絶縁層
３０７ 遮光膜
３０８ 第１の基板
３０９ 液晶層
３１０ 第２の基板
Claims (3)
- 【請求項１】可視光を透過する透明基板と透明電極とを
含む第１の基板と，絵素スイッチ素子と走査線と信号線
と前記絵素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配
置された絵素電極を含むアクティブマトリクスアレイと
が形成された第２の基板と，前記第１の基板と前記第２
の基板との対向間隙に封入された液晶層と，を具備して
成る液晶表示装置であって，前記絵素スイッチ素子と隣
会う前記絵素電極の間隙とを前記走査線と前記信号線と
で光学的に遮光する構造であることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】可視光を透過する透明基板と遮光膜と透明
電極とを含む第１の基板と，絵素スイッチ素子と走査線
と信号線と前記絵素スイッチ素子で駆動されるマトリク
ス状に配置された絵素電極を含むアクティブマトリクス
アレイとが形成された第２の基板と，前記第１の基板と
前記第２の基板との対向間隙に封入された液晶層と，を
具備して成る液晶表示装置であって，前記絵素スイッチ
素子と隣会う前記絵素電極の間隙とを前記走査線と前記
信号線と前記遮光膜とで光学的に遮光する構造であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】液晶層が高分子分散型液晶である請求項１
または２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404861A JPH04220626A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404861A JPH04220626A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04220626A true JPH04220626A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18514517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404861A Pending JPH04220626A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04220626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05119350A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5585951A (en) * | 1992-12-25 | 1996-12-17 | Sony Corporation | Active-matrix substrate |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6867434B2 (en) | 1995-11-17 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2404861A patent/JPH04220626A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05119350A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5585951A (en) * | 1992-12-25 | 1996-12-17 | Sony Corporation | Active-matrix substrate |
| US6867434B2 (en) | 1995-11-17 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6445059B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6787887B2 (en) | 1995-12-14 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7119871B2 (en) | Liquid crystal display having insulating film overlapping and extending in direction of drain signal line | |
| US6603524B1 (en) | LCD device having pixel electrodes asymmetrically overlapping gate and/or source signal lines | |
| US6636192B1 (en) | Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel | |
| KR100618727B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 전자 기기 | |
| US20010046013A1 (en) | Reflection type liquid crystal display | |
| JPS59139018A (ja) | 表示パネル | |
| JPH10268309A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3267224B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| EP0943953B1 (en) | Liquid crystal display panel | |
| CN111965864B (zh) | 调光结构和显示装置 | |
| JP3296704B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2762964B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0827010B1 (en) | In-plane type liquid crystal display apparatus with increased numerical aperture | |
| JPH04220626A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR19990086094A (ko) | 액정 표시 장치에서 패드부의 구조 및 그 제조 방법 | |
| US6031592A (en) | Reflection LCD with counter-reflector having openings at intersection areas of bus lines | |
| JP4380821B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN114675441A (zh) | 宽窄视角分区域可切换的显示面板及驱动方法、显示装置 | |
| JP2858499B2 (ja) | 液晶素子の駆動方法 | |
| JPH03150532A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| KR100285652B1 (ko) | 광시야각을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100494681B1 (ko) | 광시야각을 갖는 액정 표시 장치 | |
| KR100601162B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR101637877B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| JPH06230356A (ja) | 液晶表示装置 |